TWI432118B - A mask and a method for manufacturing the substrate using the mask, and a ball mounting device - Google Patents

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Description

掩膜及使用該掩膜的基板的製造方法、球裝設裝置
本發明係有關於可適合在將例如直徑為1mm以下的導電性球裝設於基板的多個電極中各個電極上時使用的掩膜(mask)、及使用該掩膜的基板的製造方法。
公知有在晶圓(半導體晶圓)上按規定排列圖案設置電極的技術。這樣的晶圓為了獲得電極與半導體等之間的電連接，在各個電極上排列(裝設)有焊錫球等導電性球。作為在設於晶圓上的各個電極上排列導電性球的方法，公知有如下方法：使按規定的掩膜圖案設置有開口部(孔)的掩膜與晶圓重疊，並使開口部與按規定的排列圖案(電極圖案)設置的電極相對應，借助該掩膜將導電性球排列於各個電極上。
在日本特開2006-5276號公報中公開的掩膜是用於在由規則配置的多個半導體晶片構成的晶圓的、按規定的排列圖案設置的電極上排列導電性球。該掩膜具有開口部和非開口部，該開口部與規定的排列圖案對應地形成，可供導電性球穿過。
在按規定的排列圖案設置的電極的上表面，印刷有規定厚度的用於使電極與導電性球結合的釺焊膏或焊劑焊藥，由此形成粘合膜。因此，在使掩膜與晶圓重疊時，為了避免粘合膜與掩膜接觸，該掩膜還具有形成於非開口部 下表面的凸部，且凸部形成於開口部的開口端周圍。
近年來，隨著處理速度的高速化、多功能化等，半導體裝置、電路基板等裝置的安裝電路也傾向於高密度化、細微化。因此，在製造上述那樣的裝置的過程中，裝設於半導體基板及/或電路基板上的電極形成用的導電性球(導電性粒子、微細粒子)也傾向於微小。
用於在這些基板上裝設導電性球的1個較佳的方法是使用具有多個孔的掩膜的方法，形成於該掩膜上的多個孔用於逐個控制導電性球裝設(配置)到基板上的位置。因此，孔的大小依賴於向基板裝設(配置)的物件的直徑、即導電性球的直徑。
掩膜越薄越難以處理。在使掩膜與基板對位(安裝)時，若在掩膜的與基板重疊的部分產生應變，則會產生各種問題。例如，若在掩膜上產生應變，則在掩膜與基板之間形成間隙，導電性球會進入到該間隙內。這些球可能會成為迷失球而配置在偏離基板上的期望位置的位置、或配置在不需要的位置(雙球)。
本發明的一個形態是用於將導電性球裝設於多個電極中各個電極上的掩膜，該多個電極包含於設於基板上的電極圖案中。該掩膜具有掩膜圖案、包圍掩膜圖案的具有第1厚度的第1區域、包圍該第1區域的第2區域。第2區域由於掩膜背面凹陷而比第1區域薄。掩膜圖案包含與多 個電極相對應地設置的多個孔。在該掩膜上，以使掩膜圖案與基板的電極圖案相對應的方式使掩膜與基板對位時，使第1區域與第2區域的交界位於基板的緣的內側，使第2區域向基板的緣的外側擴大。
採用本發明的一個形態的上述掩膜，掩膜背面凹陷，由比第1區域薄的第2區域包圍第1區域。另外，在使掩膜的掩膜圖案與基板的電極圖案相對應時，第1區域與第2區域的交界位於基板的緣的內側，第2區域向基板的緣的外側擴大。採用該掩膜，在使掩膜的掩膜圖案與基板的電極圖案對位了時，比第1區域薄的第2區域至少包含與基板的緣相對應(對峙)的區域，第2區域自基板的緣的內側向該緣的外側擴大。
為了使用該掩膜裝設導電性球，在使掩膜與基板對位了時，基板的緣與掩膜的第2區域相對，第2區域比第1區域薄。因此，提高掩膜在基板的緣處向基板的追隨性(適應性)。因此，可以抑制在掩膜上產生應變、或在掩膜與基板之間(典型的是在基板的緣的附近)形成間隙。因此，通過使用該掩膜，可以將導電性球良好地裝設於多個電極中各個電極上，該多個電極包含於設在基板上的電極圖案中。
形成該掩膜的方法之一是對掩膜的背面進行機械加工或蝕刻加工，並使第2區域比第1區域薄。形成該掩膜的其他方法之一是對掩膜背面進行添加(additive)加工，並使第1區域比第2區域厚。
該掩膜可以是第1區域外側的全部區域為第2區域。 並且，該掩膜還可以具有包圍第2區域的、由於該掩膜背面突出而比第2區域厚的第3區域。通過在第2區域周圍設置由於掩膜背面突出而比第2區域厚的第3區域，可以提高掩膜的強度。
具有第3區域的掩膜的一個形態為第1區域的厚度與第3區域的厚度相等。通過蝕刻加工或添加加工等容易製造上述那樣的掩膜。即，在進行蝕刻加工的情況下，可以通過僅蝕刻掩膜背面的第1~第3區域中的第2區域來製造上述那樣的掩膜。在進行添加加工的情況下，通過在第1區域與第3區域以相同條件形成金屬層，可以製造第1區域的厚度與第3區域的厚度相等的掩膜。
具有第3區域的掩膜的其他形態之一是第3區域的至少一部分比第1區域厚。其主要原因是，通過在第2區域的周圍設置由於掩膜背面突出而比第2區域厚的第3區域，可以提高掩膜強度。通過使第3區域的至少一部分比第1區域較厚，可以進一步提高掩膜的強度。多數情況下，掩膜被安裝(固定)於掩膜架上。第3區域的至少一部分比第1區域厚，進一步提高了掩膜強度，從而在將掩膜安裝於掩膜架上時，難以在掩膜上產生應變。
另外，具有第3區域的掩膜的其他形態之一是使第3區域背面的至少一部分與導向構件的上表面接觸。導向構件是包圍用於吸附支承基板背面的支承台的支承面、相對於支承面突出、包圍基板地配置的構件。第3區域背面的至少一部分為接觸部分，與導向構件的上表面接觸，從而 在使掩膜與基板對位時，可以更穩定地支承掩膜的高度。另外，在該情況下，也可以利用導向構件調整掩膜的高度。
具有第3區域的掩膜的其他方式之一是在第3區域背面的至少一部分與導向構件的上表面之間設有間隙。在使掩膜與基板對位時，可以防止掩膜(第3區域的至少一部分)與導向構件之間的干擾，可以防止導向構件妨礙調整掩膜高度。
基板包含印刷線路板(印刷電路板)、晶圓等。在基板包含印刷線路板的情況下，典型的第1區域為四邊形。另外，在基板包含晶圓的情況下，典型的第1區域為圓形。無論哪種情況，通過使基板的緣與比第1區域薄的第2區域相對，都可以提高掩膜基板的緣處向基板的追隨性(適應性)，可以抑制在掩膜上產生應變、或在掩膜與基板之間形成間隙。
本發明的其他形態為使用了上述掩膜的基板的製造方法。該製造方法包括以下工序。
(1)利用支承台吸附支承基板背面(吸附支承工序)。
(2)將用於將導電性球裝設於多個電極中各個電極上的掩膜與基板直接或間接地對位(對位工序)，該多個電極包含於設在基板上的電極圖案中。
掩膜具有掩膜圖案、第1區域和第2區域，該掩膜圖案包含與多個電極相對應地設置的多個孔；該第1區域包圍掩膜圖案、具有第1厚度；該第2區域包圍第1區域，由於掩膜背面凹陷而比第1區域薄。並且，在對位工序中， 使掩膜的掩膜圖案與基板的電極圖案相對應，並且使第1區域與第2區域的交界位於基板的緣的內側，使第2區域向基板的緣的外側擴大。另外，該製造方法包括以下工序。
(3)將多個導電性球供給到掩膜表面，將導電性球填充到包含於掩膜圖案中的多個孔中(填充工序)。
在該製造工序中，對位可以為掩膜與基板直接對位，還可以為例如通過使掩膜與支承台對位，從而間接地使掩膜與被支承台吸附支承的基板對位。
採用該製造方法，通過對位，使掩膜的掩膜圖案與基板的電極圖案相對應，並且使第1區域與第2區域的交界位於基板的緣的內側，使第2區域向基板的緣的外側擴大。即，採用該製造方法，由於基板的緣以與比第1區域薄的第2區域相對的方式被對位，因此，提高了掩膜在基板的緣處向基板的追隨性(適應性)。因此，可以抑制在掩膜上產生應變、或在掩膜與基板之間形成間隙。因此，可以通過將導電性球填充於包含在掩膜圖案中的多個孔中，借助掩膜將導電性球良好地裝設於基板的多個電極中各個電極上。
採用該製造方法，也可以使用還具有第3區域的掩膜，該第3區域包圍第2區域、由於掩膜的背面突出而比第2區域厚。另外，支承台也可以具有用於吸附支承基板背面的支承面、和導向構件，該導向構件包圍支承面、且配置成相對於支承面突出。
在對位時，也可以在第3區域背面的至少一部分與導 向構件的上表面之間設置間隙。由於掩膜(第3區域背面的至少一部分)不會被導向構件不慎向上方推起，因此，導向構件不會導致推起掩膜，從而不會在基板與掩膜之間產生間隙或產生需要程度以上的較大間隙。
另外，在對位時，也可以使第3區域背面的至少一部分與導向構件的上表面接觸。可以利用導向構件的上表面支承掩膜的第3區域背面的至少一部分、例如與基板周圍相對應的區域(與基板的緣相對應的區域)，或利用導向構件調整掩膜的高度。
本發明的另一個形態為用於將導電性球裝設於基板上的球裝設裝置。該球裝設裝置具有可在支承著基板背面的狀態(例如，吸附支承)下輸送基板的支承台、上述的掩膜、球填充裝置，該球填充裝置使該掩膜與被支承台支承的基板對位並將導電性球裝設於基板上。採用該球裝設裝置，可以將導電性球良好地裝設於多個電極中的各個電極上，該多個電極包含於設在基板上的電極圖案中。
另外，該球裝設裝置優選還具有焊劑焊藥塗覆裝置，該焊劑焊藥塗覆裝置用於在基板被輸送到球填充裝置之前，對被支承台支承的基板塗覆焊劑焊藥。典型的是，可以使在基板上塗覆焊劑焊藥、然後將導電性球裝設於基板上的工序為一連串的作業並自動進行上述工序。
下面，說明掩膜的一個實施例及基板的製造方法的一 個實施例。在該製造方法中，例如可以使用圖1所示的球裝設裝置。圖1用俯視圖表示球裝設裝置的一個例子的概略結構。圖1所示的球裝設裝置1是用於將導電性球裝設於多個電極中各個電極上的裝置，也被稱作球安裝裝置等，該多個電極包含於設在基板110上的電極圖案中。該球裝設裝置1具有球填充裝置9，可在球填充裝載9中安置掩膜90。該掩膜90具有多個孔，該多個孔形成固定的圖案(掩膜圖案)。該掩膜90為用於將導電性球配置於基板規定部位的、具有多個孔的球配置用板(金屬板)。通過球填充裝置9將導電性球填充於掩模圖案中所包含的多個孔中，可以借助該掩模90將導電性球裝設於基板110的電極圖案中所含有的多個電極的各個電極上。
因此，在該球裝設裝置1中，在製造基板110的過程(工序)中，實施使用掩模90將導電性球裝設於基板110的多個電極中的各個電極上的處理(工序)。
圖1所示的基板110為平面矩形狀(四邊形)的印刷線路板(印刷電路板)。圖2通過俯視圖表示印刷線路板的一個例子的概略結構。圖3放大表示被圖2中的圓Ⅲ包圍的區域。印刷線路板110也被稱作印刷佈線基板、印刷電路板、印刷電路基板、電路基板、或印刷基板等，包括安裝有半導體的半導體安裝基板、加強(built-up)基板、多層基板等。在印刷線路板110的一面(在本例子中為上表面)110a上設有包含多個電極112的電極圖案111。典型的是，在印刷線路板110上設有至少一個配置成矩陣狀或陣 列狀的、包含多個電極112的電極圖案111。並且，為了獲得電極112與半導體等之間的電連接，要求在印刷線路板110的多個電極112中的各個電極上裝設導電性球B。
如圖2及圖3所示，在用本例子裝設導電性球B的印刷線路板110上，通過印刷或其他方法設置(形成)有電極圖案111和與電極圖案111的電極112相關的佈線(未圖示)，該電極圖案111包含多個電極112，該電極圖案111設置成可呈矩陣狀或陣列狀安裝多個半導體晶片(半導體裝置)。在對各個電極112進行包含裝設導電性球B的處理之後，在該印刷線路板110上裝設半導體晶片，並對該半導體晶片進行軟溶(reflow)，從而將半導體晶片與佈線連接起來。然後，印刷線路板110也可切斷為包含適當數量的半導體晶片的基板。因此，在該印刷線路板110上設有多個電極圖案111，該多個電極圖案111配置有與各個半導體晶片的電極配置相對應的電極112。也可以將這些多個電極圖案111的集合作為1個電極圖案。
設於印刷線路板110上的電極112例如為焊盤(land)狀(凸狀)的電極(焊盤)(參照圖4)。另外，在印刷線路板110為多層基板等的情況下形成有保護層(rasist)。通過蝕刻等除去保護層的與電極112相對應的部分。因此，這種印刷線路板110中的電極部分有時也呈凹狀。
裝設於印刷線路板110的電極112上的導電性球B具有用於獲得電連接的功能，其直徑例如為1mm以下，具體地講為10~500μm左右。這種導電性球B也被稱作微小球 (微球)。導電性球B包括焊錫球(包含銀(Ag)、銅(Cu)等，主要成分由錫(Sn)構成的球)、金或銀等的金屬制球、以及對陶瓷制的球或塑膠制的球實施了導電性電鍍等處理的球。在本例子中，使用直徑90μm左右的焊錫球作為導電性球B。
圖1所示的球裝設裝置1包括裝載．卸載裝置2、XYZ θ支承台(移動台)3、搬運機器人4、對準器5、矯正裝置6、焊劑焊藥塗覆裝置(焊劑焊藥印刷裝置、網板印刷裝置)7、第1及第2攝像機8a及攝像機8b、球填充裝置9。矯正裝置6、焊劑焊藥塗覆裝置7、攝像機8a及8b及球填充裝置9沿X方向排列配置。
裝載．卸載裝置2是用於裝載(供給)及卸載(收納)印刷線路板110的裝置，具有第1箱2a與第2箱2b。對準器5是用於對印刷線路板110和支承台3進行粗對位(預對準)的裝置。矯正裝置6是用於矯正印刷線路板110的翹曲的裝置。焊劑焊藥塗覆裝置7是用於借助焊劑焊藥塗覆用掩膜7a，將結合印刷線路板110與導電性球B用的原料(焊劑焊藥)塗覆於印刷線路板110的多個電極112上的裝置。2個攝像機8a及8b用於分別檢測設於印刷線路板110上的2個對準標記(未圖示)、並求出裝設於支承台3上的印刷線路板110相對於支承台3的具體位置。球填充裝置9是用於將導電性球B填充於設在掩膜90上的多個孔92中的各個孔內，從而借助焊劑焊藥將導電性球B裝設(配置、排列)於印刷線路板110的多個電極112上的裝置。搬運機 器人4用於將印刷線路板110從裝載．卸載裝置2的第1箱2a搬入到對準器5的上方，將印刷線路板110從對準器5向支承台3搬送，將印刷線路板110從支承台3搬出到裝載．卸載裝置2的第2箱2b上。
支承台3具有X軸台、Y軸台、Z軸台及θ台。支承台3在通過負壓引等方法矯正了印刷線路板110的翹曲的狀態下，將該印刷線路板110的背面(下表面)110b吸附支承在支承台3的上表面(支承面，在本例子中為X-Y平面)21a上。在本例子中，支承台3以印刷線路板110的長度方向沿Y方向那樣的姿勢吸附支承印刷線路板110。
並且，支承台3使該印刷線路板110移動到矯正裝置6、焊劑焊藥塗覆裝置7、攝像機8a及8b、及球填充裝置9之間的任意位置。並且，支承台3可以沿X軸方向、Y軸方向、Z軸方向及θ方向調整印刷線路板110的位置(朝向)。將印刷線路板110吸附支承於支承台3上的方法的一個例子是負壓吸引，但將印刷線路板110吸附支承於支承台3上的方法並不限定於負壓吸引，也可以用靜電卡盤的方法，或也可並用這兩種方法。
圖4用局部放大的剖視圖表示球裝設裝置1中所包括的球填充裝置9的概略結構。圖5表示從下方看被安置於球填充裝置9上的、本發明第1實施例的掩膜90的狀態。圖5中的雙點劃線表示將掩膜90對位到印刷線路板110時的、印刷線路板110的緣(邊緣)113。圖6放大表示被圖5中的圓Ⅵ包圍的區域。
如圖1及圖4所示，球填充裝置9包括保持掩膜90的掩膜支架11、2個球分配器12a及12b、支承2個球分配器12a及12b的支承構件13、用於借助支承構件13使2個球分配器12a及12b向X及Y方向移動的分配器移動機構14、被裝設於分配器移動機構14上的第3攝像機15。
安裝於掩膜支架11上的掩膜90用於將導電性球B裝設於設在印刷線路板110上的多個電極112的各個電極上。如圖4~圖6所示，掩膜90具有與多個電極112相對應地設置的多個孔(微小開口、孔、微孔)92。本例子的掩膜90用於配置直徑90μm的焊錫球B，多個孔92的各個孔的直徑為90~100μm左右。另外，用於裝設球B的印刷線路板110，將分別包含多個電極112的多個電極圖案111配置成2維矩陣狀或陣列狀。
球裝設用掩膜90與被支承台3支承的印刷線路板110例如可以直接進行對位。在該例中，利用攝像機8a及8b檢測出裝設於支承台3上的印刷線路板110的2個對準標記，從而求出裝設於支承台3上的印刷線路板110相對於支承台3的具體位置。另外，利用裝設於分配器移動機構14上的攝像機15，從上方看掩膜圖案91的開口92與電極圖案111的電極112，使掩膜圖案91與電極圖案111對齊。通過這些處理(工序)，可以使球裝設用掩膜90與被支承台3支承的印刷線路板110具體地對位，可以使掩膜圖案91與電極圖案111高精度地對應。不限於該方法，也可以通過使用掩膜90的對準標記的檢測結果和印刷線路板110的 對準標記的檢測結果，使掩膜90與印刷線路板110直接對位。
球裝設用掩膜90與被支承台3支承的印刷線路板110也可以間接地對位。例如，利用裝設於分配器移動機構14上的攝像機15檢測支承台3的對準標記和掩膜的對準標記。並且，反映由攝像機8a及8b得到的偏置值(印刷線路板110相對於支承台3的偏置值)。通過這些處理(工序)，也可以借助支承台3使球裝設用掩膜90與被支承台3支承的印刷線路板110間接對位。
通過這些方法使球裝設用掩膜90與被支承台3支承的印刷線路板110直接或間接地對位，目的是使球裝設用掩膜90的掩膜圖案91與被支承台3支承的印刷線路板110的電極圖案111相對應(相對、面對)。因此，支承台3具有可使印刷線路板110沿X方向、Y方向及θ方向移動的部件。
在填充裝置9中，利用2個球分配器12a及12b向掩膜90的表面供給多個導電性球B，將導電性球B填充於分別包含在多個掩膜圖案91中的多個孔92內。由此，借助掩膜90，可以將導電性球B分別裝設於多個電極112上，該多個電極112分別包含於印刷線路板110的多個電極圖案111上。
更具體地講，首先，在對該掩膜90施加一定程度的張力(拉力)的狀態下，將該掩膜90安裝於掩膜架99上。掩膜90例如通過強力的雙面膠帶等固定於掩膜架99上。掩 膜90借助掩膜架99安置於設在球填充裝置9上的掩膜支架11上。
如圖1所示，2個球分配器12a及12b被支承構件13支承，利用包含X軸台14a及一對Y軸台14b及14c的分配器移動機構14，使2個球分配器12a及12b移動到掩膜90的表面(上表面)90a的2維方向的任意位置。另外，如圖4所示，2個球分配器12a及12b在掩膜90的表面90a上形成2個移動區域M1及M2。因此，獨立的2個導電性球B的集團Bg分別被保持於掩膜90的表面90a的不同部位M1及M2，該掩膜90被保持於掩膜支架11上。在該球填充裝置9中，以使移動區域M1及M2相互獨立或相互連動的方式，使2個球分配器12a及12b移動，從掩膜90的上方將導電性球B填充於多個孔92的各個孔中。
2個球分配器12a及12b實際上為相同結構。球分配器12a及12b分別具有圓盤狀的橡膠掃帚支架16、從橡膠掃帚支架16的下表面向掩膜90的上表面90a突出的橡膠掃帚17。橡膠掃帚支架16的中心與沿與掩膜90垂直的方向延伸的軸18連接。橡膠掃帚17比較柔和地與掩膜90的上表面90a接觸，只要是可以將該掩膜90上的導電性球B掃在一起即可。
2個球分配器12a及12b分別被電動機(未圖示)驅動而以軸18為中心旋轉。通過使2個球分配器12a及12b旋轉，導電性球B被從移動區域M1及M2周圍的區域集中到移動區域M1及M2的內部，從而避免逸散。因此，在由2 個球分配器12a及12b形成的圓形移動區域M1及M2分別保持由多個導電性球B構成的集團Bg。伴隨著球分配器12a及12b的移動，被保持於球分配器12a及12b上的導電性球B的集團Bg也移動。然後，被保持於圓形移動區域M1及M2的導電性球B依次被填充於掩膜90的孔92中，從而分別被裝設於印刷線路板110的電極112上。
另外，在本例子中，以具有2個球分配器的球填充裝置9為例進行說明，預先將掩膜90安置於球填充裝置9的掩膜支架11上。在安置有掩膜90的球填充裝置中，球分配器的數量可以為1個，也可以為具有3個以上球分配器的球填充裝置。另外，球填充裝置所具有的球分配器的類型並不限定於上述旋轉型，只要可將球B填充於掩膜90的多個孔92中即可。例如，也可以為使球B在掩膜90的上表面90a上往返移動，或一邊振動一邊使球B移動振入的類型的分配器(橡膠掃帚)。
近年來，為了使設於印刷線路板(印刷電路板)上的多個電極與半導體晶片相連接，研究了在印刷線路板上裝設導電性球、特別是直徑1mm以下的微細導電性球。將導電性球裝設於印刷線路板上的1個方法是使用上述的掩膜。使用具有包含多個開口部(多個孔)的掩膜圖案的掩膜的方法，作為在晶圓上的電極上裝設微細的導電性球、特別是直徑1mm以下的球的方法正被人們所關注。因此，在印刷線路板上的電極上裝設微細的導電性球的方法還需要進一步研究。
例如，由於矽片(半導體晶圓)硬且脆，因此加工時容易破裂或缺損。為了防止這個問題，對切出的圓板外周進行倒角處理(倒角)。因此，在使掩膜與晶圓重疊時，晶圓邊緣難以干擾掩膜。與此相對，印刷線路板存在通常無需倒角這樣的不同點。
印刷線路板110有時是切斷許多張基板而形成的，在這樣的情況下，在印刷線路板110的緣113有時會殘留有切割時產生的毛刺。另外，有時對印刷線路板110的表面實施電鍍處理，在這樣的情況下，在印刷線路板110的緣113有時異常析出電鍍。在借助掩膜90將微細的導電性球B裝設於印刷線路板110上時，若印刷線路板110的緣113的毛刺、電鍍的異常析出物等突起物與掩膜90相干擾，則難以控制印刷線路板110與掩膜90之間的間隙，導電性球B可能會進入到印刷線路板110與掩膜90之間，成為迷失球等問題的主要原因。
因此，本例子的掩膜90為了使導電性球B可在其上移動，其上表面90a為平坦的面，但加工下表面(背面)90b而使其厚度變化，即使在印刷線路板110的緣113上存在由毛刺、電鍍的異常析出物等產生的突起物，也難以使該突起物干擾掩膜90的下表面90b。因此，通過使用該掩膜90，可以抑制由印刷線路板110的緣113上存在的毛刺、電鍍的異常析出物等突起物引起的、難以控制印刷線路板110與掩膜90之間的間隙。另外，提高了掩膜90在印刷線路板110的緣113處向印刷線路板110的追隨性(適應 性)、即提高了即使在印刷線路板110的緣113上產生一些應變、傾斜等變位，掩膜90也會追隨其形狀的變位元而變形的性能。因此，可以抑制在掩膜90上產生應變、或在掩膜90與印刷線路板110之間(典型的是在印刷線路板110的緣113附近)形成間隙。
具體地講，該掩膜90具有多個掩膜圖案91、第1區域101和第2區域102；該多個掩膜圖案91分別包含配置成矩陣狀或陣列狀的多個孔92；該第1區域101為具有第1厚度d1(參照圖9)的四邊形，分別包圍多個掩膜圖案91；該第2區域102由於掩膜90的背面90b凹陷而具有比第1區域101厚度薄的第2厚度d2(參照圖9)，包圍第1區域101。另外，該掩膜90包含多個將多個孔92配置成矩陣狀或陣列狀的區域(包含一個掩膜圖案91的區域、以下稱作圖案區域)104。第2區域102以包括多個圖案區域104的方式包圍形成上述圖案區域104外周的第1區域101的更外側。掩膜90還具有第3區域103，該第3區域103包圍第2區域102的外周，具有由於掩膜90的背面突出而比第2區域102厚度厚的第3厚度d3(參照圖9)。
本例子的掩膜90的多個圖案區域104分別為由於掩膜90的背面90b凹陷而具有比第1區域101厚度薄的第4厚度d4的區域。由於第1區域101分別包圍多個圖案區域104，因此，掩膜90的背面90b具有第1區域101突出為格子狀的部分、以及在該突出的部分外側包圍突出為格子狀的部分的突出為框狀的部分。第1區域101的突出為框 狀的部分的外側為第2區域102，並相對於第1區域101凹陷。另外，由於第2區域102外側的第3區域103突出，因此，掩膜90的背面90b中的與第2區域102相對應的區域成為包圍第1區域101外周那樣的平面矩形狀的槽部。
在本例子的掩膜90中，第1區域101的厚度d1與第3區域103的厚度d3相等。多個圖案區域104的厚度d4分別相等，並且等於第2區域102的厚度d2。因此，本例子的掩膜90在厚度d1(即厚度d3)的板上形成有厚度d2(即厚度d4)的圖案區域104及第2區域102，可以在相同條件下通過對板進行蝕刻而比較簡單地形成這些區域102及104。相反，該掩膜90可以通過對厚度d2(即厚度d4)的板上進行添加加工而使其在相同條件下析出金屬等方式，來比較簡單地形成厚度d1(即厚度d3)的第1區域101和第3區域103。也可以通過機械加工等其他方法來製造該掩膜90。通過在作為基體的金屬板上電鑄(electroforming)或無電解電鍍鎳或鎳合金來形成本例子的掩膜90。
在該掩膜90中，在以掩膜90的掩膜圖案91與印刷線路板110的電極圖案111相對應的方式使掩膜90與印刷線路板110重疊(對位時)時，使掩膜90的第1區域101背面與印刷線路板110的上表面110a的未形成電極112的區域接觸。因此，利用第1區域101的厚度d1，可以將圖案區域104背面與電極112之間的間隙維持在規定值。因此，可以降低導電性球B進入到印刷線路板110與掩膜90之間而成為迷失球B的可能性。另外，由於第1區域101從掩 膜90的背面90b像肋一樣突出，因此，可以良好地保持掩膜90的強度。
另一方面，在使掩膜90與印刷線路板110重疊時，使掩膜90的第1區域101背面不與印刷線路板110接觸也是有效的。即，也可以在掩膜90的背面90b與印刷線路板110之間設置規定間隙。可以使形成於印刷線路板110表面的佈線不與掩膜90的背面90b接觸地裝設導電性球B。
圖7為支承台3的一個例子，用從上側看的圖表示。圖8表示在被支承台3支承的印刷線路板110上安置了掩膜90的狀態的一個例子。圖9放大表示掩膜90的第1區域101與第2區域102的交界E1附近。
支承台3包括支承台21、導向構件(引導印刷線路板110的構件、基板導向構件)22、掩膜支承構件23；該支承台21具有用於吸附支承基板(印刷線路板)110的背面110b的支承面21a；該導向構件22為配置成包圍印刷線路板110的框狀(框架狀)，包圍支承面21a，並相對於支承面21a突出；該掩膜支承構件23包圍基板導向構件22的上表面(上端面)22a，設置成可突沒的框狀(框架狀)。掩膜支承構件23的上表面(上端面)23a的外形大致為正方形，與掩膜90的第3區域103的一部分接觸，由印刷線路板110的外側(基板導向構件22的外側)支承掩膜90。
支承台3還包括多個第1驅動器(在圖8中僅圖示2個)24和4個第2驅動器(在圖8中僅圖示2個)25，該多個第1驅動器24沿支承台21的緣部大致等間隔地設置， 並可使支承台21上下移動；該4個第2驅動器25配置於掩膜支承構件23的四個角處，並可使掩膜支承構件23上下移動。這些驅動器24及25分別被1個或多個電動機驅動，可相連動或各自獨立地動作。因此，該支承台3可以利用第1驅動器24及/或第2驅動器25，使掩膜支承構件23的上表面23a相對於支承台21的支承面21a相對上下移動，相對調整掩膜90與印刷線路板110的表面110a之間的間隔。
基板導向構件22螺紋固定於支承台21的側壁，並且其上表面(上端面)22a相對於支承面21a向上方突出。利用支承台21與基板導向構件22形成了裝設印刷線路板110的空間，因此，在將印刷線路板110裝設於支承台3上時，可以將印刷線路板110配置(裝設、引導)於一定程度上已確定的位置。
支承台21的支承面21a被基板導向構件22包圍，形成為與印刷線路板110大致相同大小或稍大於印刷線路板110。支承面21a在通過負壓吸引矯正了印刷線路板110的翹曲的狀態下，可將該印刷線路板110的背面110b吸附支承於其上表面(支承面)21a上。因此，在支承台21上設置有用於通過吸附來支承印刷線路板110的、露出於支承面21a的多個吸附孔26。支承台21一邊吸附支承印刷線路板110，一邊被第1驅動器24驅動而在掩膜支承構件23內側(框內)上下移動。支承台3還具有4個銷(在圖8中僅圖示2個)27，其用於相對於支承面21a裝卸印刷線路板110，4 個銷27可相對於支承面21a出沒。圖7所示的設於支承面21a上的4個孔28是用於使這些銷27從支承面21a突出的孔。
基板導向構件22螺紋固定於支承台21的側壁，可調整基板導向構件22的上表面22a與支承台21的支承面21a之間的落差(高度)H。考慮印刷線路板110的厚度d來確定落差H。在本例子中，落差H調整為比印刷線路板110的厚度d小一些。因此，在印刷線路板110被設置於支承台21上時，印刷線路板110的表面110a呈比基板導向構件22的上表面22a突出一些的狀態。在改變作為球B的裝設對象的印刷線路板110，使印刷線路板110的厚度d變化時，可以與厚度d相應地改變落差H。
在填充裝置9中，可以在印刷線路板110被支承台21支承的狀態下，使掩膜90與印刷線路板110重疊，從而使掩膜90的掩膜圖案91與印刷線路板110的電極圖案111相對應。此時，掩膜90的第1區域101與第2區域102的交界E1位於印刷線路板110的緣113的內側，第2區域102向印刷線路板110的緣113的外側擴大地形成了掩膜90的第2區域102。在掩膜90與印刷線路板110對位時，背面凹陷的第2區域102覆蓋印刷線路板110的緣113及其附近。
即使印刷線路板110的緣113存在毛刺、電鍍的異常析出物等突起物，該突起物也會進入到形成於第2區域102背側(下側)的空間(掩膜90的第2區域102背面與印刷線 路板110的上表面110a之間)G2，本例子的掩膜90可以避開該突起物。因此，印刷線路板110的緣113的毛刺、電鍍的異常析出物等突起物不會與掩膜90的下表面90b接觸或相干擾，可以防止影響控制印刷線路板110與掩膜90之間的間隙。
即，在將導電性球B裝設於多個電極112中的各個電極上時，該多個電極112包含於設在印刷線路板110上的電極圖案111上，若使用該掩膜90，則可以預先防止由印刷線路板110的緣113上存在的毛刺、電鍍的異常析出物等突起物引起的、導致印刷線路板110與掩膜90之間的間隙(圖案區域104的間隙、掩膜90的圖案區域104背面與印刷線路板110的上表面110a之間)G4過大而使導電性球B進入到印刷線路板110與掩膜90之間而成為迷失球B那樣的問題。因此，可以抑制印刷線路板110的邊緣113的部分帶來的影響，可以將導電性球B良好地裝設於多個電極112的各個電極上，該多個電極112包含於設在印刷線路板110上的電極圖案111中。
另外，在使掩膜90與印刷線路板110重疊時，設有掩膜圖案91的區域(圖案區域104)與設有電極圖案111的區域(作為半導體晶片的區域)相對應。因此，掩膜90的背面90b中的與圖案區域104相對應的區域(圖案區域104的背面)與印刷線路板110接觸時，可能附著塗覆於電極112上的焊劑焊藥。為了使圖案區域104難以附著焊劑焊藥，在該掩膜90中，圖案區域104的背面比第1區域101背面更 凹陷。由於掩膜90的背面90b中的與圖案區域104相對應的區域為與成為平面矩形狀半導體晶片的部分(區域)相對應的大小的平面矩形狀的凹部，因此，在使掩膜90與印刷線路板110重疊時，可以在形成於圖案區域104下側的空間(掩膜90的圖案區域104背面與印刷線路板110的上表面110a之間)G4避開焊劑焊藥。
在本例子的掩膜90中，掩膜90的表面90a為了易於使球B移動而做成平面，背面90b有凸出和凹入(上下、凹凸、凸台(land)及槽)，與第2區域102相關地反映利用掩膜90裝設焊錫球的物件物、即印刷線路板110的外形(外周)形狀。另外，第1區域101的厚度d1與第3區域103的厚度d3也可以不必一定相等。並且，圖案區域104的厚度d4與第2區域102的厚度d2也可以不必一定相等。圖案區域104的厚度d4優選為：在使掩膜90與印刷線路板110重疊時，可在圖案區域104的背面與印刷線路板110的表面之間形成有間隙G4，該間隙G4為不會使塗覆於印刷線路板110的電極112上的焊劑焊藥附著在圖案區域104上的程度。並且，優選使球B不會流通到該間隙G4與印刷線路板110之間。通過設置第2區域102，可以高精度地設定符合上述那樣的要求的間隙。
例如，在第2區域102的厚度d2比圖案區域104的厚度d4厚的情況下，在可以進一步提高掩膜90的強度方面是理想的。在第2區域102的厚度d2比圖案區域104的厚d4薄的情況下，在第2區域102可成為柔軟、撓性 (flexibility)較高的狀態方面是理想的。通過設置第3區域103，可以進一步提高掩膜90的強度，但也可以沒有第3區域103。
在上述的例子中，以使基板導向構件22的上表面22a位於印刷線路板110表面的下方的方式，將基板導向構件22安置於支承台21上。另外，如圖9所示，使掩膜90的第1區域101與印刷線路板110的上表面110a接觸，當掩膜90重疊於印刷線路板110時，第2區域102與第3區域103的交界E2位於基板導向構件22的上表面22a的上方。因此，在掩膜90的第3區域103背面與基板導向構件22的上表面22a之間設有間隙(空隙)G3。掩膜90的第3區域103背面與基板導向構件22的上表面22a之間的間隙G3例如可以為10~50μm左右。在該例中，通過使掩膜90的背側不與基板導向構件22接觸，來避免基板導向構件22的高度影響圖案區域104的空隙G4。為了使掩膜90的背面不與基板導向構件22的上表面22a接觸，也可以將掩膜背側凹陷的第2區域102延伸設置到基板導向構件22的外側。在該例子中，將第3區域103延伸到基板導向構件22之上，儘量使容易降低掩膜強度的第2區域102狹窄。
圖10用流程圖表示球裝設裝置1的印刷線路板110的製造方法(製造過程)的概要。
在步驟201中，借助對準器5等將印刷線路板110裝設於支承台3上，利用支承台3吸附支承印刷線路板110的背面110b。在步驟202中，使支承台3移動到焊劑焊藥 塗覆裝置7的下方。在焊劑焊藥塗覆裝置7中，預先使安置於塗覆裝置7上的塗覆用掩膜7a與支承台3的印刷線路板110對位，借助掩膜7a將焊劑焊藥塗覆於印刷線路板110的多個電極112上。
在步驟203中，使裝設了由焊劑焊藥塗覆裝置7塗覆了焊劑焊藥的印刷線路板110的支承台3向球填充裝置9下方移動。使支承台3沿X方向、Y方向及/或θ方向移動，從而使掩膜90與印刷線路板110對位。對位方法之一是使用掩膜圖案91的開口92與電極圖案111的電極112直接對位。具體地講，利用對準器5使印刷線路板110與支承台3粗對位(預對準)，通過攝像機8a及8b檢測印刷線路板110的對準標記，從而進行印刷線路板110相對於支承台3的定位。然後，通過填充裝置9的攝像機15，借助規定的開口92檢測與開口92對應的規定電極112，從而進行掩膜90與印刷線路板110的對位。
在步驟203中，當進行對位從而使掩膜90的掩膜圖案91與印刷線路板110的電極圖案111相對應時，印刷線路板110的邊緣(緣)113位於掩膜90的第2區域102之下，邊緣113部分的毛刺等進入到第2區域102下方的空隙G2內。因此，即使在印刷線路板110的邊緣113上有毛刺等突起，也可將圖案區域104下側的空隙G4維持在預先設定的狀態。
另外，此時，在掩膜90的第3區域103背面與基板導向構件22的上表面22a之間設有間隙G3。因此，掩膜90 不會與基板導向構件22接觸，在這方面，也可以將圖案區域104下側的空隙G4維持在預先設定的狀態。
在步驟204中，對掩膜90的表面90a供給多個導電性球B，將導電性球B填充於包含在掩膜圖案91中的多個孔92內。由於掩膜90的上表面平坦，因此導電性球B隨著分配器在掩膜90上移動而填充於掩膜90的孔內。由於圖案區域104下側的空隙G4被維持在規定狀態，因此，可以防止產生迷失球於未然，如圖11所示，借助掩膜90將導電性球B裝設於印刷線路板110的多個電極112的各個電極上。
圖12表示與上述例子不同的、以使掩膜90的背面與基板導向構件22的上表面22a接觸的方式安置了填充裝置9的狀態。在該例子中，使基板導向構件22的上表面22a與支承台21的支承面21a之間的落差H與印刷線路板110的厚度d相等，將基板導向構件22安置於支承台21上。因此，在上述的步驟203中，當使印刷線路板110與掩膜90對位時，基板導向構件22的上表面22a與印刷線路板110的上表面110a高度相等。第2區域102與第3區域103的交界E2位於基板導向構件22的上表面22a，掩膜90的第3區域103背面的一部分成為接觸部分103c而與基板導向構件22的上表面22a接觸。接觸部分103c為基準，利用基板導向構件22的上表面22a控制第3區域103背面的高度方向位置，可支承掩膜90及/或調整掩膜90的高度。因此，可以利用基板導向構件22積極地控制在對位(重疊) 了時的掩膜90與印刷線路板110的高度關係。可以舉出用於更高精度且積極地控制圖案區域104的空隙G4的一個例子。
另外，也可以使基板導向構件22的上表面22a與支承台21的支承面21a之間的落差H大於印刷線路板110的厚度d。在該情況下，在上述步驟201中，當將印刷線路板110吸附支承於支承台3上時，基板導向構件22的上表面22a呈自印刷線路板110的上表面110a突出的狀態。在該狀態下，也可以利用基板導向構件22的上表面22a支承掩膜90，使掩膜90的背面90b以及第1區域101的背面不與印刷線路板110的上表面110a接觸。
像以上那樣，採用本例子的掩膜90，在使掩膜90的掩膜圖案91與印刷線路板110的電極圖案111相對應時，比第1區域101薄的第2區域102的背面至少與印刷線路板110的緣113相對峙。因此，即使在印刷線路板110的緣113上存在毛刺、電鍍的異常析出物等突起物，由於該突起物逃到變較薄的第2區域102的下側，因此，該突起物也難以與掩膜90的下表面90b接觸(干擾)。
因此，在使用該掩膜90將導電性球B裝設於印刷線路板110上時，印刷線路板110的緣113上存在的毛刺、電鍍的異常析出物等突起物，難以影響印刷線路板110與掩膜90之間的間隙控制。因此，不會產生或較少產生導電性球B進入到印刷線路板110與掩膜90之間而成為迷失球的情況，可以將導電性球B良好地裝設於多個電極112的各 個電極上，該多個電極112包含於設在印刷線路板110上的電極圖案111中。
如上述那樣，上述第1實施例的掩膜90適於在例如裝設直徑90μm的導電性球B時使用，在該情況下，第1區域101的厚度d1的一個例子例如為100μm。
另外，最有助於提高掩膜剛性的是相對於整體具有較大的面積比例的第1區域(包圍掩膜圖案91的區域、包圍圖案區域104的區域)101。通常是，所裝設的導電性球B的直徑越小，則第1區域101的厚度d1越薄，因此，所裝設的導電性球B的直徑越小，則掩膜的強度(掩膜的剛性)越低。
在本申請的發明人的實驗中可知：在掩膜的厚度(第1區域101的厚度d1)為100μm左右的情況(第1實施例的情況)下，可以得到比較良好的剛性，但當掩膜厚度(第1區域101的厚度d1)為90μm以下時，掩膜的剛性急劇降低。例如，第1區域101的厚度d1為80μm的掩膜的剛性，為第1區域101的厚度d1為100μm的掩膜的剛性的大致一半。當掩膜剛性變小時，掩膜呈波浪起伏狀，掩膜的平坦度降低。另外，當掩膜厚度(第1區域101的厚度d1)變薄時，掩膜具有均勻的張力而難以固定於掩膜架99上。當掩膜的平坦度降低或不能良好地將掩膜安裝於掩膜架上(在掩膜上產生應變的狀態下將其安裝於掩膜架上)時，就成為產生迷失球的原因，難以良好地將導電性球B裝設於基板110上。但是，第1區域101的厚度d1依賴於球直徑， 不能為了提高掩膜的剛性而自由改變其厚度d1。
本申請的發明人發現：通過加厚第3區域103的厚度d3、減小剛性較小的區域的面積，可以提高整個掩膜的剛性。即，上述第1實施例那樣的掩膜90，由於第3區域103的厚度d3與第1區域101的厚度d1相同，因此，當所裝設的導電性球B的直徑變小時，不僅是第1區域101的剛性變小，第3區域103的剛性也變小。就是說，剛性較小的區域的面積變大，該情況導致整個掩膜的剛性降低。由於第1區域101的厚度d1基本由導電性球B的直徑決定，因此，通過加厚不依賴於導電性球B直徑的第3區域103的厚度d3，使剛性較小的區域的面積變小。因此，可以提高整個掩膜的剛性。
表1一併示出對第1~第4區域的厚度、對應的導電性球的直徑、及將掩膜安裝於掩膜架上時在掩膜上產生的應變的評價結果。在將掩膜安裝於掩膜架上之後進行評價(特性評價)。表1中的評價基準如以下所示。
A 不產生應變
B 幾乎不產生應變
C 由於安裝導致產生應變
D 產生應變
E 產生較大的應變
在第1區域101的厚度d1為100μm時，即使第1區域101的厚度d1與第3區域103的厚度d3相等，在將掩 膜安裝於掩膜架上時，掩膜也幾乎不產生應變(參照試樣編號1的結果，評價B)。
但是，可知：當第1區域101的厚度d1為90μm時，在第1區域101的厚度d1與第3區域103的厚度d3相等的情況下，安裝導致產生應變(參照試樣編號2的結果，評價C)。還可知：當第1區域101的厚度d1小於90μm時，在第1區域101的厚度d1與第3區域103的厚度d3相等的情況下，產生應變(參照試樣編號5、9、11、13及15的結果，評價D~E)。
與此相對，可知：即使第1區域101的厚度d1小於90μm時，由於第3區域103的厚度d3比第1區域101的厚度d1厚，因此可以抑制產生應變(參照試樣編號6~8、10、12、14、16的結果，評價A~C)。另外，可知：在第1區域101的厚度d1為90μm的情況也是，通過使第3區域103的厚度d3比第1區域101的厚度d1厚，也可以進一步抑制產生應變(參照試樣編號3及4的結果，評價A~B)。
從上述評價結果也可知：若第3區域103的厚度d3為100μm以上，則掩膜不呈波浪起伏狀(不易彎)，幾乎沒有安裝時產生應變的問題。相反地，當第1區域101的厚度d1及第3區域103的厚度d3都為80μm以下時，掩膜呈波浪起伏狀(易彎)，安裝時容易產生比較大的應變。特別是，當第1區域101的厚度d1及第3區域103的厚度d3都為70μm以下時，這些問題更明顯。
因此，從掩膜的強度方面考慮，優選第1區域101的厚度d1及第3區域103的厚度d3為100μm以上。另外，即使第1區域101的厚度d1小於100μm，也可以通過使第3區域103的厚度d3比厚度d1厚而在一定程度上避免產生應變。即，第3區域103的厚度d3優選大於等於第1區域101的厚度d1。特別是，在第1區域101的厚度d1為90μm以下時，進一步優選厚度d3至少比厚度d1厚10μm。更優選為，第3區域103的厚度d3為100μm以上。第3區域103的厚度為d3的部分(區域)也可以不覆蓋第2區域102外側的所有掩膜。例如，第3區域103也可以以構成肋、橫檔或梁的方式設置較厚的部分，也可以階段性地設置較厚的部分。
可以認為作為可以通過加厚第3區域103的厚度d3來抑制整個掩膜產生應變的理由是，由於提高第3區域103(掩膜的外周部(外延部))的剛性，因此使第1區域101(掩膜的中心部(中央部))也難以呈波浪起伏狀。相反，可以認為，當第3區域103(掩膜的外周部(外延部))的剛性較低時，甚至連第1區域101(掩膜的中心部(中央部))都容易產生應變。
另外，在第2區域102背面設置槽的目的是避開基板的緣的毛刺，在圖案區域104背面設置凹陷目的是避開焊劑焊藥。因此，在上述評價中，使用第2區域的厚度d2與圖案區域104的厚度d4相等的掩膜作為試樣，但第2區域的厚度d2與圖案區域104的厚度d4也不一定非要相等。
另外，如上述那樣，這種掩膜(作用試樣的掩膜)典型的是可以通過鎳或鎳合金的電鑄、無電解電鍍等來形成。根據組成、電鑄條件(電鍍條件)等，所形成的掩膜的強度有一些不同，但若考慮到在維護等方面在搬運掩膜時使掩膜不容易被外力損壞，掩膜厚度(第1區域101的厚度d1)優選為20μm左右(所對應的導電性球B的直徑為15μm左右)以上，厚度d1更優選為大致30μm以上。當掩膜厚度在為20μm以下時，在現實中要求非常慎重地進行搬運。另一方面，即使是厚度(也包含第1區域101的厚度d1)為1mm左右或1mm以上的掩膜，也可以通過適當的製造方法來製造。在半導體安裝技術中，球直徑為500μm左右以上的在其他技術中也能實現。因此，使用上述那樣的掩膜的球振入方法在球直徑為500μm左右以下時是有用的。並且，在球直徑為100μm以下特別有效。如表1所示，確認了球直徑為100μm~35μm的應用效果顯著，可充分推定球直徑為10μm左右的應用效果顯著。
圖13表示本發明不同實施例(第2實施例)的掩膜。在圖13中，表示第2實施例的掩膜與被支承台支承的印刷線路板對位了的狀態，還用剖面(端面)圖放大表示掩膜的第1區域與第2區域的交界附近。
在該第2實施例的掩膜190上，第3區域103的厚度d3比第1區域101的厚度d1厚。另外，還使該掩膜190的第2區域102的寬度大於第1實施例的掩膜90的第2區域102的寬度。更具體地講，第1實施例是使第2區域102 與第3區域103的交界E2位於基板導向構件22的上表面22a上或上方(第2區域102與第3區域103的交界E2與基板導向構件22的上表面22a相對應)。但是，本實施例是使第2區域102與第3區域103的交界E2位於越過基板導向構件22的位置(第2區域102與第3區域103的交界E2與基板導向構件22的外側相對應)，擴大了第2區域102的寬度。
採用本例子的掩膜190，由於第3區域103的厚度d3比第1區域101的厚度d1厚，因此，可以抑制掩膜的應變。另外，印刷線路板這樣的基板110誤差較大，1條邊的長度有時會變動幾毫米左右。本例子的掩膜190由於擴大了第2區域102的寬度，因此，即使在各個基板110之間在1條邊的長度上有幾毫米左右的差異，也可以使基板110的緣113與第2區域102相對，使毛刺、電鍍的異常析出物等突起物逃到形成於第2區域102背側(下側)的空間(掩膜190的第2區域102的背面與印刷線路板110的上表面110a之間)G2中。
如圖13所示，在使用本例子的掩膜190的情況下，在第2區域102的背面與基板導向構件22的上表面22a接觸的狀態下，使基板110與掩膜190對位即可。即，優選第2區域102具有與基板導向構件22的上表面22a接觸的接觸部分102c。由於可以用基板導向構件22借助接觸部分102c支承剛性較小的第2區域102，因此，可以抑制第2區域102彎曲而使掩膜190撓曲。或者，也可以將接觸部 分102c作為基準，以在第2區域102的背面與基板導向構件22的上表面22a之間設置間隙的方式，包含基板110與掩膜190的高度方向位置地進行對位。
圖14表示本發明另一個不同實施例(第3實施例)的掩膜。在圖14中，表示第3實施例的掩膜與被支承台支承的印刷線路板對位了的狀態，還用剖面(端面)圖放大表示掩膜的第1區域與第2區域的交界附近。
在第3實施例的掩膜290上，第3區域103的一部分比第1區域101的厚度d1厚。具體地講，第3區域103具有內側區域103a和外側區域103b；該內側區域103a在第2區域102的外側，其厚度d3a與第1區域101的厚度d1相等；該外側區域103b在該內側區域103a的外側，其厚度d3b比第1區域101的厚度d1厚。
另外，在本實施例的掩膜290中，以使第2區域102、與第3區域103的內側區域103a的交界E2a位於基板導向構件22的上表面22a上或上方(第2區域102與第3區域103的內側區域103a的交界E2a與基板導向構件22的上表面22a相對應)的方式，形成了內側區域103a。另外，在本實施例中，以使第3區域103的內側區域103a與外側區域103b的交界E2b位於超過基板導向構件22的位置(第3區域103的內側區域103a與外側區域103b的交界E2b與基板導向構件22的外側相對應)的方式，形成內側區域103a和外側區域103b。
如上述那樣，可以通過提高掩膜的外周部(外延部)的 剛性來抑制掩膜中心部(中央部)的應變。也可以加厚整個第3區域103的厚度，但通過使第3區域103的外側區域103b的厚度d3b比第1區域101的厚度d1厚，也可以抑制掩膜的應變。
如圖14所示，在使用本例子的掩膜290的情況下，將第3區域103的內側區域103a背面的一部分作為接觸部分103c，優選在接觸部分103c與基板導向構件22的上表面22a接觸的狀態下，使基板110與掩膜290對位。可以借助接觸部分103c，由基板導向構件22的上表面22a控制第3區域103的內側區域103a背面的高度方向位置，可以支承掩膜290及/或調整掩膜290的高度。或者，也可以以在第3區域103的內側區域103a背面與基板導向構件22的上表面22a之間設置間隙的方式使基板110與掩膜290對位。可以防止掩膜290(第3區域103的內側區域103a)與基板導向構件22相干擾，可以防止基板導向構件22妨礙調整掩膜290高度。
圖15表示本發明的第4實施例的掩膜。在圖15中，環狀的雙點畫線表示使掩膜390與基板310對位時的基板310的緣(邊緣)113的位置。圖15表示第4實施例的掩膜390與被支承台支承的基板對位了的狀態。另外，圖16用剖面(端面)圖放大表示掩膜390的第1區域與第2區域的交界附近。
在本例子中，使用圓形狀的半導體晶圓作為基板310。半導體晶圓310還設有配置成矩陣狀或陣列狀的至少1個 電極圖案111，這些電極圖案111包含多個電極112。並且，為了獲得電極112與半導體等之間的電連接，要求將導電性球B裝設於半導體晶圓310的多個電極112中的各個電極上。
用於將導電性球B裝設於該基板310上的掩膜390，具有多個配置成矩陣狀或陣列狀的掩膜圖案91、第1區域101和第2區域102；該多個掩膜圖案91分別包含多個孔92；該第1區域101分別包圍多個掩膜圖案91，具有第1厚度d1；該第2區域102包圍第1區域101，由於掩膜390的背面90b凹陷而具有比第1區域101薄的第2厚度d2。
另外，該掩膜390包含多個區域(圖案區域)104，該多個區域104配置有矩陣狀或陣列狀的多個孔92。第2區域102包括多個圖案區域104，並包圍形成上述圖案區域104外周的第1區域101的更外側。掩膜390還具有第3區域103，該第3區域103包圍第2區域102的外周，由於掩膜390的背面突出而具有比第2區域102厚的第3厚度d3。第1區域101為與基板310的形狀相對應的圓形，第2區域102為圓環狀(環狀)的槽。另外，可以使第3區域103的厚度d3與第1區域101的厚度d1相等，也可以使第3區域103的厚度d3或第3區域103至少一部分的厚度大於第1區域101的厚度d1。
另外，在借助掩膜390將導電性球B裝設於半導體晶圓310上的情況下，也可以在支承台3上設置導向構件22。典型的是，在基板為半導體晶圓310的情況下，不在支承 台3上設置導向構件22。另外，如圖16所示，支承台21的周緣150呈凹狀。因此，在被支承台3支承的基板(半導體晶圓)310與掩膜390對位了時，基板310的緣113呈上表面(上端)不與掩膜390接觸、且其下表面(下端)不與支承台21接觸的狀態。
另外，如圖16所示，第3區域103被可出沒地設置的框狀(框架狀)掩膜支承構件23支承。可省略第3區域103，在該情況下，第2區域102的一部分被掩膜支承構件23支承。另外，如基於表1說明的那樣，在基板310為半導體晶圓的情況下，也優選設置第3區域103，並且，優選第3區域103的厚度d3比第1區域101的厚度d1厚。並且，優選第3區域103的厚度d3比第1區域101的厚度d1大至少10μm左右。並且，優選第3區域103的厚度d3大於90μm。並且，更優選第3區域103的厚度d3大於100μm。
第2區域102的效果是所裝設的球的直徑越小就越大。在球的直徑超過200μm的情況下，球裝設錯誤的發生率與使用無第2區域102的掩膜的情況相比沒有大的差別。但是，在裝設於基板上的球的直徑為200μm以下時，通過使用具有第2區域102的掩膜390，與使用無第2區域102的掩膜(無槽掩膜)的情況相比，球裝設錯誤的發生率變小。
例如，在球的直徑為150μm的情況下，通過使用掩膜390，球裝設錯誤的發生率與使用無槽掩膜的情況相比大約變小至其4/5。在球的直徑為100μm的情況下，通過使用 掩膜390，球裝設錯誤的發生率與使用無槽掩膜的情況相比大約變小至其1/2。在球的直徑為75μm的情況下，通過使用掩膜390，球裝設錯誤的發生率與使用無槽掩膜的情況相比大約變小至其1/4。在球的直徑為50μm的情況下，通過使用掩膜390，球裝設錯誤的發生率相對於使用無槽掩膜的情況大約變小至其1/10。
可以認為，這是由於提高了掩膜390在半導體晶圓310的緣113處的追隨性(適應性)。即，可以認為，在基板310的緣113的形狀變化或變位(例如，微小的基板應變、變形等)方面，提高了掩膜390進行追隨變化的性能。並且，可以認為，在使掩膜390與基板310對位時，也可以抑制在掩膜390的與基板310重疊的部分的端部殘存微小的應變或變形。因此，通過使用掩膜390，可以抑制在掩膜390與半導體晶圓310之間(典型的是在半導體晶圓310的緣113附近)形成間隙。
因此，包含上述第2區域102的掩膜90、190、290及390，不僅適用於將導電性球B裝設於印刷線路板上的情況，也適用於將導電性球B裝設於半導體晶圓上的情況，可以將導電性球B良好地裝設於包含在電極圖案111中的多個電極112中的各個電極上。
另外，掩膜也可以是包圍圖案區域104的第1區域101的整個外側為第2區域102。通過設置包圍第2區域102的、由於該掩膜背面90b突出而比第2區域102厚的第3區域103，可以進一步提高掩膜強度。另外，第2區域102 背面的形狀不限於像上述例子那樣凹陷成臺階狀。第2區域102與第1區域101及第3區域103的交界部分可以為斜面或曲面，也可以為將斜面、曲面、垂直面等多個形狀的面組合起來的形狀。
另外，上述例子所示的基板形狀、電極圖案、設於掩膜上的掩膜圖案只不過是例示，並不僅限定於此。基板的外周形狀不限於長方形，也可以為正方形或圓形，還可以為其他多邊形。典型的印刷線路板為長方形或正方形這樣的多邊形，典型的半導體晶圓為圓形。另外，設於這些基板上的電極圖案並不一定反復為矩陣狀。另外，如上所述，將導電性球填充於掩膜中的方法不限定於使用旋轉型分配器的方法。使用本發明的掩膜的裝置，不限定於具有上述塗覆裝置及球填充裝置的球裝設裝置，也可以為其他結構，例如，不具有塗覆裝置的球裝設裝置、包含矯正裝置(repair)或軟溶裝置的球裝設裝置。本發明的基板製造方法不限於適用於上述球裝設裝置，也適用於使用包含於本發明的掩膜的其他球裝設裝置或球填充裝置。
21‧‧‧支承
22‧‧‧導向構件
23‧‧‧掩膜支承構件
90‧‧‧掩膜
90a‧‧‧表面
90b‧‧‧背面
91‧‧‧掩膜圖案
92‧‧‧孔
101‧‧‧第1區域
102‧‧‧第2區域
103‧‧‧第3區域
104‧‧‧圖案區域
110‧‧‧印刷線路板
111‧‧‧電極圖案
112‧‧‧電極
113‧‧‧邊緣
d1‧‧‧第1厚度
d2‧‧‧第2厚度
d3‧‧‧第3厚度
d4‧‧‧第4厚度
B‧‧‧導電性球
E1‧‧‧交界
圖1是表示球裝設裝置的一個例子的概略結構的俯視圖。
圖2是表示印刷線路板的一個例子的俯視圖。
圖3是放大表示被圖2中的圓Ⅲ包圍的區域的圖。
圖4是放大表示圖1的球裝設裝置所具有的球填充裝 置的概略結構的圖。
圖5是從下側看本發明的第1實施例的掩膜的圖。
圖6是放大表示被圖5中的圓Ⅵ包圍的區域的圖。
圖7是從上側看支承台的一個例子的圖。
圖8是表示在被支承台支承的印刷線路板上安置了掩膜的狀態的一個例子的圖。
圖9是放大表示圖8中的掩膜的第1區域與第2區域的交界附近的圖。
圖10是用於說明印刷線路板的製造方法的一個例子的流程圖。
圖11是表示將導電性球填充於圖9中的掩膜的孔中的狀態的圖。
圖12是在被支承台支承的印刷線路板上安置了掩膜的狀態的其他例子，是放大表示掩膜的第1區域與第2區域的交界附近的圖。
圖13是將本發明的第2實施例的掩膜安置於被支承台支承的印刷線路板上的狀態的一個例子，是放大表示第1區域與第2區域的交界附近的圖。
圖14是將本發明的第3實施例的掩膜安置於被支承台支承的印刷線路板上的狀態的一個例子，是放大表示第1區域與第2區域的交界附近的圖。
圖15是從下側看本發明的第4實施例的掩膜的圖。
圖16是將圖15的掩膜安置於被支承台支承的半導體晶圓上的狀態的一個例子，是放大表示第1區域與第2區 域的交界附近的圖。
3‧‧‧支承台
21‧‧‧支承
21a‧‧‧支承面
22‧‧‧導向構件
22a‧‧‧上表面(上端面)
23‧‧‧掩膜支承構件
23a‧‧‧上表面(上端面)
90‧‧‧掩膜
90a‧‧‧表面
90b‧‧‧背面
91‧‧‧掩膜圖案
92‧‧‧孔
101‧‧‧第1區域
102‧‧‧第2區域
103‧‧‧第3區域
104‧‧‧圖案區域
110‧‧‧印刷線路板
110a‧‧‧表面
110b‧‧‧背面
111‧‧‧電極圖案
112‧‧‧電極
113‧‧‧邊緣
d‧‧‧厚度
d1‧‧‧第1厚度
d2‧‧‧第2厚度
d3‧‧‧第3厚度
d4‧‧‧第4厚度
E1‧‧‧交界
E2‧‧‧交界
G2‧‧‧空隙
G3‧‧‧間隙
G4‧‧‧間隙
H‧‧‧落差(高度)

Claims (11)

  1. 一種掩膜，該掩膜(90、190、290、390)用於將導電性球(B)裝設於多個電極(112)中的各個電極上，該多個電極(112)包含於設在基板(110、310)上的電極圖案(111)中，其中，該掩膜(90、190、290、390)具有：掩膜圖案(91)，其包含多個孔(92)，上述多個孔(92)設置為與上述多個電極(112)相對應；第1區域(101)，其具有第1厚度(d1)，包圍上述掩膜圖案(91)；第2區域(102)，其包圍上述第1區域(101)，由於該掩膜(90、190、290、390)的背面(90b)凹陷而比上述第1區域(101)薄；在以使該掩膜(90、190、290、390)的掩膜圖案(91)與上述基板(110、310)的電極圖案(111)相對應的方式使該掩膜(90、190、290、390)與上述基板(110、310)對位了時，上述第1區域(101)與上述第2區域(102)的交界(E1)位於上述基板(110、310)的邊緣(113)的內側，上述第2區域(102)向上述基板(110、310)的邊緣(113)的外側擴大，其中，該掩膜(90、190、290、390)還具有第3區域(103)，該第3區域(103)包圍上述第2區域(102)，由於該掩膜(90、190、290、390)的背面(90b)突出而比上述第2區域(102)厚。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的掩膜(90、190、290、390)，其中，上述第3區域(103)背面的至少一部分為用於與支承台(3)的一部分接觸的接觸部分(103c)，該支承台(3)具有用於吸附支承上述基板(110、310)的背面(110b)的支 承面(21a)；上述支承台(3)包括配置成包圍上述基板(110、310)的導向構件(22)，該導向構件(22)包圍上述支承面(21a)，且相對於上述支承面(21a)突出；上述接觸部分(103c)與上述導向構件(22)的上表面(22a)接觸。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的掩膜(90、190、290、390)，其中，上述第3區域(103)的厚度(d3)與上述第1區域(101)的厚度(d1)相等。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的掩膜(90、190、290、390)，其中，上述第3區域(103)的至少一部分比上述第1區域(101)厚。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述的掩膜(90、190、290、390)，其中，上述基板(110、310)包含印刷線路板(110)，上述第1區域(101)為四邊形。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述的掩膜(90、190、290、390)，其中，上述基板(110、310)包含半導體晶圓(310)，上述第1區域(101)為圓形。
  7. 一種基板的製造方法，用於製造基板(110、310)，其中，該基板的製造方法包括：吸附支承工序，用支承台(3)吸附支承上述基板(110、310)的背面(110b)；對位工序，使掩膜(90、190、290、390)與上述基板(110、310)直接或間接地對位，該掩膜(90、190、290、390)用於將導電性球(B)裝設於多個電極(112)中的各個電極上，該多個 電極(112)包含於設在上述基板(110、310)上的電極圖案(111)中；上述掩膜(90、190、290、390)包括掩膜圖案(91)、第1區域(101)和第2區域(102)；該掩膜圖案(91)包含與上述多個電極(112)相對應地設置的多個孔(92)；第1區域(101)包圍上述掩膜圖案(91)，具有第1厚度(d1)；第2區域(102)包圍上述第1區域(101)，由於該掩膜(90、190、290、390)的背面(90b)凹陷而比上述第1區域(101)薄；在上述對位工序中，使上述掩膜(90、190、290、390)的掩膜圖案(91)與上述基板(110、310)的電極圖案(111)相對應，且使上述第1區域(101)與上述第2區域(102)的交界(E1)位於上述基板(110、310)的邊緣(113)的內側，使上述第2區域(102)向上述基板(110、310)的邊緣(113)的外側擴大；該基板的製造方法還具有填充工序，在填充工序中，對上述掩膜(90、190、290、390)的表面(90a)供給多個導電性球(B)，將導電性球(B)填充到上述掩膜圖案(91)中所含有的多個孔(92)中。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的基板的製造方法，其中，上述掩膜(90、190、290、390)還具有第3區域(103)，該第3區域(103)包圍上述第2區域(102)，由於該掩膜(90、190、290、390)的背面(90b)突出而比上述第2區域(102)厚；上述支承台(3)包括支承面(21a)和導向構件(22)；上 述支承面(21a)用於吸附支承上述基板(110、310)的背面(110b)；該導向構件(22)包圍上述支承面(21a)，相對於上述支承面(21a)突出，且被配置成包圍上述基板(110、310)；上述對位工序包含在上述第3區域(103)背面的至少一部分與上述導向構件(22)的上表面(22a)之間設置間隙(G3)的工序。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的基板的製造方法，其中，上述掩膜(90、190、290、390)還具有第3區域(103)，該第3區域(103)包圍上述第2區域(102)，由於該掩膜(90、190、290、390)的背面(90b)突出而比上述第2區域(102)厚；上述支承台(3)包括支承面(21a)和導向構件(22)；上述支承面(21a)用於吸附支承上述基板(110、310)的背面(110b)；該導向構件(22)包圍上述支承面(21a)，相對於上述支承面(21a)突出，且被配置成包圍上述基板(110、310)；上述對位工序包含使上述第3區域(103)背面的至少一部分與上述導向構件(22)的上表面(22a)接觸的工序。
  10. 一種球裝設裝置，該球裝設裝置(1)用於將導電性球(B)裝設於基板(110、310)中，其中，該球裝設裝置(1)包括：支承台(3)，其可在支承上述基板(110、310)的背面(110b)的狀態下輸送上述基板(110、310)；申請專利範圍1項所述的掩膜(90、190、290、390)；球填充裝置(9)，其在上述掩膜(90、190、290、390) 與被上述支承台(3)支承的上述基板(110、310)對位後、將導電性球(B)裝設於上述基板(110、310)中。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的球裝設裝置(1)，其中，該球裝設裝置(1)還具有焊劑焊藥塗覆裝置(7)，該焊劑焊藥塗覆裝置(7)在上述基板(110、310)被輸送到上述球填充裝置(9)之前，對被上述支承台(3)支承的上述基板(110、310)塗覆焊劑焊藥。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101107179B1 (ko) 2009-09-25 2012-01-25 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 정렬 장치 및 마스크 정렬 방법
WO2011104934A1 (ja) * 2010-02-23 2011-09-01 シャープ株式会社 表示装置
JP2011181676A (ja) * 2010-03-01 2011-09-15 Bonmaaku:Kk ボール搭載マスク及びその製造方法
JP5479959B2 (ja) * 2010-03-15 2014-04-23 日本特殊陶業株式会社 はんだバンプを有する配線基板の製造方法、はんだボール搭載用マスク
KR20180130989A (ko) * 2017-05-31 2018-12-10 주식회사 티지오테크 프레임 일체형 마스크
JP7064749B2 (ja) * 2018-02-22 2022-05-11 アスリートＦａ株式会社 ボール搭載装置
KR20190127018A (ko) * 2018-05-03 2019-11-13 주식회사 티지오테크 모판 및 마스크의 제조방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04163553A (ja) * 1990-10-29 1992-06-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd スクリーン印刷用メタルマスクの製造方法
JPH11345816A (ja) * 1998-05-29 1999-12-14 Furukawa Electric Co Ltd:The はんだバンプ形成方法および装置
JP4130526B2 (ja) * 2000-11-10 2008-08-06 株式会社日立製作所 バンプ形成方法およびその装置
JP4427793B2 (ja) * 2004-08-12 2010-03-10 日立金属株式会社 導電性ボールの搭載装置
JP4664146B2 (ja) * 2005-04-20 2011-04-06 九州日立マクセル株式会社 導電性ボール配列用マスク及びその製造方法
JP4848162B2 (ja) * 2005-09-26 2011-12-28 アスリートＦａ株式会社 導電性ボールを搭載する装置および方法
JP4930776B2 (ja) * 2007-01-30 2012-05-16 澁谷工業株式会社 ボール配列マスク

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