TWI451166B - 背光單元及具有背光單元之顯示裝置 - Google Patents

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Description

背光單元及具有背光單元之顯示裝置
本發明主張於2010年01月06日所申請之韓國專利申請案號10-2010-0000777的優先權，此全文將併入本案以作為參考。
本發明係關於一種背光單元。
近來，液晶顯示裝置(LCD)被聚焦成為取代陰極射線管(CRT)顯示器，因為其具有尺寸小、重量輕和低功率消耗的優點，而LCD被廣泛地利用在各種具有顯示裝置的資料處理裝置。
由於LCD是一種無放射(non-emissive)顯示裝置，因此需要外加的光源，例如一背光單元。此外，經各種討論和研究而提供了可藉由有效地使用從背光單元所發出的光而具有高品質的影像。
本發明實施例提供一種背光單元，其具有新穎結構以及使用該背光單元之顯示裝置。
本發明實施例提供一種可降低厚度的背光單元以及使用該背光單元的顯示裝置。
本發明實施例提供一種背光單元具有優越的混色特性(color mixture property)和光均勻度(light uniformity)，以及使用該背光單元的顯示裝置。
根據本發明一實施例，背光單元包括一底蓋；一發光模組設置在底蓋上並包括一基板和複數個發光裝置，每一發光裝置包括一發光結構，而該發光結構具有一第一傳導半導體層、一主動層以及一第二傳導半導體層；以及一導光元件，該導光元件設置在發光模組上並包括至少一插孔供複數個發光二極體中的至少一個插入於其中，其中該至少一插孔僅在一面(a side)開放(opened)。
根據本發明另一實施例，背光單元包括一底蓋；一發光模組設置在底蓋上並包括一基板和複數個發光裝置，每一發光裝置包括一發光結構，該發光結構具有一第一傳導半導體層、一主動層以及一第二傳導半導體層；以及一塑模件(molding member)，該塑模件包括一傳導材料覆蓋該複數個發光裝置。
根據本發明另一實施例，顯示裝置包括一背光模組，該背光模組包括：一底蓋、一發光模組設置在底蓋上，該發光模組包括一基板和複數個發光裝置，其中每一發光裝置包括一發光結構其具有一第一傳導半導體層、一主動層以及一第二傳導半導體層、以及一導光元件，該導光元件設置在發光模組上並包括至少一插孔供複數個發光二極體中的至少一個插入於其中，其中該至少一插孔僅在一面開放；以及一顯示面板設置在背光單元上方。
在實施例的描述中，可以了解，當提及：一層(或一膜)、一區域、一圖案或一結構被提及是位在其它基板、其它層(或膜)、其它區域、或其它圖案”上(on)/下方(under)”時，表示其可以呈現直接或間接位在其它基板、層(或膜)、區域、或墊片、或一或更多中介元件上的情況，而上述在層的位置應參照圖示。
在圖示中，各層的尺寸和厚度可能會以誇大、省略或示意的方式來呈現，作為方便或解說的目的。
在此之後，根據本發明實施例之一背光單元和使用該背光單元的顯示裝置將伴隨圖示進行說明。
<第一實施例>
圖1為根據第一實施例的背光單元100和使用該背光單元100之顯示裝置的剖視圖，而圖2為圖1之背光單元100和使用該背光單元100之顯示裝置的分解圖。
請參閱圖1和圖2，顯示裝置包括一顯示面板150用來顯示影像、以及一背光單元100用來提供光至顯示面板150。
此外，背光單元100可包括一底蓋110、一發光模組120，該發光模組120安裝在底蓋110內並具有一基板121和設置在基板121上的複數個發光裝置125、以及一導光元件130，該導光元件130設置在發光模組120上並具有複數個插槽(insertion grooves)(或插孔(insertion vavities)135，其中複數個發光裝置125插入於插槽135內。
根據本實施例，發光裝置125被插入插槽135中以供應光至導光元件130。藉由導光元件130，供應到導光元件130的光被轉換成表面光，該表面光具有優越的顏色混合特性和均勻性，然後再被供應到設置在背光單元100上方的顯示面板150。
由於發光裝置125被插入到導光元件130的插槽135中，因此可以減少背光單元100和使用該背光單元100之顯示裝置的厚度。為承接發光裝置125，插槽135僅一面呈開放。
此外，具有上述結構的背光單元100呈現優越的顏色混合特性和光均勻性，因此介於背光單元100和顯示面板150之間的距離可以縮減，從而減少顯示裝置的厚度。舉例而言，根據本發明實施例，在顯示裝置中介於背光單元100的基板121和顯示面板150之間的距離h可在約10mm至30mm的範圍。
在後續文中，將詳細描述根據本發明第一實施例之背光單元100的元件。
底蓋110可具有一箱型狀，其上表面為開放以承接發光模組120和導光元件130於其內部，但實施例並不限定於此。底蓋110可由金屬或樹脂，經由衝壓(pressing)或擠壓(extruding)製程形成。
發光模組120可設置在底蓋110內。發光模組120可包括基板121和設置在基板121上的發光裝置125。發光裝置125設置在導光元件130的下方以直接供應光至導光元件130。
基板可包括印刷電路板(PCB)、金屬核心(metal core)PCB、可撓性PCB以及陶瓷基板中的其中之一者，但實施例並不限定於此。
一反射片可設置在基板121以暴露出發光裝置125於覆蓋在基板時。此外，基板121的上表面可塗覆反射材料以防止從發光裝置125射出的光被基板121吸收。
發光裝置125安裝在基板121的一表面以具有列、行的陣列方式形成。舉例而言，發光裝置125包括一發光二極體(LED)。LED可為發射出紅、綠、藍或白光中至少之一種顏色的一色彩LED和發射出紫外(UV)光的UV LED。本實施例並不限制特定發光裝置125的數量、排列、和顏色。
圖3顯示發光裝置安裝在背光單元100的剖視圖。發光裝置125能形成一非反射層於發光裝置125的側邊(lateral side)以改善側邊的發光效率。亦即，發光裝置125可包括一第一傳導半導體層、一主動層以及一第二傳導半導體層依續堆疊在一基板上，而一非反射區形成在主動層和第二傳導半導體層的側邊，因此從主動層射出的光或從基板或一氮化鎵(GaN)半導體層反射或折射的光能被有效地從發光裝置125的側邊發射到外部，因此改善了發光裝置125在側邊的取光效率。
在後續文中，將參照圖3詳細描述發光裝置的製造方法。首先，準備一第一基板200。第一基板200可包括一藍寶石單結晶基板(sapphire single crystalline substrate)，但實施例並不限定於此。對第一基板200執行一溼清洗製程以移除第一基板200表面的雜質。
然後，第一傳導半導體層210形成在第一基板200上。舉例而言，第一傳導半導體層210經由化學氣相沈積法(CVD)、分子束磊晶法(MBE)、濺鍍法或氫化物氣相磊晶法(HVPE)而形成。此外，第一傳導半導體層210可藉由注入包括n型不純物，例如三甲基鎵(TMGa)、氨氣(NH3 )、氦氮(N2 )、或矽(Si)之矽烷氣體(Silane gas)(SiH4 )至腔室而形成。
然後，主動層220形成在第一傳導半導體層210。從第一傳導半導體層210注入的電子與從第二傳導半導體層230注入的電洞在主動層220相遇，因此主動層220射出的光具有由主動層220本質材料(intrinsic material)的能帶所決定的能量。
主動層220可藉由堆疊至少一次具有不同能帶的氮化物半導體層而具有單量子井結構、多量子井(MQW)結構、量子線結構、或量子點結構。舉例而言，主動層220可為藉由注入三甲基鎵(TMGa)、氨(NH3 )、氮(N2 )、三甲基銦(TMIn)至腔室的InGaN/GaN多量子井結構，但實施例並不限定於此。
接著，第二傳導半導體層230形成在主動層220上。舉例而言，第二傳導半導體層230可藉由注入包括P型不純物例如TMGa、NH3 、N2 和鎂(Mg)的(EtCp2 Mg){Mg(C2 H5 C5 H4 )2 }至腔室所形成，但實施例並不限定於此。
接著，第二傳導半導體層230、主動層220和第一傳導半導體層210被部份地移除以暴露出第一傳導半導體層210。舉例而言，在形成一圖案光罩(pattern mask)後，第二傳導半導體層230、主動層220和第一傳導半導體層210使用圖案光罩作為蝕刻光罩而被部份地蝕刻，從而暴露出第一傳導半導體層210。圖案光罩可包括氮化矽(silicon nitride)、氧化矽(silicon oxide)或一光阻層。
之後，移除圖案光罩，而一第一電極215形成在暴露出的第一傳導半導體層210上。然後，一第二電極235形成在第二傳導半導體層230上。接著，一非反射層270形成在第一基板200、第一傳導半導體層210、主動層220和第二傳導半導體層230的側邊。
非反射層270可透過電子束蒸鍍法(E-beam evaporation)或濺鍍法(sputtering scheme)以一薄膜形示沉積。為了獲得所欲得到的反射波長曲線(reflectance-wavelength curve)，具有所欲折射率(refractive indexs)的材料可被重覆地沉積，因此可改善側邊的取光效率。
由於非反射層270包括具有不同折射率的至少兩層，因此可能誘發從每一層邊界反射的光的波長破壞性干擾。破壞性干擾必須符合兩種情況。亦即，反射光必須有相差異(phase differences)而破壞光必需有預定波幅(predetermined amplitudes)以最小化於破壞性干擾期間的反射率(reflectance)。
為了減少反射率，光學厚度必須滿足λ/4的奇數倍(odd multitude)，亦即，光學厚度能被設在λ/4。
對於非反射層270的主要因素可包括高反射或低反射材料的折射率、層的數量、以及每一層的厚度。當介於兩層的折射率的差異增加時，反射率將降低。此外，反射波長(Reflective wavelength)的圖案根據層的厚度而改變，以及當層的數量增加時，反射率在可見光的整個波長頻帶持續地減少。
舉例而言，為了在具有一相對大的波長頻帶區域獲得低反射率，非反射層可具有一包括至少兩層的堆疊結構。
詳細來說，非反射層270可藉由形成具有第一折射率的第一折射層270a和具有比第一折射率高的第二折射率的第二折射層270c而獲得。
亦即，非反射層270包括一低折射層和一高折射層，兩者分別有λ/4的厚度，並呈現一V型反射圖案，該反射圖案可以使在一特定波長頻帶的反射率減到最小。當與單層非反射層比較時，非反射層270的平均反射率降低大約1%在光的可見頻帶(visible band)。
此外，非反射層270可具有三層。亦即，一第三折射層270b能形成在第一折射層270a，而第三折射層270b具有高於第二折射率的第三折射率。在此情況下，第二折射層270c形成在第三折射層270b上。舉例而言，非反射層270可包括厚度為λ/4的一低折射層、厚度為λ/2的一超高(ultra-high)折射層、以及厚度為λ/4的一高折射層。由於介於層間的破壞性干擾，將出現一W型的反射圖案。非常低的平均反射率低於1%出現在整個可見光的波長頻帶，且非反射層270呈現一弱的反射顏色。
作為低折射層的第一折射層270a可使用具有折射率約1.3至1.5的一介質(media)、作為超高折射層的第三折射層270b可使用具有折射率約2.0至2.5的一介質、以及作為高折射層的第二折射層270c可使用具有折射率約1.6至1.8的一介質。
具有高折射率的介電物質可包括二氧化鈦(TiO2 )或氧化鋯(ZrO2 )，而具有低折射率的介電物質可包括二氧化矽(SiO2 )，但實施例並不限定於此。各種符合上述折射率的材料皆可被採用。
非反射層270能透過電子束蒸鍍法或濺鍍法形成。另可在發光裝置的側邊形成表面粗糙(roughness)以取代非反射層270，而非反射層270亦可被使用在直立式(vertical type)發光裝置與側邊式(lateral type)發光裝置中。
圖4為光在發光裝置每一層被捕捉的百分比。
圖4為顯示從LED發射至外部的光被擷取的程度。通常，氮化鎵(GaN)具有相對高的折射率，所以大多數的光保留在GaN和基板內，而僅有部分的光射出到外部。相同地，在LED中，GaN層和基板具有相對高的折射率，所以很少的光從側向(lateral direction)射出。然而，由於非反射層或細微表面粗糙(fine roughness)形成在LED的側邊，所以光能有效地從側邊被射出。因此，LED能在背光單元中被有效利用。
同時，一熱傳導墊片可設置在介於發光模組120和底蓋110之間。熱傳導墊片有效地傳輸從發光模組120產生的熱至底蓋110，因此改善了發光模組的散熱特性。
導光元件130可被設置在發光模組120上。舉例而言，導光元件130包括一導光板。導光元件130可使用傳導材料(transmittive material)所製成，而傳導材料包括壓克力類樹脂的其中一種，例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate;PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate;PET)、聚碳酸酯(polycarbonate;PC)、COC和聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate;PEN)樹脂。
形成底部表面具有多個插槽135的導光元件130，其中發光裝置125插入於插槽135內。
插槽135可具有一剖面形狀包括多角柱形(polygonal column)、圓柱形(cylinder)、半球形(hemisphere)、圓錐形(cone)、多角形錐形(polygonal cone)、截圓錐形(truncated cone)、和截多角錐形(truncated polygonal cone)的其中之一者，但實施例並不限定於此。
插槽135可形成在導光元件130的底部表面，並以對應發光裝置125的排列之矩陣型式形成。
每一插槽135的寬度和深度可達發光裝置125的寬度和厚度的兩倍。如果插槽135具有一寬度和深度大於發光裝置125的寬度和厚度的兩倍，當光從發光裝置125入射到導光元件130時，將發生光損失(light loss)。在本實施例中，對於每一插槽135，可有複數個發光裝置。
插槽135可具有不同的剖面形狀以將入射光的損失降至最低。圖5至圖7為根據本發明第一實施例顯示形成在背光單元的導光元件130內各種插槽的剖視圖。
參閱圖5，一粗糙結構可形成在導光元件130的每一插槽135之內壁。由於該粗糙結構，於側向從發光裝置125發射的光得以有效被導入到導光元件130。因此，光均勻性與導光元件130的色彩混合特性將被改善。
參閱圖6，導光元件130的插槽135可具有半球形，在此實施例中，介於發光裝置125和插槽135的內壁或其部份之間存在著一些間隙(play)或間隔(space)。參閱圖7，一粗糙結構形成在具有半球形的導光元件130的插槽135內壁。由於半球形和粗糙結構，光可以有效地被導入到導光元件130中。
亦即，插槽135可根據發光裝置的形式和光分佈特性和插槽135的尺寸來選擇，但實施例並不限定於此。
同時，如圖8所示，粗糙結構可以被形成在導光元件130的上表面。由於粗糙結構，被導入到導光元件130中並被轉換為表面光的光可以有效地被擷取至(extracted onto)導光元件130的上表面。
導光元件130的厚度比每一發光裝置125的厚度要厚。舉例而言，導光元件130可具有1mm至10mm的厚度。最好是3mm至10mm。為了允許被導入到導光元件130的光被散射以具有均勻性和良好的色彩混合特性，導光元件130具有大約3mm或以上的厚度。底蓋110、發光模組120和導光元件130可構成背光單元100。
同時，根據本發明實施例，顯示裝置包括顯示影像的顯示面板150、以及提供光源到顯示面板150的背光單元100。於後文中將詳細描述本發明實施例的顯示裝置。
顯示面板150設置在背光單元100上方。顯示面板150利用背光單元100提供的光來顯示影像。顯示面板150可以被一面板支撐物和一上蓋所支撐。
顯示面板150可包括面對面結合在一起的下和上基板，因此均勻液晶空隙(cell gap)可被形成於其中，以及插入於兩基板中的一液晶層。複數條閘極線和交叉閘極線的複數條資料線形成在下基板上以及一薄膜電晶體形成在閘極線和資料線的一交叉區域。彩色濾光片(color filters)形成在上基板上，另顯示面板150可具有不同的結構。舉例而言，下基板可包括彩色濾光片和薄膜電晶體。此外，顯示面板150可依液晶層的驅動方法而具有不同結構。
此外，提供掃描訊號至閘極線的一閘極驅動PCB和提供資料訊號至資料線的一資料驅動PCB可設置在顯示面板150的外周邊。
一光學片單元140設置在背光單元100和顯示面板150之間以改善背光單元100所提供的光之均勻性與色彩混合特性。光學片單元140可包括一擴散片、一光收集片(light collection sheet)和一亮度增強片(brightness enhancement sheet)的至少一者。
舉例而言，光學片單元140可藉由依序堆疊擴散片、光收集片、以及亮度增強片而形成。在本實施例中，擴散片均勻擴散導光元件130所射出的光，因此被擴散的光可以藉由光收集片而被收集在顯示面板。從光收集片輸出的光是隨機地被極化而亮度增強片增加從光收集片輸出的光的極化程度。
光收集片可包括一水平和/或垂直稜鏡片。此外，亮度增強片可包括一雙重亮度增強膜。光學片單元140的形式和數量或其元件可在實施例之技術範圍內進行改變，但實施例並不限定於此。
如上所述，背光單元100包括插入於導光元件130插槽135的發光裝置125，所以背光單元100可具有優良的色彩混合特性和光的均勻性。如此，即使介於背光單元100和顯示面板150間的距離h縮小，也不會發生不均勻的光學雲紋(mura)/色度(chrominance)。舉例而言，背光單元100的基板121和顯示面板150之間的距離h可在10mm至30mm範圍內。
<第二實施例>
在接續後文中，根據本發明第二實施例，背光單元和使用該背光單元的顯示裝置將被詳細描述。在第一實施例中已解解過的元件與結構將予以省略或簡約描述以避免過多贅文。
圖9為根據第二實施例的背光單元和使用該背光單元之顯示裝置的剖視圖。參閱圖9，根據本發明第二實施例，背光單元100可包括底蓋110、一發光模組120裝設在底蓋110內並包括一基板121和設置在基板121上的複數個發光裝置125、以及一導光元件130形成在發光模組120上，並藉由使用透射樹脂材料(transmittive resin material)來密封發光裝置125。
根據第二實施例，除了導光元件130的材料與形狀外，背光單元100與第一實施例的背光單元相似。導光元件130形成在發光模組120上以封閉發光裝置125。詳細而言，導光元件130形成在發光模組120的基板121和發光裝置125上，而導光元件130的內壁與發光裝置125接觸。如此，在本實施例中，導光元件可以為一模製件(molding member)。
導光元件130可包括透射樹脂材料。舉例而言，透射樹脂材料包括環氧樹脂(epoxy resin)或矽氧樹脂(silicon resin)，但實施例並不限定於此。在塗覆透射樹脂材料於發光模組120後，塗覆的透射樹脂材料經固化而形成導光元件130。
發光裝置125被導光元件130所封閉與圍繞，因此從發光裝置125發射出的光可有效地被導入到導光元件130。此外，被導入到導光元件130的光，在導光元件130內被有效地擴散，因此改善光均勻性與色彩混合特性。
同時，如圖10所示，可提供一擴散劑(diffusing agent)127到導光元件130內。擴散劑127散射被導入到導光元件130內的光，藉而擴散該光。
舉例而言，擴散劑127包括二氧化矽(SiO2 )、二氧化鈦(TiO2 )、氧化鋅(ZnO)、硫酸鋇(BaSO4 )、硫酸鈣(CaSO4 )、碳酸鎂(MgCO3 )、氫氧化鋁(Al(OH)3 )、合成氧化矽(synthetic silica)、玻璃珠(glass bead)、和金鋼石(diamond)中的至少一者，但實施例並不限定於此。
<第三實施例>
在接續後文中，根據本發明第三實施例，背光單元和使用該背光單元的顯示裝置將被詳細描述。在第一實施例中已解釋過的元件與結構將予以省略或簡約描述以避免過多贅文。
圖11為根據本發明第三實施例的背光單元和使用該背光單元之顯示裝置的剖視圖。參閱圖11，根據本發明第三實施例，背光單元100可包括底蓋110、一發光模組120裝設在底蓋110內及具有一基板121和設置在基板121上的複數個發光裝置125、一導光元件130形成在發光模組120上且具有複數個插槽135，其中複數個發光裝置125插入在插槽135內、以及一螢光層137形成在插槽135的內壁。
根據第三實施例，除了螢光層137的存在外，背光單元100與第一實施例的背光單元相似。螢光層137形成在插槽135的內壁。螢光層137可包括透射樹脂材料，例如矽氧樹脂或環氧樹脂、以及一螢光體(phosphor)包含在透射樹脂材料內並可被從發光裝置125發射出的光所激發以產生光。
如此，從發光裝置125所發射出的光的波長，在光被導入到導光元件之前被螢光層137所改變。亦即，被導入導光元件130的光可為一光的混合包括來自發光裝置125的第一光和產生自螢光體被第一光所激發的第二光。
螢光層137可具有如圖5所示之粗糙結構，因此光可以有效地被導入到螢光層137內。
在說明書中用於參照的「一項實施例」、「一實施例」、「實例」等其表示與實施例有關的一特定特徵、結構或特性是包括在本發明之一實施例中。此等片語在本說明書之各處中的出現未必皆涉及同一實施例。另外，當結合任何實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，結合該等實施例之其他者來實現此特徵、結構或特性是在熟習此項技術者之能力範圍內。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技術者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。對於熟悉此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
100．．．背光單元
110．．．底蓋
120．．．發光模組
121．．．基板
125．．．發光裝置
127．．．擴散劑
130．．．導光元件
135．．．插槽
137．．．螢光層
140．．．光學片單元
150．．．顯示面板
200．．．第一基板
210．．．第一傳導半導體層
215．．．第一電極
220．．．主動層
230．．．第二傳導半導體層
235．．．第二電極
270．．．非反射層
270a．．．第一折射層
270b．．．第三折射層
270c．．．第二折射層
h．．．距離
圖1為根據第一實施例的背光單元和使用該背光單元之顯示裝置的剖視圖；
圖2為使用如圖1的背光單元和使用該背光單元之顯示裝置的分解圖；
圖3顯示發光裝置安裝在背光單元的剖視圖；
圖4顯示光被捕捉在發光裝置每一層的百分比；
圖5至圖7為根據本發明第一實施例顯示形成在背光單元的導光元件上之各種插槽(insetion grooves)的剖視圖；
圖8為根據本發明第一實施例顯示背光單元的另一導光元件的剖視圖；
圖9為根據第二實施例的背光單元和使用該背光單元之顯示裝置的剖視圖；
圖10為根據第二實施例顯示另一背光單元的剖視圖；以及
圖11為根據本發明第三實施例的背光單元和使用該背光單元之顯示裝置的剖視圖。
100．．．背光單元
110．．．底蓋
120．．．發光模組
121．．．基板
125．．．發光裝置
130．．．導光元件
135．．．插槽
140．．．光學片單元
150．．．顯示面板

Claims (21)

  1. 一種背光單元，包括：一底蓋；一發光模組在該底蓋上且包括一基板和複數個發光裝置，每一該發光裝置包括一發光結構具有一第一傳導半導體層、一主動層、以及一第二傳導半導體層；以及一導光元件在該發光模組上且包括至少一插孔供該複數個發光二極體的至少一個插入，其中該至少一插孔僅在一面呈開放，其中每一該發光裝置具有一非反射層，設置在該發光結構之一側面上，其中該非反射層包括至少二層，其具有不同折射率，其中該非反射層包括一第一折射層在該發光結構上、一第三折射層在該第一折射層上、以及一第二折射層在該第三折射層上，其中該第二折射層之折射率高於該第一折射層之折射率，以及其中該第三折射層之折射率高於該第二折射層之該折射率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之背光單元，其中該導光元件具有1mm至10mm的厚度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之背光單元，其中每一該插孔的寬度和深度分別大於每一該發光裝置的寬度和厚度的一至兩倍。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之背光單元，其中該至少一插孔具有一剖面形狀包括多角柱形、圓柱形、半球形、圓錐形、多角形錐形、截圓錐形、和截多角錐形(truncated polygonal cone)的其中一種。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之背光單元，其中該至少一插孔形成具有一粗糙結構的一內壁。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之背光單元，其中該至少一插孔形成具有一螢光層的一內壁。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之背光單元，其中該導光元件包括一導光板。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之背光單元，其中該導光元件形成具有一粗糙結構的一上表面。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之背光單元，其中該基板形成具有一反射材料的一上表面。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之背光單元，其中每一該發光裝置包括至少一彩色發光二極體(LED)發射出紅色、綠色、藍色或白色以及一紫外光LED發射出紫外光。
  11. 一種背光單元，包括：一底蓋； 一發光模組在該底蓋上且包括一基板和複數個發光裝置，每一該發光裝置包括一發光結構具有一第一傳導半導體層、一主動層、以及一第二傳導半導體層；以及一模製件包括一透光材料以覆蓋該複數個發光裝置，其中該每一發光裝置具有一非反射層，設置在該發光結構之一側面上，其中該非反射層包括至少二層，其具有不同折射率，其中該非反射層包括一第一折射層在該發光結構上、一第三折射層在該第一折射層上、以及一第二折射層在該第三折射層上，其中該第二折射層之一折射率高於該第一折射層之一折射率，以及其中該第三折射層之一折射率高於該第二折射層之該折射率。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之背光單元，其中該模製件為一導光元件。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之背光單元，其中該模製件包括環氧樹脂和矽氧樹脂中的其中一者。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之背光單元，其中該模製件的一內表面與該複數個發光裝置接觸。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之背光單元，更包括一擴 散劑於該模製件內。
  16. 一種顯示裝置，包括：一背光單元包括：一底蓋；一發光模組在該底蓋上，該發光模組包括一基板和複數個發光裝置，其中每一該發光裝置包括一發光結構具有一第一傳導半導體層、一主動層、以及一第二傳導半導體層；一導光元件在該發光模組上且包括至少一插孔供該複數個發光二極體中的至少一個插入，其中該至少一插孔僅在一面呈開放；以及一顯示面板在該背光單元上方，其中該每一發光裝置具有一非反射層，設置在該發光結構之一側面上，其中該非反射層包括至少二層，其具有不同折射率，其中該非反射層包括一第一折射層在該發光結構上、一第三折射層在該第一折射層上、以及一第二折射層在該第三折射層上，其中該第二折射層之一折射率高於該第一折射層之一折射率，以及其中該第三折射層之一折射率高於該第二折射層之該折射率。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中介於該基板與該顯示面板的距離為10mm至30mm。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，更包括一光學片單元介於該導光元件和該顯示面板之間。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置，其中該光學片單元包括一擴散片、一光收集片、以及一亮度增強片中的至少一者。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中該導光元件具有厚度在1mm至10mm。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中該至少一插孔形成具有一粗糙結構的一內壁。
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