TWI425529B - 經減少週期時間之製造厚膜電阻裝置的方法 - Google Patents

經減少週期時間之製造厚膜電阻裝置的方法 Download PDF

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Description

經減少週期時間之製造厚膜電阻裝置的方法 相關申請案之交互參照
本發明係有關於與其同時申請之申請案“使用介電帶體之厚膜成層電阻裝置”，且該申請案與本發明一起讓渡，並且其內容全部在此加入作為參考。
領域
本發明係大致有關於如負載電阻器或成層加熱器之厚膜電阻裝置，且更特別是有關於這種厚膜電阻裝置之改良材料與結構。
 背景
在此段中之說明僅提供有關本發明之背景資訊且不構成先前技術。
如成層加熱器或負載電阻器之電阻裝置通常使用在空間受限之應用中、當熱輸出必須在一表面上改變、或在超清潔或腐蝕性化學應用中。一如成層加熱器之成層電阻裝置通常包含多層附著在一基板上之不同材料，即，一介電與一電阻材料。該介電材料先附著在該基板上且提供在該基板與該電阻材料間之電絕緣，並且使在操作時之電流洩漏減至最少。該電阻材料以一預定圖案附著在該介電材料上，且提供一電阻加熱器電路。該成層加熱器亦包括多數導線，該等導線連接該電阻加熱器電路與一加熱器控制器及一保護該導線與電阻電路之介面的覆模(over－mold)材 料。因此，成層負載裝置對於各種應用具有高可訂製性。
該等電阻裝置之各層可以利用各種方法形成，其中一種方法是一“厚膜”成層方法。厚膜電阻裝置之多數層通常是使用如網版印刷、印花附著、或印刷頭等方法來形成。對在該厚膜電阻裝置內之各層而言，經常需要多次塗覆或附著該厚膜材料以達到所需之厚度。與各塗覆相關之方法通常涉及多數製造步驟與高溫燒成與乾燥之重覆週期，因此，由於一厚膜電阻裝置具有多數層，且各層需要多次塗覆，所以需要多次燒成與乾燥。因此，以其多數處理步驟處理一厚膜成層電阻裝置會導致冗長製造週期時間及高成本。
 概要
在一形態中，提供一種形成一電阻裝置的方法，其中該方法包括在一基板上形成一介電層、在該介電層上形成一電阻層、及在該電阻層上形成一保護層。該介電層界定出一單一層介電帶體，且該介電帶體經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期積層至該基板上。
在另一形態中，提供一種在一用於一電阻裝置之標靶上形成一厚膜材料的方法。該厚膜材料包括至少一介電層，且該厚膜材料經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期積層至該標靶上。
在又一形態中，提供一形成一電阻裝置之方法，其中該方法包括在一基板上形成一介電層、利用一厚膜成層方 法在該介電層上形成一電阻層、及在該電阻層上形成保護層。該介電層界定出一單一層介電帶體，且該介電帶體經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期積層至該基板上。該保護層包含一單一層介電帶體，且該介電帶體經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期積層至該電阻層上。
其他應用性之領域將可由在此所提供之說明了解。在此應了解的是該說明與特定例子係僅用以說明且不是要用來限制本發明之範疇。
圖式
在此所述之圖式係僅用以說明且不是要用來限制本發明之範疇。
第1圖是設置在一標靶四週且依據本發明之原理構成之成層電阻裝置的側視圖；第2圖是第1圖之成層電阻裝置之部份橫截面圖，顯示在依據本發明之原理構成之成層電阻裝置之基板上各層的細部構造；第3圖是另一成層電阻裝置之一部份的部份橫截面圖，且該成層電阻裝置具有在該基板之外表面與內表面兩者上之層且係依據本發明之原理構成；第4圖是再一成層電阻裝置之一部份的部份橫截面圖，且該成層電阻裝置具有在依據本發明之原理構成之裝置之表面上的多數電阻元件層及多數介電層；第5圖是又一成層電阻裝置之一部份的部份橫截面圖，且該成層電阻裝置具有一設置在一電阻元件層與一保 護層之間且依據本發明之原理構成的功能層；第6A圖是一成層電阻裝置立體圖，該成層電阻裝置具有一開縫套管構形且係依據本發明之原理構成；第6B圖是一成層電阻裝置立體圖，該成層電阻裝置具有一開縫套管構形且更包含一依據本發明之原理構成之保護層；第7A圖是一成層電阻裝置之立體圖，該成層電阻裝置具有一圓柱形構形及一具有一依據本發明之原理構成之螺旋圖案的電阻層；第7B圖是另一成層電阻裝置之立體圖，該成層電阻裝置具有一圓柱形構形及一設置在其內表面上之電阻層，且該電阻層具有一相對正方形圖案且係依據本發明之原理構成；第8圖是一成層電阻裝置之立體圖，該成層電阻裝置具有一依據本發明之原理構成的圓錐形構形；第9A圖是一成層電阻裝置之平面圖，該成層電阻裝置具有一依據本發明之原理構成的扁平、圓形構形；第9B圖是一成層電阻裝置之立體圖，該成層電阻裝置具有一依據本發明之原理構成的圓形內凹構形；第9C圖是一成層電阻裝置之立體圖，該成層電阻裝置具有一依據本發明之原理構成的圓形外凸構形；第10圖是一成層電阻裝置之平面圖，該成層電阻裝置具有一依據本發明之原理構成的扁平、矩形構形；第11圖是一成層電阻裝置之立體圖，該成層電阻裝置 具有一依據本發明之原理構成的開口盒或自助餐盤構形；第12圖是一方塊圖，顯示一依據本發明之教示形成一成層電阻裝置的方法；第13A圖是一管狀基板之立體圖，且該管狀基板具有一件位據本發明之方法固持於四週之預切割介電帶體；第13B圖是第13A圖之管狀基板與介電帶體依據本發明之方法被插入一膨脹薄膜遠端中的立體快拍圖；第13C圖是第13A－13B圖之管狀基板與介電帶體依據本發明之方法下降至該膨脹薄膜中的立體快拍圖；第13D圖是第13A－13C圖之膨脹薄膜依據本發明之方法反轉環繞該管狀基板與介電帶體的立體快拍圖；第14A圖是一依據本發明之另一方法設置在一管狀基板中之介質填充心軸的立體圖；第14B圖是第14A圖之介質填充心軸與管狀基板依據本發明之方法被插入一膨脹薄膜遠端中的立體快拍圖；第14C圖是第14B圖之膨脹薄膜依據本發明之方法反轉環繞該介質填充心軸與管狀基板的立體快拍圖；第15A圖是一呈收縮狀態之第一囊袋總成及一管狀基板之示意截面圖，且該管狀基板具有依據本發明之再一方法設置在其內表面上之介電帶體；第15B圖是第15A圖之第一囊袋總成及管狀基板之示意截面圖，顯示收縮之第一囊袋依據本發明之方法被插入該管狀基板；第15C圖是第15A－15B圖之第一囊袋總成及管狀基板 之示意截面圖，顯示該第一囊袋依據本發明之方法呈一膨脹狀態；第15D圖是第15A－15C圖之第一囊袋總成及管狀基板之示意截面圖，顯示該第一囊袋依據本發明之方法結合並箝住該管狀基板，且顯示一第二囊袋總成依據本發明之方法設置在其下方；第15E圖是第15D圖之該等囊袋總成及管狀基板之示意截面圖，顯示該管狀基板及第一囊袋依據本發明之方法被插入該第二囊袋總成中，且該第二囊袋係呈一收縮狀態；第15F圖是第15D－15E圖之該等囊袋總成及管狀基板之示意截面圖，顯示兩囊袋依據本發明之方法呈一膨脹狀態；第15G圖是另一呈一收縮狀態之囊袋總成的示意截面圖，且該囊袋總成依據本發明之原理具有插入其中之一扁平基板與介電帶體；第15H圖是第15G圖之囊袋總成、基板及介電帶體之示意截面圖，且該囊袋總成係呈一膨脹狀態；第16圖是一具有介電帶體設置於其上之扁平基板的立體圖，且該基板與介電帶體係依據本發明之又一方法被真空密封；第17A圖是具有一依據本發明之另一方法設置於其中之橡膠圓柱體之管狀基板的側視圖；第17B圖是第17A圖之管狀基板與橡膠圓柱體之側視圖，顯示一壓機依據本發明之方法施加一力於該橡膠圓柱體上； 第18A圖是一具有介電帶體設置於其上之扁平基板的示意截面圖，且該基板與介電帶體係依據本發明之再一方法被設置成靠近一組壓模；第18B圖是第18A圖之基板、介電帶體、及壓模之示意截面快拍圖，且該基板與介電帶體係透過該組壓模被輥壓；第19A圖是一具有一介電帶體設置於其上之管狀基板的側快拍圖，且該基板依據本發明之一方法在一組壓模上滑動；及第19B圖是第19A圖之基板、介電帶體及壓模之示意截面快拍圖，且該基板與介電帶體係透過該組壓模被輥壓。
 詳細說明
以下說明本質上僅是示範性的且不是要用來限制本發明、應用或用途。
請參閱第1圖，其中顯示一大致以符號10表示之依據本發明原理的成層電阻裝置，且該成層電阻裝置10設置在一標靶12四週，而一電阻負載或熱可由該成層電阻裝置10提供至該標靶12。所示之成層電阻裝置10係呈管狀且，例如，環繞該標靶12同軸地設置。該成層電阻裝置10包含一基板20，且多數功能層設置於該基板20上。其中一功能層是電阻層18，且所示之電阻層18以一螺旋圖案捲繞該基板20；但是，在此應了解的是在本發明之範疇內，該電阻層18可形成任何適當圖案且為一連續層。例如，該電阻層18可形成一正方形圖案、一鋸齒圖案、一正弦圖案、或任何適當 圖案等。或者，該電阻層18可以完全沒有任何圖案之方式來提供，且以一連續片來取代。
在兩示範性形態中，該基板20係由氧化鋁(Al2 O3 )或430不鏽鋼；但是亦可依據特定應用要求與各層所使用之材料來使用其他適當材料。其他適當材料包括但不限於：鍍鎳銅、鋁、不鏽鋼、軟鋼、工具鋼、耐火合金、及氮化鋁等。
對第1圖之成層電阻裝置10而言，該電阻層18提供一加熱器電路；但是，在此應了解的是在本發明之精神與範疇內，除了一加熱器電路以外或作為一替代物，亦可提供該電阻層18。例如，該電阻層18可同時作為一加熱器元件與一溫度感測器，此種形態係揭露在與本發明共同讓渡且其內容完全在此加入作為參考之美國專利第7,196,295號中。
在某些應用中，該電阻層18作為一負載電阻器而非一加熱元件。一設計為一負載電阻器之電阻層18最好具有最小電感且形成為一正弦圖案，這種負載電阻可用來組裝其他組件。例如，一負載電阻裝置16可在炮彈或飛彈應用中具有實用性。藉作為其他組件之電力撤除部以隔離該等炮彈或飛彈與由這些其他組件所散失之電力，負載電阻器可有助於保護這些裝置。
該電阻層18最好與一對導體22連接，且該等導體22是再透過端子線24連接於一電源(圖未示)之端子墊。在此應了解的是，在本發明之精神與範疇內，只要該電阻層18以另一適當方式與一電源電連接，該等導體22亦可採用端子墊以外的形態。在一形態中，該等導體22可以省略，且該電 阻層18之電阻線路可直接連接該等端子線24。又，該等端子線24可為任何適當電線。
以下，請參閱第2圖，其中顯示沿第1圖之部份放大線2－2所截取之成層電阻裝置10的橫截面。如圖所示，該成層電阻裝置10包含該基板20及設置在該基板20外部之數層。在此應了解的是雖然在第1－2圖中顯示的是該基板20，但是該基板20不是本發明之必要元件。在某些應用中，可省略該基板20，且該等層可直接附著於該標靶12上。
以下將特別說明設置在該基板20上之層。一介電層26設置在該基板20之表面上，該表面可為如圖所示之該基板20的外表面，或任何其他表面。較佳地，在本發明之一形態中，該介電層26是一由單一層介電帶體之厚膜層。雖然該介電層26直接設置在該基板20上，但是在此了解的是，在本發明之精神與範疇內，可有另一設置在該基板20與該介電層26之間的功能層。例如，一結合層(圖未示)可設置在該基板20與該介電層26之間。該介電層26有助於在該基板20與該電阻層18之間提供電絕緣，因此，該介電層26以一匹配該電阻層18之電力輸出的厚度設置在該基板20上。單一層具有所需厚度的介電帶體可以附著在該基板20上；接著，可將該電阻層18設置在該單一層介電帶體上。
在處理之前，該介電帶體是一片可以處理與操作以與該基板20或標靶12之幾何形狀一致之撓性材料。該介電帶體通常沒有黏著性或黏性，因此，在將該帶體積層至該基板20或標靶12、或其他功能層之前，可依需要重新定位多 數次。作為一介電帶體，該材料具有介電性質，但這些性質將直到該介電層呈其最終形態後，即，在燒成後才會顯現。因此，在此所使用之“帶體”(不論是否用來作為一介電層、一電阻層、一保護層、或其他功能層)應被視為表示一可經操作而與一基板、一標靶或該成層電阻裝置10之其他層一致並可積層於其上的撓性、片狀材料。
對一預定應用而言，該介電層26最好具有足以在設置於該介電層26各側上之材料間之絕緣的介電強度，以防止在其間產生電弧。類似地，熱均一性通常是必要的。一單一層介電帶體已顯示出當使用在一成層電阻裝置10中可具有所需之介電強度、均一厚度、及熱均一性。因此，該介電帶體可依據應用需求設置成所需厚度。所選擇之介電帶體種類可依據該基板20材料與該電阻層18之電輸出，且一430不鏽鋼基板之較佳帶體係一具有大約50－300μm之厚度的無鉛陶瓷帶體。在此應了解的是各種介電帶體(材料與厚度)可以依據特定應用來提供，且因此在此所述之介電帶體不應被視為會限制本發明之範疇。此外，雖然僅一單一層介電帶體對許多應用即已足夠，但是在本發明之範疇內，亦可使用一層以上之介電帶體。
又，如圖所示，該電阻層18設置在該介電層26上。通常，該電阻層18採用一圖案，且如前所述，亦可以一連續層來提供。該等導體22通常設置在介電層26上且與該電阻層18電性連接，或者，該成層電阻裝置10可在沒有導體22之情形下提供。在本發明之精神與範疇內，該電阻層18可 由任何適當方法形成。例如，該電阻層18可以由如一厚膜法、一薄膜法、熱噴塗、或溶膠－凝膠等成層方法來附著。在此所使用之用語“成層電阻裝置”應被視為包括多數包含至少一功能層(例如，僅介電層26、電阻層18與介電層26等)之裝置，其中該層係透過使用與厚膜、薄膜、熱噴塗、或溶膠－凝膠等相關之方法附著或堆積一材料至一基板、標靶、或另一層來形成。這些方法亦被稱為“成層方法”或“層形成方法”。
厚膜法可包括，例如：網版印刷、噴塗、軋製、及轉寫印刷等。薄膜法可包括，例如：離子電鍍、濺鍍、化學氣相沈積(CVD)、及物理氣相沈積(PVD)等。熱噴塗法可包括，例如：火焰噴塗、電漿噴塗、電弧噴塗、及HVOF(高速氧燃料)等。
在一形態中，該電阻層18可由一單一層帶體形成，且該單一層帶體可藉由以下所詳述之方法來附著。該電阻層18可附著成一沒有線路或圖案之單一層，或它可具有一附著於一呈帶狀之基板20的預定線路或圖案。此外，該單一層帶體可具有一可變厚度，使得該電阻層18之瓦特密度可以沿著該線路或圖案之長度或橫跨連續層改變。在此應了解的是，在本發明之範疇內，這種帶體之可變厚度形態亦可供其他功能層使用。
該保護層28係設置在該電阻層18上且亦可覆蓋該導體22，只要該等導體22可以與該等電線(第1圖)及/或一電源(圖未示)電性連接即可。較佳地，該等導體22之至少一部份 透過該保護層28暴露出來，且該保護層28最好是一絕緣體；但是，在本發明之精神與範疇內，亦可依據一特定應用之需求使用如導電或導熱材料之其他材料。在一形態中，該保護層28是一用於電絕緣與保護該電阻層18不受操作環境影響之介電材料。因此，保護層28可包含一類似於前述之介電層26的單一層介電帶體。或者，該保護層28可使用包括但不限於網版印刷、噴塗、軋製、及轉寫印刷等其他厚膜法附著。此外，在本發明之精神與範疇內，該保護層28可以利用如溶膠－凝膠或熱噴塗法等其他成層方法來附著。通常，溶膠－凝膠層係使用如浸塗、旋塗、刷塗等方法來形成。
在另一形態中，僅該保護層28設置為一厚膜介電帶體，而其他層係使用一或多數成層方法來提供。例如，該介電層26可以由一厚膜、薄膜、熱噴塗、或溶膠－凝膠法來提供。該電阻層18亦由一如厚膜、薄膜、熱噴塗等習知方法來提供。在某些應用中，該電阻層18係直接附著於該基板20上，且該保護層28係設置成一厚膜介電帶體並設置在該電阻層18上方。
請參閱第3圖，其中顯示另一成層電阻裝置116之橫截面。類似於第2圖之負載電阻裝置16，該成層電阻裝置116包括一基板120，且該基板120具有多數設置在其外表面上之層，包括一介電層26、一電阻層118、及一保護層128。除了使多數層在其外表面上，該基板120亦具有多數類似層在其內表面上，包括一介電層226、一電阻層218、及一保 護層228。多數導體122、222連接該等電阻層118、218與一電源(圖未示)，在此應了解的是，如有必要，可省略該等導體122、222。此外，在此應了解的是在某些應用中可省略該等基底介電層126、226，且該等電阻層118、218及/或保護層128、228可以設置成一帶狀。
請參閱第4圖，其中顯示再一成層電阻裝置316之橫截面。該成層電阻裝置316包括一基板320，且設置在該基板320上的是一包含一單一層介電帶體之介電層326。一電阻層318設置在該介電層326上，且該成層電阻裝置316更包括另一些功能層，其中多數電阻層318形成在多數對應介電層326上。各電阻層318連接於導體322，且該導體322可為一個導體322或多數導體322；但是，在此應了解的是，如有必要，可省略該等導體322。多數電阻層318可用來作為瓦特形態之另一輸出，及/或它們可用來作為如果一電阻層318失效時的備份。多數電阻層318亦可用來滿足其中在一小有效面積中或在一有限覆蓋區上需要低或高電阻之多數應用的電阻需求。另外地或替代地，可在相同電阻層318內使用多數電路或電阻層318圖案。雖然所示之層326、318係在該基板320之一表面上，但在此應了解的是該等層326、318亦可設置在該基板之另一表面上。
請參閱第5圖，其中顯示其外表面上具有多數層之又一成層電阻裝置416。該成層電阻裝置416具有一基板420，且一介電層426設置在該基板420上，並且該介電層426包含介電帶體。一電阻層418設置在該介電層426上，且一保護層 428設置在該電阻層418上。另外地或替代地，該保護層428可以是一介電層426。或者，可使用另一功能層434來取代該保護層428，藉此省略該保護層428。在本發明之精神與範疇內，該另一功能層434可具有多數構形及/或功能。例如，該另一功能層434可以是一感測器層，例如，電阻溫度偵測器(RTD)溫度感測器、一接地屏蔽、一靜電屏蔽、或一射頻(RF)屏蔽等。該另一功能層434可選擇性地具有一設置於其上之外保護層438。
如在前述形態中一般，如有需要，該等層426、418、428、434、438可以設置在該基板420之一個以上之表面上。此外，可選擇性地設置多數導體422以連接該電阻層418與一電源(圖未示)。在此亦應了解的是，在某些應用中，該介電層426或該等保護層428、434可以省略，且剩餘層426、418、428、434、438之其中一層可以設置成一帶狀。
請參閱第6A圖，其中顯示一成層電阻裝置516。該成層電阻裝置516包括一基板520，且該基板520具有一包含設置於其上之介電帶體的介電層526及一設置在該介電層526上之電阻層518。雖然所示之基板520具有一管形狀，但是在此應了解的是該基板520之形狀只是示範性的，且該基板520可具有多種形狀及/或尺寸。多數導體522在該電阻層518與一電源(圖未示)之間提供電連接；但是，在此應了解的是，如有需要，該等導電層522可以省略。在大部份的應用中，一保護層應覆蓋該電阻層518，且該基板520具有一開縫套管構形，其中一槽孔538設置在該基板520中且沿著 該基板520之長度延伸。該槽孔538使該成層電阻裝置516可稍微變形，使得它可以輕易地插入或環繞一標靶以得到較佳之嵌合。
請參閱第6B圖，所示之成層電阻裝置516具有一設置在該電阻層518上之保護層528。如此處所示，該保護層528包含一類似於該介電層526之單一層介電帶體。或者，該保護層528可由多數層或由如網版印刷、噴塗、輥壓、轉寫印刷、溶膠－凝膠、或熱噴塗等另一成層方法形成。
該保護層528覆蓋該電阻層518，但未覆蓋該等導體522；該等導體522暴露出來，使得它可將一電流由該等電線傳導至該電阻層518。或者，該等導體522可以省略且該電阻層518本身可由該保護層528突出以在一電路內再連接。該等導體522或電阻層518可以在靠近該保護層528之側529暴露出來，如圖所示，或者，在不超出本發明之精神與範疇的情形下，它們也可以經由多數在該保護層528內之孔(圖未示)暴露出來。
雖然所示之層526、518係設置在該基板520之外表面上，但是在此應了解的是該等層526、518亦可設置在該基板520之內表面上。此外，在此應了解的是，在某些應用中，可省略該介電層526，且可將該電阻層518與該保護層528附加在該基板520上。
請參閱第7A圖，其中顯示另一成層電阻裝置616。該成層電阻裝置616具有圓柱形構形且包括一基板620、一包含設置在該基板620上之介電帶體之介電層626、及一設置在 該介電層626上之電阻層618。多數介電層626與電阻層618可設置在該基板620之內表面617與外表面619上，如第7A圖所示，或者它們可以僅設置在該等表面617、619之其中一表面上。多數導體622在該電阻層618與一電源(圖未示)之間提供電連接；但是在此應了解的是，如有需要，可以省略該等導體622。在大部份的應用中，一保護層將覆蓋該等電阻層618。該電阻層618具有一螺旋圖案；但是，在此應了解的是，在本發明之精神與範疇內，該電阻層618可具有任何所需圖案。類似於前述形態，在此應了解的是該介電層626可以省略，且該電阻層618及/或一保護層(圖未示)可以設置成一帶狀。
該電阻裝置616之遠端642可以類似於一近端644呈開口狀，或者它可以是封閉的，依據該成層電阻裝置616所需之特殊應用來決定。例如，在一封閉構形中，該電阻裝置616可包括一連接在該遠端642及/或該近端644上之蓋(圖未示)。
請參閱第7B圖，其中顯示另一成層電阻裝置716。該成層電阻裝置716包括一基板720，且該基板720具有一包含設置在其內表面上之介電帶體的介電層726。一具有相對方形圖案之電阻層718設置在該介電層726上，且在本發明之精神與範疇內，該電阻層718不限於在此所示之相對方形圖案，而可由任何適當圖案形成。
類似於前述形態，如有需要，該等層718、726可設置在該基板720之一個表面以上。此外，可選擇性地使用多數 導體(圖未示)來連接該電阻層718與一電源(圖未示)。在此亦應了解的是可省略該介電層726，且該電阻層718及/或一保護層(圖未示)可以設置成一帶狀。
請參閱第8圖，其中顯示另一成層電阻裝置816。在這形態中，該成層電阻裝置816具有一圓錐形構形。該成層電阻裝置816包括一基板820、一包含設置在該基板820上之介電帶體的介電層826、及一設置在該介電層826上之電阻層818。多數介電層826與電阻層818可設置在該基板820之內表面817與外表面819兩表面上，如第8圖所示，或者它們可以僅設置在該等表面817、819之其中一表面上。多數導體822在該電阻層818與一電源(圖未示)之間提供電連接；但是在此應了解的是，如有需要，可以省略該等導體822。在大部份的應用中，一保護層將覆蓋該等電阻層818。該電阻層818具有一螺旋圖案；但是，在此應了解的是，在本發明之精神與範疇內，該電阻層818可具有任何所需圖案。在某些應用中，該等介電層826可以省略，且該電阻層818及/或一保護層(圖未示)可以設置成一帶狀。
請參閱第9A圖，其中顯示再一成層電阻裝置916。該成層電阻裝置916包括一具有一扁平、圓形構形之基板920，且該基板920具有一設置於其上之介電層926，並且該介電層926包含一介電帶體。一電阻層918設置在該介電層926上，且一保護介電層928設置在該電阻層918上，並且該電阻層918可為一如同該介電層926之介電帶體。在此應了解的是，在本發明之精神與範疇內，該電阻層918可以具有多 種圖案，或者它可以完全沒有任何圖案且是一連續層。此外，可省略該介電層926，且該電阻層918及/或該保護層928可以設置成一帶狀。
該基板920具有多數切除部930與多數缺口或槽孔932，且這些切除部930與缺口或槽孔932可設置成有助於將該基板920嵌合於一周圍環境，以安裝或定位該基板920或層926、918、928，或將如感測器等安裝至該基板920等。在此應了解的是在第1－11圖所示之任一形態中亦可具有切除部、缺口或槽孔，且如有需要，可以在製造過程中將該等切除部930或槽孔932堵塞住。
請參閱第9B圖，其中顯示又一成層電阻裝置1016。該成層電阻裝置1016包括一具有一圓形、內凹形狀之基板1020，且一包含介電帶體之介電層1026設置在該基板1020之內部內凹表面上。在此應了解的是該介電層1026可同時或替代地設置在該基板1020之外表面上，且一具有一螺旋圖案之電阻層1018設置在該介電層1026上。在此應了解的是雖然所示之電阻層1018具有一螺旋圖案，但是在本發明之精神與範疇內，該電阻層1018可具有任何適當圖案。在許多應用中，一保護層將設置在該電阻層1018上且可包含一介電帶體。此外，可選擇性地設置多數導體(圖未示)，以電連接該電阻層1018。在某些應用中，可省略該電阻層1018，且該電阻層1018及/或一保護層可設置成一帶狀。
請參閱第9C圖，其中顯示另一成層電阻裝置1116。該成層電阻裝置1116具有一具有一圓形、外凸形狀之基板 1120，且一包含介電帶體之介電層1126設置在該基板1120之外部外凸表面上。在此應了解的是該介電層1126可同時或替代地設置在該基板1120之內表面上，且一具有一螺旋圖案之電阻層1118設置在該介電層1126上。在此應了解的是雖然所示之電阻層1118具有一螺旋圖案，但是在本發明之精神與範疇內，該電阻層1118可具有任何適當圖案。在許多應用中，一保護層將設置在該電阻層1118上且可包含一介電帶體。此外，類似於前述形態，可選擇性地設置多數導體(圖未示)，以電連接該電阻層1118。在某些應用中，可省略該電阻層1118，且該電阻層1118及/或一保護層可設置成一帶狀。
請參閱第10圖，其中顯示再一成層電阻裝置1216。該成層電阻裝置1216具有一具有一扁平、矩形構形。在此應了解的是，在不超出本發明之精神與範疇之情形下，該基板1220可具有任何其他形狀。該基板1220具有一設置於其上之介電層1226，且該介電層1226包含一介電帶體。一電阻層218設置在該介電層1226上，且一保護層1228設置在該電阻層1218上，並且該電阻層1218可亦包含一介電帶體。在此應了解的是，在本發明之精神與範疇內，該電阻層1218可以形成任何圖案。該電阻層1218與多數導體1222連接，且該等導體1222係構形成可與一電源電性連接，但是，在此應了解的是，如有需要，可以省略該等導體1222。在某些應用中，可以省略該介電層1226，且該電阻層1218及/或該保護層1228可以設置成一帶狀。
請參閱第11圖，其中顯示又一成層電阻裝置1316，該成層電阻裝置1316具有一具有一開口盒狀或自助餐盤狀之基板1320。一包含介電帶體之介電層1326設置在該基板1320上，且一電阻層1318設置在該介電層1326上。在此應了解的是，在本發明之精神與範疇內，該電阻層1318可形成任何適當圖形。在許多應用中，一保護層將設置在該電阻層1318上，且該電阻層1318亦包含一介電帶體。該電阻層1318可選擇性地連接於多數導體(圖未示)以進一步電性連接。
如有需要，該等層1326、1318可設置在該基板1320之多數表面上，包括設置於該開口盒狀基板1320之內側與外側。如同前述形態一般，在此應了解的是可以省略該介電層1326，且該電阻層1318及/或一保護層可設置成一帶狀。
以下請參閱第12圖，其中顯示一形成一成層電阻裝置之方法1450。該方法1450包括一在一基板或標靶上形成一介電層之第一步驟1452，且該介電層形成一單一層介電帶體，並且該介電帶體係經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期積層在該基板上。該方法1450更包括一在該介電層上形成一電阻層之第二步驟1454，且該方法1450又包括一在該電阻層上形成一保護層之第三步驟1456。
為了使用該方法1450，該基板可以設置成任何適當形狀，例如前述之管狀、開縫套筒狀、圓形、內凹形、外凸形、扁平狀、矩形、或多邊形等。此外，該介電層可積層在任可適當標靶上，且不必使用一基板。
在本發明之方法中使用之介電帶體可如前述般設置成具有所需厚度，且該帶體應在將該介電帶體積層至該基板或標靶之前便預先切割至所需尺寸。該介電帶體可利用一定位工具定位或以手動方式將它定位在該基板或標靶上，且在本發明之精神與範疇內，可同時或替代地使用任何其他適當方式來定位該介電帶體。
在本發明之精神與範疇內，該介電帶體可以各種方式積層至該基板或標靶上，且以下將說明積層該介電帶體之較佳方法。
請參閱第13A－13D圖，其中顯示將一件預先切割之介電帶體積層至一圓柱形基板之方法。雖然所示之基板是呈圓柱形，但是在本發明之精神與範疇內，該基板可具有如前述之其他構形。
請參閱第13A圖，一單一層介電帶體1526以手定位環繞一基板1520。換言之，一操作者將該介電帶體1526固持環繞該基板1520。在此應了解的是，在本發明之精神與範疇內，亦可使用其他適當方法來將該介電帶體1526定位環繞該基板1520，舉例而言，例如自動化設備/工具或機械手臂方法。此外，多數蓋(圖未示)可選擇性地置入該基板1520之各端部1517、1519中，以便在該方法週期中，如以下更詳細說明般地均勻施加壓力。
請參閱第13B圖，將該介電帶體1526固持環繞其上之基板1520放在一膨脹薄膜1550之遠外表面1548上。請參閱第13C圖，當該薄膜由一在該薄膜1550之近端1554處的開口 1552進行收縮時，該基板1520與介電帶體1526被插入該薄膜1550中，藉此將該薄膜1550之遠外表面1548推入該薄膜1550中。換言之，當該基板1520與介電帶體1526同時被插入該薄膜1550時，該薄膜1550收縮。當該基板1520與介電帶體1526完全被該薄膜1550包圍時，該薄膜1550會完全收縮。
請參閱第13D圖，將該薄膜1550反轉環繞該基板1520。換言之，在該薄膜1550收縮後，但在它被反轉之前，將兩層薄膜1550環繞該基板1520之側邊；接著將外層反轉環繞該基板1520，使得僅一層薄膜1550環繞該基板1520之側邊。薄膜1550之一部份可於該近端1554處切除，以便該薄膜1550環繞該基板1520。然後，最好將該薄膜1550密封環繞該基板1520。該薄膜1550可以任何適當方式密封，舉例而言，該薄膜1550可以藉由綁一個結、藉由將它夾住封閉、或藉由將它加熱密封來密封。
在該薄膜1550反轉環繞該基板1520與介電帶體1526且密封後，對該基板1520與介電帶體1526施行一壓力、溫度與時間之單一預定週期。該薄膜1550有助於將壓力均勻施加至該介電帶體1526之外表面上，如果將多數蓋(圖未示)選擇性地插入該圓柱形基板1520之端部1517、1519中，它們將有助於將壓力均勻施加至靠近該等端部1517、1519之介電帶體1526的外表面。這種均勻施加壓力使該介電帶體1526可以一實質均一厚度與黏著力積層至該基板1520上。
該壓力、溫度與時間之週期可以利用一等壓壓機施 行，或者該週期可以另一適當方式施行。舉例而言，施行該週期之其他適當方式包括利用一液壓或液體靜壓壓機。一等壓壓機使一組件在一高壓密封容器中受到溫度與等壓之作用，且用以施加壓力之介質可以是一如氬之惰性氣體、一如水之液體、或任何其他適當介質。該壓力是等壓壓的，且它由所有方向施加至該組件上。
在一形態中，欲施加之壓力的範圍是大約50至大約100,000psi(磅每平方英吋)，欲施加之溫度的範圍是大約40至大約110℃，且在該週期中用以施加該溫度與壓力之時間量的範圍是大約5秒至大約10分鐘。欲施加之特殊壓力、溫度與時間係依據該等零件之尺寸與該等材料之特性來決定。在該週期完成後，可將該基板1520由該薄膜1550中取出。接著，最好在一火爐中燒成附著有介電帶體1526之基板1520。如在此所述者，該燒成方法可包含多數階段，舉例而言，例如一分開之燒熔(burn out)與燒成方法。
以下，請參閱第14A－14C圖，揭露前述方法之一變化例，且第14A－14C圖之方法可用來積層一介電帶體層至一圓柱形基板1620之內表面上(第13A－13D圖之方法係用來積層一介電帶體層1526至一圓柱形基板1520之外表面上)。
第14A－14C圖之方法包含將該介電帶體層定位在一中空、圓柱形基板1620之內表面上。請參閱第14A圖，一含有一流體介質之可膨脹心軸1660以一收縮狀態被插入該圓柱形基板1620之中空中心。接著，以自動或手動方式將該心軸1660移動至一膨脹狀態，使該心軸1660移動至一膨脹狀 態。在該膨脹狀態時，該心軸1660貼合在該圓柱形基板1620之內表面上。
該心軸1660最好填充有一流體介質；但是，在本發明之精神與範疇內，該心軸亦可填充任何其他適當之介質。更佳地，該心軸1660係填充有一選自以下列出之流體：橡膠、黏土、水、空氣、油、或一澱粉基模塑化合物，例如揭露在美國專利第6,713,624號且以商標名Play－Doh販售者。
該心軸1660最好可彈性貼合，且在此所使用之用語“可彈性貼合”應被解釋表示該心軸1660在不進行塑性變形之情形下回復至其初始形狀，使得，該心軸之外表面不會出現在處理後來自該介電材料之表面之可注意到的或實質的缺陷。該心軸1660可包含一如汽球之薄膜作為其外表面，或該心軸1660可具有一由任何適當材料形成之外表面。如果該心軸1660包含一薄膜作為其外表面，如第14A－14B圖所示，且該心軸1660可具有一綁在靠近其開口之一端部1664處的結1662，以確使該流體介質被保持在該心軸1660內。在此應了解的是該心軸1660亦可同時或替代地以任何其他適當方式密封，例如，藉由將它夾持封閉、藉由將它加熱密封、或藉由以沒有任何開口之方式提供它(換言之，在製造該薄膜之過程中環繞該介質形成該薄膜)。
請參閱第14B圖，該心軸1660貼合在其內表面且將該介電帶體固持於其上之基板1620被放置在一可膨脹薄膜1650之遠外表面1648上，且在該薄膜1650膨脹時被插入該薄膜 1650中。該薄膜1650由在該薄膜1650之一近端1654處的開口1652進行收縮，且當該基板1620與心軸1660被該薄膜1650完全環繞時，該薄膜1650完全收縮。
請參閱第14C圖，該薄膜1650被反轉環繞該基板1620。換言之，在該薄膜1650收縮後，但在它反轉之前，兩層薄膜1650環繞該基板1620之側邊；且接著反轉外層環繞該基板1620，使得僅一層薄膜1650環繞該基板1620之側邊。薄膜1650之一部份可在該近端1654處切除，以便反轉該薄膜1650環繞該基板1620。
在該薄膜1650反轉環繞該基板1620、心軸1660、及介電帶體(圖未示)後，對該基板1620、心軸1660、及介電帶體施行一壓力、溫度與時間之單一預定週期，以一與參照第13A－13C圖所述之方式實質上相同的方式將該介電帶體積層至該基板1620上。該薄膜1650有助於將壓力均勻地施加至該介電帶體之外表面上，這種均勻施加壓力使該介電帶體可以一實質均一厚度與黏著力積層至該基板1620上。該壓力、溫度與時間之週期可以利用一等壓壓機施行，或者該週期可以另一適當方式施行。在該週期完成後，該基板1620可由該薄膜1650中取出，接著，最好在一火爐中燒成附著有該介電帶體之基板1620。
以下，請參閱第15A－15F圖，顯示一使用一囊袋壓機來積層介電帶體至一基板之一表面的方法。請參閱第15A圖，將一單一層介電帶體1726放置在一圓柱形基板1720之至少表面上，且將一第一總成1770朝該基板1720移動。該第一 總成1770具有一第一囊袋1772，且該第一囊袋1772可在一膨脹狀態與一收縮狀態之間移動。當該第一總成1770朝該基板1720移動時，該第一囊袋1772應在該收縮狀態。
請參閱第15B圖，將該第一囊袋1772插入該圓柱形第一總成1770之中心。請參閱第15C圖，將一流體介質釋入或注入該第一囊袋1772中，以使該第一囊袋1772膨脹成該膨脹狀態。該流體介質可包含水、空氣、或任何其他適當介質。當在該膨脹狀態且被插入該圓柱形基板1720之中心時，該第一囊袋1772緊壓在該基板1720之內表面上，因此當該第一總成1770移動時，該基板1720將與該第一總成1770一起移動或被該第一總成1770抬高。換言之，在該膨脹狀態時，該第一囊袋1772結合該基板1720，以將該基板1720壓緊在該第一囊袋1772上。
請參閱第15D圖，該第一總成1770與附著之第一囊袋1772朝一第二總成1776移動。該第二總成1776具有一可在一收縮狀態與一膨脹狀態之間移動之第二囊袋1778，當該第一總成1770朝該第二總成1776移動時，該第二囊袋1778應在該收縮狀態。
請參閱第15E圖，該基板1720被插入該第二總成1776且該第一總成1770仍與該基板1720連接並且該第一囊袋1772仍在該膨脹狀態。請參閱第15F圖，一如空氣或水之流體介質被釋入或注入該第二囊袋1778中，以使該第二囊袋1778膨脹成該膨脹狀態。在該膨脹狀態時，該第二囊袋1778結合該基板1720之外表面。如果該介電帶體設置在該基板 1720之外表面上，則該第二囊袋1778以該膨脹狀態結合該介電帶體以將它壓抵於該基板1720之外表面上。
包括該第一總成1770、該第二總成1776及該基板1720之整個總成1780被封閉在一加壓容器中。在先前已說明之範圍中，施行一壓力、溫度與時間之單一預定週期。該等囊袋1772、1778在一壓力、溫度與時間之單一週期中保持該膨脹狀態。在該基板1720由該總成1780中取出後，最好在一火爐中燒成附著有介電層之基板1720。
請參閱第15G－15H圖，其中顯示另一使用一囊袋壓機將介電帶體積層至一基板之方法。請參閱第15G圖，將一單一層介電帶體1727放置在一基板1721之至少一表面上。在第15G－15H中所示之基板1721是一扁平基板1721，但是，在此應了解的是，在不超出本發明之精神與範疇之情形下，該基板1721可具有其他構形。
該基板1721與介電帶體1727被放置於一囊袋總成1777中且在囊袋1779間，並且該等囊袋1779可在一收縮狀態與一膨脹狀態之間移動。當該基板移入該囊袋總成1777中時，該等囊袋1779應在該收縮狀態。
請參閱第15H圖，將一包含水、空氣、或任何其他適當介質之流體介質釋入或注入該等囊袋1779中，以使該等囊袋1772膨脹成該膨脹狀態。當在該膨脹狀態時，該等囊袋1779結合該介電帶體1727與基板1721，以將該介電帶體1727壓抵在該基板1721之表面上。包括該囊袋總成1777、該基板1721及該介電帶體1727之整個總成1781被封閉在一 加壓容器中。在先前已說明之範圍中，施行一壓力、溫度與時間之單一預定週期。該等囊袋1779在一壓力、溫度與時間之單一週期中保持該膨脹狀態。在該基板1721由該總成1781中取出後，最好在一火爐中燒成附著有介電層之基板1721。
請參閱第16圖，其中顯示用以將介電帶體1826積層至一基板1820上之又一方法。所示之基板1820係呈扁平與矩形狀；但是，此方法亦適用於一具有如圓形等任何形狀之扁平基板的扁平基板。該介電帶體1826被定位在該基板1820上，且兩者均被插入一塑膠袋1882中。將該袋1882密封且施加一真空，使該袋1882緊緊貼抵該介電帶體1826與基板1820。一支持板亦可插入該介電帶體1826或該基板1820之兩側，以便讓壓力均勻分布。此外，該支持板亦使多數基板1820可以插入該袋袋1882中。在此形態中，具有介電帶體1826設置於其上之各基板1820將與一使它與其他基板1820互相分開之支持板堆疊在一起。然後，可對在該袋1882內之基板1820施行一壓力、溫度與時間之週期，且施加前述參數，以將該介電帶體1826積層至該基板1820上。一等壓壓機可以但不必用來施行該壓力、溫度與時間之週期。接著，最好在一火爐中燒成附著有介電層之基板1820。
請參閱第17A－17B圖，其中顯示用以將一介電帶體層積層在一基板1920上之另一方法，且該方法包括將一件預先切割之介電帶體定位在該基板1920之內表面上。請參閱第 17A圖，該方法更包括將一橡膠心軸1960插入該基板1920內，且該心軸1960可被預熱以便進行該積層方法。同時或替代地，該基板1920及/或介電帶體可以使用一烘爐預熱。請參閱第17B圖，該方法包括藉由將該心軸1960夾持在一施力表面1984與一反作用表面1986之間而對該橡膠心軸1960施加一力量。或者，兩表面1984、1986可對該心軸1960施力。此時，可增加溫度且可施力一段適當時間。接著，最好在一火爐中燒成附著有介電層之基板1920。
請參閱第18A－18B圖，其中顯示一用以將一介電帶體層2026積層至一扁平基板2020之方法。該介電帶體層2026使用熱輥或壓模2090積層在該基板2020上，且該基板2020與介電帶體層2026最好使用一如小批式烘爐之烘爐預熱。該基板2020與介電帶體層2026最好被加熱至一大約40至大約110℃之溫度範圍；但是，較佳溫度會隨著不同材料改變。該介電帶體層2026定位在該基板2020上，且經由一組壓模2090輥壓。多數介電帶體層2026可定位在該基板2020之一或兩側上，且該等輥或壓模2090宜被加熱至一大約40至110℃之溫度範圍，且以加熱至大約110℃更佳。在一形態中，可將一Mylar板(圖未示)放在該等壓模2090與該基板2020之間。在被該組壓模2090積層後，最好在一火爐中燒成附著有該基板2020之介電帶體層2026。
請參閱第19A－19B圖，其中顯示另一用以將一介電帶體層2126積層至一基板2120上之方法。在這形態中，該基板2120具有一管狀形狀，且可有或沒有一槽孔或缺口。該基 板2120與介電帶體層2126最好使用一如小批式烘爐之烘爐預熱至大約40至大約110℃之溫度範圍；但是，較佳溫度會隨著不同材料改變。該介電帶體層2126被定位在該基板2120上，且該基板2120在一輥或壓模2190上滑動。接著，關閉該等輥2190，且經由該等輥2190輥壓該基板2120與介電帶體層2126。該等輥或壓模2190宜被加熱至一大約40至110℃之溫度範圍，且以加熱至大約110℃更佳。在一形態中，可將一Mylar板(圖未示)放在該等壓模2190與該基板2120之間。在被該組壓模2190積層後，最好在一火爐中燒成附著有該基板2120之介電帶體層2126。
在前述各種方法中，在該帶體層積層至該基板上後，可將一電阻層添加至該介電帶體層上。該電阻層可使用一如先前已說明之薄膜、厚膜、熱噴塗、或溶膠－凝膠等成層方法形成。
接著，可利用一如薄膜、厚膜、熱噴塗、或溶膠－凝膠等成層方法在該電阻層上形成一保護層。或者，該保護層可以是一可利用在參照第13A－19B圖說明之方法附加之厚膜介電帶體。換言之，該保護層可以是一積層於該電阻層上之介電帶體層。
在該介電帶體層已積層至該基板或標靶後，附加該電阻層與保護層之另一種方式是可將該電阻層、該保護層、及/或多數導體預形成在該介電帶體層上。換言之，在該介電帶體積層至一基板或標靶之前，該電阻層、保護層、及/或導體可形成在該介電帶體上。在這形態中，多數缺口、 切除部、或槽孔可以預先切入或穿過該(等)介電帶體層及與其連接之任何其他功能層。
此說明在本質上僅是示範性的且因此，不偏離本發明之要旨之變化例應包括在本發明之範疇內。這些變化例不應被視為偏離本發明之精神與範疇。
10‧‧‧成層電阻裝置
12‧‧‧標靶
16‧‧‧負載電阻裝置
18‧‧‧電阻層
20‧‧‧基板
22‧‧‧導體
24‧‧‧端子線
26‧‧‧介電層
28‧‧‧保護層
116‧‧‧成層電阻裝置
118‧‧‧電阻層
120‧‧‧基板
122,222‧‧‧導體
126,226‧‧‧介電層
128,228‧‧‧保護層
316‧‧‧成層電阻裝置
318‧‧‧電阻層
320‧‧‧基板
322‧‧‧導體
326‧‧‧介電層
416‧‧‧成層電阻裝置
418‧‧‧電阻層
420‧‧‧基板
422‧‧‧導體
426‧‧‧介電層
428‧‧‧保護層
434‧‧‧功能層
438‧‧‧外保護層
516‧‧‧成層電阻裝置
518‧‧‧電阻層
520‧‧‧基板
522‧‧‧導體
526‧‧‧介電層
528‧‧‧保護層
529‧‧‧側
538‧‧‧槽孔
616‧‧‧成層電阻裝置
617‧‧‧內表面
618‧‧‧電阻層
619‧‧‧外表面
620‧‧‧基板
622‧‧‧導體
626‧‧‧介電層
642‧‧‧遠端
644‧‧‧近端
716‧‧‧成層電阻裝置
718‧‧‧電阻層
720‧‧‧基板
726‧‧‧介電層
816‧‧‧成層電阻裝置
817‧‧‧內表面
818‧‧‧電阻層
819‧‧‧外表面
820‧‧‧基板
822‧‧‧導體
826‧‧‧介電層
916‧‧‧成層電阻裝置
918‧‧‧電阻層
920‧‧‧基板
926‧‧‧介電層
928‧‧‧保護層
930‧‧‧切除部
932‧‧‧缺口或槽孔
1016‧‧‧成層電阻裝置
1018‧‧‧電阻層
1020‧‧‧基板
1026‧‧‧介電層
1116‧‧‧成層電阻裝置
1118‧‧‧電阻層
1120‧‧‧基板
1126‧‧‧介電層
1216‧‧‧成層電阻裝置
1218‧‧‧電阻層
1220‧‧‧基板
1222‧‧‧導體
1226‧‧‧介電層
1228‧‧‧保護層
1316‧‧‧成層電阻裝置
1318‧‧‧電阻層
1320‧‧‧基板
1326‧‧‧介電層
1450‧‧‧方法
1452‧‧‧第一步驟
1454‧‧‧第二步驟
1456‧‧‧第三步驟
1517,1519‧‧‧端部
1520‧‧‧基板
1526‧‧‧介電帶體
1548‧‧‧遠外表面
1550‧‧‧薄膜
1552‧‧‧開口
1554‧‧‧近端
1620‧‧‧基板
1648‧‧‧遠外表面
1650‧‧‧薄膜
1652‧‧‧開口
1654‧‧‧近端
1660‧‧‧心軸
1662‧‧‧結
1664‧‧‧端部
1720‧‧‧圓柱形基板
1721‧‧‧基板
1726‧‧‧介電帶體層
1727‧‧‧介電帶體層
1770‧‧‧第一總成
1772‧‧‧第一囊袋
1776‧‧‧第二總成
1777‧‧‧囊袋總成
1778‧‧‧第二囊袋
1779‧‧‧囊袋
1780‧‧‧總成
1781‧‧‧總成
1820‧‧‧基板
1826‧‧‧介電帶體
1882‧‧‧袋
1920‧‧‧基板
1960‧‧‧心軸
1984‧‧‧施力表面
1986‧‧‧反作用表面
2020‧‧‧基板
2026‧‧‧介電帶體層
2090‧‧‧輥或壓模
2120‧‧‧基板
2126‧‧‧介電帶體層
2190‧‧‧輥或壓模
第1圖是設置在一標靶四週且依據本發明之原理構成之成層電阻裝置的側視圖；第2圖是第1圖之成層電阻裝置之部份橫截面圖，顯示在依據本發明之原理構成之成層電阻裝置之基板上各層的細部構造；第3圖是另一成層電阻裝置之一部份的部份橫截面圖，且該成層電阻裝置具有在該基板之外表面與內表面兩者上之層且係依據本發明之原理構成；第4圖是再一成層電阻裝置之一部份的部份橫截面圖，且該成層電阻裝置具有在依據本發明之原理構成之裝置之表面上的多數電阻元件層及多數介電層；第5圖是又一成層電阻裝置之一部份的部份橫截面圖，且該成層電阻裝置具有一設置在一電阻元件層與一保護層之間且依據本發明之原理構成的功能層；第6A圖是一成層電阻裝置立體圖，該成層電阻裝置具有一開縫套管構形且係依據本發明之原理構成；第6B圖是一成層電阻裝置立體圖，該成層電阻裝置具有一開縫套管構形且更包含一依據本發明之原理構成之保 護層；第7A圖是一成層電阻裝置之立體圖，該成層電阻裝置具有一圓柱形構形及一具有一依據本發明之原理構成之螺旋圖案的電阻層；第7B圖是另一成層電阻裝置之立體圖，該成層電阻裝置具有一圓柱形構形及一設置在其內表面上之電阻層，且該電阻層具有一相對正方形圖案且係依據本發明之原理構成；第8圖是一成層電阻裝置之立體圖，該成層電阻裝置具有一依據本發明之原理構成的圓錐形構形；第9A圖是一成層電阻裝置之平面圖，該成層電阻裝置具有一依據本發明之原理構成的扁平、圓形構形；第9B圖是一成層電阻裝置之立體圖，該成層電阻裝置具有一依據本發明之原理構成的圓形內凹構形；第9C圖是一成層電阻裝置之立體圖，該成層電阻裝置具有一依據本發明之原理構成的圓形外凸構形；第10圖是一成層電阻裝置之平面圖，該成層電阻裝置具有一依據本發明之原理構成的扁平、矩形構形；第11圖是一成層電阻裝置之立體圖，該成層電阻裝置具有一依據本發明之原理構成的開口盒或自助餐盤構形；第12圖是一方塊圖，顯示一依據本發明之教示形成一成層電阻裝置的方法；第13A圖是一管狀基板之立體圖，且該管狀基板具有一件位據本發明之方法固持於四週之預切割介電帶體； 第13B圖是第13A圖之管狀基板與介電帶體依據本發明之方法被插入一膨脹薄膜遠端中的立體快拍圖；第13C圖是第13A－13B圖之管狀基板與介電帶體依據本發明之方法下降至該膨脹薄膜中的立體快拍圖；第13D圖是第13A－13C圖之膨脹薄膜依據本發明之方法反轉環繞該管狀基板與介電帶體的立體快拍圖；第14A圖是一依據本發明之另一方法設置在一管狀基板中之介質填充心軸的立體圖；第14B圖是第14A圖之介質填充心軸與管狀基板依據本發明之方法被插入一膨脹薄膜遠端中的立體快拍圖；第14C圖是第14B圖之膨脹薄膜依據本發明之方法反轉環繞該介質填充心軸與管狀基板的立體快拍圖；第15A圖是一呈收縮狀態之第一囊袋總成及一管狀基板之示意截面圖，且該管狀基板具有依據本發明之再一方法設置在其內表面上之介電帶體；第15B圖是第15A圖之第一囊袋總成及管狀基板之示意截面圖，顯示收縮之第一囊袋依據本發明之方法被插入該管狀基板；第15C圖是第15A－15B圖之第一囊袋總成及管狀基板之示意截面圖，顯示該第一囊袋依據本發明之方法呈一膨脹狀態；第15D圖是第15A－15C圖之第一囊袋總成及管狀基板之示意截面圖，顯示該第一囊袋依據本發明之方法結合並箝住該管狀基板，且顯示一第二囊袋總成依據本發明之方 法設置在其下方；第15E圖是第15D圖之該等囊袋總成及管狀基板之示意截面圖，顯示該管狀基板及第一囊袋依據本發明之方法被插入該第二囊袋總成中，且該第二囊袋係呈一收縮狀態；第15F圖是第15D－15E圖之該等囊袋總成及管狀基板之示意截面圖，顯示兩囊袋依據本發明之方法呈一膨脹狀態；第15G圖是另一呈一收縮狀態之囊袋總成的示意截面圖，且該囊袋總成依據本發明之原理具有插入其中之一扁平基板與介電帶體；第15H圖是第15G圖之囊袋總成、基板及介電帶體之示意截面圖，且該囊袋總成係呈一膨脹狀態；第16圖是一具有介電帶體設置於其上之扁平基板的立體圖，且該基板與介電帶體係依據本發明之又一方法被真空密封；第17A圖是具有一依據本發明之另一方法設置於其中之橡膠圓柱體之管狀基板的側視圖；第17B圖是第17A圖之管狀基板與橡膠圓柱體之側視圖，顯示一壓機依據本發明之方法施加一力於該橡膠圓柱體上；第18A圖是一具有介電帶體設置於其上之扁平基板的示意截面圖，且該基板與介電帶體係依據本發明之再一方法被設置成靠近一組壓模；第18B圖是第18A圖之基板、介電帶體、及壓模之示意截面快拍圖，且該基板與介電帶體係透過該組壓模被輥壓； 第19A圖是一具有一介電帶體設置於其上之管狀基板的側快拍圖，且該基板依據本發明之一方法在一組壓模上滑動；及第19B圖是第19A圖之基板、介電帶體及壓模之示意截面快拍圖，且該基板與介電帶體係透過該組壓模被輥壓。
1450‧‧‧方法
1452‧‧‧第一步驟
1454‧‧‧第二步驟
1456‧‧‧第三步驟

Claims (39)

  1. 一種形成一電阻裝置的方法，包含：將界定一單一層介電帶體的一介電層放置在一基板上；經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期積層該單一層介電帶體於該基板上，使得該單一層介電帶體可以一實質均一厚度與黏著力積層至該基板上；在該單一層介電帶體黏著於該基板後，在該介電層上形成一電阻層；及在該電阻層上形成一保護層。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該介電帶體藉經由一組壓模輥壓而積層至該基板上。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該介電帶體利用一等壓壓機積層至該基板上。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該介電帶體藉以下步驟積層至該基板上：將具有該單一層介電帶體之基板放置在一膨脹薄膜之一遠外表面上；在一近端處使該薄膜收縮且同時將該基板插入該薄膜中；及在該基板完全插入該薄膜時反轉該薄膜。
  5. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該介電帶體利用一囊袋壓機積層至該基板上。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該介電帶體藉以下 步驟積層至該基板上：將一第一囊袋放置在靠近該基板之至少一表面處；使該第一囊袋膨脹，使得該第一囊袋結合該介電帶體與該基板中之一者以壓緊該基板；使該第一囊袋與該基板一起移動至一第二囊袋，使得該基板之另一表面設置於靠近該第二囊袋處；使該第二囊袋膨脹，使得該第二囊袋結合該介電帶體與該基板中之另一者；及維持該第一囊袋與該第二囊袋之膨脹經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期，使得該介電帶體可以一實質均一厚度與黏著力積層至該基板上。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該介電帶體利用一可膨脹心軸積層至該基板上。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該可膨脹心軸包含一填充有一流體介質之可貼合薄膜。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該流體介質選自於由橡膠、黏土、水、空氣、油、及澱粉基模塑化合物構成之群。
  10. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該可膨脹心軸可彈性貼合。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該電阻層係由一選自於由薄膜、厚膜、熱噴塗、及溶膠-凝膠構成之群的成層方法形成。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該電阻層包含一單 一層介電帶體，且該介電帶體經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期積層於該介電層。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該保護層包含一單一層介電帶體，且該介電帶體經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期積層於該電阻層。
  14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該保護層係由一選自於由薄膜、厚膜、熱噴塗、及溶膠-凝膠構成之群的成層方法形成。
  15. 一種在一用於一電阻裝置中之標靶上形成一厚膜材料的方法，該厚膜材料包括至少一介電帶體層，且包括該至少一介電帶體層之該厚膜材料經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期積層至該標靶上，使得該介電帶體可以一實質均一厚度與黏著力積層至該標靶上。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該厚膜材料包含一單一層介電帶體。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該單一層介電帶體界定一積層於一標靶上之基底介電層。
  18. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該單一層介電帶體界定一積層於一基底介電層與該標靶之其中一者上的電阻層。
  19. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該單一層介電帶體界定一積層於一電阻層上之保護層。
  20. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該厚膜材料包含一預成形物，且該預成形物係由一介電帶體及一設置在該 介電帶體上之電阻元件所界定。
  21. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該厚膜材料包含一預成形物，且該預成形物係由一介電帶體、一設置在該介電帶體上之電阻元件、及多數設置在該介電帶體上且與該電阻元件電接觸之導體所界定。
  22. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該厚膜材料包含一預成形物，且該預成形物係由一介電帶體、一設置在該介電帶體上之電阻元件、多數設置在該介電帶體上且與該電阻元件電接觸之導體、及一設置在該電阻元件上且不在該等導體上之介電帶體的保護層所界定。
  23. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該厚膜材料包含一預成形物，且該預成形物係由一介電帶體之保護層、及一設置在該介電帶體之保護層上之電阻元件所界定。
  24. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該厚膜材料包含一預成形物，且該預成形物係由一介電帶體之保護層、一設置在介電帶體之保護層上之電阻元件、及多數與該電阻元件電接觸之導體所界定，其中該介電帶體之保護層界定出多數孔，且該等導體經由該等孔暴露出來。
  25. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該厚膜材料藉經由一組壓模輥壓而積層至該標靶上。
  26. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該厚膜材料利用一等壓壓機積層至該標靶上。
  27. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該厚膜材料藉以下步驟積層至該標靶上： 將具有該厚膜材料之標靶放置在一膨脹薄膜之一遠外表面上；在一近端處使該薄膜收縮且同時將該標靶插入該薄膜中；及在該標靶完全插入該薄膜時反轉該薄膜。
  28. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該厚膜材料利用一囊袋壓機積層至該標靶上。
  29. 如申請專利範圍第28項之方法，其中該厚膜材料藉以下步驟積層至該標靶上：將一第一囊袋放置在靠近該標靶之至少一表面處；使該第一囊袋膨脹，使得該第一囊袋結合該厚膜材料與該標靶中之一者以壓緊該標靶；使該第一囊袋與該標靶一起移動至一第二囊袋，使得該標靶之另一表面設置於靠近該第二囊袋處；使該第二囊袋膨脹，使得該第二囊袋結合該厚膜材料與該標靶中之另一者；及維持該第一囊袋與該第二囊袋之膨脹經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期。
  30. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該厚膜材料利用一可膨脹心軸積層至該標靶上。
  31. 如申請專利範圍第30項之方法，其中該可膨脹心軸包含一填充有一流體介質之可貼合薄膜。
  32. 如申請專利範圍第31項之方法，其中該流體介質選自於由橡膠、黏土、水、空氣、油、及澱粉基模塑化合物構 成之群。
  33. 如申請專利範圍第30項之方法，其中該可膨脹心軸可彈性貼合。
  34. 一種形成一電阻裝置的方法，包含：將界定一單一層介電帶體的一介電層放置在一基板上；經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期積層該單一層介電帶體於該基板上，使得該介電層可以一實質均一厚度與黏著力積層至該基板上；在該單一層介電帶體黏著於該基板後，利用一厚膜成層方法，在該介電層上形成一電阻層；及經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期，在該電阻層上積層包含一單一層介電帶體之一保護層。
  35. 如申請專利範圍第34項之方法，更包含形成多數與該電阻層電接觸之導體，其中該等導體透過該保護層至少部份地暴露出來。
  36. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該介電帶體藉以下步驟積層：將具有該層介電帶體之基板放置在一膨脹薄膜之一遠外表面上；在一近端處使該薄膜收縮且同時將該基板插入該薄膜中；及在該基板完全插入該薄膜時反轉該薄膜。
  37. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該介電帶體藉以下 步驟積層：將一第一囊袋放置在靠近該基板之至少一表面處；使該第一囊袋膨脹，使得該第一囊袋結合該介電帶體與該基板中之一者以壓緊該基板；使該第一囊袋與該基板一起移動至一第二囊袋，使得該基板之另一表面設置於靠近該第二囊袋處；使該第二囊袋膨脹，使得該第二囊袋結合該介電帶體與該基板中之另一者；及維持該第一囊袋與該第二囊袋之膨脹經過一壓力、溫度與時間之單一預定週期。
  38. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該介電帶體利用一可膨脹心軸積層。
  39. 如申請專利範圍第38項之方法，其中該可膨脹心軸可彈性貼合。
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