TWI430697B - An organic EL panel, a panel-bonding type light-emitting device, and an organic EL panel - Google Patents

Description

有機EL面板、面板接合型發光裝置、有機EL面板之製造方法

本發明係關於一種有機EL面板、面板接合型發光裝置、有機EL面板之製造方法。

有機EL面板係包括有機EL(Electroluminescence，電致發光)元件作為發光元件之自發光面板，例如，作為用於行動電話之顯示畫面、車載用或家庭用電子設備之監視器畫面、個人電腦或電視顯像裝置之資訊顯示畫面、宣傳用照明板等之各種顯示裝置；作為用於掃描器或印表機等之各種光源；作為用於一般照明或液晶顯示裝置之背光源等之照明裝置；另外作為利用光電轉換功能之光通信用設備，能夠利用在各種用途及機種。

因有機EL元件具有與大氣中含有之水分等接觸而發生發光特性劣化之性質，故而為了使有機EL面板長時間穩定地作動，用於將有機EL元件與大氣遮斷之密封構造是必不可少。作為有機EL面板之密封構造之一例，眾所周知有使形成有機EL元件之基板與密封基板貼合而形成圍繞有機EL元件之密封空間，並於該密封空間內配備乾燥劑之中空密封構造。

圖1係表示具有先前之中空密封構造之有機EL面板之構成例之概略圖(該圖(a)係平面圖、該圖(b)係該圖(a)之A-A剖面圖、該圖(c)係該圖(a)之B-B剖面圖)。形成有在基板J1上形成發光部之有機EL元件(省略圖示)，並且密封基板J2經由接著劑層J3貼合於基板J1，使得形成覆蓋發光部之密封空間JS。密封基板J2具有用於形成密封空間JS之凹部J4，於該凹部J4之內面配備有吸附密封空間JS內之水分之乾燥劑J5。又，於密封基板J2之凹部J4形成有厚壁狀之肋架J6而謀求密封基板J2之加強(參照下述專利文獻1)。

[先行技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2007-335365號公報

於具有上述中空密封構造之有機EL面板中，對有機EL面板作用如按壓密封基板之外力或者如基板彎曲之外力時，存在接合密封基板與基板之接著劑剝落之問題。於要求更薄型化之有機EL面板中不能使密封空間之厚度增大，於要求更大之發光面積之有機EL面板中基板或密封基板之彎曲不得不變大，故而若要響應薄型化或大畫面化之要求，則由接著劑之剝落引起之密封性能低下之問題或乾燥劑與有機EL元件之接觸之問題變得更為顯著。

對此，於上述先前技術中，係於密封基板上設置加強肋以控制密封基板之變形，但若欲響應有機EL面板之薄型化或大畫面化之要求時，即使設置如先前技術之加強肋亦難以將密封基板之變形控制在沒有問題之範圍內，反而因加強肋之前端接近有機EL元件，而會有加強肋之前端與有機EL元件接觸而破壞有機EL元件之憂慮。

本發明係將處理上述問題作為課題之一例。即，本發明之目的在於，對於響應薄型化或者大畫面化之要求之中空密封構造之有機EL面板，為了不會產生基於由外力引起之接著劑剝落之密封性能低下或基於在密封空間內加強肋之前端等接觸有機EL元件之不良情況，尤其平面地鋪滿並接合複數個有機EL面板而形成大型面板(瓦面板)時，保持良好之顯示性能之同時，不會產生上述密封性能低下等不良情況等。

為了實現該等目的，本發明係至少包括以下之各獨立技術方案所相關之構成。

[技術方案1]一種有機EL面板，其特徵在於包括：基板；發光部；其形成於該基板上，且包括複數個層疊有陽極、有機層及陰極之有機EL元件；及密封基板，其經由接著劑層而貼合於上述基板以中空地密封該發光部；且上述密封基板包括向上述基板側突出之支持突起，於上述基板上之形成上述發光部之區域內，形成有與上述支持突起之前端部相面對且未形成有上述有機EL元件之支持間隙。

[技術方案8]一種面板接合型發光裝置，其特徵在於：其係平面地鋪滿並接合複數個有機EL面板而形成大型面板者，上述有機EL面板係包括：基板；形成於該基板上且包括複數個層疊有陽極、有機層及陰極之有機EL元件之發光部、及經由接著劑層而貼合於上述基板以中空地密封該發光部之密封基板；上述密封基板包括向上述基板側突出之支持突起，於上述基板上之形成上述發光部之區域內，形成有與上述支持突起之前端部相面對且未形成有上述有機EL元件之支持間隙，上述發光部係配置複數個使複數個上述有機EL元件集合之集合像素部而形成，且於2個上述集合像素部之間形成上述支持間隙，對應於相鄰接之上述有機EL面板間之上述發光部之間隔，設定上述集合像素部間之間隔。

[技術方案9]一種有機EL面板之製造方法，其特徵在於包括：發光部形成步驟，於基板上形成包括至少一個有機EL元件之發光部；密封基板加工步驟，於密封基板上形成容納上述發光部之凹部；密封步驟，經由接著劑層貼合上述基板與上述密封基板而中空地密封上述發光部；及於上述密封基板加工步驟中，一邊形成上述凹部一邊形成向上述基板側突出之支持突起，且於上述發光部形成步驟中，於上述基板上之形成上述發光部之區域內，形成與上述支持突起之前端部相面對且未形成有上述有機EL元件之支持間隙。

以下，參照圖式對本發明之實施形態進行說明。圖2係說明本發明之一實施形態之有機EL面板之說明圖(該圖(a)係有機EL面板之縱剖面圖，該圖(b)係該圖(a)之X-X剖面圖)。有機EL面板10係包括基板2、包括複數個形成於基板2上之有機EL元件1之發光部P、及經由接著劑層4貼合於基板2以中空地密封發光部P之密封基板3，密封基板3包括朝基板2側突出之支持突起5，於基板2上之形成有發光部P之區域(發光區域)Pa內，形成有與支持突起5之前端部5A相面對且並未形成有有機EL元件1之支持間隙F。

有機EL元件1具有於基板2上層疊陽極、包含發光層之有機層及陰極之層疊構造，藉由於陽極與陰極之間施加電壓，自陰極注入之電子與自陽極注入之電洞利用發光層等進行再結合而放射光。如圖所示，包括形成於藉由透光性材料形成之基板2上之有機EL元件1之有機EL面板10係能夠經由基板2向外部放出光(底部發光型)。又，本發明之實施形態之有機EL面板10為自與此相反之後述之密封基板3側向外部放出光(頂部發光型)者亦可，自基板2與密封基板3之兩面向外部放出光(雙發射型)者亦可。

形成於基板2之有機EL元件1係排列有複數個而形成發光部P。於圖2(b)中所示之例中，有機EL元件1形成一個像素Pi，該像素Pi排列成點矩陣形狀。又，發光部P配置複數個使複數個有機EL元件1(像素Pi)集合之集合像素部Ps。並且，於2個集合像素部Ps之間形成有支持間隙F。

基板2係玻璃或塑膠等之具有透明性之基板，與貼附有密封基板3之側為相反側之表面成為光出射面。密封基板3係藉由與基板2貼合而形成容納發光部P之密封空間S。於圖示之例中，雖然為了形成密封空間S而於密封基板3上形成有凹部3A，但並不限於此，藉由使間隔件插入於基板2與密封基板3之間亦能夠在兩者之間形成密封空間S。如圖所示，藉由形成凹部3A而能夠在該凹部3A之內面形成配備乾燥劑6之空間。

該等中空密封構造之有機EL面板10之現狀為無法將基板2之整個面設為發光區域Pa，且因形成用於使基板2與密封基板3貼合之接著劑層4之區域等，發光區域Pa自基板2之整個面變狹窄。因而要求：儘量將有機EL面板10內形成於發光部P之外側之邊框之寬度(邊框寬)w設得較窄，且儘量將一個有機EL面板10之發光區域Pa設得較大。

而且，有機EL面板10係於密封基板3之與發光區域Pa內對應之部位形成有支持突起5。支持突起5之前端部5A時常抵接於基板2側者亦可，僅於密封基板3或基板2變形時抵接於基板2側者亦可。於基板2側形成有支持突起5之前端部5A抵接用之支持間隙F，該支持間隙F即便於發光區域Pa內亦成為未形成有機EL元件1之區域。支持間隙F為基板2露出之區域亦可，為於基板2上形成有有機EL元件1之周邊部(絕緣膜等)之區域亦可。又，支持突起5之前端部5A為根據需要而利用接著劑固定於基板2側者亦可。

即便於藉由自密封基板3之內面朝向基板2以適當之高度使該等支持突起5突出，而密封基板3或基板2彎曲變形之情形時，支持突起5亦發揮止動部功能而能夠避免密封基板3側之乾燥劑等與有機EL元件1接觸之不良情況。此時，於密封基板3之內面配備乾燥劑6時，支持突起5必需形成為始於密封基板3之內面之高度高於乾燥劑6之厚度。於密封基板3形成凹部3A並於凹部3A之內面配備乾燥劑6時，支持突起5自凹部3A之內面突出而形成，且必需形成為其高度自凹部3A之內面算起高於乾燥劑6之厚度。

圖3~圖7係表示設置於本發明之實施形態之有機EL面板之支持突起5之形態例的說明圖(剖面圖以及平面圖)。支持突起5之形態係成為：垂直於基板2之至少一個剖面之寬度在密封基板3側之根部變粗，於基板2側之前端部5A變細。藉由此種形態，即便於支持突起5之前端部5A抵接於基板2側而對支持突起5施加壓縮力之情形時，亦能夠避免支持突起5之折斷或壓碎。又，藉由使前端部5A變細，而能夠將形成於基板2側之支持間隙F之寬度控制在必要最小限度內，並儘量減少發光區域Pa內之非發光部分。

圖3所示之形態例係垂直於基板2之剖面中之寬度成為2階構造。該圖(a)所示之形態例之俯視形狀為圓形，該圖(b)所示之形態例之俯視形狀為正方形，該圖(c)所示之形態例之俯視形狀為矩形(長方形)，該圖(d)所示之形態例之俯視形狀成為弄圓角部之矩形或橢圓形。

圖4所示之形態例之垂直於基板2之剖面之寬度成為多階(3階)結構。該圖(a)所示之形態例之俯視形狀為圓形，該圖(b)所示之形態例之俯視形狀為正方形，該圖(c)所示之形態例之俯視形狀為矩形(長方形)，該圖(d)所示之形態例之俯視形狀成為弄圓角部之矩形或橢圓形。

圖5所示之形態例之垂直於基板2之剖面之形狀為梯形。該圖(a)所示之形態例之俯視形狀為圓形，該圖(b)所示之形態例之俯視形狀為正方形，該圖(c)所示之形態例之俯視形狀為矩形(長方形)，該圖(d)所示之形態例之俯視形狀成為弄圓角部之矩形或橢圓形。

圖6所示之形態例之垂直於基板2之剖面之寬度為前端逐漸變細之形狀。該圖(a)所示之形態例之俯視形狀為圓形，該圖(b)所示之形態例之俯視形狀為正方形，該圖(c)所示之形態例之俯視形狀為矩形(長方形)，該圖(d)所示之形態例之俯視形狀成為弄圓角部之矩形或橢圓形。

圖7所示之形態例之垂直於基板2之剖面之寬度成為階差構造。該圖(a)所示之形態例之俯視形狀為十字形，該圖(b)所示之形態例為T字形，該圖(c)所示之形態例之俯視形狀成為角狀。

圖8係表示配備於密封基板3之凹部3A之內面之乾燥劑6之配置形態例之說明圖。配置在形成於凹部3A之內面之支持突起5之周圍之乾燥劑6，該圖(a)所示，於支持突起5之左右分開配置亦可，該圖(b)所示，僅空開支持突起5之周圍而配置於內面整體亦可，該圖(c)所示，於乾燥劑6形成相應於支持突起5之寬度的缺口部而配置於大致內面整體亦可，該圖(d)所示，將於支持突起5之左右分開配置之乾燥劑6配置為填補與支持突起5之寬度對應之部分亦可。藉由於密封基板3之凹部3A之內面儘量減少乾燥劑6之空間而可使密封空間S內之密封性能提高。

如至此所示，支持突起5即便形成為點狀亦具有有效之有機EL元件1之防護功能。僅於一個部位設置支持突起5時，設置於密封基板3之中央部分為最有效。又，支持突起5於密封基板3之內面設置複數個亦可，不限於點狀設成之線狀亦可。設置複數個支持突起5之情形時或設成線狀之情形時需必需於與其前端部5A對應之基板2側形成支持間隙F。

以下，對具有該等特徵之有機EL面板之製造方法進行說明。作為有機EL面板10之製造方法，具有：於基板2上形成包括至少一個有機EL元件1之發光部P之發光部形成步驟；於密封基板3形成容納發光部P之凹部3A之密封基板加工步驟，經由接著劑層4貼合基板2與密封基板3從而中空地密封發光部P之密封步驟。

於密封基板加工步驟中，一邊形成凹部3A一邊形成朝基板2側突出之支持突起5，於發光部形成步驟中，於基板2上之形成發光部P之區域內，形成與支持突起5之前端部5A相面對且未形成有機EL元件1之支持間隙F。

圖9係表示藉由上述之發光部形成步驟所形成之有機EL元件1之形成例之說明圖。該圖(a)表示包括獨立之像素電極之主動驅動元件之例，該圖(b)表示於交叉之條紋狀之電極之交叉部形成有元件之被動驅動元件之例。

於該圖(a)之例中，於形成有驅動元件(TFT等)30之基板2上以覆蓋驅動元件30之方式形成平坦化膜31，於該平坦化膜31上形成成為像素電極之下部電極32。下部電極32於平坦化膜31上成膜出電極材料之後，能夠於光微影步驟中圖案化而形成。於形成下部電極32之前形成連接下部電極32與驅動元件30之連接線30A，於其周邊部分形成絕緣膜33。以覆蓋下部電極32上之絕緣膜33之光圈圖案之方式形成包含發光層34A之有機層34。有機層34能夠藉由將掩模光圈部與絕緣膜33之光圈部合併之掩模蒸鍍而獲得。之後以覆蓋有機層34整體之方式形成上部電極34。

於該圖(b)之例中，於基板2上形成條紋狀之下部電極40，於其上成膜絕緣膜41且以與下部電極40交叉之方式形成條紋狀之圖案。又，根據需要於絕緣膜41上形成條紋狀之隔壁42。更好的是隔壁42係對側壁賦予向下傾斜之倒圓錐而成。並且，沿著絕緣膜41及隔壁42之條紋狀光圈部形成包含發光層43A之有機層43，且於其上形成條紋狀之上部電極44。隔壁42成為上部電極44形成時之掩模圖案。當成膜有機層43與上部電極44時，於隔壁42之上面堆積有機材料堆層疊43R與上部電極材料堆層疊44R。

以下表示將下部電極32、40作為陽極，將上部電極35、44作為陰極時之有機層34、43之形成例。下部電極32、40可藉由ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)等透明電極形成，於下部電極32、40上形成銅酞菁(CuPc)等電洞注入層，於其上例如將NPB(N,N-di(naphtalence)-N,N-diphenyl-benzidine，N,N-二(萘)-N,N-二苯基-聯苯胺)作為電洞傳輸層成膜。該電洞傳輸層具有將自下部電極32、40注入之電洞傳輸至發光層34A、43A之功能。該電洞傳輸層可為僅層疊1層者，亦可為層疊2層以上者。又，電洞傳輸層並非由單一之材料成膜，由複數種材料形成一層亦可，於電荷傳輸能力高之主體材料中摻雜電荷供給(容納)性高之客體材料亦可。

其次，於電洞傳輸層上成膜發光層34A、43A。作為一例，藉由阻抗加熱蒸鍍法，利用分開塗敷用掩模而於各成膜區域成膜紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之發光層34A、43A。作為紅色(R)發光層，使用DCM1(4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(4'-二甲基胺基苯乙烯基)-4H-吡喃)等苯乙烯色素等發出紅色光之有機材料。作為綠色(G)發光層，使用羥基喹啉鋁錯合物(Alq₃ )等發出綠色光之有機材料。作為藍色(B)發光層，使用二苯乙烯衍生物、三唑衍生物等發出藍色光之有機材料。當然，對於其他材料而言，為主體-客體類之層構成亦可，對於發光形態而言，使用螢光發光材料亦可，使用磷光發光材料亦可。

成膜於發光層34A、43A上之電子傳輸層係藉由阻抗加熱蒸鍍法等各種成膜方法，利用例如羥基喹啉鋁錯合物(Alq₃ )等各種材料成膜。電子傳輸層具有將自上部電極35、44注入之電子傳輸至發光層34A、43A之功能。該電子傳輸層為僅層疊1層者亦可，為具有層疊2層以上之多層構成亦可。又，電子傳輸層並非由單一之材料成膜，由複數種材料形成一層亦可，於電荷傳輸能力高之主體材料中摻雜電荷供給(容納)性高之客體材料亦可。

絕緣膜33、41或隔壁42包含聚醯亞胺或絕緣材料。上部電極35、44作為陰極發揮功能時，為了具有電子注入功能而使用比陽極功函數低之材料。例如，使用ITO作為陽極時，較好的是利用鋁(Al)或鎂合金(Mg-Ag)。然而，因Al之電子注入能力低，故而較好的是於Al與電子傳輸層之間設置如LiF般之電子注入層。

於該等發光部形成步驟中，為了形成上述支持間隙F，於圖9(a)所示之主動驅動方式中每隔隔若干行使排列成點矩陣形狀之下部電極32之排列間隔增大，於圖9(b)所示之被動驅動方式中每隔若干行使形成為條紋狀之下部電極40之間隔增大。

圖10係表示密封基板加工步驟之一例之說明圖。此處表示藉由蝕刻處理而於密封基板3形成凹部3A及支持突起5之例。此處之蝕刻處理係包括：於支持突起5之形成範圍內形成抗蝕劑圖案並蝕刻處理密封基板3之內面之第1蝕刻處理步驟，及於與支持突起5之前端部5A對應之位置處形成抗蝕劑圖案並蝕刻處理密封基板3之內面之第2蝕刻處理步驟。

該圖(a)、(b)表示第1蝕刻處理步驟，形成於密封基板3之內面上之抗蝕劑50之圖案係外周部分之抗蝕劑50A以比最終形成之凹部3A更窄之範圍開口的方式形成圖案，又，形成支持突起5之部位之抗蝕劑50B以包含支持突起5之前端部5A之形成範圍且將比其更大之範圍遮住的方式形成圖案。而且，該圖(b)所示，實施蝕刻處理，使得相對於被施以該等抗蝕劑50之密封基板3之內面成為最終之凹部3A之深度之中間程度以上深度的臨時凹部3A₀ 。

該圖(c)、(d)示出第2蝕刻處理步驟，此處之抗蝕劑51之圖案，係以將比第1蝕刻處理步驟之抗蝕劑50更窄之範圍遮住的方式形成圖案。形成於形成支持突起5之部位之抗蝕劑51B係以將支持突起5之前端部5A之形成範圍遮住之方式形成圖案，形成於密封基板3之外周部之抗蝕劑51A係以將最終形成之凹部3A之外側遮住之方式形成圖案。

藉由施加該等2階雕刻之蝕刻處理，於第1蝕刻處理步驟中犧牲一定程度刻入位置之精度而形成深溝，於第2蝕刻處理步驟中藉由淺刻使支持突起5之前端部5A之位置或凹部3A之外周位置之形成位置之精度提高。

若欲單純用1階之蝕刻處理形成凹部3A與支持突起5，則追求之刻入深度時支持突起5之前端部5A之位置精度變差，進而於凹部3A之外周部，溝之圓錐變得平緩，由此用於配備乾燥劑6之平坦面變小。相反，若欲用1階之蝕刻處理使支持突起5之前端部5A之位置精度提高，則無法1次性雕刻較深，並且無法確保所希望之容積之密封空間。

於上述第1蝕刻處理步驟與第2蝕刻處理步驟之2階雕刻中，藉由追求深度之深雕刻與追求位置精度之淺雕刻之組合，能夠精度良好地形成支持突起5之前端部5A之位置，並且能夠使支持突起5之根部變粗而提高強度，又，使凹部3A之外周部之圓錐變得陡峭，能夠實現有機EL面板10之窄邊框化。

支持突起5之形成並不限於該等蝕刻處理(濕式蝕刻處理)，藉由乾式蝕刻處理或噴砂處理等之切削加工處理同樣亦可形成。並且，藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)等之堆積化處理，藉由於密封基板3之平面形成凸部亦可形成支持突起5。

圖11係表示將複數個有機EL面板10平面地鋪滿並接合而形成大型面板之面板接合型發光裝置20之說明圖(該圖(a)係面板接合型發光裝置20之平面圖、該圖(b)係該圖(a)之A部之放大圖)。每個有機EL面板10之構成如上述，使鄰接之有機EL面板10之上下左右端面彼此相面對而接合有機EL面板10。

該圖(a)所示，面板接合型發光裝置20平面地鋪滿複數個有機EL面板10，結合各有機EL面板10中所顯示之顯示畫面而形成一個或複數個顯示畫面。該圖(b)所示，各有機EL面板10之顯示畫面(發光部P)藉由複數個像素Pi之集合而形成，例如，藉由分散配置出射R、G、B不同之發光色之有機EL元件1而能夠進行色彩顯示。又，一個有機EL面板10之顯示畫面(發光部P)成為複數個集合像素部Ps，於相鄰接之集合像素部Ps之間形成有上述支持間隙F。該支持間隙F形成為一個有機EL面板10之邊框寬w之大致2倍左右。於相鄰接之有機EL面板10之接縫處與相鄰接之有機EL面板之間之發光部P之間隔對應而形成邊框寬w之2倍之非顯示部分，但藉由於集合像素部Ps之間設置大致2w之間隔，而能夠使有機EL面板10彼此之接縫不明顯。

圖12係表示面板接合型發光裝置20之各有機EL面板10之配線構造之例的說明圖。該圖(a)、(b)所示之例，於密封基板3之上面3a形成驅動IC11，同時於密封基板3之上面3a及側面3b上形成引出配線12。形成有引出配線12之側面3b形成為圓錐形。而且，於將基板2與密封基板3貼合時，使形成於形成有有機EL元件之基板2之表面的引出配線(自有機EL元件之陽極或陰極引出之引出配線)13與形成於密封基板3上之引出配線12結合。藉由將驅動IC11連接於密封基板3上之引出配線12，驅動IC11經由引出配線12、13而連接於有機EL元件。該圖(a)所示之例，於一個基板2上貼附2個密封基板3、3，於密封基板3、3之間之露出部8形成由密封基板3、3密封之來自有機EL元件之引出配線13。該圖(b)所示之例，於一個基板2上貼附一個密封基板3，於基板2之端部2E形成由密封基板3密封之來自有機EL元件之引出配線13。

若根據該等面板接合型發光裝置20，則藉由與相鄰接之有機EL面板10之間之發光部P之間隔(2w)對應而設定集合像素部Ps間之間隔，能夠使有機EL面板10之接縫不明顯，又，藉由利用該集合像素部Ps間之間隔而形成上述支持間隙F，能夠使面板接合型發光裝置20之整體之顯示品質提高，同時於密封基板3能夠有效地形成抵接於支持間隙F之支持突起5。藉此，於面板接合型發光裝置20中維持良好之顯示性能之同時，能夠排除乾燥劑等接觸到有機EL元件1之不良情況，並在追求薄型化或大面積化時，亦能夠獲得高之耐久性。

以上，已參照圖式對本發明之實施形態進行詳述，然而具體之構成並不限於該等實施形態，不脫離本發明之宗旨之範圍之設計變更等亦包括在本發明中。又，上述各實施形態只要其目的及構成等方面不存在矛盾或問題，則可轉用彼此之技術並加以組合。

1．．．有機EL元件

2．．．基板

3．．．密封基板

3A．．．凹部

4．．．接著劑層

5．．．支持突起

5A．．．前端部

6．．．乾燥劑

50(50A、50B)、51(51A、51B)．．．抗蝕劑

F．．．支持間隙

P．．．發光部

Pa．．．發光區域

Pi．．．像素

Ps．．．集合像素部

S．．．密封空間

W．．．邊框寬

圖1(a)~(c)係先前技術之說明圖；

圖2係說明本發明之一實施形態之有機EL面板之說明圖(該圖(a)係有機EL面板之縱剖面圖，該圖(b)係該圖(a)之X-X剖面圖)；

圖3(a)~(d)係表示設置於本發明之實施形態之有機EL面板之支持突起之形態例的說明圖(剖面圖以及平面圖)；

圖4(a)~(d)係表示設置於本發明之實施形態之有機EL面板之支持突起之形態例的說明圖(剖面圖以及平面圖)；

圖5(a)~(d)係表示設置於本發明之實施形態之有機EL面板之支持突起之形態例的說明圖(剖面圖以及平面圖)；

圖6(a)~(d)係表示設置於本發明之實施形態之有機EL面板之支持突起之形態例的說明圖(剖面圖以及平面圖)；

圖7(a)~(c)係表示設置於本發明之實施形態之有機EL面板之支持突起之形態例的說明圖(剖面圖以及平面圖)；

圖8(a)~(d)係表示配備於密封基板之凹部之內面之乾燥劑的配置形態之例之說明圖；

圖9係表示藉由發光部形成步驟形成之有機EL元件之形成例的說明圖；該圖(a)表示包括獨立之像素電極之主動驅動元件之例，該圖(b)表示於交叉條紋狀之電極之交叉部形成有元件之被動驅動元件之例；

圖10(a)~(d)係表示本發明之實施形態之密封基板加工步驟之一例的說明圖；

圖11係表示平面地鋪滿並接合複數個有機EL面板10而形成大型面板之面板接合型發光裝置20的說明圖(該圖(a)係面板接合型發光裝置20之平面圖，該圖(b)係該圖(a)之A部之放大圖)；及

圖12(a)、(b)係表示面板接合型發光裝置之各有機EL面板之配線構造之例的說明圖。

1．．．有機EL元件

2．．．基板

3．．．密封基板

3A．．．凹部

4．．．接著劑層

5．．．支持突起

5A．．．前端部

6．．．乾燥劑

10．．．有機EL面板

F．．．支持間隙

P．．．發光部

Pa．．．發光區域

Pi．．．像素

Ps．．．集合像素部

S．．．密封空間

W．．．邊框寬

Claims (10)

1. 一種有機EL面板，其特徵在於包括：基板；發光部，其形成於該基板上，且包括複數個層疊有陽極、有機層及陰極之有機EL元件；及密封基板，其經由接著劑層貼合於上述基板以中空地密封該發光部；且上述密封基板包括向上述基板側突出之支持突起，上述支持突起係藉由蝕刻處理、噴砂處理或堆積化處理形成，且其垂直於上述基板之至少一個剖面之寬度係於上述密封基板側之根部變粗，而於上述基板側之前端部變細，於上述基板上之形成上述發光部之區域內，形成有與上述支持突起之前端部相面對且未形成有上述有機EL元件之支持間隙。
2. 如請求項1之有機EL面板，其中上述支持突起係形成為自上述密封基板之內面起算之高度高於配設於該內面之乾燥劑之厚度。
3. 如請求項1或2之有機EL面板，其中上述支持突起形成為點狀。
4. 如請求項3之有機EL面板，其中上述支持突起之垂直於上述基板之至少一個剖面之寬度係成為多階。
5. 如請求項1之有機EL面板，其中 上述支持突起係自形成於上述密封基板之凹部之內面突出而形成，且於上述支持突起之周圍之上述內面配設有乾燥劑。
6. 如請求項1之有機EL面板，其中將由上述基板與上述密封基板所形成之密封空間設定為低於大氣壓之壓力，使上述支持突起之前端部直接或經由其他構件而抵接於上述支持間隙。
7. 如請求項1之有機EL面板，其中上述發光部係配置複數個集合有複數個上述有機EL元件之集合像素部而形成，且於2個上述集合像素部之間形成上述支持間隙。
8. 一種面板接合型發光裝置，其特徵在於：其係平面地鋪滿並接合複數個有機EL面板而形成大型面板者，上述有機EL面板係包括：基板；形成於該基板上且包括複數個層疊有陽極、有機層及陰極之有機EL元件之發光部、及經由接著劑層貼合於上述基板以中空地密封該發光部之密封基板；上述密封基板包括向上述基板側突出之支持突起，上述支持突起係藉由蝕刻處理、噴砂處理或堆積化處理形成，且其垂直於上述基板之至少一個剖面之寬度係於上述密封基板側之根部變粗，而於上述基板側之前端部變細，於上述基板上之形成上述發光部之區域內，形成有與上述支持突起之前端部相面對且未形成有上述有機EL元 件之支持間隙，上述發光部係配置複數個集合有複數個上述有機EL元件之集合像素部而形成，且於2個上述集合像素部之間形成上述支持間隙，對應於相鄰接之上述有機EL面板間之上述發光部之間隔，而設定上述集合像素部間之間隔。
9. 一種有機EL面板之製造方法，其特徵在於包括：發光部形成步驟，其係於基板上形成包括至少一個有機EL元件之發光部；密封基板加工步驟，其係於密封基板上形成容納上述發光部之凹部；及密封步驟，其係經由接著劑層貼合上述基板與上述密封基板而中空地密封上述發光部；且於上述密封基板加工步驟中，一邊形成上述凹部一邊形成向上述基板側突出之支持突起，且於上述發光部形成步驟中，於上述基板上之形成上述發光部之區域內，形成與上述支持突起之前端部相面對且未形成有上述有機EL元件之支持間隙，且上述支持突起係藉由蝕刻處理、噴砂處理或堆積化處理形成，且其垂直於上述基板之至少一個剖面之寬度係於上述密封基板側之根部變粗，而於上述基板側之前端部變細。
10. 如請求項9之有機EL面板之製造方法，其中上述密封基板加工步驟包括： 第1蝕刻處理步驟，其係於上述支持突起之形成範圍內形成抗蝕劑圖案並蝕刻處理上述密封基板之內面；第2蝕刻處理步驟，其係於與上述支持突起之前端部對應之位置處形成抗蝕劑圖案並蝕刻處理上述密封基板之內面。