CN102448229A

CN102448229A - 点灯装置

Info

Publication number: CN102448229A
Application number: CN2011103061234A
Authority: CN
Inventors: 门田充弘; 庄司浩幸; 畠山笃史; 三村隆宣
Original assignee: Hitachi Appliances Inc
Current assignee: Hitachi Appliances Inc
Priority date: 2010-10-05
Filing date: 2011-09-30
Publication date: 2012-05-09
Also published as: JP2012079602A; JP5593189B2; TWI452934B; TW201233246A

Abstract

本发明提供一种点灯装置。即使在整流电压降低时仍然将降压电路的开关频率维持在40kHz以上，避免对于红外线遥控设备的不良影响。点灯装置具有：把交流电源的电压变换为电压的整流电路；使作为整流电路的输出的整流电压降压后提供给LED负荷的降压电路；驱动降压电路具有的开关元件的驱动电路；检测整流电压降低的电压降低检测电路；和通过上述电压降低检测电路的输出操作的至少一个旁路单元，LED负荷至少具有一个串联连接了多个LED的LED串联体，旁路单元与LED串联体具有的一部分LED并联连接，电压降低检测电路在整流电压比设定值低时，向旁路单元输出旁路指令信号。

Description

点灯装置

技术领域

本发明涉及通过交流电源驱动的点灯装置，特别涉及发光二极管(以下记为LED)的点灯装置。

背景技术

LED作为环境性优良的光源受到关注。在聚光照明、汽车车内照明或者前灯、信号机、液晶显示器的背光等广泛的产品中使用。另外，在面向住宅或者办公室的一般照明中，开始从荧光灯等现有的光源替换为LED。

作为LED点灯装置的一例，具有从交流电压通过整流电路生成直流电压(以下记为整流电压)，通过降压电路使该整流电压降压然后向LED供电的结构。在该装置中，虽然仅在整流电压比LED负荷的电压(以下记为输出电压)高的条件下才能给LED供电，但是具有装置的结构简单，此外电力转换效率高的优点。

作为这样的LED点灯装置，例如有专利文献1记载的装置。该装置是从直流电源经由降压斩波器给LED供电的结构，具有使开关元件导通、关断的自励式驱动电路，使降压斩波器的开关元件中流过的电流的峰值恒定，而且降压斩波器以电流临界方式工作。在该装置中，具有上述的优点，而且因为能够把流过LED负荷的电流(以下记为LED电流)控制为恒定，并且几乎不发生开关元件的导通损失，所以能够进一步提高电力转换的效率。

专利文献1：日本特开2005-294063号公报

关于上述的整流电路，考虑在直流输出侧设置滤波用电容器对整流电压进行滤波的结构。此时，当考虑减低电源高次谐波时，因为不能增大电容器的静电容量，所以整流电压以交流电源的频率脉动。整流电压越低，整流电压和输出电压的差越小，降压电路中的开关元件的开关频率降低。当开关频率低于40kHz时，有红外线遥控器误动作的可能性，所以应该将降压电路的开关频率设计为始终在40kHz以上。但是，由于LED负荷的结构，产生整流电压和输出电压的差极小的状况，此时，无法通过电路常数的调整的程度，把开关频率维持在40kHz以上。如果无法把开关频率维持在40kHz以上的期间长，则应该考虑不使用降压电路的方法。但是在该期间短时，特别在仅在交流电源的电压降低时发生该期间的情况下，从LED点灯装置的小型化、高效化的观点出发，希望通过某种措施解决上述问题，利用降压电路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种避免对按照规定的频率进行通信的设备产生不良影响(误动作等)的点灯装置。

本发明的特征在于，旁路单元与LED串联体具有的一部分LED并联连接，电压降低检测电路在整流电压比设定值低时，向旁路单元输出旁路指令信号。

本发明的特征在于，在从交流电源整流后的整流电压接近对发光体(例如LED串联体)施加的电压时，降低对发光体施加的电压，使整流电压不进一步接近对发光体施加的电压。

本发明的特征在于，具有与LED组中包含的一部分LED并联连接的辅助开关元件(例如，MOSFET、)；以及检测整流电压，将整流电压与设定值(Vdc设定值)进行比较，在整流电压比设定值大时关断辅助开关元件，在整流电压比设定值小时接通辅助开关元件的电路(电压降低检测电路)，电压设定值高于对LED组施加的电压。

根据本发明，旁路单元与LED串联体具有的一部分LED并联连接，电压降低检测电路在整流电压比设定值低时，向旁路单元输出旁路指令信号，由此即使在整流电压降低时，也能够把降压电路的开关频率维持在规定的频率以上，能够避免对按照规定的频率进行通信的设备造成不良影响(误动作等)。例如，如果能够把开关频率维持在40kHz以上，则能够避免对于红外线通信设备的不良影响(误动作等)。

另外，根据本发明，在从交流电源整流后的整流电压接近对发光体施加的电压时，降低对发光体施加的电压，以使整流电压不进一步接近对发光体施加的电压，由此即使在整流电压降低时也能够把降压电路的开关频率维持在规定的频率以上，能够避免对按照规定的频率进行通信的设备造成不良影响(误动作等)。

另外，根据本发明，具有与LED组中包含的一部分的LED并联连接的辅助开关元件，和检测整流电压，比较整流电压与设定值，在整流电压比设定值大时关断辅助开关元件，在整流电压比设定值小时接通辅助开关元件的电路，电压设定值比对LED组施加的电压高，由此即使在整流电压降低时也能够把降压电路中的开关元件的开关频率维持在规定的频率以上，能够避免对按照规定的频率进行通信的设备造成不良影响(误动作等)。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的LED点灯装置的框图。

图2是本发明的第一实施方式的LED点灯装置。

图3是现有的LED点灯装置的动作波形。

图4是现有的LED点灯装置的动作波形。

图5是本发明的第一实施方式的LED点灯装置的动作波形。

图6是本发明的第一实施方式的LED点灯装置的动作波形。

图7是本发明的第一实施方式的LED负荷和旁路单元。

图8是本发明的第一实施方式的LED负荷和旁路单元。

图9是本发明的第二实施方式的LED负荷和旁路单元。

图10是本发明的第二实施方式中的LED点灯装置。

图11是本发明的第二实施方式的LED点灯装置的动作波形。

图12是本发明的旁路单元的安装形式。

图13是本发明的旁路单元的安装形式。

符号说明

100 交流电源

101 整流电路

102 降压电路

103、115 LED负荷

104、118、204、205、313 旁路单元

105 驱动电路

106 电压降低检测电路

107 二极管桥

108、112 电容器

109 功率MOSFET

110 二极管

111 扼流圈

113 电流检测单元

114、214 MOSFET

116、117、216 LED组

300 LED基板

301、302～304、315 LED模块

305 辅助开关元件

306、307、308、314 电极

309、310～312 LED

具体实施方式

使用附图说明本发明的实施方式。

[实施例1]

图1是本发明的第一实施方式的LED点灯装置的框图。图1的LED点灯装置具有交流电源100、把交流电源100的电压变换为直流电压(整流电压)的整流电路101、使该整流电压降压然后提供给LED(发光二极管)负荷103的降压电路102、LED负荷103。降压电路102具有开关元件。LED负荷103至少具有一个串联连接了多个LED的LED串联体。LED点灯装置具有与LED串联体具有的一部分LED并联连接的旁路单元104。LED负荷103也可以并联连接多个LED串联体，关于这种情况后述。驱动电路105检测在降压电路102中流过的电流或者流过LED负荷103的电流，根据该电流驱动降压电路102的开关元件。电压降低检测电路106检测作为整流电路101的输出的整流电压，根据整流电压，向旁路单元104输出旁路指令信号，向驱动电路105输出电流设定值。可以由电压降低检测电路106生成与电流设定值相当的信号，输出给驱动电路105，或者也可以由驱动电路105生成与电流设定值相当的信号，电压降低检测电路106向驱动电路105输出指示电流设定值的设定的信号。

电压降低检测电路106有时改变电流设定值，作为一个例子，具有切换值小的第一电流设定值和值大的第二电流设定值的情况。此外，电流设定值也可以有三种以上。也可以由驱动电路105生成多个电流设定值，电压降低检测电路106向驱动电路105输出指示切换电流设定值的信号。在整流电压在电压设定值以上的状态下，电压降低检测电路106不向旁路单元104输出旁路指令信号，而向驱动电路105输出第一电流设定值。驱动电路105根据该第一电流设定值控制降压电路102。作为控制降压电路102的方式的一例，具有控制开关元件的导通/关断，使在降压电路102的开关元件中流过的电流的峰值与第一电流设定值一致的方式。另一方面，电压降低检测电路106，在整流电压变得比预先存储的电压设定值小的情况下，向旁路单元104输出旁路指令信号，并且向驱动电路105输出第二电流设定值。旁路单元104将LED串联体的一部分LED旁路，结果，不使LED串联体的一部分LED点亮，仅点亮剩余的LED。驱动电路105根据该第二电流设定值控制降压电路102。具体的控制方式与使用第一电流设定值时相同。

图2是本发明的第一实施方式的LED点灯装置，具体表示了图1的主电路部分。在交流电源100上连接二极管桥107。在二极管桥107的直流输出侧连接滤波用电容器108。与滤波用电容器108并联连接功率MOSFET 109、电流检测单元113以及二极管110的串联体。与二极管110并联连接扼流圈111和电容器112的串联体。与电容器112并联连接LED负荷103。电压降低检测电路106的电压检测用输入端，与二极管桥107的直流输出的正极侧连接，电流设定用输出端与驱动电路105连接，旁路指令用输出端与MOSFET 114的栅极连接。驱动电路105的电流检测用输入端与电流检测单元113连接，驱动信号的输出端与功率MOSFET 109的栅极连接。在图2中，二极管桥107和滤波用电容器108组成的全波整流电路相当于图1的整流电路101。另外，通过作为开关元件的功率MOSFET 109、二极管110、扼流圈111、电容器112、电流检测单元113构成的降压斩波器相当于图1的降压电路102。可以代替功率MOSFET 109，使用双极晶体管这样的其他种类的开关元件。在LED负荷103的一部分上，并联连接作为辅助开关元件的MOSFET 114，该MOSFET 114相当于图1的旁路单元104。如图2所示，把LED负荷103中通过MOSFET 114旁路的部分定义为LED组116，把没有被旁路的部分定义为LED组117。另外把交流电源100的电压定义为Vin，把整流电压定义为Vdc，把用降压电路102对整流电压降压后的输出电压定义为Vout。Vout成为对LED负荷103施加的电压。电压降低检测电路106输出MOSFET 114的驱动信号，来作为相当于图1的旁路指令信号的信号。通过不驱动(关断)MOSFET 114，LED组116以及LED组117全部点亮(全点亮)。通过驱动(导通)MOSFET 114，LED组116被旁路，仅LED组117点亮(部分点亮)。例如，如果LED串联体包含的LED的总数是8个，则被旁路的LED组116包含的LED的数量可以是4个，也可以是两个。

在图2的LED点亮装置中，滤波用电容器108的静电容量仅在满足减低电源高次谐波的范围内可以设定得大。即电容器108的静电容量小。因此，整流电压没有被完全整流。如图3所示，按照与交流电源100的频率相同的频率变动。在图3中，实线的Vdc是整流电压、虚线的Vout是输出电压，点线的Vin是交流电源100的电压。如图3所示，根据LED负荷103中包含的LED的个数等，在Vdc降低时能够发生Vdc和Vout的差变成极小的情况。例如，在图3的(a)点，Vdc对于Vout足够大，但是在(b)点，Vdc和Vout的差极小。

在此，考虑没有旁路单元104和电压降低检测电路106，即现有的LED点灯装置。图4的(a)是Vdc比Vout足够高(Vdc＞＞Vout)时的降压斩波器的动作波形，(b)是Vdc降低Vdc和Vout的差极小(Vdc≈Vout)时的降压斩波器的动作波形。作为图4的纵轴项目，SW是功率MOSFET 109的导通/关断状态，IQ是功率MOSFET 109的电流，IL是扼流圈111的电流，ILED是LED负荷103的电流。此外，作为降压斩波器的控制方式，设想控制在功率MOSFET 109中流过的电流的峰值，而且以电流临界方式进行动作的方式。但是，如果是控制功率MOSFET 109的电流的峰值的方式，则不问控制方式。另外，假定电容器112的静电容量足够大，ILED为IL的直流成分。

在功率MOSFET 109导通时，在降压斩波器中，经过功率MOSFET 109、电流检测单元113、扼流圈111、LED负荷103和电容器112的并联体的路径流过电流，如图4所示IQ以及IL随时间一同增大。因为对扼流圈111施加Vdc和Vout的差的电压(Vdc-Vout)，所以在视为Vdc-Vout恒定的期间，IL以及IQ按照一定的斜率增大。IL以及IQ增加的斜率与Vdc-Vout成比例，与扼流圈111的自感成反比。在控制电流的峰值的方式中，在IQ达到电流设定值的时刻，使功率MOSFET 109关断。此外，关于详情省略，但是在功率MOSFET 109关断后，不流过IQ，IL减小。IL减小的斜率，依存于Vout或者扼流圈111的自感。Vout越大，IL减小的斜率越大，Vout越小，IL减小的斜率越小。作为使功率MOSFET 109再次导通的定时的一例，具有从功率MOSFET 109关断开始经过了希望的时间的时刻使其导通的方式，或者在检测到IL减小到零的时刻使其导通的方式。

基于上述理由，当Vdc降低时，Vdc-Vout变小，所以IL以及IQ的斜率变小。此时，因为IQ达到IQ设定值的时间，即功率MOSFET 109的导通时间变长，所以功率MOSFET 109的开关频率降低。特别在成为Vdc≈Vout，动作波形成为图4(d)时，开关频率与该图(a)的情况相比变得极低。此时，仅调整扼流圈111的自感，难于把开关频率维持在40kHz以上。当开关频率低于40kHz时如上所述，对于红外线遥控设备产生不良影响(误动作)。在图4(b)的Vdc≈Vout的状态下，即使设计使开关频率在40kHz以上，此次在该图(a)的Vdc＞＞Vout的情况下，开关频率变得极高，由于开关损失的异常增大，能够损坏功率MOSFET 109。此外，在遥控器中使用的红外线的载波频率是38kHz或者40kHz，但是实际具有30kHz到40kHz的波动。

在本发明中，利用辅助开关元件的MOSFET 114和电压降低检测电路106解决上述问题。电压降低检测电路106对于Vdc具有Vdc设定值，当检测到Vdc低于Vdc设定值时，使MOSFET 114导通。由此，LED负荷103中LED组116的两端成为短路状态。这等价于LED负荷103中的LED的串联数减小了LED组116的量，Vout也降低LED组116量。此外，因为ILED在MOSFET114中旁路流过，所以在LED组116不流过电流，LED组116暂时熄灭、Vdc设定值高于使MOSFET 114关断对LED组116以及LED组117施加的Vout高。当然，Vdc设定值高于通过导通MOSFET 114减少了LED组116的量时的Vout，低于Vdc的峰值。例如，在Vin是100Vac时，Vdc的峰值是141V左右。在MOSFET114关断时对LED组103施加的Vout取决于LED负荷103中的LED的串联数，但是例如设为75V左右。此时，设Vdc设定值为比对LED负荷103施加的Vout高5～10V的80～85V左右。

图5和图6表示本发明的降压斩波器的动作波形。图5的时间轴与图3对应，图6的时间轴与图4对应。作为图5和图6的纵轴项目，SW2是MOSFET114的导通/关断状态，这以外的项目与图3或者图4相同。图6(a)是Vdc比Vdc设定值高，MOSFET114关断时(全点亮)的动作波形，图6(b)是Vdc比Vdc设定值低，MOSFET 114导通时(部分点亮)的动作波形。

如图5所示，电压降低检测电路106检测作为整流电压的Vdc，比较Vdc和Vdc设定值。电压降低检测电路106，在判定为Vdc比Vdc设定值低时，向MOSFET 114输出驱动信号，MOSFET 114导通，旁路LED组116。结果，Vout降低。电压降低检测电路106，在判定为Vdc比Vdc设定值低时，向驱动电路105输出比第一IQ设定值大的第二IQ设定值。因为IQ设定值变大，所以ILED也变大。关于这样增大IQ设定值的理由后述。电压降低检测电路106输出第二IQ设定值的结构不是必须的。即，电压降低检测电路106即使在判定为Vdc比Vdc设定值低的情况下，也可以输出第一IQ设定值。另一方面，电压降低检测电路106，在判定为Vdc比Vdc设定值高的情况下，不向MOSFET114输出驱动信号，关断MOSFET 114，不旁路LED组116。结果，Vout变高。电压降低检测电路106，在判定为Vdc比Vdc设定值高的情况下，向驱动电路105输出比第二IQ设定值小的第一IQ设定值。此外，关于驱动电路105根据IQ设定值控制功率MOSFET 109的导通/关断的动作和已经说明的图4的情况相同。

如图5或者图6所示，通过使MOSFET114导通，即使在Vdc低的状况下也不会成为Vdc≈Vout，而是能够维持Vdc＞＞Vout，因此，如图6(b)所示，Vdc低时的开关频率，虽然与图6(a)的Vdc高时相比变低，但是不会像图4(b)那样极端低。结果，以调整扼流圈111的自感的程度，即使Vdc降低也能够维持开关频率在40kHz以上。

在恒定地控制电流的峰值，即恒定地控制ILED时，在上述要领中当Vdc低时使Vout降低时，输出电力进而LED负荷103的光输出减小。因此，在Vdc比Vdc设定值低时(部分点亮时)，如图5或图6(b)所示，在使MOSFET114导通的同时，根据暂时熄灭的LED组116的LED的个数增大IQ设定值是理想的。由此，即使Vout降低因为ILED增大，所以能够维持输出电力以及光输出。例如LED负荷103的LED的总数是25个，暂时熄灭的LED组116的LED的个数是5个的情况下，如果使第二IQ设定值为第一IQ设定值的5/4倍，则能够维持输出电力以及光输出。但是，Vdc高于Vdc设定值的期间比Vdc低于Vdc设定值的期间足够长，所以LED负荷103部分点亮的期间(LED组116暂时熄灭的期间)比LED负荷103全点亮的期间短。因此，在LED负荷103部分点亮时即使提高ILED，也不会对LED负荷103的光输出造成太大影响。由此，在LED负荷103部分点亮时可以不提高IQ设定值，或者即使提高也不需要提高到完全补偿LED组116的光输出的程度。

说明与LED负荷的结构以及旁路单元的连接方式有关的其他的例子。首先，如图7所示，与针对LED串联体连接旁路单元的位置无关。可以如图2所示是LED串联体的端部，也可以如图7所示是LED串联体的中间部。然后，如图8的LED负荷115那样，在并联连接两个以上的LED串联体时，只要对于各个LED串联体连接旁路单元104和旁路单元118即可。此外，在并联连接LED的情况下，一般插入用于使LED电流平衡的电路，但是在图8中省略。

作为旁路单元104的另外的例子，除了MOSFET以外，还可以使用晶体管等其他类型的辅助开关元件。另外，也可以像继电器那样使用机械式的辅助开关。

说明旁路单元104的安装。以上说明的LED点灯装置是电子电路，LED点灯装置的各部件安装在电路基板上。但是，关于LED负荷103，安装在与电路基板不同的基板(以下称为LED基板)上，电路基板和LED基板用电缆等电气连接。一般把旁路单元104安装在电路基板上，但是也可以如图12那样安装在LED基板上。在图12中，在LED基板300上，安装了表面安装的LED模块301～304和作为旁路单元104的表面安装的辅助开关元件305。在LED基板300上有3个电极306～308，在电极306输入降压电路的输出的正极侧，在电极307输入降压电路的输出的负极侧，在电极308输入作为旁路指令信号的辅助开关元件305的驱动信号。点线的内侧是LED基板300的配线图形。在图12中，在串联连接的LED模块301～304中，LED模块304通过辅助开关元件被旁路。此外，作为LED模块的内部结构，与LED的个数和连接方式无关。

如图13所示，LED模块也可以一同内置多个LED和旁路单元。在图13中，在LED模块315内内置LED309～312和旁路单元313。在电极314输入旁路指令信号。点线是LED模块315内的配线。在图13中，在串联连接的LED309～312中，LED311和312通过辅助开关元件305被旁路。以上说明的旁路单元的安装，可以对于本发明的全部实施方式应用。

根据实施例1，在Vdc脉动，Vdc接近Vout时，例如减少点亮的LED的数量降低Vout，不使Vdc进一步接近Vout，不使IQ到达IQ设定值的时间变长，由此即使在Vdc降低时也能够把降压电路的开关频率维持在规定的频率以上，能够避免对按照规定的频率进行通信的设备造成不良影响(误动作等)。例如，如果能够把开关频率维持在40kHz以上，则能够避免对于红外线通信设备的不良影响(误动作等)。

本发明的LED点灯装置能够应用于照明器具或者液晶显示装置的背光。另外，本发明的LED点灯装置也可以应用于LED以外的发光体，例如可以用于EL元件。

[实施例2]

以下说明本发明的第二实施方式，但是省略与第一实施方式相同的点。

在本发明的第二实施方式中，如图9所示，对于一个串联体连接多个旁路单元(104、204、205)。此外，也可以具有不通过旁路单元旁路的LED，即不依赖于旁路指令信号，LED电流始终流过的LED。图10是本发明的第二实施方式的LED点灯装置。对于LED负荷103的一部分，连接作为两个辅助开关元件的MOSFET 114和MOSFET 214，它们相当于图9的旁路单元。如图10那样，把LED负荷103中通过MOSFET114或MOSFET 214旁路的部分分别定义为LED组116或LED组216。

图11是本发明的第二实施方式的动作波形，时间轴与图3和图5对应。关于图11的纵轴项目，SW3是MOSFET 214的导通/关断状态，这以外的项目和图5相同。如图11所示，电压降低检测电路106在每次检测到Vdc低于Vdc设定值时，依次使MOSFET 114和MOSFET 214导通。因为无论先使哪个MOSFET导通Vout都会降低，所以即使Vdc降低也能够维持Vdc＞＞Vout的关系，能够得到和第一实施方式相同的效果。

在图2的第一实施方式中，每次Vdc降低时仅LED组116熄灭，不包含在LED组116中的LED不依赖于Vdc始终点亮。因此，LED负荷中不包含在LED组116中的LED的寿命比其他的LED短。在第二实施方式中，因为各LED的熄灭的频度更为均匀，所以在LED负荷中难以在LED的寿命方面产生差异。

Claims

1.一种点灯装置，具有：把交流电源的电压变换为直流电压的整流电路；对上述整流电路的输出即整流电压进行降压然后提供给LED负荷的降压电路；驱动上述降压电路具有的开关元件的驱动电路；检测上述整流电压降低的电压降低检测电路；以及通过上述电压降低检测电路的输出操作的至少一个旁路单元，上述点灯装置的特征在于，

上述LED负荷至少具有一个将多个LED串联连接的LED串联体，

上述旁路单元与上述LED串联体具有的一部分LED并联连接，

上述电压降低检测电路在上述整流电压比设定值低时，向上述旁路单元输出旁路指令信号。

2.根据权利要求1所述的点灯装置，其特征在于，

上述旁路单元具有与上述LED串联体具有的一部分LED并联连接的辅助开关元件，

上述电压降低检测电路在上述整流电压比设定值低时，作为上述旁路指令信号输出上述辅助开关元件的驱动信号。

3.根据权利要求1所述的点灯装置，其特征在于，

在上述LED串联体的每一个上连接两个以上的上述旁路单元，

上述电压降低检测电路，在每次检测到上述整流电压比设定值低时，对上述两个以上的旁路单元依次输出旁路指令信号。

4.根据权利要求1至3的任意一项所述的点灯装置，其特征在于，

上述驱动电路检测在上述降压电路中流过的电流，驱动上述开关元件以便按照电流设定值控制上述电流，

上述电压降低检测电路，在上述整流电压比设定值低时，增大上述电流设定值。

5.根据权利要求1至3的任意一项所述的点灯装置，其特征在于，

上述整流电路具有二极管桥和滤波用电容器，

上述降压电路具有二极管、相当于上述开关元件的功率MOSFET、扼流圈、电容器和电流检测单元，

上述驱动电路检测在上述功率MOSFET中流过的电流，在上述功率MOSFET导通时，在上述功率MOSFET中流过的电流达到电流设定值的时刻使上述功率MOSFET截止。

6.一种点灯装置，其对交流电源进行整流和降压然后提供给发光体，并且控制对上述发光体提供的电流，上述点灯装置的特征在于，

在从上述交流电源整流后的整流电压接近对上述发光体施加的电压时，降低对上述发光体施加的电压，使上述整流电压不进一步接近对上述发光体施加的电压。

7.根据权利要求6所述的点灯装置，其特征在于，

通过旁路上述发光体的一部分，降低对上述发光体施加的电压。

8.根据权利要求6所述的点灯装置，其特征在于，

在上述整流电压比高于对上述发光体施加的电压而设定的电压设定值小时，上述整流电压接近对上述发光体施加的电压。

9.一种点灯装置，其具有：交流电源；与上述交流电源连接的二极管桥；与上述二极管桥并联连接的第一电容器；与上述第一电容器并联连接的第一开关元件和电流检测单元以及二极管的串联体；与上述二极管并联连接的扼流圈和第二电容器的串联体；与上述第二电容器并联连接的LED组；以及检测上述第一开关元件的电流或者上述线圈的电流，将上述第一开关元件的电流或者上述线圈的电流与电流设定值进行比较，来驱动上述第一开关元件的驱动电路，上述点灯装置的特征在于，

具备：与上述LED组中包含的一部分LED并联连接的第二开关元件；以及

检测上述第一电容器的电压，将上述第一电容器的电压与电压设定值进行比较，在上述第一电容器的电压比上述电压设定值大时关断上述第二开关元件，在上述第一电容器的电压比上述电压设定值小时接通上述第二开关元件的电路，

上述电压设定值高于对上述LED组施加的电压。