TWI452934B

TWI452934B - Lighting device

Info

Publication number: TWI452934B
Application number: TW100134990A
Authority: TW
Inventors: Mitsuhiro Kadota; Hiroyuki Shoji; Atsushi Hatakeyama; Takanobu Mimura
Original assignee: Hitachi Appliances Inc
Priority date: 2010-10-05
Filing date: 2011-09-28
Publication date: 2014-09-11
Also published as: TW201233246A; CN102448229A; JP2012079602A; JP5593189B2

Description

點燈裝置

本發明關於藉由交流電源驅動的點燈裝置，特別關於發光二極體(以下稱LED)之點燈裝置。

LED為環境性較佳之光源而被注目，廣泛利用於光點照明、汽車之車內照明或頭燈、信號機、液晶顯示器之背光等製品。另外，自宅或辦公室用途之一般照明，亦由螢光燈管等習知光源開始替換為LED。

作為LED點燈裝置之一例，有由交流電源藉由整流電路產生直流電壓(以下稱為整流電壓)，藉由降壓電路對該整流電壓實施降壓而對LED供電之構成。於該裝置，僅於整流電壓高於LED負荷電壓(以下稱輸出電壓)之條件下始能對LED供電，具有裝置構成簡單，電力轉換效率高的優點。

作為此種LED點燈裝置例如有專利文獻1揭示之裝置。該裝置，係由直流電源藉由降壓截波器(chopper)對LED供電之構成，具備自激式驅動電路，其以使流入降壓截波器之開關元件的電流之峰值成為一定，而且以使降壓截波器動作於電流臨界模態的方式，設定開關元件成為ON/OFF。該裝置具有上述優點，可以控制流入LED負荷之電流(以下稱為LED電流)成為一定，開關元件之導通(turn on)損失幾乎不會產生，更能提高電力轉換效率。

[習知技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：特開2005-294063號公報

針對上述整流電路可以考慮在直流輸出側設置平滑電容器而實施整流電壓之平滑處理。此時，考慮到電源高調諧波之減低而無法大幅增大電容器之靜電容量，因此整流電壓變為隨交流電源頻率而脈動。整流電壓越低，整流電壓與輸出電壓間之差越小，降壓電路中之開關元件之開關頻率變為越低。開關頻率低於40kHz時，紅外線遙控機器有可能誤動作，因此降壓電路應將開關頻率設計成為常時成為40kHz以上。但是，因為LED負荷之構成，整流電壓與輸出電壓間之差變為極小之情況有可能發生。此情況下，藉由電路常數之調整並無法將開關頻率維持於40kHz以上。開關頻率無法維持於40kHz以上之期間越長，則可以考慮不使用降壓電路之方法。但是，該期間短之情況下，特別是該期間僅發生於交流電源的電壓降低時，就LED點燈裝置之小型化，高效率化觀點而言，較好是利用某些手段，利用降壓電路解決上述問題。

本發明目的在於提供點燈裝置，其可以迴避對於特定頻率通信的機器之不良影響(誤動作等)。

本發明特徵為，旁通手段係和LED串聯體所具備之一部分之LED呈並聯連接；當整流電壓低於設定值時，電壓降檢測電路係對旁通手段輸出旁通指令信號。

本發明特徵為，當由交流電源整流後之整流電壓接近施加於發光體(例如LED串聯體)之電壓時，係以使整流電壓不更接近施加於發光體之電壓的方式，來降低施加於發光體之電壓。

本發明特徵為具備：補助開關元件(例如功率MOSFET)，其被並聯連接於包含於LED群之一部分之LED；及電路(電壓降檢測電路)，用於檢測出整流電壓，對整流電壓和設定值(Vdc設定值)進行比較，當整流電壓大於設定值時將補助開關元件設為OFF，當整流電壓小於設定值時將補助開關元件設為ON；電壓設定值，係較施加於LED群之電壓為高。

使用圖面說明本發明之實施形態。

(第1實施例)

圖1表示本發明第1實施形態之LED點燈裝置之方塊圖。圖1之LED點燈裝置具備：交流電源100，整流電路101，用於將交流電源100之電壓轉換為直流電壓(整流電壓)；降壓電路102，其對該整流電壓實施降壓，而對LED(發光二極體)負荷103進行供電；及LED負荷103。降壓電路102係具備開關元件。LED負荷103，係至少具備1個由複數個LED串聯連接而成的LED串聯體。LED點燈裝置，係具備和LED串聯體所具備之一部分之LED呈並聯連接的旁通手段104。LED負荷103亦可將多數LED串聯體並聯連接，此情況下如後述說明。驅動電路105，用於檢測流入降壓電路102之電流或流入LED負荷103之電流，依此而驅動降壓電路102之開關元件。電壓降檢測電路106，用於檢測整流電路101之輸出、亦即整流電壓，對應於整流電壓而分別對旁通手段104輸出旁通指令信號，對驅動電路105輸出電流設定值。亦可由電壓降檢測電路106產生和電流設定值相當之信號，而輸出至驅動電路105，亦可由驅動電路105產生和電流設定值相當之信號，由電壓降檢測電路106將用於對驅動電路105指示電流設定值之設定的信號予以輸出。

電壓降檢測電路106，亦有將電流設定值設為可變之情況，其之一例為切換為值小的第1電流設定值與值大的第2電流設定值。另外，電流設定值亦可為3種以上。亦可以由驅動電路105產生複數電流設定值，由電壓降檢測電路106對驅動電路105輸出電流設定值之切換指示之信號。當整流電壓為電流設定值以上之狀態下，電壓降檢測電路106不對旁通手段104輸出旁通指令信號，而對驅動電路105輸出第1電流設定值。驅動電路105則依據該第1電流設定值來控制降壓電路102。作為控制降壓電路102之方式之一例，可使流入降壓電路102之開關元件之電流之峰值成為和第1電流設定值一致的方式，而控制開關元件之ON/OFF之方式。在整流電壓小於事先記憶之電流設定值時，電壓降檢測電路106對旁通手段104輸出旁通指令信號之同時，而對驅動電路105輸出第2電流設定值。旁通手段104係實施LED串聯體之一部分LED之旁通，結果，LED串聯體之一部分LED不點亮，僅其餘LED被點亮。驅動電路105係依據該第2電流設定值控制降壓電路102。具體之控制方式為和使用第1電流設定值時同樣。

圖2表示本發明第1實施形態之LED點燈裝置，具體表示圖1之主電路部分者。於交流電源100連接著二極體橋接部107。於二極體橋接部107之直流輸出側連接著平滑電容器108。和平滑電容器108以並聯方式連接著功率MOSFET109、電流檢測手段113以及二極體110之串聯體。和二極體110以並聯方式連接著扼流線圈111與電容器112之串聯體。和電容器112以並聯方式連接著LED負荷103。電壓降檢測電路106之電壓檢測用之輸入端，係連接於二極體橋接部107之直流輸出之正極側，電流設定用之輸出端係連接於驅動電路105，旁通指令用之輸出端係連接於MOSFET114之閘極。驅動電路105之電流檢測用之輸入端係連接於電流檢測手段113，驅動信號之輸出端係連接於功率MOSFET109之閘極。於圖2，二極體橋接部107與平滑電容器108之全波整流電路係相當於圖1之整流電路101。另外，開關元件之功率MOSFET109、二極體110、扼流線圈111、電容器112、電流檢測手段113所構成之降壓截波器，係相當於圖1之降壓電路102。亦可取代功率MOSFET109改用雙極性電晶體之其他種開關元件。於LED負荷103之一部分，並聯連接著補助開關元件之MOSFET114，該MOSFET114則相當於圖1之旁通手段104。如圖2所示，將LED負荷103之中被MOSFET114旁通之部分定義為LED群116，將未被旁通之部分定義為LED群117。將交流電源100之電壓定義為Vin，將整流電壓定義為Vdc，將整流電壓經由降壓電路102降壓後之輸出電壓定義為Vout。Vout成為施加於LED負荷103之電壓。電壓降檢測電路106係輸出MOSFET114之驅動信號作為相當於圖1之旁通指令信號的信號。藉由不驅動(設為OFF)MOSFET114而使LED群116及LED群117之全部點亮(全部點亮)。藉由驅動(設為ON)MOSFET114而使LED群116被旁通，僅使LED群117點亮(部分點亮)。例如包含於LED串聯體之LED總數為8個，則包含於被旁通之LED群116的LED之數可為4個，亦可為2個。

於圖2之點燈裝置，平滑電容器108之靜電容量僅能設為在滿足減少電源高調波範圍內之較大者。亦即，平滑電容器108之靜電容量小。因此，整流電壓未被完全平滑，而如圖3所示，於和交流電源100之頻率之同一頻率內變動，於圖3，實線之Vdc為整流電壓，虛線之Vout為輸出電壓，點線之Vin為交流電源100之電壓。如圖3所示，因為包含於LED負荷103之LED之個數等，Vdc變低時會產生Vdc與Vout之差極小之狀況。例如於圖3之(a)點，Vdc對於Vout變為極大，但於圖(b)點，Vdc與Vout之差極小。

考慮無旁通手段104或電壓降檢測電路106之習知LED點燈裝置時，圖4之(a)乃Vdc對於Vout變為極大(Vdc>>Vout)時之降壓截波器之動作波形，(b)乃Vdc變為極低、Vdc與Vout之差極小(Vdc≒Vout)時之降壓截波器之動作波形。圖4之縱軸，SW表示功率MOSFET109之ON/OFF狀態，IQ表示功率MOSFET109之電流、IL表示扼流線圈111之電流，ILED表示LED負荷103之電流。降壓截波器之控制方式可推定為控制流入功率MOSFET109之電流之峰值、而且於電流臨界模態動作之方式。但是，若為控制流入功率MOSFET109之電流之峰值之方式，則對於控制方式可以不論。另外，假設電容器112之靜電容量極大，ILED為IL之直流成份。

功率MOSFET109為ON時，電流經由功率MOSFET109、電流檢測手段113、扼流線圈111、LED負荷103與電容器112之並聯體之路徑流入降壓截波器，如圖4所示，IQ及IL隨時間而增大。於扼流線圈111被施加Vdc與Vout之差之電壓(Vdc-Vout)，因此，在Vdc-Vout成為一定之期間，IL及IQ以一定之斜率增加。IL及IQ之增加斜率，係和Vdc-Vout呈比例，和扼流線圈111之自感(self-inductance)呈反比例。於電流峰值之控制方式，係於IQ到達電流設定值之時點將功率MOSFET109設為OFF。又，雖省略詳細說明，將功率MOSFET109設為OFF之後，IQ未流入，IL呈減少。IL之減少斜率，係和Vout或扼流線圈111有關。Vout越大，IL之減少斜率變為越大，Vout越小，IL之減少斜率變為越小。另外，在圖4之(a)與(b)中，由於Vout相同，故IL之減少斜率亦為相同。作為將功率MOSFET109再度設為ON之時序之一例有，例如在將功率MOSFET109設為OFF起經過所要時間之時點將其設為ON之方式，或在檢測出IL減少至0之時點將其設為ON之方式等。

基於上述理由，Vdc降低時，Vdc-Vout變小，IL及IQ之斜率變小。此時，IQ到達IQ設定值為止之時間、亦即，功率MOSFET109之ON時間變長，功率MOSFET109之開關頻率變低。特別是，Vdc≒Vout而動作波形成為如圖4(b)時，開關頻率和該圖(a)比較變為極低。此情況下，僅調整扼流線圈111之自感難以維持開關頻率於40kHz以上。當開關頻率低於40kHz時，如上述說明，對於紅外線遙控機器帶來不良影響(誤動作)。於圖4(b)之Vdc≒Vout狀態下即使以開關頻率成為40kHz以上加以設計，如此則，於該圖(a)之Vdc>>Vout情況下開關頻率變為極高，開關損失之異常增大導致功率MOSFET109之破損。另外，遙控器所利用之紅外線載波頻率為38kHz或40kHz，但實際上於30kHz~40kHz變動。

本發明中利用補助開關元件之MOSFET114或電壓降檢測電路106來解決上述問題。電壓降檢測電路106具有相對於Vdc之Vdc設定值，當檢測出Vdc低於Vdc設定值時，將MOSFET114設為ON。如此則，LED負荷103之中LED群116之兩端成為短路狀態。此等同於LED負荷103中之LED之串聯連接數減少LED群116之個數分，Vout亦降低LED群116之個數分。ILED被旁通流入MOSFET114，因此電流未流入LED群116，LED群116暫時不點亮。Vdc設定值係較MOSFET114設為OFF而施加於LED群116及LED群117之Vout為高。當然，Vdc設定值亦較MOSFET114設為ON而減少LED群116之個數分時之Vout為高，較Vdc之峰值為低。例如Vin為100Vac時，Vdc之峰值約141V。MOSFET114設為OFF時施加於LED負荷103之Vout，亦受到LED負荷103之LED之串聯連接數影響，但約可設為75V。此時，Vdc設定值設為較施加於LED負荷103之Vout約高5~10V的約80~85V。

圖5、6表示本發明之降壓截波器之動作波形。圖5之時間軸對應於圖3，圖6之時間軸對應於圖4。圖5、6之縱軸項目，SW2表示MOSFET114之ON/OFF狀態，其以外之項目均和圖3、4同樣。圖6(a)表示Vdc高於Vdc設定值，MOSFET114設為OFF時(全部點亮)之動作波形，該圖(b)表示Vdc低於Vdc設定值，MOSFET114設為ON時(部分點亮)之動作波形。

如圖5所示，電壓降檢測電路106檢測出整流電壓之Vdc，進行Vdc與Vdc設定值之比較。當判斷Vdc低於Vdc設定值時，電壓降檢測電路106對MOSFET114輸出驅動信號，而將MOSFET114設為ON，使LED群116旁通。結果，Vout變低。當判斷Vdc低於Vdc設定值時，電壓降檢測電路106對驅動電路105輸出較第1IQ設定值大的第2IQ設定值。IQ設定值變大，因此，ILED亦變大。增大IQ設定值之理由如後述說明。但是，電壓降檢測電路106之輸出第2IQ設定值之控制動作未必為必要之構成。亦即，即使判斷Vdc低於Vdc設定值時，電壓降檢測電路106輸出第1IQ設定值亦可。另外，當判斷Vdc高於Vdc設定值時，電壓降檢測電路106不對MOSFET114輸出驅動信號，而將MOSFET114設為OFF，不實施LED群116之旁通。結果，Vout變高。當判斷Vdc高於Vdc設定值時，電壓降檢測電路106對驅動電路105輸出較第2IQ設定值小的第1IQ設定值。又，驅動電路105依據IQ設定值控制功率MOSFET109之ON/OFF之動作，係和上述圖4之說明同樣。

如圖5、6所示，將MOSFET114設為ON，而Vdc處於低之狀況時，Vdc≒Vout亦不成立，而可以維持Vdc>>Vout。因此，和圖6(a)所示Vdc高時比較，如圖6(b)表示，Vdc低時之開關頻率雖較低，但不會如圖4(b)所示變為極低。結果，約僅藉由扼流線圈111之自感調整，即使Vdc降低之情況下，亦可維持開關頻率於40kHz以上。

欲控制電流之峰值成為一定、亦即控制ILED成為一定時，於上述要領下Vdc低時降低Vout，則輸出電力、換言之，LED負荷103之光輸出會減少。Vdc低於Vdc設定值時(部分點亮時)，如圖5或6(b)所示，將MOSFET114設為ON之同時，對應於暫時不點亮之LED群116之LED之個數而增大IQ設定值為較好。如此則，Vout降低時ILED亦會增大，可維持輸出電力及光輸出。例如LED負荷103之LED之總數為25個，暫時不點亮之LED群116之LED之個數為5個時，將第2IQ設定值設為第1IQ設定值之5/4倍而可維持輸出電力及光輸出。但是，相較於Vdc低於Vdc設定值之期間，Vdc高於Vdc設定值之期間乃極長，因此，LED負荷103部分點亮之期間(LED群116暫時不點亮之期間)，係較LED負荷103全部點亮之期間短。因此，LED負荷103部分點亮時即使不增大ILED，亦不會對LED負荷103之光輸出有太大影響。因此，LED負荷103部分點亮時可以不提高IQ設定值，即使提高亦無須提高至完全補足不點亮之LED群116之光輸出之程度。

說明LED負荷之構成及旁通手段之連接形態之另一例。首先，如圖7所示，不論旁通手段對於LED串聯體之連接位置。如圖2所示，可為LED串聯體之端部，或如圖7所示為LED串聯體之中間部。或如圖8之LED負荷115所示，將2個以上LED串聯體並聯連接時，對於各個LED串聯體連接旁通手段104及旁通手段118即可。LED被並聯連接時，通常插入使LED電流平衡之電路，於圖8則省略。

旁通手段104之另一例，除MOSFET以外可為電晶體等其他補助開關元件，亦可使用繼電器(relay)等機械式補助開關元件。

說明旁通手段104之安裝。上述說明之LED點燈裝置為電子電路，LED點燈裝置之各元件被安裝於電路基板上。但是，LED負荷103則安裝於和電路基板不同之基板(以下稱LED基板)，電路基板與LED基板則藉由排線等予以電連接。旁通手段104通常安裝於電路基板上，亦可如圖12所示安裝於LED基板上。於圖12，係於LED基板300上，安裝著表面安裝型之LED模組301~304及旁通手段104之表面安裝型之補助開關元件305。LED基板300具有3個電極306~308，於電極306被輸入降壓電路之輸出之正極側，於電極307被輸入降壓電路之輸出之負極側，於電極308被輸入旁通指令信號之補助開關元件305之驅動信號。點線之內側為LED基板300之配線圖案。於圖12，被串聯連接之LED模組301~304之中，LED模組304係由補助開關元件實施旁通。又，LED模組之內部構成則不論LED之個數或連接形態。

如圖13所示，LED模組可以內建複數個LED以及旁通手段。於圖13，係於LED模組315內建LED309~312以及旁通手段313。於電極314被輸入旁通指令信號。點線為LED模組315內之配線。於圖13，串聯連接之LED309~312之中，LED311及312係由旁通手段313實施旁通。上述說明之旁通手段之安裝可適用於本發明全部實施形態。

依據第1實施例，Vdc變動而導致Vdc接近Vout時，例如減少點亮之LED個數來降低Vout，以使Vdc與Vout不超出上述接近範圍的方式，使IQ到達IQ設定值之時間不會變長的方式予以設定，如此則，即使Vdc降低時亦可維持降壓電路之開關頻率成為特定頻率以上，可以迴避對於以特定頻率通信之機器之不良影響(誤動作等)。例如維持開關頻率成為40kHz以上，可以迴避對於紅外線通信之機器之不良影響(誤動作等)。

本發明之LED點燈裝置，適用於照明器具或液晶顯示裝置之背光。另外，本發明之LED點燈裝置亦適用於LED以外之發光體、例如EL元件。

(第2實施例)

以下說明本發明第2實施形態，省略和第1實施形態同樣之點之說明。

本發明第2實施形態，如圖9所示，1個LED串聯體連接著複數旁通手段(104、204、205)。亦可存在未被旁通手段旁通之LED、亦即，不受旁通指令信號影響而經常流通LED電流的LED。圖10為本發明第2實施形態之LED點燈裝置。於LED負荷103之一部分連接著2個補助開關元件之MOSFET114及MOSFET214，彼等相當於圖9之旁通手段。如圖10所示，LED負荷103之中被MOSFET114或MOSFET214旁通之部分，分別被定義為LED群116或LED群216。

圖11表示本發明第2實施形態之動作波形，時間軸對應於圖3或圖5。於圖11之縱軸項目，SW3為MOSFET214之ON/OFF狀態，其他項目則和圖5相同。如圖11所示，在每一次檢測出Vdc低於Vdc設定值時，電壓降檢測電路106依序將MOSFET114及MOSFET214設為ON。不論那一MOSFET先設為ON，Vout均會下降，因此，即使Vdc下降之情況下乃可維持Vdc>>Vout之關係，可獲得和第1實施形態同樣效果。

於圖2之第1實施形態，於Vdc下降之每一次僅設定LED群116成為不點亮，不含於LED群116之LED則不受Vdc影響而經常點亮。因此，LED負荷之中不含於LED群116之LED之壽命，變為短於其他LED。於第2實施形態，各LED之不點亮頻率更為均勻，因此LED負荷之中LED之壽命之變動不容易發生。

(發明效果)

依據本發明，旁通手段係和LED串聯體所具備之一部分之LED呈並聯連接；當整流電壓低於設定值時，電壓降檢測電路係對旁通手段輸出旁通指令信號，如此則，即使整流電壓降低時亦可維持降壓電路之開關頻率成為特定頻率以上，可以迴避對於以特定頻率通信之機器之不良影響(誤動作等)。例如維持開關頻率成為40kHz以上，可以迴避對於紅外線通信之機器之不良影響(誤動作等)。

依據本發明，當由交流電源整流後之整流電壓接近施加於發光體之電壓時，以使整流電壓不更為接近施加於發光體之電壓的方式，降低施加於發光體之電壓，如此則，即使整流電壓降低時亦可維持降壓電路之開關頻率成為特定頻率以上，可以迴避對於以特定頻率通信之機器之不良影響(誤動作等)。

依據本發明，因為具備：補助開關元件，其被並聯連接於包含於LED群之一部分之LED；及電路，用於檢測出整流電壓，對整流電壓和設定值進行比較，當整流電壓大於設定值時將補助開關元件設為OFF，當整流電壓小於設定值時將補助開關元件設為ON；電壓設定值，係較施加於LED群之電壓為高，如此則，即使整流電壓降低時亦可維持降壓電路之開關頻率成為特定頻率以上，可以迴避對於以特定頻率通信之機器之不良影響(誤動作等)。

100‧‧‧交流電源

101‧‧‧整流電路

102‧‧‧降壓電路

103、115‧‧‧LED負荷

104、118、204、205、313‧‧‧旁通手段

105‧‧‧驅動電路

106‧‧‧電壓降檢測電路

107‧‧‧二極體橋接部

108、112‧‧‧電容器

109‧‧‧功率MOSFET

110‧‧‧二極體

111‧‧‧扼流線圈

113‧‧‧電流檢測手段

114、214‧‧‧MOSFET

116、117、216‧‧‧LED群

300‧‧‧LED基板

301、302~304、315‧‧‧LED模組

305‧‧‧補助開關元件

306、307、308、314‧‧‧電極

309、310~312‧‧‧LED

圖1表示本發明第1實施形態之LED點燈裝置之方塊圖。

圖2表示本發明第1實施形態之LED點燈裝置。

圖3表示習知LED點燈裝置之動作波形。

圖4表示習知LED點燈裝置之動作波形。

圖5表示本發明第1實施形態之LED點燈裝置之動作波形。

圖6表示本發明第1實施形態之LED點燈裝置之動作波形。

圖7表示本發明第1實施形態之LED負荷及旁通手段。

圖8表示本發明第1實施形態之LED負荷及旁通手段。

圖9表示本發明第2實施形態之LED負荷及旁通手段。

圖10為本發明第2實施形態之LED點燈裝置。

圖11表示本發明第2實施形態之LED點燈裝置之動作波形。

圖12表示本發明之旁通手段之實施形態。

圖13表示本發明之旁通手段之實施形態。

100‧‧‧交流電源

101‧‧‧整流電路

102‧‧‧降壓電路

103‧‧‧LED負荷

104‧‧‧旁通手段

105‧‧‧驅動電路

106‧‧‧電壓降檢測電路

Claims

一種點燈裝置，其特徵為具備：整流電路，用於將交流電源之電壓轉換為直流電壓；降壓電路，其對上述整流電路之輸出之整流電壓實施降壓，而對發光二極體負荷(以下稱為LED負荷)進行供電；驅動電路，用於驅動上述降壓電路所具備之開關元件；電壓降檢測電路，用於檢測上述整流電壓之壓降；及至少1個旁通手段，其藉由上述電壓降檢測電路之輸出而被操作；上述LED負荷，係至少具備1個由複數個LED串聯連接而成的LED串聯體；上述旁通手段，係和上述LED串聯體所具備之一部分之LED呈並聯連接；上述電壓降檢測電路，在上述整流電壓低於設定值時，係對上述旁通手段輸出旁通指令信號。
如申請專利範圍第1項之點燈裝置，其中上述旁通手段具備補助開關元件，該補助開關元件係和上述LED串聯體所具備之一部分之LED呈並聯連接；上述電壓降檢測電路，在上述整流電壓低於設定值時，係以上述補助開關元件之驅動信號作為上述旁通指令信號予以輸出。
如申請專利範圍第1項之點燈裝置，其中針對上述LED串聯體之1個單元，連接著2個以上之上述旁通手段；上述電壓降檢測電路，每當檢測出上述整流電壓低於設定值時，係對上述2個以上之旁通手段依序輸出旁通指令信號。
如申請專利範圍第1~3項中任一項之點燈裝置，其中上述驅動電路，係檢測流入上述降壓電路之電流，控制上述電流使成為對應於電流設定值，依此而驅動上述開關元件；上述電壓降檢測電路，在上述整流電壓低於設定值時，係增大上述電流設定值。
如申請專利範圍第1~3項中任一項之點燈裝置，其中上述整流電路，係具備二極體橋接部及平滑電容器；上述降壓電路，係具備：二極體、相當於上述開關元件的功率MOSFET、扼流線圈、電容器及電流檢測手段；上述驅動電路，係檢測流入上述功率MOSFET之電流，當上述功率MOSFET設為ON(導通)時，在流入上述功率MOSFET之電流達到電流設定值之時點，將上述功率MOSFET設為OFF(非導通)。
一種點燈裝置，係進行交流電源之整流、降壓而供給至發光體之同時，控制供給至上述發光體之電流者；其特徵為：當由上述交流電源整流後之整流電壓接近施加於上述發光體之電壓時，以使上述整流電壓不更為接近上述施加於發光體之電壓的方式，而降低施加於上述發光體之電壓。
如申請專利範圍第6項之點燈裝置，其中藉由旁通上述發光體之一部分，而降低施加於上述發光體之電壓。
如申請專利範圍第6項之點燈裝置，其中當上述整流電壓小於電壓設定值時，該電壓設定值係被設為高於施加於上述發光體之電壓者，上述整流電壓係接近施加於上述發光體之電壓。
一種點燈裝置，係具備：交流電源；連接於上述交流電源的二極體橋接部；並聯連接於上述二極體橋接部的第1電容器；第1開關元件、電流檢測手段、與二極體之串聯體，其被並聯連接於上述第1電容器；扼流線圈與第2電容器之串聯體，其被並聯連接於上述二極體；並聯連接於上述第2電容器的LED群；及驅動電路，用於檢測上述第1開關元件之電流或上述線圈之電流，針對上述第1開關元件之電流或上述線圈之電流和電流設定值進行比較而驅動上述第1開關元件；其特徵為：具備：第2開關元件，其被並聯連接於包含於上述LED群之一部分之LED；及電路，其檢測出上述第1電容器之電壓，對上述第1電容器之電壓和電壓設定值進行比較，當上述第1電容器之電壓大於上述電壓設定值時係將上述第2開關元件設為OFF，當上述第1電容器之電壓小於上述電壓設定值時係將上述第2開關元件設為ON；上述電壓設定值，係較施加於上述LED群之電壓為高。