TWI400784B - 半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI400784B
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Hiroyasu Jobetto
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Teramikros Inc
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Description

半導體裝置及其製造方法
本發明係關於半導體裝置及其製造方法。
為了增大半導體裝置之組裝密度，採用將被稱為CSP(chip size package)之半導體構成體設於平面尺寸比該半導體構成體的平面尺寸還大的底板上之方法。在日本專利公開2004-71998號公報中揭示有此種半導體裝置之構造及其製造方法。在此先前文獻所揭示之半導體裝置中，在半導體構成體之周圍的底板上設有絕緣層。在半導體構成體及絕緣層上設有上層絕緣膜。在上層絕緣膜上設有上層配線，且設置成被連接於半導體構成體之外部連接用電極(柱狀電極)。
然而，在上述習知半導體裝置之製造方法中，為了將形成於上層絕緣膜上之上層配線連接於半導體構成體的柱狀電極，需要在與半導體構成體之柱狀電極的上面中央部對應的部分之上層絕緣膜形成開口部。在此情況時，習知乃係採用照射雷射光束之雷射加工，而於上層絕緣膜形成開口部。
另一方面，當雷射光束之光束徑為現況中屬最小之50μm時，則形成於上層絕緣膜之開口部的直徑成為70μm。在此情況時，若考慮到雷射加工精度時，半導體構成體之柱狀電極的直徑需要為100~120μm。由此可見，半導體構成體之微細化具有限度，而有無法對應於柱狀電極之根數增加的問題。
在此，本發明之目的在於提供一種可更進一步地達成微細化之半導體裝置及其製造方法。
根據本發明，提供一種半導體裝置，其包含有：半導體構成體(6)，具有半導體基板(8)及設於該半導體基板(8)上之外部連接用電極(14a)；配線(3)，具有連接墊部(2a)，其形成有與該半導體構成體(6)之該外部連接用電極(14a)對應而形成之第1開口部(5a)；絕緣膜(7或1)，其設於該外部連接用電極(14a)與連接墊部(2a)之間，且具有連通於該第1開口部(5a)而抵達該外部連接用電極(14a)之第2開口部(17)；連接導體(21)，其透過該第1開口部(5a)及該第2開口部(17)而電性連接外部連接用電極(14a)及該配線(3)；及金屬遮罩層(4)，其形成於該連接導體(21)與該配線(3)之間。
根據本發明，提供一種半導體裝置的製造方法，其包含有：半導體構成體(6)準備步驟，該半導體構成體(6)具有半導體基板(8)及設於該半導體基板(8)下面之外部連接用電極(14a)；形成配線(14)及絕緣膜(1)之配線形成步驟，該配線(14)係設於該絕緣膜(1)的下面，具有金屬層(3)及金屬遮罩層(4)(注：在金屬遮罩層(4)亦形成有第1開口部)，該金屬層 (3)及金屬遮罩層(4)具有連接墊部(2a)，其形成有與半導體構成體(6)之外部連接用電極(14a)對應的第1開口部(5a)，該絕緣膜(1)係設於該半導體構成體(6)的下面，且具有比該半導體構成體(6)之平面尺寸還大的平面尺寸；導通用開口部形成步驟，藉由將該金屬遮罩層(4)作為遮罩而照射雷射光束，於對應於該半導體構成體(6)之外部連接用電極(14a)的部分之該絕緣膜(1)形成第2開口部(17)；及連接導體(21)形成步驟，其形成透過該絕緣膜(1)之該第2開口部(17)來連接該配線(3)及該半導體構成體(6)之外部連接用電極(14a)的連接導體(21)。
根據本發明，在配線之連接墊部下面形成具有開口部的金屬遮罩層，並在與該金屬遮罩層之開口部對應的絕緣膜上形成連接開口部配線與外部連接用電極用的導通用開口部，所以，可將外部連接用電極更進一步地微細化。
 (第1實施形態)
第1圖為顯示本發明之第1實施形態的半導體裝置之剖視圖。此半導體裝置具備由環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、玻璃布基材環氧樹脂等所構成的平面方形的下層絕緣膜1。在下層絕緣膜1之下面側埋設有下層配線(積層配線)2。下層配線2成為在由銅所構成之上部金屬層3的兩端部下面設置由鎳所構成之襯底金屬層4的構造。下層配線2之二層構造的兩端部，成為配置於下層絕緣膜(絕緣膜)1之下面中央部的連接墊部2a、及配置於下層絕緣膜1之下面周邊部的連接墊部2b。
下層配線2之連接墊部2a、2b的襯底金屬層(金屬遮罩層)4之下面，與下層絕緣膜1之下面成為同一面。因此，僅由下層配線2之連接墊部2a、2b以外的區域中之上部金屬層(配線)3所構成之部分的下面，位於比下層絕緣膜1之下面高出襯底金屬層4的厚度的位置。下層配線2之連接墊部2a成為具有平面形狀為圓形的開口部5之環狀(參照第3(B)圖)。
在下層絕緣膜1之上面中央部，透過由環氧系樹脂等所構成之黏著層(絕緣膜)7搭載有半導體構成體6。半導體構成體6具備平面方形之矽基板(半導體基板)8。在矽基板8之下面設有預定功能之積體電路(未圖示)，在下面周邊部沿各邊排列地設置由鋁系金屬等所構成且與積體電路連接之複數個連接墊9。在除連接墊9之中央部以外的矽基板8之下面設有由氧化矽等所構成的絕緣膜10，連接墊9之中央部係透過設於絕緣膜10之開口部11而被露出。
在絕緣膜10之下面設有由聚醯亞胺系樹脂等所構成的保護膜12。在與絕緣膜10之開口部11對應的部分中之保護膜12設有開口部13。在保護膜12之下面設有配線14。配線14成為保護膜12下面所設之由鎳所構成的襯底金屬層15、與設於襯底金屬層15下面之由銅所構成的上部金屬層16的二層構造。配線14之一端部係透過絕緣膜10及保護膜12之開口部11、13而連接於連接墊9。配線14在圖中雖僅顯示2根，但實際上具有對應於沿著方形平面形狀之矽基板8的各邊而排列之連接墊9的根數，作為其後將予說明之連接墊部14a的各另一端部，係在保護膜12下面被排列成矩陣狀。
半導體構成體6係藉由將含有此配線14之保護膜12的下面，透過由環氧系樹脂等所構成之黏著層7黏著於下層絕緣膜1的上面中央部，而被搭載於下層絕緣膜1的上面中央部。在與半導體構成體6之配線14的連接墊部(外部連接用電極)14a之下面中央部對應的部分中之下層絕緣膜1及黏著層7，設有平面形狀為圓形的開口部(第2開口部)17。開口部17連通於下層配線2之連接墊部2a的開口部5。
在下層配線2之連接墊部2a、2b的下面設有第1，第2連接墊部21、22。第1，第2連接墊部21,22成為下層配線2之連接墊部2a、2b的下面所設之由鎳所構成的襯底金屬層23、24、與設於襯底金屬層23、24下面之由銅所構成的上部金屬層25、26的二層構造。
第1連接墊部(連接導體)21係透過下層配線2之連接墊部2a的開口部(第1開口部)5a與下層絕緣膜1及黏著層7的開口部17，連接於半導體構成體6之配線14的連接墊部14a。換言之，第1連接墊部21係用以連接下層配線2之連接墊部2a與半導體構成體6之配線14的連接墊部14a者。
在下層配線2、第1、第2連接墊部21、22及下層絕緣膜1的下面，設有由抗焊劑等所構成的下層頂塗膜31。在與僅由下層配線2之上部金屬層3所構成的連接墊部對應之部分中的下層頂塗膜31設有開口部32。在下層頂塗膜31之開口部32內及其下方設有焊球33，其設置成被連接於僅由下層配線2之上部金屬層3所構成的連接墊部。
在黏著層7及半導體構成體6之周圍，在下層絕緣膜1的上面設有絕緣層34。絕緣層34係由環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、玻璃布基材環氧樹脂等所構成。在半導體構成體6及絕緣層34之上面設有上層絕緣膜35，其由與下層絕緣膜1相同之材料所構成。
在上層絕緣膜35上面設有上層配線36。上層配線36成為上層絕緣膜35上面所設之由鎳所構成的襯底金屬層37、與設於襯底金屬層37上面之由銅所構成的上部金屬層38的二層構造。在上層配線36及上層絕緣膜35上面，設有由抗焊劑等所構成的上層頂塗膜39。在與上層配線36之連接墊部對應的部分中的上層頂塗膜39設有開口部40。
下層配線2之連接墊部2b與上層配線36，係透過設於下層配線2之連接墊部2b的中央部、及對應於該中央部之部分中的下層絕緣膜1、絕緣層34、上層絕緣膜35之通孔41的內壁面所設之上下導通部42而被連接。上下導通部42成為通孔41的內壁面所設之由鎳所構成的襯底金屬層43、與設於襯底金屬層43之內面的由銅所構成的上部金屬層34的二層構造。在上下導通部42內充填有由抗焊劑等所構成的充填材45。在此，第2連接墊部22係設為連接於上下導通部42的下部。
其次，針對此半導體裝置之製造方法的一例進行說明。首先，如第2圖所示，準備在由銅箔所構成的底板51上面形成有由無電解鍍鎳所構成的下層配線用襯底金屬層形成用層4a及由電解鍍銅所構成的下層配線用上部金屬層形成用層3a者。此情況時，此準備完之構件的尺寸，係可形成複數個第1圖所示完成後的半導體裝置的尺寸。
其次，當藉由光微影法對下層配線用上部金屬層形成用層3a及下層配線用襯底金屬層形成用層4a進行圖案處理時，如第3(A)圖及第3(A)圖之俯視圖的第3(B)圖所示，在底板51上面形成由襯底金屬層4及上部金屬層3所構成之二層構造的下層配線(積層配線)2。在此狀態下，在下層配線2之連接墊部2a的中央部形成有開口部5。
又，下層配線2之形成方法亦可依照如下方式。亦即，首先，準備在第2圖中的底板51下面僅具有下層配線用襯底金屬層形成用層4a，而不具有下層配線用上部金屬層形成用層3a者。然後於下層配線用襯底金屬層形成用層4a上面設置抗鍍膜，並對抗鍍膜進行圖案處理而除去與包含連接墊部2a之下層配線2對應的區域。
接著，藉由進行以下層配線用襯底金屬層形成用層4a作為電鍍電流通路之銅的電解電鍍，在下層配線用襯底金屬層形成用層4a之下面形成具有開口部5的上部金屬層3。接著，將抗鍍膜剝離，然後，將上部金屬層3作為遮罩而蝕刻除去下層配線用襯底金屬層形成用層4a之不要部分，在上部金屬層3之下面形成具有開口部5的襯底金屬層4。依此而形成下層配線2。以下稱此種形成方法為圖案電鍍法。
然後，進行下層配線2之外觀檢查或導通檢查。藉由此檢查，若在底板51下之複數個半導體裝置形成區域中，下層配線2依所期待的要求而形成時，則判定為良好，下層配線2未依所期待的要求而形成時，則判定為不良。並進行辨識而將被判定為良好之半導體裝置形成區域作為良好半導體裝置形成區域，而將被判定為不良之半導體裝置形成區域作為不良半導體裝置形成區域。
接著，如第4圖所示，在包含下層配線2之底板51上面形成由環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、玻璃布基材環氧樹脂等所構成的下層絕緣膜1。在此狀態下，在下層配線2之連接墊部2a的開口部5內充填有下層絕緣膜1。又，若下層絕緣膜1係透明的話，則亦可在此時進行下層配線2之外觀檢查。
接著，如第5圖所示，準備半導體構成體6。此半導體構成體6係藉由在晶圓狀態之矽基板8下面形成積體電路(未圖示)、由鋁系金屬等所構成之連接墊9、由氧化矽等所構成之絕緣膜10、由聚醯亞胺系樹脂等所構成之保護膜12及配線14(由鎳所構成之襯底金屬層15及由銅所構成之上部金屬層16)之後，藉由切割成各個單片而可獲得。
然後，透過由環氧系樹脂等所構成之黏著層7將包含半導體構成6之配線14的保護膜12的下面黏著於下層絕緣膜1上面之半導體構成體搭載區域，藉以進行半導體構成體6之搭載。此情況時，採用印刷法或分配器等將被稱為NCp(Non-conductive Paste)之黏著材、或是被稱為NCF(Non-conductive Film)之黏著片預先供給於下層絕緣膜1上面之半導體構成體搭載區域，並藉由進行加熱壓合而將半導體構成體6黏固於下層絕緣膜1之上面。
在此，如上述，進行下層配線2之外觀檢查或導通檢查，對下層絕緣膜1上面之複數個半導體裝置形成區域進行辨識而作為良好半導體裝置形成區域及不良半導體裝置形成區域，所以，僅在良好半導體裝置形成區域搭載半導體構成體6，而在不良半導體裝置形成區域不搭載半導體構成體6。
接著，如第6圖所示，在包含黏著層7之半導體構成體6的周圍之下層絕緣膜1上面，一面以銷等進行定位一面配置格子狀之絕緣層形成用薄片34a。絕緣層形成用薄片34a例如、係將由環氧系樹脂等所構成之熱硬化性樹脂滲浸於由玻璃布等所構成的基材中，使熱硬化性樹脂達成半硬化狀態而成為薄片狀，並藉由沖孔等形成複數個方形開口部52者。絕緣層形成用薄片34a之開口部52的尺寸，比半導體構成體6的尺寸略大。因此，在絕緣層形成用薄片34a與半導體構成體6之間形成有間隙53。
然後，在絕緣層形成用薄片34a上面，配置由銅箔所構成之副底板54的下面形成有上層絕緣膜形成用層35a者。上層絕緣膜形成用層35a係由與下層絕緣膜1相同之材料所構成，其中之由環氧系樹脂等所構成的熱硬化性樹脂成為半硬化狀態。
接著，如第7圖所示，使用一對加熱加壓板55、56從上下方向對絕緣層形成用薄片34a及上層絕緣膜形成用層35a進行加熱加壓。藉由此加熱加壓，使絕緣層形成用薄片34a及上層絕緣膜形成用層35a中的熱硬化性樹脂流動而充填於第6圖所示之間隙53中，隨後藉由冷卻而加以固化，在包含黏著層7之半導體構成體6的周圍之下層絕緣膜1上面形成絕緣層34，且在半導體構成體6及絕緣層34上面形成上層絕緣膜35。
在此，如第6圖所示，在絕緣層形成用薄片34a的下面配置有下層絕緣膜1及底板51，在絕緣層形成用薄片34a的上面配置有由與下層絕緣膜1相同之材料所構成的上層絕緣膜形成用層35a及由與底板51相同之材料所構成的副底板54，所以，絕緣層形成用薄片34a之部分中的厚度方向的材料構成成為對稱。其結果，藉由加熱加壓，絕緣層形成用薄片34a及上層絕緣膜形成用層35a可於厚度方向對稱地進行硬化收縮，進而，整體不容易產生彎曲，使得不容易對其後之步驟的運送或以後之步驟的加工精度產生障礙。
此情況時，下層絕緣膜1係將其中之熱硬化性樹脂預先硬化，所以，即使被加熱加壓亦幾乎不產生變形。另外，藉由副底板54，可防止上層絕緣膜形成用層35a中之熱硬化性樹脂不必要地附著於上側的加熱壓壓板55的下面。其結果，可直接再度使用上側的加熱壓壓板55。
其次，當藉由蝕刻除去底板51及副底板54時，如第8圖所示，包含下層配線2之下層絕緣膜1的下面被露出，且上層絕緣膜35的上面亦被露出。如此，在本實施形態中，因藉由蝕刻除去製造步驟中所需要之底板51及副底板54，所以，具有可將完成之半導體裝置的厚度薄型化的效果。在此狀態下，下層配線2之下面與下層絕緣膜1之下面成為同一面。另外，即使除去底板51及副底板54，因下層絕緣膜1、絕緣層34及上層絕緣膜35之存在，仍可充分地確保強度。
接著，如第9圖所示，藉由照射雷射光束之雷射加工，除去下層配線2之連接墊部2a的開口部5內之下層絕緣膜1，並在與半導體構成體6之配線14的連接墊部14a之下面中央部對應的部分中之下層絕緣膜1及黏著層7形成開口部17。另外，藉由採用機械鑽頭或照射雷射光束之雷射加工，在下層配線2之連接墊部2a的中央部及與該中央部對應之部分中的下層絕緣膜1、絕緣層34及上層絕緣膜35形成通孔41。
以下，說明照射雷射光束以形成開口部17的情況。當將雷射光束直接照射於下層絕緣膜1及黏著層7時，形成對應於此光束徑的直徑之開口部。在此，半導體構成體6之配線14的連接墊部14a的直徑，係比下層配線2之連接墊部2a的外徑還小，但比內徑(開口部5之直徑)還大。因此，當雷射光束之光束徑為半導體構成體6之配線14的連接墊部14a的直徑以上且小於下層配線2之連接墊部2a的外徑時，照射於連接墊部2a之開口部5外部的雷射光束被連接墊部2a所遮斷，使得形成於下層絕緣膜1及黏著層7之開口部17的直徑，成為對應下層配線2之連接墊部2a的開口部5之直徑的大小。
亦即，下層配線2之連接墊部2a，係藉由在其中央部具有開口部5，而可發揮作為藉由照射雷射光束之雷射加工而於下層絕緣膜1及黏著層7形成開口部17時的遮罩之功能，於下層絕緣膜1及黏著層7被自行對準於連接墊部2a之開口部5，形成與連接墊部2a之開口部5相同直徑的開口部17。
其結果，可將應形成於下層絕緣膜1及黏著層7之開口部17的直徑盡可能地縮小，且使得半導體構成體6之配線14的連接墊部14a對下層配線2之連接墊部2a的位置對準變得比較容易，進而可盡可能地減小半導體構成體6之配線14的連接墊部14a的直徑，可達成半導體構成體6之微細化。
例如，在現況中，雷射光束之光束徑為最小之50μm，當直接照射於下層絕緣膜1及黏著層7時，形成於此等上面之開口部的直徑成為70μm。因此，為了全部接收所照射之雷射光束，半導體構成體6之配線14的連接墊部14a的直徑，若考慮到雷射加工精度時，在現況之方法中，需要為100～120μm。
相對於此，在將下層配線2之連接墊部2a作為雷射光束之遮罩的本實施形態之方法中，藉由光微影法所形成之下層配線2之連接墊部2a的開口部5之直徑，可為20～50μm，尤其可達到20～30μm，所以，半導體構成體6之配線14的連接墊部14a的直徑，可為50～80μm，尤其可達到50～60μm，可達成半導體構成體6之微細化。此情況時，若考慮到雷射加工精度時，下層配線2之連接墊部2a的外徑需要為100～120μm。
接著，如第10圖所示，在下層絕緣膜1之整個下面(包含透過下層配線2之連接墊部2a的開口部5與下層絕緣膜1及黏著層7的開口部17而露出之半導體構成體6之配線14的連接墊部14a的下面及下層配線2)、上層絕緣膜35之整個上面及通孔41的內壁面，藉由鎳之無電解電鍍而形成襯底金屬層57、37、43。接著，進行以襯底金屬層57、37、43作為電鍍電流通路之銅的電解電鍍，藉此，在襯底金屬層57、37、43之表面形成上部金屬層58、38、44。
接著，當使用同一遮罩且藉由光微影法對上部金屬層58、38及襯底金屬層57、37進行圖案處理時，成為如第11圖所示構成。亦即，在下層絕緣膜1之下面形成有由襯底金屬層23、24及上部金屬層25、26所構成之二層構造的第1、第2連接墊部21、22。另外，在上層絕緣膜35上面形成有由襯底金屬層37及上部金屬層38所構成之二層構造的上層配線36。又，在通孔41之內壁面形成有由襯底金屬層43及上部金屬層44所構成之二層構造的上下導通部42。
另外，下層配線2之襯底金屬層4係由與襯底金屬層57相同之材料(鎳)所形成，所以，第1、第2連接墊部21、22以外之區域中的襯底金屬層4被除去，而露出該區域中之上部金屬層3。在此狀態下，下層配線2之兩端部成為由上部金屬層3及襯底金屬層4所構成的二層構造之連接墊部2a、2b。另外，襯底金屬層4分別具有與第1、第2連接墊部21、22相同之平面尺寸。又，第1、第2連接墊部21、22、上層配線36及上下導通部42，亦可於襯底金屬層57、37上形成被除去上部金屬層形成區域後之抗鍍膜後，而藉由電解電鍍形成上部金屬層58、38、44的圖案電鍍法所形成。
接著，如第12圖所示，在下層配線2、第1、第2連接墊部21、22及下層絕緣膜1之下面，藉由網版印刷法、旋轉塗布法等，形成由抗焊劑等所構成之下層頂塗膜31。另外，在上層配線36及上層絕緣膜35上面，藉由網版印刷法、旋轉塗布法等，形成由抗焊劑等所構成之上層頂塗膜39。在此狀態下，於上下導通部42內充填有由抗焊劑等所構成之充填材45。
接著，藉由照射雷射光束之雷射加工，在與下層配線2之連接墊部對應的部分中之下層頂塗膜31形成開口部32。另外，藉由照射雷射光束之雷射加工，在與上層配線36之連接墊部對應的部分中之上層頂塗膜39形成開口部40。
接著，在下層頂塗膜31之開口部32內及其下方形成焊球33且使其連接於下層配線2之連接墊部。然後，在相鄰之半導體構成體6之間，當切斷下層頂塗膜31、下層絕緣膜1、絕緣層34、上層絕緣膜35及上層頂塗膜39後，即可獲得複數個第1圖所示半導體裝置。
此情況誠如上述，在搭載半導體構成體6之前，進行下層配線2之外觀檢查或導通檢查，辨識良好半導體裝置形成區域及不良半導體裝置形成區域，且僅在良好半導體裝置形成區域搭載半導體構成體6，所以，如第1圖所示，除可獲得具有半導體構成體6之半導體裝置外，還可獲得不具有半導體構成體6的半導體裝置。
可是在下層配線2之形成時，稱50～75μm規則下的良率，在現狀中為80~85%，第1圖所示之構成的半導體裝置之考慮到成本面的良率為99.5%以上，而無法滿足此要求。尤其是隨著下層配線2之微細化的進程，要求能有可適用於30~50μm規則、15~25μm規則的方法。
相對於此，在上述製造方法中，即使下層配線2之形成的良率低之情況，仍可提高具備半導體構成體6之半導體裝置的良率，可有效地使用高價之半導體構成體6。另外，當觀察下層配線2時，即使為30~50μm規則、15~25μm規則，仍可提高良率。
可是，在第1圖所示半導體裝置中，在第8圖所示步驟中，如上述，當雷射光束之光束徑為現況中最小的50μm時，若考慮到雷射加工精度時，下層配線2之連接墊部2a的外徑需要為100~120μm。藉此，下層配線2之微細化具有限度。在此，針對可將下層配線2進一步微細化的實施形態，說明如下。
(第2實施形態)
第13圖為顯示本發明之第2實施形態的半導體裝置之剖視圖。在此半導體裝置中，與第1圖所示半導體裝置之相異點在於，使下層配線2之連接墊部2a的上部金屬層3之外徑與半導體構成體6之配線14的連接墊部14a的直徑為大致相同，且令下層配線2之連接墊部2a的襯底金屬層4之外徑比半導體構成體6之配線14的連接墊部14a的直徑略大。
其次，針對此半導體裝置之製造方法的一例進行說明。首先，在準備如第2圖所示構成者之後，如第14圖所示，藉由光微影法於下層配線用上部金屬層形成用層3a及下層配線用襯底金屬層形成用層(遮罩金屬層形成用層)4a形成開口部5。接著，藉由光微影法僅對下層配線用上部金屬層形成用層3a進行圖案處理，如第15圖所示，在下層配線用襯底金屬層形成用層4a上面形成完成狀態之配線形狀的上部金屬層。在此狀態下，下層配線用襯底金屬層形成用層4a係保持為初期之狀態，而整體地形成於底板51之整個上面。另外，在上部金屬層3之連接墊部2a的中央部形成有開口部5。
然後，進行上部金屬層3(下層配線2)之外觀檢查。外觀檢查可採用目視或取入投影影像並與標準圖案進行對比之外觀檢查裝置來進行。藉由此檢查，若在底板51上之複數個半導體裝置形成區域中，上部金屬層3依所期待的要求而形成時，則判定為良好，上部金屬層3未依所期待的要求而形成時，則判定為不良。於是，進行辨識而將被判定為良好之半導體裝置形成區域作為良好半導體裝置形成區域，而將被判定為不良之半導體裝置形成區域作為不良半導體裝置形成區域。
接著，如第16圖所示，在包含上部金屬層3及開口部5內之下層配線用襯底金屬層形成用層4a上面形成由環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、玻璃布基材環氧樹脂等所構成的下層絕緣膜1。在此情況時，下層絕緣膜1中之由環氧系樹脂等所構成的熱硬化性樹脂亦已被硬化。
接著，如第17圖所示，透過由環氧系樹脂等所構成之黏著層7將含有半導體構成6之配線14的保護膜12的下面黏著於下層絕緣膜1上面之半導體構成體搭載區域，藉以進行半導體構成體6之搭載。此情況時，亦將被稱為NCP之黏著材、或是被稱為NCF之黏著片，預先供給於下層絕緣膜1上面之半導體構成體搭載區域，並藉由進行加熱壓合而將半導體構成體6黏固於下層絕緣膜1之上面。
在此，如上述，進行上部金屬層3(下層配線2)之外觀檢查，對包含上部金屬層3之下層絕緣膜1上面之複數個半導體裝置形成區域進行辨識而作為良好半導體裝置形成區域及不良半導體裝置形成區域，所以，僅在良好半導體裝置形成區域搭載半導體構成體6，而在不良半導體裝置形成區域不搭載半導體構成體6。
接著，如第18圖所示，在包含黏著層7之半導體構成體6的周圍之下層絕緣膜1上面，一面以銷等進行定位一面配置格子狀之絕緣層形成用薄片34a。接著在絕緣層形成用薄片34a的上面，配置由銅箔所構成之副底板54的下面形成有上層絕緣膜形成用層35a者。
接著，如第19圖所示，當使用一對加熱加壓板55,56從上下方向對絕緣層形成用薄片34a及上層絕緣膜形成用層35a進行加熱加壓時，則在包含黏著層7之半導體構成體6的周圍之下層絕緣膜1上面形成有絕緣層34，且在半導體構成體6及絕緣層34上面形成有上層絕緣膜35。
接著，當藉由蝕刻除去底板51及副底板54時，如第20圖所示，露出下層配線用襯底金屬層形成用層4a的下面，且露出上層絕緣膜35的上面。在此狀態下，即使除去底板51及副底板54，因下層絕緣膜1、絕緣層34及上層絕緣膜35之存在，仍可充分地確保強度。另外，在上部金屬層3及下層配線用襯底金屬層形成用層4a之開口部5內充填有下層絕緣膜1。
接著，如第21圖所示，藉由雷射光束之照射的雷射加工，除去上部金屬層3及下層配線用襯底金屬層形成用層4a之開口部5內之下層絕緣膜1，並在與半導體構成體6之配線14的連接墊部14a之下面中央部對應的部分中之下層絕緣膜1及黏著層7形成開口部17。另外，藉由採用機械鑽頭或雷射光束之照射的雷射加工，在上部金屬層3之連接墊部2b的中央部及與該中央部對應之部分中的下層絕緣膜1、絕緣層34及上層絕緣膜35形成通孔41。
在此，上部金屬層之連接墊部2a之外徑，與半導體構成體6之配線14的連接墊部14a的直徑大致相同，但在包含上部金屬層3之下層絕緣膜1的整個下面形成具有開口部5之下層配線用襯底金屬層形成用層4a，所以，即使雷射光束之光束徑比上部金屬層3之連接墊部2a的外徑還大，具有開口部5之下層配線用襯底金屬層形成用層4a仍然發揮作為遮罩之功能。其結果，可盡可能地減小上部金屬層3之連接墊部2a的外徑，可進一步達成上部金屬層3(下層配線2)之微細化。
例如，即使雷射光束之光束徑在現況中為最小之50μm，藉由光微影法所形成之上部金屬層3之連接墊部2a的開口部5之直徑，仍可為20～50μm，尤其可達到20～30μm，所以，上部金屬層3之連接墊部2a的外徑，可為50～80μm，尤其可達到50～60μm，可進一步達成上部金屬層3(下層配線2)之微細化。
接著，如第22圖所示，在下層配線用襯底金屬層形成用層4a之整個下面(其中包含透過上部金屬層3及下層配線用襯底金屬層形成用層4a之開口部5與下層絕緣膜1及黏著層7的開口部17而露出之半導體構成體6之配線14的連接墊部14a的下面)、上層絕緣膜35之整個上面及通孔41的內壁面，藉由鎳之無電解電鍍形成襯底金屬層57、37、43。接著，藉由進行以襯底金屬層57、37、43作為電鍍電流通路之銅的電解電鍍，在襯底金屬層57、37、43之表面形成上部金屬層58、38、44。
接著，當使用同一遮罩且藉由光微影法對上部金屬層58、38及襯底金屬層57、37進行圖案處理時，成為如第23圖所示構成。亦即，在下層絕緣膜1之下面形成有由襯底金屬層23、24及上部金屬層25、26所構成之二層構造的第1、第2連接墊部21、22。另外，在上層絕緣膜35上面形成有由襯底金屬層37及上部金屬層38所構成之二層構造的上層配線36。又，在通孔41之內壁面形成有由襯底金屬層43及上部金屬層34所構成之二層構造的上下導通部42。
在此，連接墊部14a及連接墊部2a之上部金屬層3係可將其直徑作成比第1連接墊部21還小，可達成半導體構成體6之更為高密度化。又，在上述實施形態中，雖將連接墊部14a、2a之平面形狀設成圓形，但並不限定於此情況，其平面形狀亦可為多角形。在此情況時，連接墊部14a及連接墊部2a之上部金屬層3可將其平面尺寸作成比第1連接墊部21還小。
另外，下層配線用襯底金屬層形成用層4a係由與襯底金屬層57相同之材料(鎳)所形成，所以，第1、第2連接墊部21、22以外之區域中的下層配線用襯底金屬層形成用層4a被除去，而露出該區域中之上部金屬層3。在此狀態下，下層配線2之兩端部成為由上部金屬層3及襯底金屬層4所構成的二層構造之連接墊部2a、2b。又，第1、第2連接墊部21、22、上層配線36及上下導通部42，可藉由圖案電鍍法所形成。
以下，經過與上述第1實施形態之情況相同的步驟後，可獲得複數個第13圖所示半導體裝置。此情況亦誠如上述，在不良半導體裝置形成區域不搭載半導體構成體6，所以，如第13圖所示，除可獲得具有半導體構成體6之半導體裝置外，還可獲得不具有半導體構成體6的半導體裝置，因此，與上述第1實施形態之情況相同，可提高其製造良率。
(第3實施形態)
第24圖為顯示本發明之第3實施形態的半導體裝置之剖視圖。在此半導體裝置中，與第13圖所示半導體裝置之最大差異在於，藉由積累工法將下層配線及上層配線均作成二層配線構造。亦即，在包含第1、第2連接墊部21、22之第1下層配線2A的下面及第1下層絕緣膜1A的下面，設有由與第1下層絕緣膜1A相同之材料所構成的第2下層絕緣膜1B。
設於第2下層絕緣膜1B下面之第2下層配線21B的一端部，係透過設於第2下層絕緣膜1B之開口部61而連接於第1下層配線2A的連接墊部。在包含第2下層配線2B之第2下層絕緣膜1B的下面設有下層頂塗膜31。在下層頂塗膜31之開口部32內及其下方設有焊球33，且使其連接於第2下層配線2B之連接墊部。
在包含第1上層配線36A之第1上層絕緣膜35A的上面設有由與第1上層絕緣膜35A相同之材料所構成的第2上層絕緣膜35B。設於第2上層絕緣膜35B上面之第2上層配線36B的一端部，係透過設於第2上層絕緣膜35B之開口部62而連接於第1上層配線36A的連接墊部。在包含第2上層配線36B之第2上層絕緣膜35B的上面設有上層頂塗膜39。在與第2上層配線36B之連接墊部對應的部分中之上層頂塗膜39設有開口部40。又，下層配線及上層配線均可為三層以上之配線構造。
(第4實施形態)
第25圖為顯示本發明之第4實施形態的半導體裝置之剖視圖。在此半導體裝置中，與第13圖所示半導體裝置之最大差異在於，未具備有下導通部42，而取代地在包含黏著層7之半導體構成體6周圍的絕緣層34中以方框形狀埋設兩面配線構造之電路基板71。
在此情況時，電路基板71具備由玻璃布基材環氧樹脂等所構成之方形框狀的基板72。在基板72下面設有由銅箔所構成之下層配線73，並在上面設有由銅箔所構成之上層配線74。下層配線73與上層配線74，係透過設於基板72內部之導電性糊膠等所構成的上下導通部75而被連接。
下層配線2之連接墊部2b係透過與連接墊部21a相同構造之連接墊部21b而連接於電路基板71的下層配線73之連接墊部。亦即，連接墊部21b係透過下層配線2之連接墊部2b的開口部5b與設於下層絕緣膜1及絕緣層34之開口部76而連接於電路基板71的下層配線73之連接墊部。上層配線36係透過設於上層絕緣膜35及絕緣層34之開口部77而連接於電路基板71的上層配線74之連接墊部。
其次，針對此半導體裝置之製造方法的一例進行說明。此情況如第26圖所示，在第18圖所示步驟中，在包含黏著層7之半導體構成體6的周圍之下層絕緣膜1上面，一面以銷等進行定位一面配置格子狀之絕緣層形成用薄片34a、格子狀之電路基板71及格子狀的絕緣層形成用薄片34a。接著，在上側之絕緣層形成用薄片34a的上面，配置副底板54的下面形成有上層絕緣膜形成用層35a者。
接著，如第27圖所示，當使用一對加熱加壓板55,56從上下方向進行加熱加壓時，則在包含黏著層7之半導體構成體6的周圍之下層絕緣膜1上面形成有絕緣層34，且在絕緣層34中埋入電路基板71，並在半導體構成體8及絕緣層34上面形成有上層絕緣膜35。接著，當藉由蝕刻除去底板52及副底板54時，如第28圖所示，充填於襯底金屬層4a及開口部5a、5b內之下層絕緣膜1的下面被露出，且上層絕緣膜35的上面被露出。
接著，如第29圖所示，藉由照射雷射光束之雷射加工，除去開口部5a內之下層絕緣膜1，並在與半導體構成體6之配線14的連接墊部14a之下面中央部對應的部分中之下層絕緣膜1及黏著層7形成開口部17。另外，藉由照射雷射光束之雷射加工，除去開口部5b內之下層絕緣膜1，並在與電路基板71之下層配線73的上連接墊部對應之部分中的下層絕緣膜1及黏著層7形成開口部76。此情況時，開口部76之直徑與開口部17的直徑相同。
又，藉由照射雷射光束之雷射加工，在與電路基板71之上層配線74的上連接墊部對應之部分中的上層絕緣膜35形成開口部77。此情況時，開口部77之直徑係比開口部17的直徑還大。以下，經過與上述第2實施形態之情況相同的步驟後，可獲得複數個第25圖所示半導體裝置。
在依上述而獲得之半導體裝置中，與第24圖所示半導體裝置比較，即使將下層配線及上層配線作成二層構造，下層絕緣膜及上層絕緣膜仍為一層，所以，可減薄相當於該部分之量。另外，由於未具備上下導通部42，所以，不需要藉由機械鑽頭來形成通孔41。
(第5實施形態)
第30圖為顯示本發明之第5實施形態的半導體裝置之剖視圖。在此半導體裝置中，與第13圖所示半導體裝置之差異在於，在包含半導體構成體6之配線14的保護膜12下面設置由聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂等的絕緣材所構成的靜電防止用保護膜81。
因此，此情況時，半導體構成體6之靜電防止用保護膜81的下面，係透過黏著層7而連接於下層絕緣膜1的上面中央部。第1連接墊部21係透過下層配線2之連接墊部2a的開口部5與下層絕緣膜1、黏著層7及靜電防止用保護膜81之開口部17而連接於半導體構成體6之配線14的連接墊部14a。
可是，在將半導體構成體6搭載於下層絕緣膜1上之前，在靜電防止用保護膜81不形成開口部17。不具有開口部17之靜電防止用保護膜81，係在從其本身被形成於晶圓狀態的矽基板8下之時間點起，迄至半導體構成體6被搭載於下層絕緣膜1上之時為止的期間，保護形成於矽基板8下之積體電路免受靜電干擾。
(第6實施形態)
第31圖為顯示本發明之第6實施形態的半導體裝置之剖視圖。在此半導體裝置中，與第13圖所示半導體裝置之差異在於，在半導體構成體6之配線14的連接墊部14a下面設置由電解鍍銅所構成的金屬保護層82。此情況時，金屬保護層82係在照射雷射光束時，用以保護配線14的連接墊部14a。亦即，將配線14形成為5～10μm之厚度，並估算藉由雷射光束所蝕刻之量，而僅在此配線14的連接墊部14a上形成數μm厚度之金屬保護層82，藉此可達成半導體構成體6之薄型化。
(第7實施形態)
第32圖為顯示本發明之第7實施形態的半導體裝置之剖視圖。在此半導體裝置中，與第13圖所示半導體裝置之差異在於，在半導體構成體6之配線14的連接墊部14a下面中央部設置由電解鍍銅所構成的柱狀電極(外部連接用電極)83，且在包含配線14之保護膜12下面設置由環氧系樹脂等所構成的封裝膜84，且使封裝膜84之下面與柱狀電極83的下面成為同一面。
此情況時，包含柱狀電極83之封裝膜84的下面係透過黏著層7而連接於下層絕緣膜1之上面中央部。第1連接墊部21係透過下層配線2之連接墊部2a的開口部5與下層絕緣膜1及黏著層7之開口部17而連接於半導體構成體6的柱狀電極83。
(第8實施形態)
第33圖為顯示本發明之第8實施形態的半導體裝置之剖視圖。在此半導體裝置中，與第13圖所示半導體裝置之差異在於，在半導體構成體6及下層絕緣膜1之上面僅設置由環氧系樹脂等所構成的封裝膜(絕緣層)85。此情況時，封裝膜91係藉由遷移塑模法等的塑模法所形成。
又，在上述各實施形態中，雖將下層配線2之連接墊部2a的開口部5、形成於下層絕緣膜1及黏著層7之開口部17等的平面形狀設成圓形，但本發明並不限定於此情況，其平面形狀例如、亦可為多角形、或是任意之形狀。另外，雖為在半導體構成體6上形成有連接於連接墊9之配線14者，但本發明亦可應用於僅形成有未具備配線之迴繞部的外部連接用電極之半導體構成體。除此之外，可在本發明之實質範圍內適宜地作各種之變化。
1‧‧‧下層絕緣膜(絕緣膜)
2‧‧‧下層配線(積層配線)
2a、2b‧‧‧連接墊部
3‧‧‧上部金屬層(配線)
4‧‧‧襯底金屬層(金屬遮罩層)
5‧‧‧開口部
5a‧‧‧第1開口部
6‧‧‧半導體構成體
7‧‧‧黏著層(絕緣膜)
8．．．矽基板(半導體基板)
9．．．連接墊
10．．．絕緣膜
12．．．保護膜
14．．．配線
14a．．．連接墊部(外部連接用電極)
21．．．第1連接墊部(連接導體)
22．．．第2連接墊部
31．．．下層頂塗膜
32．．．開口部
33．．．焊球
34．．．絕緣層
35．．．上層絕緣膜
36．．．上層配線
39．．．上層頂塗膜
41．．．通孔
42．．．上下導通部
51、52．．．底板
54．．．副底板
57．．．襯底金屬層(金屬層)
58．．．上部金屬層(金屬層)
71．．．電路基板
81．．．靜電防止用保護膜
82．．．金屬保護層
83．．．柱狀電極
第1圖為本發明之第1實施形態的半導體裝置的剖視圖。
第2圖為在第1圖所示半導體裝置的製造方法之一例中最初準備者的剖視圖。
第3(A)圖為繼第2圖之步驟的剖視圖，第3(B)圖為其俯視圖。
第4圖為繼第3圖之步驟的剖視圖。
第5圖為繼第4圖之步驟的剖視圖。
第6圖為繼第5圖之步驟的剖視圖。
第7圖為繼第6圖之步驟的剖視圖。
第8圖為繼第7圖之步驟的剖視圖。
第9圖為繼第8圖之步驟的剖視圖。
第10圖為繼第9圖之步驟的剖視圖。
第11圖為繼第10圖之步驟的剖視圖。
第12圖為繼第11圖之步驟的剖視圖。
第13圖為本發明之第2實施形態的半導體裝置的剖視圖。
第14圖為在第13圖所示半導體裝置的製造方法之一例中之預定步驟的剖視圖。
第15圖為繼第14圖之步驟的剖視圖。
第16圖為繼第15圖之步驟的剖視圖。
第17圖為繼第16圖之步驟的剖視圖。
第18圖為繼第17圖之步驟的剖視圖。
第19圖為繼第18圖之步驟的剖視圖。
第20圖為繼第19圖之步驟的剖視圖。
第21圖為繼第20圖之步驟的剖視圖。
第22圖為繼第21圖之步驟的剖視圖。
第23圖為繼第22圖之步驟的剖視圖。
第24圖為本發明之第3實施形態的半導體裝置的剖視圖。
第25圖為本發明之第4實施形態的半導體裝置的剖視圖。
第26圖為在第25圖所示半導體裝置的製造方法之一例中之預定步驟的剖視圖。
第27圖為繼第26圖之步驟的剖視圖。
第28圖為繼第27圖之步驟的剖視圖。
第29圖為繼第28圖之步驟的剖視圖。
第30圖為本發明之第5實施形態的半導體裝置的剖視圖。
第31圖為本發明之第6實施形態的半導體裝置的剖視圖。
第32圖為本發明之第7實施形態的半導體裝置的剖視圖。
第33圖為本發明之第8實施形態的半導體裝置的剖視圖。
1‧‧‧下層絕緣膜
2‧‧‧下層配線
2a、2b‧‧‧連接墊部
5‧‧‧開口部
6‧‧‧半導體構成體
7‧‧‧黏著層
14‧‧‧配線
14a‧‧‧連接墊部(外部連接用電極)
17‧‧‧開口部
34‧‧‧絕緣層
35‧‧‧上層絕緣膜
41‧‧‧通孔

Claims (20)

  1. 一種半導體裝置，其具備：半導體構成體，具有半導體基板及設於該半導體基板下之複數個外部連接用電極；絕緣層，設於該半導體構成體的周圍；下層絕緣膜，設於該半導體構成體下及該絕緣層下；及下層配線，設於該下層絕緣膜下；其中於該下層配線之連接墊部開口部形成為環狀，在與該下層配線之該連接墊部之開口部對應的部分中於該下層絕緣膜形成開口部，設置於該下層配線之該連接墊部下、該連接墊部之該開口部內、以及該下層絕緣膜之該開口部內的連接構件，透過該下層配線之該連接墊部之開口部與該下層絕緣膜之開口部而與該半導體構成體之外部連接用電極連接，並且該下層配線之該連接墊部透過該連接構件而與該外部連接用電極連接，該下層配線係埋設於該下層絕緣膜之下面側，該下層配線之該連接墊部係上部金屬層之一部及設於該上部金屬層下之襯底金屬層的二層構造，該下層配線之該連接墊部以外係該上部金屬層其他部分僅一層構造。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中在該下層配線之該連接墊部中，該上部金屬層的平面尺寸係與該襯底金屬層的平面尺寸相同。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，其中該半導體構成體之該外部連接用電極係配線的圓形連接墊部或柱狀電極，該配線的該連接墊部或該柱狀電極之直徑係成為比該下層配線之環狀的該連接墊部之外徑還小，比該下層配線之環狀的該連接墊部之內徑還大。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，其中在該下層配線之該連接墊部中，該上部金屬層的平面尺寸係比設於該下層配線之該連接墊部下之連接構件的平面尺寸還小。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，其中該半導體構成體之該外部連接用電極係配線的圓形連接墊部，該配線的該連接墊部之直徑係比該下層配線之環狀的連接墊部之外徑還小，比該下層配線之環狀的該連接墊部之內徑還大，且保護金屬層設於該配線的該連接墊部下面。
  6. 一種半導體裝置，其具備：半導體構成體，具有半導體基板及設於該半導體基板下之複數個外部連接用電極；絕緣層，設於該半導體構成體的周圍；下層絕緣膜，設於該半導體構成體下及該絕緣層下；及下層配線，設於該下層絕緣膜下；其中於該下層配線之連接墊部開口部形成為環狀，在與該下層配線之連接墊部之開口部對應的部分中於該下層絕緣膜形成開口部，設於該下層配線之連接墊部的連接構件，形成於該下 層配線之連接墊部下、該下層配線之連接墊部的開口部內、以及該下層絕緣膜之開口部內，該下層配線之連接墊部透過該連接構件而與該半導體構成體之外部連接用電極連接，該半導體構成體之外部連接用電極係配線的圓形連接墊部或柱狀電極，該配線的該連接墊部或該柱狀電極之平面尺寸係比設於該下層配線之環狀的連接墊部下之連接構件的平面尺寸還小，比該下層配線之環狀的該連接墊部之外徑還小，且比該下層配線之環狀的連接墊部之內徑還大。
  7. 一種半導體裝置，其具備：半導體構成體，具有半導體基板及設於該半導體基板下之複數個外部連接用電極；絕緣層，設於該半導體構成體的周圍；下層絕緣膜，設於該半導體構成體下及該絕緣層下；及下層配線，設於該下層絕緣膜下；其中於該下層配線之連接墊部開口部形成為環狀，在與該下層配線之該連接墊部之開口部對應的部分中於該下層絕緣膜形成開口部，設置於該下層配線之連接墊部的連接構件，形成於該下層配線之該連接墊部的開口部內以及該下層絕緣膜之開口部內，及設於該半導體構成體下之黏著層的開口部內；該下層配線之連接墊部透過該連接構件而與該半導體構成體之該外部連接用電極連接，該半導體構成體係透 過該黏著層而黏著於該下層絕緣膜上。
  8. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置，其中於該黏著層形成連通該下層絕緣膜之開口部的開口部，設於該下層配線之連接墊部下之連接構件透過該下層配線之連接墊部的開口部、該下層絕緣膜之開口部及該黏著層的開口部而與該半導體構成體之該外部連接用電極連接。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之半導體裝置，其中該半導體構成體之該外部連接用電極與該黏著層之閘形成靜電防止用保護膜，設於該下層配線之連接墊部的連接構件更形成於該靜電防止用保護膜的開口部內。
  10. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置，其中於該靜電防止用保護膜形成連通該黏著層的開口部的開口部，設於該下層配線之連接墊部下之連接構件透過該下層配線之連接墊部的開口部、該下層絕緣膜之開口部、該黏著層的開口部以及該靜電防止用保護膜的開口部而與該半導體構成體之該外部連接用電極連接。
  11. 一種半導體裝置，其具備：半導體構成體，具有半導體基板及設於該半導體基板下之複數個外部連接用電極；絕緣層，設於該半導體構成體的周圍；下層絕緣膜，設於該半導體構成體下及該絕緣層下；及下層配線，設置於該下層絕緣膜下；其中於該下層配線之連接墊部開口部形成為環狀，在與該下層配線之連接墊部之開口部對應的部分中於該下層絕緣膜形成開口部，設於該下層配線之連接墊部之連 接構件形成於該下層配線之連接墊部下、該下層配線之連接墊部的開口部內以及該下層絕緣膜之開口部內，該下層配線之連接墊部透過該連接構件而與該半導體構成體之該外部連接用電極連接，上層絕緣膜係設置於該半導體構成體及該絕緣層上，上層配線設於該上層絕緣層上，於該絕緣層中埋設具有連接該下層配線之配線的電路基板。
  12. 一種半導體裝置的製造方法，其包含有：於基板上形成下層配線的步驟，該下層配線包含具有開口部之環狀的連接墊部；於下層配線上形成下層絕緣膜之步驟；將具有半導體基板及設於該半導體基板下之複數個外部連接用電極的半導體構成體固定黏著於下層絕緣膜上，在至少該半導體構成體的周圍將絕緣膜形成於該下層絕緣膜上之步驟；除去基板，將該下層配線作為遮罩照射雷射光束，藉此在與該半導體構成體之該外部連接用電極對應的部分中於該下層絕緣膜形成開口部之步驟；於該下層配線之該連接墊部下、該連接墊部的該開口部內以及該下層絕緣膜之該開口部內，將連接構件透過該下層絕緣膜之該開口部而與該半導體構成體之該外部連接用電極連接，並且該下層配線之連接墊部以透過該連接構件而與該外部連接用電極連接的方式形成之步 驟，其中該半導體構成體之該外部連接用電極之直徑比該下層配線之環狀的連接墊部之外徑還小，比該下層配線之環狀的該連接墊部之內徑還大。
  13. 如申請專利範圍第12項之半導體裝置的製造方法，其中形成該下層配線的步驟係包含將於連接墊部中央部具有開口部之下層配線用上部金屬層形成用層、及該下層配線用上部金屬層形成用層下的下層配線用襯底金屬層形成用層於該下層絕緣膜下形成平面形狀之步驟。
  14. 如申請專利範圍第13項之半導體裝置的製造方法，其中形成該下層配線的步驟係包含將該下層配線用上部金屬層形成用層及下層配線用襯底金屬層形成用層圖案化而形成下層配線的步驟。
  15. 如申請專利範圍第13項之半導體裝置的製造方法，其中形成該下層配線的步驟係包含將該下層配線用襯底金屬層保持平面形狀，並將該下層配線用上部金屬層圖案化而形成下層配線的步驟。
  16. 如申請專利範圍第14或15項之半導體裝置的製造方法，其中形成該下層配線的步驟係包含準備基板的步驟、於該基板上形成該下層配線用上部金屬層形成用層及下層配線用襯底金屬層形成用層的步驟、及於該下層配線上形成該下層絕緣膜的步驟。
  17. 如申請專利範圍第16項之半導體裝置的製造方法，其中將該下層配線作為遮罩照射雷射光束並藉此於該下層絕 緣膜形成開口部之步驟，作為照射雷射光束前之步驟包含將該半導體構成體固定黏著於該下層絕緣膜上的步驟、及除去該基板的步驟。
  18. 如申請專利範圍第12至15項中任一項之半導體裝置的製造方法，其中形成該連接構件之步驟包含將於該下層配線之環狀的連接墊部下之連接構件，透過該下層配線之連接墊部的開口部及該下層絕緣膜之開口部而與該半導體構成體之外部連接用電極連接之步驟。
  19. 如申請專利範圍第18項之半導體裝置的製造方法，其中該連接構件係襯底金屬層及形成於該襯底金屬層下之上部金屬層的二層構造，形成該連接構件之步驟包含在該連接構件以外的領域中除去該下層配線之上部金屬層之步驟。
  20. 如申請專利範圍第12至15項中任一項之半導體裝置的製造方法，其中該半導體構成體之外部連接用電極係配線的圓形連接墊部或柱狀電極，該配線的圓形連接墊部或該柱狀電極的平面尺寸係比該下層配線之連接墊部的平面尺寸還小。
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