JP6298418B2 - リソグラフィマスク、リソグラフィ装置及び方法 - Google Patents

リソグラフィマスク、リソグラフィ装置及び方法 Download PDF

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Description

[0001] 本発明は、リソグラフィマスク、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法に関
する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板のターゲット部分に適用する機械で
ある。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に使用することができる。
このような場合、代替的にマスク又はレチクルと呼ばれるマスクを使用して、ICの個々
の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを、放射感応性材料(
レジスト)の層を有する基板(例えばシリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば1
つ又は幾つかのダイの一部を含む)に結像することができる。一般的に、1枚の基板は、
順次露光される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフ
ィ装置は、パターン全体をターゲット部分に1回で露光することによって各ターゲット部
分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向(「スキャン」方向)と平行あ
るいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向(「スキャン」方向)
にビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナ
と、を含む。
[0003] 解像度がより小さいパターンを基板上に投影できるリソグラフィ装置は徐々に改
良されてきた。このような改良の1つには、リソグラフィ装置の投影システムと基板との
間に液体を供給することが含まれる。これによって、開口数(NA)が1.0以上(例え
ば、1.35NA)の投影システムが得られる。
[0004] (液浸リソグラフィを使用する場合など)高開口数が使用される場合、放射をパ
ターニングするために使用されるマスクは望ましくない位相効果を引き起こすことがある
。特に、マスクのトポグラフィ(すなわちマスクの表面にわたる不均一性)は、パターニ
ングされた放射に望ましくない位相オフセットを生じることがある。このような位相オフ
セットは、パターンが基板上に投影される精度を低下させることがある。
[0005] 例えば、本明細書に定義されるか、その他に定義されるかに関わらず、当技術分
野の1つ以上の問題点を除去又は軽減するマスクを提供することが望ましい。
[0006] 本発明の一態様によれば、特定の(例えば所定の)波長の放射を実質的に透過さ
せる基板を備えるリソグラフィマスクであって、基板はあるパターンで放射吸収材料を有
し、パターンは特定の波長の放射ビームの断面に別のパターンを付与するように構成され
、吸収材料の厚さは特定の波長を吸収材料の屈折率で除した値に実質的に等しい、リソグ
ラフィマスクが提供される。
[0007] 本発明の別の態様によれば、特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備え
るリソグラフィマスクであって、基板はあるパターンで放射吸収材料を有し、パターンは
特定の波長の放射ビームの断面に別のパターンを付与するように構成され、吸収材料の厚
さは放射波長を吸収材料の屈折率で除した値に等しいか又はその10%以内である第1の
範囲内にある、リソグラフィマスクが提供される。
[0008] 本発明の別の態様によれば、特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備え
るリソグラフィマスクであって、基板はあるパターンで放射吸収材料を有し、パターンは
特定の波長の放射ビームの断面に別のパターンを付与するように構成され、吸収材料の厚
さは放射波長を吸収材料の屈折率で除した値に等しいか又はその20%以内である第2の
範囲内にある、リソグラフィマスクが提供される。
[0009] 第1の範囲又は第2の範囲内にある吸収材料の厚さは、位相シフト特性と、吸収
材料により特定の波長の放射に与えられる得られる像のコントラストと、に依存してさら
に選択されてもよい。
[0010] 吸収材料の厚さは、位相シフト特性と、吸収材料により特定の波長の放射に与え
られる得られる像のコントラストと、を最適化するように選択されてもよい。
[0011] 吸収材料は、異なる屈折率を有する複数の材料層を備えてもよく、吸収材料の屈
折率は、材料層の屈折率の平均値であると見なされ、平均値は、放射ビームが通過する異
なる材料の特性を考慮に入れた値であってもよい。
[0012] リソグラフィマスクは、上述のように定められる第1の厚さの第1の放射吸収材
料を有する第1のパターンを備えてもよく、リソグラフィマスクは、第2の厚さの第2の
放射吸収材料を有する第2のパターンをさらに備え、第1の厚さと第2の厚さは異なって
いる。
[0013] 第1のパターンは機能パターンでよく、第2のパターンは測定パターンでよい。
[0014] 第1の放射吸収材料は、第2の放射吸収材料と同じ材料でよい。
[0015] 特定の波長は、193nm、365nm、248nm、157nm又は126n
mのうちの1つでよい。
[0016] 本発明の別の態様によれば、あるパターンで放射吸収材料を有する反射基板を備
えるリソグラフィマスクであって、パターンは、特定の波長の放射ビームの断面に別のパ
ターンを付与するように構成され、吸収材料の厚さは、オフセットを考慮に入れた上で、
特定の波長を吸収材料の屈折率の2倍で除した値と実質的に等しいか又はその倍数である
、リソグラフィマスクが提供される。
[0017] 本発明の別の態様によれば、基板を設けるステップと、照明システムを使用して
特定の波長の放射ビームを提供するステップと、マスクを使用して放射ビームの断面に別
のパターンを与えるステップと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分
に投影するステップと、を含む方法であって、マスクは、放射ビームを透過し、放射吸収
材料があるパターンで備えられる基板を備え、吸収材料の厚さは、放射波長を吸収材料の
屈折率で除した値に実質的に等しい方法が提供される。
[0018] 本発明の別の態様によれば、特定の波長の放射を実質的に透過する基板を備える
リソグラフィマスクであって、基板は、あるパターンで放射吸収材料を有し、パターンは
、特定の波長の放射ビームの断面に別のパターンを付与するように構成され、放射吸収材
料のパターンは、第1のピッチを有する複数の構造と、第2のピッチを有する複数の構造
と、を備え、吸収材料の厚さは、第1のピッチを有する構造及び第2のピッチを有する構
造がリソグラフィ装置の投影システムを使用して投影される際に実質的に等しいベストフ
ォーカス面を有するような厚さである、リソグラフィマスクが提供される。
[0019] 本発明の別の態様によれば、特定の波長の放射を実質的に透過する基板を備える
リソグラフィマスクであって、基板は、あるパターンで放射吸収材料を有し、パターンは
、特定の波長の放射ビームの断面に別のパターンを付与するように構成され、放射吸収材
料のパターンは、第1のピッチを有する複数の構造と、第2のピッチを有する複数の構造
と、を備え、吸収材料の厚さは、第1のピッチを有する構造及び第2のピッチを有する構
造がリソグラフィ装置の投影システムを使用して投影される際に実質的に等しい像シフト
を受けるような厚さである、リソグラフィマスクが提供される。像シフトとは、結像シス
テムの光軸に実質的に垂直な方向に結像した後の構造の像変位のことである。
[0020] 本発明の別の態様によれば、あるパターンで放射吸収材料を有する反射基板を備
えるリソグラフィマスクであって、パターンは、特定の波長の放射ビームの断面に別のパ
ターンを付与するように構成され、放射吸収材料のパターンは、第1のピッチを有する複
数の構造と、第1のピッチと比較して異なる第2のピッチを有する複数の構造と、を備え
、吸収材料の厚さは、第1のピッチを有する構造のベストフォーカス面と第2のピッチを
有する構造のベストフォーカス面との焦点差が、リソグラフィ装置の投影システムを使用
して投影される際に、吸収材料の厚さに対する焦点差の最小偏差に実質的に対応するよう
な厚さである、リソグラフィマスクが提供される。
[0021] 本発明の別の態様によれば、あるパターンで放射吸収材料を有する反射基板を備
えるリソグラフィマスクであって、パターンは、特定の波長の放射ビームの断面に別のパ
ターンを付与するように構成され、放射吸収材料のパターンは、第1のピッチを有する複
数の構造と、第1のピッチと比較して異なる第2のピッチを有する複数の構造と、を備え
、吸収材料の厚さが、第1のピッチを有する構造が受ける像シフトと、第2のピッチを有
する構造が受ける像シフトとの像シフト差が、吸収材料の厚さに対する像シフト差の最小
偏差に実質的に対応するような厚さである、リソグラフィマスクが提供される。
[0022] リソグラフィ装置の投影システムによる投影後に測定される第1のピッチは、実
質的に、特定の波長の半波長であってもよい。
[0023] リソグラフィ装置の投影システムによる投影後に測定される第1のピッチは特定
の波長よりも小さくてもよく、リソグラフィ装置の投影システムによる投影後に測定され
る第2のピッチは特定の波長よりも大きくてもよい。
[0024] 本発明の別の態様によれば、特定の波長の放射を実質的に透過する基板を備える
ブランクマスクであって、基板は放射吸収材料を有し、放射吸収材料は放射吸収材料内に
パターンを作成するようにエッチングされることができ、放射吸収材料の厚さは、エッチ
ング後における放射吸収材料の厚さが、特定の波長を放射吸収材料の屈折率で除算した値
に実質的に等しいような厚さである、ブランクマスクが提供される。
[0025] 本発明の別の態様によれば、放射吸収材料を備える反射基板を備えるブランクマ
スクであって、放射吸収材料は、放射吸収材料内にパターンを作成するようにエッチング
されることができ、放射吸収材料の厚さは、リソグラフィ装置の投影システムを使用して
特定の波長で投影される際に、吸収材料の厚さに対する焦点差の最小偏差に実質的に対応
するような厚さである、ブランクマスクが提供される。
[0026] 放射感応性レジスト層を放射吸収材料の上に設けてもよい。
[0027] 本発明の別の態様によれば、リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚
さを決定する方法であって、リソグラフィマスクは特定の波長の放射を実質的に透過する
基板を備え、基板はリソグラフィ装置の投影システムを介して結像するための複数の構造
を形成するように配置された放射吸収材料を備え、異なるピッチを有する複数の構造を選
択するステップと、投影システムを介して結像される際に選択された構造のベストフォー
カス面を決定し、ベストフォーカス面は異なる厚さの放射吸収材料ごとに決定されるステ
ップと、投影システムを用いて結像される際に複数の構造が実質的に等しいベストフォー
カス面を有する放射吸収材料の厚さを選択するステップと、を含む方法が提供される。
[0028] 本発明の別の態様によれば、リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚
さを決定する方法であって、リソグラフィマスクは特定の波長の放射を実質的に透過する
基板を備え、基板はリソグラフィ装置の投影システムを介して結像するための複数の構造
を形成するように配置された放射吸収材料を備え、異なるピッチを有する複数の構造を選
択するステップと、投影システムを介して結像される際に選択された構造の像シフトを決
定し、像シフトは異なる厚さの放射吸収材料ごとに決定されるステップと、投影システム
を用いて結像される際に複数の構造が実質的に等しい像シフトを有する放射吸収材料の厚
さを選択するステップと、を含む方法が提供される。
[0029] 本発明の別の態様によれば、リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚
さを決定する方法であって、リソグラフィマスクは反射基板を備え、基板はリソグラフィ
装置の投影システムを用いて結像するための複数の構造を形成するように配置された放射
吸収材料を備え、異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、特定の波長を
用いて投影システムを介して結像される際に選択された構造のベストフォーカス面を決定
し、ベストフォーカス面は異なる厚さの放射吸収材料ごとに決定されるステップと、放射
吸収材料の厚さを、投影システムを用いて構造が結像される際に選択された構造のベスト
フォーカス面間の吸収材料の厚さの関数としての偏差が実質的に最小値に対応するような
厚さに選択するステップと、を含む方法が提供される。
[0030] 本発明の別の態様によれば、リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚
さを決定する方法であって、リソグラフィマスクは反射基板を備え、基板はリソグラフィ
装置の投影システムを用いて結像するための複数の構造を形成するように配置された放射
吸収材料を備え、異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、特定の波長を
用いて投影システムを介して結像される際に選択された構造の像シフトを決定し、像シフ
トは異なる厚さの放射吸収材料ごとに決定されるステップと、放射吸収材料の厚さを、投
影システムを用いて構造が結像される際に選択された構造の像シフト間の吸収材料の厚さ
の関数としての偏差が実質的に最小値に対応するような厚さに選択するステップと、を含
む方法が提供される。
[0031] ベストフォーカス面の決定又は像シフトの決定は、投影システムを使用した構造
の投影をシミュレートすることによって行ってもよい。
[0032] 複数の構造のうちの第1の構造は、投影システムによる投影後に測定される、特
定の波長の実質的に半分の寸法を有する第1のピッチを備えてもよい。
[0033] 複数の構造のうちの第1の構造は、特定の波長よりも小さいピッチを備えてもよ
く、複数の構造のうちの第2の構造は、特定の波長よりも大きいピッチを備えてもよく、
ピッチは投影システムによる投影後に測定されるピッチである。
[0034] 厚さの選択は、厚さが選択される範囲を定義するステップを含んでもよい。
[0035] 厚さの選択は、特定の波長の放射に対する吸収材料の位相シフト特性に依存して
吸収材料の厚さを選択するステップをさらに含んでもよい。
[0036] 吸収材料の厚さは、吸収材料の位相シフト特性を最適化するようにさらに選択さ
れてもよい。
[0037] 本発明の別の態様によれば、本発明の上記態様のいずれかによる方法を実行する
ように構成されたコンピュータプログラムプロダクトが提供される。
[0038] 本発明の別の態様によれば、放射ビームを調節する照明システムと、マスクを支
持する支持構造と、放射ビームの断面に別のパターンを与える役割を果たすマスクと、基
板を保持する基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に
投影する投影システムと、を備えるリソグラフィ装置であって、本発明の上記態様のいず
れかによるマスクをさらに備える、リソグラフィ装置が提供される。
[0039] 放射ビームは、偏光放射ビームでよい。
[0040] 偏光放射ビームは、少なくとも2つの偏光状態を有してもよく、第1の偏光状態
の強度は、第2の偏光状態の強度とは異なる。
[0041] 本発明の別の態様によれば、基板を設けるステップと、照明システムを使用して
特定の波長の放射ビームを提供するステップと、本発明の上記態様のいずれかによるマス
クを使用して放射ビームの断面に別のパターンを与えるステップと、パターニングされた
放射ビームを基板のターゲット部分に投影するステップと、を含む方法が提供される。
[0042] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発
明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。 本発明の実施形態によるリソグラフィマスクの一部を概略的に示す。 リソグラフィ装置により使用されるマスク上の吸収材料の厚さの関数としてのリソグラフィ装置のベストフォーカスをモデリングするシミュレーションの結果を示すグラフである。 図3のグラフに対応するが異なる吸収材料を使用した効果をシミュレートするグラフである。 図3と図4のグラフに対応するが、異なる吸収材料を使用した効果をシミュレートするグラフである。 図3〜図5のグラフに対応するが、積層された2つの吸収材料を使用した効果をシミュレートするグラフである。 本発明の実施形態による反射マスクの吸収材料の厚さの関数としてのリソグラフィ装置のベストフォーカスをモデリングするシミュレーションの結果を示すグラフである。 ベストフォーカス範囲が吸収材料の厚さの関数としてどのように変化するかを示すグラフである。 図8に示すグラフに対応するが、シミュレーション結果が放射波長で除され、吸収材料の屈折率が乗じられたグラフである。
[0043] 本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本
明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、こ
れは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、液晶ディスプレ
イ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。このような代替的用途に照らして、本
明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」
又は「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には
認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック(通常
はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)、メトロロジーツ
ール又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以
上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層IC
を生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板とい
う用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[0044] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線(UV)放射
(例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nmの波長
を有する)及び極端紫外線(EUV)放射(例えば、5nm〜20nmの範囲(例えば、
13.5nm又は6.7nmであってよい)の波長を有する)を含むあらゆるタイプの電
磁放射を包含する。
[0045] 支持構造はマスク(レチクルと呼ばれることもある)を保持する。支持構造は、
マスクの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばマスクが真空環境で保持されて
いるか否かに応じた方法でマスクを保持する。この支持体は、機械式クランプ、真空、又
は他のクランプ技術、例えば真空条件下での静電クランプを使用することができる。支持
構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよく、マ
スクが例えば投影システムに対して確実に所望の位置にくるようにできる。
[0046] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光
放射、又は液浸流体の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学
システム、反射光学システム、反射屈折光学システムを含む様々なタイプの投影システム
を網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」と
いう用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見
なすことができる。
[0047] また、照明システムは、放射ビームを誘導し、整形し、又は制御する屈折、反射
、及び反射屈折光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントを含んでよ
く、そのようなコンポーネントも以下においては集合的に又は単独で「レンズ」とも呼ば
れることがある。
[0048] リソグラフィ装置は、2つ(デュアルステージ)又はそれ以上の基板テーブル(
及び/又は2つ以上の支持構造)を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」
機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ以上の他のテーブルを露光
に使用している間に1つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。
[0049] また、リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填
するように例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体内に基板が浸漬されるタイプで
あってもよい。投影システムの開口数を増加させる液浸技術は当技術分野で周知である。
[0050] 図1は、本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この
装置は、
− ビームPB(例えば、UV放射)を調節する照明システム(イルミネータ)ILと、
− マスクMAを支持し、部品PLに対してマスクを正確に位置決めする第1の位置決め
デバイスPMに接続された支持構造(例えば、支持構造)MTと、
− 基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持し、部品PLに対して基板を正確
に位置決めする第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル(例えば、ウェー
ハテーブル)WTと、
− マスクMAによって放射ビームPBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分
C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に結像するように構成された投影システム(例え
ば、屈折型投影レンズ)PLと、
を備える。
[0051] 本明細書で示すように、本装置は(例えば透過マスクを使用する)透過タイプで
ある。あるいは、本装置は(例えば反射マスクを使用する)反射タイプでもよい。
[0052] イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源及びリソグラフ
ィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい
。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビー
ムは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバ
リシステムBDを用いて、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の場合では
、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であっても
よい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDと
ともに放射システムと呼ぶことができる。
[0053] イルミネータILは、ビームの角度強度分布を調整する調整手段AMを備えても
よい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び/又は内側半径
範囲(一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる)を調整することができる。ま
た、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコン
ポーネントを備えてもよい。イルミネータは、その断面にわたって所望の均一性及び強度
分布を有する、調整された放射ビームPBを提供する。
[0054] 放射ビームPBは、支持構造MT上に保持されたマスクに入射する。マスクMA
を横断したビームPBは、投影システムPLを通過し、投影システムPLは、ビームを基
板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2の位置決めデバイスPW及び位置センサI
F(例えば干渉計デバイス)を用いて、基板テーブルWTを、例えばビームPBの経路に
おいて様々なターゲット部分Cに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第1の
位置決めデバイスPM及び(図1には明示されていない)別の位置センサを使用して、例
えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、ビームPBの経路
に対してマスクMAを正確に位置決めすることができる。一般的に、オブジェクトテーブ
ルMT及びWTの移動は、位置決めデバイスPMとPWの部分を形成するロングストロー
クモジュール(粗動位置決め)及びショートストロークモジュール(微動位置決め)を用
いて実現できる。しかし、ステッパの場合(スキャナとは対照的に)、支持構造MTをシ
ョートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクMA及
び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P
2を使用して位置合わせしてもよい。
[0055] 図示のリソグラフィ装置は、以下の好適なモードにて使用可能である。
1.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状
態に維持される一方、ビームPBに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影
される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基
板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィ
ールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズ
が制限される。
2.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャン
される一方、ビームPBに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわ
ち単一動的露光)。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影シス
テムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードで
は、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非
スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(
スキャン方向における)高さが決まる。
[0056] 上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用
できる。
[0057] リソグラフィ装置を使用してマスクMAから基板Wにパターンを結像する際に、
合焦されたマスク像が基板上に形成されるように基板を配置することが望ましい。しかし
、マスク表面のトポグラフィは、マスクによって放射がパターニングされる際に放射に位
相差を引き起こすことがある(マスク表面の高さは、例えは約2〜3ナノメートルだけ異
なることがある)。このような位相差の影響は、第1のタイプのフィーチャ(例えば密ラ
イン)の像のベストフォーカスが第1の平面に位置し、第2のタイプのフィーチャ(例え
ば孤立ライン)の像のベストフォーカスが第1の平面とは異なる第2の平面に位置するこ
とである。したがって、第1と第2のタイプのフィーチャの両方でベストフォーカスが達
成される平面に基板を配置することはできないであろう。この問題点を焦点差と呼んでも
よい。焦点差を第1の平面と第2の平面との分離であると見なしてもよい。焦点差は、第
1のピッチを有するパターンフィーチャと第2のピッチを有するパターンフィーチャとの
間にも生じ得る。マスク表面のトポグラフィに起因する焦点差を3Dマスク効果と呼んで
もよい。
[0058] 「ベストフォーカス」という用語を、空間像の最良のコントラストが見られる平
面を意味するものと解釈してもよい。場合によっては、(例えばセンサを使用して)空間
像を直接測定することによってベストフォーカスを測定してもよい。場合によっては、パ
ターンが基板に結像されるごとに基板が異なる平面に配置されるようにして、パターンを
基板に複数回結像することによってベストフォーカスを測定してもよい。パターンの各々
の像ごとにパターンのクリティカルディメンションを測定してもよく、これを基板平面の
位置の関数としてプロットしてボサング曲線を作成してもよい。ボサング曲線の最大値又
は最小値をパターンのベストフォーカスを示すものと見なしてもよい。
[0059] 図2は、本発明の実施形態によるマスクMAの断面図の一部を概略的に示す。マ
スクMAは、基板1と、吸収材料2と、を備えている。基板1は、例えばリソグラフィ装
置の放射ビームPB(例えばDUV放射)を実質的に透過するガラス又はその他の任意の
適切な材料から形成されてもよい。吸収材料2は、リソグラフィ装置の放射ビームPB(
例えばDUV放射)を吸収するか、又は放射ビームPBの一部を吸収する、例えばケイ化
モリブデン(MoSi)又はその他の適切な材料でよい。MoSiの屈折率を修正する1
つ以上のドーパントをMoSiに加えてもよい。吸収材料2は基板1を完全には覆わず、
パターンとして配置される。したがって、吸収材料2の領域間にギャップ3が存在する。
図2には、マスクMAの小部分だけが示されている。実際には、吸収材料2とギャップ3
とは、例えば数千又は数百万のフィーチャを有することがあるパターンを形成するように
配置される。
[0060] リソグラフィ装置の放射ビームPB(図1を参照)は、マスクMAに入射する。
放射ビームPBは最初に基板1に入射し、基板1を通過する。次に、放射ビームは、吸収
材料2とギャップ3に入射する。吸収材料2に入射した放射は吸収材料を通過するが、吸
収材料により一部吸収される。あるいは、放射は吸収材料2に実質的に完全に吸収され、
放射は吸収材料2を実質的に透過しない。ギャップ3に入射する放射は、大幅に、又は部
分的に吸収されずにギャップを通過する。このようにして、マスクMAは放射ビームPB
に別のパターンを付与する。
[0061] 吸収材料2の厚さTは、放射ビームPBが吸収材料を通って進行する際の放射ビ
ームPBの波長と実質的に等しい(すなわち吸収材料の屈折率を考慮に入れる)。ある実
施形態では、放射ビームPBの波長は193ナノメートルでよい。したがって、吸収材料
2の厚さはナノメートル単位で193/nでよく、ここで、nは吸収材料の屈折率である
[0062] 193ナノメートルは、リソグラフィ装置で広く用いられる放射波長である。こ
れは液浸リソグラフィ装置、すなわち水などの流体がリソグラフィ装置の投影システムP
Sと基板Wとの間に配置される装置では従来から使用されている。流体は投影システムに
1.0以上(例えば1.35NA)の開口数をもたらすことができる。このような開口数
が使用されると、マスクMAのトポグラフィ(すなわち、マスク表面にわたる不均一性)
がパターニングされた放射に望ましくない位相オフセットを生じることがあり、このよう
な位相オフセットは焦点差を引き起こすことがある。焦点差は、リソグラフィ装置によっ
てパターンが基板上に投影される精度を低下させることがある。吸収材料2の厚さが、放
射ビームが吸収材料を通って進行する際の放射ビームの波長に等しい場合は、焦点差は低
減又は除去される。これは、リソグラフィ装置が基板上にパターンを投影し得る精度を大
幅に向上させることができる。
[0063] 放射が吸収材料2を通って進行する必要は必ずしもなく、ある種の吸収材料2の
場合は、実質的にすべての放射が吸収材料2に吸収されてもよい。いずれかの特定の理論
にとらわれずに、吸収材料2の厚さはパターンのギャップ3内に一種の導波路を生成する
ものと考えられる。これらの導波路の寸法は、マスク上のパターンのピッチに関連する(
以下にさらに説明する)焦点差又は像シフト差があるか否かを決定すると思われる。した
がって、吸収材料2がいずれかの衝突放射を透過するか否かはほとんど重要ではないと思
われる。
[0064] リソグラフィ産業では、マスクのトポグラフィに起因する望ましくない位相オフ
セット、及びこれらの位相オフセットに起因する焦点差の大きさは、マスク上の吸収材料
の厚さが薄くなると共に縮小するものと一般に考えられてきた。それは、マスクのトポグ
ラフィ変化の大きさが増すと共に望ましくない位相オフセットの大きさが増し、マスクの
トポグラフィの変化の縮小はより薄い吸収材料層を使用することで最良に達成されるとい
う理解によるものである。しかし、驚くべきことには、それは当てはまらない。そうでは
なく、マスクのトポグラフィに起因する位相オフセットは、(吸収材料が放射ビームの波
長よりも薄い場合は、従来のマスクの場合のように)吸収材料の厚さが薄くなると共に増
大する。さらに、驚くべきことには、望ましくない位相オフセットは、吸収材料の厚さが
吸収材料内の放射ビームの波長に近づくと共に最小に近づく(ゼロであることもある)傾
向がある。それに対応して、吸収材料の厚さが吸収材料内の放射ビームの波長に近づくと
共に、焦点差も最小に近づく(ゼロであることもある)傾向がある。したがって、本発明
のある実施形態では、吸収材料内の放射ビームPBの波長に対応する厚さの吸収材料2を
有するマスクが提供される。
[0065] 図3は、リソグラフィ装置のベストフォーカスがマスクの吸収材料の厚さの関数
としてどのように変化するかを測定するシミュレーションの結果を示すグラフである。「
ベストフォーカス」という用語を、最良のコントラストの空間像が得られる平面を意味す
るものと解釈してもよい。シミュレーションはリソグラフィ装置による構造の投影をモデ
リングして、Panoramic Technology社(www.panoramictech.com)から市販されているHyp
erlithソフトウェアによって行われた。リソグラフィ装置による異なる平面範囲への構造
の投影がシミュレートされた。次に、これらの投影された構造のクリティカルディメンシ
ョンの偏差が平面位置の関数として決定され、ボサング曲線が作成された。所与の構造で
は、ボサング曲線の最大値又は最小値が構造のベストフォーカスを示すものと見なされた
。シミュレーションはマスクの異なる厚さの吸収材料で繰り返された。
[0066] シミュレーションでは、波長が193ナノメートルの放射と、屈折率が1.4の
吸収材料が使用された。グラフの両軸はナノメートルで測定された単位を示している。シ
ミュレーションの性質上、ベストフォーカス軸上のゼロポイントは任意の位置にある。シ
ミュレーションは、異なる4つのピッチ、すなわち270ナノメートル、135ナノメー
トル、112.5ナノメートル、及び90ナノメートルを有するパターンで行われた。ピ
ッチの寸法は、従来通りリソグラフィ装置の投影システムPS(図1を参照)の基板側で
のピッチである。これに対して、グラフの水平軸上に示される吸収材料の厚さは投影シス
テムPSのマスク側で測定される。
[0067] 図3から分かるように、270ナノメートル、135ナノメートル、及び112
.5ナノメートルのピッチを有するパターンのベストフォーカスはすべて、吸収材料が特
定の厚さを有する場合に互いに交差する(交差は点線の仮想線でマーク付けされている)
。この交差は、吸収材料がその厚さを有する場合に、これらの3つのピッチの場合の焦点
差がゼロであることを示している。交差が生じる吸収材料の厚さは約130ナノメートル
である。吸収材料を通過する放射の波長は、138ナノメートル(=193/1.4)で
ある。したがって、最小の焦点差をもたらす吸収材料の厚さは十分に放射波長の10%内
にあり、実質的に放射波長に等しいと見なし得る。差の少なくとも一部はシミュレーショ
ンの限界により生じることがある。これらの限界には、一連の測定からベストフォーカス
を抽出する場合の不確実性が含まれることがある。曲線を一連の結果に当てはめる曲線当
てはめによって、シミュレーション結果が放射波長と吸収材料の屈折率を用いて計算され
た厚さに対応する程度を向上させることができる。
[0068] 90ナノメートルのピッチパターンは、他のピッチとはやや異なる挙動を示す。
吸収材料の厚さが増すと、90ナノメートルのピッチでのベストフォーカスは別のピッチ
でのベストフォーカスに近づく。しかし、ベストフォーカスは別のベストフォーカスとは
交差せず、これは焦点差が残ることを示す。90ナノメートルのピッチのラインが別のピ
ッチのラインと交差しない理由は不明であるが、グラフを作成するために用いられるシミ
ュレーションの限界によるかも知れない。
[0069] 図4は、吸収材料の屈折率が1.4ではなく1.9であること以外は図3を作成
するために用いられるシミュレーションに対応するシミュレーションの結果を示すグラフ
である。図4から分かるように、焦点差は、同様に吸収材料の厚さの関数としての挙動を
示す。すなわち、吸収材料の厚さが増すと焦点差は低減され、焦点差は270ナノメート
ル、135ナノメートル及び112.5ナノメートルのピッチのラインが互いに交差する
位置で最小になる(交差は点線の仮想線でマーク付けされている)。これは吸収材料の厚
さが約100ナノメートルである場合に生じる。吸収材料を通過する放射波長は102ナ
ノメートル(=193/1.9)である。したがって、最小化された焦点差をもたらす吸
収材料の厚さは放射波長の10%内にあり、実質的に放射波長に等しいと見なし得る。こ
の場合も、曲線を一連の結果に当てはめる曲線当てはめを用いると、シミュレーション結
果が放射波長と吸収材料の屈折率を用いて計算された厚さに対応する程度を向上させるこ
とができる。
[0070] この場合も、90ナノメートルのピッチパターンは他のピッチとはやや異なる挙
動を示す。吸収材料の厚さが増すと、焦点差は低減されるが、別のピッチで測定された焦
点差とは交差しない。その理由は不明であるが、グラフを作成するために用いられるシミ
ュレーションの限界によるかも知れない。
[0071] 図5は、吸収材料の屈折率が2.3であること以外はこれまでのシミュレーショ
ン対応する別のシミュレーションの結果を示すグラフである。同様の結果が見られ、吸収
材料の厚さが増すと焦点差は低減される。このシミュレーションでは、交差はすべてのピ
ッチ(すなわち90ナノメートルのピッチを含む)で交差が生じる。焦点差は吸収材料の
厚さが約75ナノメートルである場合に最小になる(交差は点線の仮想線でマーク付けさ
れている)。吸収材料を通過する放射波長は84ナノメートル(=193/2.3)であ
る。最小化された焦点差をもたらす吸収材料の厚さは放射波長の約10%内にあり、実質
的に放射波長に等しいと見なし得る。差の少なくとも一部はシミュレーションの限界によ
り生じることがある。さらに、曲線を一連の結果に当てはめる曲線当てはめを用いると、
シミュレーション結果が放射波長と吸収材料の屈折率を用いて計算された厚さに対応する
程度を向上させることができる。
[0072] 低減された焦点差(例えば焦点差ゼロなどの最小化された焦点差)をもたらすマ
スクの吸収材料の厚さは、従来使用されていたマスクの吸収材料の厚さとは著しく異なっ
ている。例えば、屈折率が1.4の吸収材料のマスク上の厚さは、従来は約43ナノメー
トルであったであろう。例えば、屈折率が1.9の吸収材料のマスク上の厚さは、従来は
約50ナノメートルであったであろう。しかし、これらの厚さは両方とも、図3及び図4
に示したシミュレーション結果によって実証されたように、トポグラフィに起因するかな
りの焦点差を生じるであろう。トポグラフィに起因する焦点差は、従来の厚さと比較して
大幅に増した厚さの吸収材料を提供することによって低減することができる。
[0073] 上記実施形態では、吸収材料の厚さを従来の厚さ以上に増すことによってトポグ
ラフィに起因する焦点差が低減される。追加的に又は代替的に、ドーパントを吸収材料に
加えてその屈折率を高めるようにしてもよい。同様に、吸収材料中のモリブデンとケイ酸
塩の相対比率を変更することによって吸収材料の屈折率を修正してもよい。これらのアプ
ローチのいずれかの組合せを用いてもよい。
[0074] 上記実施形態では、吸収材料は単一の材料である。しかし、吸収材料は2つ以上
の材料であってもよい。材料を例えば層として提供してもよく、例えば交互の層の積層と
して提供してもよい。吸収材料が2つ以上の材料である場合は、ベストフォーカス差(例
えば、ゼロ又は最小限の焦点差)を与えるような材料の厚さを吸収材料の平均屈折率を用
いて決定してもよいことをシミュレーションは示している。屈折率の平均は、放射ビーム
が通過する異なる材料の比率を考慮に入れている。例えば、吸収材料の厚さの半分が屈折
率1.4の材料であり、吸収材料の厚さの半分の屈折率が2.4である場合は、吸収材料
の屈折率を(1.4+2.4)/2=1.9であると見なしてもよい。この場合に備えら
れるべき吸収材料の厚さを決定するために屈折率1.9を用いてもよい。例えば、吸収材
料の厚さの2/3が屈折率1.4の材料であり、吸収材料の厚さの1/3が屈折率2.4
の材料である場合は、吸収材料の屈折率を[(1.4×2)+2.4)]/3=1.7で
あると見なしてもよい。
[0075] 図6は、吸収材料の厚さの半分の屈折率が1.4であり、吸収材料の厚さの半分
の屈折率が2.4であること以外は上記シミュレーションと対応するシミュレーションの
結果を示している。図から分かるように、吸収材料の厚さが増すと焦点差は低減され、焦
点差は、112.5ナノメートルのピッチと90ナノメートルのピッチのラインが互いに
交差する位置で最小になる(交差は点線の仮想線でマーク付けされている)。これは吸収
材料の厚さが約95ナノメートルである場合に生じる。吸収材料を通過する放射波長は1
02ナノメートル(=193/1.9)である。したがって、最小化された焦点差をもた
らす吸収材料の厚さは十分に放射波長の10%内にあり、実質的に放射波長に等しいと見
なし得る。
[0076] 図6のシミュレーションは、屈折率が1.4である材料の単層と、屈折率が2.
4である材料の単層とを用いたものである。しかし、吸収材料を形成するために使用され
る材料の層の数に関わりなく、備えられるべき吸収材料の厚さを決定するために吸収材料
の平均屈折率を用いてもよい。例えば吸収材料を形成するために2つの材料の交互の層の
積層(又は3つ以上の材料からなる積層)が用いられる場合でも、平均屈折率を用いても
よい。
[0077] 本発明の上記実施形態は、焦点差を低減するか又は除去することに向けられたも
のである。焦点差は、リソグラフィ装置の放射ビームが(例えばマスクのトポグラフィに
起因する)偶数次収差を受ける場合に生じる。リソグラフィ装置の放射ビームが奇数次収
差を受ける場合は、パターン像はリソグラフィ装置の光軸に対して横向きに移動すること
がある。これは像シフトと呼ばれる。第1のタイプのフィーチャ(例えば密ライン)の像
の像シフトは第2のタイプのフィーチャ(例えば孤立ライン)ラインの像の像シフトと異
なることがある。本発明の実施形態は、焦点差を低減すると同様に、異なるタイプのフィ
ーチャ(又は異なるピッチのフィーチャ)に像シフトの差を低減することができる。すな
わち、不要な位相オフセットを低減するか、又は除去する厚さを吸収材料に与えることに
よって、像シフトを低減することができる。吸収材料内の放射ビームの波長に実質的に等
しい厚さを吸収材料に与えることによって像シフトを低減することができる。吸収材料内
の放射ビームの波長の10%以内の厚さを吸収材料に与えることによって像シフトを低減
することができる。吸収材料内の放射ビームの波長の20%以内の厚さを吸収材料に与え
ることによって像シフトを低減することができる。
[0078] ある実施形態では、パターンをマスクブランクにエッチングしてマスクを作製し
てもよい。パターンをマスクブランクにエッチングする際、基板を貫いてエッチングされ
ない放射吸収材料の領域は、それにも関わらずエッチングによってより薄くなることがあ
る。この薄細化はマスクブランクに提供する放射吸収材料の厚さを決定する際に考慮に入
れてもよい。マスクブランクには、エッチング後に、放射吸収材料の厚さが特定の波長を
放射吸収材料の屈折率で除した値に実質的に等しい厚さになるような厚さの放射吸収材料
層を提供してもよい。マスクブランク上に提供される放射吸収材料の厚さの計算にはエッ
チングの特性(例えばエッチングの継続時間)を考慮に入れてもよい。
[0079] ある実施形態では、マスクに機能パターン(すなわち、操作デバイスの一部を形
成するパターン)を与え、それに加えて機能パターンの一部を形成しない測定パターンを
与えてもよい。測定パターンを、例えば、機能パターンの片側に配置してもよい。測定パ
ターンは、例えば、リソグラフィ装置の基板テーブルWT(図1を参照)に対するマスク
のアライメントを測定するために使用してもよく、又はその他のある種のパラメータを測
定するために使用してもよい。測定パターンを形成するために使用される吸収材料は、機
能パターンを形成するために使用される吸収材料と異なっていてもよい。例えば、測定パ
ターンの吸収材料は、放射ビームを実質的に完全に吸収する材料であってもよい。測定パ
ターンを形成するために使用される吸収材料には、機能パターンを形成するために使用さ
れる吸収材料と異なる厚さを与えてもよい。本発明の実施形態を使用して測定パターンを
形成するために使用される吸収材料の厚さを決定してもよい。
[0080] 放射ビームPBが吸収材料によって吸収される程度は、異なるマスクに応じて異
なる。例えば、放射ビームPBは、吸収材料を通って進行する際に部分的に吸収されても
よい。あるいは、放射ビームPBは、吸収材料を通って進行する際に実質的に完全に吸収
されてもよく、すなわち吸収材料が放射ビームをブロックしてもよい。放射ビームをブロ
ックする吸収材料を有するマスクをバイナリマスクと呼んでもよい。
[0081] 放射ビームがマスクの吸収材料によって部分的に吸収される実施形態では、放射
ビームが吸収材料から出る際の放射ビームの位相は、マスクを使用して形成される空間像
のコントラストに影響を及ぼすことがある。コントラストは例えば、吸収材料を通過する
放射の位相が吸収材料を通過しなかった放射の位相と90°異なる場合に最大となり得る
。放射の位相は吸収材料の厚さに依存するので、上記のアプローチを用いた吸収材料の厚
さの選択により、マスクを使用して形成される空間像のコントラストを低減させてもよい
。ある用途の分野では、これは重要な関心事ではないことがある。例えば、論理回路を形
成するパターンを結像するためにリソグラフィ装置が使用されている場合は、コントラス
トは焦点差よりも重要ではないと見なしてもよい。焦点差の改善(例えばより良好な臨界
密度の均一性)により得られる利点はコントラストの低減よりも重要であると見なしても
よい。
[0082] ある実施形態では、吸収材料の厚さを選択する際に、マスクにより生じる位相シ
フト、及びこれによって生じるコントラスト、並びにマスクのトポグラフィに起因する焦
点差を考慮に入れてもよい。必要なコントラストの度合いをもたらす一方で、マスクのト
ポグラフィに起因する焦点差及び/又は像シフトを(例えば吸収材料の従来の厚さと比較
して)低減する妥協点を見出してもよい。
[0083] ある実施形態では、吸収材料の上面に反射防止層を設けてもよい。反射防止層の
厚さは、例えば約2ナノメートルでよい。反射防止層は吸収材料の一部を形成するものと
見なされず、したがって吸収材料の厚さの値が示された際に厚さには含まれていない。一
般に、吸収材料の厚さを決定する際に、放射ビームを著しく吸収している材料を考慮に入
れてもよい。
[0084] ある実施形態では、最小化された焦点差をもたらす吸収材料の厚さは放射波長の
20%以内でよい。これは従来の厚さの吸収材料を備える場合と比較して焦点差及び/又
は像シフトを大幅に低減し得る。
[0085] 本発明の実施形態を透過マスク(すなわち放射を透過するマスク)に関連して記
載してきたが、本発明の実施形態を反射マスク(すなわち放射を反射するマスク)に適用
してもよい。マスクが反射マスクである実施形態では、放射ビームが吸収材料とギャップ
とに入射し、次に、これらを通過して吸収材料とギャップとの背後に位置するリフレクタ
に入射するようにマスクを配置してもよい。マスクが反射マスクである実施形態では、吸
収材料の厚さは、オフセットを考慮に入れた後、特定の波長を吸収材料の屈折率の2倍で
除した値に実質的に等しいか、又はその倍数の値である。
[0086] 図7は、リソグラフィ装置のベストフォーカスが反射マスクの吸収材料の厚さの関数としてどのように変化するかを測定するシミュレーションの結果を示すグラフである。シミュレーションは上にさらに記載したようにHyperlithソフトウェアを使用して実施された。シミュレーションは13.5ナノメートルの放射波長を使用した。グラフの縦軸はベストフォーカスを示し、ミクロンで測定された単位を示す。シミュレーションの性質上、ベストフォーカス軸上のゼロポイントは任意の位置にある。グラフの水平軸は吸収材料の(高さとして表された)厚さを示し、ナノメートルで測定された単位を示す。シミュレーションは、最小36ナノメートルから最大120ナノメートルの範囲にわたる異なるピッチ範囲を有するパターンについて実施された。ピッチの寸法は、従来通りリソグラフィ装置の投影システムの基板側のピッチの寸法である。吸収材料の厚さは、投影システムPSのマスク側で測定された。
[0087] 図7から分かるように、異なるピッチでのベストフォーカス(ベストフォーカス
範囲)間の差は周期的に増減する。さらに、吸収材料の厚さが増すとベストフォーカス差
が低減されるという一般的な傾向がある。図8は、吸収材料の厚さの関数としてベストフ
ォーカス範囲がどのように変化するかを示すグラフである。図8は、ベストフォーカス範
囲が周期的に増減し、吸収材料の厚さが増すとベストフォーカス差が低減する傾向がある
ことを実証している。
[0088] ベストフォーカス範囲が変化する周期は約7ナノメートルである。したがって、
焦点範囲は吸収材料の厚さ約7ナノメートルごとに最小になる。しかし、シミュレーショ
ン結果にはオフセットも含まれ、これは最小の焦点範囲をもたらす吸収材料の厚さを決定
するために考慮に入れる必要がある。この例では、オフセットは約1〜2ナノメートルで
あると見積もられるが、別の値であってもよい。オフセットが生ずる理由の一部は、放射
ビームがマスクに垂直に入射せず、例えば6°の入射角を有することにある。マスクへの
放射ビームの入射角が変化するとオフセットが変化することがある。オフセットが生ずる
理由の一部は、放射ビームがマスクの単一の反射面から反射するのではなく、多層構造か
ら反射し、多層構造に透過することにある。
[0089] 図9は、図8のデータを放射波長で除し、吸収材料の屈折率を乗じた値を示す。
図9から分かるように、ベストフォーカス範囲の周期は0.5であり、約0.1のオフセ
ットがある。0.5の周期は、ベストフォーカスが最小になる吸収材料の各々の放射波長
ごとに吸収材料の厚さが2つあることを実証している。
[0090] 上記は吸収材料の厚さの選択によってベストフォーカス範囲を最小にすることに
関するものであるが、吸収材料の厚さの選択によって像シフトの差を最小にするために対
応するアプローチを用いてもよい。
[0091] 放射ビームPBが偏光ビームである場合に本発明の実施形態を使用することが有
利であろう。放射ビームが偏光ビームでない場合は、放射ビームを構成する異なる偏光は
マスクのトポグラフィに起因する焦点差を相殺して、マスクのトポグラフィに起因する顕
著な焦点差は認められないことがある。放射ビームが偏光すると、このような相殺は起こ
らず、本発明の実施形態を使用してマスクのトポグラフィに起因する焦点差を低減し得る
。偏光放射は従来から液浸リソグラフィで使用され、したがって、本発明の実施形態を液
浸リソグラフィに有利に使用し得る。EUVリソグラフィ装置の放射ビームは、例えば約
6°の主角度を有し、その結果、異なる偏光状態は放射ビームに異なる影響を与える。そ
の結果、反射ビームは2つの偏光方向で異なり、したがって(少なくともある程度は)偏
光されるものと見なすことができる。したがって、本発明の実施形態をEUVリソグラフ
ィに有利に使用し得る。
[0092] 本発明の実施形態を193ナノメートルの放射に関して説明してきたが、本発明
の実施形態を他の波長に関連して使用してもよい。これらの波長は例えばその他の紫外線
(UV)放射(例えば波長365nm、248nm、157nm、又は126nmのUV
放射)、及び/又は極端紫外線(EUV)放射(例えば波長が5nm〜20nmの範囲の
EUV放射)を含んでもよい。同様に、本発明の実施形態を液浸リソグラフィに関連して
説明してきたが、本発明の実施形態を任意の形態の投影リソグラフィ(例えば非液浸リソ
グラフィ)に関連して使用してもよい。
[0093] 図1及び図2に示すマスクをリソグラフィマスクと呼んでもよい。「リソグラフ
ィマスク」という用語は、リソグラフィ装置で使用するのに適するマスクを意味するもの
と解釈してもよい。
[0094] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を
実践できることが理解される。上記説明は本発明を限定するものではない。例えば、本発
明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ以上のシ
ーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部
に記憶したデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク)の形態をとるこ
とができる。さらに機械読み取り式命令は、2つ以上のコンピュータプログラムで実施し
てもよい。2つ以上のコンピュータプログラムを、1つ以上の異なるメモリ及び/又はデ
ータ記憶媒体に記憶してもよい。
[0095] 本発明について、以下の条項を用いてさらに説明する。
1.特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備えるリソグラフィマスクであって、
前記基板はあるパターンで放射吸収材料を有し、前記パターンは前記特定の波長の放射ビ
ームの断面に別のパターンを付与するように構成され、前記吸収材料の厚さが前記特定の
波長を前記吸収材料の屈折率で除した値に実質的に等しいリソグラフィマスク。
2.特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備えるリソグラフィマスクであって、
前記基板はあるパターンで放射吸収材料を有し、前記パターンは前記特定の波長の放射ビ
ームの断面に別のパターンを付与するように構成され、前記吸収材料の厚さは前記放射波
長を前記吸収材料の屈折率で除した値に等しいか又はその10%以内である第1の範囲内
にある、リソグラフィマスク。
3.特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備えるリソグラフィマスクであって、
前記基板はあるパターンで放射吸収材料を有し、前記パターンは前記特定の波長の放射ビ
ームの断面に別のパターンを付与するように構成され、前記吸収材料の厚さは前記放射波
長を前記吸収材料の屈折率で除した値に等しいか又はその20%以内である第2の範囲内
にある、リソグラフィマスク。
4.前記第1の範囲又は前記第2の範囲内にある前記吸収材料の厚さは、位相シフト特性
と、前記吸収材料により前記特定の波長の放射に与えられる得られる像のコントラストと
、に依存してさらに選択される、条項2又は条項3に記載のリソグラフィマスク。
5.前記吸収材料の厚さは、前記位相シフト特性と、前記吸収材料により前記特定の波長
の放射に与えられる得られる像のコントラストと、を最適化するように選択される、条項
4に記載のリソグラフィマスク。
6.前記吸収材料は、異なる屈折率を有する複数の材料層を有し、前記吸収材料の屈折率
は、前記材料層の屈折率の平均値であると見なされ、前記平均値は、前記放射ビームが通
過する異なる材料の特性を考慮に入れた値である、条項1〜5のいずれかに記載のリソグ
ラフィマスク。
7.前記リソグラフィマスクは、第1の厚さの第1の放射吸収材料を有する第1のパター
ンを備え、前記第1の厚さは、条項1〜6のいずれかに記載のように決定され、前記リソ
グラフィマスクは、第2の厚さの第2の放射吸収材料を有する第2のパターンをさらに備
え、前記第1の厚さと前記第2の厚さは異なる、条項1〜6のいずれかに記載のリソグラ
フィマスク。
8.前記第1のパターンは機能パターンであり、前記第2のパターンは測定パターンであ
る、条項7に記載のリソグラフィマスク。
9.前記第1の放射吸収材料は、前記第2の放射吸収材料と同じ材料である、条項6又は
条項7に記載のリソグラフィマスク。
10.前記特定の波長は、193nm、365nm、248nm、157nm、又は12
6nmの1つである、条項1〜9のいずれかに記載のリソグラフィマスク。
11.あるパターンで放射吸収材料を有する反射基板を備えるリソグラフィマスクであっ
て、前記パターンは特定の波長の放射ビームの断面に別のパターンを付与するように構成
され、前記吸収材料の厚さは、オフセットを考慮に入れた後、前記特定の波長を前記吸収
材料の屈折率の2倍で除した値と実質的に等しいか又はその倍数である、リソグラフィマ
スク。
12.照明システムを使用して特定の波長の放射ビームを提供するステップと、
マスクを使用して前記放射ビームの断面に別のパターンを与えるステップと、
前記パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影するステップと、を
含む方法であって、
前記マスクは、前記放射ビームを透過する基板を備え、前記基板は、あるパターンで備
えられる放射吸収材料を有し、前記吸収材料の厚さは、前記放射波長を前記吸収材料の屈
折率で除した値に実質的に等しい、方法。
13.特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備えるリソグラフィマスクであって
、前記基板は、あるパターンで放射吸収材料を有し、前記パターンは、前記特定の波長の
放射ビームの断面に別のパターンを付与するように構成され、前記放射吸収材料のパター
ンは、第1のピッチを有する複数の構造と、前記第1のピッチと比較して異なる第2のピ
ッチを有する複数の構造と、を備え、前記吸収材料の厚さは、前記第1のピッチを有する
前記構造及び前記第2のピッチを有する前記構造がリソグラフィ装置の投影システムを使
用して投影される際に実質的に等しいベストフォーカス面を有するような厚さである、リ
ソグラフィマスク。
14.特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備えるリソグラフィマスクであって
、前記基板はあるパターンで放射吸収材料を有し、前記パターンは前記特定の波長の放射
ビームの断面に別のパターンを付与するように構成され、前記放射吸収材料のパターンは
、第1のピッチを有する複数の構造と、前記第1のピッチと比較して異なる第2のピッチ
を有する複数の構造とを備え、前記吸収材料の厚さは、前記第1のピッチを有する構造及
び前記第2のピッチを有する構造がリソグラフィ装置の投影システムを使用して投影され
る際に実質的に等しい像シフトを受けるような厚さである、リソグラフィマスク。
15.あるパターンで放射吸収材料を有する反射基板を備えるリソグラフィマスクであっ
て、前記パターンは、特定の波長の放射ビームの断面に別のパターンを付与するように構
成され、前記放射吸収材料のパターンは、第1のピッチを有する複数の構造と、前記第1
のピッチと比較して異なる第2のピッチを有する複数の構造と、を備え、前記吸収材料の
厚さは、前記第1のピッチを有する前記構造のベストフォーカス面と前記第2のピッチを
有する前記構造のベストフォーカス面との焦点差が、リソグラフィ装置の投影システムを
使用して投影される際に、吸収材料の厚さに対する前記焦点差の最小偏差に実質的に対応
するような厚さである、リソグラフィマスク。
16.あるパターンで放射吸収材料を有する反射基板を備えるリソグラフィマスクであっ
て、前記パターンは、特定の波長の放射ビームの断面に別のパターンを付与するように構
成され、前記放射吸収材料のパターンは、第1のピッチを有する複数の構造と、前記第1
のピッチと比較して異なる第2のピッチを有する複数の構造と、を備え、前記吸収材料の
厚さは、前記第1のピッチを有する前記構造が受ける前記像シフトと前記第2のピッチを
有する前記構造が受ける前記像シフトとの像シフト差が、リソグラフィ装置の投影システ
ムを使用して投影される際に、吸収材料の厚さに対する前記像シフト差の最小偏差に実質
的に対応するような厚さである、リソグラフィマスク。
17.前記リソグラフィ装置の前記投影システムによる投影後に測定される前記第1のピ
ッチは、前記特定の波長の実質的に半分である、条項13〜16のいずれかに記載のリソ
グラフィマスク。
18.前記リソグラフィ装置の前記投影システムによる投影後に測定される前記第1のピ
ッチは前記特定の波長よりも小さく、前記リソグラフィ装置の前記投影システムによる投
影後に測定される前記第2のピッチは前記特定の波長よりも大きい、条項13〜16のい
ずれかに記載のリソグラフィマスク。
19.特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備えるブランクマスクであって、前
記基板は放射吸収材料を有し、前記放射吸収材料は前記放射吸収材料内にパターンを作成
するようにエッチングされることができ、前記放射吸収材料の厚さは、エッチング後にお
ける前記放射吸収材料の厚さが、前記特定の波長を前記放射吸収材料の屈折率で除した値
に実質的に等しいような厚さである、ブランクマスク。
20.放射吸収材料を有する反射基板を備えるブランクマスクであって、前記放射吸収材
料は、前記放射吸収材料内にパターンを作成するようにエッチングされることができ、前
記放射吸収材料の厚さは、リソグラフィ装置の投影システムを使用して特定の波長で投影
される際に、吸収材料の厚さに対する前記焦点差の最小偏差に実質的に対応するような厚
さである、ブランクマスク。
21.放射感応性レジスト層は、前記放射吸収材料上に設けられる、条項19又は条項2
0に記載のブランクマスク。
22.リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚さを決定する方法であって、前
記リソグラフィマスクは、特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備え、前記基板
は、リソグラフィ装置の投影システムを介して結像するための複数の構造を形成するよう
に配置された放射吸収材料を備え、
異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面を
決定し、前記ベストフォーカス面は異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定されるステ
ップと、
前記投影システムを用いて結像される際に前記複数の構造は実質的に等しいベストフォ
ーカス面を有する前記放射吸収材料の厚さを選択するステップと、を含む、方法。
23.リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚さを決定する方法であって、前
記リソグラフィマスクは、特定の波長の放射を実質的に透過させる基板を備え、前記基板
は、リソグラフィ装置の投影システムを介して結像するための複数の構造を形成するよう
に配置された前記放射吸収材料を備え、
異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造の像シフトを決定し、前
記像シフトは異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定されるステップと、
前記投影システムを用いて結像される際に前記複数の構造が実質的に等しい像シフトを
有する前記放射吸収材料の厚さを選択するステップと、を含む、方法。
24.リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚さを決定する方法であって、前
記リソグラフィマスクは反射基板を備え、前記基板はリソグラフィ装置の投影システムを
用いて結像するための複数の構造を形成するように配置された前記放射吸収材料を備え、
異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面を
決定し、前記ベストフォーカス面は異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定されるステ
ップと、
前記吸収材料の厚さを、前記投影システムを用いて前記構造が結像される際に前記選択
された構造のベストフォーカス面間の吸収材料の厚さの関数としての偏差が最小値に実質
的に対応するような厚さに選択するステップと、を含む、方法。
25.リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚さを決定する方法であって、前
記リソグラフィマスクは反射基板を備え、前記基板はリソグラフィ装置の投影システムを
用いて結像するための複数の構造を形成するように配置された前記放射吸収材料を備え、
異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
特定の波長を用いて前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造の像
シフトを決定し、前記像シフトは異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定されるステッ
プと、
前記放射吸収材料の厚さを、前記投影システムを用いて前記構造が結像される際に前記
選択された構造の像シフト間の吸収材料の厚さの関数としての偏差が最小値に実質的に対
応するような厚さに選択するステップと、を含む、方法。
26.前記ベストフォーカス面の決定又は前記像シフトの決定は、前記投影システムを用
いて前記構造の投影をシミュレートすることによって行われる、条項22〜25のいずれ
かに記載の方法。
27.前記複数の構造のうちの第1の構造は、前記投影システムによる投影後に測定され
る、前記特定の波長の実質的に半分の寸法を有する第1のピッチを備える、条項22〜2
6のいずれかに記載の方法。
28.前記複数の構造のうちの第1の構造は前記特定の波長よりも小さいピッチを備え、
前記複数の構造のうちの第2の構造は前記特定の波長よりも大きいピッチを備え、前記ピ
ッチは前記投影システムによる投影後に測定されたピッチである、条項22〜26のいず
れかに記載の方法。
29.前記厚さを選択するステップは、前記厚さが選択される範囲を定義するステップで
ある、条項22〜28のいずれかに記載の方法。
30.前記厚さを選択するステップは、前記特定の波長に対する前記吸収材料の位相シフ
ト特性に依存して前記吸収材料の厚さを選択するステップをさらに含む、条項29に記載
の方法。
31.前記吸収材料の厚さは、前記吸収材料の前記位相シフト特性を最適化するようにさ
らに選択される、条項30に記載の方法。
32.条項22〜31のいずれかに記載の方法を実行するように構成された、コンピュー
タプログラムプロダクト。
33.リソグラフィ装置であって、
条項1〜32のいずれかに記載のマスクと、
放射ビームの断面に別のパターンを与える役割を果たす前記マスクを支持する支持構造
と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システ
ムと、を備える、リソグラフィ装置。
34.前記放射ビームは、偏光放射ビームである、条項33に記載のリソグラフィ装置。
35.前記偏光放射ビームが少なくとも2つの偏光状態を有し、第1の偏光状態の強度は
、第2の偏光状態の強度とは異なる、条項34に記載のリソグラフィ装置。
36.照明システムを使用して特定の波長の放射ビームを提供するステップと、
条項1〜35のいずれかに記載のマスクを使用して前記放射ビームの断面に別のパター
ンを与えるステップと、
前記パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影するステップと、を
含む、方法。
[0096] 本発明の態様を適切なハードウェア及び/又はソフトウェアの使用を含む任意の
利便な方法で実施できることが理解されよう。あるいは、本発明の実施形態を実施するた
めにプログラム可能デバイスをプログラムしてもよい。したがって本発明は、また、本発
明の態様を実施する適切なコンピュータプログラムも提供する。このようなコンピュータ
プログラムは、有形のキャリヤ媒体(例えば、ハードディスク、CD ROMなど)及び
通信信号などの無形のキャリヤ媒体を含む適切なキャリヤ媒体を担持することができる。

Claims (14)

  1. リソグラフィマスクを製造する方法であって、前記リソグラフィマスクは、特定の波長の放射を透過させる基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを介して結像するための複数の構造を形成するように配置された放射吸収材料を備え、前記方法は、
    異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
    前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面を決定するステップであって、前記ベストフォーカス面は、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
    前記投影システムを用いて結像される際に前記複数の構造が等しいベストフォーカス面を有する前記放射吸収材料の厚さを選択するステップと、を含む、方法。
  2. リソグラフィマスクを製造する方法であって、前記リソグラフィマスクは、特定の波長の放射を透過させる基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを介して結像するための複数の構造を形成するように配置された放射吸収材料を備え、前記方法は、
    異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
    前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造の像シフトを決定するステップであって、前記像シフトは、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
    前記投影システムを用いて結像される際に前記複数の構造が等しい像シフトを有する前記放射吸収材料の厚さを選択するステップと、を含む、方法。
  3. リソグラフィマスクを製造する方法であって、前記リソグラフィマスクは反射基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを用いて結像するための複数の構造を形成するように配置された放射吸収材料を備え、前記方法は、
    異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
    特定の波長を用いて前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面を決定するステップであって、前記ベストフォーカス面は、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
    前記放射吸収材料の厚さを、前記投影システムを用いて前記構造が結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面間の放射吸収材料の厚さの関数としての偏差が最小値に対応するような厚さに選択するステップと、を含む、方法。
  4. リソグラフィマスクを製造する方法であって、前記リソグラフィマスクは反射基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを用いて結像するための複数の構造を形成するように配置された放射吸収材料を備え、前記方法は、
    異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
    特定の波長を用いて前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造の像シフトを決定するステップであって、前記像シフトは、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
    前記放射吸収材料の厚さを、前記投影システムを用いて前記構造が結像される際に前記選択された構造の像シフト間の放射吸収材料の厚さの関数としての偏差が最小値に対応するような厚さに選択するステップと、を含む、方法。
  5. 前記ベストフォーカス面の決定又は前記像シフトの決定は、前記投影システムを用いて前記構造の投影をシミュレートすることによって行われる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記複数の構造のうちの第1構造は、前記投影システムによる投影後に測定される、前記特定の波長の半分の寸法を有する第1ピッチを備える、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 前記複数の構造のうちの第1構造は、前記特定の波長よりも小さいピッチを備え、前記複数の構造のうちの第2構造は、前記特定の波長よりも大きいピッチを備え、前記ピッチは、前記投影システムによる投影後に測定されたピッチである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
  8. 前記厚さを選択するステップは、前記厚さが選択される範囲を定義するステップである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
  9. 前記厚さを選択するステップは、前記特定の波長の放射に対する前記放射吸収材料の位相シフト特性に依存して前記吸収材料の厚さを選択するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
  10. 前記放射吸収材料の厚さは、前記放射吸収材料の前記位相シフト特性を最適化するようにさらに選択される、請求項9に記載の方法。
  11. リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚さを決定する方法であって、前記リソグラフィマスクは、特定の波長の放射を透過させる基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを介して結像するための複数の構造を形成するように配置された放射吸収材料を備え、
    異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
    前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面を決定するステップであって、前記ベストフォーカス面は、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
    前記投影システムを用いて結像される際に前記複数の構造が等しいベストフォーカス面を有する前記放射吸収材料の厚さを選択するステップと、を含む、方法。
  12. リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚さを決定する方法であって、前記リソグラフィマスクは、特定の波長の放射を透過させる基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを介して結像するための複数の構造を形成するように配置された前記放射吸収材料を備え、
    異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
    前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造の像シフトを決定するステップであって、前記像シフトは、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
    前記投影システムを用いて結像される際に前記複数の構造が等しい像シフトを有する前記放射吸収材料の厚さを選択するステップと、を含む、方法。
  13. リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚さを決定する方法であって、前記リソグラフィマスクは反射基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを用いて結像するための複数の構造を形成するように配置された前記放射吸収材料を備え、
    異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
    特定の波長を用いて前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面を決定するステップであって、前記ベストフォーカス面は、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
    前記放射吸収材料の厚さを、前記投影システムを用いて前記構造が結像される際に前記選択された構造のベストフォーカス面間の放射吸収材料の厚さの関数としての偏差が最小値に対応するような厚さに選択するステップと、を含む、方法。
  14. リソグラフィマスクに設けられる放射吸収材料の厚さを決定する方法であって、前記リソグラフィマスクは反射基板を備え、前記基板は、リソグラフィ装置の投影システムを用いて結像するための複数の構造を形成するように配置された前記放射吸収材料を備え、
    異なるピッチを有する複数の構造を選択するステップと、
    特定の波長を用いて前記投影システムを介して結像される際に前記選択された構造の像シフトを決定するステップであって、前記像シフトは、異なる厚さの前記放射吸収材料ごとに決定される、ステップと、
    前記放射吸収材料の厚さを、前記投影システムを用いて前記構造が結像される際に前記選択された構造の像シフト間の放射吸収材料の厚さの関数としての偏差が最小値に対応するような厚さに選択するステップと、を含む、方法。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8793626B2 (en) * 2012-03-23 2014-07-29 Texas Instruments Incorporated Computational lithography with feature upsizing
CN104570589B (zh) * 2013-10-12 2018-08-07 北大方正集团有限公司 掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法
CN104635418B (zh) * 2013-11-07 2018-01-02 北大方正集团有限公司 一种掩模版及一种测量光刻机的版旋转偏差的方法
WO2016091534A1 (en) 2014-12-09 2016-06-16 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for image analysis
US10607334B2 (en) * 2014-12-09 2020-03-31 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for image analysis
WO2016144690A1 (en) * 2015-03-12 2016-09-15 Rave, Llc Apparatus and method for indirect surface cleaning
CN116909086A (zh) * 2017-02-25 2023-10-20 Asml荷兰有限公司 图案形成装置及其制造方法、设计方法以及计算机程序产品
CN110361936B (zh) * 2018-03-26 2021-03-12 上海微电子装备(集团)股份有限公司 掩模版厚度检测装置、存储机构、传输机构及光刻系统
CN113260926A (zh) 2019-01-03 2021-08-13 Asml荷兰有限公司 用于测量光刻设备的聚焦性能的方法、图案形成装置和设备、以及器件制造方法
CN110442172B (zh) * 2019-07-24 2021-02-19 昆明理工大学 一种基于嵌入式cps的工业危险品临时存储的实时监控装置
CN113031390A (zh) * 2021-03-15 2021-06-25 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 激光直写及其仿真的方法、装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07199447A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Sony Corp 単層ハーフトーン方式位相シフトマスク及びその作製方法
JP3178516B2 (ja) * 1997-11-05 2001-06-18 日本電気株式会社 位相シフトマスク
TW512424B (en) 2000-05-01 2002-12-01 Asml Masktools Bv Hybrid phase-shift mask
US6593041B2 (en) * 2001-07-31 2003-07-15 Intel Corporation Damascene extreme ultraviolet lithography (EUVL) photomask and method of making
JP2002268201A (ja) * 2002-03-11 2002-09-18 Dainippon Printing Co Ltd 位相シフトフォトマスク及び位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法
US7029802B2 (en) 2003-06-16 2006-04-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Embedded bi-layer structure for attenuated phase shifting mask
US8252487B2 (en) 2003-12-17 2012-08-28 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and mask for use therein
JP4588368B2 (ja) * 2004-06-15 2010-12-01 富士通セミコンダクター株式会社 露光計測方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法
EP1804119A1 (en) 2005-12-27 2007-07-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum Method for manufacturing attenuated phase- shift masks and devices obtained therefrom
JP2007271712A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp フォトマスク、露光装置及びパターン形成方法
JP2009122566A (ja) * 2007-11-19 2009-06-04 Dainippon Printing Co Ltd 低反射型フォトマスクブランクスおよびフォトマスク
JP2009139632A (ja) * 2007-12-06 2009-06-25 Elpida Memory Inc マスクパターン補正方法及び露光用マスク
JP5295553B2 (ja) * 2007-12-07 2013-09-18 株式会社東芝 反射型マスク
JP2009259976A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Toshiba Corp 露光方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
KR100948770B1 (ko) * 2008-06-27 2010-03-24 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법
JP5584689B2 (ja) * 2008-10-06 2014-09-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 2次元ターゲットを用いたリソグラフィの焦点及びドーズ測定
JP2013003300A (ja) 2011-06-15 2013-01-07 Mitsubishi Rayon Co Ltd マイクロレンズシートの製造方法

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