TWI417019B - 增層介電層之線路製作方法 - Google Patents

Description

增層介電層之線路製作方法

本發明係關係一種增層介電層之線路製作方法，特別是指用於一種埋入式線路層之增層介電層之線路製作方法。

高密度互連技術(High Density Interconnect,HDI)為印刷電路板線路層電性連通技術之一，藉由增層使線路密度提高，與傳統印刷電路板最大的差異在成孔方式，高密度互連技術採用非機鑽孔法，其中又以雷射成孔為主流，藉此可形成許多微導電盲孔。

在現行之技術中，要在埋入式線路中之增層介電層上製作線路，須先在增層介電層上形成一保護層，接著會進行雷射燒蝕製程在增層介電層上形成欲作為線路用之圖案化凹槽，再進行金屬沉積，使金屬在圖案化凹槽內增厚，形成線路。

若雷射燒蝕圖案化凹槽後，保護層之附著性變差，而後續金屬吸附層會沉積於增層介電層表面，此將造成之後於金屬沉積時，金屬亦會沉積在增層介電層之表面，若為高密度線路設計，因線路之間距較密，很可能將造成線路短路，使電路板失效。

因此，有必要提供一種增層介電層之製作方法，以改善上述所存在的問題。

本發明之主要目的係在提供一種增層介電層之製作方法。

本發明之增層介電層之製作方法包括下列步驟：提供增層介電層；於增層介電層上形成樹脂保護層；於樹脂保護層上形成隔絕層；於增層介電層上形成至少一圖案化凹槽，其中圖案化凹槽係貫穿隔絕層及樹脂保護層；形成金屬吸附層於隔絕層及至少一圖案化凹槽內；移除隔絕層；於各至少一圖案化凹槽內形成線路層；以及移除樹脂保護層。

在本發明之一實施例中，其中在移除隔絕層之步驟後，更包括下列步驟：刷磨線路層之表面。

在本發明之另一實施例中，增層介電層之製作方法包括下列步驟：於基板上形成增層介電層；於增層介電層上形成樹脂保護層；於樹脂保護層上形成隔絕層；於增層介電層上形成導電盲孔；於增層介電層上形成圖案化凹槽；形成金屬吸附層於隔絕層及圖案化凹槽內；移除隔絕層；於圖案化凹槽內形成線路層；以及移除樹脂保護層。

在本發明之另一實施例中，其中在移除隔絕層之步驟後，更包括下列步驟：刷磨線路層之表面。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

本發明之實施例之示意圖均為簡化後之示意圖，僅以示意方式說明本發明之增層介電層之製作方法，其所顯示之元件非為實際實施時之態樣，其實際實施時之元件數目、形狀及尺寸比例為一選擇性之設計，且其元件佈局型態可更為複雜。

請參考圖1，關於依據本發明之一實施例之增層介電層之製作方法之步驟流程圖。

本發明之電路板之製造方法首先進行步驟S701：於基板上形成增層介電層。

如圖2所示，增層介電層10可為覆蓋於基板之增層介電層(build-up dielectric layer)或覆蓋於另一增層結構之增層介電層。基板可為具圖案化線路之單層、多層印刷電路板或另一埋入式電路板，本發明不以此為限。在本發明之一實施例中，增層介電層10包括已鍍銅之盲埋孔導電盲孔11,12，但本發明不以此為限。本發明首先於基板60上形成增層介電層(build-up dielectric layer)10，基板可為具圖案化線路之單層、多層印刷電路板或另一埋入式電路板，本發明不以此為限。在本發明之一實施例中，基板60上已設有二電性連接墊61,62，但本發明不以此為限。

增層介電層10之材料係選自ABF(Ajinomoto Build-up Film)、雙順丁二醯酸醯亞胺/三氮阱(Bismaleimide Triazine,BT)、聯二苯環丁二烯(benzocylobutene,BCB)、液晶聚合物(liquid crystal polymer)、聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚乙烯醚(poly(phenylene ether))、聚四氟乙烯(poly(tetrafluoroethylene))、芳香尼龍(aramide)、環氧樹脂及玻璃纖維所組成材料組群中之至少一種材料，但本發明不以此為限。由於形成增層介電層係習知之技術，也非本發明之重點，因此在此不再贅述。

接著進行步驟S702：於增層介電層上形成樹脂保護層。

如圖3所示，本發明於增層介電層10上形成樹脂保護層20，在本發明之一實施例中，樹脂保護層20之材質為聚醯亞胺(polyimide,PI)，但樹脂保護層20之材質亦可為環氧樹脂，本發明不以此為限。須注意的是，樹脂保護層20之材質係具可被雷射燒蝕之特性。

接著進行步驟S703：於樹脂保護層上形成隔絕層。

如圖3所示，本發明於樹脂保護層20上形成隔絕層30，在本發明之一實施例中，當隔絕層30之材質為銅時，形成方式為在樹脂保護層20表面上，以物理沉積或化學沉積反應形成銅層，但本發明不以沉積銅為限；舉例來說，隔絕層30之材質亦可為鎳、錫或鋅；隔絕層30之材質亦可為高分子材料，可將高分子膜以壓膜或貼合的方式形成。須注意的是，隔絕層30之材質係具可被雷射燒蝕之特性。

接著進行步驟S704：於增層介電層內形成導電盲孔。

如圖4所示，在本發明之一實施例中，增層介電層10先根據基板60之電性連接墊61,62之位置製作盲孔槽11a,12a，並使電性連接墊61,62之銅面外露，但本發明不以此為限。於增層介電層10上形成盲孔槽11a,12a之方式可為雷射燒蝕，但本發明不以此為限；接著於盲孔槽11a,12a沉積銅(譬如化學鍍銅)以形成導電盲孔11,12(如圖5所示)。

接著進行步驟S705：於增層介電層上形成圖案化凹槽。

如圖6所示，本發明使用雷射燒蝕製程，以雷射在增層介電層10上燒蝕出複數圖案化凹槽41,42,43，其中各圖案化凹槽41,42,43係貫穿樹脂保護層20及隔絕層30，各圖案化凹槽41,42,43可依實際線路設計具有不同寬度或間距。在本發明之一實施例中，圖案化凹槽42及圖案化凹槽43之位置係分別對應增層介電層10之導電盲孔11及導電盲孔12之位置，並曝露出盲埋孔11及盲埋孔12之銅面，但本發明不以此為限。在本發明之一實施例中，圖案化凹槽42,43之深度位置實質上係與導電盲孔11,12之銅面位置相接，但本發明不以此為限。

接著進行步驟S706：形成金屬吸附層於隔絕層的表面上及圖案化凹槽內。

如圖7所示，本發明接著在隔絕層30上及圖案化凹槽41,42,43內形成金屬吸附層50，在本發明之一實施例中，金屬吸附層50形成方式可為化學鍍鈀、化學鍍銠或化學鍍鉑，但本發明不以此為限。

接著進行步驟S707：移除隔絕層。

如圖8所示，本發明接著移除隔絕層30，藉此，附著在隔絕層30上之金屬吸附層50亦同時被移除。

接著進行步驟S708：於圖案化凹槽內形成線路層。

如圖9所示，本發明接著在凹槽41,42,43內形成線路層80，在本發明之一實施例中，線路層80之材質可為銅或銅合金，形成線路層80之方法可以化學沉積方式，但本發明不以此為限。

接著進行步驟S709：移除樹脂保護層

如圖10所示，本發明接著移除樹脂保護層20，藉此，若在形成線路層80時，有金屬沉積至樹脂保護層20上時，亦可同時被移除。

最後進行步驟S710：刷磨線路層之表面。

如圖11所示，在移除樹脂保護層20後，線路層80可能會略外露出於增層介電層10表面，故可用刷磨之方式，將露出於增層介電層10表面之線路層80進行刷平(如圖11所示)。藉由本發明之增層介電層之製作方法，即使增層介電層具有高密度線路圖案，可避免金屬誤沉積至線路之間距而使線路短路之缺失。

綜上所陳，本發明無論就目的、手段及功效，在在均顯示其迥異於習知技術之特徵，懇請　貴審查委員明察，早日賜准專利，俾嘉惠社會，實感德便。惟應注意的是，上述諸多實施例僅係為了便於說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

10．．．增層介電層

11,12．．．導電盲孔

11a,12a．．．盲孔槽

20．．．樹脂保護層

30．．．隔絕層

41,42,43．．．圖案化凹槽

50．．．金屬吸附層

60．．．基板

61,62．．．電性連接墊

80．．．線路層

圖1係關於本發明之增層介電層之線路製作方法之一實施例之步驟流程圖。

圖2至圖11係關於本發明之增層介電層之線路製作方法之一實施例之示意圖。

步驟S701：於基板上形成增層介電層。

步驟S702：於增層介電層上形成樹脂保護層。

步驟S703：於樹脂保護層上形成隔絕層。

步驟S704：於增層介電層上形成導電盲孔。

步驟S705：於增層介電層上形成圖案化凹槽。

步驟S706：形成金屬吸附層於隔絕層的表面上及圖案化凹槽內。

步驟S707：移除隔絕層。

步驟S708：於圖案化凹槽內形成線路層。

步驟S709：移除樹脂保護層。

步驟S710：刷磨線路層之表面。

Claims (12)

1. 一種增層介電層之線路製作方法，包括下列步驟：提供一增層介電層；於該增層介電層上形成一樹脂保護層；於該樹脂保護層上形成一隔絕層；於該增層介電層上形成一盲孔槽；於該盲孔槽沉積銅以形成一導電盲孔；於該增層介電層上形成至少一圖案化凹槽，其中該圖案化凹槽係依序由外至內貫穿該隔絕層及該樹脂保護層，該圖案化凹槽之位置係對應該導電盲孔；形成一金屬吸附層於該隔絕層的表面上及該至少一圖案化凹槽內；移除該隔絕層；於各該至少一圖案化凹槽內形成一線路層；以及移除該樹脂保護層。
2. 如申請專利範圍第1項所述之增層介電層之線路製作方法，其中在移除該樹脂保護層之步驟後，更包括下列步驟：刷磨該線路層之表面。
3. 如申請專利範圍第1項所述之增層介電層之線路製作方法，其中於該增層介電層上形成該至少一圖案化凹槽之方法為使用雷射燒蝕製程。
4. 如申請專利範圍第1項所述之增層介電層之線路製作方法，其中該樹脂保護層之材質包括環氧樹脂或聚醯亞胺(polyimide,PI)。
5. 如申請專利範圍第1項所述之增層介電層之線路製作方法，其中該隔絕層之材質包括銅、鎳、錫或鋅。
6. 如申請專利範圍第1或5項所述之增層介電層之線路製作方法，其中形成該隔絕層之方法包括物理沉積反應或化學沉積反應。
7. 如申請專利範圍第1項所述之增層介電層之線路製作方 法，其中該線路層之材質包括銅或銅合金。
8. 如申請專利範圍第1項所述之增層介電層之線路製作方法，其中該金屬吸附層之形成方式可為化學鍍鈀、化學鍍銠或化學鍍鉑。
9. 一種增層介電層之線路製作方法，用於一基板上，其中該基板包括至少一電性連接墊，該增層介電層之線路製作方法包括下列步驟：於該基板上形成一增層介電層；於該增層介電層上形成一樹脂保護層；於該樹脂保護層上形成一隔絕層；於該增層介電層上形成至少一盲孔槽；於該增層介電層上形成至少一導電盲孔，其中該至少一導電盲孔係由該至少一盲孔槽沉積銅而形成，該至少一導電盲孔係依序由外至內貫穿該隔絕層及該樹脂保護層，該至少一導電盲孔之位置係對應該至少一電性連接墊之位置；於該增層介電層上形成至少一圖案化凹槽，其中該圖案化凹槽係依序由外至內貫穿該隔絕層及該樹脂保護層；形成一金屬吸附層於該隔絕層的表面上及該至少一圖案化凹槽內；移除該隔絕層；於各該至少一圖案化凹槽內形成一線路層；以及移除該樹脂保護層。
10. 如申請專利範圍第9項所述之增層介電層之線路製作方法，其中在移除該樹脂保護層之步驟後，更包括下列步驟：刷磨該線路層之表面。
11. 如申請專利範圍第9或10項所述之增層介電層之線路製作方法，其中形成該隔絕層之方法包括物理沉積反應或化學沉積反應。
12. 如申請專利範圍第9項所述之增層介電層之線路製作方 法，其中該基板包括一具圖案化線路之單層電路板、一多層印刷電路板或一埋入式電路板。