CN110366702B

CN110366702B - 图案形成装置及其制造方法和图案形成装置的设计方法

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Publication number: CN110366702B
Application number: CN201880014080.2A
Authority: CN
Inventors: 段福·史蒂芬·苏; 刘晶晶
Original assignee: ASML Holding NV
Current assignee: ASML Holding NV
Priority date: 2017-02-25
Filing date: 2018-02-20
Publication date: 2023-07-18
Anticipated expiration: 2038-02-20
Also published as: KR102279529B1; TW202206939A; US20220004094A1; KR102405701B1; TW202030542A; CN110366702A; TWI820510B; KR20190117733A; US11487198B2; US11126077B2; KR20210091831A; TW201839496A; CN116909086A; TWI748430B; WO2018153872A1; TWI694301B; US20200041891A1

Abstract

一种图案形成装置(100)，包括：在图案形成装置基板(102)上的吸收体层(106)；和在图案形成装置基板上的反射层或透射层(104)，其中吸收体层和反射层或透射层一起限定具有主要特征(112)和与主要特征配对的衰减式亚分辨率辅助特征(110)的图案布局，其中：所述主要特征被配置成在将所述器件图案转印到衬底上的图案形成材料的层时，在所述图案形成材料的层中产生所述主要特征，和在将图案转印到图案形成材料的层时，衰减式亚分辨率辅助特征被配置成避免在图案形成材料的层中生成特征，并且产生与主要特征不同的辐射强度。

Description

图案形成装置及其制造方法和图案形成装置的设计方法

相关申请的交叉引用

本申请基于2017年2月25日提交的名称为“Patterning Device,a Method ofMaking the Same，and a Patterning Device Design Method”的美国临时申请号62/463,619并且要求其优先权，且还要求2017年2月26日提交的名称为“Patterning Device,aMethod of Making the Same,and a Patterning Device Design Method”的美国临时申请号62/463,669的优先权，这两个申请的全部内容通过引用合并到本文中。

技术领域

本发明一般涉及器件制造和在器件制造过程中印制图案的方法。

背景技术

光刻设备是将所期望的图案施加至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以例如用于集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地被称作掩模或掩模版)可以用以产生对应于IC的单层上的图案，并且此图案可以被成像至具有辐射敏感材料(诸如光阻这样的抗蚀剂)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的部分、一个管芯或几个管芯)上。一般而言，单个衬底将包括依次曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来照射每一目标部分；和所谓的扫描器，其中在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时平行或反向平行于所述方向同步地扫描衬底来照射每一目标部分。

在将图案从图案形成装置转印到衬底之前，衬底可以经历各种过程，例如涂底漆、涂覆抗蚀剂和软烘烤。在曝光之后，衬底可以经受其它过程，例如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和经转印图案的测量/检查。这一系列过程被用作制造器件(例如IC)的单个层的基础。然后，衬底可以经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有这些过程都旨在完成器件的单层。如果在器件中需要若干层，则对每层重复整个过程、或其变型。最后，器件将存在于衬底上的每个目标部分中。然后，通过诸如切割或锯切这样的技术将这些器件彼此分离，由此可以将各单个器件安装在载体上、连接到引脚等。虽然术语“衬底”包括下方的基底(例如，硅)，但是在适用的情况下，其还可以包括覆盖所述基底的一个或更多个层。因而，将图案转印到衬底中或衬底上的步骤可以包括将图案转印到衬底上的一个或更多个层上。

因而，制造器件(诸如半导体器件)通常涉及使用多个制造过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成器件的各种特征和多个层。这些层和特征通常使用例如淀积、光刻、蚀刻、化学机械抛光、和离子注入来制造和处理。可在衬底上的多个管芯上制造多个器件，且然后将其分成单独的器件。此器件制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案化步骤，诸如在光刻设备中使用图案形成装置的光学和/或纳米压印光刻，以将图案形成装置上的图案转印到衬底上，并且通常但可选地涉及到一个或更多个相关的图案处理步骤，诸如通过显影设备的抗蚀剂显影、使用烘焙工具的衬底烘焙、使用蚀刻设备而使用图案进行蚀刻等。

发明内容

在半导体制造过程中采用极紫外(EUV)光刻来印制比用单图案化浸没光刻所能实现的特征更小的特征。随着用于在半导体衬底上印制器件图案的辐射的波长减小，亚分辨率辅助特征(SRAF)的宽度也减小，以便维持所述辅助特征的“亚分辨率”性质。EUV光刻的短波长导致SRAF宽度低于当前掩模制造技术的掩模写入分辨率。

在一实施例中，提供了一种反射式图案形成装置，其包括吸收体层和反射层，其中吸收体层和反射层一起限定了包括衰减式亚分辨率辅助特征(衰减式SRAF)的器件图案布局。

在一实施例中，提供了一种图案形成装置，包括：在图案形成装置基板上的吸收体层；以及在所述图案形成装置基板上的反射层或透射层，其中所述吸收体层和所述反射层或透射层一起限定具有主要特征和与所述主要特征配对的衰减式亚分辨率辅助特征(衰减式SRAF)的图案布局，其中：主要特征被配置为在将器件图案转印到衬底上的图案形成材料的层时，在图案形成材料的层中生成主要特征，并且在将图案转印到图案形成材料的层时，衰减式SRAF被配置成避免在图案形成材料的层中生成特征，并且产生与主要特征不同的辐射强度。

在一实施例中，提供了一种图案形成装置，包括：图案形成装置基板；以及在所述基板上的图案化层，其中：图案化层的第一部分具有第一水平的反射率、吸收率或透射率，图案化层的第二部分具有不同于第一水平的反射率、吸收率或透射率的第二水平的反射率、吸收率或透射率，并且图案层的第三部分具有第三水平的反射率、吸收率或透射率，其中第三水平的反射率、吸收率或透射率在第一和第二水平的反射率、吸收率或透射率之间，并且是亚分辨率辅助特征的一部分。

在一实施例中，提供了一种制造图案形成装置的方法，该方法包括：从所述图案形成装置的图案形成装置基板之上的吸收体层移除一部分吸收体材料，以形成第一组图案布局特征和第二组图案布局特征；在第二组图案布局特征的至少一部分上提供掩模材料，以便暴露第一组图案布局特征，同时覆盖第二组图案布局特征；以及在所述第二组图案布局特征被所述掩模材料覆盖的同时，移除所述第一组图案布局特征的所述吸收体层的至少一部分。

在一实施例中，提供了一种制造图案形成装置的方法，该方法包括：从所述图案形成装置的图案形成装置基板上的吸收体层移除一部分吸收体材料，以形成一组图案布局特征；在该组图案布局特征的至少一部分上设置掩模材料，以便在覆盖该组图案布局特征的同时暴露所述图案形成装置基板的一部分；以及在该组图案布局特征被所述掩模材料覆盖的同时，将吸收性材料添加到所述图案形成装置基板的所述暴露部分。

在一实施例中，提供了一种方法，包括：获得匹配公式，所述匹配公式将第一衍射光谱的最大空间图像强度与第二衍射光谱的最大空间图像强度匹配，该第一衍射光谱与具有清除式亚分辨率特征(清除式SRAF)的图案形成装置图案布局相关联，该第二衍射光谱与被修改成具有衰减式亚分辨率特征(衰减式SRAF)的图案形成装置图案布局相关联；以及通过硬件计算机求解所述匹配公式以确定衰减式SRAF的尺寸值。

在一实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括其上记录有指令的计算机可读介质，当由实现如本文所述的方法的计算机执行所述指令时执行。

在参考附图考虑以下描述和所附权利要求书时，这些和其它特征以及操作方法，和结构的相关元件的功能，以及部件的组合，和制造的经济性将变得更加明显，所有这些形成本说明书的一部分。然而，应当清楚地理解，附图仅用于说明和描述的目的，而并非旨在作为对本发明的限制的定义。

附图说明

在附图中，通过示例而非限制的方式示出了本发明的实施例，其中相同的附图标记表示相似的元件。

图1描绘了光刻设备的实施例的示意图；

图2是另一光刻投影设备的示意图；

图3是图2中的设备的更详细的视图；

图4是图2和图3的设备的源收集器模块SO的更详细的视图；

图5描绘了光刻单元的实施例的示意图；

图6示意性地描绘了图案形成装置的实施例的截面图；

图7示意性地描绘了图案形成装置的实施例的截面图；

图8描绘了制造衰减式SRAF的方法的实施例的流程图；

图9A、图9B、图9C、图9D、图9E、图9F、图9G和图9H示意性地描绘了在制造衰减式SRAF的方法的实施例的阶段期间图案形成装置的截面图；

图9I、图9J、图9K、图9L、图9M、图9N、图9O和图9P示意性地描绘了在制造衰减式SRAF的方法的实施例的阶段期间图案形成装置的截面图；

图10描绘了计算与衰减式SRAF相关的维数的方法的实施例的流程图；

图11A、图11B和图11C示意性地描绘了图案布局的薄掩模表示及其透射；

图12A描绘了反射图案形成装置对SRAF吸收体厚度参数的示意图；

图12B描绘了作为SRAF宽度和SRAF吸收体厚度参数的函数的图像对数斜率(例如NILS)的曲线图；

图12C描绘了作为SRAF宽度和SRAF吸收体厚度参数的函数的旁瓣印制的曲线图；和

图13描绘了与本文描述的一种或更多种技术一起使用的计算机系统的示意图。

具体实施方式

图1示意性地描绘了光刻设备LA，本文中所描述技术能够与所述光刻设备相关联地运用。该设备包括：照射光学系统(照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如紫外(UV)辐射、或深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；图案形成装置支撑件或支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA，且连接至配置成根据某些参数来准确地定位该图案形成装置的第一定位器PM；一个或更多个衬底台(例如晶片台)WTa、WTb，构造成保持衬底(例如涂覆抗蚀剂的晶片)W，且连接至配置成根据某些参数来准确地定位该衬底的第二定位器PW；和投影光学系统(例如折射、反射、反射或反射折射光学系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。

照射光学系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如包括折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电或其它类型的光学部件或其任何组合。在这种特定情况下，所述照射系统还包括辐射源SO。

图案形成装置支撑件以取决于图案形成装置的方向、光刻设备的设计及其它条件(诸如例如图案形成装置是否被保持于真空环境中)的方式来保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以是例如框架或台，其可视需要是固定的或可移动的。所述图案形成装置支撑件可以确保图案形成装置例如相对于投影系统处于所期望的位置。可认为本发明中使用的任何术语“掩模版”或“掩模”都与更上位的术语“图案形成装置”同义。

本发明所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地解释为指可以用以在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案以便在衬底的目标部分中产生图案的任何装置。应该注意的是，例如，如果被赋予至辐射束的图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则该图案可能不确切地对应于衬底的目标部分中的所期望的图案。通常，被赋予至辐射束的图案将对应于目标部分中所产生的器件(诸如集成电路)中的特定功能层。

图案形成装置可以是透射的或反射的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、和可编程LCD面板。掩模在光刻中是熟知的，且包括诸如二元掩模类型、交替相移掩模类型和衰减相移掩模类型以及各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例使用小反射镜的矩阵布置，所述小反射镜中的每一个可以单独地倾斜，以便在不同方向上反射入射辐射束。倾斜的反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。作为另一个示例，图案形成装置包括LCD矩阵。

如本文所描述的，所述设备属于透射类型(例如使用透射图案形成装置)。然而，所述设备可属于反射类型(例如使用上文所提及的类型的可编程反射镜阵列，或使用(例如，用于EUV系统的)反射掩模)。

光刻设备也可以属于以下类型：其中衬底的至少一部分可由具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其它空间，例如掩模与投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中被熟知用于增大投影系统的数值孔径。本发明中所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底之类的结构必须浸没于液体中，而是仅意味着液体在曝光期间位于投影系统与衬底之间。

参看图1，照射器IL接收来自辐射源SO(例如，汞灯或准分子激光器，LPP(激光产生的等离子体)EUV源)的辐射束。例如，当源为准分子激光器时，源和光刻设备可以是分立的实体。在这样的情况下，不将源看成构成光刻设备的部分，辐射束借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束递送系统BD而从源SO传递至照射器IL。在其它情况下，例如，当源为汞灯时，源可以是光刻设备的组成部分。源SO和照射器IL连同在需要时设置的束递送系统BD可以被称作辐射系统。

照射器IL可以包括用于调整辐射束的空间和/或角强度分布的调整器AD。通常，可调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称作σ-外部和σ-内部)。另外，照射器IL可以包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。照射器可以用以调节辐射束，以在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。

辐射束B入射于被保持于图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT上的图案形成装置(例如掩模)MA上，且由图案形成装置来形成图案。在已横穿图案形成装置(例如掩模)MA的情况下，辐射束B传递通过投影光学系统PS，投影光学系统PS将该束聚焦至衬底W的目标部分C上，由此将图案的图像投影到目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如干涉仪装置、线性编码器、2D编码器或电容式传感器)，可准确地移动衬底台WT例如以便使不同目标部分C定位于辐射束B的路径中。相似地，第一定位器PM和另一位置传感器(其未在图1中明确地描绘)可以用以例如在从掩模库的机械获取之后或在扫描期间相对于辐射束B的路径来准确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。

可以使用掩模对准标记Ml、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。尽管如所图示的衬底对准标记占据专用目标部分，但所述衬底对准标记可以位于目标部分之间的空间中(这些标记被称为划线对准标记)。类似地，在多于一个管芯被设置于图案形成装置(例如掩模)MA上的情形下，掩模对准标记可位于所述管芯之间。小的对准标记也可被包括在器件特征中的管芯内，在此情况下，希望标记尽可能小且不需要与邻近特征不同的任何成像或过程条件。检测所述对准标记的对准系统将在下面进一步描述。

在此示例中的光刻设备LA是所谓的双平台类型，其具有两个衬底台WTa、WTb和两个站(曝光站和测量站)，在这两个站之间可以交换衬底台。当一个衬底台上的一个衬底在曝光站处被曝光时，另一衬底可以在测量站处被装载到另一衬底台上，并且执行各种预备步骤。预备步骤可以包括使用水平传感器LS来映射衬底的表面控制、使用对准传感器AS来测量所述衬底上的对准标记的位置、执行任何其它类型的计量或检查，等等。这能使得设备的生产量显著增加。更一般地，光刻设备可以是具有两个或更多个台(例如，两个或更多个衬底台、衬底台和测量台、两个或更多个图案形成装置台，等等)的类型。在这种“多平台”装置中，多个台可以并行使用，或者可以在一个或更多个台上进行预备步骤，同时一个或更多个其它台用于曝光。

虽然水平传感器LS和对准传感器AS被示出为与衬底台WTb相邻，但是应当理解，另外地或可替代地，水平传感器LS和对准传感器AS可以被设置成邻近于投影系统PS以相对于衬底台WTa进行测量。

所描述的设备可以用于各种模式，包括例如步进模式或扫描模式。

图2示意性地描绘了可以与本文描述的技术一起运用的另一示例性光刻投影设备1000。光刻投影设备1000包括：

-源收集器模块SO；

-照射系统(照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如EUV辐射)；

-支撑结构(例如图案形成装置台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并且连接到配置成准确地定位该图案形成装置的第一定位器PM；

-衬底台(例如晶片台)WT，构造成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到配置成准确地定位该衬底的第二定位器PW；和

-投影系统(例如反射型投影系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予幅射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。

如这里所描绘的，设备1000属于反射类型(例如，采用反射型图案形成装置)。应该注意的是，由于大多数材料在EUV波长范围内具有吸收性，所以图案形成装置可以具有包括例如钼和硅的多叠层的多层反射器。在一个示例中，多叠层反射器具有钼和硅的40个层对，其中，例如每一层的厚度小于或等于(例如，小于或等于四分之一)波长。可以通过X射线光刻术来产生甚至更小的波长。由于大多数材料在EUV和x射线波长下具有吸收性，所以图案形成装置形貌(topography)上的图案化的吸收性材料的薄片(例如，多层反射器的顶部上的TaN吸收体)限定特征将印制(正型抗蚀剂)或不印制(负型抗蚀剂)的地方。

参照图2，照射器IL从源收集器模块SO接收极紫外辐射束。用于产生EUV辐射的方法包括但不一定限于具有在EUV范围内的一种或更多种发射谱线的至少一种元素(例如氙、锂或锡)的材料转换成等离子体状态。在一种这样的方法(经常被称为激光产生的等离子体(“LPP”))中，可以通过利用激光束来辐射燃料(诸如，具有线发射元素的材料的液滴、流或簇)而产生等离子体。源收集器模块SO可以是包括激光器(图2中未示出)的EUV辐射系统的一部分，该激光器用于提供激发燃料的激光束。所得到的等离子体发出输出辐射，例如EUV辐射，该输出辐射是使用设置于源收集器模块中的辐射收集器来收集的。例如，当使用CO₂激光器来提供用于燃料激发的激光束时，激光器和源收集器模块可以是分立的实体。

在这些情况下，不认为激光器构成光刻设备的一部分，并且辐射束借助于包括例如适当的定向反射镜和/或扩束器的束递送系统而从激光器传递到源收集器模块。在其它情况下，例如，当所述源是放电产生等离子体EUV产生器(经常被称为DPP源)时，所述源可以是源收集器模块的组成部分。

照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称作σ-外部和σ-内部)。另外，照射器IL可以包括各种其它部件，诸如，琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。照射器可以用于调节辐射束，以便在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。

辐射束B入射于被保持于支撑结构(例如图案形成装置台)MT上的图案形成装置(例如掩模)MA上，并且通过该图案形成装置而形成图案。在从图案形成装置(例如掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将该束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪装置、线性编码器或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如，以使不同的目标部定位于辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和另一个位置传感器PS1可以用以相对于辐射束B的路径来精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如掩模)MA和衬底W。

所描绘的设备1000可以在以下模式中的至少一种模式下使用：

1.在步进模式下，在将赋予辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上时，使支撑结构(例如图案形成装置台)MT和衬底台WT保持基本上静止(即，单次静态曝光)。然后，使衬底台WT在X和/或Y方向上移位，以便能够曝光不同的目标部分C。

2.在扫描模式下，在将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上时，同步地扫描支撑结构(例如图案形成装置台)MT和衬底台WT(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如图案形成装置台)MT的速度和方向。

3.在另一种模式下，在将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上时，使保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如图案形成装置台)MT保持基本上静止，并且移动或扫描衬底台WT。在这种模式下，通常采用脉冲式辐射源，并且在衬底台WT的每一次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要而更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以容易地应用于利用可编程图案形成装置(诸如，上文所提及的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

图3更详细地示出了设备1000，该设备包括源收集器模块SO、照射系统IL和投影系统PS。源收集器模块SO构造和布置成可以将真空环境维持在源收集器模块SO的围封结构3220中。可以通过放电产生的等离子体源而形成EUV辐射发射的等离子体3210。可以通过气体或蒸汽(例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽)而产生EUV辐射，其中，产生极热的等离子体3210以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。例如，通过引起至少部分地电离的等离子体的放电而产生极热的等离子体3210。为了有效产生辐射，可能需要为例如分压为10Pa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它适当的气体或蒸汽。在实施例中，提供受激发的锡(Sn)的等离子体，以产生EUV辐射。

由热等离子体3210发射的辐射经由定位于源腔室3211中的开口中或其后方的可选的气体阻挡件或污染物截留器3230(在一些情况下，也被称作污染物阻挡件或箔片阱)而从源腔室3211传递到收集器腔室3212中。污染物截留器3230可以包括通道结构。污染物截留器3230也可以包括气体阻挡件，或气体阻挡件与通道结构的组合。如本领域中已知的，本文中进一步示出的污染物截留器或污染物阻挡3230至少包括通道结构。

收集器腔室3211可以包括可以是所谓的掠入射收集器的辐射收集器CO。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧3251和下游辐射收集器侧3252。横穿收集器CO的辐射可以由光栅光谱滤光器3240反射走，然后沿着点划线‘O’所指示的光轴而聚焦在虚源点IF处。虚源点IF通常被称作中间聚焦或焦点，并且源收集器模块被布置成使得中间焦点IF位于围封结构3220中的开口3221处或其附近。虚源点IF是辐射发射等离子体3210的图像。

随后，辐射横穿照射系统IL，该照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，该琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24被布置成提供在图案形成装置MA处具有期望的角分布的辐射束21，以及在图案形成装置MA处具有期望的均匀性的辐射强度。在辐射束21在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射之后，形成图案化的束26，并且通过投影系统PS将图案化的束26经由反射元件28、30而成像到由衬底台WT保持的衬底W上。

比图示的元件更多的元件通常可以设置在照射光学装置单元IL和投影系统PS中。依赖于光刻设备的类型，可以可选地设置光栅光谱滤光器3240。另外，可以存在比图中所示的反射镜更多的反射镜，例如，在投影系统PS中可以存在比图3所示的反射元件多1至6个的额外反射元件。

如图3所示的收集器光学装置CO被描绘为具有掠入射反射器3253、3254和3255的巢状收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器3253、3254和3255设置成围绕光轴O轴对称，并且这种类型的收集器光学装置CO可以与经常被称作DPP源的放电产生的等离子体源组合使用。

可替代地，源收集器模块SO可以是如图4所示的LPP辐射系统的一部分。激光器LA布置成将激光能量沉积到诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)的燃料中，从而产生具有几十电子伏特(eV)的电子温度的高度电离的等离子体3210。在这些离子的去激发(de-excitation)和再结合期间产生的高能辐射从等离子体发射，由近正入射收集器光学装置CO收集，并且聚焦到围封结构3220中的开口3221上。

如图5中所示，光刻设备LA形成光刻系统的一部分，称为光刻单元LC或光刻元(lithocell)或簇。光刻单元LC也可以包括用以对衬底执行曝光前过程和曝光后过程的设备。通常，这些设备包括用以淀积抗蚀剂层的旋涂器SC、用以显影被曝光的抗蚀剂的显影器DE、激冷板CH和/或焙烤板BK。衬底处理装置或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同过程设备之间移动衬底，且然后将衬底递送至光刻设备的进料台LB。常常被统称为轨道或显影装置(track)的这些装置由轨道控制单元TCU控制，轨道控制单元TCU自身受管理控制系统SCS控制，管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU来控制所述光刻设备。因此，不同设备能够被操作以最大化生产量和处理效率。

在半导体制造过程中采用极紫外(EUV)光刻术来印制比利用单图案化浸没光刻术所能实现的特征更小的特征。随着用于在衬底上印制器件图案的辐射的波长的减小，图案形成装置的焦深也减小。此外，增加EUV光刻术中的光学器件的数值孔径(NA)可以导致焦深减小，从而减小用于在装置基板上进行器件图案的特征的印制的过程窗口。

因此，在图案形成装置中包含亚分辨率辅助特征(SRAF)可以改善图案形成装置的焦深，以便增加用于光刻术的制造过程窗口，并且增强透射穿过所述图案形成装置的主要特征的辐射。在一实施例中，结合照射与图案形成装置图案布局优化(有时称为源掩模优化(SMO))来应用此SRAF。

SRAF可以与图案形成装置上的器件图案布局的主要特征配对以增强所述主要特征，同时SRAF被配置为避免分辨在装置基板上的图案形成材料中的辅助特征。在图案形成装置的一些实施例中，SRAF可能是期望的，以便调节图案形成装置的光学响应，使得图案形成装置的主要特征在基板上的图案形成材料的层中产生特征，并且使得与主要特征配对的SRAF保持“亚分辨率”并且不在紧邻衬底上的图案形成材料的层中的主要特征处印制特征(有时称为旁瓣)。因而，SRAF是与图案形成装置上的入射辐射相互作用的装置(或其它)图案的图案特征，但是被配置成使得亚分辨率特征实际上不在衬底处印制(通常因为由亚分辨率特征所产生的强度低于衬底上的抗蚀剂的强度阈值)。

在一实施例中，EUV图案形成装置具有亚分辨率辅助特征，其在规格上除了横向尺寸之外，与图案形成装置上的器件图案布局的主要特征(本文中称为清除式SRAF)相当，例如，SRAF如同所述主要特征般延伸穿过吸收体材料的层以暴露介于吸收体材料的层与图案形成装置基板(有时称为暗场图案形成装置)之间的反射材料的层，或者SRAF如同所述主要特征般是具有相同高度的吸收体和从图案形成装置基板(有时称为亮场图案形成装置)上的反射材料突出的材料。

现在，SRAF特征的宽度与用于执行光刻过程的辐射的波长成比例，并且与光刻设备的数值孔径(NA)的倒数成比例。因此，为了减小波长和/或增大数值孔径，SRAF宽度应当收缩以避免被印制。

但是，随着光刻波长的缩小和/或光刻设备的数值孔径的增大，用于图案形成装置的清除式SRAF的预期宽度可以具有小(例如30nm或更小)到例如比用来制造所述图案形成装置的光刻过程的光学分辨率更小、或者比能够可靠地生产的尺寸(例如由于比宽度更大的高纵横比)更小的尺寸。因此，即使清除式SRAF能够适应辐射的较短波长(包括在光刻方法的一些实施例中所使用的EUV辐射)，和/或以增加的数值孔径工作，SRAF的尺寸也可以窄到使得其无法在当前或可靠地使用光刻过程制造。

因此，在一实施例中，提供了一种用于反射型图案形成装置的衰减式SRAF，如下文更详细描述的。衰减式SRAF可以具有比清除式SRAF更大的宽度，并且具有类似的光学响应，且因此可以增加图案形成装置制造窗口。因而，在光刻工具中所使用的反射型图案形成装置可以具有一个或更多个衰减式SRAF，所述衰减式SRAF与图案形成装置上的器件图案布局的主要特征配对，以改进图案形成材料的层上的主要特征的分辨率。衰减式SRAF有助于回避图案形成装置制造极小的清除式SRAF的挑战。

在一实施例中，为图案形成装置引入用于SRAF的第三色调，该第三色调在吸收体色调与反射表面色调中间。为了保持与清除式SRAF相同的光学响应，可以定制衰减式SRAF的一个或更多个属性(诸如尺寸)，以补偿辐射穿过吸收体以产生第三色调时的能量损失。

在一实施例中，在暗场图案形成装置的情况下，衰减式SRAF在吸收体层内的SRAF的凹陷内具有至少部分辐射吸收性材料，该辐射吸收性材料比吸收体层内的主要特征的凹陷内的材料更具辐射吸收性。在一实施例中，所述至少部分吸收性材料具有的高度/厚度小于用于限定所述图案形成装置的主要特征的吸收体材料的高度/厚度。在一实施例中，所述至少部分吸收性材料具有的高度/厚度大于在图案形成装置的主要特征中所使用的吸收体材料(如果有的话)的高度/厚度。在一实施例中，所述至少部分吸收性材料是与吸收体层的材料基本相同的材料。在一实施例中，所述至少部分吸收性材料是与吸收体层的材料不同的材料。

在一实施例中，在亮场图案形成装置的情况下，衰减式SRAF具有与主要特征不同的高度/厚度和/或具有与主要特征不同的材料组成。在一实施例中，衰减式SRAF具有比主要特征更小的高度/厚度。

在一实施例中，衰减式SRAF具有与对于使用辐射波长和数值孔径的特定组合的特定图案化过程具有相当的性能的相当的清除式SRAF相比更大的宽度。在一实施例中，衰减式SRAF具有与具有小于或等于30nm、小于或等于25nm、小于或等于15nm、小于或等于10nm、小于或等于5nm、或小于或等于3nm的宽度的清除式SRAF相当的性能。在一实施例中，衰减式SRAF并不利用14nm或更小波长的辐射和大于0.30的数值孔径进行印制，并且具有大于或等于15nm、大于或等于20nm、大于或等于25nm、或大于或等于30nm的宽度。在一实施例中，对于使用辐射波长和数值孔径(例如，14nm或更小波长的辐射和大于0.30的数值孔径)的特定组合的特定图案化过程，衰减式SRAF将不会进行印制，而与衰减式SRAF相同宽度的清除式SRAF将会进行印制。在一实施例中，衰减式SRAF将会产生在相当的清除式SRAF的最大强度的上下±2％、±5％、±10％或±15％以内的最大强度。在一实施例中，衰减式SRAF具有大于或等于15nm、大于或等于20nm、大于或等于25nm或大于或等于30nm的侧向尺寸。

现在，在继续描述衰减式SRAF的实施例之前，可以观察到EUV衰减式SRAF与DUV衰减式相移掩模相比非常不同地工作。对于DUV，衰减式相移掩模是透射掩模。消光系数k和吸收体厚度控制衰减。折射率n控制相位。因此，为了实现π相移，应当选择特定的最佳厚度。对于EUV图案形成装置，反射层薄膜厚度变化可以改变相位，这引入了置放误差。并且，对于EUV衰减式SRAF，衰减由吸收体消光系数和厚度控制，这类似于DUV。但是相位由SRAF宽度和深度控制。因此，当EUV辐射传播通过大于EUV波长的SRAF沟槽时，全内反射控制波传播的路径，并且因此确定SRAF相对于主要特征的相移。此外，对于EUV衰减式SRAF，吸收体折射率n非常接近真空，并且SRAF宽度的增加是适度的。因此，主要考虑EUV衰减式SRAF的衰减效应。

图6描绘了图案形成装置100的实施例的横截面图。在一实施例中，图案形成装置100是暗场图案形成装置。图案形成装置100包括图案形成装置基板102，在该图案形成装置基板102上设置有反射性层104和吸收体层106。吸收体层106和反射性层104可以一起形成包括用于制造过程的器件图案布局的图案化层108。

在一实施例中，吸收体层包括衰减式SRAF 110、主要特征112、以及另一衰减式SRAF 114。衰减式SRAF 110和另一衰减式SRAF 114被配置成修改入射到这些衰减式SRAF上的辐射的光学响应，但并不分辨作为装置基板上的图案形成材料的层中的特征。

吸收体层包括：具有吸收体材料的第一厚度、或吸收体层总厚度的第一区域116，以及具有吸收体材料的第二厚度的第二区域118(如果有的话)。在一实施例中，主要特征112可以对应于图案形成装置的第二区域118。在一实施例中，第一区域116可以对应于吸收体层的未修改区域。

在一实施例中，吸收体层包括具有吸收体材料的第三厚度的第三区域。在一实施例中，第三区域可以包括与衰减式SRAF 110相对应的子区域120A，以及与另一衰减式SRAF114相对应的子区域120B。

在一实施例中，第一区域116中的吸收体层106可以具有与吸收体材料的初始厚度近似相等的吸收体材料的厚度。根据一实施例，第二区域118中的主要特征112可具有零或大约为零的第一吸收体厚度。吸收体层106中的主要特征112的深度124可以等于吸收体层106的总厚度，由此吸收体层106下方的层可以直接暴露于射到图案形成装置上的入射辐射。

根据实施例，区域120A中的衰减式SRAF 110可以具有衰减式SRAF深度128，并且区域120B中的另一衰减式SRAF 114可以具有在吸收体层106的顶表面110下方的另一衰减式SRAF深度126。在一实施例中，衰减式SRAF深度128和另一衰减式SRAF深度126是相同的深度。在一实施例中，衰减式SRAF深度128和另一衰减式SRAF深度126是不同的深度。

根据一实施例，主要特征112具有主要特征宽度130，其被配置成在光刻过程期间在装置基板上的图案形成材料的层中生成器件图案的一部分。衰减式SRAF 110具有衰减式SRAF宽度132，并且另一衰减式SRAF114具有另一衰减式SRAF宽度134。在一实施例中，衰减式SRAF宽度132和另一衰减式SRAF宽度134是相同的宽度。在一实施例中，衰减式SRAF宽度132和另一衰减式SRAF宽度134是不同的宽度。

在一实施例中，衰减式SRAF 110与主要特征112相距第一距离136，并且另一衰减式SRAF 114与主要特征112相距第二距离138。根据一实施例，第一距离136和第二距离138是不同的尺寸，以便例如帮助校正光刻过程中的Bossung倾斜。在一实施例中，第一距离136和第二距离138是相同的尺寸。

虽然本实施例已经将衰减式SRAF 110和另一衰减式SRAF 114中的吸收性材料描述为与用于创建所述主要特征112的吸收体层相同的吸收体层，但是它不必如此。在衰减式SRAF 110和/或另一衰减式SRAF 114中的吸收性材料可以是与吸收体层106不同的材料。此外，根据所述吸收性材料，衰减式SRAF 110和/或另一衰减式SRAF 114的高度/厚度并非一定小于吸收体层106的高度/厚度。

图7描述了图案形成装置200的实施例的横截面视图。在一实施例中，图案形成装置200是亮场图案形成装置。图案形成装置200包括图案形成装置基板202，在该图案形成装置基板202上设置反射性层204和吸收体层206。吸收体层206和反射性层204一起可以形成图案层208，该图案层208可以在光刻过程期间在装置基板上产生器件图案。

吸收体层206可以包括衰减式SRAF 210、主要特征212、和另一衰减式SRAF 214。吸收体层206可以包括具有吸收体材料的第一厚度217的第一区域216，其中吸收体材料的第一厚度217可以近似为零。在一实施例中，第一区域216可以对应于图案层208中的器件图案布局的“敞开”区域。吸收体层206可以包括具有吸收体材料的第二厚度219的第二区域218，以及具有吸收体材料(其具有在第一厚度217和第二厚度219之间的吸收体层厚度)的第三区域220A、220B。

在一实施例中，主要特征212可以对应于图案形成装置的第二区域218，使得第二厚度219大于第一区域216或第三区域220A或220B中的吸收体材料的厚度。在一实施例中，入射到第一区域216中的反射层204的辐射201从吸收体层206下方的层的表面221不受阻碍地反射效应。在一实施例中，第三区域可以包括与衰减式SRAF 210对应的子区域220A，和/或与另一衰减式SRAF 214对应的子区域220B。子区域220A可具有比第二区域218中的吸收体材料的厚度219更小的吸收体材料的厚度222。子区域220B可具有比第二区域218中的吸收体材料的厚度219更小的吸收体材料的厚度224。在一实施例中，厚度222和厚度224是相同的厚度。在一实施例中，厚度222和厚度224是不同的厚度。

衰减式SRAF 210可具有衰减式SRAF宽度232，且另一衰减式SRAF214可具有另一衰减式SRAF宽度234。在一实施例中，衰减式SRAF宽度232和另一衰减式SRAF宽度234可以是相同的宽度。在一实施例中，衰减式SRAF宽度232和另一衰减式SRAF宽度234是不同的宽度。在一实施例中，衰减式SRAF 210与主要特征212相距第一距离236，并且另一衰减式SRAF 214与主要特征212相距第二距离238。根据一实施例，第一距离236和第二距离238是不同的尺寸，以便例如校正光刻过程中的Bossung倾斜。在一实施例中，第一距离236和第二距离238是相同的尺寸。

图8描绘了制造衰减式SRAF的方法300的实施例的流程图。根据一实施例，方法300包括操作302，其中器件图案布局至少部分地在图案形成装置基板上的吸收体层的顶部中产生。根据一实施例，当制造诸如在下文描述的图9B、9D、9F和9H中描绘的暗场图案形成装置时，在吸收体层中产生了所述器件图案布局，使得图案层主要是吸收体层，从吸收体层移除一个或更多个部分以暴露反射层，被移除的部分形成所述图案层的图案特征。根据一实施例，当制造诸如在下文描述的图9A、9C、9E和9G中所描绘的亮场图案形成装置时，在吸收体材料的层中产生了所述器件图案布局，使得所述图案层主要是反射层，其中一个或更多个吸收体部分从所述反射层突出以形成图案特征。

图案布局可以通过移除吸收体材料来产生。该移除可以通过等离子体蚀刻、电子束过程、或在衬底的表面上形成器件图案布局的一些其它过程来实现。在操作302期间，吸收体层材料的移除可以发生在图案形成装置的第一区域和第二区域两者中。可以移除所述器件图案的第一区域或第二区域之一中的吸收体材料，以暴露吸收体材料的层下方的层。

方法300还可以包括操作304，其中，所述吸收体材料设置有掩模材料的层。在一实施例中，对于亮场和暗场图案形成装置两者，图案形成装置的区域具有中等厚度的吸收体材料：厚度大于零但小于吸收体层的整个厚度。在从吸收体层的暴露部分移除一些吸收体材料期间，部分地形成的器件图案布局的层上的图案形成材料的层可以保护所述吸收体层的一部分。

根据实施例，经受操作304的亮场图案形成装置可以设置有被图案化的掩模材料层，以便在通过将吸收体材料的厚度减小到中间厚度值(如上所描述)而形成衰减式SRAF之前，在未掩模的第二区域中掩蔽吸收体材料的第一区域(对应于器件图案布局的一个特征或主要特征)。根据实施例，经受操作304的暗场图案形成装置可设置有被图案化的掩模材料层，以便在通过减小所述吸收体材料的厚度以暴露反射层而完全形成主要特征之前掩蔽吸收体材料的第一区域(对应于器件图案布局的一个或更多个衰减式SRAF)。

方法300还可包括操作306，其中可完全地移除所述掩模材料。

因而，对于亮场和暗场图案形成装置两者，方法300可产生三“色调”图案形成装置图案布局：第一“色调”与具有零厚度的吸收体材料的图案形成装置的区域的光学响应对应，第二“色调”与具有中间厚度的吸收体材料的图案形成装置的区域的光学响应对应，如上所述，以及第三“色调”与具有最大(例如未修改的)厚度的吸收体材料的图案形成装置的区域的光学响应对应。作为描述本文中所讨论的蚀刻过程的步骤的替代或补充，可以使用其它方法来创建所述衰减式SRAF图案形成装置布局，包括电子束跟踪、湿化学蚀刻、从所述图案形成装置的表面溅射吸收体材料、增材过程(诸如喷墨或3D打印过程)等。

图9A-9H描绘了在诸如上文针对图8所述的图案形成装置的示例制造流程期间的图案形成装置的示意性横截面图。图9A描绘了在图案形成装置制造过程期间的亮场图案形成装置400。图案形成装置基板404具有反射层403和吸收体层405。在一实施例中，反射层403可以是在图案形成装置基板404与吸收体层405之间的钼和硅的多层叠层。吸收体层405可以包括金属层或金属氮化物层。在一实施例中，吸收体层405可以包括镍、铬、钽、铝、钌、铼和/或金。在一实施例中，吸收体层405可以是氮化钽硼(TaBN)的层。

在吸收体层405上方设置掩模材料401的层，并且掩模材料401的层具有用以至少部分地形成器件图案布局的图案。在一实施例中，掩模材料401包括抗蚀剂，其可以被形成图案化和显影以形成器件图案布局。在一实施例中，掩模材料401是能够经受光学过程以接收图案从而形成用于所述图案形成装置的器件图案布局的光刻胶层。

掩模材料401包括与所述器件图案布局的主要特征407对应的图案特征，并且与对应于所述器件图案布局的至少一个亚分辨率辅助特征406的图案特征配对。主要特征407可具有比亚分辨率辅助特征406更大的宽度，并且与多个亚分辨率特征中的每一个相距不同的距离。

图9B描绘了在图案形成装置制造过程期间的暗场图案形成装置410。在吸收体层405的顶部上设置了具有用于形成所述器件图案布局的图案的掩模材料401的层。吸收体层405位于图案形成装置基板404上的反射层403上方。图案形成材料401中的所述图案包括分别与图案形成装置的器件图案布局的亚分辨率辅助特征406和主要特征407对应的图案特征。

在设置了被图案化的掩模材料401之后，进行图案转印过程以将所述图案从图案形成材料401转印到吸收体层405。图9C和图9D分别描绘了图案形成装置制造阶段420和430，其中吸收体层405的上部经由使用掩模材料401的材料移除过程来接收至少部分器件图案布局。图9C描述了图案形成装置制造阶段420，其中图案形成材料401中所存在的所述图案已经被转印通过整个吸收体层，以暴露吸收体层405下方的层。在一实施例中，暴露在吸收体层405下方的层是反射层403。图9D描绘了图案形成装置制造阶段430，其中在图案形成材料401中所存在的图案已经被转印到吸收体层405的上部之后，吸收体层405下方的层不被曝光。在图案形成装置制造阶段430中，SRAF 406和主要特征407部分地延伸通过吸收体层405，但是不向下延伸到吸收体层405下方的层。

在将图案转印到吸收性材料层405中之后，吸收体层405具有另一层掩模材料408(其可以与掩模材料401相同或不同)，其具有暴露吸收体层405的区域的布置。图9E和图9F分别描绘了图案形成装置制造阶段440和450。图9E中的图案形成装置制造阶段440描绘了在其上执行了与操作306一致的一个或更多个处理步骤之后的图案形成装置的实施例，图9F中的图案形成装置制造平台450描绘了在其上执行了与操作306一致的一个或更多个处理步骤之后的图案形成装置的实施例。具体地，图案形成装置制造阶段440描绘了其中吸收体层405部分地覆盖有图案形成材料408以使得主要特征407被覆盖并且亚分辨率辅助特征406被暴露的实施例。此外，图案形成装置制造阶段450描绘了一个实施例，其中吸收体层405部分地被图案形成材料408覆盖，使得亚分辨率辅助特征406被覆盖，并且主要特征407被暴露。

图9G描绘了图案形成装置制造阶段460，其代表了在执行吸收体层材料移除过程以减少SRAF 406中所存在的吸收体材料的量之后、而同时主要特征407保持来自图9E所描绘的实施例的吸收体材料的原始厚度的图案形成装置的实施例。因而，图案形成装置460具有三种“色调”，或针对从图案形成装置460传播到图案形成材料层的辐射的三种光学响应类型：第一光学响应来自反射层403的敞开区域，第二光学响应来自主要特征407，并且第三光学响应来自衰减式SRAF 406，因为该光学响应不同于主要特征407附近的“敞开”区域的光学响应，并且不同于主要特征407对与所述图案形成装置相互作用的辐射的光学响应。

图9H描述了图案形成装置制造平台470，其代表了已经经历进一步的吸收体材料移除以暴露吸收体层405下方的层的一部分的图案形成装置的实施例。主要特征407延伸穿过吸收材料层405以暴露位于吸收体材料405下方的层。SRAF 406是衰减式SRAF，因为SRAF部分地延伸穿过吸收体材料405，但是并不暴露吸收体材料405下方的材料层。因而，SRAF406内的吸收体材料的部分衰减了在光刻操作期间入射到所述图案形成装置上的辐射，并且因而相对于入射到所述图案形成装置的敞开区域(例如，具有未修改的吸收体材料的区域)或主要特征407的辐射的光学响应提供不同的响应。因而，所述图案形成装置是对入射到图案形成装置上并且从图案形成装置反射的辐射具有多个光学响应的三色调图案形成装置的另一个示例。

图9I、图9J、图9K、图9L、图9M、图9N、图9O和图9P示意性地示出了在制造衰减式SRAF的方法的实施例的阶段期间图案形成装置的截横面图。此实施例类似于图9A-H的实施例，除了此实施例被设计用于在图9M和9N的阶段440和450添加材料，而不是在图9E和9F的阶段440和450移除材料。因此，为了实现这一点，例如，掩模材料401和408中的图案的布局是不同的，以在阶段420和430处在吸收体材料405中产生不同的图案。此外，在图9A中，吸收体材料405比图9I中的吸收体材料405更薄。然后，在图9M和9N中的阶段440和450处，通过例如淀积(例如化学气相淀积、物理气相淀积等)，分别添加吸收性材料。在图9M中，添加吸收性材料以形成如图9O所示的主要特征407。应了解，图案形成材料401中的图案可被不同地布置，使得在图9K处形成主要特征407，但尚未(或仅部分地)形成辅助特征406，且接着在图9M处形成(或生长)辅助特征406。在图9N中，通过掩模材料408中的开口添加吸收性材料以形成如图9P中所示的辅助特征406的吸收性的方面。

图10描绘了用于计算与衰减式SRAF相关的尺寸的方法500的实施例的流程图。特别地，提出确定具有至少不同宽度但与清除式SRAF基本相同的光学效应的衰减式SRAF。

方法500包括操作502，其中，公式化了用于具有器件图案布局的图案形成装置的第一衍射光谱，该器件图案布局具有至少一个清除的亚分辨率衰减特征(清除式SRAF)。此衍射光谱有助于提供目标，相对于该目标，具有一个或更多个衰减式SRAF的器件图案布局的性能可被评估为确定一个或更多个衰减式SRAF的参数(例如，尺寸、吸收率、与主要特征的间距，等等)的一部分。因而，计算一个或更多个清除式SRAF(以及如下文所述的一个或更多个衰减式SRAF)的扩散光谱的目的将会是调整一个或更多个衰减式SRAF的一个或更多个参数，以产生与具有一个或更多个清除式SRAF的图案形成装置的所计算的第一扩散光谱的透射率(或光学响应)相当的透射率(或光学响应)。且因此，方法500包括操作504，其中，公式化了用于具有一个或更多个衰减式SRAF的图案形成装置的第二衍射光谱。

在一实施例中，为了得到修改的衰减和衰减式SRAF的宽度，对Kirchoff掩模执行傅立叶分析以找到与清除式SRAF等效的函数。图11中描述了示例基本掩模的示意性表示。

参照图11A，示出了暗场图案形成装置的示意性薄掩模绘图。当然，可以呈现亮场图案化，并且为其确定适当的公式。

基本器件图案布局具有主要特征600，并且在其任一侧上具有清除式SRAF 610、620。图11A还示出了用于计算具有清除式和衰减式SRAF的假想图案形成装置的扩散光谱的各种尺寸和规格。例如，图11A指定第一清除式SRAF 610的宽度s₁、第二清除式SRAF 620的宽度s₂、第一清除式SRAF 610与主要特征600的第一侧相距的距离d₁、第二清除式SRAF620与主要特征600的第二侧相距的距离d₂、以及主要特征600的宽度w。如将理解的，虽然宽度w将可能保持相同，但是可以改变与清除式SRAF有关的其它参数以创建衰减式SRAF。

图11B现在示意性地示出了衰减式SRAF 630、640的创建。在此示例中，对应于第一清除式SRAF 610的衰减式SRAF 630具有从a到a'的延伸宽度，而对应于第二清除式SRAF620的衰减式SRAF 640具有从d到d'的延伸宽度。这由虚线框630、640示意性地示出。当然，宽度可以在不同的方向上改变，并且距离d₁和d₂之一或两者可以改变。

透射率的变化将会与宽度变化相关联以形成衰减式SRAF。图11C示出了来自SRAF的透射率的变化。透射率660对应于主要特征600的透射率，并且在此示例中保持相同。透射率660对应于第一清除式SRAF 610的透射率，且透射率670对应于第二清除式SRAF 620的透射率。透射率680对应于第一衰减式SRAF 630的透射率，且透射率690对应于第二衰减式SRAF 640的透射率。如所见的，透射分布将会被改变，但是理想地，对于第一衰减式SRAF630将会产生与对于第一清除式SRAF 610相同的强度，并且对于第二衰减式SRAF 640将会产生与对于第二清除式SRAF620相同的强度。

现在，可以使用下方的等式(1)计算以上用于所述清除式SRAF的衍射图案T_M的电场：

其中，参考图11，s₁＝b-a、s₂＝d-c、Δd₁＝b+a和Δd₂＝d+c。

用于相应的衰减式SRAF的衍射图案T_m’的电场可被描述为：

其中，t₁为对应于第一清除式SRAF 610的第一衰减式SRAF 630的透射率且为实数，t₂为对应于第二清除式SRAF 620的第二衰减式SRAF 640的透射率且为实数，且SRAF总偏置Δs₁及Δs₂可描述为a'-a＝-Δs₁和d'-d＝-Δs₂。可以将所述吸收体材料的折射率的实部选择成与真空(EUV图案形成装置的环境)的折射率相似。例如，TaBN的折射率约为0.95，其接近于真空的折射率。因此，利用这种选择，可以忽略通过吸收体的相位累加以进行分析。

现在，可以定义虚拟变量A₁(衰减式SRAF 630的衰减，其中A₁＝1-t₁)和A₂(衰减式SRAF 640的衰减，其中A₂＝1-t₂)。然后，可以对等式(2)执行泰勒展开，并且可以保持主要、一阶和部分二阶小项。此外，T_m的实部可以表示为R₁，T_m的虚部可以表示为I₁，T_m’的实部中的附加项可以表示为R₂，T_m’的虚部中的附加项可以表示为I₂。则T_m’可被写为

T_m′＝R₁+R₂+i(I₁+I₂) (3)

且

T_m＝R₁+iI₁ (4)

其中

和

对于清除式SRAF，在衬底水平处的电场可以近似为：

其中P表示光瞳函数，且f_c表示光学系统的截止频率。

因此，方法500还可以包含操作506，其中执行逆傅立叶变换以公式化用于图案形成装置的空间图像，如下所述。特别地，对于周期性的线空间布置，傅立叶光谱可以是离散的，因此空间图像可以被定义为：

其中n_c表示光学系统的截止衍射阶。因此，在空间图像的中心，等式(10)可以简化为：

如上所述，EUV光刻设备采用反射光学器件，并且，入射在反射EUV图案形成装置上的辐射束具有主光线的倾斜入射角。因此，对于EUV设备，截止频率由投影光学器件的数值孔径和这种光学器件中的中心遮蔽确定。并且，因而，由投影光学器件所收集的衍射阶的空间频率应当在以下范围内：

其中M_ag是缩小率，NA是数值孔径，λ是辐射波长，以及CRAO是入射到图案形成装置上的照射的对象侧处的主光线角度。

方法500可以包含操作508，其中对于匹配第一和第二衍射光谱的空间图像的最大强度以得到匹配公式，该匹配公式可以被求解以获得衰减式SRAF的尺寸，该衰减式SRAF将具有与清除式SRAF匹配的性能。

为了促成这种匹配，可选择示例照射并将其用于求解所述方程。在此示例中，选择辐射的y偶极形式，其中N和S表示用于推导目的光瞳的相应照射极。因此，为了匹配在衰减前后在所述中心部位处的空间图像，保持所述清除式SRAF和所述衰减式SRAF的总能量相等是相关的：

其中t_mN、t_mS、t_mN’和t_mS’可以表示为：

和

通过将等式(13)至(17)插入到等式(13)中，等式(13)可以被重写为：

R_2N ²+2R_1NR_2N+I_2N ²+2I_1NI_2N+R_2S ²+2R_1SR_2S+I_2S ²+2I_1SI_2S＝0 (18)

如果忽略二阶小项，则等式(18)可以简化为：

R_1NR_2N+I_1NI_2N+R_1SR_2S+I_1SI_2S＝0 (19)

方法500还包括操作510，其中对匹配公式进行求解以得到衰减式SRAF的一个或更多个尺寸(例如，宽度、位置，等等)。例如，可以求解匹配公式以得到一个或更多个衰减式SRAF相对于图案形成装置图案布局的宽度。在实施例中，可以求解等式(18)或(19)以得到一个或更多个尺寸。公式(18)、(19)或其它公式可利用衰减式SRAF的指定衰减或吸收体厚度来求解。可选地，如下文所描述的，可以利用确定一个或更多个衰减式SRAF的一个或更多个尺寸来确定和可选地优化所述衰减式SRAF的衰减或吸收体厚度。一旦求解，该方法可以输出电子数据结构，以用于创建具有图案形成装置布局的图案形成装置，该图案形成装置布局具有具备所述尺寸的衰减式SRAF。

等式(18)或(19)可以不具有解析解，但是替代地可以用数字方式来求解。通过在F＝R_1NR_2N+I_1NI_2N+R_1SR_2S+I_1SI_2S的情况下设置F＝0，可以找到解决SRAF偏置和衰减的问题的方案。此外，如果N极和S极具有镜像对称性，则R_1N＝R_1S，R_2N＝R_2S，I_1N＝-I_1S，I_2N＝-I_2S且等式(19)简化为：

F＝R_1NR_2N+I_1NI_2N＝0 (20)

N极的衍射阶的空间频率由下式确定：

S极的衍射阶的空间频率通过下式确定：

其中，在等式(21)和(22)中，n是衍射阶，p是特征的间距，且σ_c是光瞳的中心西格马。

方法500还可包括操作512，通过该操作可确定衰减式SRAF衰减和/或吸收体厚度，以便于促成使用所述匹配公式来计算衰减式SRAF的尺寸(例如宽度)。衰减式SRAF衰减和/或吸收体厚度可以取决于衰减式SRAF厚度，因此优化型过程(例如，迭代过程)可以用于得到衰减式SRAF衰减和/或吸收体厚度与一个或更多个SRAF尺寸的组合，该组合是最优的、满足或跨越阈值等。下文描述了用于确定输入到匹配公式的衰减式SRAF衰减和/或吸收体厚度以及用于确定衰减式SRAF衰减和/或吸收体厚度与一个或更多个SRAF尺寸的组合的示例技术。

返回参考上述偶极照射，其中使用具有相等强度的两个点源来表示N极和S极，可以使用吸收体厚度与透射率之间的以下关系来用以数值方式求解等式(19)或(20)以找到对于给定衰减式SRAF偏差：

t＝1-A＝exp(-2αk₀h) (23)

其中α是吸收体的折射率的虚部，k₀＝2π/λ并且是传播常数，h是衰减式SRAF的吸收体厚度。

应该特别地选择吸收体厚度h。在一实施例中，可以使用迭代优化型过程来选择，其中针对给定厚度来检查图像对数斜率(例如NILS)、旁瓣印制和/或最佳聚焦中心(理想情况下所有三个最佳聚焦中心)。如果结果不满足例如NILS(＞1.5)、旁瓣、最佳焦点偏移(＜10％的DOF)的标准，则对不同的厚度重复进行该计算。一旦识别了适当的厚度，则可以使用该厚度、对应的衰减值等来求解衰减式SRAF尺寸，诸如宽度。

图12示出了这种类型的分析的示例。图13A示意性地示出了具有SRAF吸收体厚度h连同总吸收体厚度H的图案形成装置。从这两个参数，可以指定h除以H的形式的SRAF吸收体厚度分数或百分比参数。此SRAF吸收体厚度参数用于如下描述的图13B和图13C中。

图13B示出了作为SRAF吸收体厚度参数和SRAF宽度的函数的图像对数斜率(在此NILS中)。图13C示出了旁瓣印制(根据旁瓣能量减去抗蚀剂图像阈值，且因而非零值意味着正在被印制的不需要的旁瓣)，其也作为SRAF吸收体厚度参数和SRAF宽度的函数。考虑到图13B和图13C，较薄的SRAF吸收体厚度参数和较大的SRAF宽度导致较高的NILS，但也遇到旁瓣印制问题。虚线700指示SRAF旁瓣强度减去抗蚀剂印制阈值大于零的区域；虚线700上方的区域指示了存在旁瓣印制。因此，基于这些结果，可以找到平衡SRAF吸收体厚度和SRAF宽度的最佳解决方案，并且在图案形成装置创建能力内的合理大的SRAF宽度处提供最高可能的NILS。点710表示示例性最佳解决方案。

为了将此方法应用于全芯片，使用上述原理的基于模型的SRAF调谐可能更有效，并且可以包括：优化作为第三色调的衰减式SRAF吸收体厚度(其中第一色调是图案布局的反射或透射部分且第二色调是图案布局的吸收性部分)，然后构建三色调掩模3D库，使用该库来计算复散射系数，并且通过基于梯度的优化方法求解逆问题以获得最佳SRAF位置和/或形状，并且利用旁瓣损失来防止旁瓣印制。在一实施例中，此技术可以被应用于全芯片或应用于其一部分。

在一实施例中，基于规则的技术可被应用于跨越全芯片的SRAF选择。在一实施例中，基于规则的技术包括如上所述的基于模型的SRAF调谐，从所获得的SRAF位置和/或形状生成一个或更多个规则，以及然后将一个或更多个规则应用于全芯片以将SRAF提供给全芯片。

在一实施例中，可以使用基于混合规则/模型的方法，其包括应用一个或更多个规则来指示作为初始激发或种子(seeding)的衰减式SRAF的位置和/或形状，和使用基于模型的方法(诸如上述的基于模型的SRAF调谐)来从初始激发进一步微调衰减式SRAF的位置和/或形状。

优化衰减式辅助特征置放和宽度提供了用于控制Bossung倾斜并调整最佳聚焦中心强大的旋钮。因此，在一实施例中，可以首先利用清除式SRAF来优化所述图案形成装置。然后，可以在图像对数斜率、旁瓣和/或最佳焦点偏移的约束下优化所述衰减式SRAF吸收体厚度。然后，吸收体厚度可以被应用于上述衰减式SRAF方法，以得到衰减式SRAF的一个或更多个尺寸(例如，宽度、置放，等等)。

此外，对于1D水平线空间布置，对于小角度极和大角度极两者，在掩模版侧上的EUV光学器件的非远心性和掩模3D效应(即，图案形成装置的效应具有具备有限厚度的特征，而不是Kirchoff分析的无限薄掩模)导致倾斜的相前和显著的二次和不对称的相位响应。此外，当辐射与图案形成装置图案的主要特征相比行进通过SRAF的吸收体沟槽时，累积了额外的相位项，并且考虑到所观察到的Bossung倾斜。因此，除所述主要特征之外，可以置放非对称SRAF，以校正由相位误差引起的Bossung倾斜和最佳聚焦偏移(以及增加DOF)。非对称SRAF使得与主要特征对应的一个SRAF与主要特征侧的接近程度大于与主要特征对应的另一个SRAF与主要特征的另一侧的接近程度。适当选择非对称辅助特征可在衍射阶之中引入额外相位，以平衡由倾斜入射、掩模3D效应和/或SRAF的吸收体沟槽引起的相位偏差。

虽然以上讨论已集中在EUV应用，但是本文中的技术也可以应用于其它辐射波长，诸如深紫外(例如，在大约100-300nm的范围内)。因此，本文中的技术也可以应用于透射图案形成装置。例如，衰减式SRAF的吸收性特征可以是在介于吸收性图案特征之间的空间中的额外材料(例如，类似于图9H和图9B的实施例，其中层403和衬底404是透射的)。或者，衰减式SRAF的吸收性特征可以是吸收性的、但透射的图案特征，诸如图9G和图9O中的辅助特征406，其中层403和衬底404是透射的，而吸收体407是阻挡性的，而辅助特征406是至少部分地透射的(例如，半透明的、半透明的等等)。在另一透射实施例中，衰减式SRAF的吸收性特征可被合并入层403和/或衬底404的主体中。

此外，本文中的技术可以应用于具有投影系统的对应设计的任何数值孔径的光刻系统中。而且，本文中的技术不限于任何特定形状的图案形成装置。例如，在一实施例中，本文中的技术可应用于不规则(例如，曲线)形状的掩模。在一实施例中，不规则形状涉及图案形成装置的横截面，该截面在与所述图案形成装置的辐射接收表面垂直的方向上延伸。

在一实施例中，提供了一种图案形成装置，包括：在图案形成装置基板上的吸收体层；以及在所述图案形成装置基板上的反射层或透射层，其中所述吸收体层和所述反射层或透射层一起限定具有主要特征和与所述主要特征配对的衰减式亚分辨率辅助特征(衰减式SRAF)的图案布局，其中：主要特征被配置成在将器件图案转印到衬底上的图案形成材料的层时，在图案形成材料的层中生成主要特征，并且在将图案转印到图案形成材料的层时，衰减式SRAF被配置为避免在图案形成材料的层中生成特征，并且被配置为产生与主要特征不同的辐射强度。

在一实施例中，所述衰减式SRAF具有吸收性材料，所述吸收性材料的高度或深度低于至少部分地对所述主要特征进行限定的吸收体层的高度或深度。在一实施例中，衰减式SRAF与主要特征的第一侧相距第一距离，并且与主要特征配对的另一衰减式SRAF与主要特征的第二侧相距第二距离，其中第一距离不同于第二距离。在一实施例中，衰减式SRAF具有第一宽度，而与主要特征配对的另一衰减式SRAF具有第二宽度，其中第一宽度不同于第二宽度。在一实施例中，衰减式SRAF具有在图案形成装置的表面之上的第一高度或到吸收体层中的第一深度，并且与主要特征配对的另一衰减式SRAF具有在图案形成装置的表面之上的相应第二高度或到吸收体层中的第二深度，其中第一高度或深度不同于第二高度或深度。在一实施例中，图案形成装置是反射式的，并且包括图案形成装置基板上的反射层。在一实施例中，吸收体层是金属层。在一实施例中，吸收体层包含选自以下的一种或更多种：镍、铬、铝、钌、铼和/或金。在一实施例中，吸收体层包含金属氮化物。在一实施例中，吸收体层包括氮化钽硼(TaBN)。在一实施例中，图案形成装置是暗场图案形成装置。在一实施例中，图案形成装置是亮场图案形成装置。在一实施例中，图案布局包括器件图案布局，并且图案形成装置被配置成反射极紫外辐射。

在一实施例中，提供了一种图案形成装置，包括：图案形成装置基板；以及在所述基板上的图案化层，其中：图案化层的第一部分具有第一水平的反射率、吸收率或透射率，图案化层的第二部分具有与第一水平的反射率、吸收率或透射率不同的第二水平的反射率、吸收率或透射率，并且图案层的第三部分具有第三水平的反射率、吸收率或透射率，其中第三水平的反射率、吸收率或透射率在第一和第二水平的反射率、吸收率或透射率之间，并且是亚分辨率辅助特征的一部分。

在一实施例中，图案化层包括吸收体层和反射层，并且图案化层的第一部分包括所述吸收体层的至少一部分，且图案化层的第二部分包括所述反射层的至少一部分。在一实施例中，第三水平的反射率、吸收率或透射率与所述图案形成装置基板上的吸收性材料的厚度相关联。在一实施例中，图案化层包括吸收体，并且其中第一部分具有第一厚度的吸收体材料，第二部分具有第二厚度的吸收体材料，并且第三部分具有第三厚度的吸收体材料，其中第一厚度大于第二厚度，并且其中第二厚度大于第三厚度。在一实施例中，第三部分具有比第一部分更大的吸收率，其中第一部分是吸收体，且第二部分是反射表面。在一实施例中，所述图案化层包括器件图案布局，并且图案形成装置被配置成反射极紫外辐射。

在一实施例中，提供了一种制造图案形成装置的方法，该方法包括：从所述图案形成装置的图案形成装置基板之上的吸收体层移除一部分吸收体材料，以形成第一组图案布局特征和第二组图案布局特征；在第二组图案布局特征的至少一部分上提供掩模材料，以便暴露第一组图案布局特征、同时覆盖第二组图案布局特征；以及在所述第二组图案布局特征被所述掩模材料覆盖的同时，移除所述第一组图案布局特征的所述吸收体层的至少一部分。

在一实施例中，其中第一组掩模特征包括器件图案布局的主要特征，并且其中所述移除包括曝光所述图案形成装置基板的反射或透射表面。在一实施例中，第二组掩模特征包括亚分辨率辅助特征，且亚分辨率特征具有非零厚度的吸收性材料。在一实施例中，图案形成装置对应于暗场图案形成装置。在一实施例中，第一组掩模特征包括亚分辨率辅助特征。在一实施例中，第一组掩模特征从所述图案形成装置基板突出，并且所述移除包括减小第一组掩模特征的高度或厚度。在一实施例中，图案形成装置对应于亮场图案形成装置。在一实施例中，图案形成装置是反射式的，并且被配置成反射极紫外辐射。

在一实施例中，提供了一种制造图案形成装置的方法，该方法包括：从所述图案形成装置的图案形成装置基板之上的吸收体层移除一部分吸收体材料，以形成一组图案布局特征；在该组图案布局特征的至少一部分上设置掩模材料，以便在覆盖该组图案布局特征的同时暴露所述图案形成装置基板的一部分；以及在该组图案布局特征被所述掩模材料覆盖的同时，将吸收性材料添加到所述图案形成装置基板的所述暴露部分。

在一实施例中，添加/增材包括物理或化学气相淀积。在一实施例中，所述一组掩模特征包括器件图案布局的主要特征，并且其中所述添加/增材包括将吸收性材料添加到所述图案形成装置基板的反射表面。在一实施例中，曝光部分对应于器件图案布局的亚分辨率辅助特征，并且添加/增材包括利用具有非零厚度的吸收性材料形成亚分辨率特征。在一实施例中，图案形成装置对应于暗场图案形成装置。在一实施例中，该组掩模特征包括亚分辨率辅助特征。在一实施例中，该组掩模特征从所述图案形成装置基板突出，并且所述添加/增材包括形成器件图案布局的主要特征。在一实施例中，图案形成装置对应于亮场图案形成装置。在一实施例中，图案形成装置是反射式的，并且被配置成反射极紫外辐射。

在一实施例中，提供了一种方法，包括：获得匹配公式，该匹配公式将第一衍射光谱的最大空间图像强度与第二衍射光谱的最大空间图像强度匹配，该第一衍射光谱与具有清除式亚分辨率特征(清除式SRAF)的图案形成装置图案布局相关联，该第二衍射光谱与被修改成具有衰减式亚分辨率特征(衰减式SRAF)的图案形成装置图案布局相关联；以及通过硬件计算机求解所述匹配公式以确定衰减式SRAF的尺寸值。

在一实施例中，该方法还包括：确定用于在求解所述匹配公式中使用的衰减式SRAF的衰减值和/或吸收体厚度。在一实施例中，所述确定包括针对图像对数斜率、旁瓣印制和/或最佳聚焦中心的阈值来迭代地评估多个衰减值和/或吸收体厚度。在一实施例中，所述尺寸是衰减式SRAF的宽度。在一实施例中，所述尺寸包括衰减式SRAF与主要特征相距的距离，并且所述确定包括：由硬件计算机确定第一衰减式SRAF与图案形成装置图案布局的主要特征相距的第一距离，以及由硬件计算机确定第二衰减式SRAF与所述主要特征相距的第二距离。在一实施例中，第一距离不同于第二距离。在一实施例中，该方法还包括：创建第一衍射光谱的公式；创建第二衍射光谱的公式；以及由硬件计算机执行逆傅立叶变换，以获得空间图像。在一实施例中，该方法还包括输出电子数据结构，该电子数据结构用于创建具有图案形成装置图案布局的图案形成装置，该图案形成装置图案布局具有具备所述尺寸的衰减式SRAF。在一实施例中，图案形成装置图案布局被配置用于图案形成装置以反射极紫外辐射。在一实施例中，该方法还包括：将衰减式SRAF的吸收体厚度优化为第三色调，其中，第一色调是所述图案布局的反射或透射部分，第二色调是所述图案布局的吸收性部分；构建三色调掩模3D库；基于所述库计算复散射系数；以及使用复散射系数和使用旁瓣损失来优化衰减式SRAF位置和/或形状，以防止不期望的旁瓣印制。在一实施例中，该方法还包括：从获得的SRAF位置和/或形状生成一个或更多个规则；以及将所述一个或更多个规则应用于全芯片图案布局芯片，以将SRAF置于全芯片图案布局中。在一实施例中，该方法还包括：应用一个或更多个规则来指示作为初始激发的衰减式SRAF规则的位置和/或形状；以及使用模型来微调来自损失初始激发的衰减式SRAF的位置和/或形状。

如本领域普通技术人员将理解的，本文中的技术可以被实现为系统、方法或计算机程序产品。因此，本申请的各方面可以采取完全硬件实施例、完全软件实施例(包括固件、驻留软件、微代码等)或组合软件和硬件方面的实施例的形式，它们在本文中都可以被统称为“电路”、“模块”或“系统”。此外，本申请的各方面可以采取在任何一个或更多个计算机可读介质中实现的计算机程序产品的形式，所述计算机可读介质具有在其上实现的计算机可用程序代码。

可以利用一个或更多个计算机可读介质的任何组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或计算机可读储存介质。计算机可读储存介质可以是，例如，但不限于，电子、磁、光学、电磁、红外、或半导体系统、设备、装置、或前述的任何适当组合。计算机可读介质的更具体的示例(非穷举列表)将会包括以下：具有一个或更多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦除可编程只读存储器(例如EPROM或闪速存储器)、光纤、便携式光盘只读存储器CDROM、光学储存装置、磁储存装置、或前述的任何适当组合。在本文档的上下文中，计算机可读储存介质可以是能够包含或存储由指令执行系统、设备或装置使用或与指令执行系统、设备或装置结合使用的程序的任何有形介质。

计算机可读信号介质可以包括例如在基带中或作为载波的一部分的其中带有计算机可读程序代码的传播数据信号。这种传播信号可以采用多种形式中的任何一种，包括但不限于电磁、光学或其任何适当的组合。计算机可读信号介质可以是并非计算机可读储存介质的并且可以传送、传播或传输由指令执行系统、设备或装置使用或与指令执行系统、设备或装置结合使用的程序的任何计算机可读介质。

可以使用任何适当的介质来传输体现于计算机可读介质上的计算机代码，所述介质包括但不限于无线、有线、光纤光缆、射频RF等，或它们的任何适当的组合。

用于执行本申请的各方面的操作的计算机程序代码可以用一种或更多种编程语言的任何组合来编写，所述编程语言包括诸如Java^TM、Smalltalk^TM、C++等的面向对象的编程语言，以及诸如“C”编程语言或类似编程语言的常规程序化编程语言。程序代码可以完全在用户的计算机上执行，部分地在用户的计算机上执行，作为独立的软件包执行，部分地在用户的计算机上并且部分地在远程计算机上执行，或者完全在远程计算机或服务器上执行。在后一种情况下，远程计算机可以通过任何类型的网络(包括局域网LAN或广域网WAN)连接到用户的计算机，或者可以连接到外部计算机(例如，通过使用因特网服务提供商的因特网)。

计算机程序指令还可以被加载到计算机、其它可编程数据处理设备、或其它装置上，以使得在计算机、其它可编程设备、或其它装置上执行一系列操作步骤来产生计算机实施的过程，使得在计算机或其它可编程设备上执行的指令提供用于实施本文中所指定的一个或更多个功能/动作的过程。

如上所述，应当理解，说明性实施例可以采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或包含硬件和软件元素两者的实施例的形式。在一个示例实施例中，可以用软件或程序代码来实施说明性实施例的机制，所述软件或程序代码包括但不限于固件、驻留软件、微代码等。

适于储存和/或执行程序代码的数据处理系统将包括通过系统总线直接地或间接地联接到存储器元件的至少一个处理器。存储器元件可以包括在程序代码的实际执行期间所采用的本地存储器、大容量储存装置以及高速缓冲存储器，高速缓冲存储器提供至少一些程序代码的临时储存，以便减少在执行期间必须从大容量储存装置检索代码的次数。

输入/输出或I/O设备(包括但不限于键盘、显示器、定点装置等)可以直接地或通过中间I/O控制器而联接到所述系统。网络适配器也可以被联接到所述系统，以使得数据处理系统能够通过中间的私有或公共网络而联接到其它数据处理系统或远程打印机或储存装置。调制解调器、电缆调制解调器和以太网卡仅仅是几种当前可用的网络适配器类型。

图13示出了图示可以帮助实施本文中所披露的任何方法和流程的计算机系统1700的实施例的框图。计算机系统1700包括总线1702或用于传送信息的其它通信机构，以及与总线1702联接的用于处理信息的处理器1704(或多个处理器1704和1705)。计算机系统1700还包括主存储器1706，诸如随机存取存储器RAM或其它动态储存装置，其联接到总线1702，用于储存信息和待由处理器1704执行的指令。主存储器1806还可以用于储存在执行待由处理器1704执行的指令期间的临时变量或其它中间信息。计算机系统1700还包括只读存储器ROM 1708或其它静态储存装置，其联接到总线1702以用于存储静态信息和针对处理器1704的指令。提供了诸如磁盘或光盘这样的储存装置1710，其联接到总线1702以用于存储信息和指令。

计算机系统1700可经由总线1702联接到显示器1712，诸如阴极射线管(CRT)或平板或触摸面板显示器，用于向计算机用户显示信息。包括字母数字键和其它键的输入装置1714联接到总线1702，用于向处理器1704传送信息和命令选择。另一种类型的用户输入装置是光标控制器1716，诸如鼠标、轨迹球或光标方向键，用于向处理器1704传送方向信息和命令选择，并且用于控制显示器1712上的光标移动。此输入装置通常在两个轴(第一轴(例如x)和第二轴(例如y))上具有两个自由度，这允许该装置指定平面中的位置。触摸面板(屏幕)显示器也可以用作输入装置。

根据一实施例，本文中所描述的过程的部分可以由计算机系统1700响应于处理器1704执行包含在主存储器1706中的一个或更多个指令的一个或更多个序列来执行。这样的指令可以从诸如储存装置1710这样的另一计算机可读介质读入到主存储器1706内。主存储器1706中所包含的指令序列的执行使得处理器1704执行本文中所描述的处理步骤。还可以采用多处理布置中的一个或更多个处理器来执行被包含在主存储器1706中的指令序列。在一个替代实施例中，可以使用硬连线电路来代替软件指令或与软件指令相结合。因而，本文中的描述不限于硬件电路和软件的任何特定组合。

如本文中使用的术语“计算机可读介质”是指参与将指令提供到处理器1704以供执行的任何介质。这种介质可以呈许多形式，包括但不限于非易失性介质和易失性介质和传输介质。例如，非易失性介质包括光盘或磁盘，诸如存储装置1710。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器1706。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤，包括了包含总线1702的线。传输介质也可以呈声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外线(IR)数据通信期间产生的那些声波或光波。常见形式的计算机可读介质包括例如软盘、软性磁盘、硬盘、磁带或任何其它磁性介质、CD-ROM、DVD、任何其它光学介质、打孔卡、纸带、具有孔的图案的任何其它实体介质、RAM、PROM和EPROM、闪速EPROM、任何其它存储器芯片或盒带、如下文所述的载波、或计算机可以读取的任何其它介质。

在将一个或更多个指令的一个或更多个序列携载到处理器1704以供执行时，可能涉及各种形式的计算机可读介质。例如，最初可以将所述指令承载于远程计算机的磁盘上。该远程计算机可以将指令载入到其动态存储器中，并且使用调制解调器经由电话线而发送指令。在计算机系统1700本地的调制解调器可以接收电话线上的数据，并且使用红外线传输器将数据转换成红外线信号。联接到总线1702的红外线检测器可以接收红外线信号中携载的数据并且将该数据放置于总线1702上。总线1702将数据携载到主存储器1706，处理器1704从主存储器1706获取并执行指令。由主存储器1706接收的指令可选地在由处理器1704执行之前或之后存储于存储装置1710上。

计算机系统1700也可以包括联接到总线1702的通信接口1718。通信接口1718提供对网络链路1720的双向数据通信联接，网络链路1720连接到局域网1722。例如，通信接口1718可以是综合业务数字网ISDN卡或调制解调器，用以提供通往对应类型的电话线的数据通信连接。作为另一个示例，通信接口1718可以是局域网LAN卡，用以提供对兼容LAN的数据通信连接。也可以实施无线链路。在任何这种实施例中，通信接口1718发送和接收携载表示各种类型的信息的数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。

网络链路1720通常经由一个或更多个网络将数据通信提供到其它数据装置。例如，网络链路1720可以经由局域网1722提供到主计算机1724的连接，或者提供到由因特网服务提供商ISP 1726操作的数据设备的连接。ISP 1726又经由全球分组数据通信网络(现通常称作“因特网”1728)来提供数据通信服务。局域网1722和因特网1728两者使用携载数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。经由各种网络的信号和在网络链路1720上并经由通信接口1718的信号(该信号将数字数据携载到计算机系统1700和从计算机系统1700携载数字数据)是输送信息的示例性形式的载波。

计算机系统1700可以经由网络、网络链路1720和通信接口1718发送消息和接收数据，包括程序代码。在因特网示例中，服务器130可以经由因特网1728、ISP 1726、局域网1722和通信接口1718传输用于应用程序的所请求的代码。例如，一个这种下载的应用可以提供如本文中所描述的方法或其一部分。接收到的代码可以在其被接收时由处理器1704执行和/或存储于存储装置1710或其它非易失性存储器中以供稍后执行。这样，计算机系统1700可以获得呈载波形式的应用代码。

可以使用以下项目进一步描述实施例：

1.一种图案形成装置，包括：

在图案形成装置基板上的吸收体层；和

在图案形成装置基板上的反射层或透射层，

其中吸收体层和反射层或透射层一起限定具有主要特征和与主要特征配对的衰减式亚分辨率辅助特征(衰减式SRAF)的图案布局，其中：

所述主要特征被配置成在将所述器件图案转印到衬底上的图案形成材料的层时，在所述图案形成材料的层中产生所述主要特征，和

在将图案转印到图案形成材料的层时，衰减式SRAF被配置成避免在图案形成材料的层中生成特征，并且产生与主要特征不同的辐射强度。

2.根据方面1所述的图案形成装置，其中所述衰减式SRAF具有吸收性材料，所述吸收性材料的高度或深度低于至少部分地限定所述主要特征的所述吸收体层的高度或深度。

3.根据方面1或方面2的图案形成装置，其中，所述衰减式SRAF与所述主要特征的第一侧相距第一距离，并且与所述主要特征配对的另一衰减式SRAF与所述主要特征的第二侧相距第二距离，其中，所述第一距离不同于所述第二距离。

4.根据方面1至3中任一方面所述的图案形成装置，其中，所述衰减式SRAF具有第一宽度，并且与所述主要特征配对的另一衰减式SRAF具有第二宽度，其中，所述第一宽度不同于所述第二宽度。

5.根据方面1至4中任一方面所述的图案形成装置，其中所述衰减式SRAF具有在所述图案形成装置的表面上方的第一高度或进入所述吸收体层的第一深度，并且与所述主要特征配对的另一衰减式SRAF具有在所述图案形成装置的表面上方的对应的第二高度或进入所述吸收体层中的第二深度，其中所述第一高度或深度不同于所述第二高度或深度。

6.根据方面1至5中任一方面所述的图案形成装置，所述装置是反射式的并且包括位于所述图案形成装置基板上的所述反射层。

7.根据方面1至6中任一方面所述的图案形成装置，其中所述吸收体层是金属层。

8.根据方面1至7中任一方面所述的图案形成装置，其中所述吸收体层包含选自下列的一种或更多种：镍、铬、铝、钌、铼和/或金。

9.根据方面1至7中任一方面所述的图案形成装置，其中所述吸收体层包括金属氮化物。

10.根据方面9所述的图案形成装置，其中，所述吸收体层包括氮化钽硼(TaBN)。

11.根据方面1至10中任一方面所述的图案形成装置，其中，所述图案形成装置是暗场图案形成装置。

12.根据方面1至10中任一方面所述的图案形成装置，其中，所述图案形成装置是亮场图案形成装置。

13.根据方面1至12中任一方面所述的图案形成装置，其中所述图案布局包括器件图案布局，并且所述图案形成装置被配置成反射极紫外辐射。

14.一种图案形成装置，包括：

图案形成装置基板；和

在所述基板上的图案化层，其中：

所述图案化层的第一部分具有第一水平的反射率、吸收率或透射率，

所述图案化层的第二部分具有与第一水平的反射率、吸收率或透射率不同的第二水平的反射率、吸收率或透射率，和

所述图案化层的第三部分具有第三水平的反射率、吸收率或透射率，其中第三水平的反射率、吸收率或透射率在第一和第二水平的反射率、吸收率或透射率之间，并且是亚分辨率辅助特征的一部分。

15.根据方面14所述的图案形成装置，其中所述图案化层包括吸收体层和反射层，并且所述图案化层的第一部分包括所述吸收体层的至少一部分，并且所述图案化层的第二部分包括所述反射层的至少一部分。

16.根据方面14或15所述的图案形成装置，其中所述第三水平的反射率、吸收率或透射率与所述图案形成装置基板上的吸收性材料的厚度相关联。

17.根据方面14至16中任一方面所述的图案形成装置，其中所述图案化层包括吸收体，并且其中所述第一部分具有第一厚度的吸收体材料，所述第二部分具有第二厚度的吸收体材料，并且所述第三部分具有第三厚度的吸收体材料，其中所述第一厚度大于所述第二厚度，并且其中所述第二厚度大于所述第三厚度。

18.根据方面14至17中任一方面所述的图案形成装置，其中，所述第三部分具有比所述第一部分大的吸收率，其中，所述第一部分是吸收体，所述第二部分是反射表面。

19.根据方面14至18中任一方面所述的图案形成装置，其中所述图案化层包括器件图案布局，并且所述图案形成装置被配置成反射极紫外辐射。

20.一种制造图案形成装置的方法，所述方法包括：

从所述图案形成装置的图案形成装置基板之上的吸收体层移除一部分吸收体材料，以形成第一组图案布局特征和第二组图案布局特征；

在第二组图案布局特征的至少一部分上设置掩模材料，以便暴露第一组图案布局特征，同时覆盖第二组图案布局特征；和

在第二组图案布局特征被掩模材料覆盖的同时，移除第一组图案布局特征的吸收体层的至少一部分。

21.根据方面20所述的方法，其中所述第一组掩模特征包括器件图案布局的主要特征，并且其中所述移除包括暴露所述图案形成装置基板的反射或透射表面。

22.根据方面21所述的方法，其中所述第二组掩膜特征包含亚分辨率辅助特征，且所述亚分辨率特征具有非零厚度的吸收性材料。

23.根据方面20至22中任一方面所述的方法，其中所述图案形成装置对应于暗场图案形成装置。

24.根据方面20所述的方法，其中，所述第一组掩模特征包括亚分辨率辅助特征。

25.根据方面24所述的方法，其中所述第一组掩模特征从所述图案形成装置基板突出，并且所述移除包括减小所述第一组掩模特征的高度或厚度。

26.根据方面24或方面25所述的方法，其中所述图案形成装置对应于亮场图案形成装置。

27.根据方面20至26中任一方面所述的方法，其中所述图案形成装置是反射式的并且被配置成反射极紫外辐射。

28.一种制造图案形成装置的方法，所述方法包括：

从所述图案形成装置的图案形成装置基板上的吸收体层移除一部分吸收体材料，以形成一组图案布局特征；

在所述组图案布局特征的至少一部分上设置掩模材料，以便在覆盖所述组图案布局特征的同时暴露所述图案形成装置基板的一部分；和

向所述图案形成装置基板的暴露部分添加吸收性材料，同时所述组图案布局特征被所述掩模材料覆盖。

29.根据方面28所述的方法，其中所述添加包括物理或化学气相淀积。

30.根据方面28或方面29的方法，其中所述组掩模特征包括器件图案布局的主要特征，并且其中所述添加包括将吸收性材料添加到所述图案形成装置基板的反射表面。

31.根据方面30所述的方法，其中该曝光部分对应于器件图案布局的亚分辨率辅助特征，且所述添加包括利用具有非零厚度的吸收性材料形成所述亚分辨率特征。

32.根据方面28至31中任一方面所述的方法，其中所述图案形成装置对应于暗场图案形成装置。

33.根据方面28所述的方法，其中所述组掩膜特征包括亚分辨率辅助特征。

34.根据方面33的方法，其中所述组掩模特征从所述图案形成装置基板突出，并且所述添加包括形成器件图案布局的主要特征。

35.根据方面33或方面34所述的方法，其中所述图案形成装置对应于亮场图案形成装置。

36.根据方面28至35中任一方面的方法，其中所述图案形成装置是反射式的并且被配置成反射极紫外辐射。

37.一种方法，包括：

获得匹配公式，所述匹配公式将第一衍射光谱的最大空间图像强度与第二衍射光谱的最大空间图像强度匹配，所述第一衍射光谱与具有清除式亚分辨率特征(清除式SRAF)的图案形成装置图案布局相关联，所述第二衍射光谱与被修改成具有衰减式亚分辨率特征(衰减式SRAF)的图案形成装置图案布局相关联；和

由硬件计算机求解所述匹配公式以确定衰减式SRAF的尺寸值。

38.根据方面37所述的方法，还包括确定所述衰减式SRAF的衰减值和/或吸收体厚度，以用于求解所述匹配公式。

39.根据方面38所述的方法，其中所述确定包括相对于图像对数斜率、旁瓣印制和/或最佳聚焦中心的阈值来迭代地评估多个衰减值和/或吸收体厚度。

40.根据方面37至39中任一方面所述的方法，其中所述尺寸是所述衰减式SRAF的宽度。

41.根据方面37至40中任一方面所述的方法，其中，所述尺寸包括衰减式SRAF与主要特征相距的距离，并且所述确定包括：

由硬件计算机确定第一衰减式SRAF与图案形成装置图案布局的主要特征相距的第一距离，和

由硬件计算机确定第二衰减式SRAF与主要特征相距的第二距离。

42.根据方面41所述的方法，其中所述第一距离不同于所述第二距离。

43.根据方面37至42中任一方面所述的方法，还包括：

创建用于第一衍射光谱的公式；

创建用于第二衍射光谱的公式；和

由硬件计算机执行逆傅立叶变换以获得空间图像。

44.根据方面37至43中任一方面所述的方法，还包括输出电子数据结构，以用于创建具有图案形成装置图案布局的图案形成装置，所述图案形成装置图案布局具有具备所述尺寸的衰减式SRAF。

45.根据方面37至44中任一方面所述的方法，其中所述图案形成装置图案布局被配置成用于使图案形成装置反射极紫外辐射。

46.根据方面37至45中任一方面所述的方法，还包括：

将衰减式SRAF的吸收体厚度设计为第三色调，其中，第一色调为图案布局的反射或透射部分，第二色调为图案布局的吸收部分；

构建三色调掩模3D库；

基于所述库计算复散射系数；和

使用复散射系数和使用旁瓣损失来配置衰减式SRAF位置和/或形状，以防止不期望的旁瓣印制。

47.根据方面46所述的方法，还包括：

从所获得的SRAF位置和/或形状生成一个或更多个规则；和

将所述一个或更多个规则应用于全芯片图案布局芯片，以将SRAF置于全芯片图案布局中。

48.根据方面37至47所述的方法，还包括：

应用一个或更多个规则来指示作为初始激发的衰减式SRAF规则的位置和/或形状；和

使用模型来微调来自初始激发的衰减式SRAF的位置和/或形状。

49.一种计算机程序产品，包括其上记录有指令的计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实施根据项目20-48中任一项所述的方法。

尽管在本发明中对IC的制造作出具体参考，但应当清楚地理解本发明的说明书可以有许多其它可能的应用。例如，可用于集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示面板、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员将认识到，在这种替代应用的情况中，可以将本文中使用的任意术语“掩模版”/“掩模”、“晶片”或“管芯”分别认为能够与更上位的术语“图案形成装置”、“衬底”或“目标部分”相互通用。

在本文档中，术语“辐射”和“束”用于包括各种类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365、248、193、157或126nm的波长)和EUV(极紫外辐射，例如具有大约5-100nm范围内的波长)。

本文中使用的术语“进行优化”和“优化”是指或意思是调节图案化过程设备(例如图案形成装置)、图案化过程，等等，使得光刻术或图案化处理的结果和/或过程具有更加期望的特性，诸如衬底上的设计布局的更高的投影精度、更大的过程窗口等。因而，本文中使用的术语“进行优化”和“优化”是指或意思是识别一个或更多个变量的一个或更多个值的过程，所述一个或更多个值与那些一个或更多个变量的一个或更多个值的初始集合相比在至少一个相关度量上提供改进，例如局部优化。“最优”和其它相关术语应相应地解释。在一实施例中，可以迭代地应用优化步骤以提供一个或多更个度量的进一步改进。

在系统的优化过程中，系统或过程的品质因数可以表示为成本函数。优化过程归结为发现优化(例如，最小化或最大化)成本函数的系统或过程的一组参数(设计变量)的过程。成本函数可以依赖于优化的目标而具有任何适当的形式。例如，成本函数可以是系统或过程的某些特性(评估点)相对于这些特性的预期值(例如理想值)的偏差的加权均方根(RMS)；成本函数也可以是这些偏差的最大值(即，最差偏差)。本文中的术语“评估点”应被广义地解释为包括系统或过程的任何特性。由于系统或过程的实施例的实际情况，系统的设计变量可以被限制于有限的范围内和/或是相互依赖的。在光刻设备或图案化过程的情况下，约束经常与硬件的物理属性及特性(诸如可调谐的范围，和/或图案形成装置的可制造性设计规则)相关联，并且评估点可以包括衬底上的抗蚀剂图像上的实体点，以及诸如剂量和聚焦之类的非物理特性。

虽然本文中披露的构思可以与用于在诸如硅晶片的衬底上成像的系统和方法一起使用，但是应当理解，所披露的概念可以与任何类型的光刻系统一起使用，例如，用于在除了硅晶片之外的衬底上成像的那些光刻系统。

在框图中，所示部件被描绘为分立的功能块，但是实施例不限于其中如所示般组织本文所述的功能性的系统。由每个部件所提供的功能性可以由与当前所描述的不同地组织的软件或硬件模块提供，例如，这样的软件或硬件可以被混合、结合、复制、分解、分布(例如，在数据中心内或地理上)，或以其它方式不同地组织。本文中所描述的功能性可以由执行储存在有形、非暂时性、机器可读介质上的代码的一个或更多个计算机的一个或更多个处理器提供。在一些情况下，第三方内容递送网络可以主控在网络上传送的信息中的一些或全部，在这种情况下，在信息(例如，内容)被称为被供应或以其它方式被提供的程度上，可以通过发送指令以从内容递送网络检索该信息来提供该信息。

除非另外特别说明，否则从讨论中明显的是，可以理解，在整个本说明书中，利用诸如“处理”、“计算”、“运算”、“确定”等术语的讨论是指诸如专用计算机或类似的专用电子处理/计算装置这样的特定设备的动作或过程。

读者应该理解，本申请描述了若干发明。申请人将这些发明分组成单个文档，而非将这些发明分离为多个独立的专利申请，因为它们的相关主题有助于应用过程中的经济性。但是这些发明的独特优点和方面不应该被合并。在一些情况下，实施例解决了本文中提到的所有缺陷，但应理解，本发明是独立地有用的，且一些实施例仅解决这些问题的子集或提供其它未提及的益处，这些益处对于阅读本公开的本领域技术人员来说将是明显的。由于成本限制，本文中所披露的一些发明可能目前没有被主张保护，并且可能在稍后的申请中主张保护，诸如继续申请或通过修改本发明的权利要求。类似地，由于空间限制，本文档的摘要和发明内容部分都不应被认为包含所有这些发明或这些发明的所有方面的全面列举。

应当理解，说明书和附图并非旨在将本发明限制为所披露的特定形式，相反，本发明将要覆盖落入由所附权利要求限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等效物和替代方案。

鉴于本说明书，本发明的各方面的修改和替换实施例对于本领域技术人员来说将是明显的。因此，本说明书和附图应被解释为仅是说明性的，并且是出于教导本领域技术人员实施本发明的一般方式的目的。应当理解，这里示出和描述的本发明的形式将被认为是实施例的示例。元件和材料可以替代在本文中图示出和描述的那些，部件或部分和过程可以被颠倒/反转或省略，某些特征可以独立地运用，并且实施例或实施例的特征可以组合，所有这些对于本领域技术人员在已受益于本发明的描述之后将会是明显的。在不脱离如所附权利要求中所描述的本发明的精神和范围的情况下，可以对本文中所描述的元件作出改变。本文中所用的标题仅用于组织目的，而不是意欲用于限制本说明书的范围。

如贯穿本申请通篇所使用的，词语“可以”是在许可的意义上(即，意思是有可能)而非强制的意义上(即，意思是必须)使用的。词语“包括”(include/including/includes)等意思是包括，但不限于。如本申请通篇所使用的，单数形式“一”(a/an)、和“该/所述”包括多个指代物，除非内容明确地另外指示。因此，例如，对“一个”(a/an)元件的提及包括两个或更多个元件的组合，尽管对于一个或更多个元件使用了诸如“一个或更多个”这样的其它术语和短语。术语“或”除非另外指出，是非排他性的，即，包括“和”以及“或”两者。描述条件关系的术语，例如“响应于X、Y”、“在X、Y时”、“如果X、Y”、“当X、Y”等，包括因果关系，其中前提是必要的因果条件，前提是足够的因果条件，或者前提是后果的贡献的因果条件，例如“在条件Y获得时，状态X发生”对于“仅在Y时，X发生”以及“在Y和Z”时，X发生”是通用的。这些条件关系不限于立即紧随前提而获得的结果，因为一些结果可能被延迟，并且在条件陈述中，前提与它们的结果相联系，例如，前提与后果出现的可能性是相关的。多个属性或功能被映射到多个对象(例如，执行步骤A、B、C、和D的一个或更多个处理器)的陈述涵盖了以下两者即：被映射到所有这些对象的所有这些属性或功能、以及被映射到属性或功能的子集的属性或功能的子集(例如，每个都执行步骤A-D的所有处理器，并且在处理器1执行步骤A，处理器2执行步骤B以及执行步骤C的一部分，并且处理器3执行步骤C的一部分和步骤D的情况下)，除非另外指出。此外，除非另外指出，一个数值或动作是“基于”另一个条件或数值的陈述包括两种情况即：条件或数值是唯一因素的情况、和条件或数值是多个因素中的一个因素的情况。除非另外指出，某一集合的“每个”实例具有某一属性的陈述不应被解读为排除其中较大集合的某些以其它方式相同或相似成员不具有该属性的情况，即，每个未必意味着每一个。

在某些美国专利、美国专利申请或其它材料(例如论文)已通过援引而被合并的程度上，这些美国专利、美国专利申请和其它材料的文本仅在这样的材料与本文中所阐述的陈述和附图之间并不存在冲突的程度上通过援引而合并。在这种冲突的情况下，在通过引用合并的美国专利、美国专利申请和其它材料中的任何这种冲突的文本都并不被具体地通过引用而合并到本文中。

已出于说明和描述的目的呈现了本申请的描述，且该描述并非旨在是详尽的或将本发明限于所披露的形式。许多修改和变型对于本领域的普通技术人员来说是明显的。因而，对于本领域技术人员来说将会明显的是，在不脱离以下阐述的权利要求的范围的情况下，可以进行如所描述的修改。

Claims

1.一种图案形成装置，包括：

在图案形成装置的基板上的吸收体层；和

在所述图案形成装置的基板上的反射层或透射层，

其中所述吸收体层和所述反射层或透射层一起限定具有主要特征和与所述主要特征配对的衰减式亚分辨率辅助特征，即衰减式SRAF，的图案布局，其中：

所述主要特征被配置成在将器件图案转印到衬底上的图案形成材料的层时，在所述图案形成材料的层中产生所述主要特征，和

在将所述图案转印到所述图案形成材料的层时，所述衰减式SRAF被配置成避免在所述图案形成材料的层中生成特征，并且产生与所述主要特征不同的辐射强度；

其中所述衰减式SRAF与所述主要特征的第一侧相距第一距离，并且与所述主要特征配对的另一衰减式SRAF与所述主要特征的第二侧相距第二距离，其中，所述第一距离不同于所述第二距离。

2.根据权利要求1所述的图案形成装置，其中所述衰减式SRAF具有吸收性材料，所述吸收性材料的高度或深度低于至少部分地限定所述主要特征的所述吸收体层的高度或深度。

3.根据权利要求1或2所述的图案形成装置，其中，所述衰减式SRAF具有第一宽度，并且与所述主要特征配对的另一衰减式SRAF具有第二宽度，其中，所述第一宽度不同于所述第二宽度。

4.根据权利要求1或2所述的图案形成装置，其中所述衰减式SRAF具有在所述图案形成装置的表面上方的第一高度或进入所述吸收体层中的第一深度，并且与所述主要特征配对的另一衰减式SRAF具有在所述图案形成装置的表面上方的对应的第二高度或进入所述吸收体层中的第二深度，其中所述第一高度或深度不同于所述第二高度或深度。

5.根据权利要求1或2所述的图案形成装置，所述图案形成装置是反射式的并且包括位于所述图案形成装置的基板上的所述反射层。

6.根据权利要求1或2所述的图案形成装置，其中所述吸收体层是金属层。

7.根据权利要求1或2所述的图案形成装置，其中所述吸收体层包含选自下列的一种或更多种：镍、铬、铝、钌、铼和/或金。

8.根据权利要求1或2所述的图案形成装置，其中所述吸收体层包括金属氮化物。

9.根据权利要求8所述的图案形成装置，其中，所述吸收体层包括氮化钽硼。

10.根据权利要求1或2所述的图案形成装置，其中，所述图案形成装置是暗场图案形成装置。

11.根据权利要求1或2所述的图案形成装置，其中，所述图案形成装置是亮场图案形成装置。

12.根据权利要求1或2所述的图案形成装置，其中所述图案布局包括器件图案布局，并且所述图案形成装置被配置成反射极紫外辐射。

13.根据权利要求1所述的图案形成装置，其中，所述衰减式SRAF被配置成具有衰减值，所述衰减值是针对图像对数斜率、旁瓣印制和/或最佳聚焦中心的阈值而评估的。

14.根据权利要求1所述的装置，其中转印所述器件图案包括曝光反射层、或透射层、或所述图案形成装置的基板。