TWI413566B - 偏光片之製造方法 - Google Patents

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Description

偏光片之製造方法
本發明係關於一種偏光片之製造方法,其係用於液晶顯示器之光學膜。
本申請案係主張2010年5月28日向韓國智慧財產局(KIPO)提申之韓國專利申請案號10-2010-0050582優先權,其內容皆併於此作為整體參酌。
CRT(cathode ray tub,陰極射線管)係相關領域常用顯示器之一,常作為電視機、測量裝置、信息終端裝置等的螢幕。然而,其難以趕上電子產品尺寸微小化及重量輕化之需求。
小型且質輕之液晶顯示器已發展取代CRT,且近年來其已發展到足以作為平板顯示器,故其需求量已漸增。
液晶顯示器之顯像原理係根據液晶的光學異向性及偏極性。液晶具有細長的分子結構,且具有異向性(決定於分子排列方向)及偏極性(根據外加電場強度而改變分子排列方向)。液晶顯示器包括一液晶面板作為基本元件,其包含一對透明絕緣基板,且液晶層插置其間。其於透明絕緣基板相面對之表面形成有電場產生電極。可藉由改變電場產生電極間之電場來人工調整液晶分子方向,以改變光透率,進而顯示各種影像。
於該實例中,偏光片係設置於液晶面板之上下部,以顯現液晶顯示器之液晶方向變化。每一偏光片傳送平行於穿透軸之光偏振分量。兩偏光片之穿透軸排列及液晶排列決定光的穿透率。
圖1係一般偏光片的示意圖。如圖所示,偏光片1包括:一偏光層2,其形成有改變光偏振性之極化軸,且係藉由拉伸摻有碘之PVA(聚乙烯醇)而製得具有強張力之偏光片;第一及第二TAC膜(三醋酸纖維素膜)3及4,係形成於偏光層2兩側,以保護並支撐偏光層2;一保護膜5,係形成於第一TAC膜3之一側,以避免偏光片1受損;以及一離型膜7,係藉由接置其間之黏著劑6而形成於第二TAC膜4之一側。
如圖2所示,該偏光片1之製法如下所述。首先,製備原料捲狀物,即PVA膜、TAC膜(第一TAC膜及第二TAC膜)、保護膜及離型膜(圖2(a))。接著,於清洗槽中清洗原料捲狀物,並於乾燥箱中乾燥原料捲狀物,以進行預處理步驟(圖2(b))。之後,堆疊第一TAC膜及第二TAC膜於PVA膜之兩側並拉伸PVA膜,以形成中間捲狀物(圖2(c))。隨後,堆疊保護層於第一TAC膜上,並藉由設置其間之黏著劑堆疊離型膜於第二TAC膜之表面上,以形成偏光片捲狀物(圖2(d))。而後,藉由切邊壓機(clipping press)之衝子(punches),將偏光片裁切成各種尺寸(圖2(e)),並進行檢驗及封裝製程(圖2(f))。
參考圖3之流程圖,以說明相關領域偏光片之製備方法。請參見圖3,首先,製備原料,如PVA膜、第一TAC膜、第二TAC膜、保護膜及離型膜,並進行清洗及乾燥原料之預處理步驟(S1)。接著,進行拉伸步驟(S2),以拉伸PAV膜,並將第一TAC膜堆疊於PVA膜之一側,第二TAC膜堆疊於PVA膜之另一側。而後,進行塗覆及層壓步驟(S3),以將黏著劑塗覆於第二TAC膜之表面,再將離型膜堆疊其上,並將保護膜層壓至第一TAC膜之表面。之後,進行衝子裁剪步驟(S4),藉由切邊壓機(clipping press)之衝子(punches),將其裁剪成各種尺寸的偏光片,並進行研磨步驟(S5),以加工(研磨)每一裁剪後之偏光片。接著,進行檢測步驟(S6),以肉眼檢測每一偏光片,並進行封裝步驟(S7),以封裝每一產品。藉由上述製程,裝運產品。
於衝子裁剪步驟(S4)中,為了於研磨步驟中研磨邊緣,將其裁剪成尺寸大於最終產品。
然而,於相關領域之偏光片製備方法中,由於偏光片係藉由衝子進行裁剪,故需進行研磨步驟,以加工裁切表面。此外,於研磨步驟後,由於需以肉眼檢視各個產品,故該製程將花費許多時間及成本。
本發明之一目的係在提供一種偏光片之製造方法,以簡化偏光片之裁剪及檢測步驟,進而降低製造成本。
本發明之另一目的係在提供一種偏光片之製造方法,其係藉由改變光偏振分量之角度,使其以相對於偏光片晶格排列方向之一預定角度傾斜,以改善偏光片之切割表面品質及偏光片之均勻度。
本發明之一態樣提供一種偏光片之製造方法,其包括:一預處理步驟,以製備、清洗及乾燥PVA膜、第一TAC膜、第二TAC膜、保護膜及離型膜;一拉伸步驟,以拉伸PAV膜,並堆疊第一TAC膜於PVA膜之一側,堆疊第二TAC膜於PVA膜之另一側;一塗覆及層壓步驟,以塗覆黏著劑於第二TAC膜之表面,再堆疊離型膜於其上,並將保護膜層壓至第一TAC膜之表面;一檢測步驟,以檢測已施行塗覆及層壓步驟之偏光片;一雷射裁剪步驟,藉由雷射,將檢測過的偏光片裁剪成各個產品;以及一封裝步驟,以封裝雷射裁剪後的元件。
雷射裁剪步驟包括:一雷射縱切(laser slitting)步驟,其係於平行晶格排列方向之方向上裁剪偏光片;以及一雷射切割(laser cutting)步驟,其係於垂直晶格排列方向之方向上裁剪雷射縱切(laser slitting)步驟中所裁切的偏光片。
雷射裁剪步驟亦可包括:一雷射切割(laser cutting)步驟,其係於垂直晶格排列方向之方向上切割偏光片;以及一雷射縱切(laser slitting)步驟,其係於平行晶格排列方向之方向上裁剪雷射切割(laser cutting)步驟中所裁切的偏光片。
於檢測步驟中,標示雷射裁剪步驟中將裁剪的部位,並於自動檢測偏光片時進行瑕疵標示檢測。
可於雷射裁剪步驟之雷射切割步驟前進行瑕疵標示檢測。
於雷射裁剪步驟中,當雷射光束源輸出雷射光束時,垂直或平行於偏光片之切割方向的線性偏振分量,藉由偏振調整單元,以相對於偏光片晶格排列方向之偏振偏轉角度傾斜,以裁剪偏光片。
雷射裁剪步驟可包括:雷射縱切(laser slitting)步驟(S52),其係於平行晶格排列方向之方向上(傳送前進方向)裁剪偏光片;以及一雷射切割(laser cutting)步驟(S54),其係於垂直晶格排列方向之方向上裁剪雷射縱切(laser slitting)步驟中所裁切的偏光片,並將偏光片裁剪成偏振偏轉角度(α)於±30°至±60°範圍內。
雷射裁剪步驟亦可包括:一雷射切割(laser cutting)步驟,其係於垂直晶格排列方向之方向上裁切偏光片;一雷射縱切(laser slitting)步驟,其係於平行晶格排列方向之方向上裁切雷射切割(laser cutting)步驟中所裁切的偏光片,並將偏光片裁剪成偏振偏轉角度(α)於±30°至±60°範圍內。
於本發明具體實施例之偏光片製造方法中,其係自動檢測偏光片,並進行標示及雷射裁剪步驟,俾可省略研磨步驟。此外,由於雷射切割步驟後即跳過研磨步驟而進行封裝,故可縮短製程時間並降低成本。
此外,可藉由改變偏振分量角度,使其以相對於偏光片晶格排列方向之一預定角度傾斜,以改善偏光片之切割表面品質及偏光片之均勻度。
下文將參考隨附圖式,詳細敘述本發明具體實施例。
圖4係本發明具體實施例之偏光片製備流程圖。如圖4所示,偏光片製備方法包括:一預處理步驟(S10),以製備、清洗及乾燥PVA膜、第一TAC膜、第二TAC膜、保護膜;一拉伸步驟(S20),以拉伸PAV膜,並堆疊第一TAC膜於PVA膜之一側,堆疊第二TAC膜於PVA膜之另一側;一塗覆及層壓步驟(S30),以塗覆黏著劑於第二TAC膜之表面,再堆疊離型膜於其上,並將保護膜層壓至第一TAC膜之表面;一檢測步驟(S40),以檢測已施行塗覆及層壓步驟之偏光片;一雷射裁剪步驟(S50),藉由雷射,將檢測過的偏光片裁剪成各個產品;以及一封裝步驟(S70),以封裝雷射裁剪後的產品。
進行本實施例製備方法之各個步驟,並將該偏光片捲起及攤開捲起之偏光片,且藉由傳送帶及支撐滾輪來傳送偏光片。可連續進行每兩個或三個步驟,或連續進行整個步驟。
預處理步驟(S10)、拉伸步驟(S20)、塗覆及層壓步驟(S30)與相關領域製備偏光片之方法相同。塗覆及層壓步驟(S30)可分為塗覆步驟及層壓步驟。
檢測步驟(S40)係利用自動檢測機對偏光片進行自動檢測,並於雷射裁剪步驟(S50)中欲進行裁切的部位作上標記,以利雷射裁剪機器(於後說明)進行裁剪步驟,並可區別雷射裁剪步驟中之瑕疵品及非瑕疵品。
雷射裁剪步驟(S50)包括一雷射縱切(laser slitting)步驟(S52),其係於平行晶格排列方向之方向上(傳送前進方向)裁切偏光片;以及一雷射切割(laser cutting)步驟(S54),其係於垂直晶格排列方向之方向上裁切雷射縱切(laser slitting)步驟(S52)中所裁切的偏光片。
雷射縱切步驟(S52)及雷射切割步驟(S54)可利用分開的雷射切割機及裁剪機進行,或者可利用一裁剪機進行。
於該具體實施例中,雷射切割步驟(S54)及封裝步驟(S70)係使用RTS(roll to sheet)雷射裁剪機進行。又,雷射縱切步驟(S52)係利用另外的雷射切割機進行。雷射切割步驟(S54)前,於RTS雷射裁剪機(RTS clipping machine)中進行檢測步驟(S40)之瑕疵標示檢測。
圖5係本發明使用之RTS雷射裁剪機具體實施例示意圖。如圖5所示,RTS雷射裁剪機60包括:一展開單元61,以承載作為雷射縱切步驟(圖4的S52)標的之捲狀偏光片;一調控單元62,以控制偏光片於移動及停止期間維持固定張力;一供給單元63,以設定的速率持續提供偏光片,並確保行進方向上尺寸的準確性;一標記檢測單元64,設有攝影感測器,俾可於檢測步驟(圖4的S40)中感測標示位置處是否有瑕疵標示;一雷射切割單元65,依據標記線,於寬度方向上切割偏光片;一傳送帶66,以傳送切割過的偏光片;以及一封裝傳送帶67,以封裝容器封裝藉由傳送帶66傳送之偏光片。
該雷射切割單元65係使用雷射光束切割偏光片的單元,其雷射光束係由二氧化碳雷射頭產生,而雷射切割後的偏光片藉由傳送帶66及封裝傳送帶67進行傳送及封裝。因此,不像相關領域之技術,本發明研磨步驟後無須進行額外的研磨或額外的檢測步驟。
圖6係本發明使用之RTS雷射裁剪機另一具體實施例示意圖。如圖6所示,RTS雷射裁剪機160包括:一展開單元161,以承載作為雷射縱切步驟(圖4的S52)標的之捲狀偏光片;一調控單元162,以控制偏光片於移動及停止期間維持固定張力;一供給單元163,以設定的速率持續提供偏光片,並確保行進方向上尺寸的準確性;一標記檢測單元164,俾可於檢測步驟(圖4的S40)中感測標示位置處是否有瑕疵標示來進行檢測;一雷射切割單元165,依據標記線,於寬度方向上切割偏光片;一量測單元166,藉由照相機,於切割前立刻即時量測方正度(squareness)及尺寸;一雷射傳送帶167,於雷射切割期間吸附、固定及傳送偏光片;一傾斜傳送帶168,移除雷射切割後標示瑕疵之切割片;一傳送帶169-1,傳送切割後的偏光片;一傳送單元169-2,一片一片地傳送切割後的偏光片;以及一極化板承載單元169-3,以放置箱狀封裝容器於傳送帶169-1之下游側上,並立即封裝切割後的偏光片。
亦即,本具體實施例之RTS雷射裁剪機(圖6)係於雷射切割步驟(S54)中,使用照相機即時量測偏光片的方正度及尺寸並切割偏光片,俾於雷射切割步驟(S54)後,透過傾斜傳送帶168來丟棄具有偏光片瑕疵標記之切割片,並將滑動架(carriages)(或箱狀封裝容器)置於傳送切割後偏光片之傳送帶169-1下游側上,並於封裝步驟(S70)中立即封裝切割後的偏光片,或將切割後的偏光片放置於滑動架(carriages)中,以將其傳送至極化板附著線(polarization-plate attaching line),其中切割後的偏光片係傳送至附著盒(attachment magazine)以備用。
用於本發明具體實施例偏光片製法中之RTS雷射裁剪機60(或160)的雷射切割單元65(或165)包括:一支撐架103、一雷射光束源105、一聚光頭107、一偏振調整單元109及一雷射光束傳送器111,如圖7及8所示。
在此,該支撐架103構成雷射切割單元65(或165)的外殼,且設置於製程線上,以作為雷射切割單元65(或165)切割偏光片110之整體製程的一部分。
最後,於圖7所示之具體實施例中,藉由傳送元件113(如沿著整個製程線設置之傳送帶),將偏光片110放進支撐架103中,使支撐架103上方聚光頭107發射出的雷射光束B切割偏光片110。
該雷射光束源105係產生用以切割偏光片110之雷射光束B的元件,並提供雷射光束B至聚光頭107,其可設於支撐架103頂板110之一側,使其固定不動或使其可與頂板112一同移動。雷射光束源105的內部結構與一般雷射產生器相同,故在此不再贅述其內部結構。
聚光頭107係將雷射光束源105傳送之雷射光束B照射於偏光片110之元件,其係固定於製程線上游處之頂板112部位,或者設置成可與頂板112一同移動,或者可相對於頂板112移動,以切割偏光片110。
偏振調整單元109係改變雷射光束源105輸出之雷射光束B線性偏振分量(linearly polarization component)角度之元件,其係設於雷射光束源105與聚光頭107之間,較佳係鄰近於雷射光束源105之輸出側,如圖7至9所示,並使雷射光束源105輸出之雷射光束B的線性偏振分量P傾斜,舉例如,相對於法線旋轉一預定偏振偏轉角度α,使其自垂直態調變,如圖8及9所示。
於此例中,偏振偏轉角度α是雷射光束B之線性偏振分量P(當其相對於聚光頭107進行移動時,會與受切割之偏光片110的切割方向平行或成直角)相對於傾斜偏光片110晶格L排列方向偏轉的角度,其較佳範圍為±30°至±60°,更佳範圍為±45°,如圖7至9所示。
當相對於待切割偏光片110移動之聚光頭107所發射出的雷射光束B之線性偏振分量P(垂直晶格L排列方向),對偏光片110進行切割時(如圖12之比較例所示),切割表面的品質可能低劣,如圖13及14所示。據此,當雷射裁剪步驟後將可移動膠帶貼附至膜保護層(保護膜)以移除偏光片110最外層所貼附的膜保護層時,由於偏光片110表面不均勻,故可移動膠帶無法穩固的貼附上,如圖14所示,因此,無法完全移除膜保護層。
然而,若雷射光束B之線性偏振分量P相對於晶格排列方向傾斜45°的話,則可大幅改善偏光片之表面品質,如圖15及16所示(本發明之具體實施例)。尤其是,當偏振偏轉角度為45°時,則可大幅改善切割表面的品質,無須檢視偏光片晶格排列方向是否垂直或平行切割方向。
此外,由於切割表面及鄰近於切割表面之偏光片表面層維持均勻,如圖16所示(尤其是具有堆疊結構之偏光片實例),因此,當可移動膠帶貼附至保護膜上以撕離形成表面層之保護膜時,可移動膠帶會與保護膜緊密接觸,故可移動膠帶可於裁剪後無誤差地順利移除保護膜,進而改善製程效率。
切割表面之品質係決定於線性偏振分量之傾斜角度。當偏振偏轉角度α為45°時,可得到最佳的切割表面品質,如圖16所示。當偏振偏轉角度α為30°或60°時,切割表面的品質則於可接受的範圍內,如圖17所示。然而,當偏振偏轉角度α小於30°或大於60°時,切割表面的品質大幅下滑,如圖18所示之70°實例。當偏振偏轉角度α為90°時,則得到最差的切割表面品質,如圖14所示。
此外,偏振調整單元109可為如圖7所示之已販售模組型式(module form)偏振調整裝置,其可製成光學系統,以用於如圖8及9所示之用途。於此例中,偏振調整單元109包括:一主要反射鏡109a、一輔助反射鏡109b,以及支撐其之支撐柱109c。
主要反射鏡109a係設於鄰近雷射光束源105之雷射光束(B)輸出側的地方,以反射雷射光束源105輸出的雷射光束B,並以偏振偏轉角度α偏轉雷射光束B。於此例中,應於相同於座標平面C(由雷射光束B及線性偏振分量P所形成)之平面上偏轉雷射光束B,以免脫離座標平面C。
輔助反射鏡109b係設於鄰近主要反射鏡109a處,且位於座標平面C上,以於垂直座標平面C之方向上反射雷射光束B(由主要反射鏡109a以預定的偏振偏轉角度反射)。
如圖7至9所示,雷射光束傳送器111係用於將偏振調整單元109輸出之雷射光束B(即,偏振分量自輔助反射鏡109b反射並傾斜之雷射光束B)傳送至聚光頭107。最後,將複數個雷射光束傳送器設於雷射光束源105與聚光頭107之間,亦即,偏振調整單元109與聚光頭107之間。
雷射裁剪步驟(S50)係利用雷射光束B切割置於切割位置之偏光片110。偏光片110係於垂直或平行晶格L排列方向之方向上進行切割,如圖7所示。偏振調整單元109以相對於偏光片110晶格L排列方向之偏振偏轉角度α,偏轉自雷射光束源105輸出且排列於偏光片10平行或垂直方向上之雷射光束B線性偏振分量P,使其傾斜,如圖8及9所示,據此,當於座標平面C(由雷射光束B及線性偏振分量P形成)上以偏振偏轉角度α(如45°)偏轉時,雷射光束源105輸出的雷射光束B會被主要反射鏡109a反射,且反射的雷射光束B線性偏振分量P會以相對於垂直線之偏振偏轉角度α傾斜。最後,主要反射鏡109a係以相對於水平線之偏振偏轉角度α傾斜。
接著,自主要反射鏡109a反射之雷射光束B會被輔助反射鏡109b再次反射,並於座標平面C之垂直方向前進。據此,線性偏振分量P會以相對於垂直線之偏振偏轉角度α傾斜,如圖9所示。
雷射光束B(具有以偏振偏轉角度α傾斜之偏振分量P)會被雷射光束傳送器111(包括一個以上反射鏡)反射,如圖7至9所示,以到達聚光頭107,此外,當雷射光束B由聚光頭107照射至偏光片110時,偏振分量P會以相對於偏光片110切割方向之偏振偏轉角度α傾斜,以相對於偏光片110晶格L排列方向傾斜±α,亦即,晶格L垂直於切割方向排列時,如圖10所示,其會傾斜+α,當晶格L平行於切割方向排列時,如圖11所示,其會傾斜-α。
當雷射裁剪步驟(S50)係由雷射縱切步驟(S52)及雷射切割步驟(S54)構成時,於雷射縱切步驟(S52)中,偏光片110會於晶格L被拉長之縱向上(亦即,平行於晶格L排列方向之方向)被切割;相反的,於雷射切割步驟(S54)中,偏光片110(已於平行晶格L排列方向之方向上被切割)會於垂直晶格L排列方向之方向上被切割。
此外,雖未另外繪製,但於雷射裁剪步驟(S50)中,雷射切割步驟(S54)可早於雷射縱切步驟(S52)進行。於此例中,偏光片110係先於垂直晶格L排列方向之方向上被切割(雷射切割步驟(S54)),而後,偏光片110(已於雷射切割步驟(S54)中被切割)係於平行晶格L排列方向之方向上被切割(雷射縱切步驟(S52))。
已藉由具體實施例說明本發明,應瞭解本發明並不侷限於揭示之實施例等,相反地,其應涵蓋隨附請求項範疇及精神所包含之各種修飾及相等排置態樣。據此,本發明實際的技術保護範圍係決定於隨附請求項之精神。
1,110...偏光片
2...偏光層
3...第一TAC膜
4...第二TAC膜
5...保護膜
6...黏著劑
7...離型膜
60,160...RTS雷射裁剪機
61,161...展開單元
62,162...調控單元
63,163‧‧‧供給單元
64,164‧‧‧標記檢測單元
65,165‧‧‧雷射切割單元
66,169-1‧‧‧傳送帶
67‧‧‧封裝傳送帶
166‧‧‧量測單元
167‧‧‧雷射傳送帶
168‧‧‧傾斜傳送帶
169-2‧‧‧傳送單元
169-3‧‧‧極化板承載單元
103‧‧‧支撐架
105‧‧‧雷射光束源
107‧‧‧聚光頭
109‧‧‧偏振調整單元
109a‧‧‧主要反射鏡
109b‧‧‧輔助反射鏡
109c‧‧‧支撐柱
111‧‧‧雷射光束傳送器
112‧‧‧頂板
113‧‧‧傳送元件
B‧‧‧雷射光束
P‧‧‧線性偏振分量
L‧‧‧晶格
圖1係一般偏光片之示意圖。
圖2係偏光片一般製備流程示意圖。
圖3係相關領域偏光片製備流程圖。
圖4係本發明一具體實施例之偏光片製備流程圖。
圖5係用於本發明一具體實施例偏光片製備方法之RTS雷射裁剪機具體實施例示意圖。
圖6係用於本發明一具體實施例偏光片製備方法之RTS雷射裁剪機另一具體實施例示意圖。
圖7係圖5或6中RTS雷射裁剪機之雷射切割單元具體實施例透視圖。
圖8係圖7中偏振調整單元之细部透視圖。
圖9係圖8中偏振調整單元與雷射光束間之關係细部透視圖。
圖10及11係聚光頭、偏光片及雷射光束線性偏振分量之放大透視圖。
圖12係比較例圖式,其中雷射裁剪步驟中所發射出之雷射光束偏振分量係與晶格排列方向成直角,以切割偏光片。
圖13係圖12所示偏光片切割態樣之切割表面的平面影像圖。
圖14係圖13所示偏光片切割態樣之切割表面的剖面放大影像圖。
圖15係偏光片切割表面的平面影像,根據本發明一具體實施例,該偏光片係使用偏振分量傾斜45°之雷射光束(於雷射裁剪步驟中發射出)進行切割。
圖16係圖15所示偏光片切割態樣之切割表面的剖面放大影像圖。
圖17係偏光片切割表面的平面影像,根據本發明一具體實施例,該偏光片係使用偏振分量傾斜60°之雷射光束(於雷射裁剪步驟中發射出)進行切割。
圖18係偏光片切割表面的平面影像,根據本發明一具體實施例,該偏光片係使用偏振分量傾斜70°之雷射光束(於雷射裁剪步驟中發射出)進行切割。
該圖為一流程圖故無元件代表符號

Claims (9)

  1. 一種偏光片之製造方法,包括:一預處理步驟,以製備、清洗及乾燥一PVA膜、一第一TAC膜、一第二TAC膜、一保護膜及一離型膜;一拉伸步驟,以拉伸該PAV膜,並堆疊該第一TAC膜於該PVA膜之一側,堆疊該第二TAC膜於該PVA膜之另一側;一塗覆及層壓步驟,以塗覆一黏著劑於該第二TAC膜之表面,再堆疊該離型膜於其上,並將該保護膜層壓至該第一TAC膜之表面,以形成偏光片;一檢測步驟,以檢測該偏光片;一雷射裁剪步驟,使用一雷射將檢測過之該偏光片裁剪成各個產品,其中,該雷射裁剪步驟包括一雷射縱切(laser slitting)步驟以及一雷射切割(laser cutting)步驟;以及一封裝步驟,以封裝經該雷射裁剪後之該些產品;其中,該雷射縱切步驟係於平行晶格排列方向之方向上裁剪該偏光片,該雷射切割步驟係於垂直晶格排列方向之方向上切割縱切後之該偏光片;或者該雷射切割步驟係於垂直晶格排列方向之方向上切割該偏光片,該雷射縱切步驟係於平行晶格排列方向之方向上縱切切割後之該偏光片。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之偏光片製造方法,其中,該檢測步驟包括:於該雷射裁剪步驟中待裁剪之部位上作標記;以及於自動檢測偏光片時進行瑕疵標示檢測。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之偏光片製造方法,其中,瑕疵標示檢測係於該雷射切割步驟前進行。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之偏光片製造方法,其中,該雷射切割步驟包括:於切割前立刻即時量測該偏光片之方正度(squareness)及尺寸。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之偏光片製造方法,其中,於該雷射切割步驟後丟棄具有瑕疵標記之切割片。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之偏光片製造方法,其中,該封裝步驟係於一傳送帶之下游側上立即封裝該切割後之偏光片。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之偏光片製造方法,其中,於該雷射裁剪步驟中,當該雷射光束源輸出一雷射光束時,垂直或平行於該偏光片之切割方向的線性偏振分量,藉由該偏振調整單元,以相對於該偏光片晶格排列方向之該偏振偏轉角度傾斜,以裁剪該偏光片。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之偏光片製造方法,其中,該雷射裁剪步驟可包括:一雷射縱切(laser slitting)步驟,其係於平行晶格排列方向之方向上(傳送前進方向)裁剪該偏光片;以及一雷射切割(laser cutting)步驟,其係於垂直該些晶格排列方向之方向上裁剪該雷射縱切(laser slitting)步驟中所裁切之該偏光片,並將該偏光片裁剪成該偏振偏轉角度(α)於±30°至±60°範圍內。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之偏光片製造方法,其中,該雷射裁剪步驟可包括:一雷射切割(laser cutting)步驟,其係於垂直晶格排列方向之方向上裁切該偏光片;一雷射縱切(laser slitting)步驟,其係於平行該些晶格排列方向之方向上裁剪該雷射切割(laser cutting)步驟中所裁切之該偏光片,並將該偏光片裁剪成該偏振偏轉角度(α)於±30°至±60°範圍內。
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