TWI428660B - 主動元件陣列母基板以及顯示面板的製作方法 - Google Patents

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Description

主動元件陣列母基板以及顯示面板的製作方法
本發明是有關於一種基板以及顯示裝置的製造方法，且特別是有關於一種主動元件陣列母基板以及顯示面板的製作方法。
隨著電腦性能的大幅進步以及網際網路、多媒體技術的高度發展，視訊或影像裝置之體積日漸趨於輕薄。在顯示器的發展上，隨著光電技術與半導體製造技術的進步，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的液晶顯示器已逐漸成為市場之主流。
市場對於液晶顯示器的性能要求是朝向高對比(high contrast ratio)、無灰階反轉(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、亮度高(high luminance)、高色彩豐富度、高色彩飽和度、快速反應與廣視角等特性。目前，能夠達成廣視角要求的技術有扭轉向列型(twist nematic,TN)液晶加上廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換型(in-plane switching,IPS)液晶顯示器、邊際場切換型(fringe field switching)液晶顯示器、多域垂直配向型(multi-domain vertically alignment，MVA)液晶顯示器等方式。
習知之多域垂直配向式液晶顯示面板是利用配向結構(alignment structure)的配置以令不同區域內的液晶分子以不同角度傾倒，而達到廣視角的功效，其中配向結構包括配向凸塊(alignment protrusion)以及位於電極上的配向狹縫(alignment slit)。然而，位於配向凸塊與配向狹縫周圍的液晶分子往往因其傾倒方向不明確(disclination)而造成漏光的情形，如此一來，將導致液晶顯示器的顯示對比度降低。若為了解決上述漏光的情形而額外配置對應於配向凸塊或配向狹縫的遮光層，則將造成顯示開口率的損失。因此，一種聚合物穩定配向(Polymer-stablized alignment,PSA)以形成多配向領域的配向方式被提出，以改善多域垂直配向式液晶顯示面板顯示對比不佳的問題。
一般而言，聚合物穩定配向的方式須先將反應性單體摻雜於液晶層中，並施與液晶層一固化預定電壓。在此電壓下以一光線照射液晶層，則反應性單體會聚合並固化，以於液晶層兩側的基板上同時形成聚合物層。
傳統上，上述施予固化預定電壓是經由一配置於主動元件陣列母基板之顯示區外的固化走線而傳遞至畫素陣列，並且，在習知之固化走線中，其係利用一與主動元件之閘極同時形成的膜層進行製作的。然而，在進行主動元件陣列母基板之後續製程(如摻雜製程)時，此固化走線容易受到後續摻雜製程的影響而自基板上剝落，使得固化預定電壓無法順利傳遞至顯示區內的畫素電極上，導致成一整面基板上之液晶層無法被固化配向，嚴重影響聚合物穩定配向液晶顯示器的良率與製作。因此，如何改進聚合物穩定配向固化線路的設計，實為目前聚合物穩定配向液晶顯示器在製作上亟待克服的課題之一。
本發明提供一種主動元件陣列母基板，以解決聚合物穩定配向固化線路之固化走線在製程中剝落等問題。
本發明提供一種顯示面板的製作方法，其可以避免固化走線受到畫素陣列之摻雜製程的影響，以解決聚合物穩定配向固化線路之固化走線在製程中剝落等問題。
本發明提供一種主動元件陣列母基板。此主動元件陣列母基板包括基板、多個畫素陣列以及聚合物穩定配向固化線路。其中，基板具有多個面板預定區、一與面板預定區連接的線路區、一第一切割線以及一第二切割線，其中第二切割線與面板預定區的邊緣切齊，且第一切割線位於基板的邊緣與第二切割線之間的線路區上。每一畫素陣列位於每一面板預定區內，每一畫素陣列具有多個陣列排列的主動元件，且這些主動元件包括一多晶矽層、一間絕緣層、一閘極層、一第一介電層、一源極汲極層，其中多晶矽層位於基板上，閘絕緣層覆蓋多晶矽層，閘極層位於多晶矽層上方的閘絕緣層上，第一介電層覆蓋閘極層，且第一介電層與閘絕緣層具有多個共同暴露出部分多晶矽層的開口，源極汲極層則位於第一介電層上，並經由第一介電層的開口而與多晶矽層連接。此外，聚合物穩定配向固化線路配置於線路區上，且聚合物穩定配向固化線路包括多個固化接合墊(curing pad)以及多條固化走線(curing line)。其中，固化接合墊位於基板邊緣與第一切割線之間。特別的是，固化走線具有一上導電層，上導電層係與對應之固化接合墊以及對應之畫素陣列連接，且上導電層與源極汲極層為同一膜層。
在本發明之一實施例中，上述之第一介電層更位於線路區上，且每一固化走線包括位於上導電層與基板之間的第一介電層。
在本發明之一實施例中，上述之每一固化走線更包括一金屬內連線結構(via structure)。此金屬內連線結構鄰近對應之畫素陣列，且每一固化走線的上導電層經由金屬內連線結構而與對應之畫素陣列電性連接。更進一步而言，第一介電層更位於金屬內連線結構中，且金屬內連線結構具有一下導電層，其中下導電層與閘極層為同一膜層，且上導電層、第一介電層以及下導電層構成金屬內連線結構。在每一金屬內連線結構中，第一介電層具有一暴露出下導電層的接觸窗，且上導電層藉由接觸窗與下導電層連接。
在本發明之一實施例中，上述之每一畫素陣列包括多個分別與對應之主動元件電性連接的畫素電極，且畫素電極與固化接合墊電性連接。
在本發明之一實施例中，上述之每一固化接合墊包括一介電圖案、一第一導電圖案以及一第二導電圖案。具體而言，介電圖案位於基板上，其中固化接合墊的介電圖案與主動元件的第一介電層為同一膜層。第一導電圖案位於介電圖案上，且第一導電圖案與源極汲極層為同一膜層。第二導電圖案位於第一導電圖案上，且第二導電圖案與畫素電極為同一膜層。值得一提的是，聚合物穩定配向固化線路還可以包括一第二介電層，其中第二介電層覆蓋固化走線，並暴露出每一固化接合墊的第二導電圖案。
在本發明之一實施例中，上述之多晶矽層具有多個多晶矽島，多晶矽島分別具有一通道區以及位於通道區兩側的一源極區以及一汲極區，且源極區與汲極區之材質為摻雜的多晶矽。更詳細而言，在上述之各主動元件中，第一介電層之開口位於閘極層的兩側，且第一介電層的開口與閘絕緣層共同暴露出源極區以及汲極區，源極汲極層經由第一介電層的開口以及閘絕緣層而分別與每一多晶矽島中的源極區以及汲極區電性連接。
在本發明之一實施例中，上述之固化走線的線寬範圍實質上約為200微米至10000微米。
在本發明之一實施例中，上述之每一面板預定區包括畫素陣列的其中之一以及一位於畫素陣列外圍的驅動電路區，驅動電路區位於畫素陣列與線路區之間。
本發明另提出一種顯示面板的製作方法。此顯示面板的製作方法包括下列步驟。首先，提供一主動元件陣列母基板，其中形成主動元件陣列母基板的方法例如可先提供一基板，其中基板具有多個面板預定區、一與面板預定區連接的線路區、一第一切割線以及一第二切割線，第二切割線與面板預定區的邊緣切齊，且第一切割線位於基板的邊緣與第二切割線之間的線路區上。接著，於基板的面板預定區中分別形成多個畫素陣列，並且於線路區上形成一聚合物穩定配向固化線路。更具體而言，在上述步驟中所形成的每一畫素陣列具有多個陣列排列的主動元件，且聚合物穩定配向固化線路包括多個固化接合墊以及多條固化走線，其中固化接合墊形成於基板邊緣與第一切割線之間，固化走線係與對應之固化接合墊以及對應之畫素陣列連接。在上述步驟中，形成主動元件以及聚合物穩定配向固化線路的方法包括下列步驟。首先，形成一多晶矽層於每一面板預定區的基板上，其中多晶矽層具有多個多晶矽島。接著，形成一閘絕緣層覆蓋多晶矽層。之後，形成一閘極層於多晶矽層上方的閘絕緣層上。繼之，進行一摻雜製程，以於每一多晶矽島中形成一源極區、一汲極區以及位於源極區與汲極區之間的通道區。之後，形成一第一介電層覆蓋閘極層，且第一介電層具有多個分別暴露出部分源極區與汲極區的開口。接著，於上述之摻雜製程進行後，同時形成一源極汲極層以及一上導電層，其中源極汲極層形成於第一介電層上，並經由第一介電層的開口而分別與每一多晶矽島中的源極區以及汲極區電性連接，上導電層形成於線路區上，其中形成於基板邊緣與第一切割線之間的上導電層構成固化接合墊，且連接於對應之固化接合墊以及對應之畫素陣列之間的上導電層構成固化走線。
在形成上述之主動元件陣列母基板之後，接著提供一平行主動元件陣列母基板的對向基板。之後，形成一液晶層於主動元件陣列母基板與對向基板之間，其中液晶層中具有多個可聚合單體，分布於液晶層中。接著，輸入一固化預定電壓至固化接合墊，其中固化預定電壓經由固化走線的上導電層而傳遞至對應之畫素陣列中，以與對向基板形成一電壓差，可聚合單體依據電壓差傾倒一角度。之後，提供一紫外光，照射於傾倒角度的液晶層中。繼之，沿第一切割線移除固化接合墊，以及沿第二切割線將面板預定區彼此分離，以使每一顯示面板形成於對應的每一面板預定區中。
基於上述，本發明之主動元件陣列母基板中的固化走線與主動元件的源極汲極層配置於同一膜層，因此可以避免固化走線在製作過程中受到摻雜製程的影響，解決聚合物穩定配向固化線路之固化走線產生剝落等問題。此外，在本發明之顯示面板的製作方法中，構成固化走線的上導電層以及主動元件的源極汲極層是在摻雜製程之後所形成，因而可以有效避免固化走線受到畫素陣列之摻雜製程的影響，解決固化走線剝落等問題，維持聚合物穩定配向固化線路的正常運作。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
本發明提出一種佈局於主動元件陣列母基板上的聚合物穩定配向固化線路，在現有的製程中，考量基板上的線路佈局以及調和各道製程對於固化走線的衝擊，本發明之主動元件陣列母基板利用適當膜層作為固化走線，以改善習知之固化走線受到後續如摻雜製程的波及，進而避免導致固化走線剝落的問題。此外，在本發明之顯示面板的製造方法中，固化走線的形成製程是在主動元件之摻雜製程後進行的，可以有效解決習知固化走線的剝落問題。以下將列舉些許實施例搭配圖式詳細說明本發明之固化走線以及使用該固化走線之主動元件陣列母基板。
圖1為本發明一實施例之主動元件陣列母基板的示意圖。請參照圖1，此主動元件陣列母基板200包括一基板210、配置於基板210上的多個畫素陣列220以及聚合物穩定配向固化線路230。如圖1所示，基板210可依據產品而劃分為多個面板預定區212P以及一與面板預定區212P連接的線路區212C，並且基板210上具有一第一切割線C1以及一第二切割線C2，其中第二切割線C2與面板預定區212P的邊緣切齊，且第一切割線C1位於基板210的邊緣與第二切割線C2之間的線路區212C上。
此外，每一畫素陣列220位於每一面板預定區212P內，且每一畫素陣列220具有多個陣列排列的主動元件240。如圖1所示，在基板210的線路區212C上設置對應於各畫素陣列220的多個聚合物穩定配向固化線路230，其中聚合物穩定配向固化線路230包括多個固化接合墊232(curing pad)以及多條固化走線234(curing line)。固化接合墊232位於基板210邊緣E與第一切割線C1之間。值得注意的是，固化走線234具有一上導電層234A(繪示於2A中)，且固化走線234的上導電層234A(繪示於2A中)係與對應之固化接合墊232以及對應之畫素陣列220連接。在介紹固化走線234與主動元件240的膜層結構之前，先說明主動元件陣列母基板上各構件的佈局方式。
具體來說，以圖1中標示為面板預定區212P’為例，說明面板預定區212P的範圍，在面板預定區212P’中包括畫素陣列220以及一位於畫素陣列220外圍的驅動電路區250，驅動電路區250位於畫素陣列220與線路區212C之間。詳言之，當主動元件陣列母基板200用於製作成顯示面板時，畫素陣列220將位於顯示面板的顯示區，用以顯示影像。
更詳細來說，如圖1之放大圖所示，每一畫素陣列220包括多個分別與對應之主動元件240電性連接的畫素電極270，固化接合墊232(譬如是RGB固化接合墊)舉例係與畫素電極270電性連接，此外，若固化接合墊232係為閘固化接合墊(或是共通固化接合墊)，則係與閘極線(或共通線)電性連接。在進行聚合物穩定配向的固化製程中，聚合物穩定配向固化線路230用以傳遞一固化預定電壓至對應的畫素陣列220中，而在畫素陣列220的畫素電極270與對向電極陣列之間形成一電場，以使得液晶層之液晶分子隨著此電場的作用而傾倒一特定角度，並經由如照光等固化製程後，而使液晶層邊界的液晶分子形成一具有預傾角的液晶聚合物層。在訊號的傳遞路徑上，聚合物穩定配向固化線路230中的固化接合墊232為進行聚合物穩定配向的液晶單體固化(PSA monomer curing process)製程時，固化接合墊232譬如可直接與外加電源接觸，以接收外加電源所輸入的固化預定電壓，而此固化預定電壓再經由固化走線234而傳遞至對應的畫素陣列220中。主動元件陣列母基板200係利用一與主動元件240的源極汲極層246(繪示於圖2A)為同一膜層的上導電層234A(繪示於圖2A)來製作固化走線234，以解決習知之固化走線因剝落而導致整面液晶層無法被固化配向的問題。
以下將以圖1所示之主動元件陣列母基板200為例，列舉幾例並詳細說明固化走線234之膜層以及主動元件240之膜層的結構，請參照圖2A與圖2B，下文將一併說明。為了清楚說明固化走線以及主動元件的膜層結構以及膜層之間的相對位置關係，在圖2A與圖2B中僅示意性地繪示出各膜層的堆疊關係及相對位置，而省略了主動元件陣列母基板200上其他可能構件的繪示。
請參照圖1與圖2A，特別的是，固化走線234的上導電層234A係與主動元件240中的源極汲極層246為同一膜層，而固化走線234與主動元件240的膜層結構將詳述於下文。
請參照圖2A，在本實施例中，主動元件240例如是頂閘極型的多晶矽薄膜電晶體。具體而言，主動元件240大體上可由一多晶矽層242、一閘絕緣層243、一閘極層244、一第一介電層245以及一源極汲極層246所構成。如圖2A所示，多晶矽層242位於基板210上，閘絕緣層243覆蓋多晶矽層242，閘極層244位於多晶矽層242上方的閘絕緣層243上，第一介電層245覆蓋閘極層244，且第一介電層245與該閘絕緣層243具有多個共同暴露出部分多晶矽層242的開口H，源極汲極層246則位於第一介電層245上，並經由第一介電層245的開口H而與多晶矽層242連接。另一方面，如圖2A所示，固化走線234則由上導電層234A所構成，其中固化走線234的上導電層234A與主動元件240的源極汲極層246屬於同一膜層，因此在圖中以相同的填滿表示。此處所謂同一膜層係指上導電層234A與源極汲極層246是利用同一道光罩製程所製作完成的，因此即使二者在基板210上的高度平面不同，亦可謂之同一膜層。
請參照圖2B，其繪示本發明另一實施例之固化走線234與主動元件240的剖面示意圖。請參照圖2B，基於進一步保護固化走線234結構的考量，設計者亦可以將用以覆蓋主動元件240的第二介電層260，進一步地覆蓋在固化走線234的上導電層234A上，如圖2B所示。當然，設計者亦可以基於其他設計需求，如增加附著力、避免基板210中的雜質擴散至上導電層234A而影響其訊號傳遞效率等，更可於固化走線234的上導電層234A與基板210之間設置第一介電層245，換言之，第一介電層245的成膜領域可佈局於面板預定區212P的主動元件240中，以及擴及線路區212C的固化走線234中，使得每一固化走線234包括位於上導電層234A與基板210之間的第一介電層245。
為了更明確地描述本實施例之製作方法，以下將以圖2B所示之主動元件陣列母基板200為例，詳細說明固化走線以及主動元件的製作方法，請參照圖3A～圖3E，下文將一併說明。
請先參照圖3A，形成一多晶矽層242於每一面板預定區212P的基板210上，且多晶矽層242具有多個多晶矽島242I，而圖3A中僅示意性地繪示一個多晶矽島242I為例進行說明。接著，於多晶矽層242上形成一閘絕緣層243，以覆蓋多晶矽島242I。
接著，請參照圖3B，於閘絕緣層243上形成一閘極層244，且閘極層244位於多晶矽島242I的上方。繼之，進行一摻雜製程D，以於每一多晶矽島242I中形成一源極區242S、一汲極區242D以及位於源極區242S與汲極區242D之間的通道區242C，其中源極區242S與汲極區242D之材質例如是摻雜多晶矽。值得注意的是，此時，位於線路區212C上的固化走線234(繪示於圖2B)尚未形成，因此即使在進行主動元件240製程中較具衝擊力的摻雜製程D時，亦不會對尚未成膜的固化走線造成不良的影響。
之後，如圖3C所示，於閘絕緣層243上形成一第一介電層245，以覆蓋閘極層244，在本實施例中，第一介電層245亦會同時形成於線路區212C中預定形成固化走線234的區域。並且，第一介電層245與閘絕緣層243中具有多個分別暴露出部分源極區242S與汲極區242D的開口H。
繼之，如圖3D所示，於第一介電層245上形成源極汲極層246，並同時於預定形成固化走線234的區域上形成上導電層234A，其中源極汲極層246經由第一介電層245的開口H而分別與每一多晶矽島242I中的源極區242S以及汲極區242D電性連接。更具體來說，源極汲極層246包括源極導體246S以及汲極導體246D，其中源極導體246S經由第一介電層245的開口H而與每一多晶矽島242I中的源極區242S連接，而汲極導體246D經由第一介電層245的另一開口H而與每一多晶矽島242I中的汲極區242D連接。另一方面，形成於基板210邊緣與第一切割線C1之間的上導電層234A構成固化接合墊232，且連接於對應之固化接合墊232以及對應之畫素陣列220之間的上導電層234A構成固化走線234。值得注意的是，在實際製程中，位於線路區212C上的固化走線234的上導電層234A是在主動元件240的摻雜製程D之後才形成的，因此即使在主動元件陣列母基板200上進行對膜層較具衝擊力的摻雜製程D，亦不會影響在其之後才形成的上導電層234A。
接著，如圖3E所示，於主動元件240以及固化走線234上形成一第二介電層260，並且第二介電層260具有暴露出汲極導體的開口H。之後，於第二介電層260上形成畫素電極270，且畫素電極270經由第二介電層260的開口H而與汲極導體246D連結。
藉此，由於固化走線234上用以傳遞訊號的上導電層234A是與主動元件240的源極汲極層246屬於同一膜層，在實際的製作流程中，上導電層234A與源極汲極層246是在主動元件240之摻雜製程之後所形成的，如此一來，固化走線234的上導電層234A可以免於摻雜製程中摻質粒子的衝擊，進而有效解決習知固化走線234剝落的問題。
為了更明確地描述本發明之主動元件陣列基板，以下將以圖4來詳細說明聚合物穩定配向固化線路的佈局。
圖4為本發明一實施例之主動元件陣列母基板上的聚合物穩定配向固化線路示意圖，其中圖4為圖1中位於線路區上之聚合物穩定配向固化線路230局部放大示意圖。請參照圖4，聚合物穩定配向固化線路230上的固化接合墊232是位於基板210邊緣與第一切割線C1之間，且實務上在完成後續特定的製程後，藉由沿第一切割線C1進行切割而移除固化接合墊232或其他線路。另一方面，固化走線234大體位於第二切割線C2以及固化接合墊232之間，且當主動元件240陣列基板210應用至顯示面板時，在完成大部分的製作流程後，沿著第二切割線C2進行切割而將面板預定區212P彼此分離，以使每一顯示面板形成於對應的每一面板預定區212P中。
此外，如圖4所示，固化走線234將來自固化接合墊232的固化預定電壓傳遞至對應的畫素陣列220中。並且，在本實施例中，固化走線234的上導電層234A例如是藉由跳線設計而與畫素陣列220電性連接。詳言之，每一固化走線234更包括一金屬內連線結構310(via structure)，此金屬內連線結構310鄰近對應之畫素陣列220，且每一固化走線234的上導電層234A經由金屬內連線結構310而與對應之畫素陣列220中的畫素電極270電性連接。
更進一步而言，圖5為圖4中之金屬內連線結構的剖面示意圖，其中圖5一併繪示出本發明之實施例中之固化接合墊232、畫素陣列220的其中一畫素結構以及金屬內連線結構310的剖面示意圖。請參照圖5，詳細說明金屬內連線結構一實施例的結構。在本實施例中，第一介電層245更位於金屬內連線結構310中，其中金屬內連線結構310具有一與閘極層244為同一膜層的下導電層320，且上導電層234A、第一介電層245以及下導電層320構成金屬內連線結構310，在每一金屬內連線結構310中，第一介電層245具有一暴露出下導電層320的接觸窗，且上導電層234A藉由接觸窗330與下導電層320連接。
並且，如圖5所示，以下詳細說明固化接合墊232一實施例的結構。在本實施例中，每一固化接合墊232包括一介電圖案232A、一第一導電圖案232B以及一第二導電圖案232C。具體而言，介電圖案232A位於基板210上，且介電圖案232A與第一介電層245為同一膜層，換句話說，在本實施例中，固化接合墊232的介電圖案232A、固化走線234的第一介電層245以及主動元件240中的第一介電層245屬於同一膜層，並且三者可藉由同一光罩製程完成製作。如圖5所示，第一導電圖案232B位於介電圖案232A上，且第一導電圖案232B與源極汲極層246可藉由同一光罩製程來進行製作而為同一膜層。此外，第二導電圖案232C位於第一導電圖案232B上，且第二導電圖案232C與畫素電極270可藉由同一光罩製程來進行製作而為同一膜層。值得一提的是，如同前述，聚合物穩定配向固化線路230還可以包括一第二介電層260，其中第二介電層260覆蓋固化走線234，並暴露出每一固化接合墊232的第二導電圖案232C。並且，在本實施例中，固化走線234的線寬範圍實質上約為200微米至10000微米。
以下將以前述圖1與圖2B所繪示之主動元件陣列母基板200為例，說明利用主動元件陣列母基板製作出顯示面板的製作方法，請參照圖6A～圖6D並搭配圖1，下文將一併說明。
首先，請參照圖6A與圖1，提供一主動元件陣列母基板200，其中形成主動元件陣列母基板200的方法例如可先提供一基板210，而在此基板210上事先規劃多個面板預定區212P、一與面板預定區212P連接的線路區212C、一第一切割線C1以及一第二切割線C2，其中第二切割線C2與面板預定區212P的邊緣切齊，且第一切割線C1位於基板210的邊緣與第二切割線C2之間的線路區212C上。
接著，於基板210的面板預定區212P中分別形成多個畫素陣列220，並且於線路區212C上形成一聚合物穩定配向固化線路230。更具體而言，畫素陣列220與聚合物穩定配向固化線路230的形成方式如前述的圖3A～圖3E所述，不再贅述。並且，在形成上述之主動元件陣列母基板200之後，提供一平行主動元件陣列母基板200的對向基板410。
之後，如圖6B所示，形成一液晶層420於主動元件陣列母基板200與對向基板410之間，其中液晶層420中具有多個可聚合單體422，分布於液晶層420中。
接著，如圖6C所示，自固化接合墊232輸入一固化預定電壓V，其中固化預定電壓V經由固化走線234的上導電層234A而傳遞至對應之畫素陣列220中，以與對向基板410之間形成一電壓差ΔV。可聚合單體422則依據此電壓差ΔV傾倒一特定角度，其中可令此角度為液晶分子長軸中心線與基板之間的夾角。之後，提供一紫外光UV，照射於具有上述傾倒角度的液晶層420中，以使液晶層420中邊界的部分可聚合單體422進行一聚合反應，因而使得液晶層中的可聚合單體422依據上述的傾倒角度形成一具有預傾角的液晶聚合物層434。
繼之，如圖6D所示，在沿第一切割線C1移除固化接合墊232，以及沿第二切割線C2將面板預定區212P彼此分離之後，每一顯示面板則形成於對應的每一面板預定區212P中，其中切割第一切割線C1以及切割第二切割線C2之步驟可為同時或依序，也就是先切割第一切割線C1再在切割第二切割線C2或是先切割第二切割線C2再切割第一切割線C1，在此並不侷限。因此，藉由選用適當膜層作為聚合物穩定配向固化線路230的固化走線234，可以防止習知固化走線234剝落的問題，以使顯示面板在原有的製作流程下，提高產品良率。
綜上所述，本發明之主動元件陣列母基板以及顯示面板的製作方法中，一併考量製程因素，將固化走線與主動元件的源極汲極層設計成相同的膜層。藉此，由於固化走線的上導電層是在主動元件的摻雜製程之後才形成的，因此可以有效避免固化走線遭受摻雜製程的破壞，維持聚合物穩定配向固化線路的正常運作。如此一來，可以利用現有製程來順利進行液晶層的固化配向製程，提高產品良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
200．．．主動元件陣列母基板
210．．．基板
212C．．．線路區
212P、212P’．．．面板預定區
220．．．畫素陣列
230．．．聚合物穩定配向固化線路
232．．．固化接合墊
234．．．固化走線
234A．．．上導電層
240．．．主動元件
242．．．多晶矽層
243．．．閘絕緣層
244．．．閘極層
245．．．第一介電層
246．．．源極汲極層
242C．．．通道區
242D．．．汲極區
242I．．．多晶矽島
242S．．．源極區
246D．．．汲極導體
246S．．．源極導體
250．．．驅動電路區
260．．．第二介電層
270．．．畫素電極
310．．．金屬內連線結構
330．．．接觸窗
410．．．對向基板
422．．．可聚合單體
434．．．液晶聚合物層
C1‧‧‧第一切割線
C2‧‧‧第二切割線
D‧‧‧摻雜製程
H‧‧‧開口
UV‧‧‧紫外光
V‧‧‧固化預定電壓
△V‧‧‧電壓差
圖1為本發明一實施例之主動元件陣列母基板的示意圖。
圖2A與圖2B分別為本發明一實施例之主動元件陣列母基板的局部剖面示意圖。
圖3A～圖3E為本發明一實施例之主動元件陣列母基板的製作方法。
圖4為本發明一實施例之主動元件陣列母基板上的聚合物穩定配向固化線路示意圖。
圖5為圖4中之金屬內連線結構的剖面示意圖。
圖6A～圖6D為本發明一實施例之顯示面板的製作方法。
200．．．主動元件陣列母基板
210．．．基板
212C．．．線路區
212P．．．面板預定區
232．．．固化接合墊
234．．．固化走線
234A．．．上導電層
240．．．主動元件
242．．．多晶矽層
243．．．閘絕緣層
244．．．閘極層
245．．．第一介電層
246．．．源極汲極層
260．．．第二介電層
270．．．畫素電極
C1．．．第一切割線
C2．．．第二切割線

Claims (9)

  1. 一種主動元件陣列母基板，包括：一基板，具有多個面板預定區、位於該些面板預定區之外且與該些面板預定區連接的一線路區、一第一切割線以及一第二切割線，其中該第二切割線與該面板預定區的邊緣切齊，且該第一切割線位於該基板的邊緣與該第二切割線之間的線路區上；多個畫素陣列，其中每一畫素陣列位於每一面板預定區內，每一畫素陣列具有多個陣列排列的主動元件，且該些主動元件包括：一多晶矽層，位於該基板上；一閘絕緣層，覆蓋該多晶矽層；一閘極層，位於該多晶矽層上方的該閘絕緣層上；一第一介電層，覆蓋該閘極層，且該第一介電層與該閘絕緣層具有多個暴露出部分該多晶矽層的開口；以及一源極汲極層，位於該第一介電層上，並經由該第一介電層的該些開口而與該多晶矽層連接；以及一聚合物穩定配向固化線路，配置於該線路區上，其中該聚合物穩定配向固化線路包括：多個固化接合墊，位於該基板邊緣與該第一切割線之間；以及多條固化走線，具有一上導電層，該上導電層係與對應之該些固化接合墊以及對應之該畫素陣列連 接，且該上導電層與該源極汲極層為同一膜層，其中每一固化走線更包括一金屬內連線結構，鄰近對應之該畫素陣列，且每一固化走線的該上導電層經由該金屬內連線結構而與對應之該畫素陣列電性連接，該第一介電層更位於該些金屬內連線結構中，且該些金屬內連線結構具有一下導電層，其中該下導電層與該閘極層為同一膜層，且該上導電層、該第一介電層以及該下導電層構成該些金屬內連線結構，在每一金屬內連線結構中，該第一介電層具有一暴露出該下導電層的接觸窗，且該上導電層藉由該接觸窗與該下導電層連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列母基板，其中該第一介電層更位於該線路區上，且每一固化走線包括位於該上導電層與該基板之間的該第一介電層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列母基板，其中每一畫素陣列包括多個分別與對應之主動元件電性連接的畫素電極，且該些畫素電極與該些固化接合墊電性連接。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之主動元件陣列母基板，其中每一固化接合墊包括：一介電圖案，位於該基板上，其中該介電圖案與該第一介電層為同一膜層；一第一導電圖案，位於該介電圖案上，且該第一導電圖案與該源極汲極層為同一膜層；以及一第二導電圖案，位於該第一導電圖案上，且該第二 導電圖案與該些畫素電極為同一膜層。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之主動元件陣列母基板，其中該聚合物穩定配向固化線路更包括一第二介電層，覆蓋該些固化走線，並暴露出每一固化接合墊的該第二導電圖案。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列母基板，其中該多晶矽層具有多個多晶矽島，該些多晶矽島分別具有一通道區以及位於該通道區兩側的一源極區以及一汲極區，且該些源極區與該些汲極區之材質為摻雜的多晶矽。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之主動元件陣列母基板，其中在各主動元件中，該第一介電層之該些開口位於該閘極層的兩側，且該第一介電層的開口與該閘絕緣層共同暴露出該源極區以及該汲極區，該源極汲極層經由該第一介電層的該些開口以及該閘絕緣層而分別與每一多晶矽島中的該源極區以及該汲極區電性連接。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列母基板，其中該些固化走線的線寬範圍實質上約為200微米至10000微米。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列母基板，其中每一面板預定區包括該些畫素陣列的其中之一以及一位於該畫素陣列外圍的驅動電路區，該些驅動電路區位於該些畫素陣列與該線路區之間。
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