JP2005203439A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 チップの欠けやクラックの発生を防止して、さらに、チップとダイパッドとの間にボイドが混入したり、隙間が残ったりすることを防止した半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、厚さが５０μｍ以下のチップ２と、平面的に見て、チップ２よりも大きいダイパッド１と、平面的に見て、チップ２と略同じ大きさに形成され、チップ２の外形に対応するように、チップ２の主表面とダイパッド１の主表面とに挟まれたダイボンドフィルム１１とを備える。ダイボンドフィルム１１は、厚さがチップ２の０．５倍以上である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置に関する。特に、ダイパッドにチップが接続された半導体装置に関する。

チップサイズの半導体装置には、半導体チップの台座となるダイパッドに接着剤としてのダイボンド材を配置して、ダイパッドとチップとを固定するものがある。この場合、ワイヤボンディングなどによって、リードフレームなどと電気的に接続された構造を有する。また、必要に応じて、ダイパッド、チップおよびリードフレームの一部が全体的に樹脂で封止されている。

１チップ仕様の半導体装置においては、チップとダイパッドとの接続は、樹脂ペーストを用いて行なっていたが、接着性を向上させたり、吸湿によるクラックの発生を防止したりするために、ダイボンド材としてフィルムタイプのものが用いられるようになってきている。

従来の半導体装置の製造工程においては、チップサイズに相当する整数値（ｍｍの整数値）の大きさのダイボンドフィルムを準備して、ダイパッドの表面に切断したダイボンドフィルムを貼り付け、このダイボンドフィルムの位置を確認しながらチップを貼り付けて固定していた。半導体装置がスタックタイプの場合には、ダイパッドの表面にフィルムを介してチップを載せた後に、このチップの上面に切断したダイボンドフィルムを貼り付けて、さらに別のチップを搭載していた。

また、別の半導体装置の製造方法においては、ウエハの状態でウエハの裏面にダイボンドフィルムを予め貼り付けておき、ウエハのダイシングの際に貼り付けたダイボンドフィルムも切断して、ダイボンドフィルムが接合したチップを形成する。この後に、位置合わせを行いながらダイパッドに貼り付けていた。

フィルムタイプのダイボンド材であるダイボンドフィルムは、フィルムの大きさや、フィルムを貼り付ける際の精度などによって、チップとチップとの間またはチップとダイパッドとの間にボイドが混入することがある。このボイドの混入は、ダイボンドフィルムの厚さに依存する。

特開２０００−２５６６２８号公報には、ボイドの発生を防止するために、圧着温度での粘度が一定の範囲である接着剤フィルムが開示されている。

また、特開平１１−１４５３７２号公報においては、アイランド部に半導体素子を接着固定するための単層フィルムが貼り付けてあり、かつ単層フィルムは、その外縁部が積載する半導体素子の外縁部よりも内側に位置するとともに、少なくとも２分割されている半導体装置が開示されている。この半導体装置によれば、ボイドの混入を完全に防止することで、十分な組立性・生産性を確保でき、さらに半導体装置の信頼性を特段に向上することができると開示されている。
特開２０００−２５６６２８号公報（第３−５頁） 特開平１１−１４５３７２号公報（第２−４頁、第１−５図）

チップの厚さが薄くなってくると、チップ自体の強度が弱くなってしまい、製造工程において、チップやウエハが割れたり、欠けたりする問題があった。特に、チップの厚さが５０μｍ以下になると、チップやウエハの割れや欠けが問題になっていた。

多数のチップが含まれるウエハの裏面に予めダイボンドフィルムを貼り付けて、ダイシングを行なう方法においては、ダイシングにおけるウエハの割れや欠けが問題となっていた。また、ダイシングを行なう際に使用する純水がダイボンドフィルムの内部に浸透して、ダイボンドフィルムの接着強度が低下するという問題があった。

ダイボンドフィルムをチップのサイズに切断して、先にダイパッドに貼り付ける方法においては、チップを搭載する際のずれによって、チップとダイパッドとの間に狭い間隙の空間が残る場合があり、この間隙にモールド樹脂が完全に充填されず、隙間やボイドが残るという問題があった。

また、ダイボンドフィルムが挟まれていない外周付近の領域において、モールド樹脂を意図的に注入した場合においても、外周付近の間隙にモールド樹脂が完全に充填されずに、内部に隙間やボイドが生じる場合があるという問題があった。

チップとダイパッドとの間にボイドが存在すると、パッケージを保管する際の吸湿などによってボイド内部に水分が溜まり、パッケージを実装する際の熱ストレスによってボイド内部に溜まった水分が気化および膨張して、パッケージクラックを引起こすことがあった。このため、製造時におけるパッケージの実装不良や製品になった際の動作不良が問題になっていた。

特に、チップの厚さが５０μｍ以下で、チップのサイズがダイパッドのサイズよりも小さい半導体装置においては、ダイボンドフィルムのサイズがチップサイズよりも小さくなると、チップをダイパッドに貼り付けるダイボンド工程において、チップが傾いてダイパッドに接触して、チップが欠けたり、クラックが生じたりするという問題があった。

本発明の目的は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、チップの欠けやクラックの発生を防止して、さらに、チップとダイパッドとの間にボイドが混入したり、隙間が残ったりすることを防止した半導体装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に基づく半導体装置は、厚さが５０μｍ以下のチップと、平面的に見て、上記チップよりも大きいダイパッドと、平面的に見て、上記チップと略同じ大きさに形成され、上記チップの外形に対応するように、上記チップの主表面と上記ダイパッドの主表面とに挟まれたダイボンドフィルムとを備える。上記ダイボンドフィルムは、厚さが上記チップの０．５倍以上である。

または、厚さが５０μｍ以下のチップと、平面的に見て、上記チップよりも大きいダイパッドと、平面的に見て、一の方向において上記チップよりも略１ｍｍ小さく形成され、上記チップの外形に対応するように、上記チップの主表面と上記ダイパッドの主表面とに挟まれたダイボンドフィルムと、上記チップの主表面と上記ダイパッドの主表面とに挟まれる空間にモールド樹脂が注入された狭間隙部とを備える。上記ダイボンドフィルムは、厚さが上記チップの０．５倍以上である。

または、厚さが５０μｍ以下のチップと、平面的に見て、上記チップよりも大きいダイパッドと、平面的に見て、一の方向において上記チップよりも略１．５ｍｍ小さく形成され、上記チップの外形に対応するように、上記チップの主表面と上記ダイパッドの主表面とに挟まれたダイボンドフィルムと、上記チップの主表面と上記ダイパッドの主表面とに挟まれる空間にモールド樹脂が注入された狭間隙部とを備える。上記ダイボンドフィルムは、厚さが上記チップの０．５倍以上、かつ４０μｍ以上である。

本発明によれば、チップの欠けやクラックの発生を防止して、さらに、チップとダイパッドとの間にボイドが混入したり、隙間が残ったりすることを防止した半導体装置を提供することができる。

（実施の形態１）
（構成）
図１および図２を参照して、本発明に基づく実施の形態１における半導体装置について説明する。図１に、本実施の形態における半導体装置の概略断面図を示す。本実施の形態における半導体装置は、半導体チップなどのチップ２とチップ２を配置するためのダイパッド１とを備える。チップ２およびダイパッド１は、それぞれ平板状に形成されている。チップ２とダイパッド１とは、フィルム状のダイボンド材であるダイボンドフィルム１１によって互いに固定されている。ダイボンドフィルム１１は、チップ２の主表面およびダイパッド１の主表面に挟まれるように、貼り付けられている。

チップ２には、ボンディングワイヤとしてのワイヤ５が接続され、リードフレーム２０に接続されている。半導体装置には、チップ２、ダイパッド１、ワイヤ５およびリードフレーム２０の一部を覆うように樹脂部１５が形成されている。

図２に、チップ２、ダイボンドフィルム１１およびダイパッド１を平面的に見たときの説明図を示す。ダイパッド１は、平面的に見て、チップ２よりも大きく形成されている。すなわち、ダイパッド１は、平面的に見て、チップ２の外縁がダイパッド１の外縁の内部に含まれるように形成されている。本実施の形態においては、ダイパッド１およびチップ２は、それぞれの平面形状がほぼ正方形になるように形成されている。平面形状におけるダイパッド１の重心位置とチップ２の重心位置とを結ぶ軸は、それぞれの主表面に垂直になるように配置されている。チップ２の平面形状の正方形の１辺は、ダイパッド１の平面形状の正方形の１辺とほぼ平行になるように配置されている。

ダイボンドフィルム１１の平面形状は、ほぼ正方形である。ダイボンドフィルム１１は、平面的に見たときにチップ２とほぼ同じ大きさに形成されている。ダイボンドフィルム１１は、チップ２の外形に対応するように貼り付けられている。すなわち、ダイボンドフィルム１１の外形は、チップ２の外形に沿うように貼り付けられている。

本発明におけるチップ２の厚さは、５０μｍ以下である。また、ダイボンドフィルムの厚さｔは、チップ２の厚さの０．５倍以上である。ダイボンドフィルム１１は、平面形状の正方形の一辺の長さが１０ｍｍ以下である。本形態においては、この正方形の１辺の長さは３ｍｍである。

チップ２およびダイボンドフィルム１１の平面形状が正方形の場合、チップ２の大きさは、ミクロンの単位まで数値で表わされる。一方で、ダイボンドフィルム１１の大きさは、ミクロン単位までの精度がないため、整数値（小数点以下は切捨て）で表わされる。たとえば、本形態において、チップのチップサイズが４．３２ｍｍ（平面形状の正方形の１辺が４．３２ｍｍ）の場合には、ダイボンドフィルムのフィルムサイズは、４ｍｍ（平面形状の正方形の１辺が４ｍｍ）のものが用いられる。このように、本実施の形態の半導体装置においては、ダイボンドフィルムのサイズがチップサイズとほぼ同じものが用いられる。

（作用・効果）
チップ２の厚さが、５０μｍ以下で、ダイボンドフィルムのフィルムサイズがチップのチップサイズより小さいと、前述のとおり、チップをダイパッドに搭載するときに、チップが傾いてダイパッドに接触して、チップが欠けたりクラックが生じたりする問題があった。しかし、本発明に基づく半導体装置においては、ダイボンドフィルムが、平面形状においてチップとほぼ同じ大きさに形成され、チップの平面形状の外形に沿うように貼り付けられている。また、ダイボンドフィルムの厚さは、チップの厚さの０．５倍以上である。この構成を採用することにより、チップが傾いてダイパッドに接触することを防止することができ、チップの欠けやクラックの発生を防止できる。

次に、本形態における半導体装置の製造方法について説明する。チップサイズとほぼ同じダイボンドフィルムをチップの外形に沿って貼合わせるためには、まず初めに、チップとほぼ同一のサイズにダイボンドフィルムを切断して、ダイボンドフィルムをダイパッドに貼り付ける。

ダイボンドフィルムを切断する方法については、シート状のダイボンドフィルムをドライダイシングで切断することが好ましい。この方法を採用することにより、ダイボンドフィルムに吸湿が生じて、粘着力が低下することを防止できる。

次に、画像処理装置などによって、貼り付けたダイボンドフィルムを認識する。たとえば、ダイボンドフィルムの平面形状の重心位置を確認して装置のデータに取込む。このデータを元に、チップをダイボンドフィルムに貼り付ける。このように、ダイパッドにチップを取り付けることによって、チップとダイパッドとの間に隙間やボイドが存在しない半導体装置を提供することができる。この結果、生産時における歩留まりが向上して、さらに、製品になったときのパッケージの破損を防止した半導体装置を提供することができる。さらに、チップとダイパッドとの結合力が強い半導体装置を提供することができる。

また、本形態における半導体装置は、ダイボンドフィルムのフィルムサイズが１０ｍｍ以下である。すなわち、チップのチップサイズも１０ｍｍ以下である。この構成を採用することにより、ダイボンドフィルム自体が小さくなるため、チップとダイパッドとの間にボイドが巻込まれることを防止できる。

本実施の形態においては、チップ、ダイパッドおよびダイボンドフィルムの平面形状が正方形であったが、特にこの形態に限られず、任意の形状に本願発明を適用することができる。

（実施の形態２）
（構成）
図３から図７を参照して、本発明に基づく実施の形態２における半導体装置について説明する。

図３は、本実施の形態における第１の半導体装置の概略断面図である。本実施の形態における半導体装置において、ダイパッド１およびチップ２を備え、チップ２とリードフレーム２０との間には、チップ２とリードフレーム２０とを電気的に接続するためのワイヤ５が形成されていることは実施の形態１と同様である。

第１の半導体装置は、実施の形態１における半導体装置とダイボンドフィルムの構成が異なる。ダイボンドフィルムの厚さについては、実施の形態１と同様である。本実施の形態におけるダイボンドフィルム１０は、平面形状において、チップ２よりも小さく形成されている。

図４に、ダイパッド１、チップ２およびダイボンドフィルム１０の平面図を示す。本形態においては、ダイパッド１、チップ２およびダイボンドフィルム１０の平面形状は正方形になるように形成されている。それぞれの正方形の辺同士が互いに平行になるように配置されている。それぞれの正方形の重心位置は、実施の形態１における半導体装置と同様に、同軸状になるように形成されている。ダイボンドフィルム１０は、チップの外形に対応するように配置されている。

図５に、ダイパッド１、チップ２およびダイボンドフィルム１０の概略断面図を示す。ダイボンドフィルム１０のフィルムサイズは、チップ２のチップサイズよりも１ｍｍ小さく形成されている。平面形状における正方形の各辺の長さがほぼ１ｍｍ短くなるように形成されている。言い換えると、平面形状における正方形の一辺に平行な方向において、ほぼ１ｍｍ短くなるように形成されている。

たとえば、チップ２のチップサイズが４．３２ｍｍ（平面形状における正方形の１辺が４．３２ｍｍ）の場合には、ダイボンドフィルム１０のフィルムサイズは３ｍｍ（平面形状における正方形の１辺が３ｍｍ）である。

ダイボンドフィルム１０のフィルムサイズがチップ２のチップサイズよりも小さく形成されることによって、狭間隙部２５が形成されている。狭間隙部２５は、チップ２とダイパッド１とに挟まれる領域のうち、ダイボンドフィルム１０が配置されていない部分である。本形態の第１の半導体装置における狭間隙部２５の奥行き（長さｌ）は、ほぼ０．５ｍｍである。

第１の半導体装置においては、ダイボンドフィルム１０の厚さは２５μｍである。この厚さは、標準的なダイボンドフィルムの厚さであり、狭間隙部２５の高さも２５μｍになる。

図３において、本形態における半導体装置は、ダイパッド１およびチップ２を取囲む樹脂部としてモールド樹脂を含むモールド樹脂部１６が形成されている。モールド樹脂部１６は、ダイパッド１、チップ２、ダイボンドフィルム１０、ワイヤ５およびリードフレーム２０の一部を覆うように形成されている。また、生じるチップ２とダイパッド１との狭間隙部２５にもモールド樹脂が充填されている。

本実施の形態におけるモールド樹脂は、フィラーを含み、フィラーのうち粒径が最大のものが２５μｍ以下であるものを用いている。通常のフィラーは、その粒径が最大で７５μｍと大きいが、本実施の形態においては、最大の粒径が２５μｍ以下であるものを用いている。また、モールド樹脂部は、１７５℃での最低溶融粘度が略１０．５Ｐａ・ｓ以下のものを用いて形成されている。

本実施の形態における第２の半導体装置は、第１の半導体装置に対してダイボンドフィルムの構成が異なる（図示せず）。第２の半導体装置におけるダイボンドフィルムは、フィルムサイズがチップサイズよりも１．５ｍｍ小さく形成されている。すなわち、図５に示す断面図においては、長さｌがほぼ０．７５ｍｍになるように形成されている。また、ダイボンドフィルムは、厚さがチップの０．５倍以上であり、かつ厚さが４０μｍ以上になるように形成されている。第２の半導体装置においては、チップとダイパッドとの間に形成された狭間隙部の高さが第１の半導体装置と同等か大きくなり、また、該狭間隙部の奥行きが長くなる。

図６に、本実施の形態における第３の半導体装置の説明図を示す。第３の半導体装置においては、第１の半導体装置とダイパッドの構成が異なる。第３の半導体装置におけるダイパッド３には、貫通穴６が形成されている。貫通穴６は、ダイパッド３の厚さ方向と平行な方向に形成されている。貫通穴６は、チップ２とダイパッド３との間に形成された狭間隙部２５に連通するように形成されている。すなわち、貫通穴６は、チップ２とダイパッド３とに挟まれる領域のうち、ダイボンドフィルムが配置される領域を避けた領域に連通している。本形態においては、貫通穴６は、ダイパッド１に複数形成されている。

図７に、本実施の形態における第４の半導体装置の説明図を示す。第４の半導体装置においては、ダイパッドの構成が第１の半導体装置と異なる。ダイパッド７は、平面形状において、外縁が円弧の凹形状である部分を有する。本実施の形態においては、この凹形状は、チップ２の平面形状の正方形の各辺に対応するように形成されている。また、凹形状は、この正方形の１辺の中点において、ダイパッド３の外縁が最も近づくように形成されている。

（作用・効果）
第１の半導体装置においては、ダイボンドフィルムのフィルムサイズが、チップサイズよりも１ｍｍ小さく形成され、チップとダイパッドとの間に形成された狭間隙部には、モールド樹脂が充填されている。ダイボンドフィルムは、厚さが標準的な２５μｍのものを用いている。このように、ダイボンドフィルムの平面形状における正方形の１辺の長さをチップよりもほぼ１ｍｍ小さく形成することによって、チップとダイパッドとの間に形成されている狭間隙部に、モールド樹脂を完全に充填することができる。

具体的には、ダイボンドフィルムを、フィルムサイズがチップサイズより１ｍｍ小さいものにする。フィルムサイズは１ｍｍ単位であるため、その誤差は最大０．５ｍｍになる。ダイボンドフィルムの片側に着目すると、その誤差の最大は０．２５ｍｍになる。このフィルムサイズの誤差を考慮すると、狭間隙部の奥行きが最大で、０．７５ｍｍ（フィルムサイズの差０．５ｍｍと誤差０．２５ｍｍとを足し合わせた長さ）になる。ダイボンドフィルムを貼り付ける際の貼り付け精度は±０．２ｍｍであるため、ダイボンドフィルムの貼り付け精度を考慮しても、狭間隙部の奥行きは０．９５ｍｍ以下になる。一方で、高さが２５μｍの狭間隙にモールド樹脂を注入する場合の可能な奥行きは１．０ｍｍである。このため、チップとダイパッドとの狭間隙部にモールド樹脂を完全に注入することができ、隙間やボイドが存在しない半導体装置を提供することができる。その結果、チップの剥離やパッケージクラックの発生を防止できる。

本形態におけるモールド樹脂部は、フィラーを含み、フィラーのうち粒径が最大のものが２５μｍ以下のものを用いている。通常のモールド樹脂においては、フィラー粒径の最大が７５μｍであるため、チップとダイパッドとに挟まれる狭間隙部でフィラーが噛み込み、モールド樹脂の注入が阻害される結果、狭間隙部に隙間やボイドが発生しやすくなっていた。しかし、本形態のように、フィラーの粒径が最大で２５μｍ以下のものを選定することによって、フィラーの噛み込みを防止することができ、狭間隙部においてもモールド樹脂の注入性を向上させることができる。

また、モールド樹脂部は、１７５℃での最低溶融粘度が略１０．０Ｐａ・ｓ以下になるものを用いて形成されている。１７５℃において粘度が略１０ｐａ・ｓより大きいものを用いると、狭間隙部への注入性が悪くなってボイドが発生する。すなわち、粘度が高くなることによって、モールド樹脂自体の張力が大きくなり、狭間隙の空間に注入されにくくなる。したがって、モールド樹脂部は、モールド樹脂を狭間隙部に注入する際の温度などの条件を考慮して、１７５℃での最低溶融粘度が略１０．０Ｐａ・ｓ以下になるモールド樹脂を用いて形成されることが好ましい。

第２の半導体装置においては、ダイボンドフィルムのフィルムサイズがチップサイズよりも１．５ｍｍ小さくなるように形成され、厚さがチップの０．５倍以上でかつ４０μｍ以上である。ダイボンドフィルムのフィルムサイズは、本実施の形態における第１の半導体装置よりも０．５ｍｍ小さくなり、狭間隙部の奥行きが長くなる。しかし、ダイボンドフィルムの厚さを４０μｍ以上にすることによって、モールド樹脂の狭間隙部への注入性が向上し、隙間やボイドの発生を防止しながら狭間隙部にモールド樹脂を注入することができる。

また、ダイボンドフィルムの価格は、フィルムの表面積に比例する。本形態においては、ダイボンドフィルムのフィルムサイズを小さくすることができ、安価な半導体装置を提供することができる。

第３の半導体装置においては、狭間隙部に連通するように、貫通穴がダイパッドに形成されている。この構成を採用することにより、モールド樹脂の注入性が悪い狭間隙部についても、貫通穴を通じてモールド樹脂を充填することができ、ボイドや隙間の発生を防止できる。

たとえば、チップとダイパッドとの間にモールド樹脂を注入する注入性は、狭間隙部の高さ、狭間隙部の奥行きに依存する。本形態のようにダイパッドの平面形状が四角形であれば、該四角形の角の部分において、狭間隙部の奥行きが長くなり注入性が悪化する。しかし、この角の部分に貫通穴を形成することにより、角の部分においてもモールド樹脂を隙間なく注入することができる。貫通穴の数や形状については、特に限定なく、たとえば、貫通穴が１つのみ形成されていてもよいし、貫通穴の断面形状がテーパを有していてもよい。

また、図６においては、第１の半導体装置に貫通穴を形成したものを示したが、特にこの形態に限られず、たとえば、第２の半導体装置の狭間隙部に貫通穴が形成されていても構わない。

第４の半導体装置においては、ダイパッドは平面形状において、外縁が円弧の凹形状である部分を有する。図４に示したように、平面形状がほぼ正方形のダイパッド１においては、矢印４１に示す向きにモールド樹脂を注入する。しかし、この場合には、ダイパッド自体が大きな抵抗体となって注入される。これに対して、図７に示すように、外縁が円弧の凹形状である部分が形成されることによって、矢印４０に示す向きにモールド樹脂を注入したときに、ダイパッド７の抵抗を小さくすることができる。したがって、モールド樹脂に含まれるフィラーの噛み込みなどを抑制することができ、注入性が向上する。

なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。

実施の形態１における半導体装置の概略断面図である。 実施の形態１におけるチップ、ダイボンドフィルムおよびダイパッドの説明図である。 実施の形態２における第１の半導体装置の概略断面図である。 実施の形態２における第１の半導体装置のチップ、ダイボンドフィルムおよびダイパッドの説明図である。 実施の形態２における第１の半導体装置のダイボンドフィルムを説明する概略断面図である。 実施の形態２における第３の半導体装置の説明図である。 実施の形態２における第４の半導体装置の説明図である。

符号の説明

１，３，７ ダイパッド、２ チップ、５ ワイヤ、６ 貫通穴、１０，１１ ダイボンドフィルム、１５ 樹脂部、１６ モールド樹脂部、２０ リードフレーム、２５ 狭間隙部、４０，４１ 矢印、ｔ 厚さ、ｌ 長さ。

Claims (8)

1. 厚さが５０μｍ以下のチップと、
   平面的に見て、前記チップよりも大きいダイパッドと、
   平面的に見て、前記チップと略同じ大きさに形成され、前記チップの外形に対応するように、前記チップの主表面と前記ダイパッドの主表面とに挟まれたダイボンドフィルムと
   を備え、
   前記ダイボンドフィルムは、厚さが前記チップの０．５倍以上である、半導体装置。
2. 厚さが５０μｍ以下のチップと、
   平面的に見て、前記チップよりも大きいダイパッドと、
   平面的に見て、一の方向において前記チップよりも略１ｍｍ小さく形成され、前記チップの外形に対応するように、前記チップの主表面と前記ダイパッドの主表面とに挟まれたダイボンドフィルムと、
   前記チップの主表面と前記ダイパッドの主表面とに挟まれる空間にモールド樹脂が注入された狭間隙部と
   を備え、
   前記ダイボンドフィルムは、厚さが前記チップの０．５倍以上である、半導体装置。
3. 厚さが５０μｍ以下のチップと、
   平面的に見て、前記チップよりも大きいダイパッドと、
   平面的に見て、一の方向において前記チップよりも略１．５ｍｍ小さく形成され、前記チップの外形に対応するように、前記チップの主表面と前記ダイパッドの主表面とに挟まれたダイボンドフィルムと、
   前記チップの主表面と前記ダイパッドの主表面とに挟まれる空間にモールド樹脂が注入された狭間隙部と
   を備え、
   前記ダイボンドフィルムは、厚さが前記チップの０．５倍以上、かつ４０μｍ以上である、半導体装置。
4. 前記モールド樹脂は、フィラーを含み、前記フィラーのうち粒径が最大のものが２５μｍ以下である、請求項２または３に記載の半導体装置。
5. 前記モールド樹脂は、１７５℃での最低溶融粘度が略１０．０Ｐａ・ｓ以下である、請求項２から４のいずれかに記載の半導体装置。
6. 前記ダイパッドは、前記ダイボンドフィルムが配置される領域を避けた領域において、前記ダイパッドと前記チップとに挟まれる空間に連通する貫通穴を有する、請求項２から５のいずれかに記載の半導体装置。
7. 前記ダイパッドは、平面形状において、外縁が円弧の凹形状である部分を有する、請求項２から６のいずれかに記載の半導体装置。
8. 前記ダイボンドフィルムは、平面形状が略四角形に形成され、
   前記略四角形のそれぞれの辺の長さが略１０ｍｍ以下である、請求項１から７のいずれかに記載の半導体装置。

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