TWI393196B - 形成用於高容量記憶卡之單層基板的方法 - Google Patents
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Description
本發明之具體實施例係關於形成一半導體封裝之方法，該封裝係形成於採用導電材料僅在單側上加以電鍍的一基板上。
對可攜式消費性電子裝置的有力增長之要求在推動對高容量儲存裝置的需求。非揮發性半導體記憶體裝置(例如快閃記憶體儲存卡)在廣泛用以滿足對數位資訊儲存及交換的不斷增長之要求。其可攜性、多樣性及堅固設計連同其高可靠性及大容量，已使得此類記憶體裝置成為用於大範圍各種電子裝置的理想選擇。此等裝置包含(例如)數位音樂播放器、蜂巢式電話、手持PC、數位相機、數位視訊攝錄像機、智慧電話、汽車導航系統以及電子書。
快閃記憶體儲存卡有若干不同組態，但一般包含裝載在具標準大小及形狀之外殼內的半導體封裝。此等標準外殼包含SD(安全數位)卡、Compact Flash、Smart Media、小型SD卡、MMC、xD卡、Transflash記憶卡或記憶棒。此類記憶體裝置中使用的半導體封裝包含積體電路，其通常具有無源組件、一或多個記憶體晶片以及在某些組態中安裝在一基板上並與其電連接的一控制器晶片。上面可形成積體電路的基板包含印刷電路板、引線框以及聚醯亞胺膠帶。一旦形成於基板上，此等積體電路係通常囊封在模製化合物中，該化合物保護積體電路並從封裝移除熱。
在一旦記憶體裝置包含複數個離散半導體封裝的情況下，每一個封裝操縱不同功能，目前複數個積體電路組件可加以封裝在一起以提供單封裝中完整的電子系統。例如，多晶片模組("MCM")通常包含並排安裝在基板上並接著進行封裝的複數個晶片。另一範例係封裝中系統("SiP")，其中複數個晶片可加以堆疊在一基板上並接著進行封裝。
傳統雙側式半導體封裝20係顯示(無囊封)在先前技術圖1及2中。封裝20可以係平台柵格陣列(LGA)封裝，其包含基板22，上面安裝一對半導體晶粒24(在圖1中僅概括地加以顯示)。基板22一般可包含一介電核心26，其具有形成於其頂部及底部表面上的導電層28及30。電迹線之電導圖案可加以界定在一或兩個導電層中。通孔或通道32係透過基板而形成，並進行電鍍以允許基板之頂部及底部表面上的電導圖案之間的電通信。可在基板22上提供接合墊34，可採用超聲波方式將導線接合36(如圖2所示)與該基板焊接，從而將晶粒24與基板22電耦合。接觸指狀物38亦可加以提供在基板22上以與其中可插入封裝20之一主機裝置上的相似接點匹配。接觸指狀物38係定位在與晶粒24及接合墊34相對的基板之側上。因此，LGA封裝具有導電層並在基板之兩側上進行電鍍，如圖所示。
導電層28及30之銅提供一般較差接合表面，其用以將導線接合36與接合墊34焊接。銅亦提供較差表面以經受藉由接觸指狀物38所經歷的重複契合。因此應瞭解採用(例如)金或鎳/金(Ni/Au)電鍍方式對接合墊及接觸指狀物進行電鍍。
雙側基板(即，其在頂部及底部表面兩者上具有導電層的基板，如圖2所示)係製造起來相對較昂貴的結構。克服此問題的先前方法係將最大數目的晶粒堆疊在雙側基板上。然而，本封裝尺寸及接合墊固定已使得進一步增加可堆疊在基板上的晶粒之數目變得困難。因此，有利的係找到用以克服基板製造之高成本的另一方法。
應瞭解採用單側基板提供完成基板。然而，基板通常係其中該等層之一已加以蝕刻掉的傳統基板。例如，名稱為"封裝板結構及其製造方法"的美國專利申請公告案第2001/0000156號揭示一半導體封裝，該封裝在其組裝狀態中包含單側基板。然而，該封裝以在頂部及底部表面上具有銅膜的層壓核心開始。在製造期間，蝕刻掉該等銅層之一。
名稱為"晶片級封裝方法"的美國專利第6,190,943號(’943專利)揭示具有單側基板的晶片級封裝。然而，不像LGA封裝一樣，晶片級封裝(例如’943專利中揭示的封裝)不需要從基板之頂部及底部表面進行電連接。可僅從基板之頂部或底部側建立所有電連接。
本發明之具體實施例係關於包含單側基板的半導體封裝。在本發明之一第一具體實施例中，一基板可包含該基板之一頂部表面上(即與上面安裝晶粒的該基板之相同側上)的一導電層。在本發明之一第二具體實施例中，一基板可包含該基板之一底部上(即上面安裝該晶粒的該基板之相對側上)的一導電層。
第一及第二具體實施例可分別包含一基板，其可以係可用於捲盤至捲盤之組態的一TAB膠帶。該膠帶包含離散核心。在第一具體實施例中，介電核心可包含複數個接觸指狀物電鍍孔。該等孔一般可具有矩形形狀而且每一個孔加以定制並固定以擬合在後來在製程中形成於基板上的接觸指狀物之涵蓋表面內。一導電層可附著於介電層上欲接收半導體晶粒的介電層之相同側。
可蝕刻導電層以界定接觸指狀物、接合墊以及一電導圖案，其在接觸指狀物與接合墊之間延伸並連接某些指狀物與接合墊。蝕刻接觸指狀物以便每一個指狀物覆蓋一接觸指狀物電鍍孔。因此可執行一電鍍程序以電鍍介電層之頂部表面上的接合墊及其他導電表面。依據第一具體實施例，可執行第二電鍍程序，從而電鍍接觸指狀物之背側；即，面對介電層且透過接觸指狀物電鍍孔從介電層之下表面曝露的接觸指狀物之表面。電鍍接觸指狀物之背側使接觸指狀物穿過介電層而延伸，並允許接觸指狀物從與半導體晶粒及導電層相對的介電層之一側與一主機裝置電連接。
一或多個半導體晶粒可附著於基板之頂部表面，而且與接合墊進行導線接合以形成一積體電路。該積體電路可加以分割並囊封以提供一完成的半導體封裝。封裝可以係LGA封裝，其係用作(例如)快閃記憶體裝置，例如SD卡、compact flash、smart media、小型SD卡、MMC以及xD卡或記憶棒。
在本發明之第二具體實施例中，介電核心可包含複數個接觸指狀物電鍍孔。該等孔一般可具有矩形形狀而且每一個孔加以定制並固定以擬合在後來在製程中形成於基板上的接合墊之涵蓋表面內。一導電層可附著於介電層之相對側上的介電層而非將半導體晶粒附著於基板。
可蝕刻導電層以界定接觸指狀物、接合墊以及一電導圖案，其在接觸指狀物與接合墊之間延伸並連接某些指狀物與接合墊。蝕刻接合墊以便每一個墊覆蓋一接合墊電鍍孔。因此可執行一電鍍程序以電鍍介電層之底部表面上的接觸指狀物、接合墊及其他導電表面。
一或多個半導體晶粒可附著於直接在介電層上的基板之頂部表面。晶粒可在導線接合程序中與基板電耦合。導線接合程序可能有必要將導線接合之端部定位在接合墊孔內或鄰近於該等孔，接著緊固與接合墊之一背側電接觸的導線接合；該背側即面對介電層並透過接合墊孔所曝露的接合墊之一側。接合墊孔允許介電層之頂部側上的半導體晶粒與介電層之底部表面上的接合墊及接觸指狀物進行電連接。導線接合程序完成一積體電路之形成。該積體電路可加以分割並囊封以提供一完成的半導體封裝。封裝可以係LGA封裝，其係用作(例如)快閃記憶體裝置，例如SD卡、compact flash、smart media、小型SD卡、MMC以及xD卡或記憶棒。
現在參考圖1至36說明本發明之具體實施例，該等圖係關於一半導體封裝，其包含具有能夠建立自基板之兩側的電連接之單側基板的一半導體封裝。應瞭解本發明可採用不同形式加以具體化且不應視為限於在本文中提出的具體實施例。相反，提供此等具體實施例以便此揭示內容將係徹底且完整的並向熟習此項技術人士完全傳達本發明。事實上，本發明預計涵蓋此等具體實施例之替代性具體實施例、修改以及等效物，其係包含在如藉由隨附申請專利範圍加以定義的本發明之範疇及精神內。此外，在以下本發明之詳細說明中，提出許多特定細節以提供對本發明的徹底瞭解。然而，熟習此項技術人士將明白，可以在沒有此類特定細節的情況下實施本發明。
在本發明之一第一具體實施例中，一基板可包含該基板之一頂部表面上(即與上面安裝晶粒的該基板之相同側上)的一導電層。在本發明之一第二具體實施例中，一基板可包含該基板之一底部上(即上面安裝該晶粒的該基板之相對側上)的一導電層。以下參考圖3至19說明具有頂部側導電層狀基板的第一具體實施例。以下參考圖20至36說明具有底部側導電層狀基板的第二具體實施例。
現在考慮圖4至19，參考圖3之流程圖說明用以形成包含頂部側導電層狀基板的快閃記憶卡之方法。在具體實施例中，基板100可以係通常用於膠帶自動接合("TAB")程序的膠帶。此類膠帶傳統上可用於捲盤至捲盤之組態，而且在具體實施例中可包含撓性薄介電核心101，例如聚醯亞胺或其他介電膜。聚醯亞胺膠帶基板100可具有寬度35 mm、48 mm或70 mm，但應瞭解，聚醯亞胺膠帶基板100之寬度可以不同於本發明之替代性具體實施例中基板的尺寸。將TAB膠帶用作基板100可提供形成於其上的接合墊之緊密間距的優點，如以下所說明。45微米(μm)的線間距係瞭解為可在TAB膠帶上達到。此提供高密度電路。然而，應瞭解，其他媒介物可用於替代性具體實施例(例如印刷電路板)中的基板100。
介電核心101可以包含複數個對準孔102，從而允許在製程期間對準膠帶之一位置。基板100可進一步包含複數個接觸指狀物電鍍孔104，其用以容納一電鍍材料並用以允許透過基板進行電連接，如以下所說明。接觸指狀物電鍍孔104一般可具有矩形形狀而且每一個孔加以定制並固定以擬合在形成於基板100上的接觸指狀物之涵蓋表面內，如以下所說明。
現在參考圖7至9，在步驟52中，可將基板100之頂部側與導電材料106層壓。導電材料106可覆蓋接觸指狀物電鍍孔104。導電材料106可施加於離散區段中，如圖7所示，或係沿介電核心101的一個連續長度。如該技術中已為人所知，導電層106可藉由包含電沈積或使用黏合劑的各種構件附著於介電核心層101。可採用銅或銅合金、合金42(42Se/58Ni)、鍍銅鋼或已知用於TAB膠帶的其他金屬及材材料製成導電層106。
儘管對本發明並不重要，但是在具體實施例中，介電層101可具有在50至100 μm之間，且更特定言之在75至85 μm之間的厚度。導電層106可以係半盎司銅，其具有範圍在50與100 μm之間，且更特定言之在60與80 μm之間的厚度。應瞭解，該核心及該導電層之厚度可在本發明之替代性具體實施例中於以上說明的範圍以上及以下發生變化。
現在參考圖10至12，該導電層可在步驟54中加以蝕刻以界定複數個接觸指狀物108，每一個指狀物108均覆蓋一接觸指狀物電鍍孔104。可進一步蝕刻導電層106以界定複數個接合墊110及電導圖案112，其包含在接觸指狀物108與接合墊110之間延伸的電迹線。儘管圖10中未顯示，但是如在該技術中已知，亦可在電導圖案112中於電導圖案112之間的區段中蝕刻一虛擬圖案以減小基板及半導體晶粒(當其係安裝在基板100上時)中的熱及/或機械應力。
可藉由已知程序(例如化學蝕刻)形成接觸指狀物108、接合墊110及電導圖案112。在化學蝕刻中，可將光阻膜施加於導電層106。接著可在光阻膜上施加一圖案光罩，其包含欲在層106中形成的指狀物108、墊110以及導電迹線112之圖案(而且在具體實施例中包含虛擬圖案)。接著可曝露並顯影光阻膜以從欲加以蝕刻的電導層上的區域移除光阻。接著使用蝕刻劑(例如氯化鐵或類似物)蝕刻掉曝露的區域以界定層106中的導電迹線及所需圖案。接著可移除光阻。可使用其他已知的化學蝕刻程序。
參考圖13至15，可在步驟56中電鍍接合墊110。儘管圖13及15中未顯示，但是基板之頂部上的接觸指狀物108之上表面及電導圖案112亦可在步驟56中加以電鍍。可藉由已知程序(例如電鍍程序)電鍍接合墊110以及具體實施例中的接觸指狀物108及電導圖案112。在電鍍程序中，可將基板浸在包含電鍍材料之離子的鹼性溶液中。向欲加以電鍍的表面提供電流，該電流吸引金屬離子以按需要在表面上進行電鍍。在具體實施例中，在基板100之頂部表面上電鍍的材料可以係軟金或軟鎳/金合金(Ni/Au)。如該技術中已知，欲加以電鍍的導電迹線、接合墊110以及接觸指狀物108之每一項可一起採用電鍍線進行短接以促進電鍍程序，在完成電鍍程序後切斷或移除該等電鍍線。
儘管圖中未顯示，但是焊料光罩層可施加於電導圖案以及基板之頂部表面上的接觸指狀物之上表面上而非或另外電鍍該等表面。
亦如圖13至15所示，可在步驟58中藉由採用電鍍材料填充接觸指狀物電鍍孔104而電鍍接觸指狀物108之背側。特定言之，可在已知電鍍程序(例如以上說明的程序)中將電鍍材料施加於接觸指狀物電鍍孔104內至接觸指狀物108之背側。在具體實施例中，電鍍材料可以係硬金或硬Ni/Au合金。
現在參考圖16至18，可在步驟60中使用已知晶粒接合程序將一或多個半導體晶粒112附著於基板100之頂部表面於導電迹線及/或接觸指狀物之部分上。可提供在一個與八個之間，且更特定言之為兩個至四個半導體晶粒114。半導體晶粒114可以係若干晶片之任何者，例如形成快閃記憶體陣列並包含一控制器晶片(例如ASIC)的晶片。
在步驟62中於已知導線接合程序中，可使用導線接合116(圖18)將半導體晶粒114與電鍍的接合墊110電耦合。完成導線接合程序之後，基板100及半導體晶粒114一起形成一積體電路120。在步驟64中，可使用已知的模製化合物122(圖19)囊封每一個積體電路120。積體電路120可在步驟66中經歷電測試並在步驟68中預燒以偵測故障晶粒。在步驟70中，可分割自TAB膠帶之作用的每一個積體電路以提供完成的半導體封裝124，如參見圖19。可囊封封裝124以便電鍍的接觸指狀物108保持曝露於外部環境以將半導體封裝124與一主機裝置電耦合。
如圖19所示的半導體封裝124可用作快閃記憶體裝置。可視需要地，在步驟72中可將半導體封裝124焊接至一個或一對蓋子中。封裝124可用於標準快閃記憶體外殼中，該外殼包含(例如)SD卡、compact flash、smart media、小型SD卡、MMC以及xD卡或記憶棒。其他標準快閃記憶體封裝亦可行。可在步驟74中測試完成的封裝。
使用以上說明的步驟，可採用在基板之頂部表面上具有單導電層的單側基板以經濟且有效率的方式形成一半導體封裝，例如一LGA半導體封裝。
現在參考圖20之流程圖以及圖21至36之圖式說明本發明之一第二具體實施例，其包含在基板之底部上具有導電層的單側基板。最初參考圖21至23，可在步驟150中提供一基板200。基板200可以係包含介電核心201的聚醯亞胺TAB膠帶，如以上說明。基板200可包含若干對準孔202，其用以對準基板200之一位置。基板200可另外包含複數個接合墊孔204，其係透過該介電核心而形成以允許透過基板進行電連接，如以下說明。可採用擬合在以下說明的接合墊之涵蓋表面內的大小而形成孔204。
現在參考圖24至26，可在步驟152中於介電核心201之底部表面上形成導電層206。導電層206可附著於該介電核心，如以上說明；並且該介電核心及導電層206可具有個別厚度，如以上說明。導電層206可在如圖所示的離散區段中或係一連續長度。
現在參考圖27至29，在步驟154中，接觸指狀物208、接合墊210以及電導圖案212可形成於基板之底部表面上的導電層206中，如以上在先前具體實施例中相對於導電層106所說明。接合墊210係界定在導電層中以便每一個接合墊210覆蓋個別接合墊孔204。
參考圖30至32，可在步驟155中電鍍面對核心層201及可見通孔204的導電層206之表面。在具體實施例中，在步驟155中採用軟金或Ni/Au來電鍍導電層206。亦如圖30至32所示，還可在步驟156中電鍍基板100之底部表面上的接觸指狀物208、接合墊210及電導圖案212。在具體實施例中，可採用一層硬金或Ni/Au來電鍍接觸指狀物208、接合墊210及電導圖案212。一層焊料光罩可施加於接合墊210及/或電導圖案212而非或另外電鍍基板之底部表面上的該等部分。
參考圖33至35，在步驟158中，半導體晶粒214可附著於基板200之頂部表面，在已知的晶粒接合程序中直接附著於介電層201，與接觸指狀物208、接合墊210以及電導圖案212相對。晶粒214之數目及類型可用於第一具體實施例，如以上說明。在步驟160中，晶粒214可在導線接合程序中與基板200電耦合。導線接合程序可能有必要將導線接合216(圖35)之端部定位在接合墊孔204內並接著緊固與軟電鍍接合墊210電接觸(例如藉由透過孔204之超聲波焊接)的導線接合。接合墊孔204允許介電層之頂部側上的半導體晶粒與介電層之底部表面上的接合墊及接觸指狀物電連接。
完成導線接合程序之後，基板200及半導體晶粒214一起形成一積體電路220。在步驟164中，可使用已知的模製化合物222(圖36)囊封每一個積體電路220以提供完成的半導體封裝224。可囊封封裝224以便電鍍的接觸指狀物208保持曝露於外部環境以將半導體封裝224與一主機裝置電耦合。在具體實施例中，到尚未藉由焊料光罩加以覆蓋的程度，基板200之底部表面可採用焊料光罩加以覆蓋，從而使接觸指狀物208保持曝露。積體電路220可在步驟166中經歷電測試並在步驟168中預燒以偵測故障晶粒。在步驟170中，可分割自TAB膠帶之作用的每一個積體電路以形成完成的封裝224，如圖36所示。
如圖36所示的半導體封裝224可用作快閃記憶體裝置。可視需要地，在步驟172中可將半導體封裝224焊接至一個或一對蓋子中。封裝224可用於標準快閃記憶體外殼中，標準快閃記憶體包含(例如)SD卡、compact flash、smart media、小型SD卡、MMC以及xD卡或記憶棒。其他標準快閃記憶體封裝亦可行。可在步驟174中測試完成的封裝。
使用以上說明的步驟，可採用在基板之頂部表面上具有單導電層的單側基板以經濟且有效率的方式形成一半導體封裝，例如一LGA半導體封裝。
已基於解說及說明之目的而呈現本發明之前述詳細說明。其並非預計包攬無遺或將本發明限於所揭示的精確形式。根據以上教示，可進行許多修改及變更。選擇所說明的具體實施例以便最佳地說明本發明之原理及其實務應用，從而使其他熟習此項技術人士能將本發明最佳地應用於各種具體實施例中並做出適合於特定預期用途的各種修改。至此預計本發明之範疇藉由隨附申請專利範圍加以定義。
20．．．封裝
22．．．基板
24．．．半導體晶粒
26．．．介電核心
28．．．導電層
30．．．導電層
32．．．通孔或通道
34．．．接合墊
36．．．導線接合
38．．．接觸指狀物
100．．．基板
101．．．介電核心(層)
102．．．對準孔
104．．．接觸指狀物電鍍孔
106．．．導電材料/導電層
108．．．接觸指狀物
110．．．接合墊
111．．．電導圖案/導電迹線
114．．．半導體晶粒
116．．．導線接合
120．．．積體電路
122．．．模製化合物
124．．．半導體封裝
200．．．基板
201．．．介電核心(層)
202．．．對準孔
204．．．接合墊孔/通孔
206．．．導電層
208．．．接觸指狀物
210．．．接合墊
212．．．電導圖案
214．．．半導體晶粒
216．．．導線接合
220．．．積體電路
222．．．模製化合物
224．．．半導體封裝
圖1係一基板及一半導體晶粒之外形的先前技術俯視圖。
圖2係圖1之基板的先前技術斷面圖。
圖3係說明用以製造依據本發明之第一具體實施例的一半導體封裝之步驟的流程圖。
圖4至6分別顯示依據本發明之第一具體實施例的一半導
圖4至6分別顯示依據本發明之第一具體實施例的一半導體封裝在第一製造階段期間的俯視、仰視以及斷面邊視圖。
圖7至9分別顯示依據本發明之第一具體實施例的一半導體封裝在第二製造階段期間的俯視、仰視以及斷面邊視圖。
圖10至12分別顯示依據本發明之第一具體實施例的一半導體封裝在第三製造階段期間的俯視、仰視以及斷面邊視圖。
圖13至15分別顯示依據本發明之第一具體實施例的一半導體封裝在第四製造階段期間的俯視、仰視以及斷面邊視圖。
圖16至18分別顯示依據本發明之第一具體實施例的一半導體封裝在第五製造階段期間的俯視、仰視以及斷面邊視圖。
圖19係依據本發明之第一具體實施例之一完成的半導體封裝之斷面圖。
圖20係說明用以製造依據本發明之第二具體實施例的一半導體封裝之步驟的流程圖。
圖21至23分別顯示依據本發明之第二具體實施例的一半導體封裝在第一製造階段期間的俯視、仰視以及斷面邊視圖。
圖24至26分別顯示依據本發明之第二具體實施例的一半導體封裝在第二製造階段期間的俯視、仰視以及斷面邊視圖。
圖27至29分別顯示依據本發明之第二具體實施例的一半導體封裝在第三製造階段期間的俯視、仰視以及斷面邊視圖。
圖30至32分別顯示依據本發明之第二具體實施例的一半導體封裝在第四製造階段期間的俯視、仰視以及斷面邊視圖。
圖33至35分別顯示依據本發明之第二具體實施例的一半導體封裝在第五製造階段期間的俯視、仰視以及斷面邊視圖。
圖36係依據本發明之第二具體實施例之一完成的半導體封裝之斷面圖。
(無元件符號說明)
Claims (17)
- 一種製造一半導體封裝的方法，該半導體封裝包含具有頂部及底部表面之一基板，以及一或多個半導體晶粒在該頂部表面上，該方法包括下列步驟：(a)界定複數個接觸指狀物，其係在附著於該基板之該頂部表面之一導電層中；(b)在該基板中形成複數個孔，定位於該複數個接觸指狀物下面；以及(c)透過在步驟(b)中形成於該基板中的該等孔來電鍍該複數個接觸指狀物，以使該等接觸指狀物延伸穿過該基板。
- 如請求項1之方法，其中透過該複數個孔電鍍該複數個接觸指狀物之該步驟(c)允許該等接觸指狀物從與該半導體晶粒及該導電層相對的該基板之一側與一主機裝置電連接。
- 如請求項1之方法，其中在基板中形成複數個孔之該步驟(b)包括形成在形狀及位置方面符合在該步驟(a)中加以界定之該複數個接觸指狀物的複數個實質上矩形孔之步驟。
- 一種製造一半導體封裝的方法，其包括下列步驟：(a)在一介電層中形成複數個孔，該介電層包含第一及第二表面；(b)在該介電層之該第一表面上提供一導電層，該導電層具有面對該介電層之該第一表面的一第一表面並且該 導電層覆蓋該複數個孔；(c)界定該導電層中的複數個接觸指狀物，該複數個接觸指狀物之每一個接觸指狀物覆蓋該複數個孔之一孔；(d)界定該導電層中的接合墊；(e)界定在至少一個接合墊上與至少一個接觸指狀物電耦合之該導電層中的導電迹線；(f)透過該複數個孔電鍍該導電層之該第一表面上的該複數個接觸指狀物；(g)將一或多個半導體晶粒附著於該介電層之該第一表面；以及(h)將該一或多個半導體晶粒與該等接合墊電耦合。
- 如請求項4之方法，其中在一介電層中形成複數個孔之該步驟(a)包括形成在位置方面符合在該步驟(c)中加以界定之該複數個接觸指狀物的複數個孔之步驟。
- 如請求項5之方法，其中在一介電層中形成複數個孔之該步驟(a)包括形成在形狀方面符合在該步驟(c)中加以界定之該複數個接觸指狀物的複數個孔之步驟。
- 如請求項4之方法，其中透過該複數個孔電鍍該導電層之該第一表面上的該複數個接觸指狀物之該步驟(f)包括使該等接觸指狀物穿過該介電層而延伸之步驟。
- 如請求項4之方法，其中透過該複數個孔電鍍該導電層之該第一表面上的該複數個接觸指狀物之該步驟(f)允許該等接觸指狀物從與該半導體晶粒及該導電層相對的該介電層之一側與一主機裝置電連接。
- 如請求項4之方法，其中將一或多個半導體晶粒附著於該介電層之該第一表面的該步驟(g)包括將兩個與四個之間的半導體晶粒附著於該介電層之該第一表面的步驟。
- 如請求項4之方法，其中將一或多個半導體晶粒附著於該介電層之該第一表面的該步驟(g)包括將一或多個快閃記憶體晶片以及一控制器晶片附著於該介電層之該第一表面的步驟。
- 如請求項4之方法，其中電鍍該導電層之該第一表面上的該複數個接觸指狀物之該步驟(f)包括採用金電鍍該等接觸指狀物之步驟。
- 如請求項4之方法，其中電鍍該導電層之該第一表面上的該複數個接觸指狀物之該步驟(f)包括採用包含金及鎳之化合物電鍍該等接觸指狀物之步驟。
- 一種製造一半導體封裝的方法，其包括下列步驟：(a)在一膠帶自動接合式(tape automated bonding)膠帶基板中形成複數個孔，該膠帶基板包含第一及第二表面；(b)在該膠帶基板之該第一表面上提供導電層，該導電層具有面對該膠帶基板之該第一表面的一第一表面並且該導電層覆蓋該複數個孔；(c)界定該導電層中的複數個接合墊；(d)界定該導電層中的接觸指狀物，每一接觸指狀物覆蓋該複數個孔中的一孔，及每一接觸指狀物具有一第一表面在該膠帶基板的第一側上、延伸透過該膠帶基板的 該複數個孔的一厚度、及一第二表面在該膠帶基板的第二側上；(e)在該導電層中界定導電迹線，使至少一個接合墊電性耦合至至少一個接觸指狀物；(f)將一或多個半導體晶粒附著於該膠帶基板之該第一表面；(g)將半導體晶粒電性耦合至該膠帶基板的該第一表面，並將該半導體晶粒電性耦合至一接合墊。
- 如請求項13之方法，其中界定該導電層中的接觸指狀物之步驟包含透過在步驟(a)中形成的該等孔電鍍面對該膠帶基板的該等接觸指狀物之一表面的步驟，其中該導電層具有延伸透過該膠帶基板的該複數個孔之厚度。
- 如請求項13之方法，其中在一膠帶基板中形成複數個孔之該步驟(a)包括形成與在該步驟(d)中界定之該複數個接觸指狀物形狀一致的複數個孔之步驟。
- 如請求項13之方法，其中將一或多個半導體晶粒附著於該膠帶基板之該第一表面的該步驟(f)包括將兩個與四個之間的半導體晶粒附著於該膠帶基板之該第一表面的步驟。
- 如請求項13之方法，其中將一或多個半導體晶粒附著於該膠帶基板之該第一表面的該步驟(f)包括將一或多個快閃記憶體晶片以及一控制器晶片附著於該膠帶基板之該第一表面的步驟。
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