TWI458561B - 用於輸送可聚合材料至基板之壓印微影術裝置 - Google Patents

用於輸送可聚合材料至基板之壓印微影術裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI458561B
TWI458561B TW098136293A TW98136293A TWI458561B TW I458561 B TWI458561 B TW I458561B TW 098136293 A TW098136293 A TW 098136293A TW 98136293 A TW98136293 A TW 98136293A TW I458561 B TWI458561 B TW I458561B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
nozzles
fluid
nozzle
substrate
dispensing
Prior art date
Application number
TW098136293A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201029750A (en
Inventor
Jared L Hodge
Van Nguyen Truskett
Matthew S Shafran
Bharath Thiruvengadachari
Original Assignee
Molecular Imprints Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Molecular Imprints Inc filed Critical Molecular Imprints Inc
Publication of TW201029750A publication Critical patent/TW201029750A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI458561B publication Critical patent/TWI458561B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/004—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area comprising sensors for monitoring the delivery, e.g. by displaying the sensed value or generating an alarm
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/08—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
    • B05B12/082—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to a condition of the discharged jet or spray, e.g. to jet shape, spray pattern or droplet size
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49718—Repairing
    • Y10T29/49721—Repairing with disassembling
    • Y10T29/4973—Replacing of defective part

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

用於輸送可聚合材料至基板之壓印微影術裝置 相關申請案之相互參照
本案請求於2008年10月27日提出申請的美國臨時申請案第61/108,628號及於2009年10月30日提出申請的美國臨時申請案第61/109,534號之優先權，茲將該二申請案之全文內容併入本案以作為參考資料。
本發明係有關於一種分配系統。
 發明背景
奈米製造技術包括製造極微小之結構，該種結構具有100奈米級或更小的構造。奈米製造技術之應用在積體電路製程中具有極可觀的影響。在增加基板每單位面積之電路的同時，半導體製程產業亦持續朝往更高的產率邁進，因此奈米製造技術顯得更為重要。奈米製造技術在提供更佳製程控制的同時亦容許在其形成的結構上持續減小最小構造之尺寸。已發展奈米製造技術的其他領域包括生物技術、光學技術、機械系統等等。
目前所使用之例示的奈米製造技術一般稱作壓印微影術。有許多文獻，諸如美國專利公開第2004/0065976號、第2004/0065252號以及美國專利第6,936,194號已說明例示性之壓印微影製程，其等揭示之全文內容併入本案以作為參考資料。
在前述各件美國專利公開及專利案中所揭示之壓印微 影技術包括在一可聚合層中形成一釋放圖案，並且將對應於該釋放圖案之一圖案轉移至一下層基板中。該基板可耦合至一移動平台以獲得所欲之定位來促成圖形化程序。該圖形化程序使用了一個與基板隔開之模板以及施加在該模板與該基板間之一可成形液體。可成形液體經固化後形成一剛性層，該剛性層具有一符合於接觸該可成形液體之模板表面的形狀。在固化之後，模板自剛性層分開，如此使得模板與基板隔開。接著基板與固化層經由其他程序以將一釋放影像轉移至該基板並且該釋放影像係對應於固化層內之圖案。
可使用一種具有噴嘴之流體分配器來施加可成形液體。當使用分配器時，由於來自噴嘴之蒸發、可成形液體內之粒子、和分配器未經意之接觸、噴嘴之物理及/或電氣故障等等，噴嘴可能變得堵塞及/或偏離。可成形液體在基板與模板間之缺少及/或誤置可能會在固化層中產生未填充區域及/或不均勻的情況。
 圖式簡單說明
藉由參考隨附圖式所述之實施例可詳盡瞭解本發明之特徵及優點。然而應注意的是，該等隨附圖式僅用於說明本發明之典型實施態樣，也因此並不欲用於限制本發明或其他等效實施例之範圍。
第1圖為一種微影系統之簡化側面圖。
第2圖為第1圖之基板的側面圖，該基板上具有一圖形 層。
第3圖為一種例示之流體分配系統的簡化圖。
第4圖所示為一種例示之流體輸送系統。
第5圖之方塊圖為一種例示的流體分配系統，其包括一視覺系統。
第6圖為一種例示之噴滴圖案影像以及一流體分配系統之相關噴嘴。
第7A及7B圖說明一種例示之檢測系統，其用於檢測自一分配頭之噴嘴滴出之流體。
第8圖說明一種例示之監視系統，其用於捕捉自一分配頭之噴嘴滴出之流體的一或多個影像。
第9A及9B圖說明一種例示之診斷系統，其用於判定有作用及無作用之噴嘴。
第10圖說明一種例示之測重系統，其用於監視藉由一流體分配系統所分配之流體其質量的改變。
第11圖說明一種例示之噴滴圖案影像以及一流體分配系統之相關噴嘴。
第12-14圖說明用於減少無作用之噴嘴影響之例示的無損壓縮技術。
第15-18圖說明用於減少無作用之噴嘴影響之例示的有損壓縮技術。
第19圖為一種例示方法之流程圖，該方法可用於辨別無作用之噴嘴並獲得一特定之噴滴圖案。
第20圖為一種維護分配頭之例示方法的流程圖。
參考圖式，特別是第1圖，其中說明一種用於在基板12上形成一釋放圖案之微影系統10(或稱微影裝置)。基板12可耦合至基板墊塊14。如同已說明地，基板墊塊14為一真空墊塊。然而，基板墊塊14可以是包括但不限於真空、針型、溝槽型、電磁、靜電及/或等等之任何墊塊。美國第6,873,087號專利案所說明之例示的墊塊併入本文中以作為參考。
基板12與基板墊塊14可進一步以平臺16來支撐。平臺16可提供沿x-,y-，及z-軸方向之移動。平臺16、基板12以及基板墊塊14亦可定位在一基座上(未顯示)。
樣板18與基板12隔開。樣板18通常包括自其處朝向基板12延伸之階台20，階台20上具有一圖形化表面22。此外，階台20可稱為鑄模20。樣板18及/或鑄模20可形成自包含但不限於熔融二氧化矽、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽玻璃、氟碳聚合物、金屬、硬化藍寶石及/或等等之材料。如同上述地，圖形化表面22包含由複數個間隔之凹部24及/或凸部26所界定之構造，雖然本發明之實施例並不限於這種組配。圖形化表面22可界定任何原始圖案，其形成基板12上之圖案的基礎。
樣板18可耦合至墊塊28。墊塊28可組配成但不限於真空、針型、溝槽型、電磁、靜電及/或其他類似的墊塊。美國第6,873,087號專利案所說明之例示的墊塊併入本文中以作為參考。此外，墊塊28可耦合至壓印頭30使得墊塊28及/或壓印頭30可經組配以促進樣板18之移動。
系統10可進一步包含一流體分配系統32。流體分配系統32可用於將可聚合材料34配置在基板12上。可使用噴滴分配、旋轉塗佈、浸漬塗佈、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積及/或等等技術以將可聚合材料34定位在基板12上。在基於設計考量以將所欲體積界定於鑄模20與基板12間之前及/或之後，可聚合材料34可配置在基板12上。可聚合材料34可包含美國專利第7,157,036號以及美國專利公開第2005/0187339號已說明之單體混合物，其等揭示之全文內容併入本案以作為參考資料。
參考第1及第2圖，系統10可進一步包含經耦合以沿著路徑42引導能量40之一源38。壓印頭30及平臺16可經組配以將模板18與基板12定位成和路徑42重疊。系統10可受一處理器54控制，該處理器係與平臺16、壓印頭30、流體分配系統32及/或源38相聯繫。特別地，處理器54係耦合至記憶體56並且該記憶體56可包括一或多個電腦可讀取媒體，其包含可被該處理器54執行以控制系統10之指令。譬如，記憶體56可包括可被處理器54執行以辨別流體分配系統32之無作用噴嘴的指令。
壓印頭30、平臺16之一或兩者改變鑄模20與基板12之間的距離以界定其間被可聚合材料34填充之體積。譬如，壓印頭30可施加一力至模板18使得鑄模20和可聚合材料34接觸。在以可聚合材料34填充所欲體積之後，源38產生如紫外線輻射之能量以使可聚合材料34固化及/或交聯符合於一基板12之表面44及圖形化表面22之形狀並在基板12上界定一經圖形化之覆層46。經圖形化之覆層46可包含一殘留層48及複數個如凸部50及凹部52之構造，凸部50具有厚度t1 並且殘留層具有一t2 之厚度。
上述之系統及方法可運用在美國專利第6,932,934號、美國專利公開第2004/0124566號、美國專利公開第2004/0188381號以及美國專利公開第2004/0211754號之壓印微影方法與系統中，其等揭示之全文內容併入本案以作為參考資料。
第3圖為一例示之流體分配系統32的方塊圖。流體分配系統32包括一分配頭60，其自一流體供應器62接收流體。流體供應器62之流體可包括任何工業流體，諸如生物流體或可聚合材料34。流體供應器62可包括一或多個貯存器以用來儲存流體。可藉由數種方法以將流體自流體供應器62轉移至分配頭60，如流體供應器62與分配頭60之間的壓力差、泵裝置或其等之組合。
在第3圖所示之實施例中，可聚合材料34從分配頭60之複數個噴嘴的一或多個分配至基板12上。譬如，可聚合材料34可分配自特定噴嘴以在基板12上形成一噴滴圖案。雖然第3圖所顯示者為噴嘴64之二維圖示，但噴嘴64可被配置成一具有數列及數行噴嘴64之網格。在若干實施例中，一特定列之噴嘴可和該網格之其他列的噴嘴對齊。在其他實施例中，一特定列之噴嘴可相對該網格之其他列的噴嘴偏移。
流體分配系統32可包括過濾器66。過濾器66可將特定尺寸之粒子與供應源62之流體隔開。譬如，過濾器66可將大於50奈米的粒子自流體隔開。以這種方式，可降低噴嘴64的堵塞及老化，若這是無法避免的話。此外，從噴嘴64分配至基板12的粒子變小，可減少流體分配系統32之壓印缺陷。再者，雖然所顯示之過濾器66是在流體供應器62及分配頭60之間，然而過濾器66亦可位於流體分配系統32之其他部分。譬如，過濾器66可以是流體分配系統32的一個元件。另外，過濾器66可代表多個過濾器。
如第4圖所示，流體分配系統32可包括一流體輸送系統70。該流體輸送系統70包括一主供應貯存器72及一回充貯存器74。此外，可使用一第二回充貯存器76。第二回充貯存器76可連接至回充貯存器74。在一實施態樣中，貯存器72、74及/或76可由實質無離子及無粒子的材料製得。譬如，貯存器72、74及/或76可由鐵氟龍或類似的材料製得。
管子可連接主供應貯存器72、回充貯存器72及分配頭76。在一實施態樣中，管子可由實質無離子及無粒子的材料製得。譬如，管子可由鐵氟龍、FET及/或類似的材料製得。流體輸送系統70也包括用於控制通過流體輸送系統70之流體及氣體流量的閥V1 -V5 。
一過濾器66可設置在貯存器72及回充貯存器74之間。譬如，一個以聚乙烯製得之50奈米過濾器可用於過濾出回充貯存器74所產生之粒子。
諸如可聚合材料34之流體可自供應貯存器72循環回到回充貯存器74。譬如，如第4圖所示者，閥V4 及一檢查閥78可使流體自供應貯存器72循環回到回充貯存器74。如此一來，流體可進一步以過濾器66來過濾。在若干實施例中，在回充貯存器74與第二回充貯存器76可放置一額外之過濾器(未顯示)以用於流體之進一步清潔。流體輸送系統70也包括一個位在回充貯存器74與第二回充貯存器76之間的回充埠80。
一般來說，供應貯存器72及回充貯存器74可開放於周遭環境。壓力可藉由將供應貯存器平面P1 移至分配頭平面P2 之上或分配頭平面P2 之下來調整。譬如，供應貯存器可移至分配頭平面P2 之上或分配頭平面P2 之下來提供一諸如-500+/-133帕(Pa)之供應壓力。
氮可用於對供應貯存器72及/或回充貯存器74施壓。此外，氮氣可用於提供力以使流體在供應貯存器72、回充貯存器74及/或分配頭60移動。一或多個氣體過濾器82可耦合至一N2 電子式調節器84。該N2 電子式調節器84從N2 供應源提供氮氣至供應貯存器72及回充貯存器74。氣體過濾器82可由諸如聚四氟乙烯之材料製得並且該氣體過濾器82可過濾出大於50奈米之粒子。一額外的N2 電子式調節器86從N2 供應源提供氮氣至第二回充貯存器76。
電子級異丙醇(IPA)可用來清潔供應貯存器72及/或回充貯存器74。此外，可在清潔的期間對供應貯存器72及/或回充貯存器74執行劇烈震盪以使粒子脫落進入IPA。接著，IPA可循環通過流體輸送系統70以過濾出粒子。譬如，粒子可從，如第3圖之噴嘴64的分配頭60噴嘴清除。
可在流體引入供應貯存器72及/或回充貯存器74之前乾燥流體輸送系統70。乾燥的步驟可避免材料與IPA混合而影響流體性質並導致壓印缺陷。此外，分配頭60可以清潔溶劑來沖洗以備置流體分配系統32及/或噴嘴64(顯示於第3圖中)。
流體可被引入回充貯存器74並轉移至供應貯存器72。貯存器72及74之一或兩者上可設有位準感測器以在流體輸送期間用於監視各貯存器72或74之位準。位準感測器可包括但不限於電容式感測器、雷射感測器及/或類似之感測器。
可使用氮來備置分配頭60之噴嘴。譬如，可使用在特定壓力的氮，如0.2巴(bars)，以對供應貯存器72施壓並強迫流體通過分配頭60(如以60秒)。此外，可藉由打開分配頭之出口埠88以使空氣推進通過管子並抵達廢棄物容器90而強迫氣泡離開分配頭60。
諸如泵之真空部件92可用於產生一部分之真空以備置分配頭60。譬如，真空部件92可連接至分配頭60上之真空蓋94。當關斷閥96關閉時，可啟動真空部件92並經由連接至一活性碳過濾器98之真空管線而在回充貯存器74中建立真空位準。譬如，真空位準可建立在特定壓力，如趨近於-970毫巴(mBar)。接著，可打開關斷閥96並且流體可流過分配頭60之噴嘴。流體可接著流入回充貯存器74。一旦流體充滿回充貯存器74，可關閉真空部件92。可在一特定壓力，諸如1巴，提供氮予回充貯存器74，並且流體在通過供應貯存器72時可被過濾。當流體充滿供應貯存器72時，真空部件90可被啟動並且流體可循環通過分配頭60並到達回充貯存器74。在此種方式下，供應貯存器72內之容積可重複使用於一封閉迴路系統。
分配頭60亦可經清潔以充填分配頭60之噴嘴、移除在分配頭60之噴嘴上的粒子或用於一般分配頭60之維護。譬如，可在諸如0.1-0.2巴之一特定壓力下清潔分配頭60持續一段時間以驅除可能出現在分配頭60之噴嘴上的粒子。此外，噴嘴可經擦拭以移除因清洗而留下的多於流體。譬如，分配頭60之噴嘴可用多針織布來擦拭。
如上所述者，流體分配系統32可用於將可聚合材料34配置在基板上。第5圖說明一種流體分配系統32其包含一分配頭60以用於將可聚合材料34配置在基板12上。分配頭60可包含微螺線管閥或壓電致動分配器。
通常來說，通過分配頭60之可聚合材料34會從至少一個噴嘴64流出。特別地，可聚合材料34之噴滴可從至少一個噴嘴64朝向基板12噴出。應注意到，基於設計考量可使用一個單一噴嘴或多個噴嘴64。為此，各個分配頭60之噴嘴64界定了一個分配軸65，可聚合材料34可沿著該分配軸65而配置在基板12上。
如第5圖所說明者，流體分配系統32可選擇地連接至一視覺系統100。視覺系統100可包含一顯微鏡102(如光學顯微鏡)以用於提供可聚合材料34放置在基板12上之影像104。顯微鏡102可受處理器54控制並進一步依儲存於記憶體56之一電腦可讀取程式而操作。在壓印期間，可在具周期性之時距內提供影像104。或者，可在為避免蒸發而進行之一周期性的分配期間提供影像104。
由於在噴嘴64之蒸發、可聚合材料34內之粒子、和流體分配系統32之其他部件未經意之接觸、流體分配系統32之物理及/或電氣故障等等，分配頭60之噴嘴64可能變得堵塞及/或偏離。因此，需周期性地更換分配頭60。譬如，當噴嘴64偏離特定位置之分配流體或噴嘴64因分配頭60內之電氣或機械故障而無法分配時則須更換分配頭60。影像104可辨別出較差之噴滴配置方式並提供是否需要更換分配頭60、是否需進行分配頭60之維護及/或是否應採取措施以補償無作用之噴嘴的資訊。
影像104可提供噴嘴64所分配之可聚合材料34的一部分圖像以用來辨別可聚合材料34的放置情況並判定噴嘴64之功能。第6頭說明一例示影像104以及分配頭60之相關噴嘴64。噴嘴64將可聚合材料34配置在基板12之一指定的圖案中。譬如，該指定的圖案可以是一連串之行與列。
依據配置在基板12上之可聚合材料34的影像104可判定噴嘴64之功能。譬如，影像104顯示出分配系統62之區段A內的噴嘴64a-c將可聚合材料34微滴配置在基板12之行與列的指定圖案中。因該等可聚合材料34微滴係視覺可見的並且未偏離指定圖案，故噴嘴64a-c可判定是有作用的。影像104亦顯示出由分配頭60之噴嘴64d-f所分配並位在區段B內之可聚合材料34微滴。特別地，相關於噴嘴64e之可聚合材料34微滴並非是視覺可見的。此外，相關於噴嘴64d之可聚合材料34微滴偏離指定圖案。據此，可判定噴嘴64d及64e不具功能性。再者，一特定之噴嘴可根據指定圖案來配置可聚合材料34微滴，但該等微滴可具有一體積，該體積係小於在壓印微影製程期間所需之微滴的臨界體積。因此，當一個噴嘴分配之微滴所包含之可聚合材料34的量小於該臨界量時，該噴嘴可視為係無作用的。當有太多流體被分配在指定圖案之一特定區域時，一或多個噴嘴64亦可被視為係無作用的。
如第7A及7B圖所述者，流體分配系統32可選擇地包含一檢測系統，其具有至少一感測器110以在可聚合材料34自噴嘴64滴出而朝向基板12時用於檢測可聚合材料34。感測器110可包含但不限於電磁、機械、化學、光輻射、離子輻射、聲波及/或等等形式。譬如，如第7圖所述者，感測器110可以是一光輻射感測器其包含一掃描雷射112及一檢測器114。雷射112可提供一束雷射光、多束雷射光或一片定位在噴嘴64與基板12之間的雷射光。第7A圖顯示有一束雷射光116。當可聚合材料34擋住雷射光束116時，檢測器114可檢測到自噴嘴64滴出而朝向基板12之可聚合材料34的出現。可替代地，如第7B圖所示，藉由測量雷射光束116之反射及/或折射，檢測器114可檢測到自噴嘴64滴出而朝向基板12之可聚合材料34的出現。
如第8圖所示，流體分配系統112可選擇地包含一監視系統120其具有一攝影機122(如高速攝影機)以用於捕捉自噴嘴64滴出而朝向基板12之可聚合材料34的一或多個影像124。可對個別噴嘴或多個噴嘴捕捉影像124。攝影機122視線126可在噴嘴64與基板12之間。在一示例中，監視系統120更包含一調節光源130以提供一種選通技術之選通控制器128。攝影機122及選通控制器128可經設計以在可聚合材料34自噴嘴64滴出並朝向基板12時用於提供可聚合材料34之多個連續影像124。譬如，若可聚合材料34出現在一個影像124並且未出現在後續影像124中，則噴嘴64可被判定是無作用的。
如第9A及9B圖所示，流體分配系統112可選擇地包含一診斷系統140其具有一診斷處理器142及一定位在分配頭60內之診斷感測器144。譬如，診斷感測器144可附加至一壓電致動分配器之壓電晶體。在另一實施態樣中，診斷感測器144可定位在流體分配系統112之任何部分內。診斷感測器144可提供關於哪些噴嘴64係有作用及無作用之資訊。譬如，診斷感測器144可提供諸如在分配頭60之各個噴嘴64經致動時之共振波(如聲壓)數據。在一特別之實施例中，診斷處理器142可將各個噴嘴64所產生之共振波與一基線波146比較以判定噴嘴64是有作用或無作用的。基線波146可在可聚合材料34從噴嘴64滴出(區域A)並與噴嘴64分開(區域B)時產生在一個已知有作用的噴嘴64上。一個來自有作用之噴嘴64的共振波以148a來表示。一個來自無作用之噴嘴64的共振波以148b來表示。應注意到，處理器54(顯示於第1圖)可再加於診斷處理器142使用或取代診斷處理器142。
如第10圖所示，流體分配系統32可選擇地包含一測重系統150以監視可聚合材料34之質量改變並提供有關噴嘴64功能的資訊。譬如，測重系統150可包含一感測器標尺152，其經定位以捕捉從噴嘴64滴出之可聚合材料34。在一實施例中，基於感測器標尺152所量測之分配於特定噴嘴64之可聚合材料34的質量改變，處理器54可用來判定一個特定之噴嘴64是否係有作用或無作用的。感測器標尺152可和基板12分開或整合於基板12。第10圖所說明之測重系統150包含與基板12分開之感測器標尺152。測重系統150以一預定之頻率來監視可聚合材料34質量之增加及/或減少。譬如，測重系統150可以不小於2千赫茲的頻率對可聚合材料34增加的質量取樣。感測系統152之取樣可設置在一個無空氣流動的環境以消除蒸發及/或偏壓。
有數種技術可施加以用於減小經判定為無作用之噴嘴64的影響。一般而言，這些技術分為兩類：無損技術，其提供最初所欲之精確噴滴圖案，以及有損技術，其提供經改變之噴滴圖案但減少對最終壓印所產生之影響。無損技術及有損技術兩者可藉由電腦、諸如處理器54之處理器，或其他基於儲存在一或多個電腦可讀取儲存媒體，諸如儲存於記憶體56之電腦可讀取儲存媒體的電腦可讀取指令的計算裝置來實施。該電腦可讀取儲存媒體可以是任何可得之媒體，其可經計算裝置存取以實施儲存其上之指令。
第11圖為一種例示之噴滴圖案200。分配頭60之噴嘴64a-j可在列R1-R6與行C1-C6內選擇地提供微滴。可聚合材料34微滴以實心標記來說明，而未填標記代表微滴未使用但可得之位置(在此亦稱為“空位置”)。譬如，在第11圖中，噴嘴64可在六個潛在位置(R1,C1-C6)之(R1,C1)處提供一可聚合材料34微滴，並在(R1,C5)提供一可聚合材料34微滴。
無損技術
第12圖說明一種例示之無損技術，其採用噴嘴平移技術來提供噴滴圖案200。譬如，在第12圖中，分配頭60可經設計以使用六個噴嘴64a-f來提供如區域A所表示之噴滴圖案200。如其所示者，噴嘴64a可以是實質無作用的也因此並未在(R1,C1)及(R1,C5)處提供充分之可聚合材料34微滴。藉由平移分配頭60可使用一個不同於64a之噴嘴來提供噴滴圖案200。譬如，在第12圖中，分配頭60可經設計而使用噴嘴64b-g來提供如區域B所表示之噴滴圖案200。因為相較於以往所欲地，噴嘴平移技術準備使用分配頭60之不同噴嘴，據此基板12可經移動而補償。譬如，基板12可被移動而使得噴嘴64a未如第12圖般使用。
第13圖說明一種例示之無損技術，其採用分配頭補接技術來提供噴滴圖案200b。分配頭補接技術會涉及到協調使用多個分配頭60以提供噴滴圖案並且基本上無須移動基板12。因使用補接調整，一分配頭60之無作用噴嘴64可藉由使用另依分配頭60之有作用噴嘴64而受補償。譬如，在第13圖中，分配頭60a及60b可提供噴滴圖案200b。噴嘴64a可能是無作用的，也因此未在噴滴圖案200b之(R4,C2)及(R4,C8)處提供充分之可聚合材料34微滴。使用補接調整，分配頭60b之有作用的噴嘴64p可被用於在噴滴圖案200b之(R4,C2)及(R4,C8)處分配可聚合材料34微滴以補償分配頭60a之無作用的噴嘴64a。
第14圖說明一種例示之無損技術，其採用間隙跨立技術來提供噴滴圖案200c。在若干情況下，噴滴圖案200c可具有一或多個如分配頭60之噴嘴64大小之間隙202。也就是說，噴滴圖案200c可包括一或多列的空位置。因此，可能將一個無作用之噴嘴64對準於間隙202。譬如，第14圖說明噴滴圖案200c之間隙202是位在R2與R4之間。假如噴嘴64e被認為是無作用的，基板12可被移動而使得噴嘴64e對準於間隙202。
有損技術
第15圖說明一種例示之有損技術，其採用最小化跨立技術來提供噴滴圖案200e而使得分配頭60之一或多個無作用之噴嘴64的影響降到最低。一般而言，最小化跨立技術包括分析噴滴圖案200d的所有列以用來判定一適合之列，該列包括由噴滴圖案200d所指定之一可聚合材料34之噴滴位置之最小數量。譬如，第15圖說明在區域A中的噴滴圖案200d。噴嘴64e可能是無作用的，並因此使得可聚合材料34微滴可能無法根據指定圖案200d來設置。譬如，區域A內之噴嘴64e無法提供可聚合材料34微滴於(R4,C2)及(R4,C6)。使用最小化跨立技術，噴滴圖案200d可經分析以判定一合適之列，該列包含如列5之少量微滴。基板12可被移動而使得噴嘴64e可和提供經調整之噴滴圖案200e之列5對齊。在相較於使用噴滴圖案200d及無作用之噴64e，經調整之噴滴圖案200e可使無作用之噴嘴64e在殘餘覆層厚度t2、殘餘覆層均勻性、及/或等等之影響降到最低。
第16圖說明一種例示之有損技術，其採用座標網格調整技術來改變噴滴圖案200e以使分配頭之一或多個無作用之噴嘴64的影響降到最低。使用centroidal Voronoi tessellation(CVT)、power centroidal Voronoi tessellation (PCVT)以及其他噴滴產生方法時，網格204可被使用。網格204通常是一個落入基板12之圖形化區域內的所有可能噴滴位置之集合。一般而言，這些噴滴位置之子集合可經選擇以放置可聚合材料34來填充圖形化基板12與樣板18間的體積。假如有一或多個噴嘴64被判定是無作用的，該等無作用之噴嘴可自網格204移除。譬如，如區域A所示，噴嘴64f可被認為是無作用的。據此，如區域B所示，噴嘴64f可自座標網格204之考量中移除。自網格204移除噴嘴64f可提供噴滴圖案200f。
第17圖說明一種例示之有損技術，其採用增強型多通口技術來改變噴滴圖案200g以提供噴滴圖案200h，使得分配頭60之一或多個無作用之噴嘴64的影響降到最低。分配頭60之多個通口可在整個基板12上運作。這些通口通常可經平移而以增加的空間頻率來提供可聚合材料微滴。譬如，如第17圖所述，分配頭60可經設置以提供噴滴圖案200g，然而分配頭60之噴嘴64e可能是無作用的。在第一通口期間，噴嘴64e可能並未提供可聚合材料34微滴於列8。藉由平移分配頭60並提供一第二通口，噴嘴64e可放置在相距列8一段距離。如此可確保未經分配之列不相鄰並減少對殘餘覆層厚度之影響。此外，在第二通口期間，可聚合材料34微滴可藉由分配頭60之其他噴嘴，諸如有作用之噴嘴64i而分配在列8。
第18圖說明一種例示之有損技術，其採用鄰近映射技術來改變噴滴圖案200i以提供噴滴圖案200j，使得分配頭60之一或多個無作用之噴嘴64的影響降到最低。一般而言，在鄰近映射技術中，無作用之噴嘴64可藉由一相鄰且有作用之噴嘴而被補償。譬如，分配頭60可能包括無作用之噴嘴64。噴滴圖案200i可經分析以判定出受無作用之噴嘴64e影響之位置(如(R5,C4))。潛在之鄰近位置可經判定以用於無作用之噴嘴64e的補償。該等潛在之鄰近位置可包含空位置，其等相鄰於受無作用之噴嘴影響的位置。如此，噴滴圖案200i可經改變以提供噴滴圖案200j，其中噴嘴64d或噴嘴64將可聚合材料分別地分配在鄰近位置(R4,C4)或(R6,C4)之一。可進一步分析鄰近位置以判定哪一個鄰近位置是最適合用於補償無作用之噴嘴64e。譬如，鄰近位置(R6,C4)最靠近其他可聚合材料34可能被分配之位置(即(R6,C5))。如此，相較於噴嘴64f將可聚合材料34分配在(R6,C4)，以噴嘴64d將可聚合材料34分配在(R4,C4)為更適合用於補償之位置。
例示方法之特性將參考第19及第20圖而說明如下。然而，應瞭解到，視情況而定，某些動作並不須依照說明的順序來執行並可被修改及/或完全被忽略。再者，所說明之動作可藉由電腦、處理器或其他基於儲存在一或多個電腦可讀取儲存媒體的電腦可讀取指令的計算裝置來實施。該電腦可讀取儲存媒體可以是任何可得之媒體，其可被計算裝置存取以實施儲存其上之指令。
第19圖說明一種例示方法300的流程圖，該方法可用於辨別無作用之噴嘴並獲得一指定的噴滴圖案。該方法300可透過第1-18圖所述之系統與技術來實施。在步驟302中，收集有關流體分配系統32之分配頭60之噴嘴64所分配之流體微滴的資料。可利用一或多種技術來收集該資料。譬如，可捕捉被分配到基板12上之微滴影像。再者，亦可測量噴嘴64所分配之微滴質量。另外，及/或可替代地，當噴嘴64藉由測量經建立並以一種微滴的形式而消耗之壓力來啟動並接著被分配在各個特定之噴嘴64內之際，可藉由和各個噴嘴相關聯之感測器來收集資料。視用於收集資料的技術而定，可在任何既定的時間單獨對各個特定之噴嘴、在任何既定的時間對一群特定之噴嘴64、在任何既定的時間對所有噴嘴64或其等之組合來收集有關噴嘴64之功能性的資料。
在步驟304中，方法300包括基於收集的資料來判定是否噴嘴64中有至少一個噴嘴是無作用的。譬如，所收集的資料可指出有少許或無流體自一個特定噴嘴分配出來。在另一示例中，所收集的資料可指出有過多流體自一個特定噴嘴分配出來。再者，所收集的資料可指出一個噴嘴是無作用的，因為流體是以一個偏離所欲角度之角度而自該噴嘴分配出來。
在若干實施例中，分配至基板12上之微滴之一圖案影像可和一指定噴滴圖案比較。分配至基板12上之噴滴圖案與指定噴滴圖案之間的比較可透過一微影系統10之操作員之目檢來進行及/或利用儲存於記憶體56內之軟體而自動進行。當指定噴滴圖案與噴滴之實際圖案的比較期間有指出一個錯誤時，分配頭60之一或多個噴嘴64就可被認定是無作用的。在某些例子中，噴滴之實際圖案裡的錯誤可藉由一個基板的空位置填入指定噴滴圖案來指出。在其他例子中，噴滴之實際圖案裡的錯誤可藉由在基板12之一特定位置的流體量，如流體體積，是在一鄰界量之上或之下而指出。譬如，某些噴嘴64可分配一些流體，但不足以在壓印微影製程中提供基板12適當之覆蓋。在另一示例中，一或多個噴嘴64可能將過多之流體分配至基板12上。一個在噴滴之實際圖案裡的錯誤亦可藉由來自一特定噴嘴之微滴來指出，其中該微滴被分配在基板之一個位置，而該位置對應於一個與不同噴嘴相關之位置。
在辨別出任何無作用之噴嘴後，步驟306提供一個指示，其指出分配頭60之至少一個噴嘴是無作用的。該指示可指出該特定之無作用的噴嘴。該指示可以警示燈、音響設備、諸如電子郵件之訊息、彈出視窗或圖形化使用者介面的其他指標，或任何其等之組合的形式來提供。
在決策308之步驟中，一或多個動作可經判定以宣告無作用之噴嘴64並達到適當的噴滴圖案。在某些例子中，方法300繼續到執行分配頭60之維護的步驟310。如有必要的話，分配頭之維護可包括分配頭60之替換。有關分配頭60之維護的進一步細節係解釋於第20圖中。在其他例子中，方法300移至步驟312，於其處有一或多個流體分配方案可經判定以用於補償無作用之噴嘴64。包括無損及有損技術之流體分配方案的示例已討論於第12-18圖之相關內容中。
在步驟314中，流體分配系統32係根據流體分配方案而修改。譬如，為將無作用之噴嘴自使用中移除或使無作用之噴嘴與包括微小數量之噴滴位置或不包括任何噴滴位置之一指定噴滴圖案相關聯，分配頭60之噴嘴可被平移。在另一示例中，多個分配頭60可被利用或一單一分配頭60之多個通口可被利用以補償無作用之噴嘴。在尚有之其他示例中，指定之噴滴圖案可被改變以將任何包括與無作用之噴嘴相關之噴滴位置之列移除或將流體分配至一基板之位置，其等係相鄰於受無作用之噴嘴影響之位置。
在步驟316中，方法300包括判定依據使用之流體分配方案是否已完成一指定之噴滴圖案。也就是說，微影系統10判定流體分配方案的實施是否達到所欲之結果並產生微滴之一圖案來補償無作用之噴嘴64。舉例來說，就無損技術而言，儲存在記憶體54上之軟體可經執行以判定在實施流體分配方案後是否已完成指定之噴滴圖案。就有損技術而言，儲存在記憶體54上之軟體可經執行以判定是否已分配微滴之一圖案，該圖案將於基板完成12上完成流體之覆蓋以適於一特定之壓印微影製程。
當完成指定之噴滴圖案時，方法300回到步驟302以繼續收集資料來辨別無作用之噴嘴64。若未完成指定之噴滴圖案，該方法則前進至步驟318。在步驟318中，可判定一或多個額外之流體分配方案。譬如，當一特定之無損或有損技術未能成功地被利用以試圖補償無作用之噴嘴64時，則可執行儲存在記憶體54上之軟體以實施另一種無損或有損技術。在另一示例中，倘若無損技術未能成功地完成一指定之噴滴圖案，則可執行儲存在記憶體54上之軟體以實施一或多種有損技術。假如未能取得或應用進一步之流體分配方案，則方法300會前往至步驟310，其處進行分配頭之維護。
第20圖說明一種用於維護分配頭60之例示方法400的流程圖。該方法400可藉由第1-4圖所顯示之系統來實施。在步驟402中，辨別分配頭60之無作用之噴嘴64。譬如，可利用第5-10圖所討論的技術來辨別無作用之噴嘴64。舉例來說，可藉由分配至基板12之微滴的影像、藉由自噴嘴64滴出之微滴的影像、藉由和一或多個噴嘴64相關之診斷感測器及/或測量噴嘴64所分配之微滴質量的改變來辨別無作用之噴嘴64。
在步驟404中，進行分配頭60之維護以試圖修復無作用之噴嘴。譬如，可使用特定壓力之氮氣，如0.2巴，對主供應貯存器72施壓以清洗分配頭。清洗分配頭60可清洗出氣泡及/或去除噴嘴周圍之物質，如此使得流體可更通暢地流過噴嘴。當分配流體在分配頭60上產生聲波效應時，分配頭60亦可經清洗以去除堵住噴嘴之物質。另外，分配頭60亦可用IPA浸泡之清潔織布水平地跨過噴嘴64來擦拭以移除堵住噴嘴64之物質。真空擦拭亦可用於去除堵住噴嘴64之物質。再者，分配頭60可自流體輸送系統70斷開以使流體自分配頭60排出並讓陷於噴嘴64內之空氣釋放出來。在一段預定時間後(如3分鐘)，流體輸送系統70可重新連接以充填分配頭60之噴嘴64。
在決策406步驟中，方法400判定是否無作用之噴嘴的臨界數量已被修復。分配頭60可操作地以一特定臨界數量之無作用之噴嘴64而將流體分配至一圖案，其中該圖案是以一種適合特定之壓印微影製程的方式來覆蓋基板12。因此，當分配頭60所包括之無作用之噴嘴少於該鄰界數量時，方法400就前進至步驟410。在某些例子中，步驟402所述之用於辨別無作用之噴嘴64的技術可再次地實施以判定是否在分配頭60之維護後無作用之噴嘴64已正確地運作。
當無作用之噴嘴64的臨界數量未修復，方法400移至步驟408。在步驟408中，替換分配頭60。在替換分配頭60之後，分配頭可用清潔溶劑沖洗以備置流體輸送系統70之管線以及分配頭60之噴嘴64。此外，以清潔溶劑沖洗流體輸送系統70後，可以流體充填回充貯存器74，該流體可接著轉移至主供應貯存器72並且分配頭60已完成備置。關於以流體充填貯存器72與74以及備置分配頭60之內容則參考第4圖之相關說明。
在步驟410中，方法400判定是否分配頭60所分配之流體要被更換成新的流體。當流體不需被更換時，該方法則繼續進行到步驟412，於其處若有必要的話則回充貯存器72與74內之流體。當流體要被更換成新的流體時，則方法400移至步驟414。在414之決策中，方法400判定是否新的流體以不同於目前之流體的基礎成份所組成。譬如，目前之流體可能是以一種有機單體基礎成份所組成。因此，在步驟414中，方法400判定新的流體是否也是以一種有機單體基礎成份所組成。當新的流體是以一種類似於目前物質之基礎成分所組成時，則方法400就會前進至步驟416，其處沖洗流體輸送系統70、備置分配頭60，並且以新的流體回充貯存器72與74。否則，方法移至步驟418。
在步驟418中，若有必要的話則替換分配頭60。也就是說，若如方法400之步驟408所述地分配頭60已替換，並且目前之流體尚未經分配而通過新的分配頭，則分配頭60並不需在步驟418更換。然而，假如分配頭60尚未經替換及/或已經和新的流體一起使用，則分配頭60就要替換。在分配頭60經替換之後，貯存器72、74及76亦被替換。接著以清潔溶劑沖洗流體輸送系統70、以新的流體填充貯存器72與74並以該新的流體備置分配頭60。有關以流體填充貯存器72與74以及備置分配頭60可參考第4圖相關說明。
10．．．微影系統
12．．．基板
14．．．基板墊塊
16．．．平臺
18．．．樣板
20．．．階台
22．．．圖形化表面
24、52．．．凹部
26、50．．．凸部
28．．．墊塊
30．．．壓印頭
32．．．流體分配系統
34．．．可聚合材料
38．．．源
40．．．能量
42．．．路徑
44．．．表面
46．．．經圖形化之覆層
48．．．殘留層
54．．．處理器
56．．．記憶體
60、76．．．分配頭
62．．．流體供應器
64．．．噴嘴
65．．．分配軸
66．．．過濾器
70．．．流體輸送系統
72．．．主供應貯存器
74．．．回充貯存器
76．．．第二回充貯存器
78．．．檢查閥
80．．．回充埠
82．．．氣體過濾器
84、86．．．N2 電子式調節器
88．．．出口埠
90．．．廢棄物容器
92．．．真空部件
94．．．真空蓋
96‧‧‧關斷閥
98‧‧‧活性碳過濾器
100‧‧‧視覺系統
102‧‧‧顯微鏡
104‧‧‧影像
110‧‧‧感測器
112‧‧‧掃描雷射
114‧‧‧檢測器
116‧‧‧雷射光束
120‧‧‧監視系統
122‧‧‧攝影機
124‧‧‧影像
126‧‧‧視線
128‧‧‧選通控制器
130‧‧‧光源
140‧‧‧診斷系統
142‧‧‧診斷處理器
144‧‧‧診斷感測器
146‧‧‧基線波
150‧‧‧測重系統
152‧‧‧感測器標尺
200‧‧‧噴滴圖案
202‧‧‧間隙
204‧‧‧網格
300、400‧‧‧方法
302-318、402-418‧‧‧步驟
第1圖為一種微影系統之簡化側面圖。
第2圖為第1圖之基板的側面圖，該基板上具有一圖形層。
第3圖為一種例示之流體分配系統的簡化圖。
第4圖所示為一種例示之流體輸送系統。
第5圖之方塊圖為一種例示的流體分配系統，其包括一視覺系統。
第6圖為一種例示之噴滴圖案影像以及一流體分配系統之相關噴嘴。
第7A及7B圖說明一種例示之檢測系統，其用於檢測自一分配頭之噴嘴滴出之流體。
第8圖說明一種例示之監視系統，其用於捕捉自一分配頭之噴嘴滴出之流體的一或多個影像。
第9A及9B圖說明一種例示之診斷系統，其用於判定有作用及無作用之噴嘴。
第10圖說明一種例示之測重系統，其用於監視藉由一流體分配系統所分配之流體其質量的改變。
第11圖說明一種例示之噴滴圖案影像以及一流體分配系統之相關噴嘴。
第12-14圖說明用於減少無作用之噴嘴影響之例示的無損壓縮技術。
第15-18圖說明用於減少無作用之噴嘴影響之例示的有損壓縮技術。
第19圖為一種例示方法之流程圖，該方法可用於辨別無作用之噴嘴並獲得一特定之噴滴圖案。
第20圖為一種維護分配頭之例示方法的流程圖。
12‧‧‧基板
32‧‧‧流體分配系統
34‧‧‧可聚合材料
60‧‧‧分配頭
62‧‧‧流體供應器
64‧‧‧噴嘴
66‧‧‧過濾器

Claims (13)

  1. 一種用於輸送可聚合材料至一基板之壓印微影術裝置，其包含：一或多個包括複數個噴嘴之分配頭；一連接至該一或多個分配頭之流體供應器；一處理器；以及耦接至該處理器之記憶體，該記憶體包括可藉由該處理器來執行之電腦可讀取指令，其係用以：辨別該等複數個噴嘴內用於分配一指定微滴圖案之一第一組噴嘴；辨別該第一組噴嘴中的一個無作用噴嘴；利用該等複數個噴嘴內排除該無作用噴嘴之一第二組噴嘴，判定一流體分配方案，以補償該個無作用噴嘴的存在；以及根據該流體分配方案來修改該分配頭之運作，以利用該第二組噴嘴來產生該指定微滴圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該記憶體包括額外的可藉由該處理器來執行之電腦可讀取指令，其係用以：收集自該等複數個噴嘴的一或多者所分配之流體的微滴的相關資料；以及基於該收集的資料來判定在該等複數個噴嘴中是否有至少一個噴嘴是無作用的。
  3. 如申請專利範圍第1項之裝置，更包含一視覺系統，其可提供經由該等複數個噴嘴的一或多者而分配至一基板 上之流體微滴圖案的一或多個影像，並且其中該記憶體包括額外的可藉由該處理器來執行之電腦可讀取指令，以藉由將該等分配至基板上之流體微滴圖案的一或多個影像和一指定圖案比較來辨別該無作用噴嘴。
  4. 如申請專利範圍第1項之裝置，更包含一感測器，其檢測自該等複數個噴嘴的一或多者滴出(egress)之流體。
  5. 如申請專利範圍第1項之裝置，更包含一或多個診斷感測器，以提供該等複數個噴嘴的一或多者之啟動的相關資料，其中該一或多個診斷感測器的每一者係與一個別的噴嘴相關聯。
  6. 如申請專利範圍第1項之裝置，更包含一測重系統以用於監視自該等複數個噴嘴的一或多者分配之流體的質量改變。
  7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該流體供應器包含一主供應貯存器及一回充貯存器，並且其中一過濾器係耦接在該主供應貯存器及該回充貯存器之間。
  8. 如申請專利範圍第7項之裝置，更包含一連接至該主供應貯存器並連接至該回充貯存器之氮氣供應器，其中氮氣提供力以在該主供應貯存器、該回充貯存器、該分配頭、該過濾器或其等之組合間移動流體。
  9. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第一及第二組噴嘴兩者均位於相同的分配頭上。
  10. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第一及第二組噴嘴係位於分開的分配頭上。
  11. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該修改運作更包括相對於該基板位移一或多個分配頭。
  12. 一種用於輸送可聚合材料至一基板之壓印微影術裝置，其包含：一或多個包括複數個噴嘴之分配頭；一連接至該一或多個分配頭之流體供應器；一處理器；以及耦接至該處理器之記憶體，該記憶體包括可藉由該處理器來執行之電腦可讀取指令，其係用以：辨別該等複數個噴嘴內用於分配一指定微滴圖案於該基板上之一組噴嘴；辨別該組噴嘴中的一個無作用噴嘴；判定一流體分配方案，以補償該組噴嘴內該個無作用噴嘴的存在；以及根據該流體分配方案來修改該一或多個分配頭之運作，以利用該組噴嘴來產生該指定微滴圖案，其中該修改運作更包含根據該指定圖案運作該分配頭，並且接著相對於該基板位移該分配頭，以將先前與該無作用噴嘴對準的該基板之位置與該組內之一作用噴嘴重新對準，並接著再次運作該分配頭以完成該指定微滴圖案。
  13. 如申請專利範圍第12項之裝置，其中該無作用噴嘴與基板對準之位置處係沒有意欲根據該指定微滴圖案的微 滴。
TW098136293A 2008-10-27 2009-10-27 用於輸送可聚合材料至基板之壓印微影術裝置 TWI458561B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10862808P 2008-10-27 2008-10-27
US10953408P 2008-10-30 2008-10-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201029750A TW201029750A (en) 2010-08-16
TWI458561B true TWI458561B (zh) 2014-11-01

Family

ID=42116257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098136293A TWI458561B (zh) 2008-10-27 2009-10-27 用於輸送可聚合材料至基板之壓印微影術裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20100101493A1 (zh)
TW (1) TWI458561B (zh)
WO (1) WO2010062328A2 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5489887B2 (ja) * 2010-06-30 2014-05-14 富士フイルム株式会社 液体塗布装置及び液体塗布方法並びにナノインプリントシステム
JP5753749B2 (ja) * 2010-09-27 2015-07-22 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物の製造方法
JP6315963B2 (ja) * 2013-12-09 2018-04-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、及び物品の製造方法
JP6420571B2 (ja) * 2014-06-13 2018-11-07 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP2016015387A (ja) * 2014-07-01 2016-01-28 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリントシステム、および物品の製造方法
JP6429573B2 (ja) * 2014-10-03 2018-11-28 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
JP2016164961A (ja) * 2014-10-30 2016-09-08 キヤノン株式会社 液体吐出装置、ナノインプリント装置、ナノインプリント用液体収容タンク、硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、インプリント用モールドの製造方法
JP6674218B2 (ja) * 2014-12-09 2020-04-01 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
US10747106B2 (en) 2014-12-09 2020-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus
US20160288374A1 (en) * 2015-03-30 2016-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Cleaning method for liquid discharge apparatus, liquid discharge apparatus, imprint apparatus, and method of manufacturing article
JP6700794B2 (ja) * 2015-04-03 2020-05-27 キヤノン株式会社 インプリント材吐出装置
US20160288378A1 (en) * 2015-04-03 2016-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Imprint material discharging device
JP6702672B2 (ja) * 2015-09-03 2020-06-03 キヤノン株式会社 インプリント装置、物品の製造方法及び供給装置
WO2018022066A1 (en) 2016-07-28 2018-02-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Weight parameters of print agent drops
DE102016114607A1 (de) * 2016-08-05 2018-02-08 Infineon Technologies Ag Flüssigkeitsabgabesystem, -Vorrichtung und -Verfahren
US10634993B2 (en) * 2016-12-12 2020-04-28 Canon Kabushiki Kaisha Fluid droplet methodology and apparatus for imprint lithography
US10481491B2 (en) * 2016-12-12 2019-11-19 Canon Kabushiki Kaisha Fluid droplet methodology and apparatus for imprint lithography
JP6938247B2 (ja) * 2017-07-04 2021-09-22 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置および、物品製造方法
US11036130B2 (en) * 2017-10-19 2021-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Drop placement evaluation
US20190139789A1 (en) * 2017-11-06 2019-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for imprint lithography comprising a logic element configured to generate a fluid droplet pattern and a method of using such apparatus
US10739675B2 (en) * 2018-05-31 2020-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Systems and methods for detection of and compensation for malfunctioning droplet dispensing nozzles
US11402749B2 (en) 2019-06-19 2022-08-02 Canon Kabushiki Kaisha Drop pattern correction for nano-fabrication

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6290323B1 (en) * 1999-09-28 2001-09-18 Eastman Kodak Company Self-cleaning ink jet printer system with reverse fluid flow and rotating roller and method of assembling the printer system
US6645029B2 (en) * 2000-02-21 2003-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Color filter producing method and apparatus
US6832827B2 (en) * 2001-12-26 2004-12-21 Spectra, Inc. Cleaning nozzle
CN1263601C (zh) * 2002-07-24 2006-07-12 佳能株式会社 喷墨记录方法以及喷墨记录装置
US20070115507A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for compensating for malfunctioning nozzle of inkjet image forming apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6697694B2 (en) * 1998-08-26 2004-02-24 Electronic Materials, L.L.C. Apparatus and method for creating flexible circuits
JP4378950B2 (ja) * 2002-12-24 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
US20070228593A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Residual Layer Thickness Measurement and Correction
US7360851B1 (en) * 2006-02-15 2008-04-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Automated pattern recognition of imprint technology
US8001924B2 (en) * 2006-03-31 2011-08-23 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20090278880A1 (en) * 2006-06-13 2009-11-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Ink jet device for producing a biological assay substrate by releasing a plurality of substances onto the substrate, and method for monitoring the ink jet device
US8015939B2 (en) * 2006-06-30 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Imprintable medium dispenser
US20100098847A1 (en) * 2008-10-21 2010-04-22 Molecular Imprints, Inc. Drop Deposition Materials for Imprint Lithography
US8480933B2 (en) * 2008-10-22 2013-07-09 Molecular Imprints, Inc. Fluid dispense device calibration

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6290323B1 (en) * 1999-09-28 2001-09-18 Eastman Kodak Company Self-cleaning ink jet printer system with reverse fluid flow and rotating roller and method of assembling the printer system
US6645029B2 (en) * 2000-02-21 2003-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Color filter producing method and apparatus
US6832827B2 (en) * 2001-12-26 2004-12-21 Spectra, Inc. Cleaning nozzle
CN1263601C (zh) * 2002-07-24 2006-07-12 佳能株式会社 喷墨记录方法以及喷墨记录装置
US20070115507A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for compensating for malfunctioning nozzle of inkjet image forming apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010062328A3 (en) 2010-09-23
WO2010062328A2 (en) 2010-06-03
TW201029750A (en) 2010-08-16
US20100101493A1 (en) 2010-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI458561B (zh) 用於輸送可聚合材料至基板之壓印微影術裝置
US8181595B2 (en) Liquid droplet ejecting apparatus, electro-optical device, method of manufacturing the electro-optical device, and electronic apparatus
CN102717598B (zh) 喷墨喷头涂布控制方法
KR101893806B1 (ko) 도포 장치와 도포 방법
JP3757992B2 (ja) 塗布装置および塗布方法並びにカラーフィルタの製造方法および製造装置
US20100102471A1 (en) Fluid transport and dispensing
WO2008045520A2 (en) Imprint lithography apparatus and methods
TW200526329A (en) Substrate processing apparatus, slit nozzle, structure for determining degree of liquid filling in body to be filled, and structure for determining degree of air mixed in body to be filled
CN102193335B (zh) 衬底台的盖、光刻设备的衬底台、光刻设备和器件制造方法
WO2022094376A2 (en) Additive manufacturing apparatuses and methods for operating the same
JP2004209412A (ja) 液滴吐出装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP4333136B2 (ja) 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
JP4432322B2 (ja) 液滴吐出装置
JP4273755B2 (ja) 液滴吐出装置
CN110920053A (zh) 一种采用超声波雾化涂层进行连续3d打印的装置及方法
JP3982393B2 (ja) 液滴吐出装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP4273762B2 (ja) 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
JP4389449B2 (ja) 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
TW200422199A (en) Functional liquid loading device and liquid drop emission device having the same, and production method for electro-optic device, electro-optic device and electronic equipment
JP2009178694A (ja) 液状体吐出装置
TW202333961A (zh) 液體排放設備及壓印設備
JP2010000443A (ja) 液滴吐出装置の吐出不良ノズル回復方法
CN116409062A (zh) 喷墨头清洁装置、基板处理系统和喷墨头清洁方法
JP2004113958A (ja) 高分子膜形成装置
JP2011036776A (ja) 液状体吐出装置、ヘッド保守装置の保守方法、及びヘッド保守装置