TWI467046B - 殼體及其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種殼體及其製作方法，尤其涉及一種具有淡藍色外觀的殼體及其製作方法。
隨著科技的不斷進步，行動電話、個人數位助理等各式電子裝置也迅速發展，其功能亦愈來愈豐富。為了使電子裝置的外殼具有豐富色彩，傳統上可利用彩色塑膠形成彩色塑膠外殼，或藉由噴漆方式在電子裝置的殼體表面形成色料層。然而，塑膠外殼與噴漆外殼不能呈現良好的金屬質感。另一方面，由於真空鍍膜技術本身較為複雜而不易精密操控，習知技術中於殼體表面形成的金屬真空鍍膜層的色彩有限，與烤漆、陽極處理等工藝相比，真空鍍膜層的色彩不夠豐富，嚴重影響了其在裝飾鍍膜領域的競爭力。
鑒於此，本發明提供一種通過PVD鍍膜形成淡藍色外觀的殼體。
另外，本發明還提供一種上述殼體的製作方法。
一種殼體，其包括基體及形成於基體表面的色彩層，該色彩層包括依次形成於基體表面的氮氧鈦層和氮氧鉻層，該色彩層呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標介於60至100之間，a*座標介於-10至-8之間，b*座標介於-15至-13之間。
一種殼體的製作方法，其包括如下步驟：
提供一基體；
於該基體的表面磁控濺射一色彩層，該色彩層包括依次形成於基體表面的氮氧鈦層和氮氧鉻層，以鈦靶為靶材，以氧氣和氮氣為反應氣體，控制氧氣的初始流量為20sccm，氮氣的初始流量為15sccm，其氧氣和氮氣由靠近基體至遠基體的方向呈梯度增加，當濺射時間到40min時，氧氣流量梯度增加到50sccm，氮氣流量梯度增加到35sccm，於基體上形成氮氧鈦層；
關閉鈦靶，開啟鉻靶，繼續通入氧氣和氮氣，控制氧氣流量50sccm和氮氣流量35sccm，於氮氧鈦層上形成氮氧鉻層，繼續濺射20min；所述色彩層呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標介於60至100之間，a*座標介於-10至-8之間，b*座標介於-15至-13之間。
相較於習知技術，所述殼體的製備方法在形成色彩層時，通過對靶材的選取、反應氣體氧氣和氮氣流量的設計和濺射時間的控制，從而達到使色彩層呈現淡藍色的目的，以該方法所製得的殼體呈現出具有吸引力的淡藍色的外觀，豐富了真空鍍膜層的顏色，提高了產品的外觀競爭力。
請參閱圖1，本發明一較佳實施例的殼體10包括基體11及形成於基體11表面的色彩層13。該色彩層13呈現淡藍色。
基體11的材質可為不銹鋼、玻璃、陶瓷或塑膠，優選為不銹鋼。
色彩層13可以磁控濺射的方式形成於基體11的表面。該色彩層13包括依次形成於基體表面的氮氧鈦層131和氮氧鉻層133，該色彩層13的厚度為0.3~1.0μm。該色彩層13肉眼直觀呈現淡藍色，其呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標介於60至100之間，a*座標介於-10至-8之間，b*座標介於-15至-13之間。
所述氮氧鈦層中Ti、O及N各元素的質量百分含量分別為40%~70%，25%~55%及5%~10%；所述氮氧鉻層中Cr、O及N各元素質量百分含量分別為40%~70%，25%~55%及5%~10%。
所述色彩層13呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標介於60至100之間，a*座標介於-10至-8之間，b*座標介於-15至-13之間。所述色彩層13的厚度可為0.3~1μm。
本發明殼體10的製作方法包括以下步驟：
提供一基體11。基體11的材質可為不銹鋼、玻璃、陶瓷或塑膠，優選為不銹鋼。
將基體11放入無水乙醇中進行超聲波清洗並烘乾備用。
將基材11烘乾後置入鍍膜機中進行PVD鍍膜形成所述結合層13和色彩層15。結合參閱圖2，提供一鍍膜機100，鍍膜機100包括一鍍膜室20及用以對所述鍍膜室20抽真空的一真空泵30。該鍍膜室20內設有轉架（未圖示）及擋板（未圖示）、二第一靶材22及二第二靶材23。轉架帶動基體11沿圓形軌跡21運行，且基體11在沿軌跡21運行時亦自轉；擋板用以在清洗靶材時濺射的粒子濺射至基體11，其通過電動控制自動打開或關閉。二第一靶材22與二第二靶材23關於軌跡21的中心對稱設置，且二第一靶材22相對地設置在軌跡21的內外側，二第二靶材23相對地設置在軌跡21的內外側。每一第一靶材22及每一第二靶材23的兩端均設有氣源通道24，該氣源24吹出氣體粒子轟擊相應的靶材的表面，以使靶材表面濺射出粒子。當基體11穿過二第一靶材22之間時，將鍍上第一靶材22表面濺射出的粒子，當基體11穿過二第二靶材23之間時，將鍍上第二靶材23表面濺射出的粒子。
抽真空使該鍍膜機的腔體的真空度為8×10-5
Pa，設置轉架的公轉轉速為0.5rpm(轉/分鐘)，加熱該腔體使溫度為120℃，真空度為8×10-3
Pa，設置鈦靶和鉻靶的功率為7~9kw，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為200~300sccm，施加於基體11的偏壓為-250~-200V，佔空比為40~60%；先以鈦靶為靶材，以氧氣和氮氣為反應氣體，控制氧氣的流量為20~50sccm，氮氣的流量為15~35sccm。濺射時，使氧氣的初始流量為20sccm，氮氣的初使流量為15sccm，濺射過程中使氧氣和氮氣的流量呈梯度增加，具體的增加方式為：在0~5min之間內，控制氧氣流量從20sccm逐漸增加到50sccm，氮氣流量從15sccm逐漸增加到20sccm；在5~10min之間內，控制氧氣流量從30sccm逐漸增加到40sccm，氮氣流量從20sccm逐漸增加到30sccm；在10~15min之間內，控制氧氣流量從40sccm逐漸增加到50sccm，氮氣流量從30sccm逐漸增加到35sccm；之後，在15~40min之間內，保持氧氣流量50sccm，氮氣流量35sccm不變。直到濺射的時間為40min為止，於基體11上形成氮氧鈦層131；此後，控制氧氣流量50sccm和氮氣流量35sccm不變，在氮氧鈦層131上形成氮氧鉻層133，繼續濺射時間為20min，可參見下表：
所述色彩層13呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標介於60至100之間，a*座標介於-10至-8之間，b*座標介於-15至-13之間。所述色彩層13的厚度可為0.3~1.0μm。
所述色彩層13除上述較佳的實施例外，通過改變所述色彩層13中所述氮氧鈦層中Ti、O及N和氮氧鉻層中Cr、O及N各元素的質量百分含量，可以得到不同色差值及對色彩層13參數控制，具體參數參見下表。
本發明殼體10可為筆記型電腦、個人數位助理等電子裝置的殼體，或為其他裝飾類產品的殼體。
所述殼體10的製備方法在形成色彩層13時，通過對鈦靶和鉻靶材的選取、反應氣體氧氣和氮氣流量的設計和濺射時間的控制，從而達到使色彩層13呈現淡藍色的目的。以該方法所製得的殼體10呈現出具有吸引力的淡藍色的外觀，豐富了真空鍍膜層的顏色，極大地提高了產品的外觀競爭力。
10．．．殼體
11．．．基體
13．．．色彩層
131．．．氮氧鈦層
133．．．氮氧鉻層
100．．．鍍膜機
20．．．鍍膜室
30．．．真空泵
21．．．軌跡
22．．．第一靶材
23．．．第二靶材
24．．．氣源通道
圖1係本發明較佳實施例的殼體的剖視示意圖。
圖2係圖1殼體的製作過程中所用鍍膜機結構示意圖。
10．．．殼體
11．．．基體
13．．．色彩層
131．．．氮氧鈦層
133．．．氮氧鉻層
Claims (9)
- 一種殼體，其包括基體及形成於基體表面的色彩層，其改良在於：該色彩層包括依次形成於基體表面的氮氧鈦層和氮氧鉻層，該色彩層呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標介於60至100之間，a*座標介於-10至-8之間，b*座標介於-15至-13之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之殼體，所述氮氧鈦層中Ti、O及N各元素質量百分比分別為40%，55%及5%，所述氮氧鉻層Cr-O-N中Cr、O及N各元素質量百分比分別為40%，50%及10%。
- 如申請專利範圍第1項所述之殼體，所述氮氧鈦層中Ti、O及N各元素質量百分比分別為50%，40%及10%，所述氮氧鉻層中Cr、O及N各元素質量百分比分別為50%，35%及15%。
- 如申請專利範圍第1項所述之殼體，所述氮氧鈦層中Ti、O及N各元素質量百分比分別為70%，25%及5%，所述氮氧鉻層中Cr、O及N各元素質量百分比分別為60%，30%及10%。
- 如申請專利範圍第1項所述之殼體，所述基體的材質為不銹鋼、玻璃、陶瓷或塑膠。
- 如申請專利範圍第1項所述之殼體，所述色彩層通過磁控濺射形成，其厚度為0.3~1.0μm。
- 一種殼體的製作方法，其包括如下步驟：
提供一基體；
於該基體的表面磁控濺射一色彩層，該色彩層包括依次形成於基體表面的氮氧鈦層和氮氧鉻層，以鈦靶為靶材，以氧氣和氮氣為反應氣體，控制氧氣的初始流量為20sccm，氮氣的初始流量為15sccm，其氧氣和氮氣由靠近基體至遠離基體的方向呈梯度增加，當濺射時間到40min時，氧氣流量梯度增加到50sccm，氮氣流量梯度增加到35sccm，於基體上形成氮氧鈦層；
關閉鈦靶，開啟鉻靶，繼續通入氧氣和氮氣，控制氧氣流量50sccm和氮氣流量35sccm，於氮氧鈦層上形成氮氧鉻層，繼續濺射20min；所述色彩層呈現的色度區域於CIE LAB表色系統的L*座標介於60至100之間，a*座標介於-10至-8之間，b*座標介於-15至-13之間。 - 如申請專利範圍第7項所述之殼體的製作方法，磁控濺射該色彩層的工藝參數為：真空度為8×10-3 Pa，設置鈦靶和鉻靶的功率為7~9kw，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為200~300sccm，施加於基體的偏壓為-250~-200V，占空比為40~60%。
- 如申請專利範圍第7項所述之殼體的製作方法，形成所述氮氧鈦層對氧氣和氮氣梯度增加的流量為：在0~5min之間內，控制氧氣流量從20sccm逐漸增加到50sccm，氮氣流量從15sccm逐漸增加到20sccm；在5~10min之間內，控制氧氣流量從30sccm逐漸增加到40sccm，氮氣流量從20sccm逐漸增加到30sccm；在10~15min之間內，控制氧氣流量從40sccm逐漸增加到50sccm，氮氣流量從30sccm逐漸增加到35sccm；之後，從在15~40min之間內，保持氧氣流量從50sccm，氮氣流量35sccm不變，直到濺射的時間為40min為止。
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| US20040086723A1 (en) * | 2001-02-28 | 2004-05-06 | Thomsen Scott V. | Coated article with silicon oxynitride adjacent glass |
| US20080138547A1 (en) * | 2006-11-09 | 2008-06-12 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Optical coating with improved durability |
| TWI300446B (zh) * | 2005-12-30 | 2008-09-01 | Advanced Int Multitech Co Ltd |
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2010
- 2010-12-24 TW TW99145703A patent/TWI467046B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
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| US20040086723A1 (en) * | 2001-02-28 | 2004-05-06 | Thomsen Scott V. | Coated article with silicon oxynitride adjacent glass |
| TWI300446B (zh) * | 2005-12-30 | 2008-09-01 | Advanced Int Multitech Co Ltd | |
| US20080138547A1 (en) * | 2006-11-09 | 2008-06-12 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Optical coating with improved durability |
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