TWI398672B - 光準直及漫射膜及製造該膜之系統 - Google Patents

光準直及漫射膜及製造該膜之系統 Download PDF

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Adel F Bastawros
Kevin P Capaldo
Gheorghe Cojocariu
Ashwit Dias
John Graf
Emine Elif Gurel
Grant Hay
Marshall Gorden Jones
Karkala Arun Kumar
Todd Morris Loehr
Steven Alfred Tysoe
Masako Yamada
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Description

光準直及漫射膜及製造該膜之系統
本發明係關於一種光準直及漫射膜。更特定言之，本發明係關於一種製造該膜之系統。
已開發一光漫射膜用於接收光及漫射光。使用多個製造步驟來製造光漫射膜。首先，將複數個聚苯乙烯珠粒安置於丙烯酸酯溶液中。接著將丙烯酸酯溶液塗覆至塑料膜之表面。其後，加熱塑料膜以固化該丙烯酸酯並將聚苯乙烯珠粒鍵結(bond)至該塑料膜。光漫射膜之製造過程之顯著缺點在於其需要若干相對複雜之步驟來用丙烯酸酯溶液及聚苯乙烯珠粒塗佈該膜。此外，執行製造過程相對較昂貴。
因此，需要一可使用一簡化過程而不利用聚苯乙烯珠粒或丙烯酸酯溶液來製造之光漫射膜。
提供一種根據一例示性實施例之光準直及漫射膜。該膜包括一具有一第一側及一與該第一側相對之第二側及至少一第一圍緣(peripheral edge)的塑料層。該第一側具有一第一紋理表面，其中鄰近第一軸之第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。該第一軸大體上平行於第一圍緣。該塑料層準直傳播穿過其之光。
提供一種根據另一例示性實施例之用於製造光準直及漫射膜之方法。該方法包括擠壓熱塑料經過沖模以形成一塑料層。該塑料層具有一第一側及一與第一側相對的第二側及至少一第一圍緣。該塑料層沿第一軸及第二軸兩者延伸。該第一軸大體上平行於第一圍緣。該第二軸大體上垂直於該第一軸。該方法進一步包括將第一旋轉圓柱形滾筒及第二旋轉圓柱形滾筒中之至少一者冷卻至一預定溫度以下。該方法進一步包括在第一旋轉圓柱形滾筒與第二旋轉圓柱形滾筒之間移動塑料層。該第一圓柱形滾筒接觸塑料層之第一側且該第二圓柱形滾筒接觸第二側。第一圓柱形滾筒在塑料層之第一側上形成一第一紋理表面，其中鄰近第一軸之第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
提供一種根據另一例示性實施例之用於製造光準直及漫射膜之系統。該系統包括一經操作耦接至一沖模之擠壓機裝置。該擠壓機裝置壓迫熱塑料經過沖模以形成一塑料層。該塑料層具有一第一側及一與該第一側相對之第二側及至少一第一圍緣。該塑料層沿一第一軸及一第二軸兩者延伸。該第一軸大體上平行於第一圍緣。該第二軸大體上垂直於該第一軸。該系統進一步包括用於接收該塑料層之彼此鄰近而安置之第一圓柱形滾筒及第二圓柱形滾筒。該系統進一步包括一經配置以將第一圓柱形滾筒及第二圓柱形滾筒中之至少一者冷卻至一預定溫度以下的冷卻裝置。該第一圓柱形滾筒接觸該塑料層之第一側並在該塑料層之第一側上形成一第一紋理表面。該第二圓柱形滾筒接觸該塑料層之第二側，其中鄰近第一軸之第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
提供一種根據另一例示性實施例之用於製造光準直及漫射膜之方法。該方法包括加熱一具有一第一側及一與一第二側之塑料層。該塑料層具有一第一側及一與該第一側相對之第二側及至少一第一圍緣。該塑料層沿一第一軸及一第二軸兩者延伸。該第一軸大體上平行於該第一圍緣。該第二軸大體上垂直於該第一軸。該方法進一步包括將第一圓柱形滾筒及第二圓柱形滾筒中之至少一者加熱至一預定溫度以上。該方法進一步包括在第一旋轉圓柱形滾筒與第二旋轉圓柱形滾筒之間移動塑料層，其中該第一圓柱形滾筒接觸該塑料層之第一側且該第二圓柱形滾筒接觸第二側。第一圓柱形滾筒在鄰近該塑料層之第一軸的第一側上形成一第一紋理表面，其中鄰近該第一軸之第一紋理表面上之7%至20%的傾角之間具有一在零度與五度之間的值。
提供一種根據另一例示性實施例之用於製造光準直及漫射膜之系統。該系統包括一經配置以加熱一塑料層之第一加熱裝置。該塑料層具有一第一側及一與該第一側相對之第二側及至少一第一圍緣。該塑料層沿一第一軸及一第二軸兩者延伸。該第一軸大體上平行於該第一圍緣。該第二軸大體上垂直於該第一軸。該系統進一步包括用於接收該塑料層之彼此鄰近而安置之第一圓柱形滾筒及第二圓柱形滾筒。該系統進一步包括一經配置以加熱第一圓柱形滾筒及第二圓柱形滾筒中之至少一者的第二加熱裝置。該第一圓柱形滾筒接觸該塑料層之第一側並在該第一側上形成一第一紋理表面且該第二圓柱形滾筒接觸該塑料層之第二側，其中鄰近第一軸之第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
提供一種根據另一例示性實施例之用於在一光準直及漫射膜上形成一紋理表面的工具。該工具包括一繞第一軸而安置且具有一外部紋理表面及第一端與第二端之圓柱部分。該圓柱部分進一步包括一大體上垂直於第一端之大體上越過圓柱部分而延伸之鄰近該外部紋理表面而安置的第一線。該圓柱部分進一步包括一大體上距該第一端一預定距離之環繞該圓柱部分之周邊而延伸的第二線。該外部紋理表面具有複數個突出部分及複數個凹陷部分，其中每一突出部分自至少一相鄰凹陷部分向外延伸。該等複數個突出部分及該等複數個凹陷部分界定複數個傾角，其中鄰近該第一線或該第二線之外部紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
提供一種根據另一例示性實施例之用於在圓柱形滾筒上形成一紋理表面的方法。該圓柱形滾筒繞第一軸而安置且具有一外部紋理表面及第一端與第二端。該圓柱形滾筒進一步包括一大體上垂直於第一端之大體上越過圓柱部分而延伸之鄰近該外部紋理表面而安置的第一線。該圓柱形滾筒進一步包括一大體上距該第一端一預定距離之環繞該圓柱部分之周邊而延伸的第二線。該方法包括以預定轉速繞第一軸旋轉該圓柱形滾筒。該方法進一步包括發射一以預定強度接觸圓柱形滾筒之外表面的脈動能量射束並在該圓柱形滾筒旋轉期間將該能量射束自該圓柱形滾筒之第一端移動至該圓柱形滾筒之第二端。該能量射束移除部分外表面以獲得紋理表面，其中鄰近第一線或第二線之紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
提供一種根據另一例示性實施例之用於在圓柱形滾筒上形成一紋理表面之方法。該圓柱形滾筒繞第一軸而安置並具有一外部紋理表面及第一端與第二端。該圓柱形滾筒進一步包括一鄰近該外部紋理表面而安置的第一線。該第一線大體上垂直於第一端並大體上越過圓柱部分而延伸。該圓柱形滾筒進一步包括一大體上距該第一端一預定距離之環繞該圓柱部分之周邊而延伸的第二線。該方法包括在一電解流體中以預定轉速繞第一軸旋轉該圓柱形滾筒。該圓柱形滾筒係電接地的。該方法進一步包括將一預定電流密度應用於該電解流體，其中在該流體中之金屬離子鍵結至圓柱形滾筒之外表面以形成紋理表面，其中鄰近第一線或第二線之紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
提供一種根據另一例示性實施例之用於在圓柱形滾筒上形成一紋理表面的方法。該圓柱形滾筒繞第一軸而安置且具有一外部紋理表面及第一端與第二端。該圓柱形滾筒進一步包括一鄰近該外部紋理表面而安置的第一線。該第一線大體上垂直於第一端並大體上越過圓柱部分而延伸。該圓柱形滾筒進一步包括一大體上距該第一端一預定距離之環繞該圓柱部分之周邊而延伸的第二線。該方法進一步包括在一含有金屬離子及非金屬粒子之流體中以預定轉速繞第一軸旋轉該圓柱形滾筒。該方法進一步包括將該等金屬離子及非金屬粒子化學鍵結至圓柱形滾筒之外表面以形成紋理表面，其中鄰近第一線或第二線之紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
提供一種根據另一例示性實施例之用於在圓柱形滾筒上形成一紋理表面的方法。該圓柱形滾筒繞第一軸而安置且具有一外部紋理表面及第一端與第二端。該圓柱形滾筒進一步包括一鄰近該外部紋理表面而安置的第一線。該第一線大體上垂直於第一端並大體上越過圓柱部分而延伸。該圓柱形滾筒進一步包括一大體上距該第一端一預定距離之環繞該圓柱部分之周邊而延伸的第二線。該方法包括以預定轉速繞第一軸旋轉該圓柱形滾筒。該方法進一步包括在圓柱形滾筒上塗覆一絕緣流體(dielectric fluid)。該方法進一步包括自鄰近該圓柱形滾筒而安置之一或多個電極反覆放出電火花。電火花接觸加熱並熔合該圓柱形滾筒上之一預定數量之金屬的該圓柱形滾筒之外表面以形成紋理表面。在該圓柱形滾筒旋轉期間將電火花自該圓柱形滾筒之第一端移動至該圓柱形滾筒之第二端，其中鄰近第一線或第二線之紋理表面上之7%至20%之間的傾角具有一在零度與五度之間的值。
提供一種根據另一例示性實施例之用於在圓柱形滾筒上形成一紋理表面的方法。該圓柱形滾筒繞第一軸而安置且具有一外部紋理表面及第一端與第二端。該圓柱形滾筒進一步包括一鄰近該外部紋理表面而安置的第一線。該第一線大體上垂直於第一端並大體上越過圓柱部分而延伸。該圓柱形滾筒進一步包括一大體上距該第一端一預定距離之環繞該圓柱部分之周邊而延伸的第二線。該方法包括以預定轉速繞第一軸旋轉該圓柱形滾筒。該方法進一步包括使用一切割工具以一預定頻率反覆接觸該圓柱形滾筒之外表面。該切割工具在該圓柱形滾筒旋轉期間自該圓柱形滾筒之第一端移動至該圓柱形滾筒之第二端。該切割工具移除部分外表面以獲得紋理表面，其中鄰近第一線或第二線之紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
提供一種根據另一例示性實施例之用於在圓柱形滾筒上形成一紋理表面的方法。該圓柱形滾筒繞第一軸而安置且具有一外部紋理表面及第一端與第二端。該圓柱形滾筒進一步包括一鄰近該外部紋理表面而安置的第一線。該第一線大體上垂直於第一端並大體上越過圓柱部分而延伸。該圓柱形滾筒進一步包括一大體上距該第一端一預定距離之環繞該圓柱部分之周邊而延伸的第二線。該方法包括用抗化學層塗佈該圓柱形滾筒，其中在預定位置處去除該抗化學層以曝露處於預定位置下面的圓柱形滾筒表面。該方法進一步包括在一含有蝕刻溶液之容器中以預定轉速繞第一軸旋轉該圓柱形滾筒。該蝕刻溶液移除處於預定位置之部分圓柱形滾筒以獲得紋理表面，其中鄰近第一線或第二線之紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
提供一種根據另一例示性實施例之背面照明裝置(back lighted device)。該背面照明裝置包括一光源。該背面照明裝置進一步包括一用於接收來自該光源之光的鄰近該光源而安置之光導。該背面照明裝置進一步包括至少一具有一第一側及與該第一側相對之第二側及至少一第一圍緣之塑料層。該第一側具有一第一紋理表面，其中鄰近第一軸之第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值，該第一軸大體上平行於該第一圍緣，其中該塑料層準直傳播穿過其之光。
提供一種根據另一例示性實施例之光準直及漫射膜。該膜包括一整體層，其中大於或等於該整體層總質量之80%包含一聚碳酸酯化合物。該整體層具有一第一側及與該第一側相對之第二側及至少一第一圍緣。該第一側具有一第一紋理表面，其中鄰近第一軸之第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。該第一軸大體上平行於該第一圍緣。該塑料層準直傳播穿過其之光。
熟習此項技術者在參閱以下圖式及詳細描述後將易於瞭解根據實施例之其它系統及/或方法。意欲使所有此等額外系統及方法在本發明之範疇內且受隨附申請專利範圍保護。
參看圖1及圖2，說明一用於照明一液晶顯示裝置(未圖示)之背面照明裝置20。背面照明裝置20包括一光源22、一反射膜24、一光導26、一光準直及漫射膜28、一光準直膜30、一光準直膜32及一光漫射膜34。如所示，光源22安置於光導26之第一端處。此外，反射膜24鄰近光導26之第一側而安置。光準直及漫射膜28之第一側鄰近光導26之第二側而安置且利用柱36、38與光導26間隔。柱36、38在光導26與膜28之間形成一氣隙40。光準直膜30鄰近膜28之第二側而安置。最後，光準直膜32鄰近光準直膜30而安置且光漫射膜34鄰近光準直膜32而安置。
現將解釋傳播穿過光導26與光準直及漫射膜28兩者之例示性光束的路徑。光源22發射一傳播穿過光導26且於其中朝向大體上垂直於光導26之頂面的軸44而折射之光束42。當光束42射出光導26及氣隙40時，光束42以約45度遠離軸44而折射。當光束42進入光準直及漫射膜28時，膜28朝向軸44折射光束42。此後，當光束42射出膜28時，光束以約31度遠離軸44而折射。此後，光束42以相對於軸44之31度角進入光準直膜30之底側且傳播穿過膜30。膜30將在其頂面處之光束折射至相對於軸44之零度角。因為光束以相對於軸44之零度角進入膜32，所以膜32提供一沿軸44之相對較高的亮度。
參看圖2及圖3，現將更詳細地解釋光準直及漫射膜28。膜28用於朝向軸44而折射光束。膜28由一厚度介於0.025毫米至10毫米之間之整體塑料層建構。當然，膜28可使用小於0.025毫米或大於10毫米之厚度來建構。膜28具有一安置於塑料層中之光學增亮劑化合物，其中光學增亮劑化合物之質量介於該塑料層之總質量的0.001%至1%之間。膜28進一步包括一安置於塑料層中之諸如氟化磺酸鏻之抗靜電化合物。氟化磺酸鏻具有一通式：{CF3 (CF2 )n (SO3 )}θ {P(R1 )(R2 )(R3 )(R4 )}Φ ，其中F為氟；n為自1至12之整數；S為硫；R1 、R2 及R3 為相同元素，每一元素具有一由1至8個碳原子組成之脂肪烴基或一由6至12個碳原子組成之芳烴基；且R4 為一由1至18個碳原子組成之烴基。膜28進一步包括一安置於塑料層中之紫外線(UV)吸收劑化合物，其中UV吸收劑化合物之質量介於塑料層總質量之0.01%至1.0%之間。膜28包括一具有複數個突出部分52及複數個凹陷部分54之紋理頂面46。複數個突出部分52之平均高度介於該等複數個突出部分之平均寬度之25%至75%之間。此外，複數個突出部分52之平均寬度介於0.5微米至100微米之間。突出部分52及凹陷部分54分佈於頂面46上以獲得一所要的傾角分佈。
傾角分佈為沿光準直及漫射膜28上之至少一預定軌跡的複數個傾角之分佈。此外，使用以下等式來計算每一傾角(Φ)：傾角Φ＝arc tan|△h/△w|，其中：(△w)表示一沿紋理表面46之預定寬度，諸如0.5微米；(△h)表示一在(i)紋理表面46上沿寬度(△w)之最低位置與(ii)紋理表面46上沿寬度(△w)之最高位置之間的高度差。
可自使用一由日本東京Kosaka Laboratory有限公司所製造之Surfcoder ET 4000器具所產生之過濾過的二維表面輪廓資料計算塑料膜之本專利申請案中所報告之傾角。Surfcoder ET 4000器具之操作設定如下：截止值＝0.25 mm，樣本長度及測量長度(Evaluation Length)皆設定為10 mm。速度設定為0.1 mm/秒，其中在8000個等距點處獲得輪廓資料。
可自使用一亦由Kosaka Laboratory有限公司所製造之Surfcoder SE 1700α器具所產生之過濾過的二維表面輪廓資料計算圓柱形滾筒之本專利申請案中所報告之傾角。Surfcoder SE 1700α器具之操作設定如下：測量長度＝7.2 mm，截止值Lc＝0.800 mm。速度設定為0.500 mm/秒，其中在14400個點處獲得輪廓資料。
可沿塑料層上之預定參考軌跡或線來判定傾角分佈。或者，可使用多個參考軌跡或線來判定塑料層之整個表面上的傾角分佈。
舉例而言，參看圖6及圖8，可沿紋理表面46上之預定軌跡(諸如一平行於膜28之邊緣61之軸62或一垂直於軸62之軸60)來計算複數個傾角(Φ)。或者，可沿線80或線82來計算複數個傾角(Φ)。在一或多個前述軌跡中，所要之傾角分佈包含7%至20%之傾角具有一在零度與五度之間的值。
參看圖4，說明了一圖表，該圖表說明根據一例示性實施例之膜28之第一側上的紋理表面46上之傾角分佈。本文中發明者已認識到當紋理表面46上之20%或小於20%之傾角且較佳為紋理表面46上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值時，相鄰亮度增加膜(例如膜30及膜32)具有相對於軸44之增加之亮度。
參看圖1及圖2，紋理頂面46上之在零度與五度之間之傾角的百分比控制射出膜28並進入光準直膜30之光之角度。當表面46上之傾角之百分比為約16%時，光以如所示之相對於軸44之31度角射出膜28。在一替代實施例中，若需要光以相對於軸44之大於31度的角射出膜28，則可以具有一在零度與五度之間之值的大於16%之傾角來建構膜28。在另一替代實施例中，若需要光以相對於軸44之小於31度的角射出膜28，則可以具有一在零度與五度之間之值的小於16%之傾角來建構膜28。
參看圖3，膜28亦具有一在膜28之第二側上之紋理表面48。紋理表面48具有一傾角分佈，其中在紋理表面48上之大於或等於70%之傾角具有一在零度與五度之間的值。
參看圖9，說明一用於製造一可隨後被切割成一預定形狀以形成光準直及漫射膜28之紋理塑料層106的熔合壓光系統100。熔合壓光系統100包括一擠壓裝置102、一沖模104、圓柱形滾筒64、108、110、112、114、116、一圓柱形線軸118、一滾筒冷卻系統120、一膜厚度掃描器122、馬達124、126、128及一控制電腦130。
提供擠壓裝置102以將塑料加熱至一預定溫度以上以誘發塑料具有一液態。擠壓裝置102可經操作耦接至沖模104及控制電腦130。回應於來自控制電腦130之控制訊號(E)，擠壓裝置102將其中之塑料加熱至一預定溫度以上並壓迫塑料經過沖模104以形成塑料層106。
提供圓柱形滾筒64、108以自沖模104在其間接收塑料層106並在塑料層106之至少一側上形成一紋理表面。圓柱形滾筒64、108較佳由鋼建構且經操作耦接至滾筒冷卻系統120。當然，在一替代實施例中，圓柱形滾筒64、108可由熟習此項技術者已知之其它金屬材料或非金屬材料建構。滾筒冷卻系統120將滾筒64、108之溫度維持在一預定溫度以下以當塑料層106通過滾筒64、108之間時固化塑料層106。圓柱形滾筒64具有一紋理表面107，其中在紋理表面107上或沿紋理表面107上之至少一軌跡的7%至20%之傾角具有一在零度與五度之間的值。因此，當圓柱形滾筒64接觸塑料層106之第一側時，圓柱形滾筒64在塑料層106上形成一紋理表面，其中在塑料層106之紋理表面46上或沿紋理表面46上之至少一軌跡的7%至20%之傾角具有一在零度與五度之間的值。
參看圖5及圖7，可沿一越過外表面107之預定軌跡(諸如一垂直於端211之大體上越過滾筒64而延伸的線68或一大體上距端211一預定距離之環繞滾筒64之周邊而延伸的線62)來判定圓柱形滾筒64之傾角(Φ)。或者，可沿線84或線86來判定圓柱形滾筒64之傾角(Φ)。
圓柱形滾筒110、112經配置以在層106已通過滾筒64、108之間後接收塑料層106。圓柱形滾筒110之位置可經調節成改變接觸圓柱形滾筒108的塑料層106之表面區域之數量。圓柱形滾筒110經操作耦接至將滾筒110之溫度維持在一預定溫度以下以固化塑料層106的滾筒冷卻系統120。圓柱形滾筒112接收滾筒110之下游的塑料層106之一部分並引導塑料層106朝向圓柱形滾筒114、116移動。
提供圓柱形滾筒114、116以在其間接收塑料層106並朝向圓柱形線軸118而移動塑料層106。圓柱形滾筒114、116分別經操作耦接至馬達126、124。控制電腦130產生分別誘發馬達124、126沿預定方向旋轉滾筒116、114以壓迫塑料層106朝向線軸118移動之控制訊號(M1)、(M2)。
提供圓柱形線軸118以接收紋理塑料層106並形成一捲塑料層106。圓柱形滾筒線軸118經操作耦接至馬達128。控制電腦130產生一誘發馬達128沿預定方向旋轉線軸118以形成一捲塑料層106之控制訊號(M3)。
提供膜厚度掃描器122以在層106被圓柱形滾筒114、116接收之前量測塑料層106之厚度。膜厚度掃描器122產生一傳輸至控制電腦130的可指示塑料層106之厚度的訊號(T1)。
參看圖10，說明一用於製造一隨後可被切割成預定形狀以形成膜28之塑料層154的壓印系統150。壓印系統150包括一圓柱形線軸152、一膜加熱裝置156、圓柱形滾筒64、160、162、164、166、168、一圓柱形線軸170、一滾筒加熱系統172、一膜厚度掃描器174、馬達176、178、180及一控制電腦182。
提供圓柱形線軸152以於其上固持塑料層154。當圓柱形線軸152旋轉時，塑料層154之一部分自線軸152鬆開且朝向圓柱形滾筒64、160移動。
提供膜加熱裝置156以當塑料層154自圓柱形線軸152朝向圓柱形滾筒64、160移動時加熱塑料層154。控制電腦182產生一傳輸至膜加熱裝置156以誘發裝置156將塑料層154加熱至一預定溫度以上的訊號(H1)。
提供圓柱形滾筒64、160以自圓柱形線軸152在其間接收塑料層154並在塑料層154之至少一側上形成一紋理表面。圓柱形滾筒64、160較佳由鋼建構且經操作耦接至滾筒加熱系統172。當然，在一替代實施例中，圓柱形滾筒64、160可由熟習此項技術者已知之其它金屬材料或非金屬材料建構。滾筒加熱系統172將滾筒64、160之溫度維持在一預定溫度以上以當塑料層154通過滾筒64、160之間時至少部分熔合塑料層154。圓柱形滾筒64具有一外部紋理表面107，其中紋理表面107上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。因此，當圓柱形滾筒64接觸塑料層154之第一側時，圓柱形滾筒64在塑料層154上形成一紋理表面，其中層154之頂面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
圓柱形滾筒162、164經配置以在層154已通過滾筒64、160之間後接收塑料層154。圓柱形滾筒162之位置可經調節成改變接觸圓柱形滾筒160的塑料層154之表面區域之數量。圓柱形滾筒164接收滾筒162之下游的塑料層154之一部分並引導塑料層154朝向圓柱形滾筒166、168移動。
提供圓柱形滾筒166、168以接收塑料層154並朝向圓柱形線軸170移動塑料層154。圓柱形滾筒166、168分別經操作耦接至馬達178、176。控制電腦182產生分別誘發馬達176、178沿預定方向旋轉滾筒168、166以壓迫塑料層154朝向線軸170移動之控制訊號(M4)、(M5)。
提供圓柱形線軸170以接收塑料層154並形成一捲塑料層154。圓柱形線軸170經操作耦接至馬達180。控制電腦182產生一誘發馬達180沿預定方向旋轉線軸170以形成一卷塑料層154之控制訊號(M6)。
提供膜厚度掃描器174以在層154被圓柱形滾筒114、116接收之前量測塑料層154之厚度。膜厚度掃描器174產生一傳輸至控制電腦182的可指示塑料層154之厚度的訊號(T2)。
參看圖11，說明一根據一例示性實施例之用於在圓柱形滾筒64上形成一紋理表面的系統200。具有一紋理表面之圓柱形滾筒64可用於熔合壓光系統100或壓印系統150以形成一用於獲得膜28之紋理塑料層。系統200包括一雷射器202、一線性致動器204、一馬達206及一控制電腦208。
提供雷射器202以發射一以預定強度接觸外表面以移除部分外表面209以於其上獲得一紋理表面之脈動雷射束。由雷射器202發射之雷射束具有一在圓柱形滾筒64之外表面209處的介於0.005毫米至0.5毫米之間之焦點直徑。此外，雷射束具有經介於0.1微秒至100微秒之間之時間週期所傳遞的用於圓柱形滾筒64之預定區域的介於0.05焦耳至1.0焦耳之間之能級(energy level)。雷射器202經操作耦接至控制電腦208並回應於自控制電腦208接收到之控制訊號(Cl)而產生雷射束。雷射器202包含一經配置以發射一具有1.06微米波長之雷射束的釹(Nd)：釔、鋁、石榴石(YAG)雷射器。然而，應瞭解可利用能夠在圓柱形滾筒上形成所要之紋理表面的任一雷射源。在一替代實施例中，雷射器202可用經配置以在圓柱形滾筒上形成所要之紋理表面的電子束發射裝置來替代。在又一替代實施例中，雷射器202可用經配置以在圓柱形滾筒上形成所要之紋理表面的離子束發射裝置來替代。
線性致動器204經操作耦接至雷射器202以用於沿軸203移動雷射器202。軸203大體上平行於圓柱形滾筒64之外表面209。線性致動器204以一介於0.001毫米每秒至0.1毫米每秒之間的速度相對於圓柱形滾筒64移動雷射器202。在一替代實施例中，線性致動器204可耦接至圓柱形滾筒64以沿相對於固定雷射器之軸向移動滾筒64。
在線性致動器204正沿軸203將雷射器202自滾筒64之端211移動至滾筒64之端213的同時，馬達206經操作耦接至圓柱形滾筒64以旋轉滾筒64。控制電腦208產生一誘發馬達206以一預定速度旋轉圓柱形滾筒64之訊號(M7)。詳言之，馬達206旋轉圓柱形滾筒64，使得外表面209之線速度介於25毫米每秒至2500毫米每秒之間。
參看圖12，說明圓柱形滾筒64之紋理表面209之一部分的橫截面圖。利用能量射束雕刻系統200獲得紋理表面209。紋理表面209具有一傾角分佈，其中紋理表面209上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
參看圖13，說明自一由圓柱形滾筒64形成之紋理塑料層切割而得到的光準直及漫射膜28之紋理表面215之一部分的橫截面圖。膜28具有一傾角分佈，其中膜28上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
參看圖14，說明根據另一例示性實施例之用於在圓柱形滾筒251上形成一紋理表面的系統230。圓柱形滾筒251可用於熔合壓光系統100或壓印系統150以形成一可隨後被切割成預定形狀以獲得一具有上述膜28之物理特性之膜的紋理塑料層。系統230包括一罩殼232、一馬達242、一泵244、一溫度控制單元246、一粒子及金屬離子補給單元248及一控制電腦250。
罩殼232界定一用於接收圓柱形滾筒251之內部區域234。罩殼232保存一含有複數個金屬離子236及複數個非金屬粒子238之流體。非金屬粒子具有介於1微米至100微米之間之尺寸或直徑。非金屬粒子包含矽石粒子。該等矽石粒子可為固體矽石粒子、中空矽石粒子或多孔矽石粒子。在一替代實施例中，非金屬粒子包含氧化鋁粒子。該等氧化鋁粒子可為固體氧化鋁粒子、中空氧化鋁粒子或多孔氧化鋁粒子。在又一替代實施例中，非金屬粒子包含金剛石粒子。金屬離子包含鎳離子及鎳合金離子。當在罩殼232內將流體維持在一所要之溫度時，該流體中之非金屬粒子及金屬離子化學鍵結至圓柱形滾筒251之外表面253以形成一紋理表面。在該流體內旋轉圓柱形滾筒251以獲得一紋理表面，其中紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
馬達242經操作耦接至圓柱形滾筒251且經提供來以一預定轉速旋轉圓柱形滾筒251。馬達242安置於罩殼232內。在一替代實施例中，馬達242安置於罩殼232之外部，其具有一延伸經由耦接至圓柱形滾筒251之罩殼232以用於旋轉滾筒251之機械軸(未圖示)。控制電腦250產生一誘發馬達242以預定轉速旋轉圓柱形滾筒251之訊號(M8)。
提供泵244以經由溫度控制單元246與粒子及金屬離子補給單元248自罩殼232抽汲含有非金屬粒子及金屬離子之流體。詳言之，控制電腦250產生一誘發泵244經由單元246及單元248自罩殼232抽汲該流體並返回至內部區域234之訊號(P1)。
溫度控制單元246經操作耦接至泵244並自泵244接收含有非金屬粒子及金屬離子之流體。提供溫度控制單元246以將正經由其而被抽汲之流體的溫度控制在一允許非金屬粒子及金屬離子共沈積於圓柱形滾筒251之外表面253上的所要之溫度。溫度控制單元246監視經由其之泵中之流體的溫度並將流體之溫度增加或減少至所要之溫度。
粒子及金屬離子補給單元248經操作耦接至溫度控制單元246且自單元246接收含有非金屬粒子及金屬離子之流體。單元248監視在粒子及金屬離子共沈積於表面253上期間的非金屬粒子及金屬離子之濃度。將瞭解當非金屬粒子及金屬離子鍵結至滾筒251之外表面253時，流體中之非金屬粒子及金屬離子之濃度將減小。單元248量測正經由其抽汲之流體中之非金屬粒子及金屬離子的濃度且將一額外數量之非金屬粒子及金屬離子添加至流體以維持每一材料之所要之濃度。在單元248調節流體後，將該流體投送至罩殼232之內部區域234。
參看圖15，說明圓柱形滾筒251之紋理表面253之一部分的橫截面圖。利用粒子及金屬離子共沈積系統230獲得紋理表面253。紋理表面253具有一傾角分佈，其中紋理表面253上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
參看圖16，說明自一由圓柱形滾筒251形成之紋理塑料層切割而得到的光準直及漫射膜之紋理表面254之一部分的橫截面圖。紋理表面254具有一傾角分佈，其中紋理表面28上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
參看圖17，說明根據另一例示性實施例之用於在圓柱形滾筒278上形成一紋理表面的系統270。圓柱形滾筒278可用於熔合壓光系統100或壓印系統150以形成一用於獲得一具有大體上類似於上述膜28之物理特性之膜的紋理塑料層。系統270包括一罩殼272、一馬達280、一電流源282及一控制電腦284。
罩殼272界定一用於接收圓柱形滾筒278之內部區域274。罩殼272保存一含有複數個金屬離子276之電解流體。在一實施例中，複數個金屬離子276包含鉻離子。當在電解流體中應用一預定電流密度時，金屬離子276鍵結至圓柱形滾筒278之外表面279以形成一紋理表面。在電解流體內旋轉圓柱形滾筒278以獲得一紋理表面，其中該紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
馬達280經操作耦接至圓柱形滾筒278且經提供來以一預定轉速將圓柱形滾筒278旋轉一預定時間週期。舉例而言，馬達280可以一介於1轉每分鐘至10轉每分鐘之間之轉速將圓柱形滾筒278旋轉一介於0.5小時至50小時之間的時間週期。馬達280安置於罩殼272內。在一替代實施例中，馬達280安置於罩殼272之外部，其具有一延伸經由耦接至圓柱形滾筒278之罩殼272以用於旋轉滾筒278之機械軸(未圖示)。詳言之，控制電腦284產生一誘發馬達280以所要之轉速旋轉圓柱形滾筒278之訊號(M9)。
提供電流源282以應用一經由電解流體之預定電流密度以誘發電解流體中之金屬離子黏附至圓柱形滾筒278之外表面279。電流源282電耦接於浸於電解流體中之金屬棒275與圓柱形滾筒278之間。電流源282經進一步操作耦接至控制電腦284。控制電腦284產生一誘發電流源282產生經由電解流體之電流的控制訊號(I1)。在一實施例中，電流源282產生一在電解流體中之介於0.001安培每平方毫米至0.1安培每平方毫米之間的電流密度以誘發電解流體中之金屬離子黏附至圓柱形滾筒278。
參看圖18，說明根據另一例示性實施例之用於在圓柱形滾筒318上形成一紋理表面的系統300。圓柱形滾筒318可用於熔合壓光系統100或壓印系統150以形成可隨後被切割成預定形狀以獲得一具有大體上類似於上述膜28之物理特性之膜的紋理塑料層。系統300包括雕刻裝置302、一線性致動器312、一馬達314及一控制電腦316。
提供雕刻裝置302以在一預定頻率下反覆接觸圓柱形滾筒318之外表面319以移除部分外表面319來獲得一紋理表面。詳言之，該預定頻率較佳介於1000 KHz至1500 KHz之間。雕刻裝置302包括一壓電傳感器單元304、一往復式部件306、一切割工具固持器308及一切割工具310。
提供壓電傳感器單元304以回應自控制電腦316接收之控制訊號(P)而以預定頻率沿軸307向上及向下反覆移動往復式部件306。往復式部件306經進一步操作耦接至固持一切割工具310之切割工具固持器308之第一端。
參看圖19及圖20，提供切割工具310以移除圓柱形滾筒318之部分外表面319。切割工具310由一具有一介於2微米至30微米之間之齒頂圓直徑(tip diameter)(D1)的金剛石建構。切割工具310具有一繞工具310之中心點延伸160度之切割表面311。當正以預定速度旋轉外表面319時，工具310之切割表面311反覆接觸外表面319。
線性致動器312經操作耦接至雕刻裝置302以用於沿軸303移動雕刻裝置302。軸303大體上平行於圓柱形滾筒318之外表面319。線性致動器312以一預定的確定之軸向速度相對於圓柱形滾筒318將雕刻裝置302自圓柱形滾筒318之第一端321移動至圓柱形滾筒318之第二端323。在一替代實施例中，線性致動器312可耦接至圓柱形滾筒318以沿軸向相對於固定雕刻裝置移動滾筒318。
在線性致動器312正沿軸303將雕刻裝置302自端321移動至端323的同時，馬達314經操作耦接至圓柱形滾筒318以旋轉滾筒318。控制電腦316產生一誘發馬達314以預定轉速旋轉圓柱形滾筒318之訊號(M10)。詳言之，馬達314以一介於10轉每分鐘至200轉每分鐘之間之轉速旋轉圓柱形滾筒318。
參看圖21，說明根據另一例示性實施例之用於在圓柱形滾筒340上形成一紋理表面的系統330。圓柱形滾筒340可用於熔合壓光系統100或壓印系統150以形成一可隨後被切割成預定形狀以獲得一具有大體上類似於上述膜28之物理特性之膜的紋理塑料層。系統330包括一罩殼332、一馬達336及一控制電腦338。
在解釋系統330之操作前，將提供對圓柱形滾筒340之結構的簡要解釋。參看圖22，圓柱形滾筒340具有一塗佈有抗化學層343之大體上圓柱形之內部部分342。抗化學層343包含一塑料層。在一替代實施例中，抗化學層343包含一蠟層。在又一替代實施例中，抗化學層343包含一光阻層。在抗化學層343塗佈圓柱形滾筒340後，移除在預定位置(如位置346)處之部分層343。使用諸如雷射之能量射束在預定位置處移除部分層343。在一替代實施例中，使用一具有大於抗化學層343但小於圓柱形內部部分342之硬度的硬度之工具(未圖示)在預定位置處移除部分層343。在又一替代實施例中，使用熟習此項技術者已知之微影製程在預定位置處移除抗化學層343。
罩殼332界定一用於接收圓柱形滾筒340之內部區域334。罩殼332保存一用於移除圓柱形滾筒340之內部部分342之曝露部分的蝕刻溶液。該蝕刻溶液包括硝酸，其中蝕刻溶液之質量的5%至25%為硝酸。在一替代實施例中，蝕刻溶液包括鹽酸，其中蝕刻溶液之質量的5%至25%為鹽酸。當圓柱形滾筒340在該蝕刻溶液內旋轉時，蝕刻溶液移除鄰近位置346之部分圓柱形滾筒340以形成一紋理表面，其中該紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
馬達336經操作耦接至圓柱形滾筒340且經提供來以一預定轉速旋轉圓柱形滾筒340。馬達336安置於罩殼332內。在一替代實施例中，馬達336安置於罩殼332之外部，其具有一延伸經由耦接至圓柱形滾筒340之罩殼332以用於旋轉滾筒340之機械軸(未圖示)。控制電腦338產生一誘發馬達336以預定轉速旋轉圓柱形滾筒341之訊號(M11)。詳言之，馬達336可以一介於1轉每分鐘至50轉每分鐘之間之轉速來旋轉圓柱形滾筒341。
參看圖23，說明根據另一例示性實施例之用於在圓柱形滾筒390上形成一紋理表面的系統370。圓柱形滾筒390可用於熔合壓光系統100或壓印系統150以形成一可隨後被切割成預定形狀以獲得一具有大體上類似於上述膜28之物理特性之膜的紋理塑料層。系統370包括一電極或一電極陣列372、一電壓源374、一線性致動器376、一馬達378、一泵382、一過濾器384、一絕緣流體源386及一控制電腦388。
提供電極372以反覆放出接觸外表面391以移除部分表面391來獲得一紋理表面之電火花。電極372經操作耦接至電壓源374且接收一來自電壓源374之電壓以產生一具有介於100伏特至1000伏特之間之電壓的電火花。電壓源374經操作耦接至控制電腦388。控制電腦388產生一誘發電壓源374將一預定電壓施加至電極372之訊號(V2)。電極372經進一步操作耦接至線性致動器376。當圓柱形滾筒390正在旋轉時，電極372沿軸373移動且反覆放出電火花以移除部分圓柱形滾筒390來形成一紋理表面，其中該紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
提供泵382以自絕緣流體儲集器386經由過濾器384並最終經由噴嘴380來抽汲一絕緣流體。噴嘴380引導絕緣流體流至圓柱形滾筒390之外表面391上。絕緣流體用於將經由其之電火花傳導至圓柱形滾筒390之外表面391。噴嘴380經進一步操作耦接至線性致動器376。
線性致動器376經操作耦接至電極372及噴嘴380兩者。線性致動器376沿大體上平行於圓柱形滾筒390之外表面的軸373移動電極372及噴嘴380。詳言之，線性致動器376沿軸373將電極372及噴嘴380自圓柱形滾筒390之第一端393移動至圓柱形滾筒390之第二端395。
在線性致動器376正沿軸373將電極372及噴嘴380兩者自端393移動至端395的同時，馬達378經操作耦接至圓柱形滾筒390以旋轉滾筒390。控制電腦388產生一誘發馬達378以預定轉速旋轉圓柱形滾筒390之訊號(M12)。
光準直及漫射膜及製造該膜之方法表現出相對於其它系統及方法之實質優點。詳言之，該系統及方法具有一提供一塑料層之的技術效應，該塑料層具有易於製造而無需將諸如聚苯乙烯珠粒或丙烯酸酯溶液之任一額外材料添加至塑料層的能夠漫射光的紋理表面。
雖然參考例示性實施例描述本發明，但是熟習此項技術者將瞭解可做出各種改變且可用等效物替代其元件而不偏離本發明之範疇。另外，可對本發明之教示做出許多修正以適應特定情況而不偏離其範疇。因此，期望使本發明不限於所揭示之用於進行本發明之實施例，但本發明包括所有屬於期望之申請專利範圍之範疇的實施例。此外，術語"第一"、"第二"等之使用不表示重要性之任一次序，而是使用術語"第一"、"第二"等來區別一元件與另一元件。
20．．．背面照明裝置
22．．．光源
24．．．反射膜
26．．．光導
28．．．光準直及漫射膜/塑料層
30．．．光準直膜/光引導膜
32．．．光準直膜
34．．．光漫射膜
36,38．．．柱
40．．．氣隙
42．．．光束
44,50,203,303,307,373．．．軸
46．．．紋理表面/紋理頂面/第一側
48．．．紋理表面/第二側
52．．．突出部分
54．．．凹陷部分
60．．．第二軸
61．．．第一圍緣/邊緣
62．．．第一軸/線
64．．．圓柱形滾筒/圓柱部分
66．．．第一軸
108,110,112,114,116,160,162,164,166,168,251,278,318,390．．．圓柱形滾筒
68．．．第一線
70．．．第二線
80,82,84,86．．．線
100．．．熔合壓光系統
102．．．擠壓裝置
104．．．沖模
106．．．塑料層/塑料
107．．．紋理表面/外表面
118．．．圓柱形線軸/接收線軸
120．．．滾筒冷卻系統/冷卻裝置
122．．．膜厚度掃描器
124,126,242,280,314,336,378．．．馬達
128．．．馬達/捲繞裝置
130,182,208,250,284,316,338,388．．．控制電腦
150．．．壓印系統
152,170．．．圓柱形線軸
154．．．塑料層
156．．．膜加熱裝置/第一加熱裝置
172．．．滾筒加熱系統/第二加熱裝置
174．．．膜厚度掃描器
176,178,206．．．馬達
180．．．馬達/捲繞裝置
200．．．能量射束雕刻系統
202．．．雷射器
204,312．．．線性致動器
209,215．．．紋理表面
211．．．第一端
213．．．第二端
230．．．粒子及金屬離子共沈積系統
232,272．．．罩殼
332．．．罩殼/容器
234．．．內部區域
236,276．．．金屬離子
238．．．非金屬粒子
244．．．泵
246．．．溫度控制單元
248．．．粒子及金屬離子補給單元
253．．．圓柱形滾筒/紋理表面
254．．．紋理表面
270,300,330,370．．．系統
274．．．內部區域
275．．．金屬棒
279．．．外表面/圓柱形滾筒
282．．．電流源
302．．．雕刻裝置
304．．．壓電傳感器單元
306．．．往復式部件
308．．．切割工具固持器
310．．．切割工具
311．．．切割表面
319．．．外表面
321．．．第一端
323．．．第二端
393．．．第一端
395．．．第二端
334．．．內部區域
340,341．．．圓柱形滾筒
342．．．圓柱形內部部分
343．．．抗化學層
346．．．位置
372．．．電極/電極陣列
374．．．電壓源
376．．．線性致動器
380．．．噴嘴
382．．．泵
384．．．過濾器
386．．．絕緣流體儲集器/絕緣流體源
391．．．外表面
Φ．．．傾角
△w．．．預定寬度
△h．．．高度差
圖1為根據一例示性實施例之背面照明裝置的分解圖；圖2為圖1之背面照明裝置之一部分的示意圖；圖3為根據另一例示性實施例之圖1之背面照明裝置中所利用的光準直及漫射膜之橫截面示意圖；圖4為指示在光準直及漫射膜之前表面上之斜率分佈的圖表；圖5為說明用於判定傾角分佈之例示性軌跡的圓柱形滾筒之俯視圖；圖6為說明用於判定傾角分佈之例示性軌跡的光準直及漫射膜之俯視圖；圖7為說明用於判定傾角分佈之例示性軌跡的圓柱形滾筒之俯視圖；圖8為說明用於判定傾角分佈之例示性軌跡的光準直及漫射膜之俯視圖；圖9為根據另一例示性實施例之用於製造一光準直及漫射膜之熔合壓光系統的示意圖；圖10為根據另一例示性實施例之用於製造一光準直及漫射膜之壓印系統的示意圖；圖11為根據另一例示性實施例之用於獲得圓柱形滾筒上之一紋理表面的能量射束雕刻系統之示意圖；圖12為使用圖11之能量射束雕刻系統而獲得的圓柱形滾筒上之一紋理表面的示意圖；圖13為使用圖12之圓柱形滾筒而獲得的一光準直及漫射膜上之一紋理表面的示意圖；圖14為根據另一例示性實施例之用於獲得圓柱形滾筒上之一紋理表面的粒子及金屬離子共沈積系統之示意圖；圖15為使用圖14之粒子及金屬離子共沈積系統而獲得的圓柱形滾筒上之一紋理表面的示意圖；圖16為使用圖15之圓柱形滾筒而獲得的一光準直及漫射膜上之一紋理表面的示意圖；圖17為根據另一例示性實施例之用於獲得圓柱形滾筒上之一紋理表面的金屬離子沈積系統之示意圖；圖18為根據另一例示性實施例之用於獲得圓柱形滾筒上之一紋理表面的微加工雕刻系統之示意圖；圖19為圖18之系統中所利用之切割冷卻件的放大正視圖；圖20為圖18之系統中所利用之切割冷卻件的放大側視圖；圖21為根據另一例示性實施例之用於獲得圓柱形滾筒上之一紋理表面的化學蝕刻雕刻系統之示意圖；圖22為由圖21之系統所利用的圓柱形滾筒之一部分的放大橫截面圖；及圖23為根據另一例示性實施例之用於獲得圓柱形滾筒上之一紋理表面的放電雕刻系統之示意圖。
20．．．背面照明裝置
22．．．光源
24．．．反射膜
26．．．光導
28．．．光準直及漫射膜/塑料層
30．．．光準直膜/光引導膜
32．．．光準直膜
34．．．光漫射膜
46．．．紋理表面/紋理頂面/第一側
48．．．紋理表面/第二側

Claims (121)

  1. 一種光準直及漫射膜，其特徵在於：一塑料層(28)具有一第一側(46)及一與該第一側(46)相對之第二側(48)及至少一第一圍緣(61)，該第一側(46)具有一第一紋理表面，其中鄰近一第一軸(62)之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值，該第一軸(62)大體上平行於該第一圍緣(61)，其中該塑料層(28)準直傳播穿過其之光。
  2. 如請求項1之光準直及漫射膜，其中鄰近一第二軸(60)之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值，該第二軸(60)大體上垂直於該第一軸(62)。
  3. 如請求項1之光準直及漫射膜，其中該第一紋理表面包含複數個突出部分(52)及複數個凹陷部分(54)，其中每一突出部分(52)自至少一相鄰凹陷部分(52)向外延伸。
  4. 如請求項3之光準直及漫射膜，其中該等複數個突出部分(52)之一平均高度介於該等複數個突出部分(52)之一平均寬度的25%至75%之間。
  5. 如請求項3之光準直及漫射膜，其中該等複數個突出部分(52)之一平均寬度介於0.5微米至100微米之間。
  6. 如請求項1之光準直及漫射膜，其中該塑料層(28)準直自該第二側(48)穿過該塑料層(28)傳播至該第一側(46)之光。
  7. 如請求項6之光準直及漫射膜，其中該塑料層(28)準直通 過其而朝向一垂直於該塑料層(28)之軸的光。
  8. 如請求項1之光準直及漫射膜，其中該第二側(48)包含一第二紋理表面，其中該第二紋理表面上之大於或等於70%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  9. 如請求項1之光準直及漫射膜，其中該塑料層(28)含有一介於該層之一總質量之0.001%至1.0%之間的光學增亮劑。
  10. 如請求項1之光準直及漫射膜，其中該塑料層(28)中含有一抗靜電化合物。
  11. 如請求項10之光準直及漫射膜，其中該抗靜電化合物包含氟化磺酸鏻。
  12. 如請求項1之光準直及漫射膜，其中該塑料層(28)含有一介於該塑料層之一總質量之0.01%至1.0%之間的UV吸收劑化合物。
  13. 如請求項1之光準直及漫射膜，其中該塑料層(28)具有一介於0.025毫米至10毫米之間的厚度。
  14. 如請求項1之光準直及漫射膜，其中該塑料層(28)具有一介於0.025毫米至0.5毫米之間的厚度。
  15. 如請求項1之光準直及漫射膜，其中該第一紋理表面上之7%至20%的傾角在零度與五度之間。
  16. 一種用於製造一光準直及漫射膜之方法，該方法包括擠壓熱塑料經過一沖模(104)以形成一塑料層(106)，該塑料層(106)具有一第一側及一與該第一側相對之第二側及至少一第一圍緣，該塑料層(106)沿一第一軸及一第二軸 兩者延伸，該第一軸大體上平行於該第一圍緣，該第二軸大體上垂直於該第一軸，該方法之特徵在於：將第一旋轉圓柱形滾筒及第二旋轉圓柱形滾筒(64、108)中之至少一者冷卻至一預定溫度以下；及在第一旋轉圓柱形滾筒與第二旋轉圓柱形滾筒(64、108)之間移動該塑料層(106)，該第一圓柱形滾筒(64)接觸該塑料層(106)之該第一側而該第二圓柱形滾筒(108)接觸該第二側，該第一圓柱形滾筒(64)在該塑料層(106)之該第一側上形成一第一紋理表面，其中鄰近該第一軸之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  17. 如請求項16之方法，其中鄰近該第二軸之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  18. 如請求項16之方法，其中該冷卻之塑料層係捲繞於一接收線軸(118)周圍。
  19. 如請求項16之方法，其中該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  20. 一種用於製造一光準直及漫射膜之系統，該系統包括一可操作耦接至一沖模(104)之擠壓裝置(102)，該擠壓裝置(102)壓迫熱塑料(106)經過該沖模(104)以形成一塑料層(106)，該塑料層具有一第一側及一與該第一側相對之第二側及至少一第一圍緣，該塑料層(106)沿一第一軸及一第二軸兩者延伸，該第一軸大體上平行於該第一圍緣，該第二軸大體上垂直於該第一軸，該系統之特徵在 於：第一圓柱形滾筒及第二圓柱形滾筒(64、108)安置為彼此鄰近以接收該塑料層(106)；及一冷卻裝置(120)經配置以將該第一圓柱形滾筒及該第二圓柱形滾筒(64、108)中之至少一者冷卻至一預定溫度以下，其中該第一圓柱形滾筒(64)接觸該塑料層(106)之該第一側並在該塑料層(106)之該第一側上形成一第一紋理表面，該第二圓柱形滾筒(108)接觸該塑料層(106)之該第二側，其中鄰近該第一軸之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  21. 如請求項20之系統，其中鄰近該第二軸之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  22. 如請求項20之系統，其中該第二圓柱形滾筒(108)在該塑料層(106)上形成一第二紋理表面，其中該第二紋理表面上之大於或等於70%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  23. 如請求項20之系統，進一步包括：第三圓柱形滾筒及第四圓柱形滾筒(114、116)，其安置為彼此鄰近以自該第一滾筒及該第二滾筒(64、108)接收該冷卻之塑料層，該第三圓柱形滾筒及該第四圓柱形滾筒(114、116)兩者經配置以旋轉來壓迫該塑料層朝向一捲繞裝置(128)移動，該捲繞裝置(128)接收該塑料層並環繞一接收線軸(118)捲繞該塑料層。
  24. 如請求項20之系統，其中該第一紋理表面上之7%至20% 的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  25. 一種用於製造一光準直及漫射膜之方法，該方法包括加熱一塑料層(154)，該塑料層(154)具有一第一側及一與該第一側相對之第二側及至少一第一圍緣，該塑料層(154)沿一第一軸及一第二軸兩者延伸，該第一軸大體上平行於該第一圍緣，該第二軸大體上垂直於該第一軸，該方法之特徵在於：將該第一圓柱形滾筒及該第二圓柱形滾筒(64、160)中之至少一者加熱至一預定溫度以上；及在第一圓柱形滾筒與第二旋轉圓柱形滾筒(64、160)之間移動該塑料層(154)，其中該第一圓柱形滾筒(64)接觸該塑料層(154)之該第一側而該第二圓柱形滾筒(160)接觸該第二側，該第一圓柱形滾筒(64)在鄰近該塑料層(154)之該第一軸的該第一側上形成一第一紋理表面，其中鄰近該第一軸之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  26. 如請求項25之方法，其中鄰近該第二軸之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  27. 如請求項25之方法，其中該塑料層(154)係捲繞於一接收線軸(170)周圍。
  28. 如請求項25之方法，其中該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  29. 一種用於製造一光準直及漫射膜之系統，該系統包括一經配置以加熱一塑料層(154)之第一加熱裝置(156)，該 塑料層(154)具有一第一側及一與該第一側相對之第二側及至少一第一圍緣，該塑料層(154)沿一第一軸及一第二軸兩者延伸，該第一軸大體上平行於該第一圍緣，該第二軸大體上垂直於該第一軸，該系統之特徵在於：第一圓柱形滾筒及第二圓柱形滾筒(64、160)安置為彼此鄰近以接收該塑料層(154)；及一第二加熱裝置(172)經配置以加熱第一圓柱形滾筒及第二圓柱形滾筒(64、160)中之至少一者，其中該第一圓柱形滾筒(64)接觸該塑料層(154)之該第一側並在該第一側上形成一第一紋理表面而該第二圓柱形滾筒(160)接觸該塑料層(154)之該第二側，其中鄰近該第一軸之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  30. 如請求項29之系統，其中鄰近該第二軸之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  31. 如請求項29之系統，其中該第二圓柱形滾筒(160)在該第二側上形成一第二紋理表面，其中該第二紋理表面上之大於或等於70%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  32. 如請求項29之系統，進一步包括：第三圓柱形滾筒及第四圓柱形滾筒(166、168)，其安置為彼此鄰近以自該第一圓柱形滾筒及該第二圓柱形滾筒(64、160)接收該冷卻之塑料層，該第三圓柱形滾筒及該第四圓柱形滾筒(166、168)兩者經配置以旋轉以壓迫該塑料層朝向一捲繞裝置(180)移動，該捲繞裝置(180) 接收該塑料層並環繞一接收線軸(170)捲繞該塑料層。
  33. 如請求項29之系統，其中該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  34. 一種用於在一光準直及漫射膜上形成一紋理表面之工具，其特徵在於：一圓柱部分(64)繞一第一軸(66)而安置且具有一外部紋理表面及第一端與第二端(211、213)，該圓柱部分(64)進一步具有一大體上垂直於該第一端(211)之大體上越過該圓柱部分(64)而延伸之鄰近該外部紋理表面而安置的第一線(68)，該圓柱部分(64)進一步具有一大體上距該第一端(211)一預定距離之環繞該圓柱部分(64)之一周邊而延伸的第二線(70)，該外部紋理表面具有複數個突出部分及複數個凹陷部分，其中每一突出部分自至少一相鄰凹陷部分向外延伸，其中該等複數個突出部分及該等複數個凹陷部分界定複數個傾角，其中鄰近該第一線(68)或該第二線(70)之該外部紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  35. 如請求項34之工具，其中鄰近該第一線(68)及該第二線(70)兩者之該外部紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  36. 如請求項34之工具，其中該外部紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  37. 一種用於在一圓柱形滾筒(64)上形成一紋理表面之方法，該圓柱形滾筒(64)繞一第一軸而安置且具有一外部 紋理表面及第一端與第二端(211、213)，該圓柱形滾筒(64)進一步具有一大體上垂直於該第一端之大體上越過該圓柱形滾筒而延伸之鄰近該外部紋理表面而安置的第一線，該圓柱形滾筒(64)進一步具有一大體上距該第一端一預定距離之環繞該圓柱形滾筒(64)之一周邊而延伸的第二線，該方法包括以一預定轉速繞該第一軸旋轉該圓柱形滾筒(64)，該方法之特徵在於：發射一以一預定強度接觸該圓柱形滾筒(64)之該外表面的脈動能量射束並在該圓柱形滾筒(64)之該旋轉期間將該能量射束自該圓柱形滾筒(64)之該第一端(211)移動至該圓柱形滾筒(64)之該第二端(213)，其中該能量射束移除部分該外表面以獲得該紋理表面，其中鄰近該第一線或該第二線之該紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  38. 如請求項37之方法，其中鄰近該第一線及該第二線兩者之該紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  39. 如請求項37之方法，其中該紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  40. 如請求項37之方法，其中在於該圓柱形滾筒(64)之一外表面之一線速度介於25毫米每秒至2500毫米每秒之間。
  41. 如請求項37之方法，其中相對於該圓柱形滾筒(64)以一介於0.001毫每秒米至0.1毫米每秒之間的速度移動該能量射束。
  42. 如請求項37之方法，其中該能量射束在該圓柱形滾筒(64)之該外表面處具有一介於0.005毫米至0.05毫米之間的焦點直徑。
  43. 如請求項42之方法，其中接觸該圓柱形滾筒(64)之該能量射束具有一在介於0.1微秒至100微秒之間之時間週期內傳遞的介於0.05焦耳至1.0焦耳之間的能級以用於該圓柱形滾筒之一預定區域。
  44. 如請求項37之方法，其中該能量射束包含一雷射束。
  45. 如請求項44之方法，其中該雷射束具有一1.06微米之波長。
  46. 如請求項44之方法，其中該雷射束包含一Nd：YAG雷射束。
  47. 如請求項37之方法，其中該能量射束包含一電子束。
  48. 如請求項37之方法，其中該射束包含一離子束。
  49. 如請求項37之方法，其中該紋理表面包含複數個突出部分及複數個凹陷部分，其中每一突出部分自至少一相鄰凹陷部分向外延伸。
  50. 如請求項49之方法，其中該等複數個突出部分之一平均高度介於該等複數個突出部分之一平均寬度之25%至100%之間。
  51. 如請求項49之方法，其中該等複數個突出部分之一平均寬度介於0.5微米至100微米之間。
  52. 一種用於在一圓柱形滾筒(278)上形成一紋理表面之方法，該圓柱形滾筒(278)繞一第一軸而安置且具有一外部 紋理表面及第一端與第二端，該圓柱形滾筒(278)進一步具有一鄰近該外部紋理表面而安置之第一線，該第一線大體上垂直於該第一端並大體上越過該圓柱形滾筒而延伸，該圓柱形滾筒進一步具有一大體上距該第一端一預定距離之環繞該圓柱形滾筒(64)之一周邊而延伸之第二線，該方法之特徵在於：在一電解流體中以一預定轉速繞該第一軸旋轉該圓柱形滾筒(278)，該圓柱形滾筒(278)經電接地；及將一預定電流密度應用至該電解流體，其中該流體中之金屬離子(276)鍵結至該圓柱形滾筒(278)之該外表面以形成該紋理表面，其中鄰近該第一線或該第二線之該紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  53. 如請求項52之方法，其中鄰近該第一線及該第二線兩者之該紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  54. 如請求項52之方法，其中該紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  55. 如請求項52之方法，其中該圓柱形滾筒(279)在該電解流體中以一介於1轉每分鐘至10轉每分鐘之間之轉速旋轉一介於0.5小時至50小時之間之時間週期。
  56. 如請求項52之方法，其中該金屬離子(276)包含鉻離子。
  57. 如請求項52之方法，其中該預定電流密度介於0.001安培每平方毫米至0.01安培每平方毫米之間。
  58. 如請求項52之方法，其中該紋理表面包含複數個突出部分及複數個凹陷部分，其中每一突出部分自至少一相鄰凹陷部分向外延伸。
  59. 如請求項58之方法，其中該等複數個突出部分之一平均高度介於該等複數個突出部分之一平均寬度之25%至100%之間。
  60. 如請求項58之方法，其中該等複數個突出部分之一平均寬度介於0.5微米至100微米之間。
  61. 一種用於在一圓柱形滾筒(253)上形成一紋理表面之方法，該圓柱形滾筒(253)繞一第一軸而安置且具有一外部紋理表面及第一端與第二端，該圓柱形滾筒(253)進一步具有一鄰近該外部紋理表面而安置之第一線，該第一線大體上垂直於該第一端並大體上越過該圓柱形滾筒(253)而延伸，該圓柱形滾筒(253)進一步具有一大體上距該第一端一預定距離之環繞該圓柱形滾筒(253)之一周邊而延伸的第二線，該方法之特徵在於：在一含有金屬離子(236)及非金屬粒子(238)之流體中以一預定轉速繞該第一軸旋轉該圓柱形滾筒(253)；及將該等金屬離子(236)及該等非金屬粒子(238)化學鍵結至該圓柱形滾筒(253)之該外表面以形成該紋理表面，其中鄰近該第一線或該第二線之該紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  62. 如請求項61之方法，其中鄰近該第一線及該第二線兩者之該紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與 五度之間的值。
  63. 如請求項61之方法，其中該紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  64. 如請求項61之方法，其中該等非金屬粒子(238)包含具有一介於1微米至100微米之間之尺寸的矽石粒子。
  65. 如請求項64之方法，其中該等矽石粒子包含固體矽石粒子。
  66. 如請求項64之方法，其中該等矽石粒子包含中空矽石粒子。
  67. 如請求項64之方法，其中該等矽石粒子包含多孔矽石粒子。
  68. 如請求項61之方法，其中該等非金屬粒子(238)包含具有一介於1微米至100微米之間之尺寸的氧化鋁粒子。
  69. 如請求項68之方法，其中該等氧化鋁粒子包含固體氧化鋁粒子。
  70. 如請求項68之方法，其中該等氧化鋁粒子包含多孔氧化鋁粒子。
  71. 如請求項61之方法，其中該等金屬離子(236)包含鎳離子及鎳合金離子中之一者。
  72. 如請求項61之方法，其中該紋理表面包含複數個突出部分及複數個凹陷部分，其中每一突出部分自至少一相鄰凹陷部分向外延伸。
  73. 如請求項72之方法，其中該等複數個突出部分之一平均高度介於該等複數個突出部分之一平均寬度之25%至 100%之間。
  74. 如請求項72之方法，其中該等複數個突出部分之一平均寬度介於0.5微米至100微米之間。
  75. 如請求項61之方法，其中該等非金屬粒子(238)包含具有一介於1微米至100微米之間之尺寸的金剛石粒子。
  76. 一種用於在一圓柱形滾筒(390)上形成一紋理表面之方法，該圓柱形滾筒(390)繞一第一軸而安置且具有一外部紋理表面及第一端與第二端(393、395)，該圓柱形滾筒(390)進一步具有一鄰近該外部紋理表面而安置之第一線，該第一線大體上垂直於該第一端(393)並大體上越過該圓柱形滾筒(390)而延伸，該圓柱形滾筒(390)進一步具有一大體上距該第一端(393)一預定距離之環繞該圓柱形滾筒(390)之一周邊而延伸的第二線，該方法包括以一預定轉速繞該第一軸旋轉該圓柱形滾筒(390)，該方法之特徵在於：將一絕緣流體塗覆於該圓柱形滾筒(390)上；及自鄰近該圓柱形滾筒(390)而安置之一或多個電極(372)反覆放出一電火花，該電火花接觸該圓柱形滾筒(390)之該外表面以加熱並熔合該圓柱形滾筒(390)上之一預定數量的金屬以形成該紋理表面，在該圓柱形滾筒(390)之該旋轉期間將該電火花自該圓柱形滾筒(390)之該第一端(393)移動至該圓柱形滾筒(390)之該第二端(395)，其中鄰近該第一線或該第二線之該紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  77. 如請求項76之方法，其中鄰近該第一線及該第二線兩者之該紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  78. 如請求項76之方法，其中該紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  79. 如請求項76之方法，其中該電火花具有一100伏特至1000伏特之電壓。
  80. 如請求項76之方法，其中該紋理表面包含複數個突出部分及複數個凹陷部分，其中每一突出部分自至少一相鄰凹陷部分向外延伸。
  81. 如請求項80之方法，其中該等複數個突出部分之一平均高度介於該等複數個突出部分之一平均寬度之25%至100%之間。
  82. 如請求項80之方法，其中該等複數個突出部分之一平均寬度介於0.5微米至100微米之間。
  83. 一種用於在一圓柱形滾筒(318)上形成一紋理表面之方法，該圓柱形滾筒(318)繞一第一軸而安置且具有一外部紋理表面及第一端與第二端，該圓柱形滾筒(318)進一步具有一鄰近該外部紋理表面而安置之第一線，該第一線大體上垂直於該第一端並大體上越過該圓柱形滾筒(318)而延伸，該圓柱形滾筒(318)進一步具有一大體上距該第一端(321)一預定距離之環繞該圓柱形滾筒之一周邊而延伸的第二線，該方法包括以一預定轉速繞該第一軸旋轉該圓柱形滾筒(318)，該方法之特徵在於： 使用一切割工具(310)以一預定頻率反覆接觸該圓柱形滾筒(318)之該外表面，在該圓柱形滾筒(318)之該旋轉期間將該切割工具(310)自該圓柱形滾筒(318)之該第一端(321)移動至該圓柱形滾筒(318)之該第二端(323)，其中該切割工具(310)移除部分該外表面以獲得該紋理表面，其中鄰近該第一線或該第二線之該紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  84. 如請求項83之方法，其中鄰近該第一線及該第二線兩者之該紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  85. 如請求項83之方法，其中該紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  86. 如請求項83之方法，其中該圓柱形滾筒(318)之該預定轉速介於10轉每分鐘至200轉每分鐘之間。
  87. 如請求項83之方法，其中該預定頻率介於1000千赫茲至1500千赫茲之間。
  88. 如請求項83之方法，其中該紋理表面包含複數個突出部分及複數個凹陷部分，其中每一突出部分自至少一相鄰凹陷部分向外延伸。
  89. 如請求項88之方法，其中該等複數個突出部分之一平均高度介於該等複數個突出部分之一平均寬度之25%至100%之間。
  90. 如請求項88之方法，其中該等複數個突出部分之一平均寬度介於0.5微米至100微米之間。
  91. 一種用於在一圓柱形滾筒(340)上形成一紋理表面之方法，該圓柱形滾筒(340)繞一第一軸而安置且具有一外部紋理表面及第一端與第二端，該圓柱形滾筒(340)進一步具有一鄰近該外部紋理表面而安置之第一線，該第一線大體上垂直於該第一端並大體上越過該圓柱形滾筒(340)而延伸，該圓柱形滾筒(340)進一步具有一大體上距該第一端一預定距離之環繞該圓柱形滾筒(340)之一周邊而延伸的第二線，該方法之特徵在於：用一抗化學層(343)塗佈該圓柱形滾筒(340)，其中在預定位置(346)處移除該抗化學層(343)以曝露該位於該等預定位置處下面之圓柱形滾筒表面；及在一含有一蝕刻溶液之容器(332)中以一預定轉速繞該第一軸旋轉該圓柱形滾筒(340)，其中該蝕刻溶液移除該等預定位置(346)處之部分該圓柱形滾筒(340)以獲得該紋理表面，其中鄰近該第一線或該第二線之該紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  92. 如請求項91之方法，其中鄰近該第一線及該第二線兩者之該紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  93. 如請求項91之方法，其中該紋理表面上之7%至20%的該等傾角具有一在零度與五度之間的值。
  94. 如請求項91之方法，其中該圓柱形滾筒(340)以一介於1轉每分鐘至50轉每分鐘之間的轉速旋轉。
  95. 如請求項91之方法，其中該蝕刻溶液之一質量之5%至 25%為硝酸。
  96. 如請求項91之方法，其中該蝕刻溶液之一質量之5%至25%為鹽酸。
  97. 如請求項91之方法，其中該抗化學層(343)係藉由使用一微影製程在該等預定位置處被移除。
  98. 如請求項91之方法，其中該抗化學層(343)係藉由使用一能量射束在該等預定位置處被移除。
  99. 如請求項91之方法，其中該抗化學層係藉由將該圓柱形滾筒(340)與一工具接觸而在該等預定位置處被移除，該工具具有一大於該抗化學層但小於該圓柱形滾筒之硬度的硬度。
  100. 如請求項91之方法，其中該抗化學層(343)包含一光阻層。
  101. 如請求項91之方法，其中該抗化學層(343)包含一蠟層。
  102. 如請求項91之方法，其中該抗化學層(343)包含一塑料層。
  103. 如請求項91之方法，其中該紋理表面包含複數個突出部分及複數個凹陷部分，其中每一突出部分自至少一相鄰凹陷部分向外延伸。
  104. 如請求項103之方法，其中該等複數個突出部分之一平均高度介於該等複數個突出部分之一平均寬度之25%至100%之間。
  105. 如請求項103之方法，其中該等複數個突出部分之一平均寬度介於0.5微米至100微米之間。
  106. 一種背面照明裝置，該裝置包括一光源(22)及一用於接收來自該光源(22)之光的鄰近該光源(22)而安置之光導(26)，該裝置之特徵在於：至少一塑料層(28)具有一第一側(46)及一與該第一側(46)相對之第二側(48)及至少一第一圍緣，該第一側(46)具有一第一紋理表面，其中鄰近一第一軸之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值，該第一軸大體上平行於該第一圍緣，其中該塑料層(28)準直傳播穿過其之光。
  107. 如請求項106之背面照明裝置，其中鄰近一第二軸之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值，該第二軸大體上垂直於該第一軸。
  108. 如請求項106之背面照明裝置，進一步包括至少一光引導膜(30)，其鄰近該第一紋理表面而安置。
  109. 如請求項106之背面照明裝置，其中該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  110. 如請求項106之背面照明裝置，其中該塑料層(28)具有一介於該塑料層(28)之一總質量之0.01%至1.0%之間的UV吸收劑化合物。
  111. 如請求項106之背面照明裝置，其中大於或等於該塑料層(28)之一總質量的80%包含一聚碳酸酯化合物。
  112. 如請求項106之背面照明裝置，其中該塑料層(28)含有一介於該塑料層(28)之一總質量的0.001%至1.0%之間的光學增亮劑。
  113. 如請求項106之背面照明裝置，其中該塑料層(28)中含有一抗靜電化合物。
  114. 如請求項113之背面照明裝置，其中該抗靜電化合物包含氟化磺酸鏻。
  115. 一種光準直及漫射膜，其特徵在於：一整體層(28)，其中大於或等於該整體層(28)之一總質量的80%包含一聚碳酸酯化合物，該整體層具有一第一側(46)及一與該第一側(46)相對之第二側(48)及至少一第一圍緣(61)，該第一側(46)具有一第一紋理表面，其中鄰近一第一軸(62)之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值，該第一軸(62)大體上平行於該第一圍緣(61)，其中該塑料層(28)準直傳播穿過其之光。
  116. 如請求項115之光準直及漫射膜，其中鄰近一第二軸(60)之該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值，該第二軸(60)大體上垂直於該第一軸(62)。
  117. 如請求項115之光準直及漫射膜，其中該第一紋理表面上之7%至20%的傾角具有一在零度與五度之間的值。
  118. 如請求項115之光準直及漫射膜，其中該整體層(28)進一步包含一大體上均勻安置於該整體層內之抗靜電化合物。
  119. 如請求項115之光準直及漫射膜，其中該抗靜電化合物包含氟化磺酸鏻。
  120. 如請求項115之光準直及漫射膜，其中該整體層(28)具有一介於該整體層之一總質量的0.01%至1.0%之間的UV吸收劑化合物。
  121. 如請求項115之光準直及漫射膜，其中該整體層(28)含有一介於該層(28)之一總質量的0.001%至1.0%之間的光學增亮劑。
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