TWI421953B - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

Description

半導體裝置之製造方法

本發明係有關半導體裝置的製造方法。

以往，在製造半導體裝置時，半導體元件與引線框架(lead frame)等支撐構件之接合主要使用銀糊。然而，隨著近年來半導體元件的小型化、高性能化，所使用之引線框架亦要求小型化、精細化，而銀糊因會產生由絲焊法(wire bonding)時之溢出或半導體元件之傾斜所引起的不良、接著劑層之厚度的控制變困難、或在接著劑層產生空洞(voids)等理由，變得無法對應上述的要求。

於是，近年來，使用薄膜狀接著劑代替銀糊，採用使用於半導體元件接著薄膜狀接著劑之附接著劑半導體元件製造半導體裝置的方法，例如，在日本國特開平7-45557號公報(專利文獻1)或日本國特開平3-268345號公報(專利文獻2)中，揭示有製造如此之附接著劑半導體元件的方法。

此外，隨著近年來之半導體裝置的高密度化，已有使用例如將複數個的半導體元件層積而使用之晶片層積安裝之方法。因此，不僅是半導體元件或支撐構件等使用於半導體裝置之構件的厚度，亦要求薄化半導體元件與支撐構件之間的接著劑層的厚度。然而，在使用如上述專利文獻等記載之附接著劑半導體元件時，由於附接著劑半導體元件之薄膜狀接著劑的厚度幾乎為接著劑層的厚度，而且從平滑性或接著性的觀點來看薄化薄膜狀接著劑的厚度有其 界限，故有難以充分地薄化接著劑層之厚度的問題。

[專利文獻1]日本國特開平7-45557號公報

[專利文獻2]日本國特開平3-268345號公報

本發明係有鑑於上述問題所研創者，其目的在於提供一種半導體裝置之製造方法，可充分地薄化半導體元件與支撐構件之間的接著劑層厚度，且能夠充分地抑制接著劑層中的空洞以提高產率。

本發明人等為達成上述目的而不斷地努力研究的結果，發現在製造於支撐構件上隔介接著劑層接著半導體元件之半導體裝置的方法中，使用薄膜狀接著劑接著於半導體元件表面之一部分的半導體元件，並以特定的條件加熱壓著如此之附接著劑半導體元件與支撐構件，藉此可充分地薄化半導體元件與支撐構件之間的接著劑層厚度，且能夠充分地抑制接著劑層中的空洞以提高產率，而得以完成本發明。

亦即，本發明之半導體裝置之製造方法，製造在支撐構件上隔著接著劑層接著半導體元件之半導體裝置，該製造方法係包含：準備半導體元件，與具備接著於上述半導體元件之至少一方表面的一部分之薄膜狀接著劑之附接著劑半導體元件的步驟；以及 以上述薄膜狀接著劑與上述支撐構件接觸的方式，將上述附接著劑半導體元件配置於上述支撐構件上，並以使上述薄膜狀接著劑之熔融黏度成為30至300Pa．s之範圍的溫度，使上述薄膜狀接著劑之厚度成為1/10至1/2範圍進行加熱壓著的方式，將上述半導體元件隔著上述接著劑層接著於上述支撐構件的步驟。

此外，在本發明之半導體製造方法中，以上述加熱壓著後之接著劑層的厚度係在1至10μm的範圍為佳。

再者，在本發明之半導體製造方法中，以上述加熱壓著後之接著劑的面積係為上述半導體元件面積的0.8至1.2倍為佳。

此外，在本發明之半導體製造方法中，以上述薄膜狀接著劑係在溫度100℃之熔融黏度為在30至300Pa．s之範圍者為佳。

再者，在本發明之半導體製造方法中，當將上述附接著劑半導體元件與上述支撐構件加熱壓著時，以加熱壓著溫度在40至200℃之範圍為佳。

此外，在本發明之半導體製造方法中，當將上述附接著劑半導體元件與上述支撐構件加熱壓著時，以加熱壓著壓力在0.1至10MPa之範圍為佳。

另外，根據本發明之半導體裝置之製造方法，可充分地薄化半導體元件與支撐構件之間的接著劑層厚度，且能夠充分地抑制接著劑層中的空隙以提高產率。亦即，由於從薄膜狀接著劑之平滑性或接著性的觀點來看，使薄膜狀 接著劑的厚度充分地薄化(例如成為未達10μm)係有困難，故在製造使用習知之附接著劑半導體元件之半導體裝置時，不能使半導體元件與支撐構件之間的接著劑厚度充分地薄化。對此，在本發明之半導體裝置之製造方法中，使用薄膜狀接著劑接著於半導體元件表面之一部分的附接著劑半導體元件，並以特定的條件加熱壓著如此之附接著劑半導體元件與支撐構件，藉此可控制加熱壓著後之接著劑層的厚度。因此，根據本發明之半導體裝置之製造方法，可充分地薄化半導體元件與支撐構件之間的接著劑層厚度。

此外，在本發明之半導體裝置之製造方法中，由於使用附接著劑半導體元件，故與使用糊狀接著劑時不同，接著劑量的不均勻情形較少。因此，根據本發明之半導體裝置之製造方法，亦可充分地抑制半導體元件與支撐構件之間之接著劑層厚度的不均勻。

再者，在本發明之半導體裝置之製造方法中，由於以特定的條件加熱壓著如上述之附接著劑半導體元件與支撐構件，故可壓出附接著劑半導體元件與支撐構件之間的空氣，而在半導體元件與支撐構件接著時難以產生空隙。因此，根據本發明之半導體製造裝置之製造方法，能夠充分地抑制接著劑層中的空隙而提升產率。

依據本發明，可將半導體元件與支撐構件間之接著劑層之厚度充分薄化，而且可提供能充分抑制接著劑層中之空洞而提高產率的半導體裝置之製造方法。

以下，基於該適合之實施形態詳細說明本發明。

本發明之半導體裝置之製造方法，製造在支撐構件上隔介接著劑層接著半導體元件之半導體裝置，該製造方法係包含：準備半導體元件，與具備接著於上述半導體元件之至少一方表面的一部分之薄膜狀接著劑之附接著劑半導體元件的步驟(第1步驟)；以及以上述薄膜狀接著劑與上述支撐構件接觸的方式，將上述附接著劑半導體元件配置於上述支撐構件上，並以上述薄膜狀接著劑之熔融黏度成為30至300Pa．s之範圍的溫度，使上述薄膜狀接著劑之厚度成為1/10至1/2範圍進行加熱壓著的方式，將上述半導體元件隔介上述接著劑層接著於上述支撐構件的步驟(第2步驟)。

首先，說明有關使用於本發明之半導體裝置之製造方法的薄膜狀接著劑之原料組成物。就如此之薄膜狀接著劑的原料組成物而言，可使用適當之公知的接著劑用組成物，但在本發明中，由於在如後述之加熱壓著時使薄膜狀接著劑變形，故以使用如以下說明之接著劑用組成物為佳。

就如此之接著劑用組成物而言，可列舉(A)二氧化矽(silica)、(B)苯氧樹脂(phenoxy resin)、(C)環氧丙基醚型環氧樹脂(glycidyl ether epoxy resin)、以及(D)環氧樹脂硬化劑等者。此外，從半導體元件與支撐構件的接著性(暫時壓著性)、抑制空洞的產生、以及抑制異種物品間之接合時產 生的應力的觀點來看，以使用如此之接著劑用組成物為佳。

就使用於如此之接著劑用組成物的(A)二氧化矽而言，並非為特別限定者，但可舉出破碎狀或球狀之熔融二氧化矽粉末。其中又以平均粒徑為5至40μm的球狀二氧化矽與平均粒徑0.1至5μm的微粒子球狀二氧化矽之混合物為佳。在此情形下，在所有球狀二氧化矽中微粒子球狀二氧化矽所佔的比率，以50質量%以下為佳，以在5至50質量%的範圍為較佳。若微粒子球狀二氧化矽之比率超過50質量%，則有組成物之熔融黏度增大，暫時壓著特性降低的傾向，此外，若微粒子球狀二氧化矽之比率未達5質量%，則有作為薄膜狀接著劑時的表面狀態變差，薄膜狀接著劑本身成為微脆者的傾向。在微粒子球狀二氧化矽比率成為在5至50質量%的範圍內時，會成為廣範圍之粒度分布，顯示穩定之表面性狀與薄膜流動性。

為了降低線膨脹率，如此之接著劑用組成物中的二氧化矽的總使用量以盡可能地多為較佳，但以在組成物全體中50至80質量%的範圍為佳。若二氧化矽的含有量超過80質量%時，則有作為黏合劑作用之樹脂成分不足而造成組成物黏度上升並脆化薄膜狀接著劑而使暫時壓著性有顯著降低的傾向。二氧化矽含有量未達50質量%時，由於無法充分地降低線膨脹率，因此抑制半導體晶片與引線框架以及電路基板間的應力之作用小而不佳；例如，有無法承受在組合為封裝後的溫度循環實驗(-65至150℃)等時產生之應力的情形。

就使用於如此之接著劑用組成物之(B)苯氧樹脂而言，可使用公知的苯氧樹脂。苯氧樹脂係可從如雙酚A之雙酚與環氧氯丙烷獲得者，通常為分子量10000以上之熱可塑性樹脂。就如此之苯氧樹脂而言，以顯示因構造與環氧樹脂類似故相容性良好，而且，接著性亦良好者為佳。此外，就如此之苯氧樹脂而言，除了主骨幹為雙酚A型者之外，可舉出雙酚A/F混合型苯氧樹脂或溴化苯氧樹脂等市面販售的苯氧樹脂。

就使用於如此之接著劑用組成物之(C)環氧丙基醚型環氧樹脂而言，可舉出例如，酚酚醛環氧丙基醚型、鄰甲酚酚醛環氧丙基醚型、茀雙酚環氧丙基醚型、三吖嗪環氧丙基醚型、萘酚環氧丙基醚型、萘二酚環氧丙基醚型、三苯基環氧丙基醚型、四苯基環氧丙基醚型、雙酚A環氧丙醚基型、雙酚F環氧丙基醚型、雙酚AD環氧丙基醚型、雙酚S環氧丙基醚型、三羥甲基甲烷環氧丙基醚型等環氧樹脂。在此等樹脂中，又以在分子內具有2個以上之環氧丙基醚基者為佳。此等環氧丙基醚型環氧樹脂，係可單獨使用1種或組合2種以上使用。

此外，如此之(C)環氧樹脂與(B)苯氧樹脂的混合比率，係依使用之樹脂的組合而可適當地選擇，但從暫時壓著性的觀點來看，以樹脂成分之混合物的軟化點成為在以下範圍之混合比率為佳，該軟化點宜在100℃以下，更宜在50至100℃，最佳在65至90℃範圍內。若樹脂成分的軟化點超過上述上限，則在薄膜狀接著劑變硬、變脆的同 時在溫和條件下之暫時壓著有變得困難的傾向。另一方面，在軟化點未達上述下限的情形，則有在薄膜狀接著劑的表面強烈表現膠黏性(tack)而使處理性顯著惡化，同時，在常溫保存時薄膜狀接著劑流動會產生不適合的傾向。在此，樹脂成分係指(C)環氧樹脂、(B)苯氧樹脂、與其他依需要添加之樹脂(但是(D)環氧樹脂硬化劑除外)，樹脂成分之軟化點係指令此等樹脂成為均勻組成物時的軟化點。然後，計算(B)苯氧樹脂/(C)環氧樹脂之質量比為0.02至1，宜在0.1至0.7之範圍。

如此接著劑用組成物之樹脂成分，係將環氧樹脂與苯氧樹脂作為主成分，但只要是在不損及本發明之效果的範圍亦可含有少量其他樹脂成分。苯氧樹脂在組成物中之樹脂成分中所佔的比率，係以在50質量%以下為佳。以令苯氧樹脂的比率成為50質量%以下的方式，而容易使其擁有作為薄膜狀接著劑之支撐性。在此，樹脂成分中苯氧樹脂的比率係以在10至50質量%的範圍為佳。在苯氧樹脂的比率未達10質量%時，由於薄膜狀接著劑變脆，樹脂成分的軟化點也變低，故有薄膜狀接著劑單獨之支撐性變得難以表現的傾向。另一方面，若苯氧樹脂之比率超過50質量%則有薄膜狀接著劑變硬，薄膜狀接著劑單獨會變得容易破裂的傾向。

在使用於如此之接著劑用組成物的(D)環氧樹脂硬化劑，雖可使用胺類、酸酐類、多價酚類等公知的硬化劑，但以使用在常溫以上之預定溫度表現硬化性，而且還表現 速硬化性之潛在性硬化劑為佳，其中上述預定溫度係例如在顯示上述樹脂成分所必須之黏著性的溫度以上。就潛在性硬化劑而言，可使用雙氰胺(Dicyandiamide)、咪唑類、醯肼(hydrazine)類、三氟化硼-胺錯合物、胺醯亞胺(amineimide)、聚胺鹽、以及此等化合物之改質物，更可使用微膠囊型者。此等之潛在性硬化劑係可單獨使用1種或將2種以上組合使用。使用潛在性硬化劑可提供可於室溫長期保存之保存穩定性高的薄膜狀接著劑。此外，環氧樹脂硬化劑的使用量，係相對於環氧樹脂以在0.5至50質量%的範圍為佳。

此外，如此之接著劑組成物係就其他之添加劑而言，亦可含有例如耦合劑、抗氧化劑、阻燃劑、著色劑、作為應力緩和劑之丁二烯系橡膠或矽氧橡膠。再者，如此之接著劑用組成物，亦可因應需要含有溶劑。就如此之溶劑而言，可使用甲苯、二甲苯等芳族烴；MIBK或MEK等酮系溶劑；乙二醇二甲醚(monoglyme)、二甘醇二甲醚(diglyme)等醚系溶劑。此等之溶劑係可單獨使用1種或將2種以上組合使用。此外，就將如此之接著劑用組成物進行乾燥的條件而言，只要是在未達接著劑用組成物之硬化開始溫度的條件下即可，例如以乾燥溫度在50至150℃之範圍，乾燥時間在1至30分鐘之範圍為佳。

以上，說明了有關使用於本發明之半導體裝置之製造方法的薄膜狀接著劑之原料組成物，以下，參考第1圖說明有關本發明之半導體裝置之製造方法。第1圖係為用以 說明本發明之多層印刷配線板之製造方法的1個適宜實施形態的概要側面剖面圖。第1圖(a)係對應第1步驟，第1圖(b)及(c)係對應第2步驟。

如第1圖(a)所示，在第1步驟中，準備半導體元件1，與具備接著於半導體元件1之至少一方表面的一部分之薄膜狀接著劑2之附接著劑半導體元件10。

半導體元件1係將半導體晶圓切斷為期望大小所得者。此外，薄膜狀接著劑2係為接著於半導體元件1之至少一方表面的一部分者，且為從上述之接著劑用組成物形成者。在本發明中，從抑制所得之半導體裝置之接著劑的溢出的觀點來看，薄膜狀接著劑2係以接著於半導體元件1之表面的中心部為佳。

此外，如此之薄膜狀接著劑2係為以溫度100℃之熔融黏度在30至300Pa．s之範圍者為佳，以在50至100Pa．s之範圍者為較佳。在熔融黏度未達上述下限時，由於在後述之第2步驟中必須以高溫或高壓進行加熱壓著，故有變得難以控制所得半導體裝置之接著劑層厚度的傾向，另一方面，若超過上述上限時，則有容易產生所得半導體裝置之接著劑的溢出或半導體元件之傾斜等不適當現象的傾向。

此外，薄膜狀接著劑2的厚度，係以在10至200μm的範圍為佳，以在20至100μm的範圍為更佳。從薄膜狀接著劑之平滑性或接著性的觀點來看，有難以製作厚度未達上述下限者的傾向。另一方面，若厚度超過上述上限時， 則有所得半導體裝置之接著劑層厚度無法充分薄化的傾向。再者，薄膜狀接著劑2的面積，係以為半導體元件1之0.2至0.6倍的面積為佳。在面積未達上述下限時，有接著性變得不充分的傾向，另一方面，若超過上述上限時，則有變得容易產生所得半導體裝置之接著劑的溢出等不適當現象的傾向。

附接著劑半導體元件10係為具備半導體元件1，以及接著於半導體元件1之至少一方表面之一部分的薄膜狀接著劑2者。

就製造如此之附接著劑半導體元件10的方法而言並無特別限定，但例如，可舉出如以下之方法。亦即，可舉出(i)首先，準備隔著黏著層層積於切割支撐膜(dicing support film)表面上之半導體晶圓，以及上述接著劑用組成物，接著，在上述半導體晶圓的表面上，以薄膜狀接著劑2接著於半導體元件1之至少一方表面之一部分的方式，形成薄膜狀接著劑2，然後，切斷上述半導體晶圓進行個片化而獲得附接著劑半導體元件10的方法；(ii)首先，準備隔介黏著層層積於切割支撐膜表面上之半導體晶圓，以及上述接著劑用組成物，接著，在切斷上述半導體晶圓進行個片化成作為複數個半導體元件1後，在複數個半導體元件1的表面上，以薄膜狀接著劑2接著於半導體元件1之至少一方表面之一部分的方式，形成薄膜狀接著劑2而獲得附接著劑半導體元件10的方法。

在採用製造如此之附接著劑半導體元件10的方法中 之上述(i)的方法時，因為薄膜狀接著劑為接著於半導體元件之至少一方表面之一部分(宜為中心部)者，能夠以在將半導體晶圓切斷時產生之切斷部(dicing street)成為在半導體晶圓的表面上不形成薄膜狀接著劑之部分的方式，來切斷半導體晶圓。因此，有抑制在切斷時不僅切斷半導體晶圓亦切斷薄膜狀接著劑的情形下容易產生之半導體元件之破裂或缺損而提高生產率的傾向。此外，根據上述(ii)的方法，由於在切斷時不需要切斷薄膜狀接著劑，故有抑制切斷時半導體元件的破裂或缺損而提升產率的傾向。

此外，就形成薄膜狀接著劑2的方法而言，可採用(i)網版印刷(screen printing)的方法、(ii)轉印(transfer printing)的方法、(iii)光阻法等公知之圖案形成法的方法。再者，就切斷半導體晶圓的方法而言，除了使用公知的切割刀切斷晶圓的方法之外，亦可採用所謂隱形切割法、先切割法等各種方法。

在第2步驟中，首先，以使薄膜狀接著劑接觸支撐構件11的方式，將附接著劑半導體元件10配置在支撐構件11上(參考第1圖(b))。

就支撐構件11而言，可舉出例如，電路基板、引線框架、半導體元件、陶瓷基板、玻璃基板等。此外，支撐構件11係例如如第1圖(b)所示，可固定於電路基板12上，更能夠以金線(bonding wire)13等電性連接。此外，就金線而言，可舉出金、鋁等金屬。

在第2步驟中，接著，以薄膜狀接著劑2之熔融黏度 成為30至300Pa．s的範圍的溫度，使薄膜狀接著劑2之厚度成為1/10至1/2範圍進行加熱壓著的方式，藉此將半導體元件隔介接著劑層2'接著在支撐構件11上(參考第1圖(c))。

在將如此之附接著劑半導體元件10與支撐構件11進行加熱壓著時，必須將加熱壓著的溫度設為薄膜狀接著劑2之熔融黏度成為30至300Pa．s範圍的溫度。在上述薄膜狀接著劑的熔融黏度未達30Pa．s時，所得半導體裝置之接著劑的溢出或半導體元件的傾斜等不正常情形變得容易產生，另一方面，若超過300Pa．s時，則無法使薄膜狀接著劑充分地變形，無法充分地薄化所得半導體裝置之接著劑層的厚度。此外，從充分地同時抑制接著劑的溢出或半導體裝置的傾斜，並使接著劑充分地變形的觀點來看，以將加熱壓著溫度設為使薄膜狀黏著劑2之熔融黏度成為50至150Pa．s之範圍的溫度為佳。此外，如此之加熱壓著溫度，係以在40至200℃的範圍為佳，以在50至150℃的範圍為較佳。

再者，在將如此之附接著劑半導體元件10與支撐構件11加熱壓著時，必須以使薄膜狀接著劑2的厚度成為在1/10至1/2的範圍之方式進行加熱壓著。在以上述薄膜狀接著劑的厚度成為未達1/10的範圍之方式進行加熱壓著時，變得容易產生所得半導體裝置之接著劑的溢出或半導體元件的傾斜等不正常情形，另一方面，在厚度超過1/2的範圍時，無法達成充分地薄化所得半導體裝置之接著劑 層厚度之本發明的目的。此外，為了令上述薄膜狀接著劑以成為上述範圍之厚度的方式變形，除了上述加熱壓著溫度之外還必須控制加熱壓著壓力。如此之加熱壓著壓力係以在0.1至10MPa的範圍為佳，以在0.1至1MPa的範圍為較佳。在加熱壓著壓力未達上述下限時，有無法使加熱壓著後之接著劑層成為所期望厚度的傾向，另一方面若超過上述上限時，則有變得容易產生所得半導體裝置之接著劑的溢出或半導體元件的傾斜等不正常情形的傾向。

此外，在如此之第2步驟中，以加熱壓著後之接著劑層2'的面積為半導體元件1面積的0.8至1.2倍為佳。在面積未達上述下限時，有接著性變得不充分的傾向，另一方面，若超過上述上限時，則有在上述半導體裝置中，因接著劑之溢出造成接著劑覆蓋金線的可能性，而有變得容易在接著劑與封裝用樹脂的界面產生金線斷線之不適現象的傾向。

再者，在如此之第2步驟中，以加熱壓著後之接著劑層厚度在1至30μm的範圍為佳，以在1至20μm的範圍為較佳，以在5至10μm的範圍為尤佳。在厚度未達上述下限時，有接著性變得不够充分的傾向，另一方面，若超過上述上限，則有無法充分地排出空隙的傾向。

根據以上說明之本發明之半導體裝置之製造方法，變得能夠充分地薄化加熱壓著後之接著劑層的厚度。亦即，在本發明之半導體裝置之製造方法中，當在將上述附接著劑半導體元件與上述支撐構件進行加熱壓著時，藉由將加 熱壓著溫度設為特定的溫度，使上述附接著劑半導體元件之薄膜狀接著劑適度地變形。再者，在本發明之半導體裝置之製造方法中，藉由將加熱壓著壓力設為特定的壓力，來控制上述薄膜狀接著劑之變形的程度，並控制加熱壓著後之接著劑層的厚度。因此，即使在加熱壓著前之薄膜狀接著劑的厚度較厚的情形，亦可能使加熱壓著後之接著劑層的厚度成為所期望的厚度。此外，在本發明之半導體裝置之製造方法中，由於使用在半導體元件表面的一部分接著薄膜狀接著劑之附接著劑半導體元件，故即使在薄膜狀接著劑變形時，亦不容易產生接著劑之溢出等不適現象。

此外，在本發明之半導體裝置之製造方法中，由於以特定的條件加熱壓著如上述之附接著劑半導體元件與支撐構件，故可將附接著劑半導體元件與支撐構件之間的空氣擠壓出，而在接著半導體元件與支撐構件時不容易產生空隙。因此，根據本發明之半導體裝置之製造方法，變得能夠充分地抑制接著劑層中的空隙而提升產率。

以上，說明了有關本發明之半導體裝置之製造方法之適合實施形態，但本發明之半導體裝置之製造方法並非限定於上述實施形態者。例如，將藉由本發明之半導體裝置之製造方法接著之半導體元件作為支撐構件，於此支撐構件上再以本發明之半導體裝置之製造方法接著半導體元件，藉此可適當地進行所謂的晶片層積安裝。

以下，根據實施例以及比較例更具體地說明本發明，但本發明並非限定於以下之實施例者。

(實施例1)

首先，準備在切割支撐膜之表面上形成黏著層之切割膠帶(LINTEC(株)製，商品名「G-11」)，於該切割膠帶黏貼6英吋之半導體晶圓。

接著，準備接著劑用組成物(新日鐵化學製，「MB301」)。然後，使用網版印刷機(NEWLONG精密工業(株)製，製品名「LS-15GX」)，以刮刀(squeezee)角度80度、印壓2kg、送出速度30mm/s的條件，使接著劑用組成物印刷於切斷後之半導體元件之至少一方表面之中心部的方式，在半導體晶圓上印刷接著劑用組成物。之後，以溫度80℃乾燥10分鐘，再以溫度150℃乾燥1分鐘而獲得附接著劑半導體晶圓。在所得之半導體晶圓中，4mm×4mm大小之複數個經個片化之薄膜狀接著劑，係以相鄰之經個片化薄膜狀接著劑彼此間隔成為12mm的方式，形成於半導體晶圓上。

接著，使用鑽石刀，將切斷溝(dicing street)設為0.1mm，並以使切斷溝成為相鄰之經個片化薄膜狀接著劑彼此之中心的方式，切斷半導體晶圓而獲得10mm×10mm之複數個附接著劑半導體元件10(參考第1圖(a))。另外，在所得半導體元件10之薄膜狀接著劑2的厚度為30μm，薄膜狀接著劑2在150℃之熔融黏度為50Pa．s。

接著，以薄膜狀接著劑2與支撐構件11接觸的方式，將所得之附接著劑半導體元件10配置於支撐構件11上，並在溫度150℃、壓力1MPa的條件下進行加熱壓著而獲 得半導體裝置(參考第1圖(b)及(c))。在所得之半導體裝置中，加熱壓著後之接著劑層2'的厚度為5μm，該厚度也均勻。此外，在所得之半導體裝置中，沒有接著劑之溢出，半導體元件1與支撐構件11亦有充分的接著性。

<接著劑層中之空洞的評估>

將在半導體裝置之接著劑層中之空隙的產生數藉由以下所示之方法進行評估。

(i)製作評估用試料

在溫度150℃、壓力1MPa的條件下，將所得之附接著劑半導體元件10加熱壓著至透明的玻璃基板上而獲得半導體裝置。此外，在通常之黏合(bonding)條件下(溫度100℃、壓力0.1Pa)，將所得之附接著劑半導體元件10接著於透明的玻璃基板上而獲得用以比較之半導體裝置。

(ii)空洞之評估

從評估用試料之玻璃面側觀察空隙的狀態，評估空洞的數量。計算空洞直徑為10μm以上之空洞數量時，在將所得附接著劑半導體元件10以溫度100℃、壓力0.1Pa之條件接著的情形下，空洞的數量為10個以上。相對於此，在將所得附接著劑半導體元件10以溫度150℃、壓力1MPa的條件加熱壓著的情形下(實施例1)，空洞的數量為0個。因此，確認根據本發明，可充分地抑制接著劑層中的空洞。

(產業上的可利用性)

如以上說明，根據本發明可提供一種半導體裝置之製造方法，可充分地薄化半導體元件與支撐構件之間的接著 劑層厚度，且能夠充分地抑制接著劑層中的空洞以提高產率。

1‧‧‧半導體元件

2‧‧‧薄膜狀接著劑

2'‧‧‧接著劑層

10‧‧‧附有接著劑半導體元件

11‧‧‧支撐構件

12‧‧‧電路基板

13‧‧‧金線

第1圖(a)至(c)係為用以說明本發明之多層印刷配線板之製造方法的適宜之實施形態的概要側面剖面圖(第1圖(a)係對應第1步驟，第1圖(b)及(c)係對應第2步驟)。

1‧‧‧半導體元件

2‧‧‧薄膜狀接著劑

2’‧‧‧接著劑層

10‧‧‧附有接著劑半導體元件

11‧‧‧支撐構件

12‧‧‧電路基板

13‧‧‧金線

Claims (6)

1. 一種半導體裝置之製造方法，製造在支撐構件上隔著接著劑層接著半導體元件之半導體裝置，該製造方法係包含：準備半導體元件，與具備接著於上述半導體元件之至少一方表面的一部分之薄膜狀接著劑之附接著劑半導體元件的步驟；以及以上述薄膜狀接著劑與上述支撐構件接觸的方式，將上述附接著劑半導體元件配置於上述支撐構件上，並以使上述薄膜狀接著劑之熔融黏度成為30至300Pa．s之範圍的溫度，使上述薄膜狀接著劑之厚度成為1/10至1/2範圍進行加熱壓著的方式，將上述半導體元件隔著上述接著劑層接著於上述支撐構件的步驟。
2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中，上述加熱壓著後之接著劑層的厚度係在1至10μm的範圍。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項之半導體裝置之製造方法，其中，上述加熱壓著後之接著劑層的面積為上述半導體元件面積的0.8至1.2倍。
4. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中，上述薄膜狀接著劑在溫度100℃中之熔融黏度為在30至300Pa．s之範圍者。
5. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中，當將上述附接著劑半導體元件與上述支撐構件加熱 壓著時，加熱壓著溫度係在40至200℃之範圍。
6. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中，當將上述附接著劑半導體元件與上述支撐構件加熱壓著時，加熱壓著壓力係在0.1至10MPa之範圍。