TWI438423B - 從一物件成像輻射在偵測裝置上的方法及用以檢查物件之檢查裝置 - Google Patents

Description

從一物件成像輻射在偵測裝置上的方法及用以檢查物件之檢查裝置

本發明大體係關於一種從一物件成像輻射在偵測裝置上之方法及一種用於檢查物件之檢查裝置。更特定而言，本發明係關於一種用於檢查物品(諸如，經圖案化結構，諸如，遠紫外線(EUV)微影設備之EUV主光罩)上之污染粒子的方法及裝置。

微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化裝置(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感金屬化合物(抗蝕劑)層上而為之。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知的微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化裝置轉印至基板。

舉例而言，歸因於物品(例如，具有經圖案化表面之物 品，諸如，EUV主光罩)上之表面缺陷的缺陷(諸如，小粒子或其他幾何像差)將隨機地散射光。藉由從物品成像經散射輻射之一小部分在偵測裝置上，缺陷將照亮為亮點。亮點之強度為粒子之尺寸的量測。又，待在EUV設備中由輻射光束圖案化之基板的基板表面應儘可能地為無粒子的。在此方面，引起針對缺陷來檢查物品之需要。此可在過濾出由可存在於物品上之週期性圖案而引起之更高繞射級時被進行。此過濾可藉由將空間過濾器引入於成像前述小部分之成像系統的傅立葉平面中被進行。然而，此引入對相干光之需要，使得可過濾繞射。通常，相干光之使用可引入可能斑點形成之問題，其可歸因於表面不規則性(即使當大約小於1 nm時)而引起。

需要在提供用於表面斑點形成之過濾器時保持相干光。

根據本發明之一態樣，提供一種從一物件成像輻射在偵測裝置上之方法。該方法包括：將相干輻射光束引導至物件；相對於物件而在入射平面中或外於一角度內掃描輻射光束；及從物件成像經散射輻射在偵測裝置上。

根據本發明之另一態樣，提供一種經建構及配置以針對缺陷或粒子來檢查物件之檢查裝置。檢查裝置包括經建構及配置以將相干輻射光束引導至物件之光學系統。光學系統包括：角度掃描元件，角度掃描元件經建構及配置以相對於物件而改變輻射光束之入射角度，以便相對於物件而在入射平面中或外於一角度內掃描輻射光束；及偵測裝 置，偵測裝置經建構及配置以從物件接收經散射輻射。

根據本發明之另一態樣，提供一種包括經建構及配置以支撐圖案化裝置之支撐件的微影設備。圖案化裝置能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案，以形成經圖案化輻射光束。該設備亦包括：基板台，基板台經建構及配置以固持基板；投影系統，投影系統經建構及配置以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上；及檢查裝置，檢查裝置經建構及配置以針對缺陷或粒子來檢查圖案化裝置及/或基板。檢查裝置包括經建構及配置以將相干輻射光束引導至圖案化裝置及/或基板之光學系統。光學系統包括角度掃描元件，角度掃描元件經建構及配置以相對於圖案化裝置及/或基板而改變輻射光束之入射角度，以便相對於圖案化裝置及/或基板而在入射平面中或外於一角度內掃描輻射光束。檢查裝置亦包括經建構及配置以從圖案化裝置及/或基板接收經散射輻射之偵測裝置。

現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。

圖1展示檢查裝置ID之一實施例，其中藉由光學系統5來將相干輻射光束1引導至物件2，光學系統5經建構及配置以提供輻射光束且適當地導引輻射光束1。可藉由雷射器來產生相干輻射。輻射1反射於物件2上，且小部分3因物件表面2之變化而自物件2散射。此等變化可由基板表面變化及/或可能存在於表面上之粒子所導致。在粒子尺寸(信 號)與基板平滑度及偵測速度(雜訊)之間存在權衡。信號及雜訊直方圖通常具有正常分布圖案。當分離兩個直方圖時，偵測可靠性增加。一雜訊資獻由"斑點"形成，"斑點"為由基板表面奈米結構所反射之相干光的干擾。甚至最平滑的表面(諸如，EUV主光罩)亦可產生斑點。用以減少斑點之最容易的方式為施加非相干光。然而，在某些情況下，例如，歸因於缺少空間及/或因為可能為了其他目的(諸如，空間過濾)而需要相干光，所以此可能並不為可能的。因此，需要抑制斑點，同時保持相干光為物件表面2上之入射光。為此，根據本發明之一態樣，提議相對於物件2而在一入射角度內掃描輻射光束1。入射角度可能相當小，但可能在入射平面中或外於約40∘至約80∘之範圍內變化。通常，輻射光束可限定為掠入射輻射光束。藉由在一入射角度內掃描輻射光束，歸因於表面不規則性而引起之表面變化(特別為次奈米平滑度變化)將在角度方面變化，且因此將藉由成像元件7而投影於相對不同的位置上。因此，斑點將經分布且此將導致變化，該變化可為由具有可能在次100奈米範圍內(例如，20奈米至70奈米)之尺寸之粒子之散射而引起的結果。在一實施例中，藉由施加掃描光束之掃描速率來"記錄"變化，掃描速率將高於影像框速率，使得影像平滑以免於斑點。因此，偵測裝置4經配置成用於接收經散射輻射之小部分3。以下將參看圖4來進一步論述角度掃描元件，但其通常可包含振動鏡面或其類似物。

圖2展示檢查裝置ID之另一實施例。儘管根據本發明之實施例的斑點過濾方法不限於週期性結構(諸如，主光罩圖案結構8)，但本發明之實施例的潛在優點為：對於週期性結構8，反射將導致週期性本質之繞射，使得週期性圖案將產生固定傅立葉圖案。可藉由抑制傅立葉圖案來偵測彼等圖案上之粒子(諸如，污染粒子)。如以上所描述之角度掃描元件6將導致平移或經加寬傅立葉圖案，其可能削弱訊雜比。

在此方面，空間過濾可經施加用於過濾提供於物件2上之週期性結構8的繞射級。可藉由使由空間過濾器9所進行之空間過濾與角度掃描元件6之掃描移動同步來改良訊雜比，以最佳化產光率且改良訊雜比。因此，可提供與具有變化入射角度α之入射光束1同步的振動傅立葉過濾器9。為此，提供同步器10以使空間過濾器9與角度掃描元件6同步。在一實施例中，空間過濾器9可經提供為調適性過濾器，調適性過濾器與圖案結構8調適性地相關聯且與入射輻射光束1同步地平移。過濾器可提供於許多位置上，但通常相對於物件2而定位於成像平面(諸如，共軛平面)外，且能夠從由經圖案化光學結構8所繞射之經接收輻射光束1特定地過濾出輻射。調適性過濾器可為微鏡面裝置，例如，基於TI－DMD或LCD之裝置(諸如，LCOS)或反射或LCD透射裝置。因此，可機械地或電/光學地或以任何適當方式來提供平移。

圖3示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影設備。 該設備包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，光罩)MA且連接至第一定位器PM，第一定位器PM經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化裝置；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至第二定位器PW，第二定位器PW經組態以根據某些參數來精確地定位基板；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以藉由圖案化裝置MA來將被賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化裝置。支撐結構以視圖案化裝置之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如，圖案化裝置是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化裝置。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置。支撐結構可為框架或台，例如，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化裝置(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化裝置"同義。

本文所使用之術語"圖案化裝置"應被廣泛地解釋為指代 可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以在基板之目標部分中形成圖案的任何裝置。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之裝置(諸如，積體電路)中的特定功能層。

圖案化裝置可為透射或反射的。圖案化裝置之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。

本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。

如此處所描繪，該設備為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，該設備可為透射類型(例如，使用透射光罩)。

微影設備可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上執行預備 步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。

微影設備亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影設備中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在用於增加投影系統之數值孔徑的技術中為熟知的。如本文所使用之術語"浸沒"不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

參看圖3，照明器IL從輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射器時，輻射源與微影設備可為獨立實體。在該等狀況下，不認為輻射源形成微影設備之一部分，且輻射光束借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影設備之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統(需要時)被稱作輻射系統。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件(諸如，積光器及聚光器)。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT) 上之圖案化裝置(例如，光罩MA)上，且藉由圖案化裝置來圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測裝置、線性編碼器，或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，(例如)以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，(例如)在從光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之狀況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間(此等被稱為切割道對準標記)中。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之狀況下，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪設備可用於以下模式中之至少一者中：1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT 在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如，以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)的無光罩微影術。

亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。

參看圖1及2所說明之方法及裝置可應用於許多情形中，特別用以分離由可為大約若干奈米或甚至數十奈米之不同尺寸之表面結構(諸如，次奈米表面變化或污染)所導致的散射輻射。

圖4實施例說明用於檢查諸如圖3所揭示之EUV設備之晶圓或主光罩2的設置。因此，此設備包含經建構以支撐圖案化裝置MA之支撐件MT，其中圖案化裝置MA能夠在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以形成圖案輻射光束。此外，基板台WT經建構以固持基板W(其在圖4中被說明為基板2)，其視應用目的而可為晶圓或主光罩。圖4所說明之裝置可為內置工具(in－tool)檢查裝置，內置工具檢查裝置併入圖3所說明之裝置中(未圖示)，詳言之，此裝置為遠EUV設備，其中因為圖案化裝置因其不受薄皮保護而易被污染，所以檢查圖案化裝置。圖4將檢查裝置說明為獨立裝置，且其可在裝運或用於設備中之前用於物件2(其可為如圖3所描繪之光罩MA)之檢查目的。作為內置工具裝置(如圖3所示)，其可在微影過程之前執行圖案化裝置MA及/或基板W之快速檢查。為此，輻射光束1經提供為被引導至物件2之掠入射雷射光束1。雷射光束1之波長可為適合於檢查目的之任何波長，詳言之，未必儘管不從其中排除(EUV光)。通常，除非另有指定，否則使用術語"光"或"輻射"來指示適當波長之任何電磁輻射。為了應用之目的，在實施例中，可見或近可見光可用於檢查目的。

可藉由比較經散射光3之經成像小部分來偵測污染(其中在電腦12中預定影像或預定資料為可用的)，以便識別表示污染粒子之經散射輻射。在圖4所描繪之實施例中，藉由與偏振元件15組合之透鏡13及14來提供光學系統7。角度掃描元件6係由振動鏡面提供，且以適當方式來振動以 相對於物件2而在入射角度內掃描輻射光束1。作為一替代例，角度掃描元件6可包含具有變化折射表面之可移動光學元件(諸如，"擺動"元件)，其亦可具有變化反射表面。偵測裝置4較佳地由帕耳帖(Peltier)元件編碼以進一步抑制雜訊。

圖5展示圖5A之上方直方圖之說明性曲線圖(無發明性斑點抑制方法)及圖5B之下方曲線圖(具有發明性斑點抑制方法)。可清楚地看出，訊雜比顯著地增加。藉由改變入射角度(即使在μrad之範圍內)，斑點抑制之所得改變可具有顯著影響。振動角度在每一CCD整合週期振動若干圓周，因此平均化表面粗糙度誘發之斑點，同時保持粒子散射。訊雜比改良可為十倍，且計算展示到100倍至500倍可能為可行的。

因此，在具有或無週期性圖案之基板上之更小粒子(在次30 nm範圍內)的更快更可靠偵測在真實微影處理條件中可能為可行的。

儘管在此本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影設備可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者將瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影所曝光抗 蝕劑之工具)、度量工具及/或檢查工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但將瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化裝置中之拓撲界定形成於基板上之圖案。可將圖案化裝置之拓撲壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。

儘管已在用於遠紫外線微影處理目的之粒子偵測之情境中說明本發明，但熟習此項技術者將清楚，該方法不限制於此，而可應用於任何情境中，其中存在對斑點減少之需要，同時在成像系統之至少一部分中保持光束之相干。

此外，可以其他角度掃描元件位置來應用本發明方法，例如，一個以上鏡面或具有圍繞檢查焦點而旋轉之入射光束角度的配置。

本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有約365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5 nm至20 nm之範圍內的波 長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。

術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

儘管以上已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採用如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。

以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見到，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。

1‧‧‧相干輻射光束

2‧‧‧物件

3‧‧‧小部分

4‧‧‧偵測裝置

5‧‧‧光學系統

6‧‧‧角度掃描元件

7‧‧‧成像元件

8‧‧‧週期性結構

9‧‧‧空間過濾器/振動傅立葉過濾器

10‧‧‧同步器

12‧‧‧電腦

13‧‧‧透鏡

14‧‧‧透鏡

15‧‧‧偏振元件

B‧‧‧輻射光束

C‧‧‧目標部分

IF1‧‧‧位置感測器

IF2‧‧‧位置感測器

IL‧‧‧照明系統/照明器

M1‧‧‧光罩對準標記

M2‧‧‧光罩對準標記

MA‧‧‧圖案化裝置/光罩

MT‧‧‧支撐結構/光罩台/支撐件

P1‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一定位器

PS‧‧‧投影系統

PW‧‧‧第二定位器

SO‧‧‧輻射源

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

α‧‧‧入射角度

圖1展示根據本發明之檢查裝置之一實施例的第一示意性說明；圖2展示根據本發明之檢查裝置的另一實施例；圖3描繪根據本發明之一實施例的微影設備；圖4說明根據本發明之檢查裝置的另一實施例；及圖5A及5B展示曲線圖，該等曲線圖展示使用根據本發明之一態樣之方法的經改良訊雜比。

1‧‧‧相干輻射光束

2‧‧‧物件

3‧‧‧小部分

4‧‧‧偵測裝置

5‧‧‧光學系統

6‧‧‧角度掃描元件

7‧‧‧成像元件

Claims (19)

1. 一種從一物件成像輻射在一偵測裝置上之方法，該方法包含：將一相干輻射光束引導至該物件；相對於該物件而在一入射平面中或外於一角度內掃描該輻射光束；及從該物件成像經散射輻射在該偵測裝置上。
2. 如請求項1之方法，其中該入射角度在一為約40∘至約80∘之範圍內變化。
3. 如請求項1之方法，其中該掃描光束之一掃描速率高於該偵測裝置之一影像框速率。
4. 如請求項1之方法，其進一步包含空間過濾一提供於該物件上之週期性結構的一繞射級。
5. 如請求項4之方法，其進一步包含使該空間過濾與該掃描同步，以便最佳化該經散射輻射之一產光率。
6. 一種用於針對缺陷來檢查一物件之方法，該方法包含：將一相干輻射光束引導至該物件；相對於該物件而在一入射平面中或外於一角度內掃描該輻射光束；從該物件成像經散射輻射在一偵測裝置上；比較該經散射輻射之一影像與一預定影像；及識別表示缺陷或粒子之經散射輻射。
7. 一種經建構及配置以針對缺陷或粒子來檢查一物件之檢查裝置，該檢查裝置包含： 一光學系統，該光學系統經建構及配置以將一相干輻射光束引導至該物件，該光學系統包含一角度掃描元件，該角度掃描元件經建構及配置以相對於該物件而改變該輻射光束之一入射角度，以便相對於該物件而在一入射平面中或外於一角度內掃描該輻射光束；及一偵測裝置，該偵測裝置經建構及配置以從該物件接收經散射輻射。
8. 如請求項7之裝置，其中該角度掃描元件包含一可傾斜鏡面。
9. 如請求項7之裝置，其中該角度掃描元件包含一具有一變化折射表面之可移動光學元件。
10. 如請求項7之裝置，其進一步包含一經建構及配置以過濾一提供於該物件上之週期性結構之一繞射級的空間過濾器。
11. 如請求項10之裝置，其進一步包含一經建構及配置以使該空間過濾器與該角度掃描元件同步之空間過濾器移動同步器。
12. 如請求項10之裝置，其中該空間過濾器包含一與該經圖案化結構相關聯之調適性過濾器。
13. 如請求項10之裝置，其中該空間過濾器相對於該物件而處於一共軛平面中，以便從由該經圖案化光學結構所散射之該經接收輻射光束過濾出輻射。
14. 如請求項10之裝置，其中該空間過濾器為一根據一根據該經圖案化結構之預定過濾器圖案所調適的調適性過濾 器。
15. 如請求項14之裝置，其中該空間過濾器為一微鏡面裝置。
16. 如請求項15之裝置，其中該微鏡面裝置為一基於TI－DMD之裝置或一基於LCD之裝置、一反射裝置，或一LCD透射裝置。
17. 如請求項7之裝置，其中該輻射光束經提供為可見或近可見光之一掠入射雷射光束。
18. 一種微影設備，其包含：一支撐件，該支撐件經建構及配置以支撐一圖案化裝置，該圖案化裝置能夠在一輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案，以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，該基板台經建構及配置以固持一基板；一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及一檢查裝置，該檢查裝置經建構及配置以針對缺陷或粒子來檢查該圖案化裝置及/或該基板，該檢查裝置包含：一光學系統，該光學系統經建構及配置以將一相干輻射光束引導至該圖案化裝置及/或該基板，該光學系統包含一角度掃描元件，該角度掃描元件經建構及配置以相對於該圖案化裝置及/或該基板而改變該輻射光束之一入射角度，以便相對於該圖案化裝置及/或該基板而在一入射平面中或外於一角度內掃描該輻射光束；及 一偵測裝置，該偵測裝置經建構及配置以從該圖案化裝置及/或該基板接收經散射輻射。
19. 如請求項18之微影設備，其中該微影設備為一遠紫外線設備，且其中該圖案化裝置包含一真空容器中所含有之一反射光罩。