TWI405634B - 具有雷射光束分析器的鐳射加工裝置 - Google Patents

具有雷射光束分析器的鐳射加工裝置 Download PDF

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Description

具有雷射光束分析器的鐳射加工裝置
本發明係有關於鐳射加工裝置，特別是在熱處理工序或在實際發生鐳射化學氣相沉積的電路板附近，對雷射光束長度相關的光束分佈進行檢測後反饋，確保熱處理或沉積的均勻度，提高產品質量的鐳射加工裝置。
鐳射熱處理或鐳射化學氣相沉積是向電路板照射鐳射進行的。這裏要向電路板的整個面上以均勻強度照射鐳射才能得到質量好的產品。為此設置用於檢測鐳射強度的強度檢測感測器。
圖1是現有鐳射加工裝置說明示意圖。這裏，強度檢測感測器30設置在腔體10外部。如圖1所示，在工序腔體10內部，設有支撐台40，電路板41放置在支撐台40上方。在電路板支撐台40旁邊設有鏡子50。鐳射照射裝置20照射到電路板41的鐳射21強度，通過如下方式進行檢測。即，把電路板支撐台40移動到旁邊，讓鐳射照射在鏡子50後，把鏡子50反射的鐳射22用腔體10外部的強度檢測感測器30進行測定。
圖2是現有技術的其他鐳射加工裝置示意圖。這裏，強度檢測感測器30設置在腔體10內部。如圖2所示，與在電路板支撐台40旁邊設置鏡子50的圖1不同，圖2中，在電路板支撐台40的側面、直接設置強度檢測感測器30。從而照射裝置20照射到電路板41的鐳射21強度可以通過把電路板支撐台40移動到旁邊、讓鐳射直接照射強度檢測感測器30，直接進行檢測。
另外，如圖3所示，用於鐳射熱處理的鐳射21通過特殊設計的光學裝置，具有線狀輪廓。雖然如圖2、圖3的結構可以檢測雷射光束的強度變化，但無法檢測雷射光束長度(L)方向上的光束分佈。即，無法判斷用a，b，c顯示的部位是否被具有所需分佈的雷射光束照射。
本發明的目的在於：提供一種鐳射加工裝置，檢測線狀雷射光束長度方向上的光束分佈後反饋檢測結果，確保熱處理的均勻性。
為了解決上述課題，本發明提供一種鐳射加工裝置，其特徵在於：包括把長度與電路板對齊的線狀鐳射照射到上述電路板的鐳射照射裝置；放置上述電路板，可按上述鐳射的長度方向水平移動的電路板支撐台；與上述鐳射線條相向地設置在上述電路板支撐台邊緣部位，上述電路板支撐台水平移動時、與之一起移動，對上述鐳射的長度方向上的強度分佈的光束分析器。
上述電路板支撐台可按與上述鐳射長度方向垂直的方向移動為宜。
還可以設置接收上述光束分析器所測光束分佈資料的調整控制裝置；上述調整控制裝置如果判斷為所測光束分佈不符合要求，則向上述鐳射照射裝置發送反饋信號，讓上述鐳射照射裝置照射具有符合要求的光束分佈的線狀鐳射。
還具有讓上述光束分析器按上下方向移動，可使之向上述電路板支撐台下方下降的上下移動裝置；在上述電路板支撐臺上，設有上述光束分析器向下移動後、遮擋上述光束分析器上方的遮板為宜。
上述上下移動裝置以讓上述光束分析器只上升到上述電路板高度為止的方式，控制上述光束分析器的上升運動為宜。
也可以在上述光束分析器的附近，設置可檢測雷射光束強度的強度感測器。
本發明通過對線狀照射的鐳射按長度方向檢測光束分佈，可以提高鐳射長度方向上的熱處理均勻程度，而且可以對光束分佈直接進行檢測，可以更準確地檢測雷射光束分佈狀況。
下面，參照附圖，對本發明的最佳實施例進行詳細說明。下面的實施例只是為了說明本發明而提出的例，對於具有本領域通常知識的人來說，可以在本發明技術思想範圍內進行很多變形。因此本發明的權利範圍不受限於這些實施例。
圖4是本發明的鐳射加工裝置示意圖。如圖4所示，與現有結構不同，放置電路板41的電路板支撐台40可以按線狀鐳射21的長度(L)方向移動。對鐳射21按長度(L)方向檢測光束分佈的光束分析器130，朝著鐳射21線、設置在電路板支撐台40的邊緣部位，當電路板支撐台40按鐳射21的長度(L)方向水平移動時、與之一起移動，對鐳射21長度方向上的光束分佈進行檢測。
對電路板41進行熱處理加工之前，讓電路板支撐台40按符號62所示的與鐳射21長度(L)方向垂直的方向移動，讓鐳射21照射在位於電路板支撐台40邊緣部位的光束分析器130上。然後，讓電路板支撐台40，按圖5(側面圖)及圖6(平面圖)符號61所示的鐳射21長度方向 移動，獲取鐳射21長度L方向上的光束分佈資料。
這時，光束分佈資料被傳向調整(align)控制裝置70。如果光束分佈不符合要求，則調整控制裝置70向鐳射照射裝置20傳送反饋信號，讓鐳射照射裝置20輸出符合長度(L)方向上的分佈要求的鐳射光束。上述調整控制裝置70在本發明中不是必需的，但加裝該裝置時，可以一邊即時確認光束分佈變化狀態，一邊調整光束分佈，可以迅速得到符合要求的光束分佈。
檢測光束分佈後，確認到鐳射21長度(L)方向上的光束分佈符合要求時，開始進行熱處理工序。
進行鐳射熱處理工序時，有可能產生熱處理副產物(比如氣體或微小顆粒)，因此如果在鐳射熱處理工序過程中光束分析器130露在熱處理環境，則以後不能正常工作。因此如圖7所示，光束分析器130以可通過上下移動裝置80貫穿電路板支撐台40上下移動的方式設置。在電路板支撐台40上，還設有光束分析器130下降後堵住貫穿口的遮板42。
這裏，為了更加準確地檢測照射在所需加工的電路板41上的雷射光束分佈狀態，光束分析器130上升到與電路板41高度相同的高度為宜。
與上述光束分析器一起，在光束分析器130附近，還可以追加設置可檢測雷射光束強度的強度感測器(圖略)。
綜上所述，本發明通過對線狀照射的鐳射21檢測其長度(L)方向上的光束分佈，可以提高鐳射21長度(L)方 向上的熱處理均勻程度，而且在與電路板41高度相同的高度、直接檢測光束分佈、可以得到更準確的雷射光束分佈。圖1的現有技術中，由於採用反射間接檢測方式，有可能需要進行各種補償。
10‧‧‧腔體
21‧‧‧照射鐳射
22‧‧‧反射鐳射
30‧‧‧強度感測器
40‧‧‧電路板支撐台
41‧‧‧電路板
42‧‧‧遮板
50‧‧‧鏡子
70‧‧‧調整控制裝置
80‧‧‧上下移動裝置
130‧‧‧光束分析器
圖1是現有鐳射加工裝置示意圖；圖2是其他現有鐳射裝置示意圖；圖3是鐳射形狀示意圖；圖4是本發明的鐳射加工裝置示意圖；圖5及圖6是用於說明光束分佈檢測過程的示意圖；及圖7是用於說明光束分析器上下移動的示意圖。
20．．．鐳射照射裝置
21．．．照射鐳射
40．．．電路板支撐台
41．．．電路板
70．．．調整控制裝置
130．．．光束分析器

Claims (5)

  1. 一種鐳射加工裝置，其特徵在於：包括把長度與電路板對齊的線狀鐳射照射到上述電路板的鐳射照射裝置；放置上述電路板，可按上述鐳射的長度方向水平移動的電路板支撐台；與上述鐳射線條相向地設置在上述電路板支撐台邊緣部位，上述電路板支撐台水平移動時、與之一起移動，對上述鐳射的長度方向上的光束分佈的光束分析器；讓上述光束分析器按上下方向移動，可使之向上述電路板支撐台下方下降的上下移動裝置；在上述電路板支撐臺上，設有上述光束分析器向下移動後、遮擋上述光束分析器上方的遮板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的鐳射加工裝置，其中，上述電路板支撐台可按與上述鐳射長度方向垂直的方向移動。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的鐳射加工裝置，其中，還設有接收上述光束分析器所測光束分佈資料的調整控制裝置；上述調整控制裝置如果判斷為所測光束分佈不符合要求，則向上述鐳射照射裝置發送反饋信號，讓上述鐳射照射裝置照射具有符合要求的光束分佈的線狀鐳射。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的鐳射加工裝置，其中，上述上下移動裝置以讓上述光束分析器只上升到上述電路板高度為止的方式，控制上述光束分析器的上升運動。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的鐳射加工裝置，其中，在上述光束分析器的附近，還設有可檢測雷射光束強 度的強度感測器。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102044864B1 (ko) 2012-12-13 2019-12-06 삼성디스플레이 주식회사 레이저 패터닝 검사장치
KR101591490B1 (ko) 2013-12-27 2016-02-03 에이피시스템 주식회사 레이저 보정 방법 및 장치
KR101562331B1 (ko) * 2014-02-05 2015-10-22 에이피시스템 주식회사 레이저 처리 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63278693A (ja) * 1987-05-06 1988-11-16 Nec Corp レ−ザトリミング装置
JPH05115992A (ja) * 1991-05-16 1993-05-14 Nikon Corp レーザ加工装置
TW200541390A (en) * 2004-04-22 2005-12-16 Hewlett Packard Development Co A method for patterning an organic light emitting diode device
TW200719552A (en) * 2005-11-11 2007-05-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Laser device and laser system using the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002176008A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Mitsubishi Electric Corp 照射レーザビームの測定方法とその測定装置
JPWO2004017392A1 (ja) * 2002-08-13 2005-12-08 株式会社東芝 レーザ照射方法
TW200414280A (en) * 2002-09-25 2004-08-01 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Semiconductor device, annealing method, annealing apparatus and display apparatus
CN1978120B (zh) * 2005-12-03 2010-12-08 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 激光加工系统
KR101000466B1 (ko) * 2008-04-02 2010-12-14 에이피시스템 주식회사 레이저 가공장치 및 가공방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63278693A (ja) * 1987-05-06 1988-11-16 Nec Corp レ−ザトリミング装置
JPH05115992A (ja) * 1991-05-16 1993-05-14 Nikon Corp レーザ加工装置
TW200541390A (en) * 2004-04-22 2005-12-16 Hewlett Packard Development Co A method for patterning an organic light emitting diode device
TW200719552A (en) * 2005-11-11 2007-05-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Laser device and laser system using the same

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