TWI442297B - 電容式觸控面板 - Google Patents

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Description

電容式觸控面板
本發明係主張關於2009年12月01日申請之韓國專利案號10-2009-0118068之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
本發明係關於一種電容式觸控面板，特別是一種電容式觸控面板配置多個光學層於一透明電極上，每一光學層具有不同的折射係數(refractive index)以減少透明電極的反射率(reflexibility)和一基板的反射率，藉此改善透明可見電極現象(transparent electrode-visible phenomenon)。
觸控面板大部份可依照觸控面板的操作方法歸類為電阻膜法、電容式法、投射式電容法、感應式法、以及表面聲波法(surface acoustic wave method)。電阻膜法使用類比電阻膜法作為X-Y座標的偵測準則，以及使用一般偵測法作為偵測輸入點的座標。電阻膜觸控面板具有低成本與尺寸上的優勢，但卻有因長期使用下，物性接觸造成表面損壞的缺點。
相對的，電容式觸控面板法為一種技術當偵測到一傳導體接觸或接近一電極板，因電容值(capacitance)的改變而產生一切換訊號。因此，電容式觸控面板近來已被廣泛發展作為一輔助物以克服傳統電阻膜法的缺點。
也就是說，電容式觸控面板偵測透明傳導膜和接觸該透明傳導膜的觸控筆所產生的電荷(electric charge)。電容式觸控面板依照透明傳導膜和觸控筆間產生的電荷為基準計算出座標值。但是，為產生電荷，用於電容式觸控面板的觸控筆需要一獨立電源。因此，通常以電阻膜觸控面板來取代電容式觸控面板作為輸入裝置。
然而，電容式觸控面板因再撓性(reflexibility)(介於透明電極圖案形成的區域與未形成透明電極圖案的區域之間)的不同而產生所謂的”氧化銦錫(ITO)圖案可見(或可視)現象”，因而造成觸控面板外觀不佳的缺點。
因上述缺點而創造出本發明，而本發明之主要目的在於提供一種電容式觸控面板配置多個光學層在一透明電極上，每一光學層具有不同的折射係數以減少透明電極的反射率和一基板的反射率，藉此改善透明可見電極現象。
在本發明的一考量面提供一種電容式觸控面板，該面板包括一基板；一透明電極形成在一基板的部份區域；以及一光學層以覆蓋(overspreading or blanketing)方式形成在形成有該透明電極的該基板上，其中該光學層具有與該透明電極不同的折射係數(refractive index)。
在本發明的一些實施例中，電容式觸控面板更包括一下塗覆層(under-coating layer)介於該基板和該透明電極之間，其中該下塗覆層在該基板上，該層具有高於該基板的折射係數，但 小於該透明電極的折射係數。
在本發明的一些實施例中，該光學層係可選自由氧化鋁(aluminum oxide)、二氧化矽(SiO2)、氧化鋅(zinc oxide)、或其混合物(mixture)所組成的群組。
該光學層具有大致上均勻厚度在該透明電極之一側表面上以及在該透明電極之一上表面上。
在本發明的另一考量面提供一電容式觸控面板，該面板包括一基板；一透明電極形成在一基板的部份區域；以及一光學層形成在該基板和該透明電極之間，該光學層具有不同於該基板的折射係數。
在本發明的部份實施例中，該光學層係可選自由氧化鋁(aluminum oxide)、二氧化矽(SiO2)、氧化鋅(zinc oxide)、或其混合物(mixture)所組成的群組。
本發明之電容式觸控面板因有如此的配置而得以改善透明電極可見現象以減少缺陷及得到美麗的外觀。
本發明之其他優點、目的、和特徵將於下文中詳細說明，使熟知此技藝者能在審視說明或從說明中的範例使得本發明明顯易知。本發明的其他目的和優點將可從描述的說明結構、權利宣告範圍以及圖示中得以實現或獲得。
應被理解的是前述的概要說明和後續的詳細描述僅為範例說明及作為解釋以作為權利宣告進一步的描述解釋。
本發明可被修改成各種實施例，而特定的實施例將伴隨圖示進行說明。應被理解的是，實施例並非用以限定本發明，且任何屬於本發明精神下的修改、等效、以及替代均包含在本發明。
應被理解的是，雖然第一、第二、第三等的名稱被使用來描述各種元件、零件、區域、層及/或區段，但這些元件、零件、區域、層及/或區段不應被名稱所限制。這些名稱僅是用來區別一元件、零件、區域、層或區段與其他的元件、零件、區域、層或區段。因此，以下所描述的一第一元件、零件、區域、層或區段亦可被稱為一第二元件、零件、區域、層或區段而不違背本發明所揭露。
如果提及一元件”連接到”或”結合到”另一元件時，應被理解該元件可直接連接到或結合到另一元件或者另有一元件插入於其中。相反地，如果提及一元件是”直接連接到”或”直接結合到”另一元件時，應被理解未有另有一元件插入於其中。
在此所使用的術語僅為用來描述特定實施例之目的故不應被用來限制本發明。如使用的單數型形式的”一”、”該”應同時包含複數型形式，除非文有內清楚說明。在圖示中，建構元件的尺寸與形狀為了能被清楚說明，可被誇大或縮減，而相同的元件符號在全文中代表相同元件。
圖1為根據本發明第一實施例之觸控面板的剖視圖。圖2為根據本發明一實施例之不同光學層材料下的反射率差異示圖。而圖3為根據本發明一實施例之以堆疊圖案形成有光學層 的觸控面板的剖視圖。
根據本發明的電容式觸控面板包括：一基板100；一透明電極300形成在基板100的一部份區域；以及一光學層400形成在形成有該透明電極的該基板和該基板的其餘部份上。
基板100可包括玻璃(glass)和其他各種塑膠材料包含但不限定於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、丙烯酸酯(acrylic)、聚碳酸酯(polycarbonate)、以及透明傳導氧化物，例如摻雜氧化錫(doped tin oxide)。基板100可具有厚度介於20~500μm，且藉由一支撐物所貼附以確保其剛性(stiffness)。基板100可形成有一下塗覆層200其可包括如SiO2、TiO2以及氧化錫(stannic oxide)的材料。
透明電極300形成在基板100上，可包括氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化錫銻(tin antimony oxide；TAO)以及透明傳導氧化物(transparent conductive oxides)例如摻雜氧化錫(doped tin oxides)，其可使用物理氣相沉積法(PVD engineering methods)例如濺鍍(sputtering)、電阻蒸鍍(resistance evaporation)、電子束蒸鍍(electronic beam evaporation)、以及離子電鍍法(ion plating method)而被蒸鍍在基板100上、或使用化學氣相沉積(CVD engineering method)和印刷法(printing method)。
雖然未繪示於圖示上，透明電極300的一上邊限(margin)可形成有一線路圖案(未繪示)其由傳導金屬所組成。該線路圖案可排列在透明電極300的邊限區域以提供電壓到透明電極 300。該線路圖案可使用例如銀膠(Ag paste)的傳導材料，舉例而言，該線路圖案可連接到一驅動整合線路晶片(driving integrated circuit chip)(未繪示)以接收一電力。
舉例而言，透明電極300可採用菱形(lozenge)或矩形(rectangle)的一預定圖案在基板100上。然而，該圖案並非限定於此，其可採用其它任意的形狀。舉例而言，透明電極可以預定的厚度塗覆在基板100上，並根據圖案而從基板100移除。為了移除該些部份，可利用包括微影蝕刻(photolithography)、雷射剝蝕(laser ablation)、蝕刻和圖案剝離(patterned lift-off)的各種技術。
因此，基板100形成有一塗覆透明電極300的區域及一暴露出該基板的暴露區。而為方便起見，被透明電極300塗覆的區域定義為”第一區域(A)”而該暴露區定義為”第二區域(B)”。
基於透明電極300和基板100或下塗覆層200的折射係數差異，第一和第二區段(A,B)可產生對可見光反射的不同反射率(reflectivity)。
光學層400形成來克服反射率的差異。光學層400可選自由氧化鋁(aluminum oxide)、氧化矽(silicon oxide)、氧化鋅(zinc oxide)、或tin oxide-oxide hafnium系列、silicon oxide-silicon oxide系列、zinc oxide-titan oxide系列材料所組成的群組。
更精確的說，光學層400以相同厚度蒸鍍在第一區域(A)和第二區域(B)上，其中該蒸鍍法包括所有的蒸鍍法。舉例而 言，光學層400可使用例如濺鍍(sputtering)、電阻蒸鍍(resistance evaporation)、以及電子束蒸鍍(electronic beam evaporation)法。
光學層可依據所使用的材料而形成有不同的厚度。參閱圖2，應注意的是反當氧化鋁的折射係數是1.63而蒸鍍厚度是接近40~60nm與純粹(bare)ITO的穿透率(transmittance)較為不顯著時，折射率(reflectivity)的差異變最小。
應注意的是當氧化鋅的折射係數是2.025而蒸鍍厚度是接近40~50nm時，與純粹ITO穿透率(transmittance)的差異是減少的。再者，當透明電極300的厚度是少於25nm時，從第一和第二區域(A,B)反射的光的折射率差異的絕對值可減少到少於0.5，即使是氧化鋅的厚度少於40nm。
當為氧化鈦(titan oxide)時，如果蒸鍍後的厚度為10~30nm小於氧化鋁(aluminum oxide)或氧化鋅(zinc oxide)的厚度時，值得注意的是純粹(bare)ITO和穿透率的差異得以降低。再者，在一情況下光學層400形成在第一和第二區域(A,B)，從第一區域(A)和第二區域(B)反射的外部光的波長變為相互干擾抵消波長(interference-offsetting wavelength)，因此透明電極300的圖案是不容易從外部被看見的，因而有利於改善可見性問題。
參閱圖3，一光學層500可在一堆疊形態上形成有一第一層510，具有一第一折射係數以及一第二層520，在第一層上，具有一第二折射係數，且具有相對高於第一層510的第一折射 係數。此時，第二層520可包括蒸鍍厚度為10~50nm的矽石氧化膜(silicon stone oxide film)，而第一層510可包括蒸鍍厚度為50~100nm的氧化矽膜(oxide silicon film)。
如此結構的配置可創造出限制可見光在入射至觸控面板內部時，在同時穿越每一層具有不同折射係數的多層膜時，多達一半的反射效果。
圖4為根據本發明另一實施例的電容式觸控面板的剖視圖。
根據本發明另一實施例的電容式觸控面板可包括一基板100；一透明電極300形成在一基板的部份區域；以及一光學層600形成在基板100和透明電極300之間，該層具有不同於基板100的折射係數。
光學層600蒸鍍在第一區域(A)及具有均勻厚度，其中蒸鍍法可包括一般的蒸鍍法，其包含但不限定於濺鍍法、電阻蒸鍍和電子束蒸鍍法。光學層600形成在透明電極300和基板100之間，其中透明電極300經塗覆和蝕刻以形成預定圖案後被塗佈到光學層600。
然而，所述之配置並不限定於此。舉例而言，光學層600可形成在透明電極300的上表面上。依據這些配置，透明電極300的厚度和第一區域(A)的光學層600可提供一防止反射特徵，因此可見光從第一區域(A)和第二區域(B)的反射變得相同。
再者，塗佈在第一區域(A)的光學層600使用光干擾 (optical interference)以允許從光學層600的表面反射光及表面活性物質(Surfactant)反射光的相位(phases)反向(reverse)。因此，重疊的波長將干擾抵消以減少反射光。此時，下列公式必須得到滿足。
【公式1】(n1 )2 =n。*n2
【公式2】n1 *d1 =λ/4
其中n為一薄膜折射係數，d1 為一薄膜厚度而d1 為基板(100)的折射係數。
如果符合上述狀況，從光學層600反射的光的波長和從透明電極300反射的光的波長產生一λ/4相位差，藉此產生干擾使反射為0百分比。因此，光學層600的厚度可調整到符合公式1和2的狀況，藉此透明電極300的圖案將無法外部看見。
雖然本發明以示範實施例方式進行說明，本發明揭露的實施例所考量的方面僅為例證，且並非用以限定本發明。雖然較佳實施例被揭露用來描述本發明，但應理解，熟習此項技術者可想出落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例之可能。
100‧‧‧基板
200‧‧‧下塗覆層
300‧‧‧透明電極
400‧‧‧光學層
500‧‧‧光學層
510‧‧‧第一層
520‧‧‧第二層
60‧‧‧光學層
R1‧‧‧折射係數
R2‧‧‧折射係數
A‧‧‧第一區域
B‧‧‧第二區域
作為提供進一步了解以及構成本發明之附圖繪示出本發明之實施例及作為解釋本發明之原理。在圖示中：圖1為根據本發明第一實施例之觸控面板的剖視圖； 圖2為根據本發明一實施例之不同光學層材料下的反射率(reflectivity)差異示圖；圖3為根據本發明一實施例之以堆疊圖案形成有光學層的觸控面板的剖視圖；以及圖4為根據本發明另一實施例之電容式觸控面板的剖視圖。
100．．．基板
200．．．下塗覆層
300．．．透明電極
400．．．光學層
R1．．．折射係數
R2．．．折射係數
A．．．第一區域
B．．．第二區域

Claims (11)

  1. 一種電容式觸控面板，該面板包括：一基板；一透明電極在該基板的一部份上；以及一光學層在該基板與該透明電上，該光學層具有與該透明電極不同的折射係數，其中，具有大致均勻的該光學層厚度在形成有該透明電極之一第一區域與在沒有形成該透明電極之一第二區域之上。
  2. 如申請權利範圍第1項所述之電容式觸控面板，更包括一下塗覆層在該基板上，該下塗覆層具有高於該基板的折射係數，但小於該透明電極的折射係數。
  3. 如申請權利範圍第1項所述之電容式觸控面板，該光學層包括氧化鋁(aluminum oxide)、二氧化矽(SiO2)、氧化鋅(zinc oxide)、及其混合物(mixture)其中任一者。
  4. 如申請權利範圍第1項所述之電容式觸控面板，其中具有該大致均勻厚度該光學層在該透明電極之一側表面上以及在該透明電極之一上表面上。
  5. 如申請權利範圍第1項所述之電容式觸控面板，其中該光學層包括：一第一層，具有一第一折射係數；以及一第二層，在該第一層上，該第二層具有不同於該第一折 射係數之一第二折射係數。
  6. 如申請權利範圍第5項所述之電容式觸控面板，其中該第二折射係數相對地高於該第一折射係數。
  7. 如申請權利範圍第5項所述之電容式觸控面板，其中該第一層包括一具有厚度50至100nm之氧化矽膜。
  8. 如申請權利範圍第5項所述之電容式觸控面板，其中該第二層包括一具有厚度10至50nm之矽石氧化膜。
  9. 如申請權利範圍第1項所述之電容式觸控面板，其中該光學層之該折射係數是不同於該基板的折射係數。
  10. 一種電容式觸控面板，該面板包括：一基板；一透明電極，在該基板之一部份上；以及一光學層，在該基板與該透明電極上，該光學層具有一折射係數不同於該透明電極之該折射係數，具有大致均勻厚度的該光學層在形成有該透明電極之一第一區域與在沒有形成該透明電極之一第二區域之上，並且包括氧化鋁(aluminum oxide)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鈦(titan oxide)其中任一者，其中：當該光學層包括氧化鋁時，該光學層之該厚度是在40至60nm的範圍內，當該光學層包括氧化鋅時，該光學層之該厚度是在40至50nm的範圍內，或 當該光學層包括氧化鈦時，該光學層之該厚度是在10至30nm的範圍內。
  11. 如申請權利範圍第10項所述之電容式觸控面板，其中具有該大致均勻厚度的該光學層在該透明電極之一側表面上以及在該透明電極之一上表面上。
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