JP2006093602A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 サファイア基板13上には、AlNバッファ層14、n−GaN層15、発光層17、p−GaN層18、透明電極19が順次エピタキシャル成長により形成され、n−GaN層15の一部にはn電極16が形成され、透明電極19の一部にはパッド電極20が設けられている。透明電極19の露出面およびn−GaN層15より上の各層のn電極16に面した側壁面には、所定の角度範囲にわたって均一な光取り出し効率を得る為の干渉膜21が設けられている。
【選択図】 図1
Description
(発光素子の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子の縦断面図である。この発光素子1は、実装基板11上にエポキシ系樹脂等による絶縁性接着剤12を介して搭載されたサファイア基板13と、サファイア基板13上に形成されたAlNバッファ層14と、AlNバッファ層14上に形成されたn−GaN層15と、n−GaN層15の上面の端部に設けられたn電極16と、n電極16を除くn−GaN層15上に形成された発光層17と、発光層17上に形成されたp−GaN層18と、p−GaN層18上にITO(Indium Tin Oxide)等により形成された透明電極19と、透明電極19の一部に形成されたパッド電極20と、パッド電極20の表面を除く透明電極19の上面およびn電極16に隣接する各層の側壁面に設けられた中間屈折率材料としてのSiNによる干渉膜21とを備えている。各層は、エピタキシャル成長により形成される。なお、n電極16およびパッド電極(p電極)20には、外部との接続のためのボンディングワイヤ22が接続される。
n電極16とパッド電極20の間に所定の電圧を印加すると、パッド電極20から、透明電極19およびn−GaN層15を介して発光層17に通電され、更に、n−GaN層15を経てn電極16に電流が流れることにより、発光層17が発光する。
ここで、A=1、λ=470nm、n=1.9とすると、膜厚tは、603Åになる。これは、垂直入射における適正値である。
上記した第1の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
(1)所定の屈折率を有する干渉膜21を設けることで、垂直入射以外からの入射光に対する光取り出し効率を上げることができる。
(2)干渉膜21は、光出射面に設けられる薄膜であるため、発光素子1の厚みが大きくなることはなく、従って、発光素子1が大型化するのを防止することができる。
(3)干渉膜21の厚みを適正な値(例えば、800Å)にすることにより、発光素子1の量産時に膜厚のばらつきが生じたとしても、光取り出し効率の変化を少なくすることができる。
(4)干渉膜21は、パッシベーション膜を兼ねるため、パッシベーション膜を別途必要としない構成にすることができる。
図4は、本発明の第2の実施の形態に係る発光素子の正面断面図である。図4においては、第1の実施の形態と同一の構成を有する部分については、共通する引用数字を付している。
第2の実施の形態によると、フリップチップ接合された発光素子1のGaN基板30に干渉膜21を設けることで、GaN基板30からの光取り出し効率を第1の実施の形態と同様に向上させることができる。また、GaN基板への中間屈折率材料膜形成は、電極部を避けるなどする必要がないので、全面を一括処理でき、作成が容易である。さらに、全面で効果を得ることができるので、効果度合いが大である。
図5は、本発明の第3の実施の形態に係る発光素子の正面図である。第3の実施の形態は、第2の実施の形態においてコーナー部分に45度の傾斜面が形成されるようにGaN基板30をカットしたものである。すなわちGaN基板30の周辺部に傾斜面30aを形成し、この傾斜面30aおよびGaN基板30の上面に干渉膜21を設けたものである。その他の構成は第2の実施の形態と同様である。
第3の実施の形態によると、光出射面のコーナー部をカットしたことにより、前記各実施の形態に比べ、光取り出し効率を更に高めることができる。また、傾斜面30aを設けたことによって、干渉膜21の膜厚を均一にする精度は低下するが、膜厚設計値のセンターは適正化できるため、量産時のばらつきの影響を小さくすることができる。また、この際には、5000Å以上の膜厚などとすることによっても干渉効果とは別な効果を得ることができる。すなわち、光出射面のコーナー部をカットする際に生じる微細な凹凸に対しSiN膜を設けることによって凹凸度合いを軽減し、光取り出し効果の向上を図っても良い。
図6は、本発明の第4の実施の形態に係る発光素子を示し、(a)は発光素子の平面図、(b)は(a)のA−A線の断面図である。第4の実施の形態は、第2の実施の形態において、GaN基板30に代えてGaAs基板40を用いるとともに、GaAs基板40の表面に複数の突部41を設けたものである。その他の構成は第2の実施の形態と同様である。
第4の実施の形態によると、突部41を有しない平面構造では界面において全反射するために取り出せなかった光を外部に取り出せるようになり、第2の実施の形態に比べ、光取り出し効率を更に高めることができる。そして、このような凹凸面に対しても、第3の実施の形態と同様に、膜厚設定値のセンターは適正化できるため、量産時のばらつきの影響を小さくすることができる。
図7は、本発明の第5の実施の形態に係る発光素子を示し、(a)は発光素子の平面図、(b)は(a)のB部分の拡大断面図、(c)はB部分の他の拡大断面図である。第5の実施の形態は、第2の実施の形態において、GaN基板30に代えてサファイア基板13を用い、レーザ加工によりサファイア基板13を除去するとともに、n−GaN層15の表面に微細な溝51を形成したものである。なお、表面に干渉膜21を形成し、更に、実装基板11と発光素子1の下面との間には、アンダーフィル52を充填してある。その他の構成は第2の実施の形態と同様である。
第5の実施の形態によると、溝51を設けたことによって突部を形成でき、平面構造では全反射するために取り出せなかった光を取り出せるようになり、第2の実施の形態に比べ、光取り出し効率を更に高めることができる。特に、図7(c)のように、ストレート部を有しない構造にすることで、光取り出し効率を良好にすることができる。そして、このような凹凸面に対しても、第3の実施の形態と同様に、膜厚設定値のセンターは適正化できるため、量産時のばらつきの影響を小さくすることができる。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々な変形が可能である。中間屈折率材料はSiNに限らず、他の材料であっても良い。また、半導体部の表面に形成される凹凸形状についても、他の形状であっても構わない。また、第5の実施の形態で用いた菱形の突起54を、第4の実施の形態の突部41として用いることもできる。
11A,11B、配線パターン 12、絶縁性接着剤 13、サファイア基板
14、AlNバッファ層 15、n−GaN層 16、n電極 17、発光層
18、p−GaN層 19、透明電極 20、パッド電極 21、干渉膜
22、ボンディングワイヤ 23、p電極 24A,24B、スタッドバンプ
30、GaN基板 30a、傾斜面 40、GaAs基板 41、突部
51、微細な溝 52、アンダーフィル 53、突起 54、突起
100、光学薄膜 101、光源 102、入射光
Claims (9)
- 発光層を含む半導体部と、
前記半導体部の光取り出し面に設けられ、前記発光層から放射される光を前記半導体部から外部放射させる中間屈折率材料を有する発光素子において、
前記中間屈折率材料は、前記半導体部と前記発光素子との屈折率差によって、垂直入射以外の方向の入射光を含めた光に対して最適な光取り出し効率が得られる厚みにしたことを特徴とする発光素子。 - 発光層を含む半導体部と、
前記半導体部の光取り出し面に形状加工により設けられ、前記形状加工によって形成された部分を含む光取り出し面に中間屈折率材料による層を有する発光素子において、
前記中間屈折率材料は、前記発光素子の周囲媒体より大きく、前記半導体部の屈折率より小なる屈折率であることを特徴とする発光素子。 - 前記形状加工は、前記半導体部の端部に傾斜面を設けていることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。
- 前記形状加工は、前記半導体部の表面に凹凸面を設けていることを特徴とする請求項2または3に記載の発光素子。
- 前記凹凸面は、菱形状に形成されていることを特徴とする請求項4に記載の発光素子。
- 前記中間屈折率材料の膜厚tは、前記発光素子が発する光の波長をλ、前記中間屈折率材料の屈折率をnとすると、
t=λ/(3n)
であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光素子。 - 前記発光素子は、フリップチップタイプであることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記半導体部は、GaN系半導体材料によって形成されることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記中間屈折率材料は、SiNからなることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の発光素子。
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2004
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