TWI420356B - 觸控屏及其驅動方法 - Google Patents

Description

觸控屏及其驅動方法

本發明係關於一種觸控屏及一種該觸控屏的驅動方法。

近年來，伴隨著移動電話與觸摸導航系統等各種電子設備的高性能話和多樣化的發展，安裝觸控屏的電子設備逐步增加。這樣的電子設備使得用戶可以用手或者其他物體直接接觸該觸控屏以便向該電子設備輸入資訊，這樣可以減少或者消除用戶對其他輸入設備(例如，鍵盤、滑鼠、遙控器等)的依賴，方便用戶的操作。

現有技術的觸控屏主要包括電阻式、電容式、紅外線式以及表面聲波式。一般觸控屏在使用過程中一次只能進行一個觸摸動作的輸入，近來發展出可同時進行兩點或更多點輸入的觸控屏，逐漸成為流行趨勢。多點觸控屏主要是電容式觸控屏，其一般包括分別設置在一個透明玻璃兩面的二透明導電層，兩個導電層分別包括多條平行設置的導線，且兩面的導線互相平行，通過反復掃描該多條導線，分析其上電容的變化來判斷觸控點的座標。

然而，電容式觸控屏的掃描頻率隨其解析度，即隨導線的數量，呈幾何數量增加，因此，高解析度的電容式多點觸控屏驅動方法比較複雜，而且對驅動晶片及控制器的要求很高，無形中增加了觸控屏的複雜性及成本。同時，一般的電容式觸控屏一次只能識別兩個觸控點，超過兩個觸控點進行操作時就會出現錯誤，因此，現有技術觸控屏的應用具有一定的局限性。

有鑑於此，提供一種結構和驅動簡單，且可同時進行複數觸控點操作的觸控屏實為必要。

還有必要提供一種該觸控屏的驅動方法。

一種觸控屏，其包括相對設置一第一基板和一第二基板，一設置在該第一基板內表面的第一透明導電層和一設置在該第二基板內表面的第二透明導電層。該第二透明導電層的沿第一方向的電阻率大於其沿第二方向電阻率。該第二透明導電層為一納米碳管薄膜，更進一步，該納米碳管薄膜中的納米碳管沿單一方向擇優取向排列，該單一方向平行於該第二透明導電薄膜的第二方向。

一種觸控屏驅動方法，該觸控屏包括一第一透明導電薄膜和一第二透明導電薄膜，該第二透明導電薄膜的沿第一方向電阻率大於其沿第二方向電阻率。當該觸控屏接受一觸摸動作時，該觸控點所對應的第一透明導電薄膜電連接第二透明導電薄膜。該定位方法包括：提供一基準電壓至該第一透明導電薄膜；提供一穩定直流電壓至該第二透明導電薄膜平行於其橫向的一側邊；測量該第二透明導電薄膜平行於其橫向的另一側的各點的電壓；根據第二透明導電薄膜測量點電壓的變化判斷觸控點的座標。

一種觸控屏的驅動方法，該觸控屏包括一納米碳管薄膜，該納米碳管薄膜的橫向電阻率大於其縱向電阻率，該驅動方法包括：在該納米碳管薄膜平行於其橫向的第一側邊及其內部任意一點之間提供一電壓，測量該納米碳管薄膜相對該第一側邊的第二側邊的電壓，根據該第二側邊電壓的變化來確定該任意一點在該觸控屏上的位置。

一種觸控屏驅動方法，該觸控屏包括一第一透明導電薄膜和一第二透明導電薄膜，該第二透明導電薄膜的沿一第一方向的電阻率大於其沿一第二方向的電阻率，該第二透明導電薄膜之平行於第一方向之一側邊具有複數測量點，當該觸控屏接受一觸摸動作時，該觸控點所對應的第一透明導電薄膜電連接第二透明導電薄膜，該驅動方法包括：提供一基準電壓至該第一透明導電薄膜；提供一第一電壓至該第二透明導電薄膜平行於其第一方向的一側邊；測量該第二透明導電薄膜平行於其第一方向的另一側的各測量點任一點的電壓，且提供一第二電壓至該量測點除外之其他測量；根據該第二透明導電薄膜測量點電壓的變化判斷觸控點的座標。

一種觸控屏的驅動方法，該觸控屏至少包括相對設置並在壓力下可電連接的一第一電阻率異向性薄膜和一第二電阻率異向性薄膜，該第一電阻率異向性薄膜的縱向電阻率大於其橫向電阻率，該第二電阻率異向性薄膜的橫向電阻率大於其縱向電阻率，該驅動方法包括：在該第一電阻率異向性薄膜和該第二電阻率異向性薄膜相互垂直的二側邊施加一電壓，依次測量另外二側邊各點的電壓，跟據該另外二側邊個點的電壓的變化判斷該第一電阻率異向性薄膜和該第二電阻率異向性薄膜之間是否有電連接點，並判斷該電連接點在該觸控屏上的相對位置。

相較于現有技術，該觸控屏採用電阻率異向性材料，尤其是採用導電高分子材料或納米碳管材料製作透明導電層，特別是採用具有擇優取向排列的納米碳管薄膜製作透明導電層，其具有如下優點：其一，具有擇優取向排列的納米碳管薄膜的電阻率具有異向性，通過測量該納米碳管薄膜側邊的電壓，根據電壓下降的位置及下降幅度就可以判斷出觸控點的實際座標，該觸控屏具有簡單的結構及簡單驅動方法；其二，該擇優取向排列的納米碳管薄膜被分為複數沿納米碳管延伸方向的導電通道，不同的探測電極對應不同的導電通道，因此該觸控屏根據各個導電通道上電壓變化可以實現多點觸控操作，且觸控點理論上不受限制，真正實現多點觸控的功能；其三，納米碳管的優異力學特性使得納米碳管層具有很高的韌性和機械強度，故，採用納米碳管層作透明導電層可以相應提高該觸控屏的耐用性；其五，納米碳管薄膜具有良好的導電性，可以提高該觸控屏的導電性能，從而提高其解析度和精確度；其四，納米碳管薄膜具有良好的光穿透性，從而該觸控屏具有良好的光學表現。

請參閱圖1，其是本發明觸控屏第一實施方式的剖面結構示意圖。該觸控屏2包括相對設置的一第一基板21和一第二基板22。該第一基板21一般由彈性透明材料製成，該第二基板22由剛性透明材料製成以承載一定壓力。本實施例中，該第一基板21為聚酯膜，該第二基板22為玻璃基板。該第一基板21相對該第二基板22一側的表面設置一第一傳導層23。該第二基板22相對該第一基板21一側的表面設置一第二傳導層24。一粘合層25設置該第一基板21和該第二基板22之間的邊緣處，從而將該第一基板21和該第二基板22粘合在一起。該第一傳導層23和該第二傳導層24之間的距離為2-10微米。該第一傳導層23和該第二傳導層24之間間隔設置有複數彼此隔離的間隙子27，該複數間隙子27具絕緣和支撐作用，以使該第一傳導層23和該第二傳導層24在初始狀態下為電絕緣狀態。可以理解，當該觸控屏2尺寸較小時，該間隙子27為可選結構，只需要確保第一傳導層23和該第二傳導層24在初始狀態下為電絕緣狀態即可。

請一併參閱圖2，其是該第一傳導層23和該第二傳導層24的平面結構示意圖。在本圖中引入笛卡爾坐標系，其包括相互垂直的X軸方向和Y軸方向。該第一傳導層23包括一第一透明導電層231和一第一電極232。該第一透明導電層231是一矩形的氧化銦錫薄膜，從而擁有較低的電阻率和較高的光穿透率。該第一電極232連續設置在該第一透明導電層231的四側邊，並與該第一透明導電層231電連接。

該第二傳導層24包括一第二透明導電層241、一第二電極242和複數探測電極243。

該第二透明導電層241為一電阻異向性導電薄膜，即，其在二維空間上的電阻率相異。具體地，該第二透明導電層241沿X軸方向的橫向電阻率ρ1大於其沿Y軸方向的縱向電阻率ρ2。

該第二電極242為一長條型電極，其設置在該第二透明導電層241垂直于納米碳管延伸方向的一側邊，即，圖2中該第二透明導電層241的上側邊，並電連接該第二透明導電層241。

該複數探測電極243均勻設置在該第二透明導電層241相對該第二電極242的另一側邊，即，圖2中該第二透明導電層241的下側邊。且每一探測電極243均電連接該第二透明導電層241。由於納米碳管薄膜的電阻異向性，該複數探測電極243將該第二透明導電層241分為複數對應的導電通道。

作為一優選實施例，該第二透明導電層241由厚度均勻的納米碳管薄膜材料製成。該納米碳管薄膜的厚度為0.5納米到100微米。該納米碳管薄膜為有序的納米碳管形成的具有均勻厚度的層狀結構。該納米碳管為單壁納米碳管、雙壁納米碳管或多壁納米碳管中的一種或多種的混合，其中，單壁納米碳管的直徑為0.5納米到50納米，雙壁納米碳管的直徑為1.0納米到50納米，多壁納米碳管的直徑為1.5納米到50納米。該納米碳管薄膜中的納米碳管沿單一方向擇優取向排列或沿不同方向擇優取向排列。

進一步地，該第二透明導電層241採用納米碳管薄膜或重疊設置的多層納米碳管薄膜，且多層納米碳管薄膜的重疊角度不限。該納米碳管為有序排列。更進一步講，該納米碳管薄膜包括複數擇優取向的納米碳管，該納米碳管具有基本相等的長度且通過范德華力彼此連接，從而形成連續的納米碳管束。具體地，該第二透明導電層241中的納米碳管沿圖2所示的Y軸方向擇優取向排列。

上述具有擇優取向排列的納米碳管薄膜具有阻抗異向性的特點，即，該納米碳管薄膜沿納米碳管延伸方向的電阻率遠遠小於其垂直于納米碳管延伸方向的電阻率。具體來講，如圖2所示，該第二透明導電層241沿X軸方向的橫向電阻率遠遠大於其沿Y軸方向的縱向電阻率。

一般地，ρ1/ρ2的值隨該觸控屏2中尺寸的增大而增大。當該觸控屏2中尺寸(矩形對角線)小於3.5英寸時，ρ1/ρ2的值以不小於2為宜；當該觸控屏2的尺寸大於3.5英寸時，ρ1/ρ2的值以不小於5為宜。

進一步地，本實施例中觸控屏2的尺寸為3.5英寸，所採用的納米碳管的橫向電阻率與縱向電阻率的比值ρ1/ρ2大於等於10。

該第一電極232、第二電極242以及該探測電極243由低阻材料製成，如鋁、銅或銀等，以減少電信號的衰減。本實施例中，其均由導電銀漿製成。

該觸控屏2的驅動方法如下：該第一電極232電連接該觸控屏2系統的地，即該第一透明導電層231的電壓為0伏。該第二電極242接受一穩定直流電壓，如10伏，則該第二透明導電層241的電壓為10伏。該複數探測電極243用來探測該第二透明導電層241對應位置的電壓變化，為觸摸定位提供資料。

當用戶沒有對該觸控屏2進行任何操作時，該第一透明導電層層231與該第二透明導電層241相互絕緣，對該第二透明導電層241的電壓沒有影響。則該複數探測電極243的電壓相等，均為10伏。如圖3所示，其是該未進行觸摸操作時，複數探測電極243的電壓曲線圖。圖3中橫軸表示該複數探測電極243的物理橫坐標，縱軸表示該複數探測電極243的電壓。由於該複數探測電極243的電壓相等，圖中表示為一條垂直於縱坐標的直線。

當用戶對該觸控屏2進行觸摸操作時，該第一基板21在壓力作用下彎向該第二基板22，從而使該第一透明導電層231與該第二透明導電層241在該觸控點產生電連接。如果是單點觸摸，則在觸摸處產生單個電連接點；如果是多點觸摸，則相應產生複數電連接點。由於該第一導電層231的電壓對該第二導電層241的電壓的影響，此時，觸控點所對應的探測電極243的電壓發生變化。具體而言，該對應點探測電極243的電壓將低於該第二電極241的電壓，即小於10伏。由於不同的探測電極243對應不同的導電通道，其電壓互相獨立，不會產生相互干擾，則複數探測電極243的電壓變化也是相互獨立的。實驗表明，該探測電極43電壓降低的幅度與該觸控點所處位置的縱坐標有關。該觸控點愈接近該第二電極242，對應該觸控點的探測電極243的電壓降低幅度愈小；反之，該觸控點愈遠離該第二電極242，對應該觸控點的探測電極243的電壓降低幅度愈大，也就是觸控點的探測電極243的電壓與該觸控點到該第二電極242的距離成正相關的關係。

如圖4所示為同時對該觸控屏2進行三點操作的觸控點實際位置，其中，A、B、C表示該三個觸控點在該觸控屏2上的實際位置。圖5是該複數探測電極243的電壓曲線圖，其中，橫軸表示該複數探測電極243的橫坐標，縱軸表示探測電極243的電壓。

根據電壓曲線中電壓下降點在坐標軸中的位置，可以直接判斷出該複數觸控點橫坐標。根據觸控點對應的探測電極243的電壓下降幅度，可以分析出該複數觸控點相對該第二電極的距離，即該觸控點在座標中的縱坐標。通過上述方法可以確定所有觸控點在該觸控屏上的座標。

上述採用納米碳管薄膜的觸控屏2具有以下優點：其一，具有擇優取向排列的納米碳管薄膜的電阻率具有異向性，通過測量該探測電極243的電壓，根據電壓下降的位置及下降幅度就可以判斷出觸控點的實際座標，該觸控屏2具有簡單的結構及簡單驅動方法；其二，該擇優取向排列的納米碳管薄膜被分為複數沿納米碳管延伸方向的導電通道，不同的探測電極243對應不同的導電通道，因此該觸控屏2可以實現多點觸控操作，且觸控點理論上不受限制，真正實現多點觸控的功能；其三，納米碳管的優異力學特性使得納米碳管層具有很高的韌性和機械強度，故，採用納米碳管層作透明導電層可以相應提高該觸控屏2的耐用性；其四，納米碳管薄膜具有良好的導電性，可以該觸控屏的導電性能，從而提高其解析度和精確度；其五，納米碳管薄膜具有良好的透光性，從而該觸控屏具有良好的透光性。

請參閱圖6，其是本發明觸控屏的第二實施方式，圖中僅表示了第一傳導層33和第二傳導層34平面結構。該觸控屏3與第一實施方式的觸控屏2相似，其不同之處在於：該第二傳導層下側邊設置複數第一探測電極343，其相對的上側邊設置複數相同的第二探測電極344。該第一探測電極343及該第二探測電極344分別對稱均勻分佈，並電連接該第二透明導電層341。

該觸控屏的驅動方法與第一實施方式的觸控屏2的驅動方法相似，不同之處在於：該第一探測電極343及第二探測電極344即作為電壓輸入電極，也作為探測電壓輸出電極。當該第一探測電極343作為電壓輸入電極接受穩定直流電壓時，該第二探測電極344作為探測電壓輸出電極；當該第二探測電極344作為電壓輸入電極接受穩定直流電壓時，該第一探測電極343作為電壓輸入電極。這樣該第一探測電極343與第二探測電極344採用輪流輸入/輸出的方式進行驅動，可以增加該觸控屏3的定位精度。

請參閱圖7，其是本發明觸控屏的第三實施方式，圖中僅表示一第一傳導層43和一第二傳導層44的平面結構。該觸控屏4與第一實施方式的觸控屏2相似，其不同之處在於：該第一傳導層43的結構與該第二傳導層44的結構相似，即該第一傳導層43包括一納米碳管薄膜製成的第一透明導電層431、一個條型的第一電極432和複數第一探測電極433，該第二傳導層44包括一納米碳管薄膜製成的第二透明導電層441、一條型的第二電極442和複數第二探測電極443。進一步，該第一透明導電薄膜431中的納米碳管沿坐標軸中X軸方向延伸，該第一電極432設置在該第一透明導電層431的左側邊沿Y軸方向延伸，並電連接該第一透明導電薄膜431，該複數探測電極433均勻設置在該第一透明導電薄膜431相對該第一電極432的右側邊，並電連接該第一透明導電薄膜431。該第一透明導電層431沿該第二方向的電阻率p3大於其沿該第一方向的電阻率p2，且p3/p4的值隨著該第一透明導電層431沿該第二方向的尺寸增大而增大。

該觸控屏4的驅動方法是：確定觸控點橫坐標時，該第一電極432和/或第一探測電極接地433，該第二電極442接高電壓，如10伏，測量該複數第二探測電極443的電壓來確定觸控點的橫坐標；確定觸控點縱坐標時，該第二電極442和/或第二探測電極443接地，該第一電極432接高電壓，如10伏，測量該複數第一探測電極433的電壓來確定觸控點的縱坐標。

該觸控屏4的驅動方法中，通過輪流施加高電壓於該第一電極431和該第二電極441，直接測量該第一探測電極433和第二電極443的電壓變化即可確定觸控點的縱坐標和橫坐標，而不需要分析電壓的下降幅度。該驅動方法更加簡單、準確。

進一步地，作為一種優化驅動方法，本發明採用掃描的方式中依次掃描該複數第一探測電極433和該複數第二探測電極443,並分別測量其電壓的變化。同時，對於處於非測量狀態的第一電極433和第二探測電極443，分別施加一固定電壓於其上，從而保障非測量點的第一/第二探測電極433、443具有一穩定的電壓，減少其對處於測量狀態的第一/第二探測電極433、443的影響，也使處於測量狀態的第一/第二探測電極433、443的電壓測量更加精確。該固定電壓例如可以是5伏、10伏或者0伏等。

請參閱圖8，其是本發明觸控屏的第四實施方式，圖中僅表示了第一傳導層53和第二傳導層54的平面結構。該觸控屏5與第三實施方式的觸控屏4相似，其不同之處在於：該第一傳導層53的結構與該第二傳導層54的結構相似。具體地，該第一傳導層531左側邊設置複數第一探測電極532，其相對的右側邊設置複數相同的第二探測電極533。該第一探測電極532及該第二探測電極533分別對稱勻分佈，並電連接該第一透明導電層531。該第一傳導層531的納米碳管薄膜中的納米碳管沿坐標軸中橫軸方向延伸。該第二傳導層上54側邊設置複數第三探測電極542，其相對的下側邊設置複數相同的第四探測電極543。該第三探測電極542及該第四探測電極543分別對稱均勻分佈，並電連接該第二透明導電層541。該第二傳導層541的納米碳管薄膜中的納米碳管沿坐標軸中縱軸方向延伸。

該觸控屏5的驅動方法結合第二實施方式觸控屏3和第三實施方式觸控屏4的驅動方法，其特點在於：當該第一傳導層53的第一、第二探測電極532、533同時接地時，該第二傳導層54的第三、第四探測電極542、543交替接高電壓，並通過測量相對側第四、第三探測電極543/542的電壓變化來確定觸控點的橫坐標；當該第二傳導層54的第三、第四探測電極542、543同時接地時，該第一傳導層53的第一、第二探測電極532、533交替接高電壓，並通過測量相對第二、第一側探測電極533、532的電壓變化來確定觸控點的縱坐標。該觸控屏50的驅動方法具有簡單、準確的特點。

其中第二、第三、第四實施方式中，觸控屏3、4、5的透明導電層均可採用上述第一實施方式中項所述之納米碳管薄膜。

更進一步，上述實施方式中的透明導電層除採用納米碳管薄膜外，亦可採用其他具有電阻率異向性的材料，如導電高分子材料、某些低維度(一維或二維)的晶體材料等。在上述低維度(一維或二維)的晶體材料中，由於材料中的電子被限制在一維的線性健或二維的平面上做傳導，故這些材料的導電性在某一或某二晶格方向具有優勢，而在其他方向上導電性明顯降低，即，具有電阻率異向性，或稱為導電異向性。這些材料都符合本發明對導電異向性透明導電層的要求，能夠達到上述各實施方式的相同或相似的效果。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，本發明之範圍並不以上述實施方式為限，舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

2、3、4、5．．．觸控屏

23、33、43、53．．．第一傳導層

231、431、531．．．第一透明導電層

232、432、532．．．第一電極

24、34、44、54．．．第二傳導層

241、341、441、541．．．第二透明導電層

242、442．．．第二電極

243．．．探測電極

343、433．．．第一探測電極

344、443、533．．．第二探測電極

542．．．第三探測電極

543．．．第四探測電極

圖1為本發明觸控屏第一實施方式的剖面結構示意圖。

圖2為圖1所示觸控屏的第一傳導層和第二傳導層的平面結構示意圖。

圖3為圖1所示觸控屏的探測電極的電壓曲線圖。

圖4為對該觸控屏進行三點操作的觸控點實際位置示意圖。

圖5為圖4所示觸控屏在三點觸摸操作下的探測電極的電壓曲線圖。

圖6為本發明觸控屏的第二實施方式的第一傳導層和第二傳導層平面結構示意圖。

圖7為本發明觸控屏的第三實施方式的第一傳導層和第二傳導層平面結構示意圖。

圖8為本發明觸控屏的第四實施方式的第一傳導層和第二傳導層平面結構示意圖。

23．．．第一傳導層

231．．．第一透明導電層

232．．．第一電極

24．．．第二傳導層

241．．．第二透明導電層

242．．．第二電極

243．．．探測電極

Claims (53)

1. 一種觸控屏，其包括相對設置一第一基板和一第二基板，一設置在該第一基板內表面的第一透明導電層和一設置在該第二基板內表面的第二透明導電層，其中，該第二透明導電層的沿一第一方向的電阻率ρ1大於其沿一第二方向的電阻率ρ2。
2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控屏，其中，ρ1/ρ2的值不小於2。
3. 如申請專利範圍第2項所述之觸控屏，其中，第二透明導電層沿該第二方向的尺寸至多為3.5英寸。
4. 如申請專利範圍第1項所述之觸控屏，其中，ρ1/ρ2的值不小於5。
5. 如申請專利範圍第4項所述之觸控屏，其中，第二透明導電層沿該第二方向的尺寸至少為3.5英寸。
6. 如申請專利範圍第1項所述之觸控屏，其中，該第二透明導電層為一納米材料薄膜。
7. 如申請專利範圍第1項所述之觸控屏，其中，該第二透明導電層為一納米碳管薄膜。
8. 如申請專利範圍第7項所述之觸控屏，其中，該納米碳管薄膜中的納米碳管沿單一方向擇優取向排列，該單一方向平行於該第二方向。
9. 如申請專利範圍第8項所述之觸控屏，其中，該第一基板內表面進一步設置一電連接該第一透明導電層的第一電極。
10. 如申請專利範圍第9項所述之觸控屏，其中，該第二基板內表面進一步設置一第二電極和複數探測電極，該第二電極設置在該納米碳管薄膜平行於該第一方向的一側邊，且電連接該納米碳管薄膜，該複數探測電極設置在該納米碳管薄膜相對該第二電極的一側，且電連接該納米碳管薄膜。
11. 如申請專利範圍第10項所述之觸控屏，其中，該第一電極接地，該第二電極接一穩定直流電壓，該探測電極用於探測其對應位置的納米碳管薄膜的電壓。
12. 如申請專利範圍第9項所述之觸控屏，其中，該第二基板內表面進一步設置複數第一探測電極和複數第二探測電極，該複數第一探測電極設置在該納米碳管薄膜平行於該第一方向的一側邊，且電連接該納米碳管薄膜，該複數第二探測電極設置在該納米碳管薄膜相對該第一探測電極的一側，且電連接該納米碳管薄膜。
13. 如申請專利範圍第12項所述之觸控屏，其中，該第一電極接地，該第一探測電極和該第二探測電極交替接一直流電壓，當第一探測電極或該第二探測電極未接穩定直流電壓時，用於探測其對應位置的納米碳管薄膜的電壓。
14. 如申請專利範圍第7項所述之觸控屏，其中，該第一透明導電層沿該第二方向的電阻率ρ3大於其沿該第一方向的電阻率ρ4。
15. 如申請專利範圍第7項所述之觸控屏，其中，該第一透明導電層為一納米碳管薄膜。
16. 如申請專利範圍第14項所述之觸控屏，其中，ρ3/ρ4的值不小於2。
17. 如申請專利範圍第14項所述之觸控屏，其中，ρ3/ρ4的值不小於5。
18. 如申請專利範圍第15項所述之觸控屏，其中，該第一透明導電層的納米碳管薄膜中的納米碳管沿一第一單一方向擇優取向排列，該第一單一方向平行於該第一方向，該第二透明導電層的納米碳管薄膜中的納米碳管沿一第二單一方向擇優取向排列，該第二單一方向平行於該第二方向。
19. 如申請專利範圍第18項所述之觸控屏，其中，該第一基板內表面進一步設置一第一電極和第一探測電極，該第一電極設置在該第一透明導電層中垂直於該第一方向的一側邊，且電連接該第一透明導電層，該複數探測電極設置在該第一透明導電層相對該第一電極的一側邊，且電連接該第一透明導電層。
20. 如申請專利範圍第19項所述之觸控屏，其中，該第二基板內表面進一步設置一第二電極和一第二探測電極，該第二電極設置在該第二透明導電層中平行於該第一方向的一側邊，且電連接該第二透明導電層，該複數探測電極設置在該第二透明導電層相對該第二電極的一側邊，且電連接該第二透明導電層。
21. 如申請專利範圍第19項所述之觸控屏，其中，該第一基板內表面進一步設置複數第一探測電極和複數第二探測電極，該複數第一探測電極設置在該第一透明導電層中垂直於該第一方向的一側邊，且電連接該納米碳管薄膜，該複數探測電極設置在該納米碳管薄膜相對該第一探測電極的一側邊，且電連接該第一透明導電層。
22. 如申請專利範圍第21項所述之觸控屏，其中，該第二基板內表面進一步設置複數第三探測電極和複數第四探測電極，該複數第三探測電極設置在該第二透明導電層中垂直於該第二方向的一側邊，且電連接該第二透明導電層，該複數第四探測電極設置在該納米碳管薄膜相對該第三探測電極的一側邊，且電連接該第二透明導電層。
23. 如申請專利範圍第7或15項所述之觸控屏，其中，該納米碳管薄膜包括至少一層納米碳管。
24. 如申請專利範圍第7或15項所述之觸控屏，其中，該納米碳管薄膜的厚度為0.5納米到100微米。
25. 如申請專利範圍第7或15項所述之觸控屏，其中，該納米碳管薄膜中的納米碳管具有相等的長度，且通過范德華力首位相連，從而形成連續的納米碳管束。
26. 如申請專利範圍第1項所述之觸控屏，其中，該第一透明導電薄膜為氧化銦錫薄膜。
27. 如申請專利範圍第1項所述之觸控屏，其中，第一透明導電薄膜和/或該第二透明導電薄膜為導電高分子薄膜。
28. 如申請專利範圍第27項所述之觸控屏，其中，該第一透明導電層沿該第二方向的電阻率ρ3大於其沿該第一方向的電阻率ρ4。
29. 如申請專利範圍第28項所述之觸控屏，其中，ρ1/ρ2和/或ρ3/ρ4的值不小於2。
30. 如申請專利範圍第28項所述之觸控屏，其中，ρ1/ρ2和/或ρ3/ρ4的值不小於5。
31. 一種觸控屏驅動方法，觸控屏包括一第一透明導電薄膜和一第二透明導電薄膜，該第二透明導電薄膜的沿一第一方向的電阻率大於其沿一第二方向的電阻率，該第二透明導電薄膜之平行於第一方向之一側邊具有複數測量點，當該觸控屏接受一觸摸動作時，該觸控點所對應的第一透明導電薄膜電連接第二透明導電薄膜，該驅動方法包括：提供一基準電壓至該第一透明導電薄膜；提供一電壓至該第二透明導電薄膜平行於其第一方向的一側邊；測量該第二透明導電薄膜平行於其第一方向的另一側的各測量點的電壓；根據該第二透明導電薄膜測量點電壓的變化判斷觸控點的座標。
32. 如申請專利範圍第31項所述之觸控屏驅動方法，其中，根據該第二透明導電薄膜測量點電壓的變化位置判斷觸控點平行於該透明導電薄膜第一方向的座標。
33. 如申請專利範圍第31項所述之觸控屏驅動方法，其中，根據該第二透明導電薄膜測量點電壓的變化的幅度判斷觸控點平行於該透明導電薄膜第二方向的座標。
34. 如申請專利範圍第31項所述之觸控屏驅動方法，其中，該觸控屏的第一透明導電薄膜的沿該第二方向的電阻率大於其沿該第一方向的電阻率，該第一透明導電薄膜之平行於第二方向之一側邊具有複數測量點，該驅動方法進一步包括：提供一基準電壓至該第二透明導電薄膜；提供一電壓至該第一透明導電薄膜平行於其第二方向的一側邊；測量該第一透明導電薄膜平行於其第一方向的另一側的各測量點的電壓；根據該第一透明導電薄膜測量點電壓的變化判斷觸控點的座標。
35. 如申請專利範圍第34項所述之觸控屏驅動方法，其中，根據該第一透明導電薄膜測量點電壓的變化位置判斷觸控點平行於該第二方向的座標。
36. 如申請專利範圍第34項所述之觸控屏驅動方法，其中，根據該第一透明導電薄膜測量點電壓的變化的幅度判斷觸控點平行於該透明導電薄膜第一方向的座標。
37. 如申請專利範圍第31項所述之觸控屏驅動方法，其中，該第一透明導電薄膜和/或該第二透明導電薄膜為一納米碳管薄膜。
38. 如申請專利範圍第37項所述之觸控屏驅動方法，其中，該納米碳管薄膜中的納米碳管沿單一方向擇優取向排列。
39. 如申請專利範圍第38項所述之觸控屏驅動方法，其中，該第一透明導電薄膜的納米碳管單一方向平行於第一方向，該第二透明導電薄膜的納米碳管單一方向平行於該第二方向。
40. 一種觸控屏驅動方法，觸控屏包括一第一透明導電薄膜和一第二透明導電薄膜，該第二透明導電薄膜的沿一第一方向的電阻率大於其沿一第二方向的電阻率，該第二透明導電薄膜之平行於第一方向之一側邊具有複數測量點，當該觸控屏接受一觸摸動作時，該觸控點所對應的第一透明導電薄膜電連接第二透明導電薄膜，該驅動方法包括：提供一基準電壓至該第一透明導電薄膜；提供一第一電壓至該第二透明導電薄膜平行於其第一方向的一側邊；測量該第二透明導電薄膜平行於其第一方向的另一側的各測量點任一點的電壓，且提供一第二電壓至該量測點除外之其他測量；根據該第二透明導電薄膜測量點電壓的變化判斷觸控點的座標。
41. 一種觸控屏的驅動方法，該觸控屏至少包括一電阻率異向性薄膜，該電阻率異向性薄膜的橫向電阻率大於其縱向電阻率，該驅動方法包括：在該電阻率異向性薄膜平行於其橫向的第一側邊及其內部任意一點之間提供一電壓，測量該納米碳管薄膜相對該第一側邊的第二側邊的電壓，根據該第二側邊電壓的變化來確定該任意一點在該觸控屏上的位置。
42. 如申請專利範圍第41項所述之觸控屏驅動方法，其中，根據該電阻率異向性薄膜測量點電壓的變化位置判斷觸控點在該電阻率異向性薄膜橫向上的座標。
43. 如申請專利範圍第41項所述之觸控屏驅動方法，其中，根據該電阻率異向性薄膜測量點電壓的變化的幅度判斷觸控點在該電阻率異向性薄膜縱向上的座標。
44. 如申請專利範圍第41項所述之觸控屏驅動方法，其中，該電阻率異向性薄膜為一納米碳管薄膜。
45. 如申請專利範圍第41項所述之觸控屏的驅動方法，其中，該納米碳管薄膜中的納米碳管沿單一方向擇優取向排列，該單一方向平行於該納米碳管薄膜的縱向。
46. 如申請專利範圍第41項所述之觸控屏的驅動方法，其中，該觸控屏進一步包括一相對該納米碳管薄膜設置的透明導電薄膜，該透明導電薄膜可以與該電阻率異向性薄膜的任意一點電連接，該電壓通過該透明導電薄膜與該納米碳管的任意一點的電連接而施加在該納米碳管內部對應的任意一點與其第一側邊之間。
47. 一種觸控屏的驅動方法，該觸控屏至少包括相對設置並在壓力下可電連接的一第一電阻率異向性薄膜和一第二電阻率異向性薄膜，該第一電阻率異向性薄膜的縱向電阻率大於其橫向電阻率，該第二電阻率異向性薄膜的橫向電阻率大於其縱向電阻率，該驅動方法包括：在該第一電阻率異向性薄膜和該第二電阻率異向性薄膜相互垂直的二側邊施加一電壓，測量另外二側邊各點的電壓，跟據該另外二側邊個點的電壓的變化判斷該第一電阻率異向性薄膜和該第二電阻率異向性薄膜之間是否有電連接點，並判斷該電連接點在該觸控屏上的相對位置。
48. 如申請專利範圍第47項所述之觸控屏的驅動方法，其中，測量該另外二側邊的任意一點電壓時，其他各點上分別施加一固定電壓。
49. 如申請專利範圍第48項所述之觸控屏的驅動方法，其中，該另外二側邊的電壓各點均勻分佈。
50. 如申請專利範圍第47項所述之觸控屏驅動方法，其中，根據該第一電阻率異向性薄膜測量點電壓的變化位置判斷電連接點在該觸控屏縱向上的相對位置。
51. 如申請專利範圍第47項所述之觸控屏驅動方法，其中，根據該第二電阻率異向性薄膜測量點電壓的變化位置判斷電連接點在該觸控屏橫向上的相對位置。
52. 如申請專利範圍第47項所述之觸控屏驅動方法，其中，該第一電阻率異向性薄膜和/或該第二電阻率異向性薄膜為納米碳管薄膜。
53. 如申請專利範圍第47項所述之觸控屏驅動方法，其中，該第一電阻率異向性薄膜和/或該第二電阻率異向性薄膜為高分子導電薄膜。