CN113031390A - 激光直写及其仿真的方法、装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种激光直写仿真的方法、激光直写的方法、激光直写仿真的装置及激光直写的装置，包括：获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；利用二分法确定各个焦平面的位置；根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在待刻蚀材料上产生预设的立体图案，立体图案的高宽比大于预设值。上述激光直写仿真的方法可以得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，可以提高图案化后形成图像的保真度的结果，从而提高了在待刻蚀材料上书写高宽比图像的可行性，使得激光直写可以被用用到更多的交叉学科和领域。

Description

激光直写及其仿真的方法、装置

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种激光直写仿真的方法、激光直写的方法、激光直写仿真的装置及激光直写的装置。

背景技术

目前，激光直写主要用作掩模的加工，还有衍射光学元件的加工。但是由于应用在激光直写上的激光束一般是高斯光束，高斯光束的基模能量分布特性决定了在制作高宽比较大的立体图案时，焦平面处与远离焦平面的位置能量不均会非常严重，造成图案的变形。若采用直接书写的方案，势必难以解决此问题。

传统技术中采用均匀变换焦点位置的多次书写，但依然会有两端和中点位置能量分布不均的现象，从而导致图案的保真度较差。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题提供一种激光直写仿真的方法、激光直写的方法、激光直写仿真的装置及激光直写的装置。

一种激光直写仿真的方法，包括：

获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；

利用二分法确定各个焦平面的位置；

根据各个焦平面的位置和所述激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在所述待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；所述多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在所述待刻蚀材料上产生预设的立体图案，所述立体图案的高宽比大于预设值。

上述激光直写仿真的方法利用二分法确定待刻蚀材料内各个焦平面的位置，并根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在所述待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果，使得模拟多束激光束对待刻蚀材料进行刻蚀后在待刻蚀材料内所产生的能量的分布情况，可以得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，利用焦点分别位于各个焦平面的位置的多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写可以使得待刻蚀材料内产生的能量均匀，从而可以提高图案化后形成的立体图案的保真度的结果，从而提高了在待刻蚀材料上书写较大高宽比图案的可行性，使得激光直写可以被用到更多的交叉学科和领域。

在其中一个实施例中，所述获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型，包括：

获取激光束参数；

根据所述激光束参数，得到单光束能量分布模型；

获取待刻蚀材料的参数；

根据所述待刻蚀材料的参数和所述单光束能量分布模型，得到所述待刻蚀材料的激光直写能量分布模型。

在其中一个实施例中，所述激光束参数包括激光器的输出功率、激光束的波长、激光束的束腰半径、激光束的束腰直径中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述激光束为高斯光束，所述激光束参数包括激光束的束腰直径；所述根据所述激光束参数，得到单光束能量分布模型，包括：

根据高斯光束的数学公式和所述激光束的束腰直径，得到焦平面距离和所述激光束的束腰直径之间的关系。

在其中一个实施例中，所述待刻蚀材料的参数包括待刻蚀材料的折射率和相关系数中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述利用二分法确定各个焦平面的位置，包括：

获取待刻蚀材料的参数及待刻蚀材料的厚度；

根据所述待刻蚀材料的参数及所述待刻蚀材料的厚度，利用二分法确定各个焦平面的位置。

一种激光直写的方法，包括：

利用二分法确定各个焦平面的位置；

根据各个焦平面的位置，利用多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写，以得到预设的立体图案；所述立体图案的高宽比大于预设值。

上述激光直写的方法利用二分法确定待刻蚀材料内各个焦平面的位置，根据各个焦平面的位置，利用多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写，由于多束激光束的焦点分别位于一个对应的焦平面上使得多束激光束在待刻蚀材料内产生的能量分布更加均匀，从而提高在待刻蚀材料上形成的较大高宽比立体图案的保真度；并且由于待刻蚀材料厚度较厚使得激光直写可以被用用到更多的交叉学科和领域。

一种激光直写仿真的装置，包括：

获取模块，用于获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；

焦平面确定模块，用于利用二分法确定各个焦平面的位置；

仿真模块，用于根据各个焦平面的位置和所述激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在所述待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；所述多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在所述待刻蚀材料上产生预设的立体图案，所述立体图案的高宽比大于预设值。

上述激光直写仿真的装置利用二分法确定待刻蚀材料内各个焦平面的位置，并根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在所述待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果，使得模拟多束激光束对待刻蚀材料进行刻蚀后在待刻蚀材料内所产生的能量的分布情况，可以得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，利用焦点分别位于各个焦平面的位置的多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写可以使得待刻蚀材料内产生的能量均匀，从而可以提高图案化后形成的立体图案的保真度的结果，从而提高了在待刻蚀材料上书写较大高宽比图案的可行性，使得激光直写可以被用到更多的交叉学科和领域。

在其中一个实施例中，所述获取模块包括：

激光束参数获取单元，用于获取激光束参数；

单光束能量分布模型处理单元，用于根据所述激光束参数，得到单光束能量分布模型；

待刻蚀材料参数获取单元，用于获取待刻蚀材料的参数；

激光直写能量分布模型处理单元，用于根据所述待刻蚀材料的参数和所述单光束能量分布模型，得到所述待刻蚀材料的激光直写能量分布模型。

一种激光直写的装置，包括：

焦平面确定模块，用于利用二分法确定各个焦平面的位置；

激光直写模块，用于根据各个焦平面的位置，利用多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写，以得到预设的立体图案；所述立体图案的高宽比大于预设值。

上述激光直写的装置利用二分法确定待刻蚀材料内各个焦平面的位置，根据各个焦平面的位置，利用多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写，由于多束激光束的焦点分别位于一个对应的焦平面上使得多束激光束在待刻蚀材料内产生的能量分布更加均匀，从而提高在待刻蚀材料上形成的较大高宽比立体图案的保真度；并且由于待刻蚀材料厚度较厚使得激光直写可以被用用到更多的交叉学科和领域。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一实施例中提供的激光直写仿真的方法的流程图；

图2为另一实施例中提供的激光直写仿真的方法的流程图；

图3为一实施例中提供的高斯光束在真空中的束腰直径随焦平面距离变化的函数图；

图4为一实施例中提供的单光束能量分布的仿真图；

图5a为一实施例中提供的二分法确定焦平面时的位置示意图；

图5b为一实施例中提供的二分法确定焦平面时的激光直写时能量分布的仿真图；

图6a为一实施例中提供的均匀分布焦平面时的位置示意图；

图6b为一实施例中提供的均匀分布焦平面时的激光直写时能量分布的仿真图；

图7为一实施例中提供的激光直写的方法的流程图；

图8为一实施例中提供的激光直写仿真的装置的结构框图；

图9为一实施例中提供的激光直写的装置的结构框图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。

图1为一实施例中的激光直写仿真的方法的流程图。如图1所示，激光直写仿真的方法包括以下步骤：

步骤S12，获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型。

具体的，待刻蚀材料的材质、厚度等可以根据激光直写的应用领域进行选择。待刻蚀材料的厚度可以大于预设值，可以将预设值设置的较大，使得待刻蚀材料较厚，使得保证能够在待刻蚀材料上形成较大高宽比的立体图案，从而可以拓宽对待刻蚀材料进行激光直写的应用领域。譬如，可以将其应用于微电子技术领域，待刻蚀材料为光刻胶，其厚度较厚，即待刻蚀材料为厚胶，对待刻蚀材料进行激光直写后，待刻蚀材料上形成预设的立体图案，使得图案化之后的待刻蚀材料可以作为掩膜版使用；在其他示例中，还可以将待刻蚀材料进行激光直写应用于快速成型技术领域、生物医学领域等等其他领域。获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型，激光直写能量分布模型可以反映单光束的激光束对待刻蚀材料进行刻蚀时，激光束在待刻蚀材料内各个部分产生的能量的分布情况。

步骤S14，利用二分法确定各个焦平面的位置。

具体的，在待刻蚀材料的厚度方向上，按照二分法，确定待刻蚀材料内各个焦平面的位置。各个焦平面可以相互平行且均位于水平面上。每个焦平面分别为对待刻蚀材料进行激光直写时各束激光束的焦点所在的平面。

步骤S16，根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果。

具体的，将各个焦平面的位置代入激光直写能量分布模型，使得模拟多束激光束对待刻蚀材料进行刻蚀后在待刻蚀材料内所产生的能量的分布情况的仿真结果。其中，每束激光束的焦点的所在的平面分别对应一个焦平面，多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写后在待刻蚀材料上产生预设的立体图案，立体图案的高宽比大于预设值。仿真后得到的在待刻蚀材料内所产生的能量的分布较为均匀，表示利用焦点分别位于各个焦平面上的多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写后得到的立体图案的保真度较高。

上述激光直写仿真的方法利用二分法确定待刻蚀材料内各个焦平面的位置，并根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在所述待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果，使得模拟多束激光束对待刻蚀材料进行刻蚀后在待刻蚀材料内所产生的能量的分布情况，可以得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，利用焦点分别位于各个焦平面的位置的多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写可以使得待刻蚀材料内产生的能量均匀，从而可以提高图案化后形成的立体图案的保真度的结果，从而提高了在待刻蚀材料上书写较大高宽比图案的可行性，使得激光直写可以被用到更多的交叉学科和领域。

在一实施例中，如图2所示，步骤S12，获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型，包括步骤S122至步骤S128。

步骤S122，获取激光束参数。

具体的，可以通过键盘、鼠标、触控屏等输入设备输入激光束参数，或者将激光束参数储存在存储设备中等等，从而获取到激光束参数。激光束的参数可以根据投射激光的硬件设备设置。

仅示例性的，激光束参数可以包括激光器的输出功率、激光束的波长、激光束的束腰半径、激光束的束腰直径中的至少一种。

步骤S124，根据激光束参数，得到单光束能量分布模型。

具体的，根据激光束的参数，得到单光束能量分布模型即单束激光束本身的能量的分布情况。

仅示例性的，激光束为高斯光束，激光束参数包括激光束的束腰直径。步骤S124，根据激光束参数，得到单光束能量分布模型，具体包括：根据高斯光束的数学公式和激光束的束腰直径，得到焦平面距离和激光束的束腰直径之间的关系。

具体的，激光束为高斯光束，高斯光束即激光谐振腔发出的基模辐射场，其横截面的振幅分布遵守高斯函数的激光束。焦平面距离可以指与焦平面之间的距离。激光束参数包括激光束的束腰直径，根据高斯光束的数学公式再结合激光束的束腰直径得到单光束的能量分布模型，单光束的能量分布模型即焦平面距离和激光束的束腰直径之间的函数关系。本实施例中，由于激光束的输出功率和激光束的波长为常数，对单光束的能量分布模型影响不大，故根据焦平面距离和束腰直径关系函数图像即已经可以反映单光束能量分布。激光束还可以进一步为基模高斯光束。譬如，图3为一实施例中提供的基模高斯光束在真空中的束腰直径随焦平面距离变化的函数图，如图3所示，图中横轴表示焦平面距离，横轴为0处表示焦平面的位置，纵轴表示激光束的束腰直径。

步骤S126，获取待刻蚀材料的参数。

具体的，待刻蚀材料根据激光直写的应用场景进行选择，确定待刻蚀材料后可以通过键盘、鼠标、触控屏等输入设备输入待刻蚀材料的参数，也可以将待刻蚀材料的参数存储在存储设备内，从而获取到待刻蚀材料的参数。

仅示例性的，待刻蚀材料的参数包括待刻蚀材料的折射率n和相关系数k中的至少一种。

步骤S128，根据待刻蚀材料的参数和单光束的能量分布模型，得到激光直写能量分布模型。

具体的，根据待刻蚀材料的参数，譬如根据待刻蚀材料的折射率n和待刻蚀材料的相关系数k及单光束的能量分布模型，得到采用单束激光束进行激光直写时在待刻蚀材料内部产生的能量分布情况。譬如，图4为一实施例中提供的单光束能量分布的仿真图，如图4所示，可以清楚单光束入射难以保证待刻蚀材料顶部和底部能量分布均匀，从而难以得到顶部和底部均匀的垂直图案。

在一实施例中，如图2所示，步骤S14，利用二分法确定各个焦平面的位置，具体包括步骤S142和步骤S144。

步骤S142，获取待刻蚀材料的参数及待刻蚀材料的厚度。

具体的，待刻蚀材料根据激光直写的应用场景进行选择，确定待刻蚀材料后可以通过键盘、鼠标、触控屏等输入设备输入待刻蚀材料的参数及待刻蚀材料的厚度，也可以将待刻蚀材料的参数和待刻蚀材料的厚度存储在存储设备内，从而获取到待刻蚀材料的参数和待刻蚀材料的厚度。

仅示例性的，待刻蚀材料的参数包括待刻蚀材料的折射率n和相关系数k中的至少一种。待刻蚀材料的厚度可以根据待刻蚀材料的应用场景和想要在待刻蚀材料上形成的立体图案进行设置。待刻蚀材料的厚度至少大于立体图案的高度。

步骤S144，根据待刻蚀材料的参数及待刻蚀材料的厚度，利用二分法确定各个焦平面的位置。

具体的，如图5a所示，待刻蚀材料的上表面为A点所在水平面，下表面为B点所在水平面，先确定AB两点之间的中间点a1，则a1点所在水平面为其中一个焦平面；再确定a1和A点之间的中间点a2，a2和B点之间的中间点a3，则a2和a3所在水平面分别为两个焦平面；再确定a2和A点之间的中间点a4，a3和B点之间的中间点a5，则a4和a5所在水平面分别为两个焦平面。需要说明的是，焦平面的数量并不限于图5a中的数量。

根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，模拟多束激光束的焦点所在平面分别对应一个焦平面的位置，使得得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在刻蚀材料内产生的能量分布情况的仿真结果。譬如，图5b为一实施例中提供的二分法确定焦平面时的激光直写时能量分布的仿真图，如图5b所示，可以清楚，采用二分法确定各个焦平面的位置后，多束激光束在待刻蚀材料内部产生的能量在竖直方向上比较均匀，从而曝光后在待刻蚀材料上形成的立体图形会更加均匀，使得大大减轻了在待刻蚀材料形成的较大的高宽比的立体图形的畸变程度。

对比而言，图6a为一实施例中提供的均匀分布焦平面时的位置示意图，图6b为一实施例中提供的均匀分布焦平面时的激光直写时能量分布的仿真图。如图6a和6b所示，可以清楚，均匀排布焦平面时，多束激光束(每束激光束的焦点所在平面分别对应一个焦平面)在待刻蚀材料内产生的能量分布在上下两端和中心部位存在显著的能量差，从而曝光后在待刻蚀材料上产生的立体图案会非常不均匀。

应该理解的是，虽然图1-2的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1-2中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

本申请还提供了一种激光直写的方法，如图7所示，激光直写的方法包括以下步骤：

步骤S72，利用二分法确定各个焦平面的位置。

步骤S74，根据各个焦平面的位置，利用多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写，以得到预设的立体图案；立体图案的高宽比大于预设值。

上述激光直写的方法利用二分法确定待刻蚀材料内各个焦平面的位置，根据各个焦平面的位置，利用多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写，由于多束激光束的焦点分别位于一个对应的焦平面上使得多束激光束在待刻蚀材料内产生的能量分布更加均匀，从而提高在待刻蚀材料上形成的较大高宽比立体图案的保真度；并且由于待刻蚀材料厚度较厚使得激光直写可以被用用到更多的交叉学科和领域。

在一个实施例中，多束激光束均为高斯光束。可选的，多束激光束均为基模高斯光束。

在一个实施例中，利用二分法确定各个焦平面的位置，包括：

获取待刻蚀材料的参数及待刻蚀材料的厚度；

根据待刻蚀材料的参数及待刻蚀材料的厚度，利用二分法确定各个焦平面的位置。

本申请还提供一种激光直写仿真的装置。图8为一实施例提供的激光直写仿真的装置。如图8所示，激光直写仿真的装置80包括获取模块81、焦平面确定模块82及仿真模块83。获取模块81用于获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型。焦平面确定模块82用于利用二分法确定各个焦平面的位置。仿真模块83用于根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果。多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写后在待刻蚀材料上产生预设的立体图案，立体图案的高宽比大于预设值。

上述激光直写仿真的装置80利用二分法确定待刻蚀材料内各个焦平面的位置，并根据各个焦平面的位置和激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在所述待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果，使得模拟多束激光束对待刻蚀材料进行刻蚀后在待刻蚀材料内所产生的能量的分布情况，可以得到利用二分法确定各个焦平面的位置后，利用焦点分别位于各个焦平面的位置的多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写可以使得待刻蚀材料内产生的能量均匀，从而可以提高图案化后形成的立体图案的保真度的结果，从而提高了在待刻蚀材料上书写较大高宽比图案的可行性，使得激光直写可以被用到更多的交叉学科和领域。

在一个实施例中，获取模块81包括激光束参数获取单元、单光束能量分布模型处理单元、待刻蚀材料参数获取单元及激光直写能量分布模型处理单元。激光束参数获取单元用于获取激光束参数。单光束能量分布模型处理单元用于根据激光束参数，得到单光束能量分布模型。待刻蚀材料参数获取单元用于获取待刻蚀材料的参数。激光直写能量分布模型处理单元用于根据待刻蚀材料的参数和单光束的能量分布模型，得到激光直写能量分布模型。可选的，激光束参数包括激光器的输出功率、激光束的波长、激光束的束腰半径、激光束的束腰直径中的至少一种。可选的，待刻蚀材料的参数包括待刻蚀材料的折射率和相关系数中的至少一种。

在一实施例中，激光束为高斯光束，激光束参数包括激光束的束腰直径；单光束能量分布模型处理单元具体执行根据高斯光束的数学公式和激光束的束腰直径，得到焦平面距离和激光束的束腰直径之间的关系。

在一实施例中，焦平面确定模块82包括待刻蚀材料参数及厚度获取单元及焦平面位置处理单元。待刻蚀材料参数及厚度获取单元用于获取待刻蚀材料的参数及待刻蚀材料的厚度。焦平面位置处理单元用于根据待刻蚀材料的参数及待刻蚀材料的厚度，利用二分法确定各个焦平面的位置。

本申请还提供一种激光直写的装置。如图9所示，激光直写的装置90包括焦平面确定模块91及激光直写模块92。焦平面确定模块91用于利用二分法确定各个焦平面的位置。激光直写模块92用于根据各个焦平面的位置，利用多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写，以得到预设的立体图案；立体图案的高宽比大于预设值。

上述激光直写的装置90利用二分法确定待刻蚀材料内各个焦平面的位置，根据各个焦平面的位置，利用多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写，由于多束激光束的焦点分别位于一个对应的焦平面上使得多束激光束在待刻蚀材料内产生的能量分布更加均匀，从而提高在待刻蚀材料上形成的较大高宽比立体图案的保真度；并且由于待刻蚀材料厚度较厚使得激光直写可以被用用到更多的交叉学科和领域。

在一个实施例中，多束激光束均为高斯光束。可选的，多束激光束均为基模高斯光束。

在一个实施例中，焦平面确定模块91包括待刻蚀材料参数及厚度获取单元及焦平面处理单元。待刻蚀材料参数及厚度获取单元用于获取待刻蚀材料的参数及待刻蚀材料的厚度。焦平面处理单元用于根据待刻蚀材料的参数及待刻蚀材料的厚度，利用二分法确定各个焦平面的位置。

关于激光直写仿真的装置80的具体限定可以参见上文中对于激光直写仿真的方法的限定，关于激光直写的装置90的具体限定可以参见上文中对于激光直写的方法的限定，在此不再赘述。上述激光直写仿真的装置80及激光直写的装置90中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种激光直写仿真的方法，其特征在于，包括：

获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；

利用二分法确定各个焦平面的位置；

根据各个焦平面的位置和所述激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在所述待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；所述多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在所述待刻蚀材料上产生预设的立体图案，所述立体图案的高宽比大于预设值。

2.根据权利要求1所述的激光直写仿真的方法，其特征在于，所述获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型，包括：

获取激光束参数；

根据所述激光束参数，得到单光束能量分布模型；

获取待刻蚀材料的参数；

根据所述待刻蚀材料的参数和所述单光束能量分布模型，得到所述待刻蚀材料的激光直写能量分布模型。

3.根据权利要求2所述的激光直写仿真的方法，其特征在于，所述激光束参数包括激光器的输出功率、激光束的波长、激光束的束腰半径、激光束的束腰直径中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的激光直写仿真的方法，其特征在于，所述激光束为高斯光束，所述激光束参数包括激光束的束腰直径；所述根据所述激光束参数，得到单光束能量分布模型，包括：

根据高斯光束的数学公式和所述激光束的束腰直径，得到焦平面距离和所述激光束的束腰直径之间的关系。

5.根据权利要求2所述的激光直写仿真的方法，其特征在于，所述待刻蚀材料的参数包括待刻蚀材料的折射率和相关系数中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的激光直写仿真的方法，其特征在于，所述利用二分法确定各个焦平面的位置，包括：

获取待刻蚀材料的参数及厚度；

根据所述待刻蚀材料的参数及厚度，利用二分法确定各个焦平面的位置。

7.一种激光直写的方法，其特征在于：包括：

利用二分法确定各个焦平面的位置；

根据各个焦平面的位置，利用多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写，以得到预设的立体图案；所述立体图案的高宽比大于预设值。

8.一种激光直写仿真的装置，其特征在于，包括：

获取模块，用于获取待刻蚀材料的激光直写能量分布模型；

焦平面确定模块，用于利用二分法确定各个焦平面的位置；

仿真模块，用于根据各个焦平面的位置和所述激光直写能量分布模型，得到多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写时在所述待刻蚀材料内产生的能量分布仿真结果；所述多束激光束对所述待刻蚀材料进行激光直写后在所述待刻蚀材料上产生预设的立体图案，所述立体图案的高宽比大于预设值。

9.根据权利要求8所述的激光直写仿真的装置，其特征在于，所述获取模块包括：

激光束参数获取单元，用于获取激光束参数；

单光束能量分布模型处理单元，用于根据所述激光束参数，得到单光束能量分布模型；

待刻蚀材料参数获取单元，用于获取待刻蚀材料的参数；

激光直写能量分布模型处理单元，用于根据所述待刻蚀材料的参数和所述单光束能量分布模型，得到所述待刻蚀材料的激光直写能量分布模型。

10.一种激光直写的装置，其特征在于，包括：

焦平面确定模块，用于利用二分法确定各个焦平面的位置；

激光直写模块，用于根据各个焦平面的位置，利用多束激光束对待刻蚀材料进行激光直写，以得到预设的立体图案；所述立体图案的高宽比大于预设值。

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