CN104635418B - 一种掩模版及一种测量光刻机的版旋转偏差的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种掩模版，该掩模版包括：底板、位于底板上的第一部件和第二部件；第一部件用于使光刻胶在经过光刻后被保留；第二部件用于使光刻胶在经过光刻后被刻蚀；第一部件和第二部件的位置关系满足：在以所述掩模版的矩形曝光场的中心为坐标原点，X轴、Y轴分别平行于所述曝光场的垂直的两个边的X‑Y坐标系中，所述第一部件和第二部件位于Y轴两侧，均有两条垂直于Y轴的平行边线，第二部件的Y轴上的投影在第一部件的Y轴上的投影内，所述第一部件的中心与所述第二部件的中心在X轴上投影的距离为光刻机在X方向的步进长度。通过本发明提供的掩模版及方法，能够使计算光刻机的版旋转偏差的过程变得简单。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种掩模版及一种测量光刻机的版旋转偏差的方法。
背景技术
光刻是半导体工艺中的关键技术，广泛应用于半导体集成电路、LED二极管、液晶显示屏等工艺中，其中半导体集成电路对光刻设备和工艺的依赖度最大。实现光刻工艺的最关键设备是光刻机，光刻机的掩模版的旋转偏差是光刻机的一个重要参数，简称为版旋转偏差，即掩模版的中轴线相对于平面二维坐标系出现了旋转，以平面二维坐标系的原点为圆点旋转，因为晶圆上每一个曝光场都是从掩模版上投影得到的，如果掩模版出现旋转偏差，会导致所有的曝光场都出现旋转，直接影响到光刻工艺的对准精度，参见图1，是当光刻机的掩模版出现顺时针旋转的情况下，投影在晶圆上的曝光场示意图。
现有技术中，测量光刻机的版旋转偏差的方法如下：先后共执行两次光刻，第二次光刻以第一次光刻为对准参照，然后测量两次光刻之间的对准偏差，再反向计算出掩模版的旋转偏差量。
由于对准偏差不仅受版旋转偏差的影响，还受光刻机的激光定位偏差、步进精度偏差等诸多参数和因素的影响，所以这种由对准偏差反向计算光刻机的版旋转偏差的过程比较复杂。
发明内容
本发明提供了一种掩模版及一种测量光刻机的版旋转偏差的方法，能够使计算光刻机的版旋转偏差的过程变得简单。
一方面，本发明提供了一种掩模版，所述掩模版包括：底板、位于底板上的第一部件和第二部件；
所述第一部件用于使光刻胶在经过光刻后被保留；
所述第二部件用于使光刻胶在经过光刻后被刻蚀；
所述第一部件和第二部件的位置关系满足：在以所述掩模版的矩形曝光场的中心为坐标原点，X轴、Y轴分别平行于所述曝光场的垂直的两个边的X-Y坐标系中，所述第一部件和第二部件位于Y轴两侧，均有两条垂直于Y轴的平行边线，第二部件的Y轴上的投影在第一部件的Y轴上的投影内，所述第一部件的中心与所述第二部件的中心在X轴上投影的距离为光刻机在X方向的步进长度。
进一步地，所述第一部件和第二部件的位置关系还满足：所述第一部件和第二部件的中心位于垂直于Y轴的同一条直线上。
进一步地，所述第一部件、第二部件的形状为矩形。
进一步地，所述第一部件、第二部件的中心到Y轴的距离相等。
进一步地，所述曝光场为矩形，边的长度为10-50毫米。
进一步地，所述第二部件曝光后形成的图案的两条垂直于Y轴的边至少有一部分在第一部件曝光后形成的图案中。
另一方面，本发明提供了一种利用上述的任一掩模版测量光刻机的版旋转偏差的方法，在以所述掩模版的矩形曝光场的中心为坐标原点，X轴、Y轴分别平行于所述曝光场的垂直的两个边的X-Y坐标系中，所述方法包括：
按照预先设定的X方向的步进长度，利用所述掩模版对涂有光刻胶的晶圆进行步进式光刻，形成偏差图案；
计算出第二部件的中心的偏移距离；
根据所述偏移距离和所述步进长度计算光刻机的版旋转偏差。
进一步地，所述利用所述掩模版对涂有光刻胶的晶圆进行步进式光刻，包括：
在第一部件曝光形成的图案上对第二部件进行曝光。
进一步地，所述计算出第二部件的中心的偏移距离，包括：
测量偏差图案垂直于Y方向的一条外边线与一条内边线的第一距离，测量偏差图案垂直于Y方向的另一条外边线与另一条内边线的第二距离；
根据以下公式计算出第二部件的中心的偏移距离：
其中，D为所述偏移距离，Y1为所述第一距离，Y2为所述第二距离。
进一步地，所述计算光刻机的版旋转偏差，包括：
根据以下公式计算光刻机的版旋转偏差：
其中，A为所述版旋转偏差，D为所述偏移距离，X为所述步进长度。
通过本发明提供的掩模版及测量光刻机的版旋转偏差的方法，根据第二部件的中心的偏移距离和步进长度能够计算出光刻机的版旋转偏差，步进长度是预先设定的，只需要计算出偏移距离，而偏移距离通过测量偏差图案的内外平行边的距离能够简单的计算得出，测量过程简单，版旋转偏差只受偏移距离影响，计算过程简单。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是光刻机的掩模版出现顺时针旋转时投影在晶圆上的曝光场示意图；
图2是光刻机步进示意图；
图3是本发明实施例一提供的一种掩模版结构示意图；
图4是本发明实施例一提供的另一种掩模版结构示意图；
图5是本发明实施例二提供的一种测量光刻机的版旋转偏差的方法流程图；
图6本发明实施例二提供的发生版旋转的光刻机在曝光场曝光的示意图；
图7本发明实施例二提供的一种偏差图案示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
光刻是半导体工艺中的关键技术，广泛应用于半导体集成电路、LED二极管、液晶显示屏等工艺中，其中半导体集成电路对光刻设备和工艺的依赖度最大，比如，我们平常所说的32纳米处理器，就是指该处理器芯片的制作工艺中的最小光刻尺寸为32纳米。
所有半导体集成电路的制造工艺都是在晶圆上实施的，晶圆是圆形的半导体衬底(衬底材料为单晶硅、锗、锗硅等，衬底的直径为3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸或12英寸)。在集成电路的晶圆制造工艺中的，需要经历几次、十几次或几十次的光刻工艺，通过这些光刻工艺把掩模版上的图形一一复制到晶圆上，在半导体技术中，习惯把每“一次”光刻称呼为“一层”光刻。
光刻工艺的基本流程：首先在晶圆上涂覆一层光刻胶，然后通过曝光、显影把一部分区域的光刻胶去除掉，保留其它区域的光刻胶，从而形成由光刻胶组成的图形，这些图形都来源于掩模版上的图形，即掩模版上的透光区域对应为晶圆上光刻胶被去除掉的区域，掩模版上的不透光区域对应为晶圆上保留了光刻胶的区域。
衡量光刻工艺精度的主要参数包括关键尺寸和对准精度，关键尺寸表示加工最小光刻尺寸的精度，对准精度表示某一层光刻与其它层光刻之间的套准偏差，当任何一层光刻出现不可容许的对准偏差，都会导致整个集成电路失效。
实现光刻工艺的最关键设备是光刻机，在1.0～3.0微米、亚微米(0.35～0.8微米)、深亚微米(小于0.25微米)以及更小尺寸的半导体集成电路工艺中，通常都使用步进式光刻机，因为这样可以提高光刻工艺的精度。如图2，步进式光刻把半导体晶圆分成若干个曝光场，依次曝光。每个曝光场呈矩形，尺寸为10～50毫米，光刻机在完成第N个曝光场之后按照设定尺寸步进至第N+1曝光场进行聚焦曝光，光刻机从第N个曝光场步进至第N+1个曝光场的距离即步进长度，图2中每一个箭头代表步进一次。
实施例一：
光刻机的版旋转偏差是光刻机的一个重要参数，为了测量版旋转偏差，本发明实施例提供了一种掩模版，参见图3，该掩模版包括：底板301、位于底板301上的第一部件302和第二部件303；
第一部件302用于使光刻胶在经过光刻后被保留；
第二部件303用于使光刻胶在经过光刻后被刻蚀；
第一部件302和第二部件303的位置关系满足：在以掩模版的矩形曝光场的中心为坐标原点，X轴、Y轴分别平行于曝光场的垂直的两个边的X-Y坐标系中，第一部件302和第二部件303位于Y轴两侧，均有两条垂直于Y轴的平行边线，第二部件303的Y轴上的投影在第一部件302的Y轴上的投影内，第一部件302的中心与303第二部件的中心在X轴上投影的距离为光刻机在X方向的步进长度。
第一部件302和第二部件303的位置关系满足：第一部件302和第二部件303的中心位于垂直于Y轴的同一条直线上。
第一部件302、第二部件303的形状为矩形。
第一部件302、第二部件303的中心到Y轴的距离相等。
曝光场为矩形，边的长度为10-50毫米。
第二部件303曝光后形成的图案的两条垂直于Y轴的边至少有一部分在第一部件302曝光后形成的图案中。
其中，如果使用的光刻胶为正性光刻胶，第一部件302为被透光区域包围的不透光区域，第二部件303为被不透光区域包围的透光区域；如果使用的光刻胶为负性光刻胶，第一部件302为被不透光区域包围的透光区域，第二部件303为被透光区域包围的不透光区域。
其中，实施例一中的第一部件、第二部件优选为正方形，还可以是其他图形，例如：可以是上下底平行于坐标轴的梯形，也可以是有两条都平行于同一条坐标轴的边的任意形状。
另外，参见图4，位于底板401上的第一部件402和第二部件403的位置关系满足：在以掩模版的矩形曝光场的中心为坐标原点，X轴、Y轴分别平行于曝光场的垂直的两个边的X-Y坐标系中，第一部件402和第二部件403位于X轴两侧，均有两条垂直于X轴的平行边线，第二部件403的X轴上的投影在第一部件402的Y轴上的投影内，第一部件402的中心与第二部件403的中心在Y轴上投影的距离为光刻机在Y方向的步进长度。
实施例二：
本发明实施例提供了一种利用实施例一中掩模版测量光刻机的版旋转偏差的方法，在以掩模版的矩形曝光场的中心为坐标原点，X轴、Y轴分别平行于所述曝光场的垂直的两个边的X-Y坐标系中，参见图5，该方法包括：
步骤501：按照预先设定的X方向的步进长度，利用掩模版对涂有光刻胶的晶圆进行步进式光刻，形成偏差图案；
步骤502：计算出第二部件的中心的偏移距离；
步骤503：根据偏移距离和步进长度计算光刻机的版旋转偏差。
其中，利用掩模版对涂有光刻胶的晶圆进行步进式光刻，包括：
在第一部件曝光形成的图案上对第二部件进行曝光。
计算出第二部件的中心的偏移距离，包括：
测量偏差图案垂直于Y方向的一条外边线与一条内边线的第一距离，测量偏差图案垂直于Y方向的另一条外边线与另一条内边线的第二距离；
根据以下公式计算出第二部件的中心的偏移距离：
其中，D为偏移距离，Y1为第一距离，Y2为第二距离。
另外，当第二部件的中心在X轴上，且第二部件为矩形时，可以通过测量中心到X轴的距离得到偏移距离。
计算光刻机的版旋转偏差，包括：
根据以下公式计算光刻机的版旋转偏差：
其中，A为版旋转偏差，D为偏移距离，X为步进长度。
另外，测得Y1为10.2微米，Y2为9.8微米，X为10000微米，根据公式测得A=0.0012°。在常用的光刻机中，偏转角度非常小，在0.001°级别。
参见图6，发生版旋转的光刻机进行光刻，利用实施例一中的掩模版形成的光刻图案。第一部件光刻形成的图案601，第二部件光刻形成的图案602，在两个曝光场相交的部分发生重叠，形成偏差图案。
参见图7，偏差图案包括：第一部件光刻形成的图案701，第二部件光刻形成的图案702。在进行计算版旋转偏差时，测量偏差图案垂直于Y方向的一条外边线与一条内边线的第一距离Y1，测量偏差图案垂直于Y方向的另一条外边线与另一条内边线的第二距离Y2。
由上述描述可见，本发明实施具有如下有益效果：
通过本发明实施例提供的掩模版及测量光刻机版旋转偏差的方法，根据第二部件的中心的偏移距离和步进长度能够计算出光刻机的版旋转偏差，步进长度是预先设定的，只需要计算出偏移距离，而偏移距离通过测量偏差图案的内外平行边的距离能够简单的计算得出，测量过程简单，版旋转偏差只受偏移距离影响，计算过程简单。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同因素。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储在计算机可读取的存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质中。
最后需要说明的是：以上所述仅为本发明的较佳实施例，仅用于说明本发明的技术方案，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。
Claims (9)
1.一种掩模版，其特征在于，所述掩模版包括：底板、位于底板上的第一部件和第二部件；
所述第一部件用于使光刻胶在经过光刻后被保留；
所述第二部件用于使光刻胶在经过光刻后被刻蚀；
所述第一部件和第二部件的位置关系满足：在以所述掩模版的矩形曝光场的中心为坐标原点，X轴、Y轴分别平行于所述曝光场的垂直的两个边的X-Y坐标系中，所述第一部件和第二部件位于Y轴两侧，均有两条垂直于Y轴的平行边线，第二部件的Y轴上的投影在第一部件的Y轴上的投影内，所述第一部件的中心与所述第二部件的中心在X轴上投影的距离为光刻机在X方向的步进长度，所述第一部件和第二部件的位置关系还满足：所述第一部件和第二部件的中心位于垂直于Y轴的同一条直线上。
2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述第一部件、第二部件的形状为矩形。
3.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述第一部件、第二部件的中心到Y轴的距离相等。
4.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述曝光场为矩形，边的长度为10-50毫米。
5.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述第二部件曝光后形成的图案的两条垂直于Y轴的边至少有一部分在第一部件曝光后形成的图案中。
6.一种利用权利要求1-5中任一掩模版测量光刻机的版旋转偏差的方法，其特征在于，在以所述掩模版的矩形曝光场的中心为坐标原点，X轴、Y轴分别平行于所述曝光场的垂直的两个边的X-Y坐标系中，所述方法包括：
按照预先设定的X方向的步进长度，利用所述掩模版对涂有光刻胶的晶圆进行步进式光刻，形成偏差图案；
计算出第二部件的中心的偏移距离；
根据所述偏移距离和所述步进长度计算光刻机的版旋转偏差。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述利用所述掩模版对涂有光刻胶的晶圆进行步进式光刻，包括：
在第一部件曝光形成的图案上对第二部件进行曝光。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述计算出第二部件的中心的偏移距离，包括：
测量偏差图案垂直于Y方向的一条外边线与一条内边线的第一距离，测量偏差图案垂直于Y方向的另一条外边线与另一条内边线的第二距离；
根据以下公式计算出第二部件的中心的偏移距离：
<mrow>
<mi>D</mi>
<mo>=</mo>
<mfrac>
<mrow>
<mo>|</mo>
<mrow>
<msub>
<mi>Y</mi>
<mn>1</mn>
</msub>
<mo>-</mo>
<msub>
<mi>Y</mi>
<mn>2</mn>
</msub>
</mrow>
<mo>|</mo>
</mrow>
<mn>2</mn>
</mfrac>
</mrow>
其中，D为所述偏移距离，Y1为所述第一距离，Y2为所述第二距离。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述计算光刻机的版旋转偏差，包括：
根据以下公式计算光刻机的版旋转偏差：
<mrow>
<mi>A</mi>
<mo>=</mo>
<mi>arcsin</mi>
<mrow>
<mo>(</mo>
<mfrac>
<mi>D</mi>
<mi>X</mi>
</mfrac>
<mo>)</mo>
</mrow>
</mrow>
其中，A为所述版旋转偏差，D为所述偏移距离，X为所述步进长度。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1928722A (zh) * | 2006-09-27 | 2007-03-14 | 上海微电子装备有限公司 | 用于投影物镜像差检测的测试标记、掩模及检测方法 |
| CN101241312A (zh) * | 2008-03-06 | 2008-08-13 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻机成像质量现场测量方法 |
| CN102109755A (zh) * | 2009-12-29 | 2011-06-29 | 北大方正集团有限公司 | 一种光刻技术中实现对准偏差测量的装置和方法 |
| CN103207516A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | Asml荷兰有限公司 | 光刻掩模、光刻设备和方法 |
| CN104570589A (zh) * | 2013-10-12 | 2015-04-29 | 北大方正集团有限公司 | 掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7605907B2 (en) * | 2007-03-27 | 2009-10-20 | Asml Netherlands B.V. | Method of forming a substrate for use in calibrating a metrology tool, calibration substrate and metrology tool calibration method |
-
2013
- 2013-11-07 CN CN201310551821.XA patent/CN104635418B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1928722A (zh) * | 2006-09-27 | 2007-03-14 | 上海微电子装备有限公司 | 用于投影物镜像差检测的测试标记、掩模及检测方法 |
| CN101241312A (zh) * | 2008-03-06 | 2008-08-13 | 上海微电子装备有限公司 | 一种光刻机成像质量现场测量方法 |
| CN102109755A (zh) * | 2009-12-29 | 2011-06-29 | 北大方正集团有限公司 | 一种光刻技术中实现对准偏差测量的装置和方法 |
| CN103207516A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | Asml荷兰有限公司 | 光刻掩模、光刻设备和方法 |
| CN104570589A (zh) * | 2013-10-12 | 2015-04-29 | 北大方正集团有限公司 | 掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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