TWI433170B - A method for producing a metal plate chip resistor of a low resistance - Google Patents
A method for producing a metal plate chip resistor of a low resistance Download PDFInfo
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Description
本發明係關於使用電阻金屬板之晶片電阻器之製造方法者。
電源裝置或馬達之迴轉數控制電路等各種控制電路中，需要檢測電流之機構。作為檢測電流之機構有各種者，但一般利用分流電阻器等電子零件之情形較多。作為應用於如此分流電阻器等之電阻器，已知有晶片電阻器。並且該晶片電阻器中，如電阻值為數mΩ之非常低之晶片電阻器之製造主要係應用電阻金屬板。使用如此電阻金屬板製造之低電阻晶片電阻器一般稱作金屬板低電阻晶片電阻器。
如圖16(a)~圖16(c)所示，金屬板低電阻晶片電阻器1外觀係長方體狀者，係使用電阻金屬板2製造。於電阻金屬板2之表面2a及背面2b分別形成有保護膜3a、3b。該等保護膜3a、3b係電力絕緣性膜。另，於未形成保護膜3a、3b之電阻金屬板2之長度方向(圖16(b)及圖16(c)之左右方向)之兩端部2e、2f之表面(即表面2a之寬度方向之兩端部2a-1、2a-2，與背面2b之寬度方向之兩端部2b-1、2b-2，及兩端面2c、2d)形成有電極鍍敷膜4a、4b。
關於晶片電阻器1之各尺寸(單位：mm)，例如規定晶片電阻器之全長L1為1.6±0.1(容許差)，電極鍍敷膜4a、4b之長度C為0.2±0.1(容許差)，晶片電阻器1之寬度W為0.8±0.1(容許差)，晶片電阻器1之厚度H為0.3±0.1(容許差)。含該等容許差之晶片電阻器1之各尺寸係基於將晶片電阻器1安裝於電路基板上時之尺寸上之制約等而規定。又，保護膜3a、3b之長度L2係晶片電阻器1之全長L1與兩側之電極鍍敷膜4a、4b之長度(全長)2×C之差(L1-2×C)。換言之，L2亦係由電阻金屬板2之保護膜3a、3b覆蓋之部份之長度。另，T係電阻金屬板2之厚度，L3係電阻金屬板2之長度。
並且，先前係藉由依序實施圖17之步驟流程圖所示之帶狀電阻金屬板切斷步驟(步驟S1)、狹縫形成步驟(步驟S2)、保護膜形成步驟(步驟S3)、電極鍍敷膜形成步驟(步驟S4)、條狀部切下步驟(步驟S5)、條狀部切斷步驟(步驟S6)，而製造如圖16所示結構之金屬板低電阻晶片電阻器1。
針對狹縫形成步驟(步驟S2)與保護膜形成步驟(步驟S3)，基於圖18及圖19進一步說明。又，針對帶狀電阻金屬板切斷步驟(步驟S1)、電極鍍敷膜形成步驟(步驟S4)、條狀部切下步驟(步驟S5)、條狀部切斷步驟(步驟S6)，與圖1所示之帶狀電阻金屬板切斷步驟(步驟S11)、電極鍍敷膜形成步驟(步驟S15)、條狀部切下步驟(步驟S16)、及條狀部切斷步驟(步驟S17)相同，後述關於該等之詳情。
如圖18(a)~圖18(c)所示，狹縫形成步驟(步驟S2)中，將複數(圖示例中5條)之狹縫6形成於矩形狀電阻金屬板2B上。電阻金屬板2B係於帶狀電阻金屬板切斷步驟(步驟S1)中，從帶狀電阻金屬板2A(參照圖2)切下者。狹縫6於電阻金屬板2B之長度方向(圖18(b)之上下方向)延伸，且於電阻金屬板2B之寬度方向(圖18(b)之左右方向)成互相平行。又，形成狹縫6之位置係以定位標記5為基準而設定。藉由形成如此複數之狹縫6，電阻金屬板2B成為具有將於電阻金屬板2B之長度方向延伸之複數(圖示例中4條)之條狀部7，與前述複數之條狀部7之長度方向(圖18(b)之上下方向)之兩端分別連結之連結部8之形狀。
如圖19(a)~圖19(c)所示，下一保護膜形成步驟(步驟S3)中，利用絲網印刷法等將複數(圖示例中4條)之保護膜3A、3B分別形成於各條狀部7中電阻金屬板2B之表面2B-1及背面2B-2。該等保護膜3A、3B於電阻金屬板2B之長度方向延伸，且於電阻金屬板2B之寬度方向成互相平行。又，形成保護膜3A、3B之位置係基於定位標記5而設定。
又，作為揭示有晶片電阻器之製造方法之先前技術文獻，例如有以下專利文獻1、2。
[專利文獻1]日本特開2009-218552號公報
[專利文獻2]國際公開第2008/018219號說明書
根據上述先前之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，比保護膜3A、3B先形成狹縫6。即藉由於電阻金屬板2B上形成狹縫6而形成條狀部7後，於該等條狀部7上形成保護膜3A、3B。因此，上述先前之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法中有如下之問題。
即，比保護膜3A、3B先形成狹縫6時，條狀部7中必須於寬度非常小之電阻金屬板2B之表面2B-1及背面2B-2形成保護膜3A、3B。因此形成保護膜3A、3B較困難。並且，謀求晶片電阻器1進而小型化時，條狀部7之電阻金屬板2B之寬度變得更小，因此形成保護膜3A、3B變得更困難。另，形成保護膜3A、3B時，一般係利用絲網印刷法使膏圖案化，但要進而提高其尺寸精度則係應用光微影法。並且，應用該光微影法時，若比保護膜3A、3B先形成狹縫6，則其使施工方法變複雜。
另，為使晶片電阻器1之製造所使用之帶狀電阻金屬板2A(參照圖2)成期望之厚度，而藉由重複退火步驟與壓延步驟製造。但所製造之帶狀電阻金屬板2A之厚度不完全均一，尤其係電阻金屬板2A之寬度方向上產生厚度偏差。因此，從帶狀電阻金屬板2A切下之電阻金屬板2B亦於寬度方向產生厚度偏差。
並且，如此電阻金屬板2B之寬度方向之厚度偏差導致晶片電阻器1之電阻值之偏差。另一方面，晶片電阻器1之電阻值係由電阻金屬板2之保護膜3a、3b所覆蓋之部份之寬度W、長度L2、厚度T(參照圖16)決定。即，由後述之(1)式、(3)式決定。因此，晶片電阻器1之製造過程中，根據電阻金屬板2B之寬度方向之厚度偏差，調整圖19所示之各保護膜3A、3B之寬度L21
、L22
、L23
、L24
，由此需要降低晶片電阻器1之電阻值之偏差。另，此時保護膜3A、3B之寬度L21
、L22
、L23
、L24
(即晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度L2)之調整容許範圍以盡可能大為佳。
與此相對，如圖20所示，如前述之晶片電阻器1之尺寸例之情形中，先前之製造方法中保護膜3a、3b之長度L2之調整容許範圍變成0.4 mm。即，由於比保護膜3A、3B先形成狹縫6，因此晶片電阻器1中比保護膜3a、3b之長度L2先規定電阻金屬板2之長度L3，再規定晶片電阻器1之全長L1。使晶片電阻器1之全長L1例如為1.6 mm時，電極鍍敷膜4a、4b之全長2×C在最長0.6 mm(=2×(0.2+0.1))之情形與最短0.2 mm(=2×(0.2-0.1))之情形，保護膜3a、3b之長度L2分別成為0.9 mm與1.3 mm。因此，保護膜3a、3b之長度L2之調整容許範圍變成0.4 mm(=1.3-0.9)。使晶片電阻器1之全長L1為1.5 mm(=1.6-0.1)或1.7 mm(=1.6+0.1)之情形亦成相同之調整容許範圍。
又，作為因電阻金屬板之寬度方向之厚度偏差之晶片電阻器之電阻值之偏差之降低方法，亦有剪切電阻金屬板而調整電阻值之方法。但剪切電阻金屬板時，應用該剪切之電阻金屬板之晶片電阻器與負荷連接而對前述晶片電阻器流動電流時，於前述晶片電阻器上會產生過熱點，因此有該晶片電阻器之壽命特性等負荷特性劣化之問題產生之虞。因此，降低因電阻金屬板2B之寬度方向之厚度偏差之晶片電阻器1之電阻值偏差，不僅需要利用剪切電阻金屬板2B之方法，亦需要利用調整保護膜3A、3B之寬度L21
、L22
、L23
、L24
之方法實施。
因此本發明鑑於上述情況，其課題係提供一種金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其可不受條狀部之電阻金屬板之寬度影響而輕易形成保護膜，另，可根據電阻金屬板之寬度方向之厚度偏差而調整保護膜之寬度(晶片電阻器之保護膜之長度)，進而亦可增大保護膜之寬度(晶片電阻器之保護膜之長度)之調整容許範圍。
解決上述問題之第1發明之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其特製在於，其係使用矩形狀或帶狀電阻金屬板之晶片電阻器之製造方法，且藉由依序實施以下步驟而製造前述晶片電阻器：保護膜形成步驟，其對前述電阻金屬板之表面與背面各者，在前述電阻金屬板之寬度方向上形成複數個於前述電阻金屬板之長度方向延伸之保護膜；狹縫形成步驟，其在於前述寬度方向上鄰接之前述保護膜間，及位於前述寬度方向兩側之前述保護膜外側，於前述電阻金屬板上形成於前述電阻金屬板之長度方向延伸之狹縫，藉此使前述電阻金屬板成為具有寬度大於前述保護膜且於前述電阻金屬板之長度方向延伸之複數之條狀部、及分別連結前述複數之條狀部之長度方向之兩端之連結部之形狀；電極鍍敷膜形成步驟，其對未形成前述保護膜而露出前述電阻金屬板之前述條狀部之寬度方向之兩端部的表面，形成電極鍍敷膜；條狀部切下步驟，其將前述條狀部從前述連結部切下；及條狀部切斷步驟，其將前述條狀部切斷成複數個單片。
另，第2發明之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，如第1發明之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其中在前述保護膜形成步驟前，實施測定前述電阻金屬板之寬度方向之所要形成前述複數之保護膜的各位置之厚度之電阻金屬板厚度測定步驟，且在前述保護膜形成步驟中，根據前述電阻金屬板厚度測定步驟中所測定之前述電阻金屬板之寬度方向之各位置之厚度，設定各前述複數之保護膜之寬度。
又，第3發明之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其特徵在於：其係使用矩形狀或帶狀電阻金屬板之晶片電阻器之製造方法，且藉由依序實施以下步驟而製造前述晶片電阻器：保護膜形成步驟，其對前述電阻金屬板之表面與背面各者，在前述電阻金屬板之寬度方向上形成複數個於前述電阻金屬板之長度方向延伸之保護膜；條狀部切斷步驟，其在於前述寬度方向上鄰接之前述保護膜之間，及位於前述寬度方向兩側之前述保護膜之外側，在向前述電阻金屬板之長度方向延伸之切斷位置切斷前述電阻金屬板，藉此切下具有大於前述保護膜之寬度且向前述電阻金屬板之長度方向延伸之複數之條狀部；電極鍍敷膜形成步驟，其對未形成前述保護膜而露出前述電阻金屬板之前述條狀部之寬度方向之兩端部的表面，形成電極鍍敷膜；及單片切斷步驟，其將前述條狀部切斷成複數之單片。
又，第4發明之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，如第3發明之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其中在前述保護膜形成步驟前，實施測定前述電阻金屬板之寬度方向之所要形成前述複數之保護膜的各位置之厚度之電阻金屬板厚度測定步驟，且在前述保護膜形成步驟中，根據前述電阻金屬板厚度測定步驟中所測定之前述電阻金屬板之寬度方向之各位置之厚度，設定各前述複數之保護膜之寬度。
根據第1發明之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其特製在於，其係使用矩形狀或帶狀電阻金屬板之晶片電阻器之製造方法，且藉由依序實施以下步驟而製造前述晶片電阻器：保護膜形成步驟，其對前述電阻金屬板之表面與背面各者，在前述電阻金屬板之寬度方向形成複數個於前述電阻金屬板之長度方向延伸之保護膜；狹縫形成步驟，其在於前述寬度方向上鄰接之前述保護膜間，及位於前述寬度方向兩側之前述保護膜外側，於前述電阻金屬板上形成於前述電阻金屬板之長度方向延伸之狹縫，藉此使前述電阻金屬板成為具有寬度大於前述保護膜且於前述電阻金屬板之長度方向延伸之複數之條狀部，與分別連結前述複數之條狀部之長度方向之兩端之連結部之形狀；電極鍍敷膜形成步驟，其對未形成前述保護膜而露出前述電阻金屬板之前述條狀部之寬度方向之兩端部的表面，形成電極鍍敷膜；條狀部切下步驟，其將前述條狀部從前述連結部切下；及條狀部切斷步驟，其將前述條狀部切斷成複數個單片，因此先於狹縫(即條狀部)而形成保護膜。
因此，例如即使謀求晶片電阻器進而小型化，條狀部之電阻金屬板之寬度進而變小，亦可不受該條狀部之電阻金屬板之寬度影響而輕易形成保護膜。另，亦可增大保護膜之寬度(晶片電阻器之保護膜之長度)之調整容許範圍(參照圖8：詳情後述)。
根據第2發明之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，如第1發明之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其中，在前述保護膜形成步驟前，實施測定形成前述複數之保護膜之前述電阻金屬板之寬度方向各位置之厚度的電阻金屬板厚度測定步驟，且在前述保護膜形成步驟中，根據前述電阻金屬板厚度測定步驟中所測定之前述電阻金屬板之寬度方向之各位置之厚度，設定各前述複數之保護膜之寬度。因此不僅有上述第1發明之效果，亦可根據電阻金屬板之寬度方向之厚度偏差而調整保護膜之寬度(晶片電阻器之保護膜之長度)。因此，可降低因電阻金屬板之寬度方向之厚度偏差之晶片電阻器之電阻值之偏差。
根據第3發明之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其特徵在於，其係使用矩形狀或帶狀電阻金屬板之晶片電阻器之製造方法，且藉由依序實施以下步驟而製造前述晶片電阻器：保護膜形成步驟，其對前述電阻金屬板之表面與背面各者，在前述電阻金屬板之寬度方向形成複數個於前述電阻金屬板之長度方向延伸之保護膜；條狀部切斷步驟，其在於前述寬度方向上鄰接之前述保護膜之間，及位於前述寬度方向兩側之前述保護膜之外側，在向前述電阻金屬板之長度方向延伸之切斷位置，切斷前述電阻金屬板，藉此切下具有大於前述保護膜之寬度且向前述電阻金屬板之長度方向延伸之複數之條狀部；電極鍍敷膜形成步驟，其對未形成前述保護膜而露出前述電阻金屬板之前述條狀部之寬度方向之兩端部的表面，形成電極鍍敷膜；及單片切斷步驟，其將前述條狀部切斷成複數之單片，因此先於切斷條狀部之前形成保護膜。
因此，例如即使謀求晶片電阻器進而小型化，條狀部之電阻金屬板之寬度進而變小，亦可不受該條狀部之電阻金屬板之寬度影響而輕易形成保護膜。另，亦可增大保護膜之寬度(晶片電阻器之保護膜之長度)之調整容許範圍(參照圖8：詳情後述)。
根據第4發明之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，如第3發明之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其中，在前述保護膜形成步驟前，實施測定形成前述複數之保護膜之前述電阻金屬板之寬度方向各位置之厚度之電阻金屬板厚度測定步驟，且在前述保護膜形成步驟中，根據前述電阻金屬板厚度測定步驟中所測定之前述電阻金屬板之寬度方向之各位置之厚度，設定各前述複數之保護膜之寬度，因此不僅有上述第3發明之效果，亦可根據電阻金屬板之寬度方向之厚度偏差而調整保護膜之寬度(晶片電阻器之保護膜之長度)。因此，可降低因電阻金屬板之寬度方向之厚度偏差之晶片電阻器之電阻值之偏差。
以下，基於附圖詳細說明本發明之實施形態例。
基於圖1~圖7及圖16，說明本發明之實施形態例之晶片電阻器之製造方法。又，關於利用本實施形態例之晶片電阻器之製造方法所製造之金屬板低電阻晶片電阻器之結構，係基於圖16與已說明者相同，因而此處詳細說明省略。
根據本實施形態例，藉由依序實施圖1之步驟流程圖所示之帶狀電阻金屬板切斷步驟(步驟S11)、電阻金屬板厚度測定步驟(步驟S12)、保護膜形成步驟(步驟S13)、狹縫形成步驟(步驟S14)、電極鍍敷膜形成步驟(步驟S15)、條狀部切下步驟(步驟S16)、條狀部切斷步驟(步驟S17)，製造如圖16所示結構之金屬板低電阻晶片電阻器1。
詳述為如圖2(a)所示，帶狀電阻金屬板切斷步驟(步驟S11)中，利用雷射、電線放電、切斷刀等切斷裝置，將由搬送裝置(省略圖示)向箭頭J方向搬送之帶狀電阻金屬板2A，在一點畫線(假想線)K所示之切斷線位置切斷。帶狀電阻金屬板2A係包含FeCrAl系、CuNi系或CuMn系等材料者，為成期望厚度而從厚板狀態之前述材料，經過各種步驟，藉由重複退火與壓延步驟製造。
將帶狀電阻金屬板2A在前述切斷位置切斷，結果獲得如圖2(b)所示之矩形狀電阻金屬板2B。如圖2(a)所示，帶狀電阻金屬板2A上之定位標記5於寬度方向兩側於長度方向上以一定間隔設置。該等定位標記5如圖2(b)所示，位於矩形狀電阻金屬板2B之長度方向前端部之寬度方向兩側。又，不限於此，定位標記可只位於前述寬度方向之單側，亦可在電阻金屬板2B之長度方向之後端部或中央部。
如圖3(a)~圖3(c)所示，下一電阻金屬板厚度測定步驟(步驟S12)中，利用板厚測定裝置(省略圖示)測定形成複數(圖示例中4條)之保護膜3A、3B(假想線(一點畫線))之電阻金屬板2B之寬度方向(圖3(b)之左右方向)之各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
。測定該板厚之電阻金屬板2B之寬度方向之各位置係以定位標記5為基準而設定。
又，圖示例中對各保護膜3A、3B，將測定板厚之電阻金屬板2B之寬度方向之各位置設在每一處，但不限於此。例如亦可對各保護膜3A、3B，將測定板厚之電阻金屬板2B之寬度方向之各位置設在每複數處，將在該等複數處測定之電阻金屬板2B之厚度平均值作為電阻金屬板2B之寬度方向之各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
。
如圖4(a)~圖4(c)所示，下一保護膜形成步驟(步驟S13)中，利用絲網印刷法或光微影法等，將複數(圖示例中4條)之保護膜3A、3B分別形成於電阻金屬板2B之表面2B-1及背面2B-2。該等保護膜3A、3B於電阻金屬板2B之長度方向延伸，且於電阻金屬板2B之寬度方向成互相平行。又，形成保護膜3A、3B之位置係以定位標記5為基準而設定。
並且，本保護膜形成步驟中，根據前段電阻金屬板厚度測定步驟(步驟S12)中測定之電阻金屬板2B之寬度方向之各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
，設定各複數之保護膜3A、3B之寬度(即晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度)L21
、L22
、L23
、L24
。具體言之，基於下述(2)式算出各保護膜3A、3B之寬度L21
、L22
、L23
、L24
。(2)式係將(1)式變形者。
[數1]
(1)、(2)式中，R係晶片電阻器1之電阻值(目標電阻值)，L2係晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度(即被電阻金屬板2之保護膜3a、3b覆蓋的部份之長度)，W係晶片電阻器1之寬度(目標值)(即電阻金屬板2之寬度)，Tn
係電阻金屬板2之厚度，ρ係電阻金屬板2之體積電阻率。即，晶片電阻器1之電阻值R係由電阻金屬板2之保護膜3a、3b所覆蓋的部份之寬度W、長度L2、厚度Tn
(L2/W×Tn
)、及電阻金屬板2之體積電阻率ρ所決定。
由電阻值R(目標電阻值)與條狀部切斷步驟(步驟S17)所決定之寬度W(目標值)及體積電阻率ρ為已知，厚度Tn
(即電阻金屬板2B之寬度方向之各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
)亦由前段電阻金屬板厚度測定步驟(步驟S12)所測定而為已知，故使用該等值由上述(2)式可算出對應於電阻金屬板2B之寬度方向各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
之各保護膜3A、3B之寬度(即晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度)L21
、L22
、L23
、L24
。
算出各保護膜3A、3B之寬度L21
、L22
、L23
、L24
後，設定對應於該等算出值之絲網圖案，基於該絲網圖案而實施絲網印刷法，藉此將環氧系樹脂之膏印刷於電阻金屬板2B之表面2B-1與背面2B-2，且藉由將該經絲網印刷之膏燒結而形成各保護膜3A、3B。當然在使用光微影法等情況下，亦設定對應於各保護膜3A、3B之寬度L21
、L22
、L23
、L24
之算出值之圖案，而形成各保護膜3A、3B。
如圖5(a)~圖5(c)所示，在下一狹縫形成步驟(步驟S14)中，將複數(圖示例中為5條)之狹縫6形成於電阻金屬板2B上。該等狹縫6於電阻金屬板2B之長度方向(圖5(b)之上下方向)延伸，且形成於在電阻金屬板2B之寬度方向(圖5(b)中左右方向)上鄰接之保護膜3A、3B間(即表面2B-1側之保護膜3A、3A間及背面2B-2側之保護膜3B、3B間)，及位於電阻金屬板2B之寬度方向兩側之保護膜3A、3B之外側(即表面2B-1側之寬度方向兩側之保護膜3A外側及背面2B-2側之寬度方向兩側之保護膜3B外側)。又，形成狹縫6之位置係以定位標記5為基準而設定。藉由形成如此之複數之狹縫6，電阻金屬板2B成為具有將於電阻金屬板2B之長度方向延伸之複數(圖示例中4條)之條狀部7、及分別連結前述複數之條狀部7之長度方向(圖5(b)之上下方向)之兩端之連結部8之形狀。又，圖中之L41
、L42
、L43
、L44
、L45
係狹縫6之寬度，L31
、L32
、L33
、L34
係條狀部7之電阻金屬板2B之寬度(晶片電阻器1中電阻金屬板2之長度L3)。
狹縫6係例如藉由以使對應於連結部8與比保護膜3A、3B寬度大之條狀部7之部份殘留之方式曝光顯影之乾膜，連同保護膜3A、3B覆蓋電阻金屬板2B之表背兩面2B-1、2B-2，在該狀態下將適於電阻金屬板2B之各種類(各種材質)之蝕刻液噴於電阻金屬板2B之表背兩面2B-1、2B-2之蝕刻法，藉由蝕刻而形成電阻金屬板2B。藉由以如此之蝕刻法形成狹縫6，使條狀部7之電阻金屬板2B之側面(狹縫6側之面)2B-5成為相對於電阻金屬板2B之表背兩面2B-1、2B-2成直角之平坦面，而可將條狀部7之電阻金屬板2B之寬度L31
、L32
、L33
、L34
(晶片電阻器1中電阻金屬板2之長度L3)高精度地設定。又，作為形成狹縫6之方式，未必一定限於蝕刻法，亦可使用雷射加工等方式。另，圖示例中於條狀部7之長度方向之兩端形成有連結部8，但不限於此，亦可只於條狀部7之長度方向之任一端形成連結部8。
如圖6(a)~圖6(c)所示，在下一電極鍍敷膜形成步驟(步驟S15)中，於各條狀部7中，對未形成保護膜3A、3B而露出的電阻金屬板2B之寬度方向(圖6(c)之左右方向)之兩端部2B-3、2B-4之表面，利用電鍍而形成電極鍍敷膜4A、4B。又，此時於連結部8等電阻金屬板2B之周緣部亦形成鍍敷膜4C(為說明方便而以一點畫線之透視圖顯示)。作為電極鍍敷膜4A、4B，例如形成鍍鎳膜及鍍錫膜。另，電極鍍敷膜4A、4B可為依序形成預鍍鎳、鍍銅、鍍鎳、及鍍錫膜者。
如圖7(a)及圖7(b)所示，在下一條狀部切下步驟(步驟S16)中，利用雷射、電線放電、切斷刀等切斷裝置，將電阻金屬板2B在一點畫線(假想線)所示之切斷位置M切斷，藉此而將條狀部7從連結部8切下。圖7(b)係將從連結部8切下之複數之條狀部7中之一條放大顯示。
如圖7(b)及圖7(c)所示，在下一條狀切斷步驟(步驟S17)中，利用雷射、電線放電、切斷刀等切斷裝置，將條狀部7在一點畫線(假想線)所示之切斷位置N切斷成複數(圖示例中10個)個單片。如此，製造成如圖16(c)所示之金屬板低電阻晶片電阻器1。即，藉由將條狀部7切斷成複數個單片，而從條狀部7之電阻金屬板2B、保護膜3A、3B與電極鍍敷膜4A、4B，分別形成晶片電阻器1之電阻金屬板2、保護膜3a、3b與電極鍍敷膜4a、4b。
以下說明條狀部7之尺寸與晶片電阻器1之尺寸之對應關係：條狀部7之電阻金屬板2B與電極鍍敷膜4B、4B之寬度L1相當於晶片電阻器1之全長L1，條狀部7之電極鍍敷膜4A、4B之寬度C相當於晶片電阻器1之電極鍍敷膜4a、4b之長度C，條狀部7之保護膜3A、3B之寬度L2相當於晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度L2，條狀部7之電阻金屬板2B之寬度L3相當於晶片電阻器1之電阻金屬板2之長度L3。
又，包含如上述之電阻金屬板厚度測定步驟之晶片電阻器之製造步驟，乃對從帶狀電阻金屬板2A依序切下之矩形狀電阻金屬板2B全部實施。此理由係由於在帶狀電阻金屬板2A之長度方向上亦會產生厚度偏差，在此情況下寬度方向之厚度偏差會因每個電阻金屬板2B而異之緣故。又，在帶狀電阻金屬板2A之長度方向之厚度大致無偏差之情形時，亦可適用只對從帶狀電阻金屬板2A最初切下之矩形狀電阻金屬板2B實施厚度測定，決定保護膜3A、3B之寬度，而將該保護膜3A、3B之寬度套用至形成於從帶狀電阻金屬板2A第2個之後切下之矩形狀電阻金屬板2B上之保護膜3A、3B。
如上，根據本實施形態例之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其特徵在於：其係使用矩形狀電阻金屬板2B之晶片電阻器之製造方法，且藉由依序實施以下步驟而製造晶片電阻器1：保護膜形成步驟(步驟S13)，其對電阻金屬板2B之表面2B-1及背面2B-2各者，於電阻金屬板2B之寬度方向形成複數個於電阻金屬板2B之長度方向延伸之保護膜3A、3B；狹縫形成步驟(步驟S14)，其在於前述寬度方向上鄰接之保護膜3A、3B間，及位於前述寬度方向兩側之保護膜3A、3B外側，於電阻金屬板2B上形成於電阻金屬板2B之長度方向延伸之狹縫6，藉此使電阻金屬板2B成為具有比保護膜3A、3B寬度大且於電阻金屬板2B之長度方向延伸之複數之條狀部7、與分別連結前述複數之條狀部7之長度方向之兩端之連結部8之形狀；電極鍍敷膜形成步驟(步驟S15)，其對未形成保護膜3A、3B而露出電阻金屬板2B之條狀部7之寬度方向之兩端部2B-3、2B-4之表面，形成電極鍍敷膜4A、4B；條狀部切下步驟(步驟S16)，其將條狀部7從連結部8切下；條狀部切斷步驟(步驟S17)，其將條狀部7切斷成複數個單片，因此先於狹縫6(即條狀部7)而形成保護膜3A、3B。
因此，例如謀求晶片電阻器1進而小型化，條狀部7之電阻金屬板2B之寬度L3進而變小，亦可不受該條狀部7之電阻金屬板2B之寬度L3影響而輕易形成保護膜3A、3B。即，利用絲網印刷法或光微影法等而輕易形成保護膜3A、3B。
另，亦可增大保護膜3A、3B之寬度(晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度)L2之調整容許範圍。如前述之晶片電阻器1之尺寸例之情形中，基於圖8說明，例如將保護膜3a、3b之長度L2設為0.9 mm之情形，電極鍍敷膜4a、4b之全長2×C為最長0.6 mm(=2×(0.2+0.1))之情形與最短0.2 mm(=2×(0.2-0.1))之情形，晶片電阻器1之全長L1分別成為1.5 mm與1.1 mm。因此，只要將晶片電阻器1之全長L1設為最短容許尺寸1.5 mm(=1.6-0.1)即可。將保護膜3a、3b之長度L2設為1.2 mm之情形，電極鍍敷膜4a、4b之全長2×C為最長0.6 mm與最短0.2 mm之情形，晶片電阻器1之全長L1分別成為1.8 mm與1.4 mm。因此，只要將晶片電阻器1之全長L1設在1.5~1.7 mm之範圍內即可。將保護膜3a、3b之長度L2設為1.5 mm之情形，電極鍍敷膜4a、4b之全長2×C為最長0.6 mm之情形與最短0.2 mm之情形，晶片電阻器1之全長L1分別成2.1 mm與1.7 mm。因此，只要將晶片電阻器1之全長L1設在最長容許尺寸1.7 mm之範圍內即可。因此，保護膜3a、3b之長度L2之調整容許範圍成0.6 mm，變得比先前之製造方法之調整容許範圍0.4 mm(參照圖20)大。
另，根據本實施形態例之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其特徵在於：在保護膜形成步驟(步驟S13)前，先實施電阻金屬板厚度測定步驟(步驟S12)，其測定形成複數之保護膜3A、3B之電阻金屬板2B之寬度方向各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
，保護膜形成步驟(步驟S13)中，根據電阻金屬板厚度測定步驟(步驟S12)所測定之前述電阻金屬板2B之寬度方向各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
，設定前述複數之保護膜3A、3B之各寬度L21
、L22
、L23
、L24
，因此亦可根據電阻金屬板2B之寬度方向之厚度偏差，調整保護膜3A、3B之寬度(晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度)。因此，可降低因電阻金屬板2B之寬度方向之厚度偏差之晶片電阻器1之電阻值之偏差。
又，根據上述金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，從帶狀電阻金屬板2A切下矩形狀電阻金屬板2B，對該矩形狀電阻金屬板2B，形成保護膜3A、3B、狹縫6(條狀部7)及電極鍍敷膜4A、4B後，切下條狀部7，但未必一定限於此。即，亦可不進行切下矩形狀電阻金屬板2B，對帶狀電阻金屬板2A，形成保護膜3A、3B、狹縫6(條狀部7)及電極鍍敷膜4A、4B後，切下條狀部7。
基於圖9~圖16，針對本發明之其他實施形態之晶片電阻器之製造方法進行說明。另，關於根據本其他實施形態例之晶片電阻器之製造方法所製造之金屬板低電阻晶片電阻器之結構，如基於圖16已說明，因此省略此處之詳細說明。
根據本其他實施形態例，藉由依序實施以下步驟而製造如圖16所示結構之金屬板低電阻晶片電阻器1：圖9之步驟流程圖所示之帶狀電阻金屬板切斷步驟(步驟S21)；電阻金屬板厚度測定步驟(步驟S22)；保護膜形成步驟(步驟S23)；條狀切斷步驟(步驟S24)；電極鍍敷膜形成步驟(步驟S25)；及單片切斷步驟(步驟S26)。
若詳述，則如圖10(a)所示，根據帶狀電阻金屬板切斷步驟(步驟S21)，利用雷射、電線放電、切斷刀等切斷裝置，將由搬送裝置(省略圖示)向箭頭J1方向搬送而來之帶狀電阻金屬板12A，在一點鏈線(假想線)K1所示之位置切斷。帶狀之電阻金屬板12A係含FeCrAl系、CuNi系或CuMn系等材料者，為成為期望之厚度，藉由由平板狀態之前述材料經過各種步驟，重複退火步驟與滾壓步驟而製造。
將帶狀電阻金屬板12A在前述切斷位置切斷，結果獲得如圖10(b)所示之矩形狀之電阻金屬板12B。如圖10(a)所示，帶狀電阻金屬板12A上，在寬度方向兩側於長度方向上以一定間隔設置有定位標記15。該等定位標記15如圖10(b)所示，位於矩形狀電阻金屬板12B之長度方向之前端部中寬度方向之兩側。另，不限於此，定位標記15亦可僅位於前述寬度方向之單側，或位於電阻金屬板12B之長度方向之後端部或中央部等。
如圖11(a)~圖11(c)所示，在下一電阻金屬板厚度測定步驟(步驟S22)中，利用板厚測定裝置(省略圖示)測定形成複數(圖示例中為7片)之保護膜13A、13B(假想線(一點鏈線)所示)之電阻金屬板12B之寬度方向(圖11(b)之左右方向)之各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
、T5
、T6
、T7
。測定該板厚之電阻金屬板12B之寬度方向之各位置係以定位標記15為基準而設定。
另，圖示例中係對各保護膜13A、13B各設定一個測定板厚之電阻金屬板12B之寬度方向之各位置，但不限於此。例如亦可對各保護膜13A、13B各者設定複數個測定板厚之電阻金屬板12B之寬度方向之各位置，將在該等複數部位所測定之電阻金屬板12B之厚度之平均值，作為電阻金屬板12B之寬度方向之各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
、T5
、T6
、T7
。
如圖12(a)~圖12(c)所示，在下一保護膜形成步驟(步驟S23)中，利用絲網印刷法或光微影法等，將複數(圖示例中為7片)之保護膜13A、13B分別形成於電阻金屬板12B之表面12B-1及背面12B-2上。該等保護膜13A、13B向電阻金屬板12B之長度方向延伸，且在電阻金屬板12B之寬度方向上互相平行。另，形成保護膜13A、13B之位置係以定位標記15為基準而設定。
其後，在本保護膜形成步驟中，根據前段電阻金屬板厚度測定步驟(步驟S22)所測定之電阻金屬板12B之寬度方向之各位置的厚度T1
、T2
、T3
、T4
、T5
、T6
、T7
，設定複數之保護膜13A、13B之各寬度(即晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度)L21
、L22
、L23
、L24
、L25
、L26
、L27
。具體而言，基於下述(4)式，算出各保護膜13A、13B之寬度L21
、L22
、L23
、L24
、L25
、L26
、L27
。(4)式係將(3)式變形者。
[數2]
(3)、(4)式中，R係晶片電阻器1之電阻值(目標電阻值)，L2係晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度(即被電阻金屬板2之保護膜3a、3b覆蓋之部份之長度)，W係晶片電阻器1之寬度(目標值)(即電阻金屬板2之寬度)，Tn
係電阻金屬板2之厚度，ρ係電阻金屬板2之體積電阻率。即，晶片電阻器1之電阻值R係由電阻金屬板2之保護膜3a、3b所覆蓋之部份之寬度W、長度L2、厚度Tn
(L2/(W×Tn
))、與電阻金屬板2之體積電阻率ρ所決定。
由於電阻值R(目標電阻值)與單片切斷步驟(步驟S26)所決定之寬度W(目標值)、體積電阻率ρ為已知，厚度Tn
(即電阻金屬板12B之寬度方向之各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
、T5
、T6
、T7
)亦由前段之電阻金屬板厚度測定步驟(步驟使22)所測定為已知，因此，使用該等值根據上述(4)式，可算出對應於電阻金屬板12B之寬度方向之各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
、T5
、T6
、T7
之各保護膜13A、13B之寬度(即晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度)L21
、L22
、L23
、L24
、L25
、L26
、L27
。
算出各保護膜13A、13B之寬度L21
、L22
、L23
、L24
、L25
、L26
、L27
後，設定對應於該等算出值之絲網圖案，基於該絲網圖案實施絲網印刷法，藉此將環氧系樹脂之膏印刷於電阻金屬板12B之表面12B-1與背面12B-2，且燒結該絲網印刷之膏，藉此而形成各保護膜13A、13B。當然，在使用光微影法等之情形中亦設定對應於各保護膜13A、13B之寬度L21
、L22
、L23
、L24
、L25
、L26
、L27
之算出值之圖案，而形成各保護膜13A、13B。
如圖13(a)~圖13(b)所示，在下一條狀切斷步驟(步驟S24)中，利用雷射、線切割放電、切斷刀等切斷裝置，將電阻金屬板12B在一點鏈線(假想線)所示之切斷位置M1切斷，藉此切下複數(圖示例中為7片)之條狀部17。圖13(b)係將從電阻金屬板12B切下之複數之條狀部17中的1片放大顯示，圖13(c)係將該1片條狀部17之剖面放大顯示。圖13(b)所示之L3係條狀部17中之電阻金屬板12B之寬度(晶片電阻器1中電阻金屬板2之長度L3)，L2係條狀部17中之保護膜13A、13B之寬度(晶片電阻器1中保護膜3a、3b之長度L2)。
如圖13(a)所示，切斷位置(切斷線)M1係向電阻金屬板12B之長度方向(圖12(b)之上下方向)延伸，且設定在電阻金屬板12B之寬度方向(圖12(b)之左右方向)上鄰接之保護膜3A、3B之間(即表面12B-1側之保護膜13A、13A間及背面12B-2側之保護膜13B、13B間)、及位於電阻金屬板12B之寬度方向兩側之保護膜13A、13B之外側(即表面12B-1側之寬度方向兩側之保護膜13A之外側，及背面12B-2側之寬度方向兩側之保護膜13B之外側)。該等切斷位置(切斷線)M1係以使條狀部17之電阻金屬板12B之寬度L3成為特定值之方式，以定位標記15為基準而設定。另，條狀部17之電阻金屬板12B之寬度L3亦可藉由適宜調整利用雷射、線切割放電、切斷刀等切斷裝置之切斷容差(即雷射束之寬度、線之粗細、切斷刀之厚度等所決定之切斷位置(切斷線)M1之寬度)而調整。
如圖13(b)、圖13(c)及圖14(a)、圖14(b)所示，在下一電極鍍敷膜形成步驟(步驟S25)中，於條狀部17中，對未形成保護膜13A、13B而露出之電阻金屬板12B之寬度方向(圖13(b)之左右方向)之兩端部12B-3、12B-4之表面，利用電鍍法形成電極鍍敷膜14A、14B。另，此時亦於未形成有保護膜13A、13B之條狀部17之長度方向之兩端部形成鍍敷膜14C、14D。作為電極鍍敷膜14A、14B，例如形成鍍鎳膜及鍍錫膜。又，電極鍍敷膜14A、14B亦可為依序形成預鍍鎳、鍍銅、鍍鎳、鍍錫膜等者。
如圖15(a)所示，在下一單片切斷步驟(步驟S26)中，利用雷射、電線放電、切斷刀等切斷裝置，將條狀部17在一點鏈線(假想線)所示之切斷位置N1切斷成複數(圖示例中為12個)之單片。如此製造如圖15(b)所示之金屬板低電阻晶片電阻器1。即，藉由將條狀部17切斷成複數之單片，由條狀部17之電阻金屬板12B、保護膜13A、13B與電極鍍敷膜14A、14B，分別形成晶片電阻器1之電阻金屬板2、保護膜3a、3b與電極鍍敷膜4a、4b。
就條狀部17之尺寸與晶片電阻器1之尺寸之對應關係進行說明，條狀部17之電阻金屬板12B與電極鍍敷膜14B、14B之寬度L1相當於晶片電阻器1之全長L1，條狀部17之電極鍍敷膜14A、14B之寬度C相當於晶片電阻器1之電極鍍敷膜4a、4b之長度C，條狀部17之保護膜13A、13B之寬度L2相當於晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度L2，條狀部17之電阻金屬板12B之寬度L3相當於晶片電阻器1之電阻金屬板2之長度L3。
另，包含如上述之電阻金屬板厚度測定步驟之晶片電阻器之製造步驟，亦對從帶狀電阻金屬板12A依序切下之矩形狀電阻金屬板12B之任一者實施。此理由係帶狀電阻金屬板12A之長度方向上亦會產生厚度之偏差，此時寬度方向之厚度偏差在每個電阻金屬板12B中均不同。另，在完全不存在帶狀電阻金屬板12A之長度方向之厚度偏差之情形中，僅對從帶狀電阻金屬板12A最先切下之矩形狀之電阻金屬板12B實施厚度測定而決定保護膜13A、13B之寬度，可將該保護膜13A、13B之寬度應用於從帶狀電阻金屬板12A第2次之後切下之矩形狀之電阻金屬板12B上所形成之保護膜13A、13B。
由上，本其他實施形態例之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，亦可獲得與上述實施形態例之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法相同之效果。
即，根據本其他實施形態例之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其特徵在於：其係使用矩形狀電阻金屬板12B之晶片電阻器1之製造方法，且藉由依序實施以下步驟而製造晶片電阻器1：保護膜形成步驟(步驟S23)，其對電阻金屬板12B之表面12B-1及背面12B-2各者，在電阻金屬板12B之寬度方向形成複數個於電阻金屬板12之長度方向延伸之保護膜13A、13B；條狀部切斷步驟(步驟S24)，其在於前述寬度方向上鄰接之保護膜13A、13B之間，及位於前述寬度方向兩側之保護膜13A、13B外側，在向電阻金屬板12B之長度方向延伸之切斷位置M1，切斷電阻金屬板12B，藉此切下具有大於保護膜13A、13B之寬度且向電阻金屬板12B之長度方向延伸之複數之條狀部17；電極鍍敷膜形成步驟(步驟S25)，其對未形成保護膜13A、13B而露出電阻金屬板12B之條狀部17之寬度方向之兩端部12B-3、12B-4之表面，形成電極鍍敷膜14A、14B；及單片切斷步驟(步驟S26)，其將條狀部17切斷成複數之單片，因此在切下條狀部17之前形成保護膜13A、13B。
因此，例如即使謀求晶片電阻器1之進而小型化，條狀部17之電阻金屬板12B之寬度L3進而變小，亦可不受該條狀部17之電阻金屬板12B之寬度L3影響而輕易形成保護膜13A、13B。即，容易利用絲網印刷法或光微影法等形成保護膜13A、13B。
又，亦可增大保護膜13A、13B之寬度(晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度)L2之調整之容許範圍(參照圖8)。
又，根據本其他實施形態例之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其特徵在於：在保護膜形成步驟(步驟S23)之前，實施測定形成複數之保護膜13A、13B之電阻金屬板12B之寬度方向之各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
、T5
、T6
、T7
的電阻金屬板厚度測定步驟(步驟S22)，根據保護膜形成步驟(步驟S23)，對應電阻金屬板厚度測定步驟(步驟S22)所測定之電阻金屬板12B之寬度方向之各位置之厚度T1
、T2
、T3
、T4
、T5
、T6
、T7
，設定複數之保護膜13A、13B之各寬度L21
、L22
、L23
、L24
、L25
、L26
、L27
，因此，亦可根據電阻金屬板12B之寬度方向之厚度之偏差調整保護膜13A、13B之寬度(晶片電阻器1之保護膜3a、3b之長度)。因此，可降低因電阻金屬板12B之寬度方向之厚度偏差之晶片電阻器1之電阻值之偏差。
另，根據上述金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，從帶狀電阻金屬板12A切下矩形狀電阻金屬板12B，且對該矩形狀電阻金屬板12B形成保護膜13A、13B後，切下矩形狀部17，但未必一定局限於此。即，亦可不切下矩形狀電阻金屬板12B，而對帶狀電阻金屬板12A形成保護膜13A、13B後，切下條狀部17。
本發明係關於使用電阻金屬板之晶片電阻器之製造方法者，尤其係對應用於晶片電阻器之製造過程中條狀部之電阻金屬板之寬度非常小之情形中有用者。
1．．．金屬板低電阻晶片電阻器
2．．．電阻金屬板
2A．．．帶狀電阻金屬板
2a．．．表面
2a-1、2a-2．．．端部
2b．．．背面
2b-1、2b-2．．．端部
2B．．．矩形狀電阻金屬板
2B-1．．．表面
2B-2．．．背面
2B-3、2B-4．．．端部
2B-5．．．側面
2c、2d．．．端面
2e、2f．．．端部
3A、3B．．．保護膜
3a、3b．．．保護膜
4A、4B．．．電極鍍敷膜
4a、4b．．．電極鍍敷膜
4C．．．鍍敷膜
5．．．定位標記
6．．．狹縫
7．．．條狀部
8．．．連結部
12A．．．帶狀電阻金屬板
12B．．．矩形狀電阻金屬板
12B-1．．．表面
12B-2．．．背面
12B-3、12B-4．．．端部
13A、13B．．．保護膜
14A、14B．．．電極鍍敷膜
14C、14D．．．鍍敷膜
15．．．定位標記
17．．．條狀部
J．．．箭頭
K、K1．．．一點畫線
L1~L3．．．長度
L21
~L27
．．．寬度
L31
~L34
．．．寬度
L41
~L45
．．．寬度
M、N．．．切斷位置
M1、N1．．．切斷位置
S11．．．帶狀電阻金屬板切斷步驟
S12．．．電阻金屬板厚度測定步驟
S13．．．保護膜形成步驟
S14．．．狹縫形成步驟
S15．．．電極鍍敷膜形成步驟
S16．．．條狀部切下步驟
S17．．．條狀部切斷步驟
T．．．厚度
T1
~T7
．．．厚度
W．．．厚度
圖1係顯示本發明之實施形態例之金屬板低電阻晶片電阻器之製造步驟之流程圖；
圖2(a)係用以說明帶狀電阻金屬板切斷步驟之帶狀電阻金屬板之立體圖，(b)係用以說明帶狀電阻金屬板切斷步驟之矩形裝電阻金屬板之平面圖；
圖3(a)係用以說明電阻金屬板厚度測定步驟之電阻金屬板之立體圖，(b)係用以說明電阻金屬板厚度測定步驟之電阻金屬板之平面圖，(c)係用以說明電阻金屬板厚度測定步驟之電阻金屬板之剖面放大圖((b)係A-A線箭視剖面放大圖)；
圖4(a)係用以說明保護膜形成步驟之電阻金屬板等之立體圖，(b)係用以說明保護膜形成步驟之電阻金屬板等之平面圖，(c)係用以說明保護膜形成步驟之電阻金屬板等之剖面放大圖((b)係B-B線箭視剖面放大圖)；
圖5(a)係用以說明狹縫形成步驟之電阻金屬板等之立體圖，(b)係用以說明狹縫形成步驟之電阻金屬板等之平面圖，(c)係用以說明狹縫形成步驟之電阻金屬板等之剖面放大圖((b)之C-C線箭視剖面放大圖)；
圖6(a)係用以說明電極鍍敷膜形成步驟之電阻金屬板等之立體圖，(b)係用以說明電極鍍敷膜形成步驟之電阻金屬板等之平面圖，(c)係用以說明電極鍍敷膜形成步驟之電阻金屬板等之剖面放大圖((b)之D-D線箭視剖面放大圖)；
圖7(a)係用以說明條狀部切下步驟之電阻金屬板等之立體圖，(b)係用以說明條狀部切下步驟及條狀部切斷步驟之條狀部之立體圖，(c)係用以說明條狀部切斷步驟之金屬板低電阻晶片電阻器(單片)之立體圖；
圖8係顯示關於本發明之實施形態例之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法之金屬板低電阻晶片電阻器之各尺寸關係之表；
圖9係顯示本發明之其他實施形態之金屬板低電阻晶片電阻器之製造步驟之流程圖；
圖10(a)係用以說明帶狀電阻金屬板切斷步驟之帶狀電阻金屬板之立體圖，(b)係用以說明帶狀電阻金屬板切斷步驟之矩形狀電阻金屬板之平面圖；
圖11(a)係用以說明電阻金屬板厚度測定步驟之電阻金屬板之立體圖，(b)係用以說明電阻金屬板厚度測定步驟之電阻金屬板之平面圖，(c)係用以說明電阻金屬板厚度測定步驟之電阻金屬板之剖面放大圖((b)之A1-A1線箭視剖面放大圖)；
圖12(a)係用以說明保護膜形成步驟之電阻金屬板等之立體圖，(b)係用以說明保護膜形成步驟之電阻金屬板等之平面圖，(c)係用以說明保護膜形成步驟之電阻金屬板等之剖面放大圖((b)之B1-B1線箭視剖面放大圖)；
圖13(a)係用以說明條狀切斷步驟之電阻金屬板等之立體圖，(b)係用以說明條狀切斷步驟之條狀部之立體圖，(c)係用以說明條狀切斷步驟之條狀部之剖面放大圖((b)之C1-C1線箭視剖面放大圖)；
圖14(a)係用以說明電極鍍敷膜形成步驟之條狀部之立體圖，(b)係用以說明電極鍍敷膜形成步驟之條狀部之剖面放大圖((a)之D1-D1線箭視剖面放大圖)；
圖15(a)係用以說明單片切斷步驟之條狀部之立體圖，(b)係用以說明單片切斷步驟之金屬板低電阻晶片電阻器(單片)之立體圖；
圖16(a)係顯示金屬板低電阻晶片電阻器之結構之立體圖，(b)係顯示前述金屬板低電阻晶片電阻器之結構之平面圖，(c)係顯示前述金屬板低電阻晶片電阻器之結構之(b)之E-E線箭視剖面圖；
圖17係顯示先前之金屬板低電阻晶片電阻器之製造步驟之流程圖；
圖18(a)係用以說明狹縫形成步驟之電阻金屬板之立體圖，(b)係用以說明狹縫形成步驟之電阻金屬板之平面圖，(c)係用以說明狹縫形成步驟之電阻金屬板之剖面放大圖((b)之F-F線箭視剖面放大圖)；
圖19(a)係用以說明保護膜形成步驟之電阻金屬板等之立體圖，(b)係用以說明保護膜形成步驟之電阻金屬板等之平面圖，(c)係用以說明保護膜形成步驟之電阻金屬板燈之剖面放大圖((b)之G-G線箭視剖面放大圖)；及
圖20係顯示關於先前之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法之金屬板低電阻晶片電阻器之各尺寸關係之表。
S11．．．帶狀電阻金屬板切斷步驟
S12．．．電阻金屬板厚度測定步驟
S13．．．保護膜形成步驟
S14．．．狹縫形成步驟
S15．．．電極鍍敷膜形成步驟
S16．．．條狀部切下步驟
S17．．．條狀部切斷步驟
Claims (4)
- 一種金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其特徵在於，其係使用矩形狀或帶狀電阻金屬板之晶片電阻器之製造方法，且藉由依序實施以下步驟而製造前述晶片電阻器：保護膜形成步驟，其對前述電阻金屬板之表面與背面各者，在前述電阻金屬板之寬度方向上形成複數個於前述電阻金屬板之長度方向延伸之保護膜；狹縫形成步驟，其在於前述寬度方向上鄰接之前述保護膜間，及位於前述寬度方向兩側之前述保護膜外側，於前述電阻金屬板上形成於前述電阻金屬板之長度方向延伸之狹縫，藉此使前述電阻金屬板成為具有寬度大於前述保護膜且於前述電阻金屬板之長度方向延伸之複數之條狀部、及分別連結前述複數之條狀部之長度方向之兩端之連結部之形狀；電極鍍敷膜形成步驟，其對未形成前述保護膜而露出前述電阻金屬板之前述條狀部之寬度方向之兩端部的表面，形成電極鍍敷膜；條狀部切下步驟，其將前述條狀部從前述連結部切下；及條狀部切斷步驟，其將前述條狀部切斷成複數個單片。
- 如請求項1之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其中：在前述保護膜形成步驟前，實施測定前述電阻金屬板之寬度方向之所要形成前述複數之保護膜的各位置之厚度之電阻金屬板厚度測定步驟，且在前述保護膜形成步驟中，根據前述電阻金屬板厚度測定步驟中所測定之前述電阻金屬板之寬度方向之各位置之厚度，設定各前述複數之保護膜之寬度。
- 一種金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其特徵在於，其係使用矩形狀或帶狀電阻金屬板之晶片電阻器之製造方法，且藉由依序實施以下步驟而製造前述晶片電阻器：保護膜形成步驟，其對前述電阻金屬板之表面與背面各者，在前述電阻金屬板之寬度方向上形成複數個於前述電阻金屬板之長度方向延伸之保護膜；條狀部切斷步驟，其在於前述寬度方向上鄰接之前述保護膜之間，及位於前述寬度方向兩側之前述保護膜之外側，在向前述電阻金屬板之長度方向延伸之切斷位置切斷前述電阻金屬板，藉此切下具有大於前述保護膜之寬度且向前述電阻金屬板之長度方向延伸之複數之條狀部；電極鍍敷膜形成步驟，其對未形成前述保護膜而露出前述電阻金屬板之前述條狀部之寬度方向之兩端部的表面，形成電極鍍敷膜；及單片切斷步驟，其將前述條狀部切斷成複數之單片。
- 如請求項3之金屬板低電阻晶片電阻器之製造方法，其中：在前述保護膜形成步驟前，實施測定前述電阻金屬板之寬度方向之所要形成前述複數之保護膜的各位置之厚度之電阻金屬板厚度測定步驟，且在前述保護膜形成步驟中，根據前述電阻金屬板厚度測定步驟中所測定之前述電阻金屬板之寬度方向之各位置之厚度，設定各前述複數之保護膜之寬度。
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