TWI443630B - 具有參考次像素之電致發光裝置老化補償 - Google Patents
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Description
本發明涉及固態電致發光(EL)裝置,如有機發光二極體(OLED)裝置,尤其涉及補償電致發光裝置元件老化的裝置。
電致發光(EL)裝置已知幾年並最近用於商業顯示裝置和發光裝置。這種裝置應用主動矩陣設計也應用被動矩陣設計並可應用複數個子像素。在主動矩陣控制設計中,每個子像素包含EL發射器和驅動通過EL發射器的電流的驅動電晶體。在一些實施例中,例如顯示器,所述子像素位於EL裝置的照明區域內的排列為兩維陣列,具有每個子像素的行和列位址,並具有與子像素相關的各個資料值。不同顏色的子像素,例如紅色,綠色,藍色和白色,分組形成像素。在其他實施例中,例如燈管,EL子像素位於EL裝置的照明區域內並電性地串聯以一起發光。EL子像素可以具有任意尺寸,如,從0.120mm2
至1.0mm2
。EL裝置可以利用各種發射技術製造,包括可塗層無機發光二極體,量子點和有機發光二極體(OLED)。
EL裝置利用流經有機材料的薄膜的電流產生光。有機薄膜材料的組成確定從電流至光能量轉換的效率。不同的有機材料發出不同顏色的光。然而,當裝置使用時,裝置中的有機材料老化而損失發光的效率。這將減少裝置的壽命。不同的有機材料以不同的速度老化,導致不同顏色老化且裝置的白點也在裝置使用時改變。此外,每個獨立像素可以不同於其他像素的速度老化,導致裝置的不均勻性。
材料老化的速度與流經裝置的電流量相關,因此與裝置已發出的光量相關。已經描述了各種用於補償這種老化現象的技術。然而,這些技術中一些需要照明區域內的電路用以測量每個EL發射器的特性。這可能減少光圈比,EL發射器面積與支援電路面積的比率,從而需要增加電流密度以保持亮度,並由此減少了壽命。進而,這些技術需要在生產之前對代表裝置進行耗時測量,從而確定典型老化概況。
Hente等人在美國專利申請公開第2008/0210847號中,描述了使用位於照明區域外面的一個或一個以上附加EL發射器用作比較每個子像素的測量的針對參考的OLED照明裝置(固態光或SSL),這個設計在照明過程(當發光的時候)中沒有使用參考區域,從而該參考一直可用於呈現EL裝置的初始,未老化的狀態。然而,這個設計需要固定的裝置特性,其必須在製造時候就確定。而且,這個設計測量電壓或電容,從而無法直接感測由EL發射器效率的變化引起的光輸出變化,或者由EL發射器發出的光的色度的變化。
Cok等人在美國專利第7,321,348號中,教示了在照明區域外面具有參考像素的EL顯示器,該照明區域的電壓經測量用於確定老化。在這個設計中,當EL顯示器啟動(即,產生觀察者或使用者感受的光,如當光或電視打開的時候),所述參考像素如利用資料值的估計平均值驅動。如此所述參考像素代表顯示器的性能。進而基於所述參考像素的測量的電壓對整體顯示器執行補償。然而,這個設計無法補償由於相鄰子像素的老化差引起的不均勻性,且無法補償色度變化。
Naugler等人在美國專利申請公開第2008/0048951號中,教示了在生產開始之前依據確定實驗室中的老化曲線,並在每個產品中的記憶體中儲存這些老化曲線的補償設計。然而,由於這個設計在製造之前採用曲線,則無法補償獨立面板之間的所述曲線的改變,或者無法補償由於設備老化,處理變化,或材料變化導致製造的顯示器的平均特性中的長期變化。
Cok等人在美國專利第7,064,733號中,教示了包括偵測照明區域內的子像素輸出的一個或一個以上光感測器的EL顯示器。然而,這個設計可能減少上述光圈比並減少上述壽命。
因此,仍就需要一種改進的方法,用於補償在可校正老化差包括色度變化的EL裝置中的EL發射器老化,以及補償製造大量EL裝置之間和製造中的改變,而不需要減少光圈比或壽命,也不需要在生產開始之前進行昂貴的測量。
根據本發明,提供一種電致發光(EL)裝置,包括:
a)一照明區域,具有一個或更多個主電致發光發射器;
b)一參考區域,具有一參考電致發光發射器;
c)一參考驅動電路,用於當該電致發光裝置啟動時促使該參考電致發光發射器發光;
d)一感測器,用於偵測由該參考電致發光發射器發出的光;
e)一測量單元,用於偵測當該參考電致發光發射器發光時的一老化相關電參數;以及
f)一控制器,用於接收該照明區域內的每個主發射器的一輸入信號,使用偵測的光和該老化相關電參數自每個輸入信號形成一校正輸入信號,並將該校正輸入信號施加於該照明區域內的各個主電致發光發射器。
本發明的優點在於OLED裝置通過測量主和參考EL發射器的電特性,儘管有製造變化存在,也精確補償每個子像素的裝置中有機材料的老化。通過合併整個OLED裝置的複數個參考EL發射器,可以特徵化有機材料的空間變化,使得整個OLED裝置得到精確補償。本發明可以補償色度變化以及補償效率損失。不需要再生產測量,且不會減少了光圈比或壽命。
第1A圖顯示了可用於補償EL發射器50的電致發光(EL)裝置10。EL裝置10可為主動矩陣EL顯示器或可編程主動矩陣EL燈或其他光源。EL裝置10包括包含在列和行中排列的主要子像素60矩陣的照明區域110,每個主要子像素60具有主要EL發射器50、驅動電晶體70和選擇電晶體90,並連接至第一電壓源140和第二電壓源150。主要子像素60的每一列都連接至選擇線20,並且主要子像素60的每一行都連接至資料線35。選擇線利用閘驅動器13控制,而資料線利用源驅動器155控制。像素65包括多個EL子像素60,如紅色,綠色和藍色子像素,或紅色,綠色,藍色和白色子像素。像素65可排列成現有技術已知的四(Quad)、條紋、三角或其他像素圖形。在此提醒“列”和“行”不隱含EL裝置10的任意具體方向。
EL裝置10也包括參考區域100,其包括與主要EL發射器50相同方式構造的參考EL發射器51。參考EL發射器51最好在尺寸和組成上與所有主要EL發射器50相同。參考驅動電路15促使參考EL發射器51發光,最好通過在其上應用測試電流。感測器53偵測由參考EL發射器51發出的光,且測量單元170偵測在參考EL發射器51發光時的老化相關電參數。該老化相關電參數可以為電流或電壓。在本發明中,“退化資料”代表感測器53隨著參考發射器51老化而偵測到的光,伴隨參考EL發射器51的運行時間和老化相關電參數。退化資料進一步參考第2A圖、第7圖和第8圖在下文中討論。
參考區域100用於提供關於照明區域110內的主要子像素60的退化資料。參考EL發射器51不同於主要子像素60的驅動,而可優選利用比最大電流強度主要子像素60的更高電流強度驅動。參考EL發射器51的資料不直接與任意主要子像素60的退化等級有關。每個主要子像素60的特性經測量並與參考EL發射器51的資料一起運用以執行補償。
EL裝置10包括控制器190,其可以使用現有技術已知的通用目的處理器或特定應用積體電路實現。控制器190接受對應照明區域110內每個主要EL發射器50的輸入信號。每個輸入信號控制對應主要EL發射器的各個發光等級。還可以接收對應自感測器53的測量光的信號,以及對應來自測量單元170的測量老化相關電參數的信號。控制器190使用對應偵測光和電參數的信號形成對應每個輸入信號的校正輸入信號並使用現有技術已知的源驅動器11和閘驅動器13將校正輸入信號施加於照明區域110內的各個主要EL發射器。
參考驅動電路15可以在EL裝置10啟動時導致參考EL發射器51發光,例如當使用者打開應用EL裝置10的電視的時候,或者當EL裝置10未啟動,例如當關閉電視的時候。測量可以在EL裝置10啟動的任意時間進行或當EL顯示器10未啟動的時候進行。
EL裝置10還可以包括計時器192,如電池供電天時間時鐘和現有技術已知的輔助電路,或555或邏輯計時器。計時器192的功能還可以利用控制器190執行。計時器192在EL裝置10啟動時運行,並且參考EL發射器51的測量進行的時間間隔由計時器確定。這個優點減少了控制資料量,而保持了高品質補償。
回到第1B圖,顯示了可用於本發明實踐中另一實施例的電致發光(EL)裝置的示意圖。EL裝置10包括上述的控制器190、和複數個參考區域100a、100c。參考區域100a包含複數個EL發射器51a、51b;複數個對應參考驅動電路15a、15b用於導致各個參考EL發射器51a、51b發光;複數個對應感測器53a、53b用於偵測由各個參考EL發射器51a、51b發出的光;以及複數個對應測量單元170a、170b用於在各個參考EL發射器發光時偵測各個老化相關電參數。控制器使用複數個偵測光和老化相關電參數中的一個或多個自每個輸入信號形成校正輸入信號。如圖所示,控制器接收感測器53a、53b和測量單元170a、170b(實線)的測量資訊。
EL裝置10也包括第二參考區域100c,其具有參考EL發射器51c、參考驅動電路15c、感測器53c和測量單元170c,如上所述。EL裝置10可以包括任意數量的參考區域100;在示意圖中顯示兩個。
每個參考EL發射器51的驅動條件可以利用控制器190或各個參考驅動電路15選擇。控制器可以為每個參考驅動電路(如,15a、15b)提供控制信號(虛線)從而導致參考驅動電路(15a、15b)在所選條件下驅動各個參考EL發射器(51a、51b)。不管是否存在一個或多於一個參考EL發射器51皆是如此。或者,參考驅動電路15可以包括具有固定Vgs的MOSFET,該Vgs由面板上的電阻分壓器設定,從而參考EL發射器51在所選電流驅動每當電源施加於EL裝置10時。這個和其他偏壓技術在電子領域已知。
EL裝置10還可以包括在參考EL發射器51a發光時涉及參考EL發射器51a溫度的溫度參數的溫度測量單元58。控制器進而使用測量的溫度參數形成校正輸入信號。該溫度測量單元58還可以測量參考EL發射器51b的溫度。一個溫度測量單元58可以提供至EL裝置10、每個參考區域100、或者每個參考EL子像素51。
可以當EL裝置10處於熱平衡時有利於進行參考EL發射器(如,51a、51b)的測量。這有利於減少由於EL裝置10的局部受熱導致的結構的測量雜訊。EL裝置10傾向於在非啟動一段時間之後的啟動時處於熱平衡。控制器190還可以使用自位於圍繞EL裝置10的各種點上的複數個溫度測量單元58的測量確定EL裝置10處於熱平衡。如果所有的測量在彼此的如5%內,則裝置傾向於處於熱平衡。控制器190還可以通過分析輸入信號確定EL裝置10處於熱平衡。如果所有的輸入信號在如1分鐘的時間中的互相如5%內,該裝置則傾向處於熱平衡。
第2A圖顯示了代表EL裝置的退化資料,尤其OLED裝置。橫坐標為恒定電流情況下的運行時間,單位為小時,縱坐標為正規化光輸出,1.0為初始光輸出。運算曲線1000a、1000b、1000c分別顯示恒定電流強度10,20和40mA/cm2
時測量的資料。這三個等級為OLED裝置遇到的範圍的代表。如圖所示,OLED隨著老化在給定電流下輸出更少的光。退化曲線1010顯示了恒定電流強度80 mA/cm2
時的資料推斷。這個電流強度高於OLED裝置中遇到的。在一定量時間之後,OLED沿退化曲線1010比沿三個運算曲線1000a、1000b、1000c的任意一個老化的多(具有較低的歸化光輸出)。因此,參考EL發射器51的老化行為可以用作主要參考EL發射器50的老化行為的替代。為了提供這個特點,回來參考第1A圖,參考驅動電路15導致參考EL發射器51在兩個等級,測量級和退化級,並在不同時間上發光。例如,退化級可以為80 mA/cm2
而測量級可以為40 mA/cm2
。退化級最好大於測量級。再者,退化級最好大於輸入信號命令的各個發射級的最大值。
參考EL發射器51的測量進而在其以測量級發光時進行。這有利於使測量在代表主要EL發射器50遇到的級上進行,減少了表示風險。還有利於使參考EL發射器快速老化,從而適於與任意主要EL發射器50使用的老化資料可從參考EL發射器51獲得。
在另一實施例中,參考驅動電路導致參考EL發射器在複數個測量級連續發光,並且參考EL發射器的各個測量在其每個測量級上發光時進行。這有利於提供有關於輸入信號命令的各種發射級的資料。
第2B圖顯示了本發明實施例中資料通過EL裝置10的元件的流程圖示。為了清楚,僅顯示一個主要EL發射器,但可以使用複數個主要EL發射器。在這個實施例中,控制器適於形成補償由於老化導致的主要EL發射器50效率損失的校正輸入信號252。輸入信號251由影像處理電子設備或其他現有技術已知的結構提供。控制器190自輸入信號251形成校正輸入信號252以補償主要EL發射器50的老化。校正輸入信號252提供至EL子像素60(第1A圖)中的主要EL發射器50從而導致主要EL發射器50對應校正輸入信號252發光。EL裝置10還可以包括儲存偵測光測量和對應老化相關電參數測量的記憶體195,以及可以使用記憶體中儲存的值形成校正輸入信號。記憶體195可以為非揮發性記憶體如快閃記憶體或EEPROM,或揮發性記憶體如SRAM。
每個輸入信號251,以及每個各個校正輸入信號252,對應單一EL子像素60及其主要EL發射器50。控制器190使用參考區域100中測量單元170偵測的參考EL發射器51(第1A圖)的老化相關電參數產生每個校正輸入信號252。控制器190使用感測器53所偵測來自參考EL發射器51的光。當計算多個EL子像素60的校正輸入信號時使用這兩個值。控制器對每個主要EL發射器50也使用由偵測器250測量之來自該主要EL發射器50的老化相關電參數的各個測量,如下所述。也就是自一個參考EL發射器51的退化資料用於補償多個主要EL發射器50的老化。這有利於減少EL裝置10的複雜性和儲存條件以及利用EL裝置10上所有主要EL發射器50的物理屬性中的基本相似性。
通過使用參考區域中測量的退化資料和自每個主要EL發射器50的老化相關電參數測量從而形成每個主要EL發射器50的校正輸入信號252,校正輸入信號252適於補償效率損失,即,由於老化每個主要EL發射器50在一定電流下的光輸出減少。校正輸入信號252比輸入信號251對應通過主要EL發射器50的更大電流。主要EL發射器50老化越多,效率變的越低,回應校正輸入信號252的電流與回應輸入信號251的電流的比率更高。
如現有技術已知,輸入信號251可以由時序控制器(圖中未示)提供。輸入信號251和校正輸入信號252可以相對於主要EL發射器50的命令亮度為數位或類比,並可以為線性或非線性。如果為類比,可以為電壓、電流或脈寬調制波形。如果為數位,可以為如8位元碼值、10位元線性強度、或具有變化工作週期的脈衝列。
根據本發明各個實施例中的照明區域110中的EL子像素60和對應偵測器250的兩個實施例在第3圖和第4圖中顯示。
第3圖為可用在本發明實踐中的照明區域內的EL子像素60及關聯電路的實施例示意圖。EL子像素60包括主要EL發射器50、驅動電晶體70、電容75、讀出電晶體80和選擇電晶體90。電晶體中的每一個都具有第一電極、第二電極和閘電極。第一電壓源140連接至驅動電晶體70的第一電極。通過連接,意味著元件直接連接或經由另一個元件如,開關、二極體、另一個電晶體等連接。驅動電晶體70的第二電極連接至EL發射器50的第一電極,且第二電壓源150連接至EL發射器50的第二電極。選擇電晶體90將資料線35連接至驅動電晶體70的閘電極從而選擇地將自資料線35的資料提供至驅動電晶體70,如現有技術已知的。列選擇線20連接至選擇電晶體90和讀出電晶體80的閘電極。
讀出電晶體80的第一電極連接至驅動電晶體70的第二電極且也連接至EL發射器50的第一電極。讀出線30連接至讀出電晶體80的第二電極。讀出線30提供讀出電壓至偵測器250,其測量讀出電壓從而提供代表EL子像素60特性的狀態信號。偵測器250可以包括類比數位轉換器。
自偵測器250的資料提供至控制器190,如以上所述。控制器190提供校正輸入信號252(第2B圖)至源驅動器155,轉而提供對應資料至EL子像素60。因此,控制器190可以在EL裝置10啟動時提供補償資料。控制器190還可以在EL子像素60測量過程中提供預定的資料值至資料線35。
由偵測器250測量的讀出電壓可以等於讀出電晶體80的第二電極上的電壓,或可以為電壓的函數。例如,讀出電壓測量可以為讀出電晶體80的第二電極上的電壓減去讀出電晶體80的汲源電壓。數位資料可以用作狀態信號,或者該狀態信號可以由控制器190計算,如以下所述。該狀態信號代表EL子像素60中的驅動電晶體和EL發射器的特性。
源驅動器155可以包含數位類比轉換器或可編程電壓源、可編程電流源或脈寬調節電壓(“數位驅動”)或電流驅動器,或任意類型的現有技術已知的源驅動器。
第4圖顯示了可用在本發明實踐中的EL子像素及關聯電路的另一實施例示意圖。EL子像素60包括主要EL發射器50、驅動電晶體70、電容75和選擇電晶體90,全部都在上面描述。這個實施例不包括讀出電晶體。第一電壓源140、第二電壓源150、資料線35、和列選擇線20如上所述。
電流測量單元165c,其可以包括電阻和感應放大器(圖中未示),霍爾效應感測器,或其他現有技術已知的電流測量電路,該測量單元測量通過EL發射器50的電流並提供電流測量至偵測器250,該偵測器250可以包括類比數位轉換器。自偵測器250的資料提供至控制器190,如以上所述。控制器190提供校正輸入信號252(圖2B)至源驅動器155,轉而提供對應資料至EL子像素60。因此,控制器190可以在EL裝置10啟動時提供補償資料。控制器190還可以在EL子像素60的測量過程中提供預定資料值至資料線35。電流測量單元165c可以位於EL裝置10上或不位於EL裝置10上。電流可以對單一子像素或同時對任意數量的子像素測量。
本發明實施例中的參考區域100的兩個實施例在第5圖和第6圖中顯示。
第5圖顯示了參考區域100中的電路實施例。參考區域100包括具有與在照明區域110(第1A圖)中使用的相同EL材料的EL發射器50。控制電流源驅動通過EL發射器50的電流。控制電流源120提供的電流量由控制器190經由控制線95提供的信號確定。電壓測量單元160經由讀出線96測量跨越EL發射器50的電壓VEL
,並經由測量資料線97a發送測量電壓至處理單元190。與電壓測量同時,EL發射器50的光輸出由感測器53中的光二極體55測量。偏置電壓56(VDIODE
)經由二極體供電線57提供至光二極體55。偏置電壓56可以由傳統DAC,電壓源,或信號驅動器提供,如現有技術已知的。通過光二極體55的電流由電流測量單元165a測量,該測量單元可以包括電阻和感測放大器(圖中未示),霍爾效應感測器,或其他現有技術已知的電流測量電路。光二極體電流可以傳遞至第二電壓源150(如圖所示)或另一個接地。
測量的電流經由測量資料線97b發送至處理單元190。處理單元190在記憶體195中儲存隨時間進行的測量並追蹤隨時間的測量中的變化。上述驅動和測量的過程可重複不止一個級,通過調節控制電流源120依序提供複數個級的電流並在控制電流源120提供每一連續級電流時進行對應的電壓和光輸出測量。這得到EL發射器50在各種驅動條件下退化的表徵。光二極體55可以結合於裝置背板電子設備中,在該狀況下該二極體位於參考區域100內,或脫離裝置背板提供。
參考第6圖,在另一個實施例中,參考區域100包括具有上述驅動電晶體70和電容75的參考子像素61、以及具有與用於照明區域110(第1A圖)中的子像素60內相同的EL材料的EL發射器50。參考子像素61最好與子像素60相同,但位於參考區域100內而不是照明區域110內。參考EL子像素61可以與EL子像素60不同尺寸或形狀。第一電壓源140和第二電壓源150在參考區域100內具有如在照明區域110內的相同的電壓。閘電壓經由閘控制線35a提供至驅動電晶體70的閘從而導致電流流經EL發射器50。閘電壓還可以由源驅動器155提供,如第4圖所示。流經參考子像素的電流量由提供至驅動電晶體70的閘的信號、驅動電晶體70的特徵、電源電壓140和150、以及EL發射器50的特徵確定。流過EL發射器50的電流由電流測量單元165c測量,該單元可以包括電阻和感應放大器(圖中未示)、霍爾效應感測器、或其他現有技術已知的電流測量電路。測量的資料經由測量資料線97a發送至處理單元190。與子像素電流測量的同時,EL發射器50的光輸出由光二極體55測量。偏置電壓56(VDIODE
)經由二極體供電線57提供至感測器53中的光二極體55。通過光二極體55的電流由電流測量單元165a測量。光二極體電流可以傳遞至第二電壓源150(如圖所示)或另一個接地。
測量的電流經由測量資料線97b發送至處理單元190。處理單元190在記憶體195中儲存隨時間進行的測量並追蹤隨時間的測量中的變化。上述驅動和測量的過程可重複不止一個級,通過調節控制電流源120(第5圖)從而依序提供複數個級的電流並在控制電流源120提供每一連續級電流時進行對應的電壓和光輸出測量。這得到EL發射器50在各種驅動條件下退化的表徵以及由EL發射器50的電特性中的變化導致通過參考子像素的電流上作用效果的表徵。
根據本發明各種實施例中的退化資料和補償方法在第7圖和第8圖中顯示。
第7圖顯示了當恒定電流通過裝置驅動的時候主要EL發射器50(第1A圖)的電壓中的變化及正歸化亮度效率隨時間的變化之間關係的退化資料示例圖。對應這些資料的補償運算以第3圖的EL子像素60和偵測器250和第5圖的參考區域100實施。相似的EL發射器在不同驅動條件下驅動從而測量這些資料,並如繪圖所示,所述關係不論EL發射器如何驅動都相似。曲線720、730、740、750顯示在老化過程中不同裝置和應用的不同電流強度。根據本發明的補償運算因此在新的老化發生及一些老化已經發生的時候使用每個主要EL發射器50的測量的電壓。下面的等式用於計算任意一定時間上的正規化效率(E/E0
):
其中ΔVEL
為電壓的新值及其老化值之間的差。這個關係可以實施為等式或查詢表。函數f的示例顯示為曲線710,其為自參考EL發射器51(第1A圖)隨時間測量的曲線720,730,740,750的資料的最小二乘線性擬合。其他擬合和平滑技術現有技術中已知,如指數加權滑動平均(EWMA),可以用於自測量單元170(第2B圖)的偵測老化相關電參數和自感測器53的參考EL發射器51的偵測光輸出產生函數f。
第8圖顯示了當恒定電壓施加於驅動電晶體的閘時子像素的電流中的變化及其正規化亮度效率隨時間的變化之間關係的退化資料示例圖。對應這些資料的補償運算利用第4圖的EL子像素60和偵測器250以及第6圖的參考區域100實施。曲線820,830,840顯示老化過程中應用的不同電流密度。根據本發明的補償運算因此當新的老化出現和一些老化已經出現的時候之間,使用在子像素中的觀測到的電流變化。下面的等式用於計算任意一定時間的正規化效率(E/E0
):
其中I/I0
為涉及電流新值的正規化電流(即,任意一定時間的電流,I,除以原始電流I0
)。這個關係可採用等式或查詢表的形式。函數f的示例顯示為曲線810,其為自參考EL發射器51(第1A圖)隨時間測量的曲線820,830,840的資料的最小二乘線性擬合。
回來參考第2B圖,控制器190使用正規化效率(E/E0
)通過劃分由輸入信號命令的亮度或電流產生每個校正輸入信號。例如,如果對於對應輸入信號的主要EL發射器50,E/E0
=0.5,則說明主要EL發射器50僅發出當出現新的一定量電流時的光的一半(50%),校正輸入信號命令電流為輸入信號命令電流的兩倍(1/0.5=2)。主要EL發射器50因此在由校正輸入信號驅動時在其壽命期間保持其光輸出。
等式1和等式2的函數f解釋電壓(或電流)變化和正規化效率變化之間的關係。這些函數在一個或多個參考EL發射器51上測量。如果一個以上參考EL發射器測量,則函數f可以通過均化所有參考EL發射器51的結果計算或通過統計技術領域已知的其他方式合併計算。對於在EL裝置10上不同位置具有多個參考EL發射器51的實施例,照明區域110(第1A圖)分為複數個鄰區,每個參考EL發射器分配一個。針對每個參考EL發射器51計算另一函數f,並利用該函數計算各個鄰區中主要EL發射器50的校正輸入信號。當計算校正輸入信號的時候,所有子像素(或鄰區內的所有子像素)的函數f為相同,但每個子像素的各個ΔVEL
或ΔI/I0
輸入至函數f從而確定各個正規化效率,並因此計算校正輸入信號。
參考第9圖,顯示了寬頻(“W”)EL發射器的CIE1931x,y色度,該發射器具有標稱白發光近(0.33、0.33)。一些EL發射器隨老化改變色度(顏色)。這可能導致可見不良假像。方形,菱形,三角形和圓形標記為各種代表EL發射器在各種電流強度各種相對效率下老化的色度資料。曲線900為具有R2
=0.9859的所有資料的二次擬合。標記線910、920、930、940和950代表資料線接近所述線的近似正規化效率。近標記線910為老化之前的資料點,從而E/E0
近似為1。近標記線920 E/E0
近似為0.85,近標記線930 E/E0
近似為0.75,近標記線940 E/E0
近似為0.65,且近標記線950 E/E0
近似為0.5。為了補償這個變化,曲線900可以參量地表達為E/E0
的函數。控制器190計算或在對應每個正規化效率的表格CIE(x、y)對中查詢,並使用這個(x、y)和參考(x、y)計算對輸入信號的調節從而形成校正輸入信號。例如第9圖,
CIEx=0.0973(E/E0
)2
-0.2114(E/E0
)+0.429
CIEy=0.1427(E/E0
)2
-0.2793(E/E0
)+0.4868
分別定義了曲線900的x和y分量的二次參數擬合。立方擬合或現有技術已知的其他擬合也可以用於曲線900或其參數表達。
參考第10圖,在本發明實施例中,感測器53可以用於補償色度隨老化的變化。參考EL子像素51產生具有多個頻率的光子的光1200。感測器53回應該光1200從而提供顏色資料至控制器190。感測器53包括具有複數個彩色濾光片和複數個對應光感測器,如,光二極體的色度計。彩色濾光片1210r、1210g、1210b分別僅允許紅色、綠色和藍色光通過。光二極體55r回應通過彩色濾光片1210r的紅光,光二極體55g回應通過彩色濾光片1210g的綠光,以及光二極體55b回應通過彩色濾光片1210b的藍光。每一個產生各別的電流,該電流分別由電流測量單元165r、165g、165b測量,且所有三個電流皆回報至控制器190。偏置電壓56(VDIODE
)提供至全部三個光二極體55r、55g、55b,並且光二極體電流可以傳遞至第二電壓源150(如圖所示)或至另一個接地,如上所述。不同的偏置電壓可以用在每個光二極體。光二極體的數量可以為兩個或更多,且經濾光片的顏色可以為R、G、B;C、M、Y;或沒有兩個濾光片通帶實質上交疊情況下的任意其他組合。
感測器53還可以包括三原色色度計,其中彩色濾光片1210r、1210g、1210b僅允許分別匹配CIE1931(λ),(λ),和(λ)顏色匹配函數(CIE15:2004,段7.1)的光通過。或者,感測器53可以為分光光度計或光譜儀,如現有技術已知,使用光柵感測器和線性感測器或一個或更多光感測器測量跨越波長(如360nm至830nm)範圍的光強度,或其他已知顏色感測器或色度計。針對分光光度計或光譜儀、控制器190、或感測器53中另外的控制器,藉由將每點測量的資料與在對應波長計算的適當顏色匹配函數相乘並將乘積在所有波長積分(CIE15:2004方程式7.1)從而計算三色值。
每個彩色濾光片可以為顏色光阻(如,富士彩色馬賽克CBV藍色顏色光阻),或具有色素(如,可用於綠色濾光片的黃傳遞色素的克萊恩PY74或BASF Palitol(R)黃色L 0962 HD PY138,或凸版色素)的光阻(如,羅門哈斯&哈斯MEGAPOSITSPR 955-CM通用目的光阻)。每個彩色濾光片具有傳遞光譜,其可以使用CIE 1931 x、y色度座標表達。
控制器190自每個光二極體55r、55g、55b的感測器53接收顏色資料並將資料轉換為參考EL發射器51的色度座標。例如,使用具有匹配所述sRGB標準(IEC 61966-2-1:1999+A1)的色度的紅色、綠色和藍色彩色濾光片,即分別(0.64、0.33),(0.3、0.6),(0.15、0.06),線性(關於亮度)光二極體資料R、G、B可以根據等式3(sRGB段5.2,等式7)轉換成CIE三色值X、Y、Z:
色度座標x、y僅為可以根據CIE 15:2004(第三版)等式7.3,給出等式4:
這些色度座標可以相關正規化效率,如第9圖上,或者直接使用適當的函數f相關ΔVEL
或I/I0
。控制器190進而可以調節每個輸入信號補償。例如,在EL裝置中使用W發射器和彩色濾光片形成紅色,綠色和藍色子像素,如果y座標隨時間增加,則綠色子像素的亮度將提高且紅色和藍色子像素的亮度下降。控制器190進而可以通過減少對應校正輸入信號的綠色子像素而減少綠色子像素的命令亮度,並通過增加對應校正輸入信號的紅色和藍色子像素而增加紅色和藍色子像素的命令亮度,從而補償y座標中的改變。
通過使用參考區域中測量的退化資料和當將校正輸入信號252(第2B圖)施加於主要EL發射器50時自每個主要EL發射器50的老化相關電參數測量,對每個主要EL發射器50老化所造成的色度變化進行補償。EL裝置10上的EL子像素60組為具有如紅色、綠色和藍色子像素或紅色、綠色藍色和寬頻(“W”,如白色或黃色)子像素的像素65(第1A圖)。後一種佈置的像素65稱作“RGBW”像素。
第11圖顯示了本發明實施例中通過EL裝置10的元件的資料的流程圖示。在第11圖上,實心箭頭和堆疊矩形代表多個值。在這個實施例中,控制器適於形成補償各個主要EL發射器50由於老化導致的色度變化的校正輸入信號252。
複數個輸入信號251,一個信號用於每個主要EL發射器50,由影像處理電子設備或現有技術已知的其他結構提供。如第1A圖所示,每個主要EL發射器50在對應像素65中的各個EL子像素60中。控制器190自複數個輸入信號251形成各個校正輸入信號252從而補償主要EL發射器50老化導致的色度變化,如上所述。例如,全部四個輸入信號(R,G,B,W)可以用於產生每個校正輸入信號252,從而允許上述調節。可選地,對於R、G和BEL子像素60,各個輸入信號251可以伴隨W輸入信號251使用從而產生校正輸入信號252。
校正輸入信號252提供至EL子像素60(第1A圖)中的各個主要EL發射器50從而導致EL發射器50對應各個校正輸入信號發光。EL裝置10也可以包括上述記憶體195。
控制器190使用參考區域100中測量單元170偵測的參考EL發射器51(第1圖)的老化相關電參數,以及經感測器53偵測的自參考EL發射器51的光,如上所述。控制器還可使用,對於每個主要EL發射器50,經一個或更多的偵測器250所測量之自主要EL發射器50的老化相關電參數的各個測量,如上所述。自一個參考EL發射器51的色度退化資料從而使用補償多個主要EL發射器50的老化。
在最佳實施例中,本發明應用在包括有機發光二極體(OLED)的裝置中,該OLED由如Tang等人之美國專利第4,769,292號和VanSlyke等人之美國專利第5,061,569號揭露的小分子或聚合OLED,但不侷限於此。有機發光材料的很多組合和變形可以用於製造這種裝置。參考第1A圖,當主要EL發射器50為OLED發射器的時候,EL子像素60為OLED子像素,並且EL裝置10為OLED裝置。在這個實施例中,參考EL發射器51也為OLED發射器。
電晶體70、80和90可以為非晶矽(a-Si)電晶體、低溫多晶矽(LTPS)電晶體、氧化鋅電晶體、或其他現有技術已知的電晶體。它們可以為N通道、P通道、或任意組合。所述OLED可以為非倒置結構(如圖所示)或EL發射器50在第一電壓源140和驅動電晶體70之間連接的倒置結構。
本發明已經利用其一些最佳實施例作為特定參考詳細描述,但可以理解地是變形和改進可以在本發明精神和範圍內有效。
10...EL裝置
13...閘驅動器
15、15a、15b、15c...參考驅動電路
20...選擇線
30...讀出線
35...資料線
35a...閘控制線
50...主EL發射器
51、51a、51b、51c...參考EL發射器
53、53a、53b、53c...感測器
55、55r、55g、55b...光二極體
56...偏置電壓
57...二極體供電線
58...溫度測量單元
60、61...EL子像素
65...像素
70...驅動電晶體
75...電容
80...讀出電晶體
90...選擇電晶體
95...控制線
96...讀出線
97a、97b...測量資料線
100、100a、100c、110...照明區域
120...控制電流源
140...第一電壓源
150...第二電壓源
155...源驅動器
160、165a、165b、165c、165r、165g...電流測量單元
170、170a、170b、170c...測量單元
190...控制器
192...計時器
195...記憶體
250...偵測器
251...輸入信號
252...校正輸入信號
710、720、730、740、750...曲線
810、820、830、840、900...曲線
910、920、930、940、950...標記線
1000a、1000b、1000c...運算曲線
1010...退化曲線
1200...光
1210b、1210g、1210r...彩色濾光片
所附圖式其中提供關於本發明實施例的進一步理解並且結合與構成本說明書的一部份,說明本發明的實施例並且描述一同提供對於本發明實施例之原則的解釋。
圖式中:
第1A圖為可用在本發明實踐中的電致發光(EL)裝置的實施例的示意圖;
第1B圖為可用在本發明實踐中的EL裝置的另一實施例的示意圖;
第2A圖為顯示歸光輸出與時間關係的EL發射器老化的圖表;
第2B圖為本發明實施例中資料流程動圖示
第3圖為可用在本發明實踐中的照明區域內的EL子像素及關聯電路的實施例示意圖;
第4圖為可用在本發明實踐中的照明區域內的EL子像素及關聯電路的另一實施例示意圖;
第5圖為可用在本發明實踐中的參考區域的一個實施例的示意圖;
第6圖為可用在本發明實踐中的參考區域的另一實施例的示意圖;
第7圖為顯示EL效率和EL電壓變化之間代表關係的圖示;
第8圖為顯示EL效率和EL子像素電流變化之間代表關係的圖示;
第9圖為顯示EL效率和EL發射器色度之間代表關係的圖示;
第10圖為可用在本發明實踐中參考區域的實施例的示意圖;以及
第11圖為本發明實施例中資料流程動圖示。
10...EL裝置
13...閘驅動器
15...參考驅動電路
20...選擇線
35...資料線
50...主EL發射器
51...參考EL發射器
53...感測器
60...EL子像素
65...像素
70...驅動電晶體
90...選擇電晶體
100...參考區域
110...照明區域
140...第一電壓源
150...第二電壓源
155...源驅動器
170...測量單元
190...控制器
192...計時器
Claims (18)
- 一種電致發光(EL)裝置,包括:一照明區域,具有一個或更多個主電致發光發射器;一參考區域,具有一參考電致發光發射器;一參考驅動電路,用於當該電致發光裝置啟動時促使該參考電致發光發射器發光;一感測器,用於偵測由該參考電致發光發射器發出的光;一測量單元,用於偵測當該參考電致發光發射器發光時的一老化相關電參數;以及一控制器,用於接收該照明區域內的每個主發射器的一輸入信號,使用該偵測的光和該老化相關電參數自每個輸入信號形成一校正輸入信號,並將該校正輸入信號施加於該照明區域內的各個主電致發光發射器,其中該參考驅動電路促使該參考電致發光發射器於不同時間在一測量級和一退化級兩個級發光,且其中該參考電致發光發射器的測量在其以該測量級發光時進行。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中該控制器適於形成補償該各個主電致發光發射器的損失效率的校正輸入信號。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中該感測器包括為該控制器提供顏色資料的一色度計、一分光光度計或一光譜儀,且其中該控制器適於形成補償該各個主要電致發光發射器由於老化導致的色度變化的校正輸入信號。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中,該參考區域具有複數個參考電致發光發射器、促使該各個參考電致發光發射器發光的複數個對應參考驅動電路、用於偵測由該各個參考電致發光發射器發出的光的複數個對應感測器、以及用於偵測該各個參考電致發光發射器在發光時的各個老化相關電參數的複數個對應測量單元,其中該控制器使用複數個偵測的光和老化相關電參數中的一個或更多個以自每個輸入信號形成一校正輸入信號。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,進一步包括一溫度測量單元,用於測量與該參考電致發光發射器在其發光時的溫度有關的一溫度參 數,且其中該控制器使用測量的溫度參數形成該校正輸入信號。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中該退化級大於該測量級。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中每個輸入信號控制對應主要電致發光發射器的各個發光級,且其中該退化級大於各個發射級的最大值。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,進一步包括一記憶體,用於儲存偵測的光測量和對應老化相關電參數測量,且其中該控制器使用在該記憶體中儲存的值以形成該等校正輸入信號。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中該參考驅動電路促使該參考電致發光發射器在複數個測量級連續發光,且其中該參考電致發光發射器的各個測量在其以每個測量級發光時進行。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中該參考電致發光發射器和所有主要電致發光發射器相同。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中該參考驅動電路為該參考電致發光發射器提供一測試電流從而促使其發光。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,進一步包括一計時器,其在該電致發光裝置啟動時運行,且其中該參考電致發光發射器的測量由該計時器確定的時間間隔進行。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中該參考電致發光發射器的測量在該電致發光裝置處於熱平衡時進行。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中該參考電致發光發射器的測量在該電致發光裝置啟動時進行。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,進一步包括具有一第二參考電致發光發射器的一第二參考區域。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中該電致發光裝置為一電致發光顯示器。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中該老化相關電參數為一電壓或一電流。
- 如申請專利範圍第1項所述之電致發光裝置,其中每個主要電致發光發 射器和參考電致發光發射器為一有機發光二極體發射器。
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