TWI437745B - 半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Description

半導體裝置的製造方法
本發明關於一種半導體裝置及其製造方法。
諸如有機EL(電致發光)顯示器、無機EL顯示器、液晶顯示器、電漿顯示器或表面傳導電子發射顯示器(SED)的顯示裝置中形成有複數個像素。
許多樹脂材料係使用作為用於分離複數個像素的材料(以下稱為分隔壁)(見專利文獻1：日本專利申請公開號2000－294378)。
較佳係以有機樹脂(例如聚醯亞胺或類似者)作為用於分隔壁的材料。然而，有機樹脂的抗熱性劣於許多無機物質且具有相對高之吸濕性。因此，因顯示裝置之熱而自分隔壁流失的少量水分可能使顯示裝置之光度降低。
特別是，以其中具有執行所謂電致發光(以下亦稱為“EL”)材料的發光顯示裝置作為顯示裝置。由使用於分隔壁之樹脂材料所產生的水分、氣體或類似者被視為電致發光元件(EL元件)，尤其是有機EL元件，之發光特徵劣化的原因之一。
因此，由絕緣性、抗熱性、吸濕性或類似者的觀點考量，可提供諸如氧化矽之無機材料作為用於分隔壁的更佳材料。
為形成使用諸如氧化矽之無機材料的分隔壁，必須形成無機材料膜且形成的無機材料膜必須經過處理。
舉例而言，於使用氧化矽膜的情況中，可藉下列方法形成分隔壁。
亦即，提供下列方法：於其中形成抗蝕層於氧化矽膜上並使用含氟溶液進行蝕刻的方法，或是形成氧化矽膜、於執行加熱時藉壓印裝置以模施加壓力於氧化矽膜上的方法。
於其中使用含氟溶液進行蝕刻的方法具有佈線被含氟溶液損傷的缺點。此外，於其中加熱時藉壓印裝置以模施加壓力的方法具有氧化矽膜必須被加熱至高於氧化矽之玻璃轉移點溫度的缺點。
根據本發明之一個特徵，使用於其中藉奈米壓印形成分隔壁的方法，且以使用氧化矽膜作為用於形成分隔壁的方法，首先形成含有聚矽烷的絕緣膜，並繼而藉UV光照射及加熱形成由氧化矽膜組成的分隔壁。
當藉奈米壓印而形成分隔壁時，可形成與由步進設備所形成者同樣精密之分隔壁，亦即具奈米(nm)精密度之分隔壁。此外，因分隔壁係於奈米壓印中使用模(鑄模)而形成，可得到具優異可再生性之複數個分隔壁、具有少數變異之分隔壁，且可降低製造成本。
本發明關於一種用於製造半導體裝置的方法，於其中形成第一電極於基材上；形成含有聚矽烷的絕緣層於基材和第一電極上；對絕緣層進行壓模，以於第一電極上的絕緣層中形成開口；自其中形成有開口之絕緣層分離模；硬化其中形成有開口之絕緣層以形成分隔壁；形成發光層於第一電極和分隔壁上；以及形成第二電極於發光層上。
於本發明中，絕緣層係藉UV光照射及加熱而形成。
於本發明中，模係由金屬材料或絕緣材料形成，且模之表面上形成有凹陷。
於本發明中，於其中形成有開口之絕緣層的表面係於形成分隔壁前經硬化。
於本說明書中亦值得注意的是，半導體裝置意指使用半導體時一般操作的元件和裝置，以及包括發光裝置的電子光學裝置或於其中包括半導體元件的類似者，且設置有電子光學裝置之電子設備係包括於此範疇中。
藉本發明，可由簡單方式形成使用無機材料、具優異可再生性的分隔壁。因此，可製造高度持久性的顯示裝置，於其中光度減低率為低。
 實施模式
於下文中參照伴隨圖式將說明本發明之實施模式。然而，本發明能以許多不同的模式執行，且熟悉此項技藝者應輕易瞭解，於不脫離本發明之目的與範圍下，本發明之模式與細節可經各樣方法修飾。因此本發明不應被解釋為受到實施模式之敘述的限制。值得注意的是，於以下顯示的圖式中，相同的部分或具有類似功能的部分係以相同標號註記，且將省略其重複的解釋。
於此實施模式中，參考第1A和1B圖、第2A和2B圖、第3A至3C圖和第22圖將說明藉本發明之發光顯示裝置的發光元件之製造方法。
首先，形成第一電極102(102a、102b、102c、102d，以下類推)於基材101(見第1A圖)上。舉例而言，玻璃、石英或類似者係可使用於基材101。值得注意的是，於形成第一電極102之前，可形成基底絕緣膜於基材101上。
金屬、合金、導電性化合物、彼等的混合物或類似者係可使用於第一電極102和於接續步驟中欲形成的第二電極114(114a、114b、114c、114d，以下類推)。舉例而言，特別是使用氧化銦－氧化錫(銦錫氧化物亦稱為“ITO”)、含有矽或氧化矽的氧化銦－氧化錫、氧化銦－氧化鋅(銦鋅氧化物亦稱為“IZO”)、含有氧化鎢或氧化鋅的氧化鎢－氧化銦或類似者。此種導電金屬氧化物膜通常藉濺鍍法而形成。舉例而言，藉使用於其中添加氧化鋅為氧化銦之1至20重量%的靶材之濺鍍法，可形成氧化銦－氧化鋅(IZO)。此外，藉使用於其中含有0.5至5重量%氧化鎢及含有0.1至1重量%氧化鋅於氧化銦中的靶材之濺鍍法，可形成含有氧化鋅的氧化銦－氧化鎢。
此外，可使用鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、金屬材料的氮化物(例如氮化鈦(TiN))或類似者作為第一電極102和第二電極114。
值得注意的是，當第一電極102和第二電極114兩者或任一者為透光電極的情況中，即便當電極以低可見光透光性材料形成，藉形成電極厚度為1至50 nm，較佳5至20nm的方法，電極係可使用作為透光電極。另外，除濺鍍法外，電極可藉真空蒸鍍、CVD或溶膠－凝膠法而形成。
然而，因光線發射係經第一電極102或第二電極114而擷取至外部，第一電極102和第二電極114之至少一者須以透光材料形成。此外，較佳選擇使第一電極102之功函數大於第二電極114之功函數的材料。進一步，第一電極102和第二電極114不需各為單層結構，而可具有包括二或多層的結構。
接著，如第1B圖中所示，形成含有聚矽烷的絕緣層104於基材101和第一電極102上。
接續地，將鑄模(亦稱為模)105朝向絕緣膜104推動(擠壓)，並執行加熱(見第2A圖)。因而開口107(107a、107b、107c、107d，以下類推)係形成於絕緣層104中。
模105係由金屬材料或諸如石英之絕緣材料所形成，且進一步形成凹陷於其表面。舉例而言，表面上的凹陷係使用電子束微影法而形成。
接下來，如第2B圖所示，模105自絕緣層104被分離。舉例而言，藉施加超聲波至絕緣層104可使模105自絕緣層104被分離並同時抑制絕緣層104的變形。模105自絕緣層104被分離，使得具其圖案之絕緣層109可被形成。
於此，若必須，則絕緣層109的表面111藉氧電漿或類似者而經硬化(見第3A圖)。當以氧電漿或類似者處理絕緣層109時，僅表面經氧化而被硬化且可預防變形。另外，因表面111經硬化，可防止自絕緣層109內部之水分或氣體的脫附。此外，即便以氧電漿或類似者處理絕緣層109，絕緣層109的內部不會被氧化而僅為表面被氧化。
接續地，執行UV光照射以加熱(後烘)絕緣層109，使得絕緣層109完全地經玻璃化而形成分隔壁112(見第3B圖)。
於參照第22圖而說明的機制中，含有聚矽烷的絕緣層109藉UV光照射及加熱而經硬化，致使包括氧化矽膜之分隔壁112被形成。
首先，含有其中包括Si－Si鍵結和Si－C鍵結之聚矽烷的絕緣層109係經紫外光(UV光)照射。因藉UV光照射而產生之處於高能量狀態的氧，形成Si－O鍵結。藉進一步加熱(後烘)可形成玻璃化的氧化矽膜。
值得注意的是，可使用例如下列之物質作為聚矽烷；然而不以此等物質為限，並可使用任何以壓模、藉加熱而可被塑形之物質。
接續地，形成發光層113(113a、113b、113c、113d，以下類推)於第一電極102和分隔壁112上。於此實施模式中，有機化合物係使用於發光層113。
可使用由有機化合物形成的下列材料於發光層113。舉例而言，使用Alq3( 三(8－羥基喹啉)鋁)：DCM1(4－(二氰亞甲基)－2－甲基－6－(對二甲基胺苯乙烯基)－4H－吡喃)、Alq3 ：紅螢烯：雙DCJTM或類似者作為發紅光之發光材料。使用Alq3 ：DMQD(N,N’－二甲基煃吖啶酮)、Alq3 ：香豆素或類似者作為發綠光之發光材料。使用α－NPD、tBu－DNA或類似者作為發藍光之發光材料。
本發明可應用至使用無機化合物於發光層113的情況中。
取決於其元件結構，使用無機化合物作為發光材料之無機EL元件可分類為分散式無機EL元件和薄膜式無機EL元件。前者和後者之差異在於前者具有發光材料的粒子分散於黏合劑中的電致發光層，而後者具有以發光材料的薄膜形成之電致發光層。然而，其共通點為兩者皆需要藉高電場而經加速的電子。值得注意的是，利用施子能階和受子能階之施子－受子再結合型發光以及利用金屬離子的內殼電子轉移之定域型發光可作為發光機制。一般來說，分散式無機EL元件呈現施子－受子再結合型發光，而薄膜式無機EL元件呈現定域型發光。
可使用於本發明之發光材料包括基材及作為發光中心之雜質元素。藉改變含有的雜質元素，可得到各種顏色的光發射。諸如固相生長法或液相生長法(共沉澱法)之各樣方法可使用於形成發光材料。此外，可使用蒸發式分解法、雙分解法、前驅物之熱分解反應法、逆微胞法、於其中結合高溫烘烤的方法、諸如冷凍乾燥法之液相生長法或類似者。
於固相生長法中，基材和雜質元素或含有雜質元素的化合物係經稱重，其於灰泥中經混合，欲反應之混合物於電爐中經加熱及烘烤，使得基材含有雜質元素。烘烤溫度較佳係700至1500℃。此因當溫度過低時固相反應無法進行，而當溫度過高時基材被分解。值得注意的是，雖烘烤能以粉末態之材料執行，較佳係以團塊態之材料執行烘烤。雖然固相生長法需於相對高的溫度下進行烘烤，但固相生長法簡易；因此可獲得高產量，且固相生長法適用於大量生產。
於液相生長法(共沉澱法)中，基材或含有基材的化合物以及雜質元素或含有雜質元素的化合物係於溶液中反應、經乾燥，並接著經烘烤。發光材料的粒子係均勻分布，且即便顆粒尺寸很小且烘烤溫度很低反應仍可進行。
可使用硫化物、氧化物或氮化物作為用於發光材料的基材。舉例而言，可使用下示者作為硫化物：硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、硫化鈣(CaS)、硫化釔(Y2 S3 )、硫化鎵(Ga2 S3 )、硫化鍶(SrS)、硫化鋇(BaS)或類似者。舉例而言，可使用氧化鋅(ZnO)、氧化釔(Y2 O3 )或類似者作為氧化物。舉例而言，可使用氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)或類似者作為氮化物。另外，亦可使用硒化鋅(ZnSe)、鍗化鋅(ZnTe)或類似者。可供選擇地，也可使用諸如鈣硫化鎵(CaGa2 S4 )、鍶硫化鎵(SrGa2 S4 )或鋇硫化鎵(BaGa2 S4 )之三元混合晶體。
可使用錳(Mn)、銅(Cu)、釤(Sm)、鋱(Tb)、鉺(Er)、銩(Tm)、銪(Eu)、鈰(Ce)、鐠(Pr)或類似者，作為用於定域型發光的發光中心。值得注意的是，可添加諸如氟(F)、氯(Cl)之用於電荷補償的鹵素。
另一方面，可使用含有形成施子能階的第一雜質元素和形成受子能階的第二雜質元素之發光材料，作為施子－受子再結合型發光的發光中心。舉例而言，可使用氟(F)、氯(Cl)、鋁(Al)或類似者作為第一雜質元素。可使用，舉例而言，銅(Cu)、銀(Ag)或類似者作為第二雜質元素。
當於藉固相生長法合成用於施子－受子再結合型發光之發光材料的情形中，基材、第一雜質元素或含有第一雜質元素的化合物，以及第二雜質元素或含有第二雜質元素的化合物各者係經稱重且於灰泥中經混合，並接著於電爐中經加熱及烘烤。前述之基材係可使用於基材。舉例而言，可使用氟(F)、氯(Cl)、硫化鋁(Al2 S3 )或類似者作為第一雜質元素或是含有第一雜質元素之化合物。舉例而言，可使用銅(Cu)、銀(Ag)、硫化銅(Cu2 S)、硫化銀(Ag2 S)或類似者作為第二雜質元素或是含有第二雜質元素之化合物。烘烤溫度較佳係700至1500℃。此因當溫度過低時固相反應無法進行，而當溫度過高時基材被分解。值得注意的是，雖烘烤能以粉末態執行，較佳係以團塊態執行烘烤。
作為採用固相反應的情況中之雜質元素，可使用含有第一雜質元素和第二雜質元素之化合物。於此情況中，因雜質元素易於擴散且固相反應易於進行；而可獲得均質的發光材料。此外，因沒有非必要的雜質元素進入，而可獲得高純度的發光材料。作為含有第一雜質元素和第二雜質元素之化合物，舉例而言，可使用氯化銅(CuCl)、氯化銀(AgCl)或類似者。
值得注意的是，於基材中所含有之此等雜質元素的濃度可為0.01至10原子%，較佳為0.05至5原子%。
於薄膜式無機EL元件的情況中，含有前述發光材料的發光層可藉諸如熱電阻蒸鍍法或電子束蒸鍍(EB evaporation)法之真空蒸鍍法；諸如濺鍍法之物理氣相沉積法(PVD)；諸如金屬有機CVD法或低壓氫化物傳送CVD法之化學氣相沉積(CVD)法；原子層磊晶成長法(ALE)或類似者而形成。
接續地，形成第二電極114(114a、114b、114c、114d，以下類推)於發光層113上(見第3D圖)。第二電極114之材料和形成步驟係同於第一電極102者。
值得注意的是，若必要時此實施模式可與實施例結合。
〔實施例1〕
參考第4A至4D圖、第5A至5C圖、第6A至6C圖、第7A和7B圖、第8A和8B圖、第9A和9B圖、第10圖、第11圖和第12圖將說明用於製造本發明之半導體裝置的方法之實例。
首先，如第4A圖所示，形成基膜502於基材501上。舉例而言，可使用鋇硼矽酸玻璃或鋁硼矽酸玻璃、石英基材、不鏽鋼基材或類似者之玻璃基材作為基材501。此外，可使用由PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、PES(聚醚碸)或PEN(聚萘二甲酸二乙酯)製成之具塑性特徵的基材，或諸如丙烯酸之撓性合成樹脂製成的基材。
基膜502之設置係為了防止基材501中所含有的諸如Na之鹼金屬或鹼土金屬擴散至半導體膜並對半導體元件的特徵具有反效應。
氧化矽、氮化矽、含有氮的氧化矽、含有氧的氮化矽或類似者係可使用於基膜502，且可被形成為單層或諸如兩層結構或三層結構之堆疊的層結構。於使用含有些許鹼金屬或鹼土金屬之如玻璃基材、不鏽鋼基材或塑料基材的情況中，由防止雜質擴散的觀點來看，有必要提供基膜；然而，於雜質擴散非為主要問題的情況中，諸如使用石英基材的情況下，不一定需要設置基膜。
於此實施例中，於基材上形成厚度為50 nm之含有氧的氮化矽膜作為下部基膜502a並使用SiH4 、NH3 、N2 O、N2 和H2 作為反應性氣體，於下部基膜502a上形成厚度為100 nm之含有氮的氧化矽膜作為上部基膜502b並使用SiH4 和N2 O作為反應性氣體。可供選擇地，含有氧之氮化矽膜的厚度可為140 nm且經堆疊於其上含有氮之氧化矽膜的厚度可為100 nm。
接下來，形成半導體膜503於基膜502上。半導體膜503的厚度為25至100 nm(較佳30至60 nm)。值得注意的是，不僅矽(Si)，矽化鍺(SiGe)亦可使用於半導體。於使用矽化鍺的情況中，鍺濃度較佳為約0.01至4.5原子%。
使用諸如矽烷或鍺烷之半導體材料氣體以氣相沉積法或濺鍍法形成之非晶半導體；半非晶導體(亦稱為微晶，且以下稱為“SAS”)；或類似者係可使用於半導體膜503。
半非晶半導體(SAS)具有介於非晶結構和晶體結構(包括單晶和多晶)之間的中間結構及自由能穩定的第三狀態，且其包括具短程級和晶格畸變之晶體區域。至少一部分的膜包括0.5至20 nm之晶體區域。當含有矽作為主要組份時，拉曼光譜偏移至低於520 cm－1 之波數側。
藉X射線而觀察到之繞射峰(111)和(220)被視為得自矽(Si)晶體晶格。含有至少1原子%或更多的氫或鹵素作為用於終止懸鍵的材料。
SAS係藉含有矽之氣體的輝光放電分解(電漿CVD)而形成。除了SiH4 ，可使用Si2 H6 、SiH2 Cl2 、SiHCl3 、SiCl4 、SiF4 或類似者作為含有矽的氣體。且F2 和GeF4 可經混合。含有矽的氣體能以H2 或H2 與一或多種選自He、Ar、Kr和Ne的稀有氣體元素而進行稀釋。
稀釋的比例為2至1000倍的範圍中，壓力為0.1至133 Pa的範圍中，且供電頻率為1至120 MHz，較佳為13至60 MHz。基材加熱溫度較佳低於或等於300℃，且於基材加熱溫度為100至200℃時亦可形成SAS。
於此，預期含有的經導入之主要用於形成膜的雜質元素、得自諸如氧、氮或碳之大氣組份的雜質，係低於或等於1 x 1020 cm－3 。特別是，氧濃度較佳低於或等於5 x 1019 cm－3 ，更佳低於或等於1 x 1019 cm－3 。
此外，當含有諸如氦、氬、氪或氖之稀有氣體以進一步增加晶格畸變時，可增進穩定性，且可獲得有利的SAS。此外，使用氫基氣體而形成的SAS層可經堆疊於使用氟基氣體而形成的SAS層上以作為半導體膜。
非晶半導體以氫化非晶矽為特徵。可供選擇地，如前述，可使用半非晶半導體或包括晶體相的半導體作為其半導體膜之部分。
於此實施例中，以電漿CVD法形成厚度為54 nm之非晶矽膜作為半導體膜503。
接下來，導入促進半導體結晶之金屬元素進入半導體膜503中。導入金屬元素進入半導體膜503的方式並無特定限制，只要其為可使半導體膜503之表面或內部中含有金屬元素的方法即可。舉例而言，可使用濺鍍法、CVD法、電漿處理法(包括電漿CVD法)、吸附法或添加金屬鹽溶液的方法。
於所有方法中，常見使用溶液的方法，因此方法簡單且易於控制金屬元素的濃度。於此時為改進半導體膜503表面的可濕性，藉於氧氣體環境中以UV光照射、熱氧化、以含有羥基或過氧化氫的臭氧水處理或類似者而形成氧化物膜，且將溶液塗展於非晶半導體膜之全部表面上為所欲者。
作為促進半導體結晶的金屬元素，可使用一或複數種選自鎳(Ni)、鍺(Ge)、鐵(Fe)、鈀(Pd)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鈷(Co)、鉑(Pt)、銅(Cu)和金(Au)的元素。於此實施例中，鎳(Ni)係使用作為金屬元素，且液相的鎳醋酸溶液係藉旋塗法施加於半導體膜503的表面上作為含有金屬元素的溶液504(見第4A圖)。
接下來，於氮氣環境中，將半導體膜503維持於450至500℃持續一小時，使得半導體膜503中的氫被釋出。此係用於藉由於半導體膜503中故意形成之懸鍵，而減少接續的結晶中之低限能量。
接著於氮氣環境中，藉於550至600℃持續4至8小時的熱處理結晶化半導體膜503，以獲得晶體半導體膜505。因金屬元素，可將半導體膜503之結晶溫度設定為相對低之550至600℃。
接下來，以直線性雷射束500照射晶體半導體膜505，使結晶性係進一步改進(見第4B圖)。
於執行雷射結晶的情況中，為增加晶體半導體膜505對雷射之抗性，於雷射結晶之前可對晶體半導體膜505執行一小時的500℃之熱處理。
針對雷射結晶，可使用連續波雷射，或可使用具重複率大於或等於10 MHz，較佳大於或等於80 MHz，的脈衝振盪雷射作為假CW雷射。
特別是，可使用下列者作為連續波雷射：Ar雷射、Kr雷射、CO2 雷射、YAG雷射、YVO4 雷射、YLF雷射、YALO3 雷射、GdVO4 雷射、Y2 O3 雷射、紅寶石雷射、變石雷射、Ti：藍寶石雷射、氦鎘雷射或類似者。
只要具大於或等於10 MHz，較佳大於或等於80 MHz，的脈衝振盪雷射，可使用下示者作為假CW雷射：Ar雷射、Kr雷射、準分子雷射、CO2 雷射、YAG雷射、Y2 O3 雷射、YVO4 雷射、YLF雷射、YAlO3 雷射、GdVO4 雷射、玻璃雷射、紅寶石雷射、變石雷射、Ti：藍寶石雷射、銅氣相雷射或金氣相雷射。
當重複率增高時，此種脈衝振盪雷射將顯示與連續波雷射相同的效果。
舉例而言，於使用可連續振盪的固態雷射之情況中，藉第二至第四諧波之雷射光照射，可獲得具大粒徑的晶體。典型地，使用YAG雷射(基本波為1064 nm)的第二諧波(532 nm)或第三諧波(355 nm)為所欲者。舉例而言，由連續波YAG雷射發出的雷射光藉非線性光學元件被轉換成高諧波，且發射至半導體膜505。能量密度可為約0.01至100 MW/cm2 (較佳0.1至10 MW/cm2 )。
值得注意的是，雷射光可於含有諸如稀有氣體或氮的惰性氣體中被發射。此可防止因雷射光照射造成之半導體的粗糙表面且防止因介面態密度變異而產生之臨界電壓變異。
以上述雷射束500照射半導體膜505，得以形成具進一步增強的結晶之晶體半導體膜506(見第4C圖)。
接下來，如第4D圖顯示，使用晶體半導體膜506形成島狀半導體膜507、508、509和510。島狀半導體膜507至510之各者成為接續步驟中欲形成的TFT之活性層。
接下來，為控制臨界值，導入雜質至島狀半導體膜507至510中。於此實施例中，藉摻雜二硼烷(B2 H6 )將硼(B)導入至半導體膜507至510之各者中。
接著形成絕緣膜511以覆蓋島狀半導體膜507至510。舉例而言，可使用氧化矽、氮化矽、含氮之氧化矽或類似者於半導體膜511。可使用電漿CVD法、濺鍍法或類似者作為形成方法。
接下來，於形成一導電膜於絕緣膜511上之後，形成第一導電膜512和第二導電膜513。使用此第一導電膜512和第二導電膜513而形成閘極電極515、516、517、518和519。
閘極電極515至519之各者係形成為具有單層或包括二或更多導電膜堆疊層的結構。於二或多層導電膜經堆疊的情況中，選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)和鋁(Al)的元素，含有上述元素作為其主要組份的合金材料或化合物材料可經堆疊，以形成閘極電極515至519。可供選擇地，可使用以摻雜諸如磷(P)之雜質元素的多晶矽膜為特徵之半導體膜而形成閘極電極。
於此實施例中，首先形成厚度為10至50 nm，例如30 nm，的氮化鉭(TaN)膜作為第一導電膜512。接著形成厚度為200至400 nm，例如370 nm，的鎢(W)膜作為第一導電膜512上之第二導電膜513，以形成由第一導電膜512和第二導電膜513所形成的堆疊膜(見第5A圖)。
接下來，對第二導電膜和第一導電膜連續地執行異向性蝕刻，且接著對第二導電膜執行等向性蝕刻，以形成上部閘極電極515b、516b、517b、518b和519b，以及下部電極515a、516a、517a、518a和519a。因此形成閘極電極515至519(見第5B圖)。
閘極電極515至519係可使用作為部分的閘極佈線。可供選擇地，另一閘極佈線可經形成以將閘極電極515至519連接至閘極佈線。
此外，當形成閘極電極515至519時，部分絕緣膜511經蝕刻，以形成閘極絕緣膜514。
接著使用閘極電極515至519或抗蝕層作為遮罩，將賦予一種導性(n型或p型導性)之雜質添加至島狀半導體膜507至510各者，以形成源極區、汲極區、另外的低濃度雜質區及類似者。
首先使用具60至120 KeV之加速電壓和劑量為1 x 1013 至1 x 1015 cm－2 的膦(PH3 )，將磷(P)導入島狀半導體膜中。當導入雜質時，形成n通道TFT 542的通道形成區525和n通道TFT 543的通道形成區528和531。
此外，為製造p通道TFT 541和544，使用施加60至100 KeV之電壓，例如80 KeV，且劑量為1 x 1013 至5 x 1015 cm－2 ，例如3 x 1015 cm－2 ，的二硼烷(B2 H6 )，將硼(B)導入島狀半導體膜中。因此形成p通道TFT 541的源極區或汲極區521和p通道TFT 544的源極區或汲極區533。同時，當導入雜質時，形成p通道TFT 541的通道形成區522和p通道TFT 544的通道形成區534。
另外，使用施加40至80 KeV之電壓，例如50 KeV，且劑量為1 x 1015 至2.5 x 1016 cm－2 ，例如3 x 1015 cm－2 ，的膦(PH3 )，將磷(P)導入n通道TFT 542的島狀半導體膜508和n通道TFT 543的島狀半導體膜509中。因此形成n通道TFT 542的低濃度雜質區524及源極區或汲極區523和n通道TFT 543的低濃度雜質區527與530及源極區或汲極區526、529與532(見第5C圖)。
於此實施例中，n通道TFT 542的源極區或汲極區523和n通道TFT 543的源極區或汲極區526、529與532之各者中含有濃度為1 x 1019 至5 x 1021 cm－3 的磷(P)。
此外，n通道TFT 542的低濃度雜質區524和n通道TFT 543的低濃度雜質區527與530之各者中含有濃度為1 x 1018 至5 x 1019 cm－3 的磷(P)。
此外，n通道TFT 541的源極區或汲極區521和n通道TFT 544的源極區或汲極區533之各者中含有濃度為1 x 1019 至5 x 1021 cm－3 的硼(B)。
接下來，形成第一層間絕緣膜551以覆蓋島狀半導體膜507至510、閘極絕緣膜514和閘極電極515至519。
第一層間絕緣膜551係以含有矽的絕緣層，例如氧化矽膜、氮化矽膜，或含有氮的氧化矽膜，或其經堆疊的膜，藉由電漿CVD法或濺鍍法而形成。毫無疑問地，第一層間絕緣膜551並不受限於含有氮的氧化矽膜、氮化矽膜或其經堆疊的膜，且第一層間絕緣膜551可由單層或含有矽之另外的經堆疊層形成。
於此實施例中，於導入雜質後，藉電漿CVD法形成厚度為50 nm之含有氮的氧化矽膜，且雜質藉雷射照射法而經活化，或可供選擇地，形成含有氮的氧化矽膜且於氮氣環境中藉於550℃下加熱持續4小時而活化雜質。
接下來，藉電漿CVD法形成厚度為50 nm之氮化矽膜，且進一步形成厚度為600 nm之含有氮的氧化矽膜。由含有氮的氧化矽膜形成的經堆疊膜、氮化矽膜，以及含有氮的氧化矽膜係第一層間絕緣膜551。
接下來，將第一層間絕緣膜551整體於410℃下加熱持續一小時，使氫自氮化矽膜被釋出而執行氫化作用。
接著形成作為平面化膜之第二層間絕緣膜552，以覆蓋第一層間絕緣膜551(見第6A圖)。
第二層間絕緣膜552可由感光或非感光有機材料(聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、抗蝕層或苯環丁烯)、矽氧烷和其經堆疊層而形成。可使用正感光型有機樹脂或負感光型有機樹脂作為有機材料。
矽氧烷具有由矽(Si)和氧(O)之鍵結所形成的骨架結構，其並具有至少含有氫(例如烷基或芳基)作為取代基的有機基團。可供選擇地，可使用氟基團作為取代基。進一步可供選擇地，可使用至少含有氫與氟基團的有機基團作為取代基。
於此實施例中，以旋塗法形成作為第二層間絕緣膜552的矽氧烷。
值得注意的是，可形成第三層間絕緣膜於第二層間絕緣膜552上。與其他絕緣膜相較，使用不易傳輸水分、氧氣或類似者之膜作為第三層間絕緣膜。典型地，可使用以濺鍍法或CVD法而獲得的氮化矽膜、氧化矽膜、含有氧的氮化矽膜(組成比：N>O)、含有氮的氧化矽膜(組成比：N<O)、含有碳作為主要組份的薄膜(舉例而言，類鑽石碳膜(DLC膜)、氮化碳膜(CN膜))或類似者。
接下來，形成透明導電膜553於第二層間絕緣膜552上(見第6B圖)。使用含有矽(Si)之銦錫氧化物合金(亦稱為含有Si的銦錫氧化物)作為用於本發明中的透明導電膜。
除了含有Si的銦錫氧化物合金，可使用諸如使用氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2 )、氧化銦形成之導電膜的透明導電膜，或是於其中2至20重量%之氧化鋅與氧化銦混合的靶材。於此實施例中，藉濺鍍法形成厚度為110 nm之含有Si的銦錫氧化物合金作為透明導電膜553。
接下來，使用透明導電膜553而形成像素電極554(見第6C圖)。透明導電膜553可藉用於形成像素電極554之濕蝕刻法而被蝕刻。
蝕刻第一層間絕緣膜551和第二層間絕緣膜552，使得到達島狀半導體膜507至510的接觸窗被形成於第一層間絕緣膜551和第二層間絕緣膜552中(見第7A圖)。
形成第三導電膜555和第四導電膜556於第二層間絕緣膜552上，以覆蓋接觸窗(見第7B圖)。
於此實施例中，可使用以鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)，或鉻(Cr)或使用此等元素之合金膜形成的膜作為第三導電膜555。於此實施例中，藉濺鍍法形成厚度為100 nm的鉬(Mo)膜。
以藉由濺鍍法形成含有鋁作為其主要組份之膜作為第四導電膜556。可使用鋁膜、含有至少鎳、鈷和鐵中至少一種元素的鋁合金膜，或含有碳與至少鎳、鈷和鐵中至少一種元素的鋁合金膜，作為含有鋁作為其主要組份的膜。於此實施例中，藉濺鍍法形成厚度為700 nm的鋁膜。
接下來，蝕刻第四導電膜556，以形成電極561b、562b、563b、564b、565b、566b和567b(見第8A圖)。
第四導電膜556藉使用BCl3 和Cl2 之混合氣體的乾蝕刻而經蝕刻。於此實施例中，乾蝕刻藉分別以60 sccm和20 sccm之流速流動BCl3 和Cl2 而執行。
於此情況中，第三導電膜555成為蝕刻停止器，並因而像素電極554不會與BCl3 和Cl2 之混合氣體接觸。因此可預防粒子的產生。
接下來，蝕刻第三導電膜555以形成電極561a、562a、563a、564a、565a、566a和567a。於此實施例中，對第三導電膜執行之乾蝕刻藉分別以30至60 sccm和40至70 sccm之流速流動CF4 和O2 而執行。
於此情況中，因像素電極554不與CF4 和O2 反應，而不會形成小的粒子。像素電極554成為用於藉蝕刻第三導電膜555而形成電極567a的蝕刻停止器。
透過上述步驟，形成電極561、562、563、564、565、566和567。電極561至567各者可由相同材料且透過同於佈線步驟之相同步驟而形成，或可供選擇地，電極和佈線可分別地經形成並被彼此連接。
透過上述順序的步驟，形成n通道TFT 542和543以及p通道TFT 541和544。n通道TFT 542和p通道TFT 541以電極562而彼此連接，以形成CMOS電路571(見第8B圖)。
因而形成雙發射式顯示裝置的TFT基材。於第8圖中，驅動器電路部份595和像素部分596係設置於基材501上，且包括n通道TFT 542和p通道TFT 541的CMOS電路571係形成於驅動器電路部份595中。
於像素部分596中，形成作為像素TFT的p通道TFT 544及驅動像素TFT的n通道TFT 543。於此實施例中，像素電極554作為發光元件的陽極。
接下來，藉本發明，於形成電極561至567之後，形成覆蓋像素電極554邊緣的絕緣體581(稱為分隔壁、障壁或類似者)。
絕緣體581係根據上述實施模式之描述而形成。亦即，絕緣體581能以形成含有聚矽烷的絕緣層、對絕緣層壓模成型並執行熱處理之方式形成。
於形成絕緣層581之後，形成有機化合物層582。接著形成第二電極583，其係厚度為10至800 nm之發光元件的陰極(見第9B圖)。除了銦錫氧化物(ITO)合金外，舉例而言，可使用於其中含有Si元素之氧化銦靶材進一步與2至20重量%氧化鋅(ZnO)混合而形成的膜作為第二電極583。
有機化合物層582包括電洞注入層601、電洞傳輸層602、發光層603、電子傳輸層604，和電子注入層605，每一者藉蒸鍍法或塗覆法而形成。另外，較佳於形成有機化合物層582之前執行用於除氣之真空加熱，以提升發光元件的可靠性。舉例而言，於蒸鍍有機化合物材料之前，預期於低壓氣體環境或惰性氣體環境中執行200至300℃之加熱處理，以移除基材中所含有的氣體。
接下來，於像素電極554上使用蒸鍍遮罩選擇性地共蒸鍍氧化鉬(MoOx)、44’－雙〔N－(1－萘基)－N－苯基－胺基〕－聯苯(α－NPD)以及紅螢烯，以形成電洞注入層601。
另外，除MoOx之外，可使用諸如銅苯二甲藍(CuPc)、氧化釩(VOx)、氧化釕(RuOx)或氧化鎢(WOx)之具高電洞注入特性的材料。可供選擇地，由具高電洞注入特性之高分子材料，諸如聚乙烯二氧噻吩溶液(PEDOT)或聚苯乙烯磺酸溶液(PSS)，藉塗覆法所形成的膜係可使用作為電洞注入層601。
接著使用蒸鍍遮罩選擇性地蒸鍍α－NPD，以形成電洞傳輸層602於電洞注入層601上。值得注意的是，除了α－NPD，可使用以芳族胺化合物為特徵的具高電洞傳輸特性的材料，諸如4,4’－雙〔N －(3－甲基苯基)－N －苯基－胺基〕－聯苯(縮寫：TPD)；4,4’,4”－三(N ,N －聯苯－胺基)－三苯胺(縮寫：TDATA)；4,4’,4”－三〔N －(3－甲基苯基)－N －苯基－胺基〕－三苯胺(縮寫：MTDATA)。
接著選擇性地形成發光層603。為獲得全彩顯示裝置，針對每一發光顏色(R、G和B各者)執行蒸鍍遮罩對準，並接著針對各發光顏色選擇性地執行蒸鍍。
接下來，使用蒸鍍遮罩選擇性地蒸鍍Alq3 (三－(8－羥基喹啉)鋁)，以形成電子傳輸層604於發光層603上。值得注意的是，除了Alq3 ，可使用以具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架之金屬錯合物為特徵的具高電子傳輸特性的材料，諸如三(5－甲基－8－羥基喹啉)鋁(縮寫：Almq3 )、雙(10－羥苯甲)〔h 〕－羥基喹啉)鈹(縮寫：BeBq3 )，或雙(2－甲基－8－羥基喹啉)－4－苯基苯酚合－鋁(縮寫：BAlq)或類似者。
除此等外，可使用具有噁唑基或噻唑基之配位基的金屬錯合物，諸如雙〔2－(2羥苯基)苯並噁唑合〕鋅(縮寫：Zn(BOX)2 )，或雙〔2－(2羥苯基)苯並噻唑合〕鋅(縮寫：Zn(BTZ)2 )或類似者。
除了金屬錯合物之外，因其高電子傳輸特性可使用下示者作為電子傳輸層604：2－(4－聯苯基)－5－(4－第三丁基苯基)－1,3,4－噁二唑(縮寫：PBD)、1,3－雙〔5－(對第三丁基苯基)－1,3,4－噁二唑－2－基〕苯(縮寫：OXD－7)、3－(4－聯苯基)－4－苯基－5－(4－第三丁基苯基)－1,2,4－三唑(縮寫：TAZ)、3－(4－聯苯基)－5－(4－第三丁基苯基)－4－(4－乙苯基)－1,2,4－三唑(縮寫：p－EtTAZ)、紅菲繞啉(bathophenanthroline)(縮寫：BPhen)、浴銅靈(bathocuproine)(縮寫：BCP)或類似者。
接著將4,4－雙(5－甲基苯並噁唑－2－基)二苯乙烯(縮寫：BzOs)和鋰(Li)共蒸鍍，以形成覆蓋電子傳輸層604和絕緣體581整體的電子注入層605。因使用苯並噁唑衍生物(BzOs)，於接續步驟中肇因於使用濺鍍法形成第二電極583的損傷受到抑制。
另外，除了BzOs：Li，可使用具高電子注入特性的材料，諸如鹼金屬或鹼土金屬化合物，例如CaF2 、氟化鋰(LiF)或氟化銫(CsF)。此外，可使用於其中Alq3 和錳(Mg)經混合的材料。
接下來，於電子注入層605上形成第二電極583，其係厚度為10至800 nm之有機發光元件所形成的陰極。除銦錫氧化物(ITO)合金，舉例而言，可使用於含有Si或氧化銦之銦錫氧化物合金中含有2至20重量%氧化鋅(ZnO)的靶材所形成的膜作為第二電極583。
值得注意的是，因於本實施例中所說明的為製造雙發射式顯示裝置的實例，使得所形成的第二電極583為具發光特性的電極；然而，於製造單側發射式顯示裝置的情況中，使用反射性導電材料可形成第二電極583。較佳係使用金屬、合金、具有小功函數(功函數小於或等於3.8eV)的電子導電性化合物，以及彼等的混合物作為此種導電材料。
除了週期表第1族和第2族的元素之外，可使用包括稀土金屬的過渡金屬作為用於第二電極583材料的特別示範例，其係諸如Li或Cs的鹼金屬、諸如Mg、Ca或Sr的鹼土金屬，以及含有金屬(Mg：Ag，Al：Li)的合金或含有金屬(LiF、CsF或CaF2 )的化合物。可供選擇地，第二電極583可由諸如Al或Ag的金屬(包括合金)之經堆疊的層所形成。
如前述，形成發光元件584。用於陽極554、有機化合物層582，以及包括於發光元件584中之陰極583各者的材料係經適當地選擇，且每一者的厚度亦經調整。所欲者之陽極與陰極以相同材料而形成，並具有大約相同的厚度，較佳約100 nm。
此外，若必要，則形成防止水分進入之透明保護層585以覆蓋發光元件584，如第9B圖所示。可使用藉濺鍍法或CVD法而獲得的氮化矽膜、氧化矽膜、含有氧的氮化矽膜(組成比：N>O)、含有氮的氧化矽膜(組成比：N<O)、含有碳作為主要組份的薄膜(例如，類鑽石碳膜(DLC膜)、氮化碳膜(CN膜))或類似者，作為透明保護層585。值得注意的是第10圖顯示的為第9B圖的部分放大視圖。
第12圖顯示於其中像素部分中的像素TFT係分別針對各R、G和B而形成的實例。於用於紅色(R)的像素中，像素TFT 544R係連接至像素電極554R，並形成電洞注入層601R、電洞傳輸層602R、發光層603R、電子傳輸層604R、電子注入層605R、陰極583和透明保護層585。
於用於綠色(G)的像素中，像素TFT 544G係連接至像素電極554G，並形成電洞注入層601G、電洞傳輸層602G、發光層603G、電子傳輸層604G、電子注入層605G、陰極583和透明保護層585。
於用於藍色(B)的像素中，像素TFT 544B係連接至像素電極554B，並形成電洞注入層601B、電洞傳輸層602B、發光層603B、電子傳輸層604B、電子注入層605B、陰極583和透明保護層585。
作為發紅光的發光層603R，使用諸如Alq3 ：DCM1或Alq3 ：紅螢烯：雙DCJTM的材料。作為發綠光的發光層603G，使用諸如Alq3 ：DMQD(N,N’ －二甲基煃吖啶酮)或Alq3 ：香豆素6的材料。作為發藍光的發光層603B，使用諸如α－NPD或tBu－DNA的材料。
接續地，設置含有用於固定基材間間隔的間隙材料之密封劑593於包括有CMOS電路571之驅動器電路部份595上，以使第二基材591和基材501彼此相互附接。第二基材591可為透光玻璃基材或石英基材。
值得注意的是，於基材501和591之間的間隔中設置像素部分596的區592中，可置放乾燥劑作為空氣間隙(惰性氣體)，或此區可以透明密封劑(諸如紫外光固化性或熱固性環氧樹脂)填充。
因發光元件包括像素電極554和第二電極583，其各者皆由透光材料所形成，所以一個發光元件可於兩個方向上發光，亦即從頂側和底側兩者。
以前述的板結構，自頂面的發光可實質上等於自底面的發光。
另外，可分別地設置光學膜(偏光膜或環狀偏光膜)597和598於基材501和591上以改進對比(見第11圖)。
值得注意的是，雖於此實施例中採用頂閘極TFT，然而本發明不受此結構限制，而可適當地使用底(反向地交錯)TFT或交錯TFT。此外，本發明不以單閘極結構的TFT為限，而可採用包括複數個通道形成區的多閘極TFT，例如雙閘極TFT。
若必要，此實施模式可自由地與其他實施模式和實施例結合。
〔實施例2〕
於此實施例中，參照第13A至13C圖和第14A至14C圖將說明應用本發明至無機EL元件的實例。
利用電致發光的發光元件取決於發光材料為有機化合物或無機化合物而經分類。一般來說，前者係指有機EL元件且後者係指無機EL元件。於實施例1中說明本發明中使用有機EL元件的實例。
取決於其元件結構，無機EL元件可分類為分散式無機EL元件和薄膜式無機EL元件。前者和後者之差異在於前者具有發光材料的粒子分散於黏合劑中的電致發光層，而後者具有以發光材料的薄膜形成之電致發光層。然而，其共通點為兩者皆需要藉高電場而經加速的電子。
值得注意的是，利用施子能階和受子能階之施子－受子再結合型發光以及利用金屬離子的內殼電子轉移之定域型發光可作為發光機制。一般來說，分散式無機EL元件呈現施子－受子再結合型發光，而薄膜式無機EL元件呈現定域型發光。
可使用於本發明之發光材料包括基材及作為發光中心之雜質元素。藉改變含有的雜質元素，可得到各種顏色的光發射。諸如固相生長法或液相生長法(共沉澱法)之各樣方法可使用於形成發光材料。此外，可使用蒸發式分解法、雙分解法、前驅物之熱分解反應法、逆微胞法、於其中結合高溫烘烤的方法、諸如冷凍乾燥法之液相生長法或類似者。
於固相生長法中，基材和雜質元素或含有雜質元素的化合物係經稱重，其於灰泥中經混合，欲反應之混合物於電爐中經加熱及烘烤使得基材含有雜質元素。烘烤溫度較佳係700至1500℃。此因當溫度過低時固相反應無法進行，而當溫度過高時基材被分解。值得注意的是，雖烘烤能以粉末態之材料執行，較佳係以團塊態執行烘烤。雖然固相生長法需於相對高的溫度下進行烘烤，但固相生長法簡易；因此可獲得高產量，且固相生長法適用於大量生產。
於液相生長法(共沉澱法)中，基材或含有基材的化合物以及雜質元素或含有雜質元素的化合物係於溶液中反應、經乾燥，並接著經烘烤。發光材料的粒子係均勻分布，且即便顆粒尺寸很小且烘烤溫度很低反應仍可進行。
可使用硫化物、氧化物或氮化物作為用於發光材料的基材。舉例而言，可使用下示者作為硫化物：硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、硫化鈣(CaS)、硫化釔(Y2 S3 )、硫化鎵(Ga2 S3 )、硫化鍶(SrS)、硫化鋇(BaS)或類似者。舉例而言，可使用氧化鋅(ZnO)、氧化釔(Y2 O3 )或類似者作為氧化物。舉例而言，可使用氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)或類似者作為氮化物。
另外，亦可使用硒化鋅(ZnSe)、鍗化鋅(ZnTe)或類似者。可供選擇地，也可使用諸如鈣硫化鎵(CaGa2 S4 )、鍶硫化鎵(SrGa2 S4 )或鋇硫化鎵(BaGa2 S4 )之三元混合晶體。
可使用錳(Mn)、銅(Cu)、釤(Sm)、鋱(Tb)、鉺(Er)、銩(Tm)、銪(Eu)、鈰(Ce)、鐠(Pr)或類似者，作為用於定域型發光的發光中心。值得注意的是，可添加諸如氟(F)、氯(Cl)之用於電荷補償的鹵素。
另一方面，可使用含有形成施子能階的第一雜質元素和形成受子能階的第二雜質元素之發光材料，作為施子－受子再結合型發光的發光中心。舉例而言，可使用氟(F)、氯(Cl)、鋁(Al)或類似者作為第一雜質元素。可使用，舉例而言，銅(Cu)、銀(Ag)或類似者作為第二雜質元素。
當於藉固相生長法合成用於施子－受子再結合型發光之發光材料的情形中，基材、第一雜質元素或含有第一雜質元素的化合物，以及第二雜質元素或含有第二雜質元素的化合物各者係經稱重且於灰泥中經混合，並於電爐中經加熱及烘烤。
前述之基材係可使用於基材。舉例而言，可使用氟(F)、氯(Cl)、硫化鋁(Al2 S3 )或類似者作為第一雜質元素或是含有第一雜質元素之化合物。舉例而言，可使用銅(Cu)、銀(Ag)、硫化銅(Cu2 S)、硫化銀(Ag2 S)或類似者作為第二雜質元素或是含有第二雜質元素之化合物。
烘烤溫度較佳係700至1500℃。此因當溫度過低時固相反應無法進行，而當溫度過高時基材被分解。值得注意的是，雖烘烤能以粉末態之材料執行，較佳係以團塊態執行烘烤。
作為採用固相反應的情況中之雜質元素，可使用含有第一雜質元素和第二雜質元素之化合物。於此情況中，因雜質元素易於擴散且固相反應易於進行；而可獲得均質的發光材料。此外，因沒有非必要的雜質元素進入，而可獲得高純度的發光材料。作為含有第一雜質元素和第二雜質元素之化合物，舉例而言，可使用氯化銅(CuCl)、氯化銀(AgCl)或類似者。
值得注意的是，於基材中所含有之此等雜質元素的濃度可為0.01至10原子%，較佳為0.05至5原子%。
於薄膜式無機EL元件的情況中，含有前述發光材料的發光層可藉諸如熱電阻蒸鍍法或電子束蒸鍍(EB evaporation)法之真空蒸鍍法；諸如濺鍍法之物理氣相沉積法(PVD)；諸如金屬有機CVD法或低壓氫化物傳送CVD法之化學氣相沉積(CVD)法；原子層磊晶成長法(ALE)或類似者而形成。
於第13A至13C圖中顯示可使用作為發光元件之薄膜式無機EL元件的實例。於第13A至13C圖中，發光元件包括第一電極層250、電致發光層252和第二電極層253。
為製造使用於第13A至13C圖中顯示之發光元件的發光裝置，於實施例1說明之第11圖中所顯示的發光裝置中，第13A至13C圖中的發光元件可經第11圖中的發光元件584所取代。
第13A和13B圖中顯示的各發光元件具有於其中絕緣層經設置於電極層和第13A圖中顯示的發光元件中的電致發光層之間的結構。第13B圖中顯示的發光元件具有位於第一電極層250和電致發光層252之間的絕緣層254。第13C圖中顯示的發光元件具有位於第一電極層250和電致發光層252之間的絕緣層254a，且具有位於第二電極層253和電致發光層252之間的絕緣層254b。如前述，絕緣層可設置於電致發光層和夾層電致發光層的一對電極層之一者之間。可供選擇地，絕緣層可設置於電致發光層和夾層電致發光層的一對電極層之一者之間，以及另一絕緣層可設置於電致發光層和此對電極層之另一者之間。絕緣層亦可單層或包括複數個層的經堆疊的層。
此外，雖於第13B圖中雖設置絕緣層254以與第一電極層250接觸，絕緣層與電致發光層的順序可經反向，使得絕緣層254係設置成與第二絕緣層253接觸。
於分散式無機EL元件的情況中，粒子化的發光材料係分散於黏合劑中，以形成膜狀電致發光層。當所欲尺寸之粒子無法以用於形成發光材料的方法而充分地獲得時，發光材料藉於灰泥中粉碎或類似者可經處理成為粒子。黏合劑為用於固定粒子化的發光材料處於分散狀態且固持發光材料為電致發光層型式的物質。發光材料藉黏合劑而經均勻地分散於電致發光層中且係經固定。
於分散式無機EL元件的情況中，可使用能夠選擇性地形成電致發光層的微滴排放法；印刷法(網板印刷或平板印刷)；或諸如旋塗法的塗佈法；浸漬法；分配法；或類似者，作為電致發光層的形成方法。雖然對於電致發光層的厚度並無特殊限制，但其厚度較佳為10至1000 nm的範圍中。於含有發光材料的電致發光層中之發光材料與黏合劑的比例可大於或等於50重量%且小於或等於80重量%。
於第14A至14C圖中顯示可使用分散式無機EL元件作為發光元件的實例。第14A圖中顯示的發光元件具有結構，於其中第一電極層260、電致發光層262和第二電極層263係經堆疊，且於電致發光層262中含有藉黏合劑固持的發光材料261。
為製造使用第14A至14C圖中顯示的發光元件之發光裝置，於實施例1說明之第11圖中所顯示的發光裝置中，第14A至14C圖中的發光元件可經第11圖中的發光元件584所取代。
可使用絕緣材料作為可使用於本實施例中的黏合劑，且可使用有機材料或無機材料或可使用有機材料與無機材料的混合材料。作為有機絕緣材料，可使用具有相對高之介電常數的聚合物，如氰乙基纖維素基的樹脂；或諸如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯基的樹脂、矽氧樹脂、環氧樹脂或氟化亞乙烯。可供選擇地，可使用諸如芳族聚醯胺或聚苯並咪唑，或矽氧烷樹脂之聚合物。
矽氧烷具有由矽(Si)和氧(O)之鍵結所形成的骨架結構，其並具有至少含有氫(例如烷基或芳基)作為取代基的有機基團。可供選擇地，可使用氟基團作為取代基。進一步可供選擇地，可使用至少含有氫與氟基團的有機基團作為取代基。
同於前述材料，亦可使用諸如乙烯基樹脂之例如聚乙烯醇或聚乙烯丁醛、苯酚樹脂、酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂、三聚氰胺樹脂、胺甲酸酯樹脂、噁唑樹脂(聚苯並噁唑)之樹脂材料作為有機材料。介電常數亦可藉適當混合此等樹脂與具有高介電常數之諸如鈦酸鋇(BaTiO3 )和鈦酸鍶(SrTiO3 )的微粒子而經控制。
可使用下示者作為黏合劑中所含有的無機材料：選自氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、含有氧和氮的矽、氮化鋁(AlN)、含有氧和氮或氧化鋁(Al2 O3 )的鋁、氧化鈦(TiO2 )、BaTiO3 、SrTiO3 、鈦酸鉛(PbTiO3 )、鈮酸鉀(KNbO3 )、鈮酸鉛(PbNbO3 )、氧化鉭(Ta2 O5 )、鉭酸鋇(BaTa2 O6 )、鉭酸鋰(LiTaO3 )、氧化釔(Y2 O3 )、氧化鋯(ZrO2 )、ZnS的材料，以及含有無機材料的其他物質。當混合具有高介電常數的無機材料與有機材料(藉由添加或類似者)時，包括發光材料和黏合劑之電致發光層的介電常數可進一步經控制並被增加。
於製造過程中，發光材料係分散於含有黏合劑的溶液中。作為可用於此實施例中之含有黏合劑之溶液的溶劑，溶劑較佳為溶解黏合劑材料者，且其可製作具適用於形成預期厚度之電致發光層方法(各樣濕式製程)的黏度的溶液。當使用有機溶劑或類似者時，例如當使用矽氧烷樹脂作為黏合劑時，可使用單甲基醚丙二醇、單甲基醚丙二醇乙酸酯(亦稱為PGMEA)、3－甲氧基－3－甲基－1－丁醇(亦稱為MMB)或類似者。
第14B和14C圖中顯示的各發光元件具有於其中絕緣層經設置於電極層和第14A圖中顯示的發光元件中的電致發光層之間的結構。第14B圖中顯示的發光元件具有位於第一電極層260和電致發光層262之間的絕緣層264。第14C圖中顯示的發光元件具有位於第一電極層260和電致發光層262之間的絕緣層264a，且具有位於第二電極層263和電致發光層262之間的絕緣層264b。如前述，絕緣層可設置於電致發光層和夾層電致發光層的一對電極層之一者之間。可供選擇地，絕緣層可設置於電致發光層和夾層電致發光層的一對電極層之一者之間，以及另一絕緣層可設置於電致發光層和此對電極層之另一者之間。絕緣層亦可為單層或包括複數個層的經堆疊的層。
此外，於第14B圖中雖設置絕緣層264以與第一電極層260接觸，絕緣層與電致發光層的順序可經反向，使得絕緣層264係設置成與第二絕緣層263接觸。
諸如第13A至13C圖中的絕緣層254和第14A至14C圖中的絕緣層264的絕緣層並無特殊的限制；然而，絕緣層較佳具高耐受電壓、為緻密膜且進一步具有高介電常數。
舉例而言，可使用氧化矽(SiO2 )、氧化釔(Y2 O3 )、氧化鈦(TiO2 )、氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鉿(HfO2 )、氧化鉭(Ta2 O5 )、鈦酸鋇(BaTiO3 )、鈦酸鍶(SrTiO3 )、鈦酸鉛(PbTiO3 )、氮化矽(Si3 N4 )、氧化鋯(ZrO2 )或類似者；其經混合的膜；或含有二或更多種元素的經堆疊的膜而形成絕緣層。
此等絕緣膜可藉濺鍍法、蒸鍍法、CVD或類似者而形成。可供選擇地，絕緣層能以將此等絕緣材料的粒子分散於黏合劑中的方式而形成。黏合劑材料能以類似於電致發光層中所含有的黏合劑材料的材料並藉其相似方法而形成。雖然絕緣層的厚度並無特殊限制，但其厚度較佳位於10至1000 nm的範圍中。
雖然本實施例中描述的發光元件藉由施加電壓於夾層電致發光層的一對電極之間而發光，發光元件亦可以DC驅動或AC驅動而操作。
若必要，此實施例可自由地與其他實施模式和實施例結合。
〔實施例3〕
下示者可提供作為應用本發明之電子設備：諸如視頻攝影機或數位攝影機之相機；護目鏡式顯示器；導航系統；音頻再生裝置(諸如汽車音頻組件)；電腦；遊戲機；可攜式資訊終端(諸如行動電腦、蜂巢式電話、可攜式遊戲機或是電子書閱讀器)；設置有儲存媒體的影像再生裝置(尤其是，用於再生例如多樣化數位光碟(DVD)的儲存媒體且具有用於顯示經再生影像的顯示器之裝置)，以及類似者。
電子設備的特別示範例係顯示於第15圖、第16圖、第17A和17B圖、第18圖、第19圖、第20圖，和第21A至21E圖。
於第15圖顯示的EL模組中，顯示板301與電路基材311經結合。於電路基材311中，形成控制電路312、信號劃分電路313及類似者。透過連接佈線314，電路基材311係電氣連接至顯示板301。
此顯示板301包括設置有複數個像素的像素部分302、掃描線驅動器電路303，以及供應視頻信號至經選擇的像素之信號線驅動器電路304。EL模組的顯示板301可藉實施例1或2中所描述之用於製造顯示裝置的方法而製造。
藉由第15圖中所示的EL模組可完成電視接收器。第16圖係顯示接收器主要結構的方塊圖。調諧器321接收視頻信號和音頻信號。視頻信號經由視頻信號放大器電路322、將自視頻信號放大器電路322輸出的信號轉換成對應紅、綠和藍各色之顏色信號的視頻信號處理電路323，以及用於將視頻信號轉換呈驅動器IC之輸入規格的控制電路312而被處理。控制電路312輸出信號至掃描線側及信號線側。於數位驅動的情況中，信號劃分電路313係設置於信號線側之上，且輸入的數位信號可經劃分成為欲供應的m等份。
於調諧器321所接收的信號中，音頻信號係傳送至音頻信號放大器電路325，且其輸出係透過音信號處理電路326而供應至揚聲器327。控制電路328接收接收站(頻率接收)的控制資訊或來自輸入部分329的音量，並傳送信號至調諧器321或音頻信號處理電路326。
如第17A圖中所示，EL模組係納入於底331座中，藉此可完成電視接收器。顯示幕332藉EL模組而被形成。此外，適當地設置揚聲器333、操作開關334和類似者。
第17B圖顯示可攜式電視接收器，其顯示器係無線可攜者。電池和信號接收器係納入底座342中，且由電池驅動顯示部分342和揚聲部分347。以充電器340可將電池重複充電。此外，充電器340可傳送並接收視頻信號，並可將視頻信號傳送至顯示器之信號接收器。底座342藉操作鍵346而經控制。
此外，第17B圖中所示之裝置亦可指為雙向視頻/音頻通訊裝置，因藉操作操作鍵346，裝置可自底座342傳送信號至充電器340。另外，藉操作操作鍵346，信號可自底座342被傳送至充電器340，且信號可自充電器340被進一步傳送至另一電子設備，以使另一電子設備的通訊控制亦為可行。因此，裝置亦指為通用遙控裝置。本發明係可應用至顯示部分343。
當使用本發明於第15圖、第16圖及第17A和17B圖所示之電視接收器時，可獲得具有高度持久性顯示裝置的電視接收器，於其中光度降低率緩慢。
毫無疑問地，本發明並不受限於電視接收器，而可被應用至各樣應用，特別是大面積顯示媒體，例如於火車站或機場的資訊顯示板、街上的廣告用顯示板以及類似者，除用於個人電腦的顯示器外。
第18圖和第19圖各顯示於其中顯示板351和印刷電路板352經結合的模組。顯示板351包括設置有複數個像素的像素部分353、第一掃描線驅動器電路354、第二掃描線驅動器電路355，以及供應視頻信號至經選擇的像素之信號線驅動器電路356。
印刷電路板352設置有控制器357、中央處理單元(CPU)358、記憶體359、供電電路360、音頻處理電路361、傳送－接收電路362和類似者。印刷電路板352和顯示板351藉由可撓印刷電路(FPC)板363而彼此互相連接。印刷電路板352可設置有電容器、緩衝電路或類似者，以預防供電電壓上的雜訊或信號及信號上升的遲延。此外，控制器357、音頻處理電路361、記憶體359、CPU 358、供電電路360或類似者可藉COG(覆晶玻璃)法而設置於顯示板351上。COG法使印刷電路板的尺寸可被縮減。
各樣控制信號係經由用於印刷電路板352的介面364而輸入及輸出。此外，設置用於印刷電路板352之用於傳送和接收信號往返天線的天線埠365。
第19圖係顯示於第17圖中之模組的方塊圖。模組包括VRAM 366、DRAM 367、快閃記憶體368，或如記憶體359之類似者。欲顯示於板上的影像之資料、影像資料或音頻資料，和各樣程式係分別儲存於VRAM 366、DRAM 367和快閃記憶體中。
供電電路360提供用於操作顯示板351、控制器357、CPU 358、音頻處理電路361、記憶體359和傳輸－接收電路362的電力。此外，取決於板規格，供電電路360係配置有電流源。
CPU 358包括控制信號產生電路370、解碼器371、暫存器372、算術電路373、RAM 374、用於CPU 358的介面379和類似者。一度被固持於暫存器372中的各樣信號透過介面379而輸入至CPU 358，且接著輸入至算術電路373、解碼器371，或類似者。於算術電路373中，操作係基於輸入信號而執行，且定位至各樣指令經傳送而指定處。另一方面，解碼輸入至解碼器371的信號並輸入其至控制信號產生電路370。基於輸入信號，控制信號產生電路370產生包括各樣指令的信號，且傳送信號至由算術電路373指定的位置，特別是，記憶體359、傳送－接收電路362、音頻處理電路361、控制器357或類似者。
記憶體359、傳送/接收電路362、音頻處理電路361和控制器357各係根據經接收的指令而操作。以下將簡短說明此等操作。
自輸入單元375輸入的信號透過介面364被傳送至設置於印刷電路板352上的CPU 358。根據自諸如指向裝置或鍵盤之輸入單元375被傳送的信號，控制信號產生電路370轉換儲存於VRAM 366中的影像資料成為預定形式並傳送其至控制器357。
根據板規格，控制器357對自CPU 358被傳送的包括影像資料之信號執行資料處理，並供應其至顯示板351。此外，基於自供電電路360輸入的供電電壓和自CPU 358輸入的各樣信號，控制器357產生Hsync信號、Vsync信號、時脈信號CLK、交錯電壓(AC Cont)以及切換信號L/R，並將其供應至顯示板351。
於傳送－接收電路362中，處理藉由天線378傳送及接收之如無線電波的信號，且特別是包括諸如絕緣體的高頻電路、帯通濾波器、VCO(電壓控制振盪器)、LPF(低通濾波器)、耦合器以及貝楞。於傳送－接收電路362中，根據來自CPU 358的指令而將經傳送和接收之信號中之包括音頻資訊的信號傳送至音頻處理電路361。
去模組化包括音頻資訊、根據CPU 358之指令而經傳送的信號，成為音頻處理電路361中的音頻信號，且將其傳送至揚聲器377。此外，自麥克風376傳送的音頻信號於音頻處理電路361中經模組化，並根據來自CPU 358的指令被傳送至傳送－接收電路362。
控制器357、CPU 358、供電電路360、音頻處理電路361和記憶體359係可安裝作為本實施例之組套。此實施利係可應用於除了高頻電路之外的任合電路，諸如絕緣體、帯通濾波器、VCO(電壓控制振盪器)、LPF(低通濾波器)、耦合器以及貝楞。
第20圖顯示包括第18和19圖中所顯示之模組之蜂巢式電話的一種模式。顯示板351係納入殼體380中使其成為可拆卸的。取決於顯示板351的尺寸可適當改變殼體380的形狀及尺寸。固定顯示板351的殼體380係附接至欲組配作為模組的印刷電路板381。
顯示板351係經由FPC 363而連接至印刷電路板381。形成揚聲器382、麥克風383、傳送/接收電路384，以及包括CPU的信號處理電路385、控制器和類似者於印刷電路板381上。模組與輸入單元386、電池387和天線390結合，並被放置於底座389中。顯示板351的像素部分係配置成自形成於殼體389中之窗戶為可見。
取決於其功能或應用，本實施例之蜂巢式電話可經改變為各樣模式。舉例而言，即便蜂巢式電話設置有複數個顯示板或當殼體係適當劃分成複數個部分且以絞鏈進行開閉時，仍可獲得上述效果。
當使用本發明於第18圖、第19圖和第20圖中顯示的蜂巢式電話中時，可獲得具有高度持久性顯示裝置的蜂巢式電話，於其中光度降低率緩慢。
第21A圖顯示EL顯示器，於其中包括底座401、支持基底402、顯示部分403和類似者。本發明可應用至具使用第15圖中顯示之EL模組之結構與第18圖中顯示之顯示板的顯示部分403。
藉本發明可獲得具有高度持久性顯示裝置的顯示器，於其中光度降低率緩慢。
第21B圖顯示電腦，於其中包括主體411、底座412、顯示部分413、鍵盤414、外部連接埠415、指向裝置416和類似者。本發明可應用至具使用第15圖中顯示之EL模組之結構與第18圖中顯示之顯示板的顯示部分413。
藉本發明可獲得具有高度持久性顯示裝置的電腦，於其中光度降低率緩慢。
第21C圖顯示可攜式電腦，於其中包括主體421、顯示部分422、開關423、操作鍵424、紅外線埠425和類似者。本發明可應用至具使用第15圖中顯示之EL模組之結構與第18圖中顯示之顯示板的顯示部分422。
藉本發明可獲得具有高度持久性顯示裝置的電腦，於其中光度降低率緩慢。
第21D圖顯示可攜式遊戲機，於其中包括底座431、顯示部分432、揚聲器部分433、操作鍵434、記錄媒體插入部分435和類似者。本發明可應用至具使用第15圖中顯示之EL模組之結構與第18圖中顯示之顯示板的顯示部分432。
藉本發明可獲得具有高度持久性顯示裝置的遊戲機，於其中光度降低率緩慢。
第21E圖顯示設置有記錄媒體的可攜式影像再生裝置(特別是DVD再生裝置)，於其中包括有主體441、底座442、第一顯示部分443、第二顯示部分444、儲存媒體記錄部分445、操作鍵446、揚聲器部分447和類似者。值得注意的是記錄媒體包括DVD或類似者。
第一顯示部分443主要顯示影像資訊，而第二顯示部分444主要顯示文字式資訊。本發明可應用至具使用第15圖中顯示之EL模組之結構與第18圖中顯示之顯示板的第一顯示部分443和第二顯示部分444。值得注意的是，設置有記錄媒體的影像再生裝置包括母遊戲機和類似者。
藉本發明可獲得具有高度持久性顯示裝置的影像再生裝置，於其中光度降低率緩慢。
對使用於電子設備的各顯示裝置而言，取決於尺寸、強度或預期目的，同於玻璃基材可使用抗熱塑料基材。因而可達成進一步的重量縮減。
值得注意的是，於此實施例中顯示的實例僅為示範例，且本發明並不受限於此等應用。
此實施例可與其他實施模式和實施例自由結合而實施。
本發明可使用於具有包括複數個像素之顯示裝置的半導體裝置。藉本發明可獲得具有高度持久性顯示裝置的半導體，於其中光度緩慢降低。
本發明係基於2006年6月14日於日本專利局申請的日本專利申請案號2006－164873，其全文藉引用方式納入於此。
101．．．基材
102．．．電極
102a．．．電極
102b．．．電極
102c．．．電極
102d．．．電極
104．．．絕緣層
105．．．模
109．．．絕緣層
111．．．表面
112．．．分隔壁
113．．．發光層
113a．．．發光層
113b．．．發光層
113c．．．發光層
113d．．．發光層
114．．．電極
114a．．．電極
114c．．．電極
114d．．．電極
250．．．電極層
252．．．電致發光層
253．．．電極層
254．．．絕緣層
254a．．．絕緣層
254b．．．絕緣層
260．．．絕緣層
261．．．發光材料
262．．．電致發光層
263．．．電極層
264．．．絕緣層
264a．．．絕緣層
264b．．．絕緣層
301．．．顯示板
302．．．像素部分
303．．．掃描線驅動器電路
304．．．信號線驅動器電路
311．．．電路基材
312．．．控制電路
313．．．信號劃分電路
314．．．連接佈線
321．．．調諧器
322．．．視頻信號放大器電路
323．．．視頻信號處理電路
325．．．音頻信號放大器電路
326．．．音頻信號處理電路
327．．．揚聲器
328．．．控制電路
329．．．輸入部分
331．．．底座
332．．．顯示幕
333．．．揚聲器
334．．．操作開關
340．．．充電器
342．．．底座
343．．．顯示部分
346．．．操作鍵
347．．．揚聲器部分
351．．．顯示板
352．．．印刷電路板
353．．．像素部分
354．．．掃描線驅動器電路
355．．．掃描線驅動器電路
356．．．信號線驅動器電路
357．．．控制器
358．．．中央處理單元
359．．．記憶體
360．．．供電電路
361．．．音頻處理電路
362．．．傳送－接收電路
363．．．可撓印刷電路
364．．．介面
365．．．天線埠
366．．．揮發性隨機存取記憶體
367．．．動態隨機存取記憶體
368．．．快閃記憶體
370．．．控制信號產生電路
371．．．解碼器
372．．．暫存器
373．．．算術電路
374．．．隨機存取記憶體
375．．．輸入單元
376．．．麥克風
377．．．揚聲器
378．．．天線
379．．．介面
380．．．殼體
381．．．印刷板
382．．．揚聲器
383．．．麥克風
384．．．傳送－接收電路
385．．．信號處理電路
386．．．輸入單元
387．．．電池
389．．．底座
390．．．天線
401．．．底座
402．．．支持基底
403．．．顯示部分
411．．．主體
412．．．底座
413．．．顯示部分
414．．．鍵盤
415．．．外部連接埠
416．．．指向裝置
421．．．主體
422．．．顯示部分
423．．．開關
424．．．操作鍵
425．．．紅外線埠
431．．．底座
432．．．顯示部分
433．．．揚聲器部分
434．．．操作鍵
435．．．記錄媒體插入埠
441．．．主體
442．．．底座
443．．．顯示部分
444．．．顯示部分
445．．．記錄媒體讀取部分
446．．．操作鍵
447．．．揚聲器部分
501．．．基材
502．．．基膜
502a．．．下部基膜
502b．．．上部基膜
503．．．半導體膜
504．．．溶液
505．．．半導體膜
506．．．晶體半導體膜
507．．．島狀半導體膜
508．．．島狀半導體膜
509．．．島狀半導體膜
510．．．島狀半導體膜
511．．．絕緣膜
512．．．導電膜
513．．．導電膜
514．．．閘極絕緣膜
515．．．閘極電極
515a．．．下部閘極電極
515b．．．上部閘極電極
516．．．閘極電極
516a．．．下部閘極電極
516b．．．上部閘極電極
517．．．閘極電極
517a．．．下部閘極電極
517b．．．上部閘極電極
518．．．閘極電極
518a．．．下部閘極電極
518b．．．上部閘極電極
519．．．閘極電極
519a．．．下部閘極電極
519b．．．上部閘極電極
521．．．源極區或汲極區
522．．．通道形成區
523．．．源極區或汲極區
524．．．低濃度雜質區
525．．．通道形成區
526．．．源極區或汲極區
527．．．低濃度雜質區
528．．．通道形成區
529．．．源極區或汲極區
530．．．低濃度雜質區
531．．．通道形成區
532．．．源極區或汲極區
533．．．源極區或汲極區
534．．．通道形成區
541．．．薄膜電晶體
542．．．薄膜電晶體
543．．．薄膜電晶體
544．．．薄膜電晶體
544R．．．像素薄膜電晶體
544G．．．像素薄膜電晶體
544B．．．像素薄膜電晶體
551．．．絕緣膜
552．．．絕緣膜
553．．．透明導電膜
554．．．像素電極
554R．．．像素電極
554G．．．像素電極
554B．．．像素電極
555．．．導電膜
556．．．導電膜
561．．．電極
561a．．．電極
561b．．．電極
562．．．電極
562a．．．電極
562b．．．電極
563．．．電極
563a．．．電極
563b．．．電極
564．．．電極
564a．．．電極
564b．．．電極
565．．．電極
565a．．．電極
565b．．．電極
566．．．電極
566a．．．電極
566b．．．電極
567．．．電極
567a．．．電極
567b．．．電極
571．．．CMOS電路
581．．．絕緣體
582．．．有機化合物層
583．．．電極
584．．．發光元件
585．．．透明保護層
591．．．基材
592．．．區
593．．．密封劑
595．．．驅動器電路部分
596．．．像素部分
597．．．光學膜
598．．．光學膜
601．．．電洞注入層
601R．．．電洞注入層
601G．．．電洞注入層
601B．．．電洞注入層
602．．．電洞傳輸層
602R．．．電洞傳輸層
602G．．．電洞傳輸層
602B．．．電洞傳輸層
603．．．發光層
603R．．．發光層
603G．．．發光層
603B．．．發光層
604．．．電子傳輸層
604R．．．電子傳輸層
604G．．．電子傳輸層
604B．．．電子傳輸層
605．．．電子注入層
605R．．．電子注入層
605G．．．電子注入層
605B．．．電子注入層
於伴隨的圖式中：第1A和1B圖各係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第2A和2B圖各係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第3A至3D圖各係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第4A至4D圖各係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第5A至5C圖各係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第6A至6C圖各係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第7A和7B圖各係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第8A和8B圖各係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第9A和9B圖各係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第10圖係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第11圖係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第12圖係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第13A至13C圖各係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第14A至14C圖各係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖；第15圖係闡述本發明之EL模組的視圖；第16圖係闡述本發明之接收器結構的方塊圖；第17A和17B圖各係闡述應用本發明之電子設備實例的視圖；第18圖係闡述本發明之模組的視圖；第19圖係闡述本發明之模組的視圖；第20圖係闡述應用本發明之電子設備實例的視圖；第21A至21E圖各係闡述應用本發明之電子設備實例的視圖；以及第22圖係闡述本發明之半導體裝置的製造方法之視圖。
107a、107b、107c、107d．．．開口
109．．．絕緣層

Claims (8)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，其包含下列步驟：形成第一電極於一基材上；形成含有聚矽烷的一絕緣層於該基材和該第一電極上；對該絕緣層進行壓模，以於該絕緣層中形成一開口，該開口達到該第一電極；自其中形成有該開口之該絕緣層分離該模；在分離該模之後，藉由氧電漿硬化其中形成有該開口之該絕緣層的表面；藉由UV光照射及加熱硬化其中形成有該開口之該絕緣層；形成一發光層於該第一電極和該絕緣層上；以及形成第二電極於該發光層上。
  2. 一種半導體裝置的製造方法，其包含下列步驟：形成第一電極於一基材上；形成含有聚矽烷的一絕緣層於該基材和該第一電極上；對該絕緣層進行壓模，以於該絕緣層中形成一開口，該開口達到該第一電極；自其中形成有該開口之該絕緣層分離該模；在分離該模之後，藉由氧電漿硬化其中形成有該開口之該絕緣層的表面；藉由UV光照射及加熱硬化其中形成有該開口之該絕 緣層；形成一電洞傳輸層、一包含有機發光材料的發光層及一電子傳輸層於該第一電極和該絕緣層上；以及形成第二電極於該發光層上。
  3. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中該模包含一金屬材料或一絕緣材料，以及其中該模之一表面上形成有一凹陷。
  4. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中該發光層包含一有機發光材料。
  5. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中該發光層包含一無機發光材料。
  6. 根據申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中該模包含一金屬材料或一絕緣材料，以及其中該模之一表面上形成有一凹陷。
  7. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中該聚矽烷包含Si-Si鍵結和Si-C鍵結。
  8. 根據申請專利範圍第2項之半導體裝置的製造方法，其中該聚矽烷包含Si-Si鍵結和Si-C鍵結。
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