TWI409120B - Method for manufacturing laser cutting sheet and wafer - Google Patents

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Description

雷射切割片及晶片體的製造方法
本發明，係關於以雷射光將工件切割成晶片化時可良好地用於固定工件之雷射切割片，及使用該雷射切割片而可好地進行之晶片體之製造方法。
雷射切割，有可切割刀片切割所難以切斷之工件之情形，故近年特別受到矚目。本案申請人揭示了，用於如此之雷射切割之雷射切割片之一例(專利文獻1)。
在於雷射切割，以雷射掃描固定於切割片上的工件將工件切斷(dicing)。此時，雷射光的焦點，如下移動。即，由沒有黏貼工件之切割片表面(工件的外緣部)加速，將工件表面以一定速度掃描，於工件的另一邊的外緣部減速、停止。之後，將行進方向反轉，加速後，掃描工件表面，再次減速、停止、反轉。
因此，在移動雷射光焦點之加速，減速時，雷射直接照射到沒有黏貼工件之切割片之端部。此時，會發生雷射光穿透切割片，而損及吸盤之問題。再者，亦有接於雷射光所加熱之吸盤之切割片之面熔融，而有熔著於吸盤之問題。
為避免該等問題，採取使用厚的切割片，加長工件與吸盤表面之距離之手法(專利文獻2)。以該手法，藉由使基材為伸展膜與保護膜之2層構造，賺取切割片之厚度。 由於在雷射切割時使用具有厚度之基材，到達吸盤之雷射光並未對準焦點，因此能量密度低，故不至於損及吸盤。又，亦不會發生上述切割片之熔著問題。於雷射切割終了後，於剝離構成基材之保護膜之後，進行伸展及晶片之拾取。但是，於雷射切割終了後，需要剝離基材之構成層之一方，故步驟煩雜。又，在雷射切割時亦有伸展膜被雷射光切斷之情形，有無法進行伸展之情形。
又，於專利文獻3，揭示一種切割片，其係於製膜．硬化丙烯酸氨酯系寡聚物等之硬化性樹脂而得之基材上設黏著劑層而成。但是，於專利文獻3，係意圖用於刀片切割者，並非認知是為如上述之雷射切割所特有的課題。
製膜．硬化丙烯酸氨酯系寡聚物等之硬化性樹脂而得之膜，由於架橋密度高，即使受到雷射光的直接照射，可期待膜所受的損傷相對較輕微。又，由於伸展性良好，亦容易於切割後伸展將晶體間隔分離。因此，作為如上所樹脂雷射切割膜之基材，研究使用如此之膜。
但是，專利文獻3所述的膜，雖伸展性優良但是伸張之膜具有維持伸張而難以恢復之性質。即將如此之膜使用作為切割片之基材時，有如下之問題點之疑慮。
通常，在伸展步驟後，將晶片拾取後，切割片係以張設於環框之狀態，收納到回收卡夾而回收。回收後去除切割片，而環框將經清洗步驟等而再使用。切割片由於伸展而被延伸，故切割片成由環框垂下之狀態。以該狀態，由於下垂的切割片，會與收納於回收卡夾之其他的環框或片 接觸，故無法圓滑地進行對回收卡夾之收納。
如此之結果，使用專利文獻3所述膜之切割片，並未被實現，結果亦未利用作為雷射切割片。
專利文獻1：日本特開2002-343747號公報 專利文獻2：日本特開2006-245487號公報 專利文獻3：日本特開2002-141306號公報
本發明係為解決伴隨上述先前技術之問題者。即，本發明之目的係在提供於雷射切割，以雷射光切斷切割片，防止吸盤的損傷及切割片對吸盤之熔著之雷射切割片及使用其之雷射切割法之晶片體之製造方法。再者，本發明之目的係在於，改善在於雷射切割法期待優良的性質之使用聚丙烯酸氨酯膜之基材之伸展後之形狀復原性。
以解決如此之課題為目的之本發明之要旨如下。
(1)一種雷射切割片，包含：基材，由聚丙烯酸氨酯所構成；及黏著劑層，形成於其單面。
(2)如(1)所述的雷射切割片，其中構成基材之聚丙烯酸氨酯，係對含有能量線硬化性丙烯酸氨酯系寡聚物及能量性硬化性單體之調合物照射能量線而得之硬化物。
(3)如(2)所述的雷射切割片，其中能量線硬化性丙烯酸氨酯系寡聚物，係聚醚型丙烯酸氨酯系寡聚物。
(4)如(3)所述的雷射切割片，其中聚醚型丙烯酸氨酯系寡聚物之醚鍵結部，係亞烷氧基(-(-R-O-)n-；其中R為亞烷基，n為2~200之整數)。
(5)如(4)所述的雷射切割片，其中亞烷氧基(-(-R-O-)n-)之亞烷基R，係碳數1~6之亞烷基。
(6)如(5)所述的雷射切割片，其中亞烷氧基(-(-R-O-)n-)之亞烷基R，係亞乙基、亞丙基或四亞甲基。
(7)如(1)所述的雷射切割片，其中構成基材之聚丙烯酸氨酯，於該聚丙烯酸氨酯100重量%，含有能量線硬化性丙烯酸氨酯系寡聚物單位30~70%，且於能量線硬化性丙烯酸氨酯系寡聚物100重量%，作為構成單位具有亞乙氧基35~95重量%。
(8)如(7)所述的雷射切割片，其中上述基材之50%伸長後的扭曲復原率為80~100%。
(9)一種晶片體之製造方法，其係將工件黏貼於(1)~(6)之任何一項所述的雷射切割片，以雷射光將工件單片化製作晶片。
(10)一種晶片體之製造方法，其係將工件黏貼於(7)或(8)所述的雷射切割片，以雷射光將工件單片化，使切割片伸展使將晶片間隔分離，將晶片拾取。
於本發明，由於作為基材之構成樹脂使用聚丙烯酸氨 酯，故基材即使被雷射光照射，基材所受損傷小而不會被切斷。又，即使基材不受損傷亦可減低穿透基材到達吸盤之光量。結果，於雷射切割，以雷射光切斷切割片，防止吸盤的損傷及切割片對吸盤之熔著，而可圓滑地進行以雷射切割之晶片體之製造步驟。又，藉由於本發明作為基材，使用具有既定比例之亞乙氧基之聚丙烯酸氨酯膜，改善片之伸展後之形狀復原性，可圓滑地進行環框之回收。
以下，更具體說明本發明。關於本發明之切割片，包含：基材；及形成於其上之黏著劑層。
作為基材，使用以聚丙烯酸氨酯作為主構成成分之樹脂膜。聚丙烯酸氨酯膜，以將含有能量線硬化性丙烯酸氨酯系寡聚物及能量線硬化性單體之調合物製膜後，對此照射能量線而得之硬化物為佳。
能量線硬化性丙烯酸氨酯系寡聚物，例如可使具有羥基之(甲基)丙烯酸酯，對聚酯型或聚醚型等的多醇化合物，與多價異氰酸酯化合物反應而得之末端異氰酸酯氨酯預聚合物反應而得。又，能量線硬化性丙烯酸氨酯系寡聚物，亦可使多醇化合物，與具有異氰酸酯基之(甲基)丙烯酸酯反應而得。
多醇化合物，可為亞烷基二醇、聚醚型多醇、聚酯型多醇、聚碳酸酯型多醇之任何，惟藉由使用聚醚型多醇，可得到更良好的效果。又，只要是多醇並無特別限定，可 為2官能之二醇、3官能之三醇，由入手的容易性、廣用性、反應性等的觀點，使用二醇特別佳。因此，可較佳地使用聚醚型二醇。
聚醚型二醇，一般以HO-(-R-O-)n-H表示。在此，R為2價的烴基，以亞烷基為佳，進一步以碳數1~6之亞烷基為佳、以碳數2或3之亞烷基特別佳。又，碳數1~6的亞烷基之中以亞乙基、亞丙基、亞丁基或四亞甲基為佳，以亞乙基或亞丙基特別佳。又，n以2~200為佳，進一步以10~100為佳。因此，特別佳的聚醚型二醇，可舉聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚四亞甲基二醇、進一步特別佳的聚醚型二醇，可舉聚乙二醇、聚丙二醇。
聚醚型二醇，藉由與多價異氰酸酯化合物反應，衍生出醚鍵結部(-(-R-O-)n-)，生成末端液晶酸酯氨酯預聚合物。如此之醚鍵結部，亦可係由環氧乙烷、環氧丙烷、四氫呋喃等的環醚之開環反應所衍生之構造。
多價異氰酸酯化合物，可使用4, 4'-二異氰酸酯二環己基甲烷、二異氰酸異佛爾酮、2, 4-甲苯二異氰酸酯、2, 6-甲苯二異氰酸酯、1, 3-二甲苯二異氰酸酯、1, 4-二甲苯二異氰酸酯、4, 4'-二異氰酸酯二苯基甲烷等，特別是4, 4'-二異氰酸酯二環己基甲烷、二異氰酸異佛爾酮可較佳地使用。
接著，使末端異氰酸酯氨酯預聚合物與含有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應，得到丙烯酸氨酯系寡聚物。含有羥基之(甲基)丙烯酸酯，可使用例如，丙烯酸-2-羥乙酯、甲基丙 烯酸-2-羥乙酯、丙烯酸-2-羥丙酯、甲基丙烯酸-2-羥丙酯、丙烯酸-2-羥丁酯、甲基丙烯酸-2-羥丁酯、丙烯酸聚乙二醇酯、甲基丙烯酸聚乙二醇酯等，特別是使用丙烯酸-2-羥乙酯、甲基丙烯酸-2-羥乙酯。
所得丙烯酸氨酯系寡聚物，以通式：Z-(Y-(X-Y)m)-Z表示(在此，X係由聚醚型二醇所衍生之構成單位，Y係由二異氰酸酯所衍生之構成單位，Z係含有羥基之(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單位)。於上述通式m，選擇以1~200為佳，以1~50更佳。
又，如上所述，使上述多醇化合物與含有異氰酸酯基之(甲基)丙烯酸酯反應，亦可得丙烯酸氨酯系寡聚物。多醇化合物與上述相同，含有異氰酸酯基之(甲基)丙烯酸酯，可使用例如異氰酸-2-丙烯醯氧乙酯或異氰酸-2-甲基丙烯醯氧乙酯等，特別是使用異氰酸-2-甲基丙烯醯氧乙酯。
所得丙烯酸氨酯系寡聚物，以通式：W-X-W表示(在此，X係聚醚型二醇所衍生之構成單位，W係含有異氰酸酯基之(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單位)。
所得丙烯酸氨酯系寡聚物，係於分子內具有光聚合性之雙鍵鍵結，具有藉由能量線的照射而聚合硬化，形成皮膜之性質。
可較佳地用於本發明之丙烯酸氨酯系寡聚物之重量平均分子量為1000~50000，進一步以2000~40000之範圍為佳。上述丙烯酸氨酯系寡聚物可以單獨一種，或組合2種 以上使用。由於僅以上述之丙烯酸氨酯系寡聚物，難以製膜之情形為多，故於本發明，以能量線硬化性單體稀釋製膜之後，將此硬化得到膜。能量線硬化性單體，係於分子內具有能量線聚合性之雙鍵鍵結，特別是在本發明，使用具有相對較大的基團之丙烯酸酯系化合物為佳。
如此使用於稀釋丙烯酸氨酯系寡聚物之能量線硬化性單體之具體例，可舉(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯等脂環化合物、丙烯酸苯基羥丙酯、丙烯酸苄酯、酚環氧乙烷變性丙烯酸酯等芳香族化合物，或(甲基)丙烯酸四氫糠醇酯、丙烯酸嗎啉酯、N-乙烯基吡咯烷酮或N-乙烯基己內酯等雜環化合物。又按照需要亦可使用多官能(甲基)丙烯酸酯。如此之能量線硬化性單體，可單獨，或組合複數使用。
上述能量線硬化性單體，對丙烯酸氨酯系寡聚物100重量部，以5~900重量部為佳，進一步以10~500重量部為佳，以30~200重量部之比例使用特別佳。
構成基材之聚丙烯酸氨酯膜，係將包含丙烯酸氨酯系寡聚物及能量線硬化性單體之調合物製膜、硬化而得。此時，藉由於該調合物混入光聚合起始劑，可減少以能量線照射之聚合硬化時間及減少能量線照射量。如此之光聚合起始劑，可舉安息香化合物、乙醯苯化合物、醯基氧化膦化合物、茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化物化合物等 的光起始劑、胺或醌等的光增感劑等，具體而言，可舉1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-1-苯基丙-1-酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、芐基二苯基硫、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、二芐基、二乙醯、β-氯化蒽醌等。
光聚合起始劑之使用量，對丙烯酸氨酯系寡聚物及能量線硬化性單體之合計100重量部，以0.05~15重量部，進一步以0.1~10重量部，以0.3~5重量部為佳。
又，於上述調合物中，亦可添加，碳酸鈣、二氧化矽、雲母等的無基充填劑；鐵、鉛等的金屬充填劑。再者，於上述成分之外，於基材一可含有顏料或染料等的著色劑等的添加物。
製膜方法，可較佳地採用流延製膜(澆鑄製膜)之方法。具體而言，將液狀的調合物(硬化前之樹脂、樹脂之溶液等)，可以例如於工片上澆鑄成薄膜狀之後，對塗膜照射紫外線、電子線等的能量線使之聚合硬化膜化而製造基材。根據如此之製法，製膜時施加於樹脂之應力少，魚眼的形成少。又，膜厚的均勻性高，厚度精度通常在2%以內。
如上述之聚丙烯酸氨酯所構成之基材，即使照射雷射光，基材所受的損傷小而不會被切斷。又，基材即使不受損傷穿透基材到達吸盤之光量會減低。
如此之聚丙烯酸氨酯膜，具有對雷射光之耐性高，且伸展性優良之優點。但是，聚丙烯酸氨酯膜，有維持伸張而難以恢復原狀之情形。即該膜使用作為切割片之基材 時，在伸展步驟後，將晶片拾取後，切割片鬆弛，而有無法圓滑地進行對回收卡夾之收納之虞。
因此，特別是將本發明的雷射切割片，使用於具有伸展步驟之製程時，將基材以具有形狀復原性之聚丙烯酸氨酯膜構成為佳。
形成具有形狀復原性之基材之較佳的聚丙烯酸氨酯，對聚丙烯酸氨酯100重量%，主成分之丙烯酸氨酯系寡聚物單位具有30~70重量%，最好是40~60重量%的構成比例。
又，聚丙烯酸氨酯，對聚丙烯酸氨酯100重量%，作為構成單位具有乙烯氧基35~95重量%為佳，以65~90重量%特別佳的構成比例。
又，聚丙烯酸氨酯，於聚丙烯酸氨酯100重量%，作為構成單位以10~67重量%為佳，以26~54重量%特別佳的構成比例具有乙烯氧基。
再者，於該劇丙烯酸氨酯及丙烯酸氨酯系寡聚物，亦可含有乙烯氧基以外的烷烯氧基。於較佳的態樣，只要含有既定量的乙烯氧基即可，其他的烷烯氧基的含量並無特別限定。
聚丙烯酸氨酯，只要具有既定量的丙烯酸氨酯系寡聚物單位，且該聚丙烯酸氨酯寡聚物單位具有既定量的烷烯氧基(乙烯氧基)，其構造、組合、製法並無特別限定，可藉由如上之流延製膜得到。
丙烯酸氨酯系寡聚物之烷烯氧基(包含乙烯氧基)之構成比例，係由原料組合算出，例如原料之聚醚型二醇、多 價異氰酸酯化合物、含有羥基之(甲基)丙烯酸酯等之合計重量，與含於聚醚型二醇之烷烯氧基的重量決定。又，聚丙烯酸氨酯中的丙烯酸氨酯系寡聚物之構成比例，係以原料之丙烯酸氨酯系寡聚物、能量線硬化性單體等之合計重量，與丙烯酸氨酯系寡聚物之重量決定。因此，聚丙烯酸氨酯中的烷烯氧基之構成比例，亦可由含於聚醚型二醇之烷烯氧基的重量對反應物全重量算出。又，亦可將所得聚丙烯酸氨酯膜以熱分解氣相層析儀等分析，直接定量。
丙烯酸氨酯系寡聚物與能量線硬化性單體之反應比例，只要是在於目的之聚丙烯酸氨酯組合之丙烯酸氨酯系寡聚物之構成比例即可，又所得聚丙烯酸氨酯中的乙烯氧基之構成比例係成上述範圍之比例即可。一般而言，上述能量線硬化性單體，對丙烯酸氨酯系寡聚物100重量%，以43~233重量%為佳，進一步以60~160重量%之比例使用為佳。
再者，充填劑等之添加物，在於算出丙烯酸氨酯系寡聚物及乙烯氧基之構成比例時並不算入，丙烯酸氨酯系寡聚物及乙烯氧基之構成比例，係根據構成基材之樹脂成分之聚丙烯酸氨酯之重量決定。
具有既定比例之乙烯氧基之聚丙烯酸氨酯膜，即使單層亦具有形狀復原性。先前開發的聚丙烯酸氨酯膜，應力緩和性高，延伸後其形狀並不會復原。對此，具有既定比例之乙烯氧基之聚丙烯酸氨酯膜，即使在延伸後，去除應力後，具有復原至延伸前之形狀之性質
所謂形狀復原性，係指具有某種程度的伸展性，在伸展後復元到接近伸展前之形狀之性質之意思。如此之性質可由下式所得之應力緩和後之扭曲復原率表示。在此'扭曲復原率，以90~100%為佳，進一步以95~100%更佳。
扭曲復原率(%)=(le -lx )/(le -l0 )×100 l0 ：初期長度 le ：伸長50%時之長度 lx ：復原後之長度
又，基材之上面，即於設置黏著劑層之側之面，為提升與黏著劑之密著性，亦可藉由施以電暈處理，或醋酸乙烯酯共聚合物等設底層。又，亦可使用於與黏著劑層相反面具有別的膜或塗膜之層積膜作為基材。關於本發明之雷射切割片，可藉由在如上樹脂基材上設黏著劑層而製造。再者，將黏著劑層以紫外線硬化型黏著劑構成時，基材需要對紫外線透明。在於本發明之雷射切割片，基材之厚度，作為本發明之解決手段並無特別限定，但由作業性等之面，以10~500μm為佳，進一步以30~300μm為佳，以50~200μm特別佳。
黏著劑層，可由先前習知之各種黏著劑形成。如此之黏著劑，並無任何限定者，可使用例如，橡膠系、丙烯酸系、矽膠系、聚乙烯醚等黏著劑。又，亦可使用能量線硬化型、加熱發泡型或水膨潤型之黏著劑。
作為能量線硬化(紫外線硬化、電子線硬化)型黏著劑，使用紫外線硬化型黏著劑特別佳。
黏著劑之厚度，以1~100μm為佳，進一步以3~80μm為佳，以5~50μm特別佳。再者，於黏著劑層，亦可層積於其使用前保護黏著劑層之剝離片。
剝離片，並無特別限定者，可使用例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚乙烯等樹脂所構成之膜或該等之發泡膜，或於玻璃紙、塗層紙、層壓紙等之紙，以矽膠系、氟系、含有長鏈烷基之氨基甲酸酯等剝離劑剝離處理者。
於基材表面設黏著劑層之方法，可將以既定膜厚塗佈於剝離片上之黏著劑層轉印於基材表面，亦可直接於基材表面塗佈形成黏著劑層。
其次，說明關於使用本發明之雷射切割片之晶片體之製造方法。
於本發明之晶片體之製造，將工件黏貼於上述雷射切割片之黏著劑層，以雷射掃描工件表面，將工件切斷而得到晶片體。如此之雷射切割方法本身以習知。於雷射切割，雷射光的焦點，將如下移動。即由沒有黏貼工件之切割片之露出表面(工件的外緣部)加速，將工件表面以一定速度掃描，於工件的另一邊的外緣部減速、停止。之後，將行進方向反轉，加速後，再度掃描工件表面，再次減速、停止、反轉。通常一個切割線，進行1～複數次程度的雷射光掃描。
在移動雷射光焦點之加速．減速時，雷射直接照射到沒有黏貼工件之切割片之端部。此時，雷射光有切斷切割片之情形。又，會產生雷射光穿透切割片，而損及吸盤之 問題。再者，亦有產生接於雷射光所加熱之吸盤之切割片之面熔融，而熔著於吸盤之問題。
但是，在於本發明，藉由作為雷射切割片之基材，使用上述聚丙烯酸氨酯膜，解決上述課題。即，確認到使用本發明之雷射切割片時，即使雷射光直接照射雷射切割片，基材並不容易受到雷射光的損傷。具體而言，只有基材表面之一部分被雷射切到，基材並不會被切斷。又，亦不會有高能量的雷射光穿透基材到達吸盤，亦未確認到雷射切割片之熔著。
雷射切割後，按照需要，將雷射切割片伸展使晶片擴大晶片間隔。藉由擴大晶片間隔，減低晶片因相互接觸之損傷。之後，將晶片拾取取出，得到晶片體。再者，黏著劑層由紫外線硬化型黏著劑形成時，按照需要，於拾取前進行紫外線照射。紫外線硬化型黏著劑，由於藉由紫外線的照射聚合硬化，而降低黏著力，故可圓滑地進行晶片的拾取。
將晶片拾取後，切割片係以張設於環框之狀態，收納到回收卡夾而回收。回收後，去除切割片，而環框將經清洗步驟等而再使用。切割片由於伸展而被延伸，故切割片成由環框垂下之狀態。以該狀態，由於下垂的切割片，會與收納於回收卡夾之其他的環框或片接觸，故無法圓滑地進行對回收卡夾之收納。例如，通常的聚丙烯酸氨酯膜雖然伸展性優良，但是形狀復原性差。
但是，藉由使用具有既定比例之乙烯氧基之聚丙烯酸 氨酯膜作為基材，可簡便地消除切割片之下垂。結果，環框對回收卡夾的收納變的圓滑，提升晶片體的生產效率。
可使用於本發明之工件，只要可藉由雷射光實施切割處理，其素材並無限定，可舉例如半導體晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、FPC等的有機材料基板、或精密零件等之金屬材料等的各種物品。
雷射，係產生波長及位相整齊之光之裝置，已知有YAG(基本波長=1064nm)，或紅寶石(基本波長=694nm)等固體雷射，或氬離子雷射(基本波長1930nm)等的氣體雷射及該等之高頻波等，於本發明可使用該等各種雷射。又，藉由具有既定比例之乙烯氧稽之聚丙烯酸氨酯膜，可改善片之伸展後之形狀復原性，可圓滑地進行環框之回收。
[產業上的可利性]
於本發明，由於作為基材之構成樹脂使用聚丙烯酸氨酯，故基材即使被雷射照射，基材所受損傷小，又可減低穿透基材到達吸盤之光量。結果，於雷射切割，可防止吸盤因雷射光之損傷及切割片對吸盤之熔著，可圓滑地進行以雷射切割之晶片體之製造步驟。
(實施例)
以下，將本發明以實施例說明，惟本發明並非限定於該等實施例者。
再者，於以下實施例及比較例，作為黏著劑使用下述組合物。
[黏著劑組合物] 對以丙烯酸丁酯84重量部、丙烯酸甲酯10重量部、丙烯酸1重量部、丙烯酸2-羥基乙酯5重量部所構成之共聚合物(重量平均分子量700,000)之甲苯30重量%溶液，混合多價異氰酸酯化合物(CORONATE L(日本聚氨酯公司製))3重量部得到黏著劑組合物。
又，將雷射切割條件及切割結果之評估方法表示如下。[雷射切割條件(1)] ．裝置：Nd-YAG雷射 ．吸盤材質：石英 ．波長：355nm(3倍頻) ．輸出：5.5W ．反覆頻率：10KHz ．脈衝寬：35nsec ．照射次數：2次/1線 ．切割速度：200mm/sec ．離焦量：由帶表面上＋50μm(焦點在晶圓表面上) ．晶圓材質：矽 ．晶圓厚度：50μm ．晶圓尺寸：6吋 ．切割晶片尺寸：5mm□ ．雷射掃描晶圓外之距離：5mm
[雷射切割條件(2)] ．裝置：Nd-YAG雷射 ．吸盤材質：石英 ．波長：355nm(3倍頻) ．輸出：8W ．反覆頻率：10KHz ．脈衝寬：35nsec ．照射次數：8次/1線 ．切割速度：150mm/sec ．離焦量：由帶表面上＋100μm(焦點在晶圓表面上) ．晶圓材質：矽 ．晶圓厚度：100μm ．晶圓尺寸：6吋 ．切割晶片尺寸：5mm□ ．雷射掃描晶圓外之距離：5mm
[雷射切割條件(3)] ．裝置：Nd-YAG雷射 ．吸盤材質：石英 ．波長：355nm(3倍頻) ．輸出：5.5W ．反覆頻率：10KHz ．脈衝寬：35nsec ．照射次數：8次/1線 ．切割速度：200mm/sec ．離焦量：由帶表面上＋100μm(焦點在晶圓表面上) ．晶圓材質：矽 ．晶圓厚度：100μm ．晶圓尺寸：6吋 ．切割晶片尺寸：5mm□ ．雷射掃描晶圓外之距離：5mm
[切入深度評估] 於雷射切割終了後觀察切割線之剖面，計測由包含黏著劑層之切入深度(觀察部位係沒有黏貼晶圓，被雷射直射之部分)。片完全被切斷者標記為「切斷」。
[吸盤之損傷] 於雷射切割終了後以目視觀察盤表面，確認有無損傷。將沒有損傷者為「無」，有損傷者為「有」。
[對吸盤之熔著] 於雷射切割後，以內建於雷射切割裝置之搬運機構由切割吸盤取出具有雷射切割片之晶圓時，於搬運沒有問題者為「無」熔著，雷射切割片熱熔著而難以順利搬運者為「有」熔著。
[扭曲復原率] 以如下條件進行基材之拉張試驗由所得值求扭曲復原率。
扭曲復原率(%)=(le -lx )/(le -l0 )×100 l0 ：初期長度 le ：伸長50%時之長度 lx ：復原後之長度
具體而言，將在於實施例．比較例之基材以長度140mm×寬15mm(厚度係用於實施例之厚度)切割，於23℃濕度65% 的環境下，使測定間隔成100mm(l0 )地把持基材之兩端固定於拉張試驗機，以200mm/min之速度伸長到測定間隔成150mm(le )，保持1分鐘。之後，由拉張試驗機取下，靜置5分鐘後測定基材之長度(lx )。
[延展性] 將沒有黏貼晶圓之切割片，於23℃濕度65%的環境下以NEC機械公司製DIEBONDER CSP-100VX拉垂量5mm試著延展。將可延展者為「良好」，由於基材膜強韌而裝置停止或由雷射切割片由環框脫落者為「不良」。
[復原性] 以延展狀態保持1分鐘，由裝置取下後，投入70℃之乾燥機1分鐘。恢復至室溫後，計測如圖1所示，以環框的下面所定義之平面，與切割片之最大距離(以下「下垂量」)。下垂量5mm以下者為「良好」，超過5mm者為「不良」。
(實施例1)
將丙烯酸-2-羥基乙酯(2HEA)、4, 4'-二異氰酸酯二環己基甲烷(H12 MDI)、及下式所表示之聚醚多醇(polyol：分子量826)，以2HEA:H12 MDI:polyol=2:4:3莫耳準備。首先使H12 MDI與聚醚多醇反應，對所得反應生成物，加成2HEA得到丙烯酸氨酯系寡聚物。
[化1]
接著，將丙烯酸氨酯系寡聚物50重量部、能量線硬化性單體(丙烯酸異冰片酯)50重量部、光起始劑(Ciba Speciality Chemicals公司至IRGACURE 184)3重量部，得到塗膜形成用塗層液。
將上述塗層液以噴嘴方式，於進行矽膠剝離處理之聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(LINTEC公司製SP-PET3801)上使厚度成100μm地塗佈形成樹脂組合物層。於塗佈之後，於樹脂組合物層上，層壓同樣進行矽膠剝離處理之PET膜，之後使用高壓水銀燈，以照度250mW/cm2 、光量600mJ/cm2 之條件進行能量線(紫外線)照射，使樹脂組合物層架橋．硬化，得到厚度100μm之基材膜。
層積於兩面之剝離膜，於轉印後數之黏著劑層之前剝離。
另外，將黏著劑組合物(1)，於進行矽膠剝離處理之聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(LINTEC公司製SP-PET3801)上使乾燥膜厚成10μm地塗佈乾燥(100℃，1分鐘)。
於剝離了剝離膜之基材膜上，轉印上述黏著劑層，得到雷射切割片。
將黏著劑層上的PET膜(LINTEC公司製SP-PET3801)剝離，黏貼50μm厚之矽晶圓，以[雷射切割條件(1)]之條件進行雷射切割。結果示於表1。
(實施例2)
將丙烯酸-2-羥基乙酯(2HEA)、二異氰酸原冰片酯(IPDI)、及聚四亞甲基二醇(PTMG：重量平均分子量2,000)，以2HEA:IPDI:PTMG=2:5:4莫耳準備。首先使IPDI與PTMG反應，對所得反應生成物，加成2HEA得到丙烯酸氨酯系寡聚物。
接著，將丙烯酸氨酯系寡聚物50重量部、能量線硬化性單體(丙烯酸異冰片酯)50重量部、光起始劑(Ciba Speciality Chemicals公司至DAROCURE 1173)0.5重量部，得到塗膜形成用塗層液。
以下，使用所得塗層液，以與實施例1同樣地製造基材膜，又同樣地設黏著劑層得到雷射切割片。結果示於表1。
(實施例3)
將丙烯酸-2-羥基乙酯(2HEA)、二異氰酸原冰片酯(IPDI)、及聚丙二醇(PPG：重量平均分子量2,000)，以2HEA:IPDI:PPG=2:5:4莫耳準備。首先使IPDI與PPG反應，對所得反應生成物，加成2HEA得到丙烯酸氨酯系寡聚物。
接著，將丙烯酸氨酯系寡聚物50重量部、能量線硬化性單體(丙烯酸異冰片酯)50重量部、光起始劑(Ciba Speciality Chemicals公司至DAROCURE 1173)0.5重量部，得到塗膜形成用塗層液。
以下，使用所得塗層液，以與實施例1同樣地製造基材膜，又同樣地設黏著劑層得到雷射切割片。結果示於表 1。
(實施例4)
以[雷射切割條件(2)]之條件進行雷射切割以外，進行與實施例3同樣的操作。結果示於表1。
(實施例5)
將異氰酸-2-甲基丙烯醯氧乙酯(MOI)、聚丙二醇(PPG：重量平均分子量2,000)，以MOI:PPG=2:1莫耳準備。藉由對PPG加成MOI得到丙烯酸氨酯系寡聚物。
接著，將丙烯酸氨酯系寡聚物50重量部、能量線硬化性單體(丙烯酸異冰片酯)50重量部、光起始劑(Ciba Speciality Chemicals公司至DAROCURE 1173)0.5重量部，得到塗膜形成用塗層液。
以下，使用所得塗層液，以與實施例1同樣地製造基材膜，又同樣地設黏著劑層得到雷射切割片。結果示於表1。
(比較例1)
作為基材膜，使用厚度100μm之聚氯乙烯膜(含有作為可塑劑之鄰苯二甲酸二辛酯25重量%)以外，進行與實施例1同樣的操作。結果示於表1。
(比較例2)
作為基材膜，使用厚度100μm之乙烯-甲基丙烯酸共聚合物膜(甲基丙烯酸共聚合比例9重量%)以外，進行與實施例1同樣的操作。結果示於表1。
(比較例3)
以[雷射切割條件(2)]之條件進行雷射切割以外，進行與實施例3同樣的操作。結果示於表1。
實施例1~5之雷射切割片，並不會被切斷，亦未能看到吸盤的損傷及對吸盤之熔著。比較例1及3之切割片被切斷，看到吸盤的損傷及對吸盤之熔著。比較例2支雷射切割片，並未被切斷，但可看到因穿透切割片之雷射光之吸盤之損傷及對吸盤之熔著。
(實施例6)
將丙烯酸-2-羥基乙酯(2HEA)、二異氰酸原冰片酯(IPDI)、及聚乙二醇(PEG：重量平均分子量2,000)，以2HEA:IPDI:PEG=2:7:6莫耳準備。首先使IPDI與PEG反應，對所得反應生成物，加成2HEA得到丙烯酸氨酯系寡聚物。
接著，將丙烯酸氨酯系寡聚物50重量部、能量線硬化性單體(丙烯酸異冰片酯)50重量部、光起始劑(Ciba Speciality Chemicals公司至DAROCURE 1173)0.5重量部，得到塗膜形成用塗層液。
將上述塗層液以噴嘴方式，於進行矽膠剝離處理之聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(LINTEC公司製SP-PET3801) 上使厚度成100μm地塗佈形成樹脂組合物層。於塗佈之後，於樹脂組合物層上，層壓同樣進行矽膠剝離處理之PET膜，之後使用高壓水銀燈，以照度250mW/cm2 、光量600mJ/cm2 之條件進行能量線(紫外線)照射，使樹脂組合物層架橋．硬化，得到厚度100μm之基材膜。將在於所得聚丙烯酸氨酯之丙烯酸氨酯系寡聚物之構成比例；在於丙烯酸氨酯系寡聚物之烷烯氧基(乙烯氧基)之構成比例；在於聚丙烯酸氨酯之烷烯氧基(乙烯氧基)之構成比例；及扭曲復原率示於表2。
層積於兩面之剝離膜，於轉印後數之黏著劑層之前剝離。
另外，將上述黏著劑組合物，於進行矽膠剝離處理之PET膜(LINTEC公司製SP-PET3801)上使乾燥膜厚成10μm地塗佈乾燥(100℃，1分鐘)，於PET膜上形成黏著劑層。
於剝離了剝離膜之聚丙烯酸氨酯膜之單面，層積PET膜上的黏著劑層，得到具有PET膜/黏著劑層/聚丙烯酸氨酯膜之層構造之切割片。
將黏著劑層上的PET膜(LINTEC公司製SP-PET3801)剝離，黏貼100μm厚之矽晶圓，以[雷射切割條件(31)]之條件進行雷射切割。結果示於表3。
(實施例7)
將丙烯酸-2-羥基乙酯(2HEA)、二異氰酸六氫對甲苯酯(H6XDI)、及聚乙二醇(PEG：重量平均分子量1,000)，以2HEA:IPDI:PEG=2:5:4莫耳準備。首先使H6XDI與PEG反 應，對所得反應生成物，加成2HEA得到丙烯酸氨酯系寡聚物。
使用上述丙烯酸氨酯系寡聚物，將丙烯酸氨酯系寡聚物60重量部、能量線硬化性單體(丙烯酸異冰片酯)40重量部、光起始劑0.5重量部混合者作為膜形成用塗層液調製聚丙烯酸氨酯膜以外，進行與實施例6同樣的操作製作聚丙烯酸氨酯膜，得到使用此之切割片。再者，將在於所得聚丙烯酸氨酯之丙烯酸氨酯系寡聚物之構成比例；在於丙烯酸氨酯系寡聚物之烷烯氧基(乙烯氧基)之構成比例；在於聚丙烯酸氨酯之烷烯氧基(乙烯氧基)之構成比例；及扭曲復原率示於表2。使用與實施例6同樣的條件進行，結果示於表3。
(實施例8)
將丙烯酸-2-羥基乙酯(2HEA)、二異氰酸酯二環己基甲烷(H12MDI)、及聚乙二醇(PEG：重量平均分子量4,000)，以2HEA:H12MDI:PEG=2:3:2莫耳準備。首先使H12MDI與PEG反應，對所得反應生成物，加成2HEA得到丙烯酸氨酯系寡聚物。
使用上述丙烯酸氨酯系寡聚物，將丙烯酸氨酯系寡聚物40重量部、能量線硬化性單體(丙烯酸異冰片酯)60重量部、光起始劑0.5重量部混合者作為膜形成用塗層液調製聚丙烯酸氨酯膜以外，進行與實施例6同樣的操作製作聚丙烯酸氨酯膜，得到使用此之切割片。再者，將在於所得聚丙烯酸氨酯之丙烯酸氨酯系寡聚物之構成比例；在於 丙烯酸氨酯系寡聚物之烷烯氧基(乙烯氧基)之構成比例；在於聚丙烯酸氨酯之烷烯氧基(乙烯氧基)之構成比例；及扭曲復原率示於表2。使用與實施例6同樣的條件進行，結果示於表3。
(實施例9)
將丙烯酸-2-羥基乙酯(2HEA)、二異氰酸原冰片酯(IPDI)、及聚乙二醇(PEG：重量平均分子量2,000)，以2HEA:IPDI:PEG=2:5:4莫耳準備。首先使IPDI與PPG反應，對所得反應生成物，加成2HEA得到丙烯酸氨酯系寡聚物。
使用上述丙烯酸氨酯系寡聚物，調製聚丙烯酸氨酯膜以外，進行與實施例6同樣的操作製作聚丙烯酸氨酯膜，得到使用此之切割片。再者，將在於所得聚丙烯酸氨酯之丙烯酸氨酯系寡聚物之構成比例；在於丙烯酸氨酯系寡聚物之烷烯氧基(乙烯氧基)之構成比例；在於聚丙烯酸氨酯之烷烯氧基(乙烯氧基)之構成比例；及扭曲復原率示於表2。使用與實施例6同樣的條件進行，結果示於表3。
(實施例10)
將丙烯酸-2-羥基乙酯(2HEA)、二異氰酸六氫對甲苯酯(H6XDI)、聚乙二醇(PEG：重量平均分子量2,000)及聚丙二醇(PPG：重量平均分子量2,000)，以2HEA:H6XDI:PEG:PPG=2:6:1:4莫耳準備。首先使H6XDI、PEG及PPG反應，對所得反應生成物，加成2HEA得到丙烯酸氨酯系寡聚物。
使用上述丙烯酸氨酯系寡聚物，調製聚丙烯酸氨酯膜 以外，進行與實施例6同樣的操作製作聚丙烯酸氨酯膜，得到使用此之切割片。再者，將在於所得聚丙烯酸氨酯之丙烯酸氨酯系寡聚物之構成比例；在於丙烯酸氨酯系寡聚物之烷烯氧基(乙烯氧基)之構成比例；在於聚丙烯酸氨酯之烷烯氧基(乙烯氧基)之構成比例；及扭曲復原率示於表2。使用與實施例6同樣的條件進行，結果示於表3。
(比較例4)
取代聚丙烯酸氨酯膜，使用應力去除後的扭曲復原率為95%的厚度80μm之聚乙烯膜以外，進行與實施例6同樣的操作，得到使用此之切割片。使用與實施例6同樣的條件進行，結果示於表3。
實施例6~10之切割片，並不會被切斷，亦未能看到吸盤之損傷及對吸盤之熔著。又，伸展性及復原性亦良好。但是，於實施例9及10復原性並不充分。比較例4之切割片，可看到吸盤的損傷及對吸盤之熔著。
圖1係說明在於實施例所評估之「下垂量」之圖面。

Claims (8)

  1. 一種雷射切割片，包含：基材，由聚丙烯酸氨酯所構成；及黏著劑層，形成於其單面，其中構成基材之聚丙烯酸氨酯，係對含有能量線硬化性丙烯酸氨酯系寡聚物及能量性硬化性單體之調合物照射能量線而得之硬化物，該能量線硬化性丙烯酸氨酯系寡聚物，係聚醚型丙烯酸氨酯系寡聚物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的雷射切割片，其中聚醚型丙烯酸氨酯系寡聚物之醚鍵結部，係亞烷氧基(-(-R-O-)n-；其中R為亞烷基，n為2~200之整數)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的雷射切割片，其中亞烷氧基(-(-R-O-)n-)之亞烷基R，係碳數1~6之亞烷基。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的雷射切割片，其中亞烷氧基(-(-R-O-)n-)之亞烷基R，係亞乙基、亞丙基或四亞甲基。
  5. 一種雷射切割片，包含：基材，由聚丙烯酸氨酯所構成；及黏著劑層，形成於其單面，其中構成基材之聚丙烯酸氨酯，於該聚丙烯酸氨酯100重量%，含有能量線硬化性丙烯酸氨酯系寡聚物單位30~70%，且於能量線硬化性丙烯酸氨酯系寡聚物100重量%，作為構成單位具有亞乙氧基35~95重量%。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的雷射切割片，其中上述基材之50%伸長後的扭曲復原率為80~100%。
  7. 一種晶片體之製造方法，將工件黏貼於如申請專利範圍第1至4項中任一項所述的雷射切割片，以雷射光將工件單片化製作晶片。
  8. 一種晶片體之製造方法，將工件黏貼於如申請專利範圍第5或6項所述的雷射切割片，以雷射光將工件單片化，使切割片伸展使將晶片間隔分離，將晶片拾取。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5227676B2 (ja) * 2008-06-20 2013-07-03 株式会社イノアックコーポレーション 防水性シール材及びその製造方法
JP6058534B2 (ja) * 2011-05-17 2017-01-11 リンテック株式会社 フィルムおよび粘着シート
DE202012102188U1 (de) * 2012-06-14 2013-09-26 Polifilm Protection Gmbh Partikelhaltige Klebefolie zum temporären Schutz einer Werkstückoberfläche, insbesondere bei Laserbearbeitung, und Verbund mit einer derartigen Folie
KR101508686B1 (ko) * 2013-05-14 2015-04-08 세계화학공업(주) 실리콘 필름층이 형성된 내열 레이저 가공용 표면 보호용 점착테이프
US9810838B2 (en) * 2013-09-12 2017-11-07 Corning Incorporated Fiber coatings with low young's modulus and high tear strength
NL2020470B1 (en) * 2018-01-22 2019-07-29 Corning Inc Synthesis of oligomer for optical fiber coating
US11028214B2 (en) * 2018-01-22 2021-06-08 Corning Incorporated Synthesis of oligomer for optical fiber coating
KR102268270B1 (ko) 2018-01-23 2021-06-23 주식회사 엘지화학 접착제 조성물

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6139953A (en) * 1996-03-15 2000-10-31 Lintec Corporation Adhesive tape, base material for adhesive tape and their manufacturing methods
TW440917B (en) * 1997-04-11 2001-06-16 Lintec Corp Base material and adhesive tape using the same
JP2001207140A (ja) * 2000-01-26 2001-07-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2002141306A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Lintec Corp ダイシングシート
US20050269717A1 (en) * 2004-06-02 2005-12-08 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for use in semiconductor working and method for producing semiconductor chip
JP2006192474A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Nitto Denko Corp レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用粘着シート

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3739570B2 (ja) * 1998-06-02 2006-01-25 リンテック株式会社 粘着シートおよびその利用方法
DE69914418T2 (de) * 1998-08-10 2004-12-02 Lintec Corp. Dicing tape und Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe
CN1137028C (zh) * 1998-11-20 2004-02-04 琳得科株式会社 压敏粘合片及其使用方法
JP4886937B2 (ja) 2001-05-17 2012-02-29 リンテック株式会社 ダイシングシート及びダイシング方法
JP2006093368A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ固定用粘着テープおよびダイシング方法
JP4476848B2 (ja) 2005-03-07 2010-06-09 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよびレーザーダイシング方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6139953A (en) * 1996-03-15 2000-10-31 Lintec Corporation Adhesive tape, base material for adhesive tape and their manufacturing methods
TW440917B (en) * 1997-04-11 2001-06-16 Lintec Corp Base material and adhesive tape using the same
JP2001207140A (ja) * 2000-01-26 2001-07-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2002141306A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Lintec Corp ダイシングシート
US20050269717A1 (en) * 2004-06-02 2005-12-08 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for use in semiconductor working and method for producing semiconductor chip
JP2006192474A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Nitto Denko Corp レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用粘着シート

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