TWI430947B - 三氯矽烷之製造方法，三氯矽烷之製造裝置，以及多結晶矽之製造方法 - Google Patents

Description

三氯矽烷之製造方法，三氯矽烷之製造裝置，以及多結晶矽之製造方法

本發明，係有關於使四氯矽烷與氫作反應而轉換為三氯矽烷的三氯矽烷之製造方法以及三氯矽烷製造裝置，還有使用有三氯矽烷之製造方法的多結晶矽之製造方法。

高純度多結晶矽，例如係以三氯矽烷(SiHCl₃ ：略稱為TCS)、四氯矽烷(SiCl₄ ：略稱為STC)、以及氫作為原料，並經由次式(1)所示之三氯矽烷的氫還元反應、次式(2)所示之三氯矽烷的熱分解反應，而可製造之。

SiHCl₃ ＋H₂ →Si＋3HCl………(1) 4SiHCl₃ →Si＋3SiCl₄ ＋2H₂ ………(2)

成為上述製造方法之原料的三氯矽烷，係藉由使金屬矽與氯化氫相反應而製造粗三氯矽烷，並將其作蒸餾精製而得到。又，經由將從上述生成反應之排出氣體而作蒸餾分離所回收之四氯矽烷作為原料，能夠經由次式(3)所示之附加氫的轉換反應，而產生三氯矽烷。

SiCl₄ ＋H₂ →SiHCl₃ ＋HCl………(3)

作為製造此三氯矽烷之裝置，例如，係週知有在專利 文獻1中所記載之轉換反應裝置(轉化爐)。此轉換反應裝置，被發熱體所包圍之反應室，係具備有經由同心配置之2個管所形成的外室與內室的雙重室，在此反應室之下部，係被設置有熱交換器，經由該熱交換器，而於反應室連接有供給氫與四氯矽烷之原料氣體供給管路、和從反應室而將反應生成氣體排出之排出管路，在上述熱交換器中，被供給至反應室之供給氣體，係由從反應室所排出之反應生成氣體而被傳達有熱量，並被作預熱，同時，進行被排出之反應生成氣體的冷卻。

又，例如在專利文獻2中，係提案有：將四氯矽烷與氫導入之反應室內，並在600℃~1200℃之溫度下而使其進行轉換反應，經由此而得到包含有三氯矽烷與氯化氫之反應生成氣體，同時，具備有將從反應室所導出之上述反應生成氣體，例如以在1秒之內而達到300℃以下一般之冷卻速度來作急速冷卻的冷卻手段者。

[專利文獻1]日本專利第3781439號公報 [專利文獻2]日本特公昭57－38524號公報

然而，在專利文獻1所記載之三氯矽烷的製造裝置中，於反應室下部之熱交換器處，雖係經由與被供給之原料氣體進行熱交換，而進行有反應生成氣體之冷卻，但是，在將反應生成氣體冷卻的過程中，三氯矽烷係與氯化氫產 生反應，而產生分解為四氯化矽(STC)與氫之上述反應式(3)的逆反應。於此，在先前技術之熱交換器所致的冷卻中，由於冷卻速度係為慢，因此並無法充分抑制上述逆反應之發生，而會有使對三氯矽烷之轉換率降低一般的問題。此問題，係在以更高之溫度來進行轉換反應的情況時，會變得更大，特別是在超過1200℃之溫度下，係變得顯著。

又，如同專利文獻2所記載一般，經由以1秒以下之極短的時間來急速冷卻至上述逆反應幾乎不會產生的300℃以下，雖然能夠抑制上述反應式(3)之逆反應，但是，在此種急速冷卻的情況時，於冷卻過程中，係週知有：例如如同以下之反應式(4)所示一般，SiCl₂ 與SiCl₄ 會反應，而副生成聚合物。此SiCl₂ ，係如同以下之反應式(5)所示一般，為經由三氯矽烷之分解所產生的中間產生物，而在高溫下會大量產生。如此這般，聚合物之副生成，係在以更高之溫度來進行轉換反應的情況時，會變得更大，特別是在超過1200℃之溫度下，係變得顯著。

SiCl₂ ＋SiCl₄ →Si₂ Cl₆ ………(4) SiHCl₃ →SiCl₂ ＋HCl………(5)

由於如此這般而副生成聚合物，三氯矽烷之轉換率係降低，同時，會由於副生成之聚合物附著在配管之管壁處等，而使得配管堵塞，並產生無法將配管等之狀態維持在 良好狀態下的問題。另外，所謂上述聚合物，係為前述之Si₂ Cl₆ 一般的包含有2原子以上之矽的Si₃ Cl₈ 、Si₂ H₂ Cl4等之高次氯矽烷類的總稱。

又，當冷卻至300℃以下的情況時，由於係無法藉由熱交換器來將供給氣體作充分之預熱，而變得無法活用反應生成氣體之餘熱，因此，能量損失係變大，此三氯矽烷之製造裝置全體的熱效率係顯著的降低。進而，為了將1000℃左右之反應生成氣體在1秒以內而急速冷卻至300℃以下，係有必要使用構成複雜之冷卻裝置，而有使三氯矽烷之製造成本大幅增加等的問題。

本發明，係為將此種於先前技術之製造方法中的上述問題作了解決者，其目的，係在於提供一種：在利用反應生成氣體之餘熱而將被導入至反應室內之上述四氯矽烷又或是上述氫的至少其中一方作預熱的同時，設置將從反應室所導出之反應生成氣體作冷卻之工程(冷卻手段)，而將冷卻速度適正化，藉由此，防止對四氯矽烷之逆反應以及聚合物之副生成，而能夠達成熱效率以及轉換率之提昇的三氯矽烷之製造方法以及三氯矽烷之製造裝置、還有使用有該製造方法之多結晶矽之製造方法。

為了解決此課題，本發明之三氯矽烷之製造方法，其特徵為，具備有：將四氯矽烷與氫導入至反應室內，並藉由在900℃~1900℃處之轉換反應，而產生包含有三氯矽 烷與氯化氫之反應生成氣體的轉換反應工程：和將從上述反應室所導出之上述反應生成氣體，急速冷卻至300℃~800℃之冷卻工程；和在被冷卻之上述反應生成氣體、與被導入至上述反應室內之上述四氯矽烷又或是上述氫的至少其中一方之間，進行熱交換，而將上述四氯矽烷又或是上述氫之至少其中一方作預加熱之預熱工程。

又，本發明之三氯矽烷之製造裝置，其特徵為，具備有：將四氯矽烷與氫導入至內部，並藉由在900℃~1900℃處之轉換反應，而產生包含有三氯矽烷與氯化氫之反應生成氣體的反應室：和將從上述反應室所導出之上述反應生成氣體，急速冷卻至300℃~800℃之冷卻手段；和在被冷卻之上述反應生成氣體、與被導入至上述反應室內之上述四氯矽烷又或是上述氫的至少其中一方之間，進行熱交換，而將上述四氯矽烷又或是上述氫之至少其中一方作預加熱之預熱手段。

在上述構成之三氯矽烷之製造方法、以及三氯矽烷之製造裝置中，係將從反應室所導出之反應生成氣體急速冷卻至300℃~800℃。於此，從三氯矽烷而變為四氯矽烷之逆反應，由於若是成為800℃以下，則成為並不會顯著的發生，因此，能夠達成轉換為三氯矽烷之轉換率的提昇。又，由於急速冷卻後之反應生成氣體的溫度係為300℃以上，因此，係能夠抑制在冷卻過程中之聚合物的發生，而在能夠更進而提昇轉換率的同時，亦能夠防止聚合物所致之配管堵塞等的問題於未然。

進而，由於係具備有在將急速冷卻後之反應生成氣體的溫度維持於300℃以上的同時，亦在此反應生成氣體與被導入至反應室內之四氯矽烷又或是氫的至少其中一方之間進行熱交換而將四氯矽烷又或是氫的至少其中一方作預熱的預熱工程(預熱手段)，因此，係成為能夠利用反應生成氣體之餘熱而將四氯矽烷以及氫作預熱，而能夠將此三氯矽烷之製造方法以及三氯矽烷之製造裝置全體的熱效率提昇。

又，本發明之三氯矽烷之製造方法中，上述轉換反應工程，係藉由在1200℃~1900℃處之轉換反應，而產生上述反應生成氣體。又，本發明之三氯矽烷之製造裝置中，上述反應室，係將四氯矽烷與氫加熱保持於1200℃~1900℃，並藉由轉換反應，而產生上述反應生成氣體。

在此些之三氯矽烷之製造方法以及三氮矽烷之製造裝置中，由於係在1200℃~1900℃下進行轉換反應，因此，轉換反應係更加被促進，而能夠使產生三氯矽烷之轉換率提昇。另外，若是超過1200℃，則雖然由於反應生成氣體中之三氯矽烷的一部份係被分解為氯化氫與身為中間生成物的SiCl₂ ，而SiCl₂ 係成為反應生成氣體中之主要的成分，因此係變得易於產生聚合物，但是，在本發明中，由於係以將急速冷卻後之反應生成氣體的溫度維持在300℃以上的方式而將冷卻速度適正化，因此，聚合物之產生係被抑制，就算是在1200℃以上之高溫來進行轉換反應，亦不會有問題。

又，本發明之三氯矽烷之製造方法中，係以在上述冷卻工程，將上述反應生成氣體急速冷卻至300℃~650℃為較理想。又，本發明之三氯矽烷之製造裝置中，係以使上述冷卻手段，將上述反應生成氣體急速冷卻至300℃~650℃為較理想。

在此些之三氯矽烷之製造方法以及三氯矽烷之製造裝置中，由於係在將反應生成氣體冷卻至650℃以下之溫度，因此，轉換反應之逆反應係更加地被抑制，而能夠使產生三氯矽烷之轉換率提昇。又，由於冷卻溫度係為650℃以下，因此，係成為能夠以不鏽鋼來形成冷卻後之反應生成氣體所流通的配管或熱交換器等，而能夠將此製造裝置以低成本來製作。另外，當藉由不鏽鋼來形成上述配管或是上述熱交換器等的情況時，雖然會有被包含於不鏽鋼中之磷(P)、硼(B)、砷(As)等在反應生成氣體中作為不純物而混入之虞，但是，由於反應生成氣體之溫度係為650℃以下，因此能夠抑制不純物之混入，而能夠製造高純度之三氯矽烷。

又，本發明之多結晶矽之製造方法，其特徵為，具備有：將四氯矽烷與氫導入至反應室內，並藉由在900℃~1900℃處之轉換反應，而產生包含有三氯矽烷與氯化氫之反應生成氣體的轉換反應工程：和將從上述反應室所導出之上述反應生成氣體，急速冷卻至300℃~800℃之冷卻工程；和在被冷卻之上述反應生成氣體、與被導入至上述反應室內之上述四氯矽烷又或是上述氫的至少其中一方之間 ，進行熱交換，而將上述四氯矽烷又或是上述氫之至少其中一方作預加熱之預熱工程；和藉由上述反應生成氣體而將三氯矽烷作分離之分離工程；和對上述三氯矽烷附加從氫還原反應以及熱分解反應中所選出之至少一種的反應之工程。

若藉由本發明，則由於係在利用反應生成氣體之餘熱而將被導入至反應室內的上述四氯矽烷又或是上述氫之至少其中一方作預熱，同時設置將從反應室所導出之反應生成氣體作冷卻的手段，而將冷卻速度適正化，來防止產生四氯矽烷之逆反應以及聚合物之副生成，因此，能夠將熱效率以及三氯矽烷之轉換率提昇。

又，藉由使用本發明之三氯矽烷的製造方法，係能夠提供更有效率之多結晶矽的製造方法。

以下，針對身為本發明之實施形態的三氯矽烷之製造方法以及三氯矽烷之製造裝置，參考所添付之圖面而作說明。

本實施形態之三氯矽烷之製造裝置1，係如圖1所示一般，具備有：將由四氯矽烷與氫所成之供給氣體導入至內部，並藉由轉換反應而產生包含有三氯矽烷與氯化氫之反應生成氣體的反應室2；和被連接於反應室2，並將上 述供給氣體供給至該反應室2內之氣體供給機構10；和被連接於反應室，並將該反應室2內部之反應生成氣體導出至外部的反應生成氣體導出機構20。

反應室2，係具備有加熱手段(未圖示)，並將被導入至反應室2內之四氯矽烷與氫加熱至900℃~1900℃而作保持，並藉由轉換反應，而產生上述反應生成氣體。於此，若是將反應室2內設定為1200℃~1900℃，則產生三氯矽烷之轉換率係提昇。亦即是，係由於在1200℃~1900℃處之轉換反應，係能夠取出更多的三氯矽烷之故。

另外，反應室2，由於係成為需要對於前述一般之900℃~1900℃的高溫之耐熱性，因此，係藉由碳而被形成，進而，從防止碳之劣化以及對耐熱性之更加提昇的觀點來看，係在碳之表面處施加有碳化矽(SiC)之被覆。

氣體供給機構10，係具備有：被導入至反應室2內之供給氣體所流通之供給氣體用配管11A、11B、11C；和在供給氣體與上述反應氣體之間進行熱交換的熱交換器12。又，在此熱交換器12之下流側(反應室2側)，係作為用以對經由熱交換器12而被加熱之供給氣體更進一步作加熱的加熱裝置，而配設有碳素加熱器13。

反應生成氣體導出機構20，係具備有：從反應室2內之反應生成氣體而導出之反應生成氣體所流通的反應生成氣體用配管21A、21B、21C；和將從反應室2所導出之反應生成氣體作冷卻的冷卻裝置22。

冷卻裝置22，係具備有冷卻水配管23A、23B，而為 藉由此冷卻水來將上述反應生成氣體作冷卻的水冷式者，並成為能夠將900℃~1900℃之反應生成氣體急速冷卻至300℃~800℃。另外，在本實施形態中，冷卻裝置22，係被構成為能夠將反應生成氣體急速冷卻至300℃~650℃。又，經由冷卻裝置22而被冷卻之反應生成氣體所流通的反應生成氣體用配管21B、21C，係藉由不鏽鋼所構成。

接下來，針對使用有前述之三氯矽烷之製造裝置1的三氯矽烷之製造方法作說明。

首先，將由四氯矽烷與氫所成之原料氣體，透過氣體供給配管11A而導入至熱交換器12中。此時之上述原料氣體的溫度，係為約100℃左右。此原料氣體，係經由熱交換器12而被與300℃~800℃之反應生成氣體進行熱交換，並被加熱至300~800℃左右。如此這般而被加熱之原料氣體，係通過氣體供給配管11B而被導入至碳素加熱器13中，並被加熱至400~800℃左右，再通過氣體供給配管11C而被導入至反應室2內。

在反應室2內，經由上述加熱手段，供給氣體係被加熱至900℃~1900，並藉由轉換反應，而產生上述反應生成氣體。此反應生成氣體，係通過反應生成氣體用配管21A，而被導入至冷卻裝置22內。而後，係藉由冷卻裝置22而被水冷並成為300℃~800℃，在本實施形態中，係被急速冷卻至300℃~650℃。如此這般而被冷卻之反應生成氣體，係通過反應生成氣體用配管21B，而被導入至上述熱交換器12內，並藉由該餘熱而對上述供給氣體作預 熱。

經由熱交換器12而更進而被冷卻之反應生成氣體，係經由冷卻器3而被送至蒸餾裝置4處，而將三氯矽烷經由蒸餾來作分離。

在由上述構成所成之本實施形態的三氯矽烷製造方法以及三氯矽烷製造裝置1中，由於係在反應室2內，藉由900℃~1900℃下之轉換反應而產生包含有三氯矽烷與氯化氫之反應生成氣體，並將此反應生成氣體經由冷卻裝置22來急速冷卻至800℃以下，因此，能夠抑制由於三氯矽烷與氫之反應所致的產生四氯矽烷之逆反應的進行，而能夠達成產生三氯矽烷之轉換率的提昇。

又，由於係以使急速冷卻後之反應生成氣體的溫度成為300℃以上的方式來對冷卻速度作控制，因此，能夠抑制在冷卻過程中之聚合物的發生，而在能夠更進而提昇轉換率的同時，亦能夠防止聚合物所致之配管堵塞等的問題於未然。

進而，由於係在將供給氣體導入至反應室2內之氣體供給機構10處，設置在上述原料氣體與反應生成氣體之間進行熱交換的熱交換器12，同時，將急速冷卻後之反應生成氣體的溫度維持於300℃以上，因此，係成為能夠利用反應生成氣體之餘熱而將供給氣體作預熱，而能夠將此三氯矽烷之製造方法以及三氯矽烷之製造裝置全體的熱效率提昇。

又，由於係在如此這般地藉由熱交換機12來將供給 氣體作預熱的同時，更進而藉由碳素加熱器13來作加熱，因此，能夠將反應室2之加熱手段設為構造簡單者。

又，在本實施形態中，由於係在反應室2處以1200℃~1900℃來進行轉換反應，因此，轉換反應係更加被促進，而能夠使產生三氯矽烷之轉換率提昇。於此，當轉換反應之溫度為高的情況時，聚合物雖係變得容易產生，但是，由於係以使冷卻後之反應生成氣體的溫度成為300℃以上之方式來對冷卻裝置22之冷卻速度作控制，因此，能夠防止聚合物之產生。

進而，在冷卻裝置22中，經由將反應生成氣體冷卻至650℃以下之溫度，而更加地抑制轉換反應之逆反應，而能夠使產生三氯矽烷之轉換率提昇。又，係成為能夠以不鏽鋼來形成較冷卻裝置為更下流側之反應生成氣體用配管21B、21C，而能夠將此製造裝置1以低成本來構成。進而，能夠對被包含於構成反應生成氣體用配管21B、21C之不鏽鋼中的磷(P)、硼(B)、砷(As)等之混入反應生成氣體中一事作抑制，而能夠製造高純度之三氯矽烷。

以上，雖針對本發明之實施形態作了說明，但是，本發明係並不被限定於此，在不脫離此發明之技術思想的範圍內，可作適當的變更。例如，在本實施形態中，雖係作為將由四氯矽烷與氫所成之供給氣體導入至反應室內者而作了說明，但是，亦可在供給氣體中包含有二矽烷類。進而，雖係對將由四氯矽烷與氫作混合所成之供給氣體導入 至反應室內者而作了說明，但是，係並不限定於此，而亦可將四氯矽烷與氫分別地導入至反應室中。此時，只要構成為藉由熱交換器來將四氯矽烷又或是氫中之至少其中一方作預熱即可。

又，雖係對在熱交換器之下流側配設了碳素加熱器者而作了說明，但是，亦可並不另外設置加熱手段，而亦可設置碳素加熱器以外之加熱手段。又，作為反應室，雖係對藉由碳來形成，並在其表面施加有碳化矽之被覆者作了說明，但是，亦可不施加碳化矽之被覆。進而，雖係對將四氯矽烷以及氫之導入熱交換器時的溫度為約100℃者作了說明，但是，係並不限定於此，而可設為任意之溫度。又，為了對冷卻裝置作控制，亦可在被連接於反應室之反應生成氣體用配管處設置溫度感測器。

另外，接在上述三氯矽烷之製造方法之後，藉由對所得到之三氯矽烷附加上述式(1)所示之氫還原反應以及/又或是上述式(2)所示之熱分解反應，能夠更有效率地製造多結晶矽。

[實施例] [實施例1]

於圖2中，展示基於圖1所示之製造裝置，而將在1200℃之反應溫度下所產生的混合氣體從反應室2而導入至冷卻裝置22中並冷卻時之冷卻裝置出口處的生成氣體溫度與三氯矽烷轉換率間之關係。三氯矽烷轉換率，係為 相對於被導入至反應室2內之原料的四氯矽烷之導入量(STC量)的三氯矽烷生成量(TCS量)之莫耳比(TCS量/STC量：%)。

如圖2所示一般，若是生成混合氣體之冷卻溫度係為800℃以上，則三氯矽烷轉換率係成為28%以下，該轉換率係大幅下降。另一方面，當生成混合氣體之冷卻溫度為較800℃更低，例如，為650℃的情況時，則三氯矽烷之轉換率係提昇為約28.5%。

[實施例2]

於圖3中，展示基於圖1所示之製造裝置，而將在1200℃之反應溫度下所產生的混合氣體從反應室2而導入至冷卻裝置22中並冷卻時之冷卻裝置出口處的生成氣體溫度與聚合物生成率間之關係。聚合物生成率，係為相對於被導入至反應室2內之原料的四氯矽烷之導入量(STC量)的聚合物生成量(聚合物量)之莫耳比(聚合物量/STC量：%)。

如圖3所示一般，若是生成混合氣體之冷卻溫度係為300℃以下，則聚合物之生成量係急遽的增加。故而，若是藉由圖2以及圖3之結果，則可以得知：生成氣體之冷卻溫度，係以300℃~800℃為適當，而以300℃~650℃為理想。在生成氣體之冷卻溫度係為300℃~650℃的範圍內，聚合物之生成係被大幅抑制，且三氯矽烷之轉換率係為高。

[產業上之利用可能性]

若藉由本發明，則由於係在利用反應生成氣體之餘熱而將被導入至反應室內的上述四氯矽烷又或是上述氫之至少其中一方作預熱，同時設置將從反應室所導出之反應生成氣體作冷卻的手段，而將冷卻速度適正化，來防止產生四氯矽烷之逆反應以及聚合物之副生成，因此，能夠將熱效率以及三氯矽烷之轉換率提昇。又，藉由對如此這般所得到之三氯矽烷附加上述式(1)所示之氫還原反應以及/又或是上述式(2)所示之熱分解反應，能夠更有效率地製造多結晶矽。故而，本發明在產業上係極為有用。

1‧‧‧三氯矽烷之製造裝置

2‧‧‧反應室

3‧‧‧冷卻器

4‧‧‧蒸餾裝置

10‧‧‧氣體供給機構

11A、11B、11C‧‧‧氣體供給配管

12‧‧‧熱交換器(預熱手段)

13‧‧‧碳素加熱器(carbon heater)

20‧‧‧生成氣體導出機構

21A、21B、21C‧‧‧生成氣體用配管

22‧‧‧冷卻裝置(冷卻手段)

23A、23B‧‧‧冷卻水配管

[圖1]本發明之實施形態的三氯矽烷之製造裝置的說明圖。

[圖2]展示生成氣體之冷卻溫度與三氯矽烷轉換率間的關係之圖表。

[圖3]展示生成氣體之冷卻溫度與聚合物生成率間的關係之圖表。

1‧‧‧三氯矽烷之製造裝置

2‧‧‧反應室

3‧‧‧冷卻器

4‧‧‧蒸餾裝置

10‧‧‧氣體供給機構

11A、11B、11C‧‧‧氣體供給配管

12‧‧‧熱交換器(預熱手段)

13‧‧‧碳素加熱器(carbon heater)

20‧‧‧生成氣體導出機構

21A、21B、21C‧‧‧生成氣體用配管

22‧‧‧冷卻裝置(冷卻手段)

23A、23B‧‧‧冷卻水配管

Claims (7)

1. 一種三氯矽烷之製造方法，其特徵為，具備有：將四氯矽烷與氫導入至反應室內，並藉由在900℃~1900℃處之轉換反應，而產生包含有三氯矽烷與氯化氫之反應生成氣體的轉換反應工程：和將從上述反應室所導出之上述反應生成氣體，急速冷卻至300℃~800℃之冷卻工程；和在被冷卻之上述反應生成氣體、與被導入至上述反應室內之上述四氯矽烷又或是上述氫的至少其中一方之間，進行熱交換，而將上述四氯矽烷又或是上述氫之至少其中一方預加熱至300℃~800℃之預熱工程。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之三氯矽烷之製造方法，其中，上述轉換反應工程，係藉由在1200℃~1900℃處之轉換反應，而產生上述反應生成氣體。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之三氯矽烷之製造方法，其中，上述冷卻工程，係將上述反應生成氣體急速冷卻至300℃~650℃。
4. 一種三氯矽烷之製造裝置，其特徵為，具備有：將四氯矽烷與氫導入至內部，並藉由在900℃~1900℃處之轉換反應，而產生包含有三氯矽烷與氯化氫之反應生成氣體的反應室：和將從上述反應室所導出之上述反應生成氣體，急速冷卻至300℃~800℃之冷卻裝置；和在被冷卻之上述反應生成氣體、與被導入至上述反應 室內之上述四氯矽烷又或是上述氫的至少其中一方之間，進行熱交換，而將上述四氯矽烷又或是上述氫之至少其中一方預加熱至300℃~800℃之熱交換器。
5. 如申請專利範圍第4項所記載之三氯矽烷之製造裝置，其中，上述反應室，係將被導入之四氯矽烷與氫加熱至1200℃~1900℃，並藉由轉換反應，而產生上述反應生成氣體。
6. 如申請專利範圍第4項所記載之三氯矽烷之製造裝置，其中，上述冷卻手段，係將上述反應生成氣體急速冷卻至300℃~650℃。
7. 一種多結晶矽之製造方法，其特徵為，具備有：將四氯矽烷與氫導入至反應室內，並藉由在900℃~1900℃處之轉換反應，而產生包含有三氯矽烷與氯化氫之反應生成氣體的轉換反應工程：和將從上述反應室所導出之上述反應生成氣體，急速冷卻至300℃~800℃之冷卻工程；和在被冷卻之上述反應生成氣體、與被導入至上述反應室內之上述四氯矽烷又或是上述氫的至少其中一方之間，進行熱交換，而將上述四氯矽烷又或是上述氫之至少其中一方預加熱至300℃~800℃之預熱工程；和藉由上述反應生成氣體而將三氯矽烷作分離之分離工程；和對上述三氯矽烷附加從氫還原反應以及熱分解反應中所選出之至少一種的反應之工程。