TWI458864B - 二氧化矽玻璃坩鍋和用二氧化矽玻璃坩鍋提拉單晶矽的方法 - Google Patents

二氧化矽玻璃坩鍋和用二氧化矽玻璃坩鍋提拉單晶矽的方法 Download PDF

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Description

二氧化矽玻璃坩鍋和用二氧化矽玻璃坩鍋提拉單晶矽的方法
本發明關於一種用於提拉作為半導體材料的單晶矽、作為太陽能電池(solar battery)材料的矽晶體等的二氧化矽(silica)玻璃坩鍋，且更具體來說，關於一種允許提拉具有高結晶速率(crystallization rate)的單晶矽的二氧化矽玻璃坩鍋和一種用所述二氧化矽玻璃坩鍋提拉單晶矽的方法。
二氧化矽玻璃坩鍋是用於提拉作為半導體材料的單晶矽、作為太陽能電池材料的矽晶體等。舉例來說，單晶矽主要是通過如下方法來製造：通過加熱使裝入二氧化矽玻璃坩鍋中的多晶矽塊(polycrystalline silicon lump)熔化形成矽熔體，且將晶種浸入所述矽熔體中並由其提拉。雖然作為太陽能電池材料的矽晶體與單晶矽相比單晶度(single-crystallinity)較低，但其可以通過相同提拉方法來製造。
矽晶體的提拉是通過均勻地加熱矽熔體，同時旋轉二氧化矽玻璃坩鍋來進行。在這種情況下，如果坩鍋圓周方向上的氣泡含量(bubble content)和透射率不均一，那麼坩鍋內表面中所產生的棕色環(brown ring)會變得不均勻分佈。而且，當坩鍋的厚度也不均一時，坩鍋形狀變得不合格。
在矽晶體的提拉中，當在較高溫度下使坩鍋內表面與 矽熔體接觸一段延長的時間時，坩鍋內的淺表層(shallow surface layer)部分地結晶產生環形棕色方英石(棕色環)。當棕色環的不均勻分佈或不合格坩鍋形狀變得明顯時，坩鍋內表面的剝落部分增加且剝落的碎片併入矽熔體中，從而降低矽晶體的結晶度。
當在較高溫度下使坩鍋內表面與矽熔體接觸一段延長的時間時，通過坩鍋內表面與矽熔體之間的反應產生SiO氣體，由此使矽熔體波動，從而降低矽晶體的結晶度。
在JP-A-2005-320241中提出一種通過將棕色環的數目限制在某一範圍內來穩定提拉矽晶體的方法。在JP-A-2002-154894中提出通過使用控制所產生的SiO氣體的量不超過某一水平的二氧化矽玻璃坩鍋來防止矽熔體的液面波動。
因此，本發明的目的在於解決上述由於矽晶體提拉中所產生的棕色環或SiO氣體而引起結晶度降低的問題。根據本發明，提供在二氧化矽玻璃坩鍋的圓周上在其特定高度位置處所測量的氣泡含量、厚度和透射率的標準值以獲得高於特定值的矽晶體結晶度，特別提供其在二氧化矽玻璃坩鍋中的可接受範圍以獲得結晶度例如不小於80%的矽晶體。
本發明涉及一種具有以下結構的二氧化矽玻璃坩鍋：
(1)用於提拉矽晶體的二氧化矽玻璃坩鍋，其特徵在於在所述坩鍋的完整圓周上在同一高度位置處所測量的氣 泡含量、壁厚度和透射率中每一者的圓周最大容許度(circumferential maximum tolerance)不大於6%，其中，所述氣泡含量是所述坩堝的內層的氣泡含量，所述壁厚度是從所述坩鍋的內表面到外表面的剖面部分的最短距離，所述透射率是以方程式W1/W0×100計算而得，其中在紅外線輻射裝置與紅外線測量儀器之間放置有所述坩鍋的情況下，紅外線數量是W1；且在所述紅外線輻射裝置與所述紅外線測量儀器之間並未放置所述坩鍋的情況下，紅外線數量是W0。
(2)根據條目(I)的二氧化矽玻璃坩鍋，其中氣泡含量、壁厚度和透射率中每一者的圓周最大容許度不大於3%。
(3)根據條目(I)的二氧化矽玻璃坩鍋，其中氣泡含量、壁厚度和透射率中每一者的圓周最大容許度不大於1.5%。
(4)一種提拉單晶矽的方法，其包括使用如條目(1)到(3)中任一條目所述的二氧化矽玻璃坩鍋。
根據本發明的二氧化矽玻璃坩鍋是一種用於提拉矽晶體的二氧化矽玻璃坩鍋，其中在坩鍋的完整圓周上在同一高度位置處所測量的氣泡含量、壁厚度和透射率中每一者的圓周最大容許度不大於6%，以致可以獲得較高結晶度而不會在提拉矽晶體期間實質上引起矽熔體的液面波動和坩鍋內表面的剝落。
根據本發明的二氧化矽玻璃坩鍋是一種用於提拉矽晶體的二氧化矽玻璃坩鍋。在圖1中繪示根據本發明的二氧化矽玻璃坩鍋的示意性縱剖面圖。在根據本發明的二氧化矽玻璃坩鍋10中，在同一坩鍋高度位置H處氣泡含量、壁厚度和透射率中每一者的圓周最大容許度不大於6%，較佳不大於3%，更較佳不大於1.5%。
本文中所使用的術語“圓周最大容許度”是通過將在坩鍋的完整圓周上在同一高度位置處所測量的氣泡含量、壁厚度和透射率中每一者的平均值從最偏離其的值中減去所獲得的值的百分數。舉例來說，當所述平均值是A且所述最偏離平均值的值是B時，圓周最大容許度X(%)由以下方程式[1]給出：圓周最大容許度X(%)=(B-A)的絕對值/A×100...[1]。
當坩鍋是用由天然二氧化矽玻璃製成的外層和由合成二氧化矽玻璃製成的內層的雙層結構構成時，氣泡含量的意思是內層的氣泡含量，具體來說是形成坩鍋內層的透明玻璃層的氣泡含量。一般地，在二氧化矽玻璃坩鍋的直徑為32英寸的情況下，作為坩鍋內層的所述透明玻璃層對應於具有距離坩鍋內表面約0.5毫米到10毫米的厚度的層部分。
所述壁厚度是從坩鍋內表面到外表面的剖面部分的最短距離。
所述透射率是從坩鍋外表面到內表面的剖面部分的透射率。
此外，坩鍋的同一高度位置H可具有測量氣泡含量、壁厚度和透射率所需的某一寬度。
可以在矽晶體提拉中通過控制二氧化矽玻璃坩鍋的圓周均一性以致在坩鍋的同一高度位置處氣泡含量、壁厚度和透射率中每一者的圓周最大容許度不大於6%而獲得不小於80%的結晶度。
另一方面，如果二氧化矽玻璃坩鍋的氣泡含量、壁厚度和透射率中任一者的圓周最大容許度超過6%，那麼結晶度顯著降低。順便提及，當氣泡含量和壁厚度的圓周最大容許度超過6%時，易於在坩鍋內表面上產生剝落，而當透射率的圓周最大容許度超過6%時，易於引起矽熔體的液面波動。在任何情況下，結晶度都顯著降低。
本發明的二氧化矽玻璃坩鍋可以通過經由將二氧化矽粉或石英粉沉積於旋轉坩鍋樣模具的內表面上且在較高溫度下加熱二氧化矽粉層或石英粉層以使其在所述模具的旋轉下玻璃化來製造坩鍋的方法來製造，在所述方法中將測微儀放到模具內表面上且控制所述內表面的橫向波動水平不大於模具內徑的0.1%。
本發明將參考實例和比較實例具體地加以描述。此外，通過以下方法來測量氣泡含量、壁厚度和透射率。另外，通過提拉晶錠的平底部分(straight base portion)的重量與所裝入的起始材料的重量的比率來測定結晶度。
欲測量的坩鍋的高度位置H是設定為當坩鍋的開口在向上方向上時，在坩鍋的底部位置與坩鍋側壁部分的上端 位置之間的中間位置處的高度(在例如28英寸坩鍋的情況下，高度位置H是距離坩鍋的底部位置250毫米)。
氣泡含量是通過作為坩鍋內層的透明層(具有距離坩鍋內表面1毫米的厚度的一部分)中每單位面積所佔據的氣泡面積來進行測定。
壁厚度是通過測量在測量高度位置處從坩鍋外表面到內表面的壁厚度且計算其平均值來進行測定。
透射率是通過以下方程式來計算：透射率(%)=W1/W0×100，其中在紅外線輻射裝置與紅外線測量儀器之間放置有坩鍋的情況下，紅外線數量是W1；且在紅外線輻射裝置與紅外線測量儀器之間並未放置坩鍋的情況下，紅外線數量是W0。
實例1到3
根據表1中所示的條件來製造根據本發明的二氧化矽玻璃坩鍋(內徑：32英寸)，且接著提拉矽晶體。結果展示於表1中。
比較實例1到4
根據表1中所示的條件來製造二氧化矽玻璃坩鍋(內徑：32英寸)，且接著提拉矽晶體。結果展示於表1中。
表1
從表1可見，在所有實例1到3中都獲得不小於80%的結晶度而未引起矽熔體的液面波動和坩鍋內表面的剝落。此外，在實例3中結晶度是80%，其中氣泡含量、壁厚度和透射率中每一者的圓周最大容許度大於3%但不大於6%，而在實例2中結晶度高達82%，其中圓周最大容許度大於1.5%但不大於3%，以及在實例1中結晶度是最高84%，其中圓周最大容許度不大於1.5%。另一方面，在比較實例1到3中的任一者中結晶度都不大於41%，這顯著低於實例1到3的結晶度。尤其在氣泡含量、壁厚度和透射率中每一者的圓周最大容許度超過6%的比較實例4中，產生矽熔體的液面波動和坩鍋內表面的剝落且結晶度是最低30%。
10‧‧‧二氧化矽玻璃坩鍋
H‧‧‧高度位置
圖1是二氧化矽玻璃坩鍋的縱剖面圖。
10‧‧‧二氧化矽玻璃坩鍋
H‧‧‧高度位置

Claims (4)

  1. 一種用於提拉矽晶體的二氧化矽玻璃坩鍋，其特徵在於在所述坩鍋的完整圓周上在同一高度位置處所測量的氣泡含量、壁厚度和透射率中每一者的圓周最大容許度不大於6%，其中，所述氣泡含量是所述坩堝的內層的氣泡含量，所述壁厚度是從所述坩鍋的內表面到外表面的剖面部分的最短距離，所述透射率是以方程式W1/W0×100計算而得，其中在紅外線輻射裝置與紅外線測量儀器之間放置有所述坩鍋的情況下，紅外線數量是W1；且在所述紅外線輻射裝置與所述紅外線測量儀器之間並未放置所述坩鍋的情況下，紅外線數量是W0。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用於提拉矽晶體的二氧化矽玻璃坩鍋，其中所述氣泡含量、所述壁厚度和所述透射率中每一者的圓周最大容許度不大於3%。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的用於提拉矽晶體的二氧化矽玻璃坩鍋，其中所述氣泡含量、所述壁厚度和所述透射率中每一者的圓周最大容許度不大於1.5%。
  4. 一種提拉單晶矽的方法，其包括使用如申請專利範圍第1項至第3項中的任一項所述的二氧化矽玻璃坩鍋。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5818675B2 (ja) * 2011-12-22 2015-11-18 株式会社Sumco シリカガラスルツボの気泡分布の三次元分布の決定方法、シリコン単結晶の製造方法
JP5749150B2 (ja) * 2011-12-22 2015-07-15 株式会社Sumco シリカガラスルツボの赤外吸収スペクトルの三次元分布の決定方法、シリコン単結晶の製造方法
CN104114976B (zh) * 2011-12-27 2017-08-04 株式会社Sumco 氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法、单晶硅的制造方法
JP5657515B2 (ja) * 2011-12-27 2015-01-21 株式会社Sumco シリカガラスルツボの三次元形状測定方法、シリコン単結晶の製造方法
WO2014167788A1 (ja) 2013-04-08 2014-10-16 信越石英株式会社 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法
EP3088573B1 (en) * 2013-12-28 2020-07-15 SUMCO Corporation Quartz glass crucible and strain measurement device therefor
JP5923644B2 (ja) * 2015-05-13 2016-05-24 株式会社Sumco シリカガラスルツボの赤外吸収スペクトルの三次元分布の決定方法、シリコン単結晶の製造方法
JP6114795B2 (ja) * 2015-09-29 2017-04-12 株式会社Sumco シリカガラスルツボの気泡分布の三次元分布の決定方法、シリコン単結晶の製造方法
CN108977879B (zh) * 2018-09-13 2021-02-26 浙江美晶新材料有限公司 一种单晶用高纯石英坩埚及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070051296A1 (en) * 2005-09-08 2007-03-08 Katsuhiko Kemmochi Silica glass crucible with bubble-free and reduced bubble growth wall

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2616223B1 (fr) * 1987-06-03 1992-04-03 Quartz & Silice Procede et dispositif de controle du remplissage d'un moule par une matiere refractaire pulverulente
JP2714860B2 (ja) * 1989-07-28 1998-02-16 東芝セラミックス株式会社 半導体巣結晶引上げ用石英ガラスルツボ
JPH0825833B2 (ja) * 1990-04-27 1996-03-13 東芝セラミックス株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JPH0585879A (ja) * 1991-09-04 1993-04-06 Mitsubishi Materials Corp 単結晶引上装置
JP2962976B2 (ja) * 1993-08-10 1999-10-12 東芝セラミックス株式会社 石英ガラスルツボ
JP3154916B2 (ja) * 1995-03-13 2001-04-09 東芝セラミックス株式会社 石英ガラス質ルツボ
JP2936392B2 (ja) * 1995-12-12 1999-08-23 三菱マテリアルクォーツ株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ
JP4217844B2 (ja) * 1998-06-18 2009-02-04 ジャパンスーパークォーツ株式会社 複合ルツボとその製造方法および再生方法
JP4454059B2 (ja) * 1999-01-29 2010-04-21 信越石英株式会社 シリコン単結晶引き上げ用大口径石英ガラスるつぼ
JP2002154894A (ja) 2000-11-17 2002-05-28 Kusuwa Kuorutsu:Kk 液面振動の少ない半導体シリコン引上げ用ルツボ
JP2002326889A (ja) * 2001-04-27 2002-11-12 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ
JP4300333B2 (ja) * 2002-03-14 2009-07-22 ジャパンスーパークォーツ株式会社 リング状アークによる石英ガラスルツボの製造方法と装置およびその石英ガラスルツボ
JP4390461B2 (ja) * 2003-02-21 2009-12-24 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボ及びこれを用いたシリコン単結晶の引き上げ方法
JP4233059B2 (ja) * 2003-05-01 2009-03-04 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法
EP1632592B1 (en) * 2003-05-01 2012-06-20 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for manufacture thereof
JP2008094639A (ja) * 2006-10-06 2008-04-24 Covalent Materials Corp シリカガラスルツボ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070051296A1 (en) * 2005-09-08 2007-03-08 Katsuhiko Kemmochi Silica glass crucible with bubble-free and reduced bubble growth wall

Also Published As

Publication number Publication date
EP2141266A3 (en) 2010-11-24
JP5008695B2 (ja) 2012-08-22
KR101100667B1 (ko) 2012-01-03
US20100162943A1 (en) 2010-07-01
SG158063A1 (en) 2010-01-29
EP2141266B1 (en) 2012-04-04
TW201005133A (en) 2010-02-01
EP2141266A2 (en) 2010-01-06
CN102758247A (zh) 2012-10-31
KR20100003236A (ko) 2010-01-07
JP2010030884A (ja) 2010-02-12
ATE552364T1 (de) 2012-04-15

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