TWI460769B - 電容耦合射頻電漿反應器中之電極間隙的調整設備 - Google Patents

電容耦合射頻電漿反應器中之電極間隙的調整設備 Download PDF

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Description

電容耦合射頻電漿反應器中之電極間隙的調整設備
本發明係關於一種電容耦合射頻電漿反應器中之電極間隙的調整設備。
積體電路通常從晶圓形成，於該晶圓上形成有圖案化的微電子層。於基板之處理，時常採用電漿在基板上沉積薄膜，或者蝕刻該等薄膜上的所望部分。縮小特徵部尺寸及於次世代微電子層中採納新材料，已對於電漿處理儀器注入了新需求。更小的特徵部尺寸、更大的基板尺寸及新的處理技術，對於電漿參數控制，例如電漿密度及跨基板的均一性，創造額外的需求，以達所望產率。
電漿處理設備之一例示實施形態包含：一腔室，包含一壁，該壁圍繞內部區域之壁並具一開口；一懸臂組件，包含一臂單元，延伸穿過該壁之開口，該臂單元並具一外部區域，該外部區域，位在該內部區域之外；一基板支座，位在該臂單元上，並且配置在該內部區域中；一致動機構，連接於該臂單元的外部，且操作使該懸臂組件相對於該壁移動；及至少1個真空隔離構件，該至少1個真空隔離構件圍住一空間，該空間由該臂單元及該壁的外部所部分圍繞，且該至少1個真空隔離構件與內部區域流體溝通，該真空隔離構件對於該空間提供真空隔離，使得在懸臂組件上的大氣負載被抵消。
用於處理一基板的電漿處理腔室實施形態例，包含：一壁，該壁圍繞一內部區域且具一開口；一懸臂組件，該懸臂組件延伸通過該開口，該懸臂組件包括一基板支座表面，該基板支座表面位於內部區域內之第1端，及內部區域外之第2端；及一致動機 構，該致動機構連接於該第2端，且操作使懸臂組件於垂直該基板支座表面倒退移動。
一種用於調整電容耦合電漿處理腔室中之電極間間隙的設備，包含：一上部電極組件及一壁，該壁圍繞一內部區域並具一開口；該設備包含：一懸臂組件，該懸臂組件包括一下部電極，且於一第1端及一第2端之一基板支座表面，該懸臂組件延伸穿過該開口，以使得該第1端位在該內部區域內且該第2端位於該內部區域外；及一致動機構，連接於該第2端，且操作使該懸臂組件垂直於該基板支座表面移動。
圖1說明一電漿處理設備之電容耦合電漿處理腔室100。如圖所示，一下部電極組件包括：一對焦環108；及一夾盤104，用於在腔室操作期間，適當支持一基板106。該夾盤104藉由一射頻功率供應源110提供射頻(RF)功率。於所說明之腔室100中，該下部電極組件固定在該腔室壁118。一上部電極組件：包括一上部電極114；一擋板116；及一圓柱體123，懸掛著該上部電極與擋板。該上部電極114可於操作期間，接地或由其他的射頻功率供應源120驅動。通過該擋板116及上部電極114提供之氣體被電激發以在該間隙125產生電漿。於間隙125之電漿由圍束環102加以圍束。有些電漿中的氣體會通過介於圍束環102間的空間/間隙，而從腔室排出。
於所說明的腔室100中，為了調整介於下部及上部電極組件間的間隙125，藉由一致動機構124將全體上部電極組件上升或下降。可使用一密封裝置126以在介於圓柱體122及反應器頂部112之間提供真空密封，同時容許該上部電極組件相對於該下部電極組件移動。該圓柱體122之部分123承受大氣壓力，而該上部電極組件其餘部分承受低壓。該上部電極組件以一整體的形式移動，在該上部電極組件表面上累積的壓力產生往下的力，稱為 大氣負載。於其他類型的腔室，該下部電極組件可以上下移動以調整該間隙，同時該上部電極可為靜止的。於此等腔室中，因為該下部電極組件之頂側及底側各承受低壓及大氣壓力，因此該下部電極組件承受往上的大氣負載。
於本實施形態，該大氣負載取決於一些參數而定，包括該上部電極114之直徑、該圓柱體122之橫剖面尺寸、於間隙125之電漿壓力，以及在頂部112內的腔室壓力。因為在移動該上部(或下部)電極組件的同時，存在大氣負載且此大氣負載可能變化，因此希望有一電容耦合腔室能夠抵消大氣負載，並因此使更為精確地控制間隙。
圖2顯示一電漿處理設備之電容耦合電漿(CCP)處理腔室之例示實施形態。腔室200可抵消大氣負載而容許精確地控制電極間隙。腔室200包含：一壁204；一上部電極組件202，裝設於該壁；及一腔室頂部206，圍住該上部電極組件202之頂部部分。該上部電極組件202包含：一上部電極203；及1個以上擋板205，該1個以上擋板205包括氣體通路以分配處理氣體進入由該上部電極203及該下部電極組件212所界定的間隙207。為求簡化，該上部電極組件202顯示為具3個元件。然而，該上部電極組件可包括額外的元件。該壁204具一閘208，通過此閘，基板可卸載/裝載到腔室200中。
為求簡化，圖2中僅顯示1條氣體管線。額外的氣體管線可以連接於該上部電極組件202，且氣體可通過腔室壁204及/或該腔室頂部206的其他部分供應。
腔室200包含：一懸臂組件210，其藉由一致動機構228上升或下降。該懸臂組件210包括：一懸臂臂214、外導體環241、該下部電極組件212，及一絕緣體238，該絕緣體238用於將外導體環241與該下部電極組件212電絕緣。該下部電極組件212顯示為具1個元件。然而，該下部電極組件212可包括額外的元件，例如一下部電極及夾盤，該夾盤用於在操作時將基板適當支持在 該下部電極組件之上表面。該夾盤可為一靜電、真空，或機械式夾盤。該下部電極通常從1個以上射頻供應源216提供射頻功率。該射頻功率之頻率可為例如2MHz至約27MHz。該射頻功率激發處理氣體以於間隙207產生電漿。其他適當機構，例如升降基板之升降銷機構、光學感應器，及用於冷卻該下部電極組件212之冷卻機構，被附著於或形成下部電極組件212之部分。此等設施元件224，集合性地代表此等其他類型的機構。
該臂214可具大致圓柱管外形。該臂214較佳為由導電材料形成。由於臂214之外表面暴露於反應性處理氣體，該臂214可具外部保護包覆，或可由能耐受處理氣體之材料，例如不銹鋼形成。該懸臂組件210尚包括：一上部臂支持體226及一下部臂支持體220，該等臂支持體固定於該臂214。以下，該臂214、上部臂支持體226，及下部臂支持體220，也總稱為臂單元。由於該上部臂支持體226及下部臂支持體220位在側壁204外面，因此此等元件也在此稱為臂單元之外部部分。下部臂支持體220包括一圓柱管部分221，該圓柱管部分221形成一供應線通路222。工具供應線，例如針對圓柱管部分221之冷卻配管、氣動線、感應器輸入/輸出線，通過供應線通路222，該供應線通路222從該圓柱管部分221之該圓柱管部221之內部空間延伸到下部電極組件212下表面。該供應線通路222在懸臂組件210內形成一空腔，且開放於大氣。該下部臂支持體220可由導電材料形成。
該上部臂支持體226包括一大致圓柱管部分227及一頂板229。頂板229之一端，固定在該致動機構228。該頂板229尚支持該射頻供應源或配合件216。該上部臂支持體226之該圓柱管部分227及該臂214，提供一空間以容納L形射頻管組件218。該懸臂組件210之元件，即該下部電極組件212；臂214；射頻管組件218；下部及上部臂支持體220、226；外導體環241；及絕緣體238，藉由致動機構228以一體地上下移動，使得間隙207被調整。關於致動機構228進一步細節，以下將與圖3一起說明。
壁204之底部連接於一真空泵浦單元239，以從該腔室將氣體排出。腔室200包括至少1個真空隔離構件，對於懸臂組件210提供真空隔離。於說明的實施形態，該真空隔離構件包含2個伸縮囊230a、230b。下部及上部臂支持體220、226之外表面，及臂214之外表面，承受真空泵浦單元239產生的低壓。考慮基板作為懸臂組件210之一部分，可瞭解到懸臂組件210的大部分外表面，在操作期間位於低壓區域內。如此一來，在懸臂組件210上的大氣負載，即懸臂組件210外表面周圍的氣體壓力不顯著，即大氣負載被抵消。因為於本實施形態中，大氣負載被抵消，使懸臂組件210對於致動機構228帶來的負載減少。
注射到間隙207之處理氣體，被賦予能量以產生電漿以處理基板，通過圍束環組件246並留在下部臂支持體220、上部臂支持體226及臂214外表面周圍的空間，直到被真空泵浦單元239排出。由於該上部及下部臂支持體220、226在操作期間暴露於反應性處理氣體，因此其由能耐受該處理氣體之材料，例如不銹鋼所構成，或具保護包覆。同樣地，該伸縮囊230a、230b由可耐受化學藥品之材料，例如不銹鋼所構成。伸縮囊230a、230b之直徑，可視設計需要而不同，例如約1.6cm至約3.6cm。
懸臂組件210被上下移動，以調整介於該上部電極組件202及裝設在該下部電極組件212上的基板間的間隙207。為了減小間隙207，懸臂組件210被上升以壓縮該上部伸縮囊230a並伸長下部伸縮囊230b。同樣地，為增大間隙207，該懸臂組件210被下降以使該上部伸縮囊230a伸長並壓縮下部伸縮囊230b。
於本實施形態中，於真空壓力之腔室200體積，在垂直移動懸臂組件210的期間，實質上並未改變，完全地落於由壁204之內表面、懸臂組件210之外表面，及伸縮囊230a、230b所定義的體積內。此體積由於當懸臂組件210往上移動時，伸縮囊230a擴張且伸縮囊230b收縮，故能實質上維持固定，因而在真空區內維持實質上相等的體積。如圖2所示，雖然伸縮囊230a、230b相對 於其垂直軸，略為偏離，但是在懸臂組件210的各垂直位置，藉由維持腔室200之內部體積實質上不變，雙重伸縮囊使大氣負載平衡。以此方式，在腔室200上的懸臂組件頂部的大氣壓力，抵銷作用在供應線通路222內的大氣壓力。因為，於間隙調整時的體積變化不顯著，且大氣負載被平衡，因此，腔室壓力及電漿壓力的波動小。因此，大氣負載對腔室200中之處理條件影響可最小化。
如上所述，該工具供應線通過該供應線通路222。該供應線通路222，從下部臂支持體220之圓柱管部分221延伸通過臂214到位於下部電極組件212下的設施元件224。該供應線通路222開放於大氣。然而，由於路徑222在懸臂組件210中形成一空腔，累積在該空腔表面上的大氣壓力不會產生任何大氣負載。
於操作期間，該射頻供應源216供應射頻功率給下部電極組件212。該射頻供應源216經由該L形射頻管組件218傳送射頻能量。射頻管組件218之該上部218a位在該上部臂支持體226之圓柱部227內，而下部218b位於臂214內。該上部218a的底部連接於下部218b的開放端，以形成一用於射頻發射的空腔。射頻管組件218由適當的導電材料形成。位在接近下部218b之封閉端的射頻導體240，收集經由射頻管組件218發射之射頻能量，並且將該收集的能量傳送給下部電極組件212。
介於射頻供應源216及射頻導體240間之射頻匹配位準，取決於射頻管組件218的尺寸。射頻管組件218之該上部及下部218a、218b的長度及直徑，較佳為最佳化值，以使得通過該管組件218傳送的射頻功率最佳化在寬廣的射頻頻率範圍。於所說明的實施形態中，射頻管組件218之該上部218a及下部218b均隨同射頻供應源216在間隙調整期間一起移動。因此，一旦射頻管組件218調整至最佳化組態，便能維持此組態而不必進一步調整，結果為在廣範圍射頻頻率中增進腔室200效能。
於本實施形態，無須在腔室200中設置滑動元件，即可達成 懸臂組件210之垂直移動(即垂直於設在臂214上的基板支座表面)。因此，該懸臂組件210減小了在間隙調整期間產生微粒的可能性。例如，因為水平臂214之一端的上端位於該腔室外，該水平臂214與基板支座可以構成一個單元而上升下降，不需要在腔室內使用垂直的驅動機構，亦無需設置滑動元件以因應底部電極組件的擴展。同樣地，由於用來控制對下部電極的射頻功率供應之軟體，係與該水平臂及基板支座構成一個單元而移動，因其無需因應下部電極與射頻供應源兩者間的移動之必要，故該射頻供應線可由預設定長度的剛性導電材料形成。另一方面，若此軟體設於電漿腔室外之一固定表面時則有必要因應下部電極與射頻供應源兩者間的移動。
於間隙207之氣體，藉由傳送到下部電極組件212之射頻功率電激發以產生電漿。返回電流，即從下部電極組件212流經電漿到該上部電極組件202之電流，需要流回射頻供應源216，以完成一電流迴圈。於腔室200，使用數個撓性接觸件或帶狀物234，以確保介於壁204及外導體環241間的電連接，該外導體環241係電連接於臂214。該外導體環241由導電材料形成，且以絕緣體238與下部電極組件212電分離。該返回電流藉由從該上部電極組件202流經壁204、撓性接觸件234、外導體環241、臂214、壁或射頻管組件218之罩套，至射頻供應源216，而完成迴圈。伸縮囊230a、230b不形成返回電路的一部分電路。一導體元件236用於電連接臂214至射頻管組件218之壁，提供返回電流用的額外路徑。
當外導體環241在間隙控制或基板負載/卸載期間相對於壁204移動，接觸件234具適應相對運動的充分撓性。該撓性接觸件234較佳為由金屬合金形成，例如銅化鈹(BeCu)。該接觸件234可任意選擇地具有耐電漿包覆，以保護接觸反應性處理氣體。該撓性接觸件234由於介於壁204及外導體環241間的相對運動而伸長或壓縮。該接觸件234可具曲線外形以供壓力釋放。
如上所述，處理氣體被激發於間隙207中以產生電漿。一旦電漿產生於間隙207，圍束環組件246可運作以於不同的壓力及氣體流動條件圍束電漿。於本實施形態，圍束環組件246由凸輪環/柱塞組件250致動。該凸輪環/柱塞組件250包括：一凸輪環242；一馬達244，用於旋轉凸輪環242；及柱塞組件，連接於凸輪環242及圍束環組件246。關於圍束環組件246及凸輪環/柱塞組件250之進一步詳情，於以下參照圖4及5敘述。
一般而言，於基板上圖案化微電子層，包括數個蝕刻/沉積步驟。於此等數步驟期間，接續的副產物層被沉積在該上部及下部電極組件表面上。當該副產物層及組件表面間的鍵結最終弱化，該副產物層可能會從表面剝離或成薄片剝落，而污染基板。於腔室200，當懸臂組件210在垂直方向移動以調整介於下部及上部電極組件212、202間的間隙207，該上部電極組件202維持固定。如此一來，大多數的薄片會在步驟轉換期間及於負載/卸載基板時，從懸臂組件210掉落。由於基板係位在懸臂組件210頂部，即該基板位在污染區域之上，因此可以顯著減少副產物的污染，增進製造產率。
圖3為圖2中所示A區的放大概略圖，說明用於移動懸臂組件210之致動機構228(圖2)。如圖所示，該上部臂支持體226之一端部旋轉自如地固定在引導螺桿或滾珠螺桿306之尖端。固定於支持托架302之馬達304經一傳送帶308或其他適當的運動傳達機構，致動引導螺桿306。螺桿306的底部旋轉自如地固定於托架302。引導件310具一與引導螺桿306符合之母螺紋孔。因為，引導件310係固定於壁300，引導螺桿306之旋轉運動使該上部臂支持體226、支持體托架302及馬達304產生垂直運動。馬達304類型及形成於螺桿306中的螺距，會影響調整間隙207之精確度，較佳為數10微米。馬達304由馬達控制系統312所控制。馬達控制系統312可耦合於用於量測間隙207尺寸的感應器。以便以反饋控制模式實施間隙控制。視感應器類型，各種原地(in-situ)偵測 器， 例如雷射、電感、電容、音響、線性可變微分變壓器(LDVT)感應器，可用於作為間隙感應器，且位於壁204之內或外部。
圖4為圖2所示凸輪環242及馬達244之俯視概要圖。如圖所示，馬達244經由傳送帶404連接於凸輪環242。傳送帶404於點406及408附著於凸輪環242。於另一實施形態，傳送帶404可以纏繞於凸輪環242周圍。一拉伸裝置410吸收傳送帶404中之鬆弛，並將凸輪環242拉向馬達244，以驅使凸輪環242之內表面與輥412及414滾動接觸。3個柱塞組件250連接於凸輪環242。柱塞組件250致動圍束環組件246，如以下參照圖5敘述者。馬達244由馬達控制單元420控制。
腔室200可包括1個以上壓力感應器，該等壓力感應器用以量測於間隙207及介於腔室壁204及懸臂組件210間的空間270的壓力。來自於感應器之信號被傳送給馬達控制單元420。馬達控制單元420連接於壓力感應器，使得來自於感應器之信號傳送給馬達控制單元420。由於腔室壓力係由圍束環組件246部分控制，馬達控制單元420及壓力感應器可於反饋控制模式操作。
可使用額外的輥來定義凸輪環242之旋轉中心。3個柱塞組件250顯示配置在凸輪環242周圍。然而，其他實施形態可包括不同數目的柱塞組件。
圖5為圖2所示B區域的放大概要圖。如圖所示，柱塞組件250包括：一輪502，其顯示與凸輪環242滾動接觸；及一墊板506。該輪502以可調整地經由一適當的機構，例如螺栓及狹縫裝置，而裝設在墊板506上。該墊板506裝設在腔室頂部206(圖2)，並且相關於腔室頂部206基本上不可移動。
組件250尚包括：一柱塞504；及一凸輪從動件508，裝設在柱塞504上。柱塞504及凸輪從動件508，被一彈簧510驅使朝向凸輪環242之下部表面512。凸輪從動件508維持與下部表面512接觸，以容許柱塞504隨著下部表面512之輪廓上升或下降。柱塞504於方向540上下移動，此方向垂直於由WAP環532及圍束 環534所定義的平面。
裝設在形成於該上部電極組件202中之溝槽內的一對密封件507，當柱塞504隨著凸輪環242之下部表面512之輪廓上下移動時，容許維持腔室內之低壓。雖顯示了2個密封件507，但視需要，可使用其他適當數目的密封件。
柱塞504之垂直運動由凸輪環242之下部表面512輪廓控制。如圖5所示，下部表面512包括一凸輪區522。較佳為針對各柱塞組件250，具一凸輪區。凸輪區522較佳為包括：一傾斜表面526，當凸輪環242以箭頭518之方向旋轉時，該傾斜表面526使得柱塞504往下移動。或者，傾斜表面528不採用於控制柱塞504。而是，當凸輪環242前後來回轉動且該凸輪從動件508跟隨該傾斜表面526之輪廓，藉由僅採用傾斜表面526，柱塞504上下移動。
該傾斜表面526具有有著2個不同坡面的分開的區域。如所示者，第1坡面530較第2坡面524更陡，以容許在每度凸輪環242旋轉，柱塞504上下移動更長距離。坡面530可用於粗控制，坡面524用於微細控制柱塞504。或者，該傾斜表面526可具一連續坡面。
柱塞504連接於該圍束環組件246。更具體而言，各柱塞504之底端連接於WAP環532及多個圍束環534a、534b、534c(此處總稱為圍束環534)。柱塞504於箭頭方向540移動，俾控制環532、534之位置以及介於環532、534間之間隙536a、536b、536c、536d(此處總稱為間隙536)。處理氣體經由該上部電極組件202引入間隙207，其可能包括1個以上擋板，以便處理氣體以噴淋頭效應流入區域207。於間隙207中，處理氣體被激發以產生電漿以處理裝設在下部電極組件212之支持體表面頂面的基板。
間隙207，與基板之中心軸為同軸，藉由包括圍束環組件246之區域與壁204隔著間隔分離。WAP環532連接於柱塞250之端部，且環534經由一樁538而懸掛於WAP環532。環532、534 具一天窗裝置，且介於環之間的間隙536受控制以在跨廣範圍間隙207圍束電漿。隨柱塞504往上移動，環532、534彼此分離。隨柱塞504往下移動或懸臂組件210往上移動，底環534a與外導體環241之肩部接觸。隨懸臂組件210進一步往上移動，間隙536b-536d依續地減少成沒有。或者，可在各間隙536中插入一間隔件，以限制鄰近環534間的最小間隔。圍束環組件246之進一步細節可見於申請人共有的美國專利號碼6,019,060，其完整引入於此作為參考。環532、534較佳為由具高導電係數的材料形成，例如碳化矽具高導電係數，約2000Ω-cm，且能承受在間隙207處電漿的嚴酷操作環境。環532、534可由其他適當導電材料形成，例如鋁或石墨。樁538可由金屬形成。
圍束環組件246協助圍束電漿於由該上部及下部電極組件202、212及由環532、534所圍繞的空間，同時容許間隙207之中性氣體成分以大致通過水平方向通過間隙536。然後，中性氣體成分流入由壁204之內表面、懸臂組件210之外表面，及伸縮囊230所包圍的空間550。於空間550之壓力，由附著在壁204底部的真空泵浦單元239控制。如此一來，圍束環組件246使間隙或電漿激發區207與空間550分離。一般而言，間隙區207之體積相較於空間550為較小。因為基板之蝕刻速率受到於間隙207之電漿直接影響，組件246能夠在跨間隙207整個範圍，進行小體積壓力控制及電漿圍束，而對於腔室硬體不作重大的實體改變。而且，由於間隙207之體積小，因此電漿條件可以快速且精確地控制。
當重複地使用該上部電極組件202及下部電極組件212，面對電漿之電極表面會逐漸地被電漿所腐蝕。間隙207可經調整以補償電極之耗損，以便維持處理的可重複性，且因而延長電極壽命並且降低耗材花費。
雖然本發明已參照特定實施形態敘述，但對於該技術領域中熟悉技藝之人士而言，在不偏離附屬申請專利範圍範圍之下，進行各種變化、修飾及採用均等物為顯明的。
100‧‧‧電漿處理腔室
102‧‧‧圍束環
104‧‧‧夾盤
106‧‧‧基板
108‧‧‧對焦環
110‧‧‧射頻功率供應源
112‧‧‧頂部
114‧‧‧上部電極
116‧‧‧擋板
118‧‧‧腔室壁
120‧‧‧射頻功率供應源
122‧‧‧圓柱體
123‧‧‧圓柱體
124‧‧‧致動器機制
125‧‧‧間隙
126‧‧‧密封裝置
200‧‧‧腔室
202‧‧‧上部電極組件
203‧‧‧上部電極
204‧‧‧壁
205‧‧‧擋板
206‧‧‧腔室頂部
207‧‧‧間隙
208‧‧‧閘
210‧‧‧懸臂組件
212‧‧‧下部電極組件
212‧‧‧下部電極組件
214‧‧‧臂
216‧‧‧射頻供應源
218‧‧‧射頻管組件
218a‧‧‧上部
218b‧‧‧下部
220‧‧‧下部臂支持體
221‧‧‧圓柱管部分
222‧‧‧供應線通路
224‧‧‧設施元件
226‧‧‧上部臂支持體
227‧‧‧圓柱管部分
228‧‧‧致動機構
229‧‧‧頂板
230a‧‧‧伸縮囊
230b‧‧‧伸縮囊
230‧‧‧伸縮囊
234‧‧‧接觸件(帶狀物)
236‧‧‧導體元件
238‧‧‧絕緣體
239‧‧‧真空泵浦單元
240‧‧‧射頻導體
241‧‧‧外導體環
242‧‧‧凸輪環
244‧‧‧馬達
246‧‧‧圍束環組件
250‧‧‧凸輪環/柱塞組件
270‧‧‧空間
300‧‧‧壁
302‧‧‧托架
304‧‧‧馬達
306‧‧‧螺桿
308‧‧‧傳送帶
310‧‧‧引導件
312‧‧‧馬達控制系統
404‧‧‧傳送帶
406及408‧‧‧點
410‧‧‧拉伸裝置
412及414‧‧‧輥
420‧‧‧馬達控制單元
502‧‧‧輪
504‧‧‧柱塞
506‧‧‧墊板
507‧‧‧密封件
508‧‧‧凸輪從動件
510‧‧‧彈簧
512‧‧‧下部表面
518‧‧‧箭頭
522‧‧‧凸輪區
524‧‧‧斜面
526‧‧‧傾斜表面
528‧‧‧傾斜表面
530‧‧‧斜面
532‧‧‧WAP環(控制環)
534‧‧‧環(圍束環)
534a、534b、534c‧‧‧圍束環
534a‧‧‧底環
536a、536b、536c、536d、536‧‧‧間隙
536‧‧‧間隙
538‧‧‧樁
540‧‧‧方向
550‧‧‧空間
圖1顯示電容耦合電漿處理腔室概要圖。
圖2顯示包括懸臂組件電容耦合電漿處理腔室實施形態的橫剖面概要圖。
圖3顯示圖2所示區域A之放大圖。
圖4顯示圖2所示凸輪環及馬達之俯視概要圖。
圖5顯示圖2所示區域B之放大概要圖。
200‧‧‧腔室
202‧‧‧上部電極組件
203‧‧‧上部電極
204‧‧‧壁
205‧‧‧擋板
206‧‧‧腔室頂部
207‧‧‧間隙
208‧‧‧閘
210‧‧‧懸臂組件
212‧‧‧下部電極組件
214‧‧‧臂
216‧‧‧射頻供應源
218‧‧‧射頻管組件
218a‧‧‧上部
218b‧‧‧下部
220‧‧‧下部臂支持體
221‧‧‧圓柱管部分
222‧‧‧供應線通路
224‧‧‧設施元件
226‧‧‧上部臂支持體
227‧‧‧圓柱管部分
228‧‧‧致動機構
229‧‧‧頂板
230a‧‧‧伸縮囊
230b‧‧‧伸縮囊
234‧‧‧接觸件(帶狀物)
236‧‧‧導體元件
238‧‧‧絕緣體
239‧‧‧真空泵浦單元
240‧‧‧射頻導體
241‧‧‧外導體環
242‧‧‧凸輪環
244‧‧‧馬達
246‧‧‧圍束環組件
250‧‧‧凸輪環/柱塞組件
270‧‧‧空間

Claims (20)

  1. 一種電漿處理設備，包含：一電漿處理腔室，包含一壁，該壁將電漿處理腔室內部分隔成第1區與第2區，該壁中設有一開口，以在該第1區與第2區之間提供流體連通；一懸臂組件，包含一臂單元，該臂單元水平地延伸通過該開口，以使得其一第1端位於該第1區且其一第2端位於該第2區，一基板支座位於該第1端之上部，且一設施導管位於該第2端；一致動機構，連接於該設施導管之上部，用以於垂直方向移動該懸臂組件；及一雙重伸縮囊裝置，在該電漿處理腔室之內部提供平衡的大氣負載，該雙重伸縮囊包括：一第1伸縮囊，其在介於該電漿處理腔室上部與該設施導管之上部之間提供一真空密封；及一第2伸縮囊，其在該電漿處理腔室之下部與該設施導管之下部之間提供真空密封。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理設備，其中：該基板支座包含一下部電極組件，該下部電極組件具有一用以支持一基板的頂面；該電漿處理腔室更包含一上部電極組件，該上部電極組件具一底部表面，該底部表面面對基板支座之頂面且與基板支座之頂面分隔而在其間形成一間隙；及該下部電極組件經由位於臂單元之一射頻發射構件，連接於一射頻(RF)功率供應源。
  3. 如申請專利範圍第2項之電漿處理設備，其中該下部電極組件包含一靜電夾盤，該靜電夾盤用以在電漿處理期間將該基板夾持於定位。
  4. 如申請專利範圍第1項之電漿處理設備，其中：該臂單元包含一內部空腔；且該電漿處理腔室更包含： 一射頻管，位於該空腔內，且其一端連接於一射頻功率供應源，且射頻功率從該射頻功率供應源發射穿過此射頻管；及一射頻導體，連接於該射頻管之另一端，且用以收集該射頻功率且將射頻功率傳送給基板支座。
  5. 如申請專利範圍第4項之電漿處理設備，其中：(a)該射頻功率供應源裝設在該臂單元之外部，而使射頻功率供應源與該懸臂組件一齊藉由該致動機構移動，且/或(b)該臂單元電連接於該射頻管，又該懸臂組件更包含：一導體環，該導體環裝設在該臂單元上且電連接於該壁；及一絕緣體，該絕緣體使臂單元與基板支座電絕緣。
  6. 如申請專利範圍第5項之電漿處理設備，其中，更包含至少1個撓性導體，該至少1個撓性導體連接於該壁與該導體環，其中，該撓性導體可任意選擇地由BeCu構成。
  7. 如申請專利範圍第1項之電漿處理設備，其中：(a)該設施導管沿垂直方向延伸，且在其底部開放，且/或(b)當該懸臂組件藉由致動機構往上移動時，該第1伸縮囊伸長而該第2伸縮囊被壓縮。
  8. 如申請專利範圍第7項之電漿處理設備，其中該等伸縮囊由金屬構成。
  9. 如申請專利範圍第1項之電漿處理設備，其中：該致動機構包含：一滾珠螺桿，旋轉自如地裝設於該臂單元上，並且當其旋轉時可移動該臂單元；及一馬達，用於旋轉該滾珠螺桿。
  10. 如申請專利範圍第2項之電漿處理設備，其中：該上部電極組件包含至少1個擋板，該至少1個擋板用於提供處理氣體到該間隙內；且該射頻功率供應源用來對該下部電極組件供應射頻功率，以激發該處理氣體產生電漿。
  11. 如申請專利範圍第2項之電漿處理設備，更包含一圍束環組件，該圍束環組件包括至少1個圍束環，用於包圍該間隙，俾將該電漿圍束於該間隙內。
  12. 如申請專利範圍第11項之電漿處理設備，更包含：一凸輪環，配置在平行於該頂面之平面內，且包括形成於其一第1表面上的多個凸輪區；多個凸輪從動件，與該凸輪環之第1表面滾動接觸；及多個柱塞，朝向實質上垂直於該頂面的方向配置，各柱塞於一端連接於其中之一凸輪從動件，並於另一端連接於該圍束環組件；其中，當該凸輪環旋轉，該等柱塞朝實質上垂直該表面之方向移動，藉以改變介於圍束環間的空間，以控制於內部區域之電漿壓力。
  13. 如申請專利範圍第12項之電漿處理設備，其中：(a)該電漿圍束環組件更包含一馬達，該馬達連接於該凸輪環並用以旋轉該凸輪環，且/或(b)各凸輪區包含至少1個傾斜表面。
  14. 一種半導體基板之處理方法，包含：在如申請專利範圍第2項之電漿處理設備中，將一半導體基板支持於一基板支座上；在介於該上部電極組件與下部電極組件間之空間產生電漿；藉由該致動機構移動該懸臂組件以調整該間隙，該懸臂組件上之大氣負載，於該調整期間被抵消；及以該電漿處理該半導體基板。
  15. 如申請專利範圍第14項之半導體基板之處理方法，其中該處理包含電漿蝕刻。
  16. 一種懸臂組件，使用於處理一基板用之一電漿處理腔室，於該電漿處理腔室中設有一壁，將該腔室內部分隔為第1區及第2區，該第1區及第2區經由該壁內之一開口而成流體連通，該懸臂組件包含： 一臂單元，水平地通過該開口延伸，以使其一第1端位於該第1區，且其一第2端位於該第2區內，一基板支座位於該第1端之上部，且一設施導管位於該第2端；一致動構件，用以與裝設在該腔室上的一致動機構協同合作，該致動構件位於該設施導管之上部，且被操作驅動以使得該懸臂組件沿一垂直方向移動。
  17. 如申請專利範圍第16項之懸臂組件，其中該設施導管沿一垂直方向延伸，且包括位於該設施導管之上部及下部之真空密封。
  18. 如申請專利範圍第16項之懸臂組件，其中：(a)該基板支座包括一射頻驅動下部電極，且該設施導管在其上部包括一殼體，該殼體包括電路系統，該電路系統針對該電極提供一射頻匹配；(b)該設施導管包括至少1個氣體管線，該至少1個氣體管線用以對於裝設在該基板支座上的一基板提供背側冷卻：(c)至少1個電連接，用以從位在該基板支座的一感應器傳送信號，及/或(d)一流體通路，用以在該基板支座中使一熱傳遞液體循環。
  19. 一種用於調整電容耦合電漿處理腔室中之電極間間隙的設備，包含一上部電極組件及一壁，該壁包圍一內部區域且具一開口，該設備包含：一懸臂組件，包括設於其第1端的一下部電極與一基板支座表面，及設於其第2端的一致動構件；該懸臂組件水平通過該開口延伸，以使得該第1端位於該內部區域內且該第2端位於該內部區域外；及一致動機構，銜合於該致動構件而使得懸臂組件受到垂直地驅動以調整該電極間間隙。
  20. 如申請專利範圍第19項之用於調整電容耦合電漿處理腔室中之電極間間隙的設備，更包含2個伸縮囊，該2個伸縮囊連接於該懸臂組件及該內部區域外之壁，該伸縮囊包圍著由該懸臂組件與該壁所部分圍繞的一空間，且與該內部區域流體連通，該 伸縮囊針對該空間提供真空隔離，以使得在該懸臂組件上的大氣負載被抵消。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI560742B (zh) * 2014-12-10 2016-12-01 Advanced Micro Fab Equip Inc

Families Citing this family (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7364623B2 (en) * 2005-01-27 2008-04-29 Lam Research Corporation Confinement ring drive
US7732728B2 (en) * 2007-01-17 2010-06-08 Lam Research Corporation Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor
US8216418B2 (en) * 2007-06-13 2012-07-10 Lam Research Corporation Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings
FR2921538B1 (fr) * 2007-09-20 2009-11-13 Air Liquide Dispositifs generateurs de plasma micro-ondes et torches a plasma
US7777500B2 (en) * 2007-10-05 2010-08-17 Lam Research Corporation Methods for characterizing dielectric properties of parts
US8187414B2 (en) 2007-10-12 2012-05-29 Lam Research Corporation Anchoring inserts, electrode assemblies, and plasma processing chambers
SG188141A1 (en) * 2008-02-08 2013-03-28 Lam Res Corp A protective coating for a plasma processing chamber part and a method of use
KR101659095B1 (ko) 2008-02-08 2016-09-22 램 리써치 코포레이션 측방향 벨로우 및 비접촉 입자 밀봉을 포함하는 조정가능한 갭이 용량적으로 커플링되는 ｒｆ 플라즈마 반응기
US8187413B2 (en) * 2008-03-18 2012-05-29 Lam Research Corporation Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket
US8900404B2 (en) * 2008-06-10 2014-12-02 Lam Research Corporation Plasma processing systems with mechanisms for controlling temperatures of components
CN101351076B (zh) * 2008-09-16 2011-08-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体处理设备
TWI500097B (zh) * 2009-02-23 2015-09-11 Hanmi Semiconductor Co Ltd 處理半導體封裝體之系統
KR102285582B1 (ko) * 2009-08-31 2021-08-03 램 리써치 코포레이션 무선 주파수 (ｒｆ) 접지 복귀 장치들
US8992722B2 (en) * 2009-09-01 2015-03-31 Lam Research Corporation Direct drive arrangement to control confinement rings positioning and methods thereof
US8414736B2 (en) * 2009-09-03 2013-04-09 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with tiltable overhead RF inductive source
US8501631B2 (en) 2009-11-19 2013-08-06 Lam Research Corporation Plasma processing system control based on RF voltage
JP5432686B2 (ja) * 2009-12-03 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8652297B2 (en) 2010-08-03 2014-02-18 Applied Materials, Inc. Symmetric VHF plasma power coupler with active uniformity steering
US9076826B2 (en) * 2010-09-24 2015-07-07 Lam Research Corporation Plasma confinement ring assembly for plasma processing chambers
CN103403852B (zh) 2011-03-01 2016-06-08 应用材料公司 双负载闸配置的消除及剥离处理腔室
US11171008B2 (en) 2011-03-01 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration
WO2012148568A1 (en) 2011-03-01 2012-11-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for substrate transfer and radical confinement
TW202418889A (zh) 2011-10-05 2024-05-01 美商應用材料股份有限公司 包括對稱電漿處理腔室的電漿處理設備與用於此設備的蓋組件
US9508530B2 (en) * 2011-11-21 2016-11-29 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with flexible symmetric RF return strap
US10586686B2 (en) * 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
US9396908B2 (en) 2011-11-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
US9953825B2 (en) * 2011-11-24 2018-04-24 Lam Research Corporation Symmetric RF return path liner
US9530620B2 (en) 2013-03-15 2016-12-27 Lam Research Corporation Dual control modes
US9197196B2 (en) 2012-02-22 2015-11-24 Lam Research Corporation State-based adjustment of power and frequency
US9462672B2 (en) 2012-02-22 2016-10-04 Lam Research Corporation Adjustment of power and frequency based on three or more states
US10128090B2 (en) 2012-02-22 2018-11-13 Lam Research Corporation RF impedance model based fault detection
US9114666B2 (en) 2012-02-22 2015-08-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system
US9295148B2 (en) 2012-12-14 2016-03-22 Lam Research Corporation Computation of statistics for statistical data decimation
US9320126B2 (en) 2012-12-17 2016-04-19 Lam Research Corporation Determining a value of a variable on an RF transmission model
US9502216B2 (en) 2013-01-31 2016-11-22 Lam Research Corporation Using modeling to determine wafer bias associated with a plasma system
US9842725B2 (en) 2013-01-31 2017-12-12 Lam Research Corporation Using modeling to determine ion energy associated with a plasma system
US10325759B2 (en) 2012-02-22 2019-06-18 Lam Research Corporation Multiple control modes
US10157729B2 (en) 2012-02-22 2018-12-18 Lam Research Corporation Soft pulsing
US9368329B2 (en) 2012-02-22 2016-06-14 Lam Research Corporation Methods and apparatus for synchronizing RF pulses in a plasma processing system
US9171699B2 (en) 2012-02-22 2015-10-27 Lam Research Corporation Impedance-based adjustment of power and frequency
US9390893B2 (en) 2012-02-22 2016-07-12 Lam Research Corporation Sub-pulsing during a state
WO2013130191A1 (en) 2012-02-29 2013-09-06 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a load lock configuration
US8895452B2 (en) 2012-05-31 2014-11-25 Lam Research Corporation Substrate support providing gap height and planarization adjustment in plasma processing chamber
US9408288B2 (en) 2012-09-14 2016-08-02 Lam Research Corporation Edge ramping
US9043525B2 (en) 2012-12-14 2015-05-26 Lam Research Corporation Optimizing a rate of transfer of data between an RF generator and a host system within a plasma tool
US9155182B2 (en) 2013-01-11 2015-10-06 Lam Research Corporation Tuning a parameter associated with plasma impedance
US9779196B2 (en) 2013-01-31 2017-10-03 Lam Research Corporation Segmenting a model within a plasma system
US9620337B2 (en) 2013-01-31 2017-04-11 Lam Research Corporation Determining a malfunctioning device in a plasma system
US9107284B2 (en) 2013-03-13 2015-08-11 Lam Research Corporation Chamber matching using voltage control mode
US9119283B2 (en) 2013-03-14 2015-08-25 Lam Research Corporation Chamber matching for power control mode
CN104103549B (zh) * 2013-04-07 2018-05-18 盛美半导体设备（上海）有限公司 半导体工艺腔室
CN103227091B (zh) * 2013-04-19 2016-01-27 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置
US9859145B2 (en) 2013-07-17 2018-01-02 Lam Research Corporation Cooled pin lifter paddle for semiconductor substrate processing apparatus
US9502221B2 (en) 2013-07-26 2016-11-22 Lam Research Corporation Etch rate modeling and use thereof with multiple parameters for in-chamber and chamber-to-chamber matching
US10297459B2 (en) 2013-09-20 2019-05-21 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US9543158B2 (en) 2014-12-04 2017-01-10 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US9378971B1 (en) 2014-12-04 2016-06-28 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
KR20150052996A (ko) * 2013-11-07 2015-05-15 삼성디스플레이 주식회사 기판 이송 장치 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
US10217615B2 (en) 2013-12-16 2019-02-26 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and component thereof including an optical fiber for determining a temperature thereof
US9594105B2 (en) 2014-01-10 2017-03-14 Lam Research Corporation Cable power loss determination for virtual metrology
CN110690098A (zh) * 2014-02-06 2020-01-14 应用材料公司 基板支撑组件以及用于处理基板的设备
CN112366128B (zh) * 2014-04-09 2024-03-08 应用材料公司 用于在处理腔室中提供对称的流动路径的流动模块
US10950421B2 (en) 2014-04-21 2021-03-16 Lam Research Corporation Using modeling for identifying a location of a fault in an RF transmission system for a plasma system
JP6375163B2 (ja) * 2014-07-11 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および上部電極アセンブリ
JP6298373B2 (ja) * 2014-07-11 2018-03-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および上部電極アセンブリ
US9609730B2 (en) 2014-11-12 2017-03-28 Lam Research Corporation Adjustment of VUV emission of a plasma via collisional resonant energy transfer to an energy absorber gas
US9887097B2 (en) 2014-12-04 2018-02-06 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US9997373B2 (en) 2014-12-04 2018-06-12 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US9384998B2 (en) 2014-12-04 2016-07-05 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US9620377B2 (en) 2014-12-04 2017-04-11 Lab Research Corporation Technique to deposit metal-containing sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US10170324B2 (en) 2014-12-04 2019-01-01 Lam Research Corporation Technique to tune sidewall passivation deposition conformality for high aspect ratio cylinder etch
US9536749B2 (en) 2014-12-15 2017-01-03 Lam Research Corporation Ion energy control by RF pulse shape
US9396961B2 (en) 2014-12-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Integrated etch/clean for dielectric etch applications
US9543148B1 (en) 2015-09-01 2017-01-10 Lam Research Corporation Mask shrink layer for high aspect ratio dielectric etch
US10276398B2 (en) 2017-08-02 2019-04-30 Lam Research Corporation High aspect ratio selective lateral etch using cyclic passivation and etching
US10847374B2 (en) 2017-10-31 2020-11-24 Lam Research Corporation Method for etching features in a stack
US10658174B2 (en) 2017-11-21 2020-05-19 Lam Research Corporation Atomic layer deposition and etch for reducing roughness
US10361092B1 (en) 2018-02-23 2019-07-23 Lam Research Corporation Etching features using metal passivation
CN110610841B (zh) * 2018-06-14 2022-01-28 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体约束组件及其所在的处理装置
US10515821B1 (en) 2018-06-26 2019-12-24 Lam Research Corporation Method of achieving high selectivity for high aspect ratio dielectric etch
US10741407B2 (en) 2018-10-19 2020-08-11 Lam Research Corporation Reduction of sidewall notching for high aspect ratio 3D NAND etch
JP2020105590A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 キオクシア株式会社 基板処理装置および基板処理方法
WO2020243342A1 (en) 2019-05-29 2020-12-03 Lam Research Corporation High selectivity, low stress, and low hydrogen diamond-like carbon hardmasks by high power pulsed low frequency rf
CN112309807B (zh) * 2019-08-02 2022-12-30 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体刻蚀设备
US11335543B2 (en) * 2020-03-25 2022-05-17 Applied Materials, Inc. RF return path for reduction of parasitic plasma
CN111501025B (zh) * 2020-04-23 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 沉积设备
CN113808897B (zh) * 2020-06-12 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置及其调节方法
CN112349576B (zh) * 2020-10-20 2022-09-16 北京北方华创微电子装备有限公司 下电极组件及半导体工艺设备
US20220359164A1 (en) * 2021-05-07 2022-11-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cantilever with etch chamber flow design
JP2023043679A (ja) * 2021-09-16 2023-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284332A (ja) * 2000-01-26 2001-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワークのプラズマ処理装置およびワークのプラズマ処理方法
TW473556B (en) * 1999-05-19 2002-01-21 Anelva Corp Planer gas introducing unit of CCP reactor
US20040182515A1 (en) * 2003-03-19 2004-09-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US20050051520A1 (en) * 2002-01-10 2005-03-10 Sumi Tanaka Processing apparatus
TWI245333B (en) * 2002-12-20 2005-12-11 Tokyo Electron Ltd Method, apparatus and magnet assembly for enhancing and localizing a capacitively coupled plasma

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US601960A (en) * 1898-04-05 hartmann
US5522937A (en) * 1994-05-03 1996-06-04 Applied Materials, Inc. Welded susceptor assembly
TW434745B (en) 1995-06-07 2001-05-16 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus
US5534751A (en) * 1995-07-10 1996-07-09 Lam Research Corporation Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement
US5948704A (en) 1996-06-05 1999-09-07 Lam Research Corporation High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US5820723A (en) 1996-06-05 1998-10-13 Lam Research Corporation Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US6170428B1 (en) 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
JP3565311B2 (ja) 1997-12-17 2004-09-15 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置
US6019060A (en) 1998-06-24 2000-02-01 Lam Research Corporation Cam-based arrangement for positioning confinement rings in a plasma processing chamber
JP2001077088A (ja) 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
WO2001052302A1 (en) 2000-01-10 2001-07-19 Tokyo Electron Limited Segmented electrode assembly and method for plasma processing
JP2001214277A (ja) * 2000-01-31 2001-08-07 Canon Inc 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法
US6492774B1 (en) * 2000-10-04 2002-12-10 Lam Research Corporation Wafer area pressure control for plasma confinement
WO2002059933A2 (en) 2001-01-22 2002-08-01 Tokyo Electron Limited Vertically translatable chuck assembly and method for a plasma reactor system
US6778258B2 (en) * 2001-10-19 2004-08-17 Asml Holding N.V. Wafer handling system for use in lithography patterning
JP2003224077A (ja) 2002-01-30 2003-08-08 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、電極部材、バッフル板の製造方法、処理装置、および、表面処理方法
CN1190544C (zh) * 2002-12-12 2005-02-23 东华大学 一种用于纤维表面改性的常压低温等离子体处理装置
US6830642B2 (en) 2003-03-17 2004-12-14 Charles E. Greenhill Method and apparatus for applying pressure sensitive adhesive labels to a series of objects moving in multiple columns
JP4554902B2 (ja) 2003-09-02 2010-09-29 株式会社日立製作所 サービス提供システム
US7375946B2 (en) * 2004-08-16 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
JP2006253448A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US7732728B2 (en) * 2007-01-17 2010-06-08 Lam Research Corporation Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor
US8435379B2 (en) * 2007-05-08 2013-05-07 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW473556B (en) * 1999-05-19 2002-01-21 Anelva Corp Planer gas introducing unit of CCP reactor
JP2001284332A (ja) * 2000-01-26 2001-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワークのプラズマ処理装置およびワークのプラズマ処理方法
US20050051520A1 (en) * 2002-01-10 2005-03-10 Sumi Tanaka Processing apparatus
TWI245333B (en) * 2002-12-20 2005-12-11 Tokyo Electron Ltd Method, apparatus and magnet assembly for enhancing and localizing a capacitively coupled plasma
US20040182515A1 (en) * 2003-03-19 2004-09-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI560742B (zh) * 2014-12-10 2016-12-01 Advanced Micro Fab Equip Inc

Also Published As

Publication number Publication date
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