JPH0685460A - 多層セラミック基板の製造方法 - Google Patents

多層セラミック基板の製造方法

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JPH0685460A
JPH0685460A JP4237511A JP23751192A JPH0685460A JP H0685460 A JPH0685460 A JP H0685460A JP 4237511 A JP4237511 A JP 4237511A JP 23751192 A JP23751192 A JP 23751192A JP H0685460 A JPH0685460 A JP H0685460A
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cavity
green sheet
paste
insulating layer
green
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JP4237511A
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Kenichiro Tsubone
健一郎 坪根
Michiaki Takada
理映 高田
Eiji Mishiro
英治 三代
Mitsunori Abe
光紀 安陪
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 多層セラミック基板特にキャビイティ, くり
抜き孔等を有する多層セラミック基板の製造方法に関
し、歩留りが良い多層セラミック基板の製造方法を提供
することを目的とする。 【構成】 所望のグリーンシート10-UG,10-2G,10-3G の
キャビイティ2を設ける個所に、熱膨張係数がグリーン
シートの熱膨張係数よりも大きいキャビイティ用ペース
ト31を印刷塗布し、総てのグリーンシート10-UG,10-2G,
10-3G,・・,10-DGのくり抜き孔3を設ける個所に、熱膨張
係数がグリーンシートの熱膨張係数よりも大きいくり抜
き孔用ペースト32を塗布印刷し、グリーンシート10-UG,
10-2G,10-3G,・・,10-DGを積層し加圧し、グリーンシート
の焼結温度よりも低い所定の温度に加熱して、キャビイ
ティ2とくり抜き孔3設け、その後焼成する構成とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多層セラミック基板特
にキャビイティ, くり抜き孔等を有する多層セラミック
基板の製造方法に関する。
【0002】多層セラミック基板は、上部絶縁層上に部
品を表面実装するばかりでなく、図3に例示したよう
に、キャビイティ或いはくり抜き孔を設けて、部品を搭
載することがある。
【0003】図3に示す多層セラミック基板1は、上よ
り下に向けて、上部絶縁層10-U,中間絶縁層10-2,10-
3, 下部絶縁層10-Dがこの順に積層したもので、上部絶
縁層10-Uと中間絶縁層10-2の所望の個所にキャビイティ
2を設けるとともに、上部絶縁層10-U,中間絶縁層10-
2,10-3, 下部絶縁層10-Dを貫通するくり抜き孔3を設
けている。
【0004】そして、上部絶縁層10-Uの表面のキャビイ
ティ2の周囲に表面パッド5を配列形成するとともに、
くり抜き孔3の周囲にも、他の表面パッド5を配列形成
している。
【0005】さらに、中間絶縁層10-2,10-3,の表面或い
は下部絶縁層10-Dの表面に内層導体パターン6を形成
し、図示省略したビヤで連結している。そして、半導体
チップ等の実装部品7をキャビイティ2の底面にダイマ
ウントして、実装部品7の電極と多層セラミック基板1
の表面パッド5とを、ワイヤボインデングして接続して
いる。
【0006】一方、発熱量が大きい実装部品8は、本体
をくり抜き孔3に挿入し、その電極と多層セラミック基
板1の表面パッド5とを、ワイヤボインデングして接続
している。
【0007】また、多層セラミック基板1を金属筐体部
材100 に載置し、実装部品8の底面と金属筐体部材100
の表面とを半田付けする、或いは導電性接着剤を用いて
接着する等して、実装部品8の熱を金属筐体部材100 に
伝達し放熱するようにしている。
【0008】
【従来の技術】上述の多層セラミック基板は、従来図4
に図示した方法で製造されている。従来は図4の(A) に
図示したように、上部絶縁層用グリーンシート10-UG の
所望の位置に表面パッド5の導体ペーストを印刷形成
し、キャビイティ用孔2Aとくり抜き孔用孔3Aを穿孔して
いる。
【0009】中間絶縁層用グリーンシート10-2G には、
所望の内層導体パターン6用の導体ペーストを印刷形成
するとともに、キャビイティ用孔2Aとくり抜き孔用孔3A
を穿孔している。
【0010】他の中間絶縁層用グリーンシート10-3G と
下部絶縁層用グリーンシート10-DGには、その表面に所
望の内層導体パターン6用の導体ペーストを印刷形成す
るとともに、くり抜き孔用孔3Aを穿孔している。
【0011】次にそれぞれのグリーンシートを乾燥した
後、図4の(B) に図示したように、金属板22の上に下部
絶縁層用グリーンシート10-DG を、その上に中間絶縁層
用グリーンシート10-3G,10-2G を、そして上部絶縁層用
グリーンシート10-UG をこの順に積層し、キャビイティ
用孔2Aが構成する凹部にシリコンラバー等の同形状の中
子15を挿入し、又くり抜き孔用孔3Aが構成する貫通孔に
シリコンラバー等の同形状の中子16を挿入し、上部絶縁
層用グリーンシート10-UG の上に金属板21を載せ、所望
の圧力で加圧する。
【0012】その後、中子を取り除き、グリーンシート
積層体蚤を、 900℃〜1100℃に加熱し焼成する。このよ
うにして、図5に示したように、上部絶縁層10-U,中間
絶縁層10-2,10-3, 下部絶縁層10-Dが積層され、所望の
位置にキャビイティ2及びくり抜き孔3を有する多層セ
ラミック基板を設けている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の製造
方法では、グリーンシートに予めキャビイティ用孔及び
くり抜き孔用孔を設けているので、積層し加圧した時
に、キャビイティ用孔及びくり抜き孔用孔部分は均一の
圧力で押圧されない。
【0014】このことに起因して基板の収縮率が不均衡
となり、図5に図示したように、キャビイティの隅, く
り抜き孔の内壁等にクラックCが発生したり、キャビイ
ティの底の中間絶縁層間に亀裂Kが発生して歩留りが悪
いという問題点があった。
【0015】本発明はこのような点に鑑みて創作された
もので、歩留りが良い多層セラミック基板の製造方法を
提供することを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、図1に図示したように、所望のグリーン
シート10-UG,10-2G,10-3G のキャビイティ2を設ける個
所に、熱膨張係数がグリーンシートの熱膨張係数よりも
大きい、キャビイティ2の大きさに対応したキャビイテ
ィ用ペースト31を印刷塗布し、総てのグリーンシート10
-UG,10-2G,10-3G,・・,10-DGのくり抜き孔3を設ける個所
に、熱膨張係数がグリーンシートの熱膨張係数よりも大
きい、くり抜き孔3の大きさに対応したくり抜き孔用ペ
ースト32を塗布印刷し、グリーンシート10-UG,10-2G,10
-3G,・・,10-DGを積層し加圧し、グリーンシートの焼結温
度よりも低い所定の温度に加熱して、キャビイティ用ペ
ースト31の対応する部分にキャビイティ2を、くり抜き
孔用ペースト32の対応する部分にくり抜き孔3を設け、
その後焼成して多層セラミック基板1を設けるものとす
る。
【0017】或いは図2に図示したように、上部絶縁層
用グリーンシート10-UG の表裏の両面にキャビイティ上
部42に対応して熱膨張係数がグリーンシートの熱膨張係
数よりも大きい、キャビイティ上部42の大きさに対応し
た上部キャビイティ用ペースト36を印刷塗布し、上層の
中間絶縁層用グリーンシート10-2G の表裏の両面及びキ
ャビイティの底面となる中間絶縁層用グリーンシート10
-3G の表面にそれぞれ、キャビイティ下部41の大きさに
対応した、熱膨張係数がグリーンシートの熱膨張係数よ
りも大きい下部キャビイティ用ペースト35を印刷塗布
し、総てのグリーンシート10-UG,10-2G,10-3G,・・,10-DG
を積層し加圧し、グリーンシートの焼結温度よりも低い
所定の温度に加熱して、キャビイティ下部41とキャビイ
ティ上部42とからなる逆凸字形キャビイティ40を設け、
その後焼成して多層セラミック基板50を設けるものとす
る。
【0018】
【作用】本発明によれば、キャビイティ及びくり抜き孔
に対応して、グリーンシートよりも熱膨張係数が大きい
キャビイティ用ペースト,抜き孔用ペーストを塗布して
ある。
【0019】したがって、積層し加圧した場合に、グリ
ーンシートは均一の圧力で圧縮される。また、グリーン
シートの焼結温度よりも低い所定の温度に加熱し、高温
より常温に下がる過程中に、ペーストがグリーンシート
よりもより大きく収縮し、ペーストの周縁に対応するグ
リーンシートの部分に引張応力が集中し、グリーンシー
トの強度が低下してZ軸方向の割れ目が発生する。
【0020】そして、グリーンシートに含まれるバイン
ダーがこの割れ目をに浸透し拡開する。よって、この割
れ目内のグリーンシート部分を取り出すことで、所望の
形状のキャビイティ又はくり抜き孔が形成される。
【0021】
【実施例】以下図を参照しながら、本発明を具体的に説
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
【0022】図1は本発明方法の工程を示す図であり、
図2は本発明方法の他の実施例の図である。図1の(A)
に図示したように、上部絶縁層用グリーンシート10-UG
の表面の所望の箇所に表面パッド5用の導体ペーストを
印刷形成し、表面の所望の位置にキャビイティ2の平面
形状と同形状に、熱膨張係数がグリーンシートの熱膨張
係数よりも大きい誘電体等のキャビイティ用ペースト31
を塗布する。
【0023】また、表面の所望の箇所にくり抜き孔3の
平面形状と同形状に、熱膨張係数がグリーンシートの熱
膨張係数よりも大きい誘電体等の抜き孔用ペースト32を
塗布する。
【0024】中間絶縁層用グリーンシート10-2G の表面
の、所望の箇所に内層導体パターン6用の導体ペースト
を印刷形成し、表面の所定の位置にキャビイティ2の平
面形状と同形状に、熱膨張係数がグリーンシートの熱膨
張係数よりも大きい誘電体等のキャビイティ用ペースト
31を塗布する。
【0025】また、表面の所定の箇所にくり抜き孔3の
平面形状と同形状に、熱膨張係数がグリーンシートの熱
膨張係数よりも大きい誘電体等の抜き孔用ペースト32を
塗布する。
【0026】他の中間絶縁層用グリーンシート10-3G の
表面の所望の箇所に内層導体パターン6用の導体ペース
トを印刷形成し、表面の所定の箇所にキャビイティ2の
平面形状と同形状に、熱膨張係数がグリーンシートの熱
膨張係数よりも大きい誘電体等のキャビイティ用ペース
ト31を塗布する。
【0027】また、表面の所定の箇所にくり抜き孔3の
平面形状と同形状に、熱膨張係数がグリーンシートの熱
膨張係数よりも大きい誘電体等の抜き孔用ペースト32を
塗布する。
【0028】一方、下部絶縁層用グリーンシート10-DG
の表面の所望の箇所に内層導体パターン6用の導体ペー
ストを印刷形成し、表裏の両面の所定の箇所にくり抜き
孔3の平面形状と同形状に、熱膨張係数がグリーンシー
トの熱膨張係数よりも大きい誘電体等の抜き孔用ペース
ト32を塗布する。
【0029】なお、図示省略したが、それぞれのグリー
ンシートには、上下を貫通する孔に導体ペーストを充填
してビヤを設ける。そして、図1の(B) に図示したよう
に、金属板22の上に下部絶縁層用グリーンシート10-DG
を、その上に中間絶縁層用グリーンシート10-3G,10-2G
を、上部絶縁層用グリーンシート10-UG をこの順に積層
し、上部絶縁層用グリーンシート10-UG の上に金属板21
を載せ、所望の圧力で加圧し、グリーンシートに含まれ
るバインダーの飛散温度よりも高くグリーンシートの焼
結温度よりも低い温度(400℃〜 500℃)に加熱し所望時
間保持した後に、金属板21,22 を取り外し常温まで冷や
す。
【0030】この常温に下がる過程中に、図1の(C) に
図示したように、それぞれのグリーンシートに形成した
キャビイ用ペースト31, 抜き孔用ペースト32が、グリー
ンシートよりもより大きく収縮するので、キャビイティ
用ペースト31, 抜き孔用ペースト32の周縁に対応するグ
リーンシートの部分に引張応力が集中し、グリーンシー
トにZ軸方向の割れ目が発生し、バインダーがこの割れ
目に浸透し拡開する。
【0031】このZ軸方向の割れ目内のグリーンシート
部分を取り出すことで、所望の形状のキャビイティ2又
はくり抜き孔3が形成される。次に、 900℃〜1100℃に
加熱し、所定時間保持し焼成することで、図1の(D)に
図示したように、上部絶縁層10-U,中間絶縁層10-2,10
-3, 下部絶縁層10-Dが積層され、所望の位置にキャビイ
ティ2及びくり抜き孔3を有する多層セラミック基板1
が形成される。
【0032】図2に、逆凸字形キャビイティを有する多
層セラミック基板50の製造方法を示す。図2の(A) に図
示したように、上部絶縁層用グリーンシート10-UG の表
裏の両面の所望の位置に、逆凸字形キャビイティ40のキ
ャビイティ上部42の平面形状と同形状の角形に、熱膨張
係数がグリーンシートの熱膨張係数よりも大きい誘電体
等の上部キャビイティ用ペースト36を塗布する。
【0033】中間絶縁層用グリーンシート10-2G の表裏
の両面で、上部キャビイティ用ペースト36に対向する箇
所に、キャビイティ下部41の平面形状と同形状の角形
に、熱膨張係数がグリーンシートの熱膨張係数よりも大
きい誘電体等の下部キャビイティ用ペースト35を塗布す
る。
【0034】また、中間絶縁層用グリーンシート10-2G
の表面の下部キャビイティ用ペースト35の外側に、放射
形導体パターン61用の導体ペーストを印刷形成する。中
間絶縁層用グリーンシート10-3G の表面で、キャビイテ
ィの底面となる所定の箇所に、キャビイティ下部41の平
面形状と同形状の角形に、熱膨張係数がグリーンシート
の熱膨張係数よりも大きい誘電体等の下部キャビイティ
用ペースト35を塗布する。
【0035】そして、金属板の上に下部絶縁層用グリー
ンシート10-DG を、その上に中間絶縁層用グリーンシー
ト10-3G,10-2G を、上部絶縁層用グリーンシート10-UG
をこの順に積層し、上部絶縁層用グリーンシート10-UG
の上に金属板を載せ、所望の圧力で加圧し、グリーンシ
ートに含まれるバインダーの飛散温度よりも高くグリー
ンシートの焼結温度よりも低い温度(400℃〜 500℃)に
加熱し所望時間保持した後に、金属板を取り外し常温ま
で冷やす。
【0036】そして、下部キャビイティ用ペースト35及
び上部キャビイティ用ペースト36の周縁に対応するグリ
ーンシートの部分に、Z軸方向に割れ目を発生させ、こ
のZ軸方向の割れ目内のグリーンシート部分を取り出す
ことで、所望の形状の逆凸字形キャビイティ40が形成さ
れる。
【0037】次に、 900℃〜1100℃に加熱し、所定時間
保持し焼成することで、図2の(B)に図示したように、
上部絶縁層10-U,中間絶縁層10-2,10-3, 下部絶縁層10
-Dが積層され、所望の位置に逆凸字形キャビイティ40を
有する多層セラミック基板50が形成される。
【0038】上述のような多層セラミック基板50は、逆
凸字形キャビイティ40に、半導体チップを封止搭載する
ことができるという利点がある。詳述すると、キャビイ
ティ下部41に半導体チップを挿入し、その底面に半導体
チップをダイマウントし、半導体チップの上面の電極と
対応する放射形導体パターン61の端末とをワイヤボンデ
ングして接続して、半導体チップを逆凸字形キャビイテ
ィ40内に実装する。その後キャビイティ上部42に樹脂を
充填して封止するものである。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明方法は、キ
ャビイティ或いはくり抜き孔に対応するグリーンシート
の位置に、ペーストを印刷塗布し、グリーンシートを積
層して加圧し所定の温度に加熱して、多層セラミック基
板にキャビイティ或いはくり抜き孔を設けるものであっ
て、不要の位置に割れ目が発生したり、剥離が発生する
ことがないという、実用上で優れた効果を優する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (A),(B),(C),(D) は本発明方法の工程を示す
【図2】 (A),(B) は本発明方法の他の実施例の図
【図3】 多層セラミック基板の断面図
【図4】 (A),(B) は従来の製造工程を示す図
【図5】 従来方法による多層セラミック基板の断面図
【符号の説明】
1,50 多層セラミック基板 2 キャビイティ 3 くり抜き孔 5 表面パッド 6 内層導体パターン 7,8 実装部品 10-U 上部絶縁層 10-2,10-3 中間絶縁層 10-D 下部絶縁層 10-UG 上部絶縁層用グリーンシート 10-2G,10-3G 中間絶縁層用グリーンシート 10-DG 下部絶縁層用グリーンシート 31 キャビイティ用ペースト 32 抜き孔用ペースト 35 下部キャビイティ用ペースト 36 上部キャビイティ用ペースト 40 逆凸字形キャビイティ 41 キャビイティ下部 42 キャビイティ上部 61 放射形導体パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安陪 光紀 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所望のグリーンシート(10-UG,10-2G,10
    -3G )のキャビイティ(2) を設ける個所に、該キャビイ
    ティ(2) の大きさに対応した熱膨張係数がグリーンシー
    トの熱膨張係数よりも大きいキャビイティ用ペースト(3
    1)を印刷塗布し、 総てのグリーンシート(10-UG,10-2G,10-3G,・・,10-DG)
    のくり抜き孔(3) を設ける個所に、該くり抜き孔(3) の
    大きさに対応した熱膨張係数が該グリーンシートの熱膨
    張係数よりも大きいくり抜き孔用ペースト(32)を印刷塗
    布し、 該グリーンシート(10-UG,10-2G,10-3G,・・,10-DG) を積
    層し加圧し、該グリーンシートの焼結温度よりも低い所
    定の温度に加熱して、キャビイティ用ペースト31の対応
    する部分にキャビイティ(2) を、くり抜き孔用ペースト
    (32)の対応する部分にくり抜き孔(3) を設け、 その後焼成することを特徴とする多層セラミック基板の
    製造方法。
  2. 【請求項2】 上部絶縁層用グリーンシート(10-UG) の
    表裏の両面に、キャビイティ上部(42)の大きさに対応し
    た熱膨張係数がグリーンシートの熱膨張係数よりも大き
    い上部キャビイティ用ペースト(36)を印刷塗布し、 上層の中間絶縁層用グリーンシート(10-2G) の表裏の両
    面及びキャビイティの底面となる中間絶縁層用グリーン
    シート(10-3G) の表面にそれぞれ、キャビイティ下部(4
    1)の大きさに対応した熱膨張係数がグリーンシートの熱
    膨張係数よりも大きい下部キャビイティ用ペースト(35)
    を印刷塗布し、 総てのグリーンシート(10-UG,10-2G,10-3G,・・,10-DG)
    を積層し加圧し、該グリーンシートの焼結温度よりも低
    い所定の温度に加熱して、キャビイティ下部(41)とキャ
    ビイティ上部(42)とからなる逆凸字形キャビイティ(40)
    を設け、 その後焼成することを特徴とする多層セラミック基板の
    製造方法。
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Cited By (3)

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JPH08146266A (ja) * 1994-11-24 1996-06-07 Nec Corp 光素子実装法及び光接続装置
US8105453B2 (en) * 2006-05-29 2012-01-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for producing multilayer ceramic substrate
JP2018200990A (ja) * 2017-05-29 2018-12-20 京セラ株式会社 電子機器

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