TWI439814B - A mounting apparatus, an exposure apparatus, and an element manufacturing method - Google Patents

Description

載台裝置、曝光裝置及元件製造方法

本發明係關於載台裝置、以及使用該載台裝置之曝光裝置，詳細而言，係關於製造半導體元件(積體電路)、液晶顯示元件等之電子元件時，微影程序中使用之曝光裝置。

本案依據2006年6月12日提出申請之日本特願2006－162252號而主張優先權，並援用其內容。

以往，製造半導體元件(積體電路等)、液晶顯示元件等之電子元件的微影程序，係使用投影曝光裝置。主要使用將光罩(或標線片)之圖案影像轉印於塗布感光劑之晶圓或玻璃板等感光性基板上的複數照射區域之步進及重複方式的縮小投影曝光裝置(亦即步進機)，及步進及掃描方式之投影曝光裝置(亦即掃描步進機(亦稱為掃描器))等。

投影曝光裝置為了提高生產性，需要非常快速地移動載台上的台，而謀求驅動台之線性馬達體積增大。但是，線性馬達體積愈大，耗電及製造成本愈增加。

另外，伴隨積體電路高度積體而圖案趨於微細，逐年要求更高之解析力(解析度)，因而，曝光之光逐漸縮短波長及投影光學系統之數值孔徑(NA)逐漸增大。如此，雖使投影曝光裝置之解析力提高，但是，相反的導致焦點深度趨於狹小，台之高度(焦點深度方向)的調整困難。此外，還需要非常快速地移動台，及高精度地調整台移動方向之位置。

此等解決方案之一，係移動物體之台的重量減輕。減輕台之重量時，容易高速且高精度地移動台。因而，係使用重量輕且剛性高之陶瓷製的台。但是，由於台之晶圓或玻璃板等的感光性基板趨於大型，因此台之重量減輕亦極為困難。

[專利文獻1]日本特開2004－128308號公報

經由投影光學系統而轉印曝光於晶圓或玻璃板等感光性基板時，需要量測能量光束(曝光之光)之光量、及光束的光量不均一等。因而，在台上面安裝有各種感測器及其附帶的零件。此外，亦安裝有用於確認投影光學系統與台之位置關係的感測器及其附帶的零件等。此等感測器類的存在，亦成為妨礙台重量減輕及體積縮小的原因。

本發明之目的為提出一種可減輕保持基板且移動之台的重量之載台裝置、曝光裝置及元件製造方法。

本發明之載台裝置、曝光裝置及元件製造方法，係採用實施例所示之對應於各圖式的以下結構。但是，附加於各元件之帶括弧的符號，只不過是其元件之例示，而並非限定各元件。

本發明之第一實施例提供一種載台裝置，其具備：基座部(63)；第一移動構件(62)，其係對基座部可移動；第二移動構件(61)，其係保持物體(W)，並且對第一移動構件可移動；及計測裝置(100、120)，其係其至少一部分設置於第一移動構件，且計測照射於物體之能量光束(EL)的特性。

採用該第一實施例時，由於可達到第二移動構件之重量減輕及體積縮小，因此可實現第二移動構件之高速且高精度的移動。

本發明之第二實施例提供一種曝光裝置(EX)，係在保持於基板載台(WST)上之基板(W)上形成特定之影像，且使用第一實施例之載台裝置作為基板載台。採用該第二實施例時，可提高曝光裝置之生產性(通量)。

本發明之第三實施例提供一種元件製造方法，係包含微影程序，且在前述微影程序中使用第二形態之曝光裝置(EX)。採用該發明時，可高效率地製造高性能之元件。

採用本發明之各種實施例，因為計測裝置設置於第一移動構件，所以可使第二移動構件重量減輕或體積縮小，並可高精度且高速地移動第二移動構件。

因此，由於謀求曝光裝置之高通量化，所以可製造高性能且廉價之元件。

以下，參照圖式說明本發明之載台裝置、曝光裝置及元件製造方法的實施例。

第一圖係顯示本發明實施例之曝光裝置EX的概略結構圖。

曝光裝置EX係在一維方向同步移動標線片R與晶圓W，並經由投影光學系統PL，而將形成於標線片R之圖案PA轉印於晶圓W上之各照射區域的步進及掃描方向之掃描型曝光裝置，亦即係所謂掃描步進機。

曝光裝置EX具備：藉由曝光之光EL而照明標線片R之照明光學系統IL；保持標線片R而可移動之標線片載台RST；將自標線片R射出之曝光之光EL投射於晶圓W上的投影光學系統PL；經由晶圓固定器WH保持晶圓W而可移動之晶圓載台WST；及統籌控制曝光裝置EX之控制裝置CONT等。

另外，以下之說明中，將與投影光學系統PL之光軸AX平行的方向作為Z軸方向，將在垂直於Z軸方向之平面內，標線片R與晶圓W之同步移動方向(掃描方向)作為X軸方向，將垂直於Z軸方向及X軸方向之方向(非掃描方向)作為Y軸方向。此外，將X軸、Y軸及Z軸周圍之旋轉(傾斜)方向，分別作為θX、θY及θZ方向。

照明光學系統IL係以曝光之光EL照明被標線片載台RST支撐之標線片R。照明光學系統IL具備：射出曝光之光EL之曝光用光源、將自曝光用光源射出之曝光之光EL的照度予以均一化之光學積分器、將來自光學積分器之曝光之光EL予以聚光的聚光透鏡、中繼透鏡系統、及將曝光之光EL在標線片R上之照明區域設定成細縫狀的可變視野光圈等(圖上均未顯示)。標線片R上之特定照明區域藉由照明光學系統IL以均一之照度分布的曝光之光EL來照明。

自照明光學系統IL射出之曝光之光EL，如使用自水銀燈射出之紫外線區域之亮線(g線、h線、i線)及氟化氪(KrF)準分子雷射光(波長248nm)等之遠紫外光(DUV光)，或氟化氬(ArF)準分子雷射光(波長193nm)及氟(F₂ )雷射光(波長157nm)等之真空紫外光(VUV光)等。

標線片載台RST保持標線片R而可移動，且藉由標線片固定器RH真空吸附標線片R而保持。

標線片載台RST在垂直於投影光學系統PL之光軸AX的平面內，亦即在XY平面內可二維移動，及可在θZ方向上微小旋轉。

標線片載台RST藉由線性馬達等標線片載台驅動部RSTD來驅動。標線片載台驅動部RSTD藉由控制裝置CONT來控制。

另外，就標線片固定器RH之詳細結構於後述。

在標線片載台RST上設有移動鏡51。在與移動鏡51相對之位置設有雷射干擾儀52。標線片載台RST上之標線片R的二維方向(XY方向)的位置及θZ方向之旋轉角(有時亦包含θX及θY方向之旋轉角)，藉由雷射干擾儀52實時計測。雷射干擾儀52之計測結果輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT依據雷射干擾儀52之計測結果，驅動標線片載台驅動部RSTD，以控制被標線片載台RST支撐之標線片R的位置。

投影光學系統PL以特定之投影倍率β，將標線片R之圖案投影曝光於晶圓W上。投影光學系統PL由包含設於晶圓W側之頂端部的光學元件之複數光學元件而構成。此等光學元件以鏡筒PK支撐。投影光學系統PL係投影倍率β如為1/4、1/5或1/8之縮小系統。

另外，投影光學系統PL亦可為縮小系統、等倍系統或放大系統。投影光學系統PL之頂端部的光學元件設計成可對鏡筒PK拆裝(更換)。

晶圓載台WST係支撐晶圓W而移動者，且具備：微動台61、粗動台62與晶圓平台63等。微動台61經由晶圓固定器WH而保持晶圓W，並對粗動台62(或晶圓平台63)，可在X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、θX方向、θY方向及θZ方向的6個自由度方向上微小驅動。粗動台62支撐(概略支撐於Z軸方向)微動台61，且可在Y軸方向、X軸方向及θZ方向的3個自由度方向上移動。晶圓平台63在XY平面內可移動地支撐粗動台62。

晶圓載台WST藉由線性馬達等之晶圓載台驅動部WSTD(X軸線性馬達70、Y軸線性馬達80等，參照第二圖)來驅動。晶圓載台驅動部WSTD藉由控制裝置CONT來控制。藉由驅動粗動台62，而控制晶圓W在XY方向上之位置(與投影光學系統PL之像面實質地平行方向的位置)。再者，藉由驅動微動台61，而高精度地控制微動台61上之被晶圓固定器WH保持的晶圓W在X軸方向、Y軸方向、Z軸方向(聚焦位置)、θX方向、θY方向及θZ方向上的位置。

在晶圓載台WST(微動台61)上設有移動鏡53。在與移動鏡53相對之位置設有雷射干擾儀54。晶圓載台WST上之晶圓W在二維方向上的位置及旋轉角藉由雷射干擾儀54實時計測，計測結果輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT依據雷射干擾儀54之計測結果，經由晶圓載台驅動部WSTD來驅動晶圓載台WST，以進行被晶圓載台WST支撐之晶圓W在X軸、Y軸方向及θZ方向的定位。

此外，曝光裝置EX具備聚焦檢測系統56，其係檢測晶圓W表面對投影光學系統PL之像面的位置(聚焦位置)。聚焦檢測系統如美國專利第6,608,681號等所揭示，係在其複數計測點分別計測基板在Z軸方向之位置資訊，以檢測基板之面位置資訊者。本實施例中，聚焦檢測系統56具備：投光部56A，其係對晶圓W表面，自斜方向投射檢測光；及受光部56B，其係接收被晶圓W表面反射之檢測光(反射光)。

受光部56B之受光結果輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT依據聚焦檢測系統56之檢測結果，經由晶圓載台驅動部WSTD來驅動晶圓載台WST(微動台61)，而將晶圓W表面之位置收在投影光學系統PL之焦點深度內。亦即，微動台61控制晶圓W之聚焦位置及傾斜角，以自動聚焦方式及自動調平方式，而將晶圓W之表面併入投影光學系統PL之像面。

其次，說明晶圓載台WST之詳細結構。

第二圖係顯示晶圓載台WST之結構的立體圖。

晶圓載台WST具備：晶圓平台63，其係設於框架鑄件FC(frame caster)上；晶圓載台WST，其係配置於晶圓平台63之上方，並且沿著晶圓平台63之上面63A而移動；雷射干擾儀54，其係檢測此等晶圓載台WST之位置；及驅動晶圓載台WST之X軸線性馬達70、Y軸線性馬達80(參照第一圖中之晶圓載台驅動部WSTD)。

框架鑄件FC係形成概略平板狀之構件，且經由圖上未顯示之除震單元而放置於地板上。在框架鑄件FC之上面，藉由圖上未顯示之氣體靜壓軸承(如氣體軸承)，並經由特定之游隙而浮起支撐晶圓平台63。使晶圓平台63浮起，係為了藉由晶圓載台WST之移動而產生的反作用力，晶圓平台63作為反物質(counter mass)而在相反方向上移動，該反作用力藉由動量守恆法則而抵銷。

晶圓平台63之上面63A加工成具有非常高之平坦度，作為晶圓載台WST沿著XY平面移動時的導引面。

晶圓載台WST具備：配置於晶圓平台63上之粗動台62，及經由圖上未顯示之6個自由度微動機構而搭載於粗動台62上的微動台61。6個自由度微動機構實際上包含在粗動台62上，於數個部位支撐微動台61的致動器90等而構成(參照第四圖)。致動器90如宜使用音圈馬達等。藉由控制裝置CONT控制致動器90，而使微動台61在X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、θX方向、θY方向及－θZ方向之6個自由度方向上微小移動。

粗動台62為剖面矩形框狀，且藉由延伸於X軸方向的中空構件而構成。在該粗動台62之下面配置圖上未顯示之氣體靜壓軸承(如氣體軸承)，並經由特定之游隙而浮起支撐粗動台62。

在粗動台62之內部設有磁石單元72，其係具有作為X軸方向之移動子的永久磁石群。在磁石單元72之內部空間插入延伸於X軸方向之X軸用的定子74。該X軸用之定子74藉由電樞單元而構成，該電樞單元內藏沿著X軸方向以特定間隔而配置的複數電樞線圈。此時，藉由磁石單元72與包含電樞單元的X軸用之定子74，而構成在X軸方向驅動晶圓載台WST之動磁型的X軸線性馬達70。另外，X軸線性馬達70除了動磁型之線性馬達之外，亦可使用可動線圈型之線性馬達。

在X軸用之定子74的長度方向兩側端部分別固定有移動子82。移動子82由內藏如沿著Y軸方向以特定

藉由此種結構，晶圓載台WST藉由X軸線性馬達70而在X軸方向上驅動，並且藉由一對Y軸線性馬達80，而與X軸線性馬達70一體地在Y軸方向上驅動。此外，藉由2個Y軸線性馬達80之驅動力上形成差異，X軸用之定子74在θZ方向上移動，晶圓載台WST之粗動台62亦隨著在θZ方向上驅動。

第三圖係晶圓載台WST之放大立體圖，第四圖係顯示晶圓載台WST之概略結構的剖面圖。

在微動台61上之概略中央設有保持直徑為300mm之晶圓W的晶圓固定器WH。在晶圓固定器WH之附近設有基準標示構件FM(Fiducial Mark)。該基準標示構件FM係光透過性之構件，且在其上面，如以特定間隔而形成有十字線標示。

粗動台62上安裝有：第一感測器類100，其係用於計測經由投影光學系統PL而照射之曝光之光EL的特性(照度及照度不均一)；及第二感測器120之一部分，其係為了測定標線片R與晶圓W之位置關係而計測曝光之光EL。

第一感測器類100包含：曝光量感測器102，其係測定通過投影光學系統PL之曝光之光EL的照度(光量)；波前像差感測器104，其係測定投影光學系統PL之波前像差；及照度不均一感測器106，其係計測經由投影光學系統PL之曝光之光EL的不均一(光量分布)；各個經由調整載台65而設於粗動台62上。

另外，第一感測器類100不限定於具有光二極體或CCD之檢測器。第一感測器類1O0亦可包含配置於受光面之針孔反射鏡或繞射光柵等各種測定時需要的構件。此外，第一感測器類100並不限定於曝光量感測器102、波前像差感測器104及照度不均一感測器106，只要是計測曝光之光EL之特性者即可。此外，第一感測器類100亦可計測曝光之光EL以外之計測光。

在粗動台62之一部分具有複數之延長部分62B。在其延長部分62B之上部，經由面調整機構66，而配置有第一感測器類100。藉此，形成第一感測器類100(曝光量感測器102、波前像差感測器104、照度不均一感測器106)位於微動台61之側方。

面調整機構66適合使用如3個壓電致動器及凸輪機構等。藉由控制裝置CONT控制面調整機構66，可在Z軸方向、θX方向及θY方向調整第一感測器類100之檢測面(上面)。

使用面調整機構66，係為了使第一感測器類100之檢測面與投影光學系統PL之成像面一致。亦即，可以與晶圓W之曝光處理時相同的條件進行曝光之光EL之計測。

如第三圖及第四圖所示，第二感測器120具有：接收曝光之光EL的入射導光部122、中間導光部124、射出曝光之光EL的射出導光部126、及接收自射出導光部126射出之光的受光感測器128(參照第一圖)。此外，與第一感測器類100同樣地，第二感測器120亦可計測曝光之光EL以外之計測光。

入射導光部122具有可入射在Z軸方向行進之光，在圓筒構件內配置有複數光學透鏡L1、L2之結構，且配置於微動台61之側方。射出導光部126具有在上下(Z軸方向)貫穿微動台61之圓筒構件內配置有基準標示構件FM及光學透鏡L3的結構。中間導光部124具有將入射於入射導光部122之光導入射出導光部126，且在筒狀構件內配置有光纖或複數光學元件(圖上未顯示)的結構。中間導光部124具有藉由壓鐵等而安裝於粗動台62，其一端固定保持有入射導光部122的結構。中間導光部124之另一端自射出導光部126(微動台61)離開。亦即，在射出導光部126與中間導光部124之間形成有空隙。經由該空隙，而自中間導光部124向射出導光部126傳送光。在中間導光部124與射出導光部126之間設置空隙，係為了不致妨礙微動台61之移動。亦可在空隙之周圍及附近配置藉由柔軟材料所形成之骨架等，來避免塵埃或不需要之外光進入。

受光感測器128係在標線片R之上方接收自射出導光部126(基準標示構件FM)射出於Z軸方向，而經由投影光學系統PL及標線片R之光的感測器，且由CCD相機等構成。

在此種結構中，曝光之光EL入射於入射導光部122時，係經由中間導光部124導入射出導光部126，而自下方照射基準標示構件FM。照射基準標示構件FM之光射出於Z軸方向，並經由投影光學系統PL及標線片R而被受光感測器128接收。

此時，在標線片R之圖案PA的外周部形成有對準標示(圖上未顯示)。受光感測器128取得包含形成於基準標示構件FM之基準標示與形成於標線片R之對準標示的圖像。藉由計測該基準標示與對準標示之位置偏差量，可計測標線片R與微動台61的相對位置。再者，依據該位置計測結果，來進行標線片R之對準。

另外，亦可構成經過標線片R及投影光學系統PL之曝光之光EL入射於射出導光部126，經由中間導光部124及入射導光部122，而由配置於晶圓載台WST附近之受光感測器128接收。

如此，曝光裝置EX在具有微動台61及粗動台62之晶圓載台WST上，第一感測器類100與第二感測器120之大部分設於粗動台62。此等感測器類100、120，先前係配置於微動台61之上面者。因此，在這個部分可謀求微動台61之重量減輕及體積縮小。再者，可謀求微動台61之定位精度等提高。

以上，係說明本發明之實施例，不過，上述實施例中所示之動作順序或各構成構件的各種形狀及組成等係一種範例，在不脫離本發明主旨之範圍內，可依據製程條件及設計要求等而作各種變更。

本發明亦包含如以下之變更者。

計測系統不限定於使用干擾儀系統，來計測光罩載台及基板載台之位置資訊者。如亦可採用具備檢測設於基板載台上面之標度(繞射光柵)的編碼器系統，與干擾儀系統兩者的混合式系統，並使用干擾儀系統之計測結果，來進行編碼器系統之計測結果的校準(Calibration)。此外，亦可切換干擾儀系統與編碼器系統來使用，或是使用其兩者，來進行基板載台之位置控制。

其他實施例中，如日本特開2004－519850公報(對應美國專利第6,611,316號)所揭示，可適用經由投影光學系統，而在基板上合成2個光罩之圖案，藉由1次掃描曝光，而大致同時雙重曝光基板上之1個照射區域的曝光裝置。

另外，基板除了半導體元件製造用之半導體晶圓之外，還適用顯示器元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓，或曝光裝置使用之光罩或標線片的原版(合成石英、矽晶圓)，或是薄膜構件等。此外，基板之形狀除了圓形之外，亦可為矩形等其他形狀。

其他實施例中，曝光裝置EX如日本特開平11－135400公報(對應國際公開第1999/23692)及日本特開2000－164504公報(對應美國專利第6,897,963號)等所揭示，可與保持基板之基板載台獨立地移動，並且可具備搭載計測構件(如形成有基準標示之基準構件及/或各種光電感測器)的計測載台。

本實施例係為了形成圖案而使用光罩，不過，除此之外，還可使用產生可變圖案之電子光罩(亦稱為可變成形光罩、主動光罩或圖案產生器)。電子光罩可使用如一種非發光型圖像顯示元件(亦稱為空間光調制器：Spatial Light Modulator(SLM))之DMD(可變形微反射鏡元件(Deformable Micro－mirror Device)或數位微反射鏡元件(Digital Micro－mirror Device))。DMD具有依據特定之電子資料來驅動之複數反射元件(微小反射鏡)，複數反射元件在DMD之表面排列成二維矩陣狀，且以元件單位驅動，而將曝光之光反射、偏向。各反射元件調整其反射面之角度。DMD之動作可藉由控制裝置來控制。控制裝置係依須形成於基板上之圖案，依據電子資料(圖案資訊)驅動DMD之反射元件，以反射元件將藉由照明系統照射之曝光之光予以圖案化。藉由使用DMD，比使用形成有圖案之光罩(標線片)而曝光時，於變更圖案時，不需要光罩之更換作業及在光罩載台上對準光罩之操作。另外，使用電子光罩之曝光裝置，亦可不設置光罩載台，只須藉由基板載台將基板在X軸及Y軸方向上移動即可。另外，使用DMD之曝光裝置，如揭示於日本特開平8－313842公報、日本特開2004－304135公報、美國專利第6,778,257號公報。

曝光裝置EX亦可為在投影光學系統PL與晶圓W之間配置液體，且經由該液體來進行晶圓W之曝光的浸液型曝光裝置。浸液法如揭示於國際公開第99/49504號手冊。液體亦可使用水(純水)，亦可使用水以外者，如過氟化聚醚(PFPE)及氟系油脂等之氟系流體，或柏木油等。此外，液體亦可使用對曝光之光的折射率比水高之液體，如使用折射率為1.6~1.8程度。

曝光裝置EX之用途，並不限定於半導體製造用之曝光裝置，及在方形玻璃板上曝光液晶顯示元件圖案之液晶用的曝光裝置，亦可廣泛適用於用於製造薄膜磁頭、攝像元件(CCD)、微型機器、MEMS、DNA晶片或標線片或光罩等的曝光裝置。

另外，在法令准許範圍內，援用上述各種實施例及修改例中引用之關於曝光裝置等的全部公開公報及美國專利等之揭示，而作為本文記載的一部分。

本實施例之曝光裝置EX係以保持特定機械性精度、電氣性精度及光學性精度，而組裝包含各構成要素的各種子系統來製造。為了確保此等各種精度，而在該組裝之前後，就各種光學系統，進行用於達成光學性精度之調整，就各種機械系統，進行用於達成機械性精度之調整，就各種電氣系統，進行用於達成電氣性精度之調整。

自各種子系統對曝光裝置之組裝程序，包含：各種子系統相互之機械性連接、電氣電路之配線連接及氣壓管路之配管連接等。在從各種子系統對曝光裝置組裝程序之前，當然有各子系統各個之組裝程序。在各種子系統對曝光裝置之組裝程序結束後，進行綜合調整，來確保整個曝光裝置之各種精度。

另外，曝光裝置之製造，須在管理溫度及潔淨度等之潔淨室中進行。

如第五圖所示，半導體裝置係經過以下步驟而製造：進行元件之功能、性能設計的步驟201；依據該設計步驟製作光罩(標線片)之步驟202；製造元件基底之基板(晶圓、玻璃板)的步驟203；藉由前述實施例之曝光裝置，將標線片R之圖案曝光於晶圓W的基板處理步驟204；元件組裝步驟(包含：切割程序、接合程序、封裝程序等之加工製程)205；及檢查步驟206等。

61．．．微動台(第二移動構件)

62．．．粗動台(第一移動構件)

63．．．晶圓平台(基座部)

67．．．面調整機構(位置調整裝置)

90．．．致動器(驅動裝置)

100．．．第一感測器類(計測裝置)

102．．．曝光量感測器

104．．．波前像差感測器

106．．．照度不均一感測器

120．．．第二感測器(計測裝置)

122．．．入射導光部(受光部)

124．．．中間導光部(導光部)

126．．．射出導光部(送光部)

128．．．受光感測器(感測器部)

EL．．．曝光之光(能量光束)

EX．．．曝光裝置

PA．．．圖案

R．．．標線片(光罩)

W．．．晶圓(物體、感光基板、基板)

第一圖係顯示實施例之曝光裝置的概略結構圖。

第二圖係顯示實施例之晶圓載台的結構之立體圖。

第三圖係實施例之晶圓載台的放大立體圖。

第四圖係顯示實施例之晶圓載台的概略結構剖面圖。

第五圖係顯示實施例之微型元件之一種製造程序的流程圖。

61．．．微動台(第二移動構件)

62．．．粗動台(第一移動構件)

62B．．．延長部分

63．．．晶圓平台(基座部)

66．．．面調整機構

90．．．致動器(驅動裝置)

100．．．第一感測器類(計測裝置)

102．．．曝光量感測器

120．．．第二感測器(計測裝置)

122．．．入射導光部(受光部)

124．．．中間導光部(導光部)

126．．．射出導光部(送光部)

EL．．．曝光之光(能量光束)

FM．．．基準標示構件

L1．．．光學透鏡

L2．．．光學透鏡

L3．．．光學透鏡

W．．．晶圓(物體、感光基板、基板)

WH．．．晶圓固定器

WST．．．晶圓載台(載台裝置、基板載台)

Claims (10)

1. 一種載台裝置，其特徵為具備：基座部；第一移動構件，其係對前述基座部可移動；第二移動構件，其係保持物體，並且對前述第一移動構件可移動；及計測裝置，其係至少具有一第一構件、一第二構件以及一感測器部，用以計測照射於前述物體之能量光束的特性；其中前述第一構件設置於前述第一移動構件，前述第二構件設置於前述第二移動構件，前述感測器部設置在相對於前述第一移動構件及前述第二移動構件有一段距離的地方，並接收自前述第一構件及前述第二構件傳送而來的前述能量光束。
2. 如申請專利範圍第1項之載台裝置，其中前述物體係感光基板；前述計測裝置包含以下元件之至少一個：檢測前述能量光束之照度的照度感測器，與計測前述能量光束之照度不均一的照度不均一感測器。
3. 如申請專利範圍第2項之載台裝置，其中前述計測裝置具備位置調整裝置，其係使檢測前述能量光束之檢測面與前述能量光束之成像面概略一致。
4. 如申請專利範圍第1項之載台裝置，其中前述第二構件上設有計測用之一標示構件，使得前述能量光束經過前述標示構件後，由前述感測器部接收前述能量光束。
5. 如申請專利範圍第1項之載台裝置，其中前述計測裝 置進一步具備一第三構件，其係將入射自前述第一構件之前述能量光束傳送至前述第二構件，前述第三構件係設置於前述第一移動構件。
6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之載台裝置，其中前述第二移動構件至少可6個自由度地移動。
7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之載台裝置，其中進一步具備驅動裝置，其係其一部分設置於前述第一移動構件，而使前述第二移動構件對前述第一移動構件移動。
8. 一種曝光裝置，係在保持於基板載台上之基板上形成特定之影像；其特徵為：係使用申請專利範圍第1至7項中任一項之載台裝置作為前述基板載台。
9. 一種曝光裝置，係將被光罩載台保持之光罩的圖案影像，形成於被基板載台保持之基板上；其特徵為：前述光罩載台與前述基板載台之至少一方，係使用申請專利範圍第1至7項中任一項之載台裝置。
10. 一種元件製造方法，係包含微影程序，其特徵為：在前述微影程序中使用申請專利範圍第8或9項之曝光裝置。