TWI431805B - 具有至少一光學半導體元件之裝置 - Google Patents

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TWI431805B
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Stefan Gruber
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Description

具有至少一光學半導體元件之裝置
本發明關於一種具有至少一光學半導體元件之裝置。
本發明主張優先權，依據德國專利申請案第102007060206.7號，於此揭露作為參考。
電子裝置中應用多種不同的殼體，在許多情況中，半導體裝置設置於金屬載體之上，並由一射出成形的化合物封裝完成。若殼體外部有輻射照射，載體元件、電子裝置或者部份殼體會產生反射，則無施加電壓的光學半導體裝置會產生其放射輻射的效果。
本發明之目的在於具體說明一種具有至少一光學半導體元件之裝置，該裝置較佳地可被保護以避免不必要的反射。
上述本發明之目的可藉由本發明之申請專利範圍第1項之技術特徵來達成。
一具有至少一光學半導體元件之裝置，包含一適於裝載至少一光學半導體元件之載體元件，光學半導體元件可以是一放射輻射半導體元件。其中，載體元件具有一表面，且該表面包含至少一連接區域，而光學半導體元件則耦合至連接區域。此外，該裝置可包含一塑膠形成的殼體，而殼體設置於載體元件上，且殼體包含一高台區以及一嵌壁區，高台區和嵌壁區之間具有一傾斜面，該嵌壁區延伸至(reaches as far as)光學半導體元件。另外，該塑膠可以是可吸收光線的顏色，例如黑色。
在一較佳實施例中，殼體之高台區以及嵌壁區至少部份地設置於載體元件之上。在另一較佳實施例中，嵌壁區覆蓋載體元件面向光學半導體元件101之表面的一大部份，例如百分之六十或者更多，較佳地可為百分之七十或者更多。在另一較佳實施例中，可為百分之八十或者更多。在另一較佳實施例中，本發明之裝置可以不包含具有嵌壁區的殼體，該殼體設置於載體元件的光學半導體元件架設處之上。
在一較佳實施例中，嵌壁區與載體元件相隔很遠，且連接區域也沒有和次要連接區域緊密相連。在另一較佳實施例中，嵌壁區呈垂直方向於連接區域和次要連接區域的後方遠處突起。此外，嵌壁區可至少部份地沿著光學半導體元件而遠離載體元件。
嵌壁區可延伸至光學半導體元件，較佳地，嵌壁區可直接可延伸至光學半導體元件。在本實施例中，嵌壁區可直接沿著光學半導體元件延伸，其中特別指嵌壁區之側邊直接接觸光學半導體元件之側邊，在另一較佳實施例中，嵌壁區之所有側邊可直接接觸光學半導體元件之側邊。
在另一較佳實施例中，嵌壁區之側邊中只有部份區域直接設置於光學半導體元件之側邊，而嵌壁區之側邊與光學半導體元件之側邊只有部份區域直接接觸。舉例而言，嵌壁區之側邊朝載體元件傾斜，使得直接設置於載體元件上的嵌壁區之側邊的部份區域與光學半導體元件之側邊直接接觸。
在一替代實施例中，嵌壁區和光學半導體元件之間可設置一間隔距離。在一較佳實施例中，嵌壁區和光學半導體元件之間的間隔距離為500微米或者更少，亦可為300微米或者更少。在另一較佳實施例中，嵌壁區和光學半導體元件之間的間隔距離為200微米或者更少，特別亦可為100微米或者更少。嵌壁區可與光學半導體元件隔開，或者是嵌壁區可分離地位於光學半導體元件的周圍。
載體元件之連接區域較佳地可為電性的連接區域以用於光學半導體元件，光學半導體元件特別可以電性導體連接至連接區域，例如以導電黏著劑或可導電之焊料。
在一實施例中，殼體之高台區具有一高台區高度以及一高台區寬度，而高台區高度以及該高台區寬度可使光線放射角為140度或者更大。
舉例而言，附加電子元件耦合至載體元件，或者被塑膠之殼體圍繞以設置於載體元件之上。在本實施例中，載體元件之表面具有次要連接區域耦合至附加電子元件，該耦合方式特別可為電性導體連接。
在另一實施例中，載體元件包含一導電材料，特別可為一導電金屬，例如銅。載體元件可由具電性傳導特性的至少兩個部份所形成，但該至少兩個部份彼此電性絕緣。
在一較佳實施例中，殼體塊體設置於載體元件的至少兩個部份之間。在另一較佳實施例中，殼體塊體設置於載體元件的至少兩個部份之間，同時位於表面之上且與光學半導體元件相隔一段距離，該殼體塊體延伸至載體元件的表面，其中該載體元件的表面亦與光學半導體元件相隔一段距離。在一實施例中，殼體塊體沒有從載體元件底面呈垂直方向於載體元件的後方遠處突起，使得載體元件底面呈現沒有突起的平面外形，因此載體元件底面可包含一外部架設的平面區域，例如印刷電路板。
在一實施例中，連接區域居中位於載體元件表面之上。在另一實施例中，載體元件包含一耦合至次要連接區域的連接線，並且與光學半導體元件形成電性連接。在一實施例中，殼體之嵌壁區延伸至連接線之接觸區域。
載體元件可包含光傳遞(light-transmissive)蓋體，該蓋體設置於至少一高台區並且覆蓋光學半導體元件。該殼體可包含可吸收光線的材料，以減低來自載體元件外部的反射光線。在一較佳實施例中，該可吸收光線的材料實際上並不吸收由光學半導體元件放射之光線。在另一較佳實施例中，可吸收光線的材料可吸收百分之五十或更少比例的由光學半導體元件放射出之光線，亦或者可為百分之三十或更少比例，較佳地可為百分之十或更少比例。
為了前述目的，光傳遞蓋體可包含一結構表面。
在另一實施例中，載體元件可包含光傳遞蓋體組件，例如一透鏡，該透鏡設置於至少一高台區，並且覆蓋至少一光學半導體元件。
一光傳遞之填充材料設置於殼體之高台區圍繞的一開口，該填充材料包含可擴散光線的材料以擴散由光學半導體元件放射之光線。此外，該填充材料可包含可吸收光線的材料以減低來自載體元件外部的反射光線，例如碳黑或石墨。在一較佳實施例中，該填充材料實際上並不吸收由光學半導體元件放射之光線，在另一較佳實施例中，填充材料可吸收百分之五十或更少比例的由光學半導體元件放射出之光線，亦或者可為百分之三十或更少比例，較佳地可為百分之十或更少比例。
在另一較佳實施例中，光學半導體元件為發光二極體，其中特別可為光學半導體元件晶片。
本發明之進一步的詳細之技術特徵、優點、實施例與較佳元件組合揭露於以下實施方式段落以及圖式之中。
第一圖係顯示根據本發明之一實施例的具有至少一光學半導體元件之裝置示意圖。第一圖顯示一光學半導體元件101、連接線102、殼體103以及載體元件108，殼體103包含高台區104以及嵌壁區105，且高台區105和嵌壁區105之間具有傾斜面115。另外，載體元件108具有表面109，且該表面109包含連接區域110以及次要連接區域111。
在一較佳實施例中，殼體103的高台區104以及嵌壁區105部份地設置於載體元件108之上，而嵌壁區105較佳地與載體元件108相隔很遠，且連接區域110也沒有和次要連接區域111緊密相連。在另一較佳實施例中，嵌壁區105呈垂直方向於連接區域110和次要連接區域111的後方遠處突起。
在本實施例中，載體元件108包含第一部份118以及第二部份119，而該第一部份118以及第二部份119藉由殼體塊體112而彼此電性絕緣。
在一較佳實施例中，殼體塊體112至少設置於載體元件108的第一部份118以及第二部份119之間。較佳地，殼體塊體112設置於載體元件108的至少兩個部份之間，同時位於表面109之上且與光學半導體元件101相隔一段距離，該殼體塊體112延伸至載體元件108的表面109，其中該載體元件108的表面109亦與光學半導體元件101相隔一段距離。在一實施例中，殼體塊體112沒有從載體元件底面114呈垂直方向於載體元件108的後方遠處突起，使得載體元件底面114呈現沒有突起的平面外形，因此載體元件底面114可包含一外部架設的平面區域，例如印刷電路板。
光學半導體元件101設置於連接區域110之上，且藉由連接線102而具有一電壓，另外，連接線102與次要連接區域111相連，且可施加電壓至光學半導體元件101。
在一較佳實施例中，光學半導體元件101為發光二極體，特別可為發光二極體晶片。
載體元件108可由導電材料所製成，用以電性連接光學半導體元件101，例如金屬。另外，載體元件108可為一金屬層，例如銅，該金屬層劃分成數個部份，而該數個部份彼此電性絕緣。前述的載體元件108電性連接光學半導體元件101，可藉由載體元件底面114之上的一接觸部來達成，該載體元件108因此具有位於殼體103的一外部電性連接部。在本實施例中，殼體103不需要具備延伸到外部的條狀連接導體，載體元件底面114之上的一接觸部可焊接於印刷電路板，舉例而言，也就是前述一外部電性連接部。
殼體103可由一盡可能不反射光線的材料所製成，舉例而言，殼體103可由黑色塑膠所製成，另外，殼體103也可以由載體元件108上的多個元件所構成。殼體103的高台區104具有一高台區高度106以及一高台區寬度107，而高台區高度106以及該高台區寬度107使得由光學半導體元件101放射之光線具有廣角113，舉例而言，廣角113可以在130度至170度之間，例如160度，而高台區高度106可以在100微米至300微米之間。另外，前述由光學半導體元件101放射之光線的接收部件必須可接收廣角113的最大可能角度。
殼體103的嵌壁區105盡可能覆蓋載體元件108的表面109。在一較佳實施例中，嵌壁區105覆蓋載體元件108面向光學半導體元件101之表面109的一大部份，例如百分之六十或者更多，較佳地可為百分之七十或者更多。在另一較佳實施例中，可為百分之八十或者更多，更佳地可為百分之九十或者更多。此外，嵌壁區105從傾斜面115延伸並延伸至光學半導體元件101或者連接線102的接觸區域，因此嵌壁區105延伸至位於載體元件108之上並且側邊面向光學半導體元件101的表面109。
嵌壁區105可與光學半導體元件101隔開，或者是嵌壁區105可分離地位於光學半導體元件101的周圍。
在一較佳實施例中，本發明之裝置可以不包含殼體，特別是不包含具有嵌壁區的殼體，該殼體設置於載體元件的光學半導體元件架設處之上。
舉例而言，嵌壁區高度120介於50微米至200微米之間，光學半導體元件與嵌壁區之距離121可以為50微米或者更多，在另一實施例中，光學半導體元件與嵌壁區之距離121可以介於150微米至200微米之間。
在一替代實施例中，嵌壁區可直接延伸到光學半導體元件。在一實施例中，嵌壁區可直接沿著光學半導體元件而延伸。在另一實施例中，嵌壁區之側邊的部份區域直接延伸到光學半導體元件之側邊，而嵌壁區之側邊朝載體元件傾斜，使得直接設置於載體元件上的嵌壁區之側邊的部份區域與光學半導體元件之側邊直接接觸。
參照第三圖，一附加電子元件被殼體圍繞並且設置於載體元件之上，舉例而言，該附加電子元件為一電路保護以避免受到靜電放電。在本實施例中，高台區高度106介於200微米至300微米之間，或者再增加2微米，該些附加電子元件的遇熱膨脹效果可因為黑色殼體而充份忽略。
載體元件的連接區域較佳地可為電性的連接區域以用於光學半導體元件和電子元件，光學半導體元件和電子元件特別可以電性導體連接至連接區域，例如以導電黏著劑或可導電之焊料。
第二圖顯示根據本發明之又一實施例的具有至少一光學半導體元件之裝置，其包含光學半導體元件201、連接線202、殼體203以及載體元件208，殼體203包含高台區204以及嵌壁區205，而載體元件208具有表面209，且該表面209包含連接區域210。另外，蓋體212具有蓋體表面213，且本發明之具有至少一光學半導體元件之裝置另包含填充材料214。
光學半導體元件201耦合至載體元件208的連接區域210，且藉由連接線202以及210而具有一電壓，殼體塊體211將載體元件208分隔為兩個部份，而該兩個部份則藉由殼體塊體211而彼此電性絕緣。此外，為了盡可能覆蓋載體元件208上的前述元件及區域，殼體203的嵌壁區205盡可能地靠近光學半導體元件201。舉例而言，為了防止連接線202處產生最大可能程度的反射，蓋體212包含可吸收光線的材料，例如碳黑、石墨或黑色顏料。
在一較佳實施例中，可吸收光線的材料實際上不吸收由光學半導體元件放射出之光線，在另一較佳實施例中，可吸收光線的材料可吸收百分之五十或更少比例的由光學半導體元件放射出之光線，亦或者可為百分之三十或更少比例，較佳地可為百分之十或更少比例。
此外，蓋體也可以包含額外減少反射的構造表面，該蓋體可以一簡單方式固定於殼體之高台區之上，例如黏著固定。
透明之填充材料214設置於殼體203之高台區204圍繞的一開口，舉例而言，填充材料214於嵌壁區205以及光學半導體元件201之上填充至高台區204的高度，該填充材料之填充高度也可以高過高台區204的高度。藉由此例可知，填充材料可突出高台區之高度約50微米至500微米。另外，在本實施例中，蓋體212設置於填充材料214之上。
填充材料可使用可吸收光線的材料以額外減少反射，例如碳黑或石墨。舉例而言，填充材料可包含0.1%的可吸收光線之材料，亦可以包含低於0.1%的可吸收光線之材料，例如介於0%到0.1%之間，進而減低不具助益的散射光線及反射光線。舉例而言，載體元件、電性連接部、或者本發明之裝置的其他元件皆有可能產生散射光線及反射光線。
為了達到耦合輸出光線的最大寬度，填充材料可包含可擴散光線的材料，舉例而言，填充材料可包含可10%可擴散光線的材料，亦可以包含介於0%到10%之間的可擴散光線之材料。當可擴散光線的材料擴散由光學半導體元件放射之光線時，本發明之裝置放射之光線範圍可因此而擴大。為了使載體元件中的填充材料具有較佳的附著力，殼體中可具有紋路。
第三圖顯示根據本發明之一實施例的具有至少一光學半導體元件之裝置，其包含光學半導體元件301、連接線302殼體之高台區304和嵌壁區305，以及載體元件308。載體元件308具有表面309，該表面309包含連接區域310，在本實施例中，殼體具有殼體塊體311，且殼體塊體311適合將載體元件308分隔為數個部份，另外，連接線302的一端與光學半導體元件301，連接線302的另一端與載體元件308的連接區域連接。
參照第三圖，本實施例之裝置具有設置於載體元件308之上的電子元件313，例如保護二極體、驅動元件或是電阻器。電子元件313可提供電壓至載體元件308，殼體塊體311可將載體元件308分隔為數個部份，而該數個部份彼此電性絕緣，且一電壓由本發明之裝置的外部經由載體元件308而施加至電子元件。
電子元件313可被殼體完整地圍繞，且複數個此類電子元件可設置於殼體之中，由於本發明之裝置的附加之電子元件設置於殼體內，因此該些附加電子元件不會產生反射光線。
參照第三圖，本實施例之裝置具有設置於殼體之高台區304之上的透鏡312，任何一種光學組件皆可以替代該透鏡312，舉例而言，該光學組件可以黏著固定的方式固定於殼體之高台區304之上。
透鏡312可具有一角度使得由光學半導體元件放射之光線放射至一預設之範圍，在一實施例中，該角度為40度以下；在另一實施例中，該角度介於20度至30度之間；原則上，任一個預設角度的大小皆應使用可對應該角度的光學組件。
第四圖顯示根據本發明之一實施例的具有至少一光學半導體元件之裝置，其包含三個各自具有連接線402的光學半導體元件401，另包含殼體之高台區403和嵌壁區404，光學半導體元件以及連接線402皆各自接觸連接至連接區域409，且殼體具有側邊長度405以及次要側邊長度406。
連接區域至少要與光學半導體元件加上架設公差一樣大，或者連接區域至少要與連接線之電性連接部加上架設公差一樣大。舉例而言，光學半導體元件具有一0.2毫米的側邊長度，而架設公差介於10微米至100微米之間。
在本實施例中，三個光學半導體元件設置成一列，然而，三個光學半導體元件亦可以設置成不同的配置外形，例如三角形或菱形外形，三個光學半導體元件亦可以設置於一對稱外形的中心。
在本實施例中，光學半導體元件可以各自放射不同波長範圍的光線，舉例而言，一光學半導體元件放射綠光，一光學半導體元件放射藍光，而另一光學半導體元件放射紅光，再舉例而言，一整合光線之放射光譜可由不同的光譜範圍所構成。此外，殼體的預設面積尺寸以側邊長度405以及次要側邊長度406所構成，舉例而言，側邊長度可為6毫米，側邊長度也可以為2毫米，或是介於3毫米到5毫米之間。
如果複數個本發明之裝置彼此相鄰，則位於其上的光學半導體元件之間的預設距離應合適於該些裝置的側邊長度和次要側邊長度。舉例而言，該預設距離為5毫米，側邊長度405和次要側邊長度406減去架設公差則為5毫米，再舉例而言，該架設公差可介於20微米至100微米之間。另外，其餘裝置的光學半導體元件之間的預設距離也應對照此一設定。
第五圖顯示根據本發明之一實施例的具有至少一光學半導體元件之裝置，其包含各自具有連接線502的光學半導體元件501，另包含第二光學半導體元件511、殼體之高台區503和嵌壁區504，以及連接區域509。
在本實施例中，該些光學半導體元件各自耦合至連接區域，該些光學半導體元件被殼體之嵌壁區所圍繞，該些嵌壁區的外側與殼體之高台區相鄰。第二光學半導體元件511的面積比光學半導體元件501來的大，另外，放射相同光譜範圍的兩個或多個光學半導體元件可以替代該較大的第二光學半導體元件511，舉例而言，本發明之裝置的一整合光線因此可擴大至紅色光譜範圍。放射光譜中的各種範圍可產生具有各種光譜範圍的光線，而不僅限於前述例子。
第六圖顯示根據本發明之另一實施例的具有光學半導體元件裝置陣列601，其包含第一側邊長度604、第二側邊長度605以及顯示器602，該顯示器602具有主要側邊長度606和次要側邊長度607，且該顯示器602與光學半導體元件裝置陣列601相距一間距603。該光學半導體元件裝置陣列601包含施加電壓時可放射光線之光學半導體元件，在本實施例中，前述元件構成一液晶顯示器之背光板。
舉例而言，根據本發明之光學半導體元件裝置陣列可設置於一矩陣裝置中，為了此一目的，必須先預設各別的光學殼體尺寸，例如根據各別的光學半導體元件裝置之間的距離來決定殼體尺寸，例如前述距離預設為5毫米。如果該光學半導體元件裝置陣列中的光學半導體元件裝置的數量較多，亦可從中區隔成數個具有特定數量光學半導體元件裝置陣列。
舉例而言，主要側邊長度606為36毫米和次要側邊長度607為18毫米的顯示器可用於一具有4×8的光學半導體元件裝置陣列。再者，光學半導體元件裝置陣列601之第一側邊長度604以及第二側邊長度605的最小尺寸，可依照顯示器602之主要側邊長度606和次要側邊長度607，以及顯示器602與光學半導體元件裝置陣列601之間的間距603計算出來，舉例而言，根據以下公式即可算出本發明之光學半導體元件裝置陣列之光線放射角α：
根據本發明之第六圖的實施例，光學半導體元件裝置陣列601中的每一個光學半導體元件裝置可包含一個光學半導體元件，當然，該每一個光學半導體元件裝置亦可包含複數個光學半導體元件，例如本發明第四圖的實施例。另外，該每一個光學半導體元件裝置也可以各別地在殼體上設置光學組件，例如本發明第三圖的實施例，其中該光學組件可以為一透鏡，而該光線放射角介於10度到30度之間。
光學半導體元件裝置陣列601的尺寸設定，必須在此一間距603之間使得整體發光區域盡可能具有均質地照亮顯示器602，此一目的可藉由設定每一個光學半導體元件裝置彼此之間的距離以及整個殼體的結構尺寸，以及藉由設定透鏡的光線放射角來達成。此外，根據本發明的光學半導體元件之裝置的用途為，當顯示器被照射時，暗區和亮區之間可具有高對比的效果。
101．．．光學半導體元件
102．．．連接線
103．．．殼體
104．．．高台區
105．．．嵌壁區
106．．．高台區高度
107．．．高台區寬度
108．．．載體元件
109．．．表面
110．．．連接區域
111．．．次要連接區域
112．．．殼體塊體
113．．．廣角
114．．．載體元件底面
115．．．傾斜面
118．．．第一部份
119．．．第二部份
120．．．嵌壁區高度
121．．．光學半導體元件與嵌壁區之距離
201．．．光學半導體元件
202．．．連接線
203．．．殼體
204．．．高台區
205．．．嵌壁區
208．．．載體元件
209．．．表面
210．．．連接區域
211．．．殼體塊體
212．．．蓋體
213．．．蓋體表面
214．．．填充材料
301．．．光學半導體元件
302．．．連接線
304．．．高台區
305．．．嵌壁區
308．．．載體元件
309．．．表面
310．．．連接區域
311．．．殼體塊體
312．．．透鏡
313．．．電子元件
401．．．光學半導體元件
402．．．連接線
403．．．高台區
404．．．嵌壁區
405．．．側邊長度
406．．．次要側邊長度
409．．．連接區域
501．．．光學半導體元件
502．．．連接線
503．．．高台區
504．．．嵌壁區
509．．．連接區域
511．．．第二光學半導體元件
601．．．光學半導體元件裝置陣列
602．．．顯示器
603．．．間距
604．．．第一側邊長度
605．．．第二側邊長度
606．．．主要側邊長度
607．．．次要側邊長度
α．．．光線放射角
第一圖係顯示根據本發明之一實施例的具有至少一光學半導體元件之裝置示意圖。
第二圖係顯示根據本發明之又一實施例的包含光傳遞殼體之具有至少一光學半導體元件之裝置示意圖。
第三圖係顯示根據本發明之又一實施例的包含透鏡之具有至少一光學半導體元件之裝置示意圖。
第四圖係顯示根據本發明之另一實施例的具有三個光學半導體元件之裝置俯視圖。
第五圖係顯示根據本發明之另一實施例的具有三個光學半導體元件之裝置俯視圖，其中一個光學半導體元件大於其他兩個光學半導體元件。
第六圖係顯示根據本發明之另一實施例的光學半導體元件裝置陣列俯視圖，該光學半導體元件裝置陣列用於一顯示器之照明。
101．．．光學半導體元件
102．．．連接線
103．．．殼體
104．．．高台區
105．．．嵌壁區
106．．．高台區高度
107．．．高台區寬度
108．．．載體元件
109．．．表面
110．．．連接區域
111．．．次要連接區域
112．．．殼體塊體
113．．．廣角
114．．．載體元件底面
115．．．傾斜面
118．．．第一部份
119．．．第二部份
120．．．嵌壁區高度
121．．．光學半導體元件與嵌壁區之距離

Claims (16)

  1. 一種具有至少一光學半導體元件之裝置，其包含：一載體元件，其適於裝載至少一光學半導體元件，並且具有一表面，該表面包含至少一連接區域，而該光學半導體元件耦合至該至少一連接區域；以及一由可吸收光線之塑膠形成的殼體，其設置於該載體元件上，並且包含至少一高台區、至少一嵌壁區以及一傾斜面，其中該傾斜面位於該至少一高台區和該至少一嵌壁區之間，且該至少一嵌壁區延伸至該至少一光學半導體元件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其中該殼體由至少二個設置於載體元件上的分離之部份所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其中該可吸收光線之塑膠為黑色。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其中該高台區具有一高台區高度以及一高台區寬度，以使得由該至少一光學半導體元件放射之光線的放射角為140度或者更大。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其包含一連接線和至少一次要連接區域，其中該連接線與該至少一光學半導體元件形成電性連接，並且該連接線耦合至該至少一次要連接區域，該至少一嵌壁區延伸至該至少一次要連接區域。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其包含至少一電子元件，該電子元件耦合至該載體元件，並且被該殼體完整地圍繞。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其包含一光傳遞蓋體，該光傳遞蓋體設置於該至少一高台區並且覆蓋該至少一光學半導體元件。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其中該光傳遞蓋體包含一可吸收光線的材料，以減低來自該載體元件之外部的反射光線。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其中該光傳遞蓋體包含一結構表面，以減低來自該載體元件 之外部的反射光線。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其包含一光傳遞蓋體組件，該光傳遞蓋體組件是一透鏡，該光傳遞蓋體組件設置於該至少一高台區，並且覆蓋該至少一光學半導體元件。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其包含一光傳遞之填充材料，該光傳遞之填充材料設置於該至少一高台區圍繞的一開口，並且圍繞該至少一光學半導體元件。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其中該光傳遞之填充材料包含一可擴散光線的材料，以擴散由該至少一光學半導體元件放射之光線。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其中該光傳遞之填充材料包含一可吸收光線的材料，以減低來自該載體元件之外部的反射光線。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之具有至少一光學半導體元件之 裝置，其中該可吸收光線的材料包含碳黑及/或石墨。
  15. 如申請專利範圍第8項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其中該可吸收光線的材料包含碳黑及/或石墨。
  16. 一種如申請專利範圍第1項或第2項所述之具有至少一光學半導體元件之裝置，其包含：一第一平面，其設置於該光學半導體元件之裝置的一範圍區域上；一第二平面，其與該第一平面相隔一段距離，該至少一連接區域以及該至少一光學半導體元件設置於其上；一第三平面，其另外與該第一平面相隔一段距離，並決定該嵌壁區之一頂面(top side)；一第四平面，其另外與該第一平面相隔一段距離，且該高台區向上延伸至該第四平面。
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