TWI392660B - 用於基材之高應變點玻璃組成物 - Google Patents

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Description

用於基材之高應變點玻璃組成物
本發明係關於一種用於平板顯示器(FPD)之玻璃基材,尤指用於電漿顯示器(PDP)之玻璃基材。具體而言,本發明之玻璃基材組成物包括:二氧化矽(SiO2 )55至70 wt%(重量百分比);三氧化二鋁(Al2 O3 )0至1 wt%;二氧化鋯(ZrO2 )0.1至5 wt%;氧化鈉(Na2 O)0.1至5 wt%;氧化鉀(K2 O)7至13 wt%;氧化鎂(MgO)7至14 wt%;氧化鈣(CaO)0至4 wt%;氧化鍶(SrO)7至12 wt%及三氧化硫(SO3 )0.01至0.5 wt%。以上述重量百分比製備之玻璃基材,於高溫加熱過程期間顯示出較小的熱變形,這是因為玻璃之應變點溫度(strain point)變為570℃或更高,相較於作為習知電漿顯示器之玻璃基材的鈉鈣玻璃(soda lime glass),應變點溫度高很多。並且,由於以上述組成物製備之玻璃熔點低於1460℃,又在溫度範圍為50℃至350℃之熱膨脹係數為80至95×10-7 /℃,故不會有增加燃料花費及縮短耐火材料之生命週期的缺點。因此,依據本發明說明製備之玻璃適合作為基材。
電槳顯示器係藉由惰性氣體之電漿放電在排列為長度及寬度的矩陣電極之交叉點發光的顯示裝置。典型的電漿顯示器係由兩個玻璃板組成,亦即,具有2.8至3.0mm厚度之前玻璃片與後玻璃片,且該等玻璃板係由玻璃粉(glass frit)結合。作為陰極之氧化銦錫(ITO),係塗在用以顯示影像之該前玻璃片內面,而陰極之鎳、銀膠及發出紅、綠及藍色之螢光材料係塗在後玻璃片內面。
在電漿顯示器發展初期,玻璃基材之尺寸小於20吋,而通常使用廣泛使用於建築或車輛玻璃之鈉鈣玻璃,然而隨著PDP發展,PDP的尺寸也越變越大。因此,熱膨脹導致尺寸變形及處理過程中刮傷的問題係變得重要。
傳統玻璃基材所使用之鈉鈣玻璃(soda lime glass)係滿足玻璃基材之重要特性,尤例如化學穩定性、平坦度及光學特性。然而,由於高熱變形率及高含量的氧化鈉(Na2 O),鈉鈣玻璃並不適合作為玻璃基材。具體而言,鈉鈣玻璃之應變點溫度為510℃,因此在熱處理期間容易發生熱變形或生產率下降。鈉鈣玻璃的另一個問題是與PDP電極之銀金屬電極產生反應。該反應可能會在高溫熱處理期間在Ag 與Na 之間藉由離子通透(ion permeation)交換產生Ag0 之膠體,而所產生之Ag0 膠體可能會吸收光之波長以引起黃化(yellowing)。因此,鈉鈣玻璃有一缺點在於,必須藉由塗上二氧化矽(SiO2 )在基材之較低部分上以防止黃化現象。藉由測量體積電阻率係能預期Ag 與鹼金屬之間的反應。換言之,高電體積電阻率即意指鹼金屬之擴散率低,因而能藉由增加玻璃基材之體積電阻率而防止該黃化現象。傳統鈉鈣玻璃之體積電阻率為109 Ω.cm。
如上述,傳統鈉鈣玻璃之問題係為高溫熱處理期間之熱變形及Ag 電極與鹼金屬之黃化現象。欲解決這些問題,係發展出,具有高於傳統鈉鈣玻璃60至80℃之較高應變點及低於傳統鈉鈣玻璃之Na2 O含量的用於PDP玻璃基材之玻璃組成物。玻璃之應變點可藉由降低鹼金屬及增加Al2 O3 含量而提高。然而,此類元件內容之改變不可避免地引起在高溫之玻璃黏性增加,進而導致玻璃原料之分解過程、所產生泡沫之消泡過程(精製製程)及玻璃熔化之均質化中非常不利之情況。因此,不斷有新的設備投資及努力來解決高溫黏性增加所產生的問題。以下將詳述玻璃基材組成物之先前技術。
日本專利早期申請案公開第03-40933號係揭露一種玻璃組成物,包括二氧化矽(SiO2 )、三氧化二鋁(Al2 O3 )、鹼金屬氧化物、鹼土金屬氧化物及二氧化鋯(ZrO2 )。該組成物於600℃之熱處理期間不會變形,並具有類似鈉鈣玻璃(soda lime glass)之熱膨脹係數。然而,因為該公開申請案並未具體描述各個氧化鹼金屬及氧化驗上金屬的量,只說明總量,故此玻璃組成物係非常難以實現。並且,上述組成物復包括三氧化二銻(Sb2 O3 )及三氧化二砷(As2 O3 )作為精製媒介(fining media)以引發均質化或除泡化。過度使用這些組成物可能會導致電極腐蝕或在電熔過程(electric melting process)中玻璃之染色。
再者,根據上述公開案之範例,玻璃熔化物黏度為102 泊(poise)時溫度為1500℃或更高。當玻璃熔化物之黏度在10至102 泊時,實行去除該玻璃熔化物之泡沫的精製製程。因此,當上述溫度低時,該精製製程係能容易實行。換言之,當對應至玻璃熔化物黏度為10至102 泊之區域的溫度為低時,該精製製程係能容易實行。並且,傳統鈉鈣玻璃熔化物之精製製程係在溫度範圍1400至1500℃實行,而具有黏度102 泊之鈉鈣玻璃熔化物的溫度約1420℃。
簡而言之,在上述公開申請案,該玻璃熔化物之黏度為102 泊的溫度為1500℃或更高。即,該精製製程必須在相較於傳統鈉鈣玻璃大於100℃之高溫實行。因此,上述公開申請案之組成物係有增加燃料花費及縮短耐火材料生命週期的缺點。再者,假使以製造鈉鈣玻璃之傳統製程實行去除產生於熔爐之泡沫的該消泡過程,由於微細泡沫之故會不可避免地造成產品良率(product yield)的降低,因此必須提供昂貴的補充設備來增補該降低,其又是該公開申請案之組成物的另一項缺點。
做為一個用以解決上述習知技術之缺失者,美國專利第5,599,754號係提到玻璃基材組成物之熱膨脹係數、移變溫度(transition temperature)及高溫黏度,並揭露一種藉由漂浮法(float method)(其為平坦玻璃製造方法)製造玻璃的製程。然而該製程未說明PDP玻璃之基本特性的應變點溫度,故其應用性無法確定。並且,在該專利之範例中,對應至玻璃熔化物之黏度為102 泊之溫度亦為1500℃或更高。因此,該組成物亦具有增加燃料花費及縮短耐火材料之生命週期的缺點。
此外,日本專利申請案早期公開第08-133778號係揭露一種玻璃組成物,其構成包括二氧化矽(SiO2 )、鹼金屬氧化物及鹼金屬氧化物。然而此玻璃組成物未包括二氧化鋯(ZrO2 ),使得玻璃之應變點溫度增加不明顯,不能預防去玻作用(devitrification)的產生,且不能增加玻璃的抗水性及化學抗性。再者,該公開申請案之範例係顯示對應至玻璃熔化物黏度為102 泊之溫度為1500至1560℃。因此,此組成物亦具有一些過度熔化物負載及花費損失的缺點。
再者,日本專利申請案早期公開第2004-035295號係揭露一種組成物,其包括1至15%的氧化鎂(MgO)。然而,此公開申請案並未提供增加氧化鎂含量時液相溫度改變的資料,以及依據去玻作用傾向增加之缺失的解決方案。因此,不能確定該組成物之應用性。因此,由於在形成平坦玻璃時不可避免伴隨而來的去玻作用缺點,故似乎難以製造用於高品質PDP的適合玻璃基材。
為解決上述習知玻璃基材組成的缺失,本發明人係研發出一種玻璃成份,在製造PDP之約600℃的熱處理期間具有尺寸穩定性及平坦度,由於具有與傳統鈉鈣平坦玻璃相似程度之熱膨脹係數,故能以相同方法利用用於製備習知鈉鈣平坦玻璃之膠漿材料(paste material),並能克服先前PDP玻璃基材之缺失。
在研究過程中,觀察到隨著氧化鎂(MgO)增加,去玻作用傾向亦增加,因而液相溫度增加。在該技術領域中已知,由於氧化鎂(MgO)在鹼土金屬中具有最強親和性,故當氧化鎂加入玻璃組成物超過4至6%時,去玻作用不良之發生率係大幅增加。該去玻作用所導致之最典型晶體缺陷為透輝石(MgO.CaO.SiO2 ;diopside)。而且,實驗顯示,隨著氧化鎂(MgO)含量增加,上述不良之發生率將增加。因此,本發明人實行各種實驗來抑制此去玻作用傾向,並驗證出該去玻作用傾向不會被用於先前高應變點玻璃基材之一般組成物所抑制。本發明人能發展出減少三氧化二鋁(Al2 O3 )及氧化鈣(CaO)含量之新穎組成物,並證實該組成物能有效地預防在增加氧化鎂時必然伴隨而來的去玻作用傾向的增加。
因此,本發明之目的係在提供一種玻璃基材組成物,其應變點(玻璃的熱變形標準)至少為570℃,而熱膨脹係數為80×10-7 至95×10-7 /℃,該熱膨脹係數與傳統鈉鈣玻璃相似。本發明之另一目的係提供一種玻璃基材組成物,能藉由增加氧化鎂含量有效降低高溫時之玻璃黏度,以克服用於傳統PDP之先前玻璃組成物的缺點,而該熔點可降低到少於1460℃,並能同時改善玻璃的防刮能力及與銀電極反應之抑制性。
根據本發明,該玻璃基材組成物包括:二氧化矽(SiO2 )55至70重量百分比;三氧化二鋁(Al2 O3 )0至1重量百分比;二氧化鋯(ZrO2 )0.1至5重量百分比;氧化鈉(Na2 O)0.1至5重量百分比;氧化鉀(K2 O)7至13重量百分比;氧化鎂(MgO)7至14重量百分比;氧化鈣(CaO)0至4重量百分比;氧化鍶(SrO)7至12重量百分比及三氧化硫(SO3 )0.01至0.5重量百分比。
以下係將詳細敘述本發明之特性。
根據本發明之用於PDP基材之玻璃基材組成物,係能藉由適當調整成分之種類及內容而具有以下特性。當應用作為玻璃基材時,由於應變點高於570℃,比作為用於PDP之傳統玻璃基材之鈉鈣玻璃的應變點還高,故本發明係具有平坦度及尺寸穩定性。因此,本成份在高溫加熱過程期間係具有較少的熱變形。並且,該組成物之熔點係低於1460℃,故該組成物不會有增加燃料花費及縮短耐火材料生命週期的損失。再者,該組成物在溫度範圍為50至350℃時具有80至95×10 7 /℃的熱膨脹係數,與傳統鈉鈣玻璃相似,故能以相同方法應用在製備傳統鈉鈣平坦玻璃的所應用的膠漿材料。因此,該組成物較適用於PDP。
用於PDP基材之先前玻璃組成物能滿足上述特性,但會有由於低含量之鹼金屬及高含量之Al2 O3 所造成之在高溫時之黏度及高熔點的缺點。相較之下,因為本組成物藉由增加氧化鎂含量至超過7wt%,而能使玻璃熔點及玻璃熔化物之高溫黏度低於傳統玻璃基材組成物,且不需增加氧化鈉(其係為強熔化劑)含量,故根據本發明之玻璃組成物係具有較低熔爐負載及極佳精製特性。
再者,因本發明之玻璃組成物藉由適當的成分比率結構降低高溫黏度而能夠克服液相溫度的增加,故該玻璃組成物適合藉由用於平坦玻璃之傳統製程的漂浮製程(float process)來製備基材。並且,本發明之該玻璃組成物藉由將MgO/CaO之比率調整至2.5或更高,故具有優異的抗刮性,又本發明之玻璃組成物藉由將K2 O/Na2 O之比率調整成2.5或更高,故能降低玻璃基材與銀電極的反應。
以下將更具體描述該玻璃基材組成物之各別成分。
首先,二氧化矽(SiO2 )形成做為玻璃基礎架構的網狀物(network)。假使其含量低於55wt%,玻璃架構係變得不穩定,因此化學抗性或抗水性會傾向變差。而且,假使其含量超過70 wt%,由於諸如去玻作用(其可能由高溫時玻璃黏度增加及不佳的可熔性所導致)係會降低良率。二氧化矽較佳含量為59至67wt%。
當加入少量三氧化二鋁(Al2 O3 )時,會在高溫增加黏度並改善玻璃之耐久性。然而,隨著在具有高含量氧化鎂之組成物中增加三氧化二鋁含量,結晶化傾向係增加。因此,在該組成物中最理想之三氧化二鋁含量為0至1 wt%,但較佳之三氧化二鋁含量為低於0.2wt%。
二氧化鋯(ZrO2 )能改善抗水性、化學抗性及玻璃之應變點。在本發明之該玻璃組成物中,係使用0.l至5 wt%的二氧化鋯。假使該含量低於0.1wt%,玻璃的抗水性及化學抗性係降低。假使該含量超過5wt%,結晶便容易發展,且由於不佳的可熔性增加熔化負載。二氧化鋯含量之較佳範圍為2.5至4 wt%。
最好SiO2 +Al2 O3 +ZrO2 的總含量佔總組成物的60至72 wt%。假使總含量超過72 wt%,便會降低熱膨脹係數(玻璃基材之重要特性),並可能會降低可精製性,或可能由於高溫時黏度增加而增加熔化負載。假使含量低於60wt%,鹼金屬氧化物之含量係變為過量,因而增加玻璃的比重,降低化學抗性,並增加熱膨脹係數。較佳之SiO2 +Al2 O3 +ZrO2 含量係為62至70wt%。
氧化鈉(Na2 O)係作為該玻璃組成物與K2 O之熔化劑的成份,且由於其對於熱膨脹率具有顯著效果,故為調整適當熱膨脹係數的基本成份。在本發明之該玻璃組成物中,係使用0.1至5 wt%的氧化鈉。假使該含量低於0.1 wt%,則由於降低之可熔性,均質化會傾向於變差。假使該含量超過5 wt%,熱膨脹係數係增加,玻璃之應變點降低,且玻璃之抗水性及化學抗性亦降低。此外,由於其會引發與製備PDP時所使用之銀電極反應所產生的黃化現象,故最好將其維持在低含量。氧化鈉含量較宜為1至3.5wt%。
氧化鉀(K2 O)係在高溫及低溫時調整玻璃組成物黏度的成分。其係藉由與氧化鈉之混合鹼金屬效果而控制玻璃中鹼金屬離子之遷移,並影響玻璃之電傳導率。用在本發明成份之氧化鉀含量為7至13 wt%。假使該含量低於7 wt%,係降低玻璃之可熔性,而假使該含量超過13 wt%,係增加玻璃之熱膨脹率,並降低其應變點。氧化鉀含量較宜為9.0至12.5 wt%。
並且,欲抑制鹼金屬與銀電極之間的反應,最好調整氧化鉀/氧化鈉之重量比為至少2.5,最好是2.5至10.0。當氧化鉀/氧化鈉之重量比調整到至少為2.5時,體積電阻率(鹼金屬與銀電極間的反應標準)亦增加,因此由於此值增加而降低與電極的反應。並且,假使該值超過10,因為氧化鉀含量增加故增加原料的花費。較宜將氧化鉀/氧化鈉之重量比調整為4至9。
氧化鎂(MgO)係具有降低在高溫範圍之玻璃組成物黏度、並增加在低溫範圍之玻璃組成物黏度的功能,且具有增加玻璃組成物之應變點的效果。在本發明組成物之氧化鎂含量係為7至14 wt%。若該含量高於7%,則由於在高溫下降低之玻璃黏度,而可在低溫執行精製製程。然而,假使該含量超過14 wt%,由於高溫時降低之玻璃黏度,而可能使液相溫度增加,並可能會降低熱膨脹係數。氧化鎂含量較宜為8.0至11 wt%。
氧化鈣(CaO)具有與氧化鎂相似之功能,並具有在高溫時降低玻璃熔化物黏度的效果。假使組成物具有至少7 wt%的氧化鎂,最好使用0至4 wt%的氧化鈣。假使該含量超過4 wt%,則可能會容易發展出結晶。在本發明組成物中,較宜使用0至2.9 wt%的氧化鈣,且更宜使用極少量之氧化鈣,亦即低於1 wt%。
並且,較宜將氧化鎂/氧化鈣之重量比調整為8或更多,更宜為8至35。假使氧化鎂/氧化鈣之重量比在上述範圍內,則由於氧化鎂及氧化鈣的混合離子效果,及降低在玻璃網狀物中較其他鹼土金屬具有較高親和性之氧化鎂的密度的效果,以及小離子半徑,故而能夠降低脆性指數(brittleness index)(亦即玻璃的抗刮標準)。
氧化鍶(SrO)係具有類似氧化鎂(MgO)及氧化鈣(CaO)之功能,並與氧化鋇(BaO)一樣係為代表性鹼土金屬組成物。隨著氧化鍶含量增加,係能引起應變點提高,並能取代引起黃化現象及應變點降低之鹼金屬。使用於本發明組成物之氧化鍶含量係7至12 wt%。假使該含量低於7 wt%,當玻璃熔化時係會降低高溫時降低黏度的效果及降低抑制結晶的效果。假使該含量超過12 wt%,玻璃之應變點係降低,且比重增加。氧化鍶含量較宜為9.5至11.5 wt%。
再者,最好MgO+CaO+SrO之總含量佔總組成物之15至24 wt%。假使該含量低於15 wt%,則可能降低玻璃之可熔性,且可能增加高溫時之黏度。假使該含量超過24%,則可能由於玻璃之比重增加而增加基材之液相溫度或重量。MgO+CaO+SrO之總含量較宜在17至22 wt%的範圍。
三氧化硫(SO3 )係實質上用來去除原料之熔化過程所產生之泡沫的精製劑。本發明組成物所使用之三氧化硫量係0.01至0.5 wt%。欲去除泡沫,較宜維持上述範圍。
並且,本發明可進一步包括1 wt%或更低的二氧化鈦(TiO2 )、三氧化二鐵(Fe2 O3 )、氧化鐵(FeO)、三氧化二砷(As2 O3 )、三氧化二銻(Sb2 O3 )、氧化鈷(CoO)、氧化鎳(NiO)、三氧化二鉻(Cr2 O3 )或二氧化鈰(CeO2 )。
本發明之玻璃基材可藉由漂浮法、流孔下引法(slot down draw process)或熔融下拉法(overflow down draw process)之所有已知可形成平坦玻璃的製程來製備。
本發明係藉由下列範例更具體地例示。然而,本發明之範疇係不以此為限。
(範例1至7及比較例1至5)
將玻璃組成物之組成成份混合在白金鍋器中並加熱至1550℃以將其熔化持續4小時。在該熔化過程中為求均質化該玻璃組成物,係用白金攪拌器攪拌30分鐘。熔化的玻璃組成物係倒在金屬或石墨盤以形成盤狀,並在高於退火點之溫度進行退火以製備玻璃。各成分之含量及各玻璃組成物之物理性質資料係顯示於表1。比較例5係顯示傳統納鈣玻璃之組成物及其資料。
表1所顯示之由範例1至7及比較例1至5所製備之玻璃樣本的熱膨脹係數、應變點、液相溫度、熔點、脆性指數及體積電阻率係藉由下列方法測量:熱膨脹係數係為顯示樣本之相對於先前長度的相對膨脹率的值,並根據DIN 51045在溫度範圍50至350℃以熱膨脹計(Dilatometer)量測。
應變點係玻璃開始變形時的溫度,並表示需費時16小時放出熱處理所產生之應力的溫度。在此,對應至玻璃黏度為101 4 . 5 泊之該應變點係根據ASTM C598-88來測量。
液相溫度係定義為結晶能形成於玻璃中的最大溫度,並依據ASTM C829-81藉由能設定溫度梯度的梯度電爐來量測。
熔點係玻璃熔化物之黏度為102 泊之溫度,並係根據DIN 52312所量測。溫度越低,係越容易實行該精製製程。換言之,對應至玻璃熔化物黏度為102 泊的溫度越高,不可避免地產生於玻璃的泡沫係越多,因而越難去除泡沫。溫度範圍在1200℃至1500℃之黏度亦以相同方式測量。
脆性指數係習知為顯示玻璃抗刮之代表特性。將該脆性指數用於玻璃之理由係因為不易準確地評價破裂韌性(Kc)之故。幾個用來克服量測Kc值之困難的方法係發現脆性指數與Kc值成反比。可由當將維氏壓痕器(Vickers indenter)壓抵玻璃表面時壓痕器留在玻璃表面之標記大小、與從該標記之四角所形成的裂縫長度之間的關係,而量化地測量出該脆性指數。據報告,隨著脆性指數降低,從外在提供之負荷所導致刮傷發生率便會減小。依照非結晶固體期刊253期(1999)126-132(Non-crystalline solid)所刊之方法使用維克硬度計(Vickers hardness meter)以量測脆性指數。
體積電阻率係代表玻璃電阻的電性。在此,該體積電阻率是依據ASTM C657測之;以150℃時之測量值為基礎。該體積電阻率表示玻璃之電阻,以及能預期塗在PDP之玻璃基材上表面之鹼金屬與銀電極間之反應的標準。隨著上述該值的增加,銀電極與鹼金屬間之反應性係降低,故能抑制由於Ag0 膠體所導致之黃化現象。
如上述表1所示,由範例1至7之組成物所製備之所有玻璃樣本之熱膨脹係數係在80至95×10 7 /℃,而應變點溫度至少為570℃。這些資料顯示,該等特性適於作為PDP玻璃基材的玻璃,並具有充足特性應用在PDP的玻璃基材。
至於在玻璃熔化物黏度為102 泊時的熔點,經驗證後,本發明組成物之溫度係小於用於PDP玻璃基材之傳統玻璃組成物的溫度達約90℃至109℃。換言之,本發明之玻璃的熔點係低於1460℃,其係相似於鈉鈣玻璃。因此,本發明組成物係能克服傳統玻璃基材組成物高溫時黏度增加所導致之不易精製化或熔化負載的缺點。
高溫範圍(1200℃至1500。C)之黏度分布示於第1圖中。如第1圖所示,範例1及2顯示在相同溫度時對於比較例1及2具有較低的黏度。
至於應變點溫度及熱膨脹係數,在比較例3及4中,玻璃熔點可藉由增加氧化鎂含量而降至鈉鈣玻璃之熔點,並滿足玻璃基材所需要的特性。然而由於三氧化二鋁及氧化鈣之含量增加,液相溫度係增加至超過1200℃。在此情況下,去玻作用不良的發生率會急速增加,因而降低實質上需要高透透光性及最小缺失的玻璃基材的生產良率。
比較例5為表示傳統鈉鈣玻璃組成物,其中該熱膨脹係數係符合所需程度。但是應變點溫度為510℃,故570至600℃時之加熱階段之尺寸穩定性大幅降低,且沈積在玻璃上表面之材料會因玻璃變形而剝落。
範例1至7之氧化鎂/氧化鈣重量比為8或更多,脆性指數增加至6500至6900m 1 / 2 。此即表示由其他原因或外在負荷所造成之刮傷發生率降低。另一方面,比較例具有7100至7530m 1 / 2 的脆性指數,其抗刮傷的程度較本發明之範例弱。因此,比較例1及2係顯示在玻璃基材之製備、處理及後處理期間由於刮傷所造成的缺陷可能會增加。
在範例1至7中,當氧化鉀(K2 O)/氧化鈉(Na2 O)之重量比調整至至少2.5時,該體積電阻率達到101 2 . 5 至101 3 . 6 Ω.cm的範圍。但是,比較例1、2及5之體積電阻率顯示為108 . 9 至101 1 . 7 Ω.cm。因此,本發明係能藉由增加氧化鉀/氧化鈉之重量比至至少2.5而相對於傳統PDP玻璃基材增加體積電阻率,並能有效防止銀電極與鹼金屬間的反應。
[業界應用性]
由於本發明之玻璃基材組成物在溫度範圍50至350℃係具有熱膨脹係數80至95×10 7 /℃,相似於鈉鈣玻璃,故該組成物具有與傳統膠漿材料之相容性,並因為該應變點至少為570℃,故在高溫加熱過程期間具有極高的耐熱性(亦即尺寸穩定性),並能由傳統漂浮法形成。因此,本發明組成物係具有可充分應用在PDP之玻璃基材的特性。
並且,本發明組成物能藉由增加氧化鎂含量至至少7%而降低高溫時之黏度及玻璃熔化物之熔點至與鈉鈣玻璃相似程度,並因此具有良好精製特性及降低的熔爐負載。
再者,藉由調整氧化鎂/氧化鈣之重量比至至少8,本發明組成物係具有低脆性指數,並藉由調整氧化鉀/氧化鈉之重量至至少2.5,而降低銀電極與鹼金屬間的反應。
第1圖係代表顯示在溫度範圍為1200至1500℃測量之範例1及2與比較例1及2的玻璃熔化物之高溫黏度的示意圖。

Claims (6)

  1. 一種玻璃組成物,包括:二氧化矽(SiO2 )55至70 wt%、三氧化二鋁(Al2 O3 )0至1 wt%、二氧化鋯(ZrO2 )0.1至5 wt%、氧化鈉(Na2 O)0.1至5 wt%、氧化鉀(K2 O)7至13 wt%、氧化鎂(MgO)8至14 wt%、氧化鈣(CaO)0至小於1 wt%、氧化鍶(SrO)7至12 wt%及三氧化硫(SO3 )0.01至0.5 wt%,其中,氧化鎂/氧化鈣的重量比率為8或更多。
  2. 如申請專利範圍第1項之玻璃組成物,其中,二氧化矽(SiO2 )加三氧化二鋁(Al2 O3 )加二氧化鋯(ZrO2 )之總含量佔總組成物之60至72 wt%。
  3. 如申請專利範圍第1項之玻璃組成物,其中,氧化鎂(MgO)加氧化鈣(CaO)加氧化鍶(SrO)之總含量佔總組成物之15至24 wt%。
  4. 如申請專利範圍第1項之玻璃組成物,其中,氧化鎂(MgO)/氧化鈣(CaO)之重量比為8至35。
  5. 如申請專利範圍第1項之玻璃組成物,其中,氧化鈉(Na2 O)/氧化鉀(K2 O)之重量比為2.5至10.0。
  6. 一種玻璃基材,包括如申請專利範圍第1項之玻璃組成物,其中,在50至350℃之溫度範圍時熱膨脹係數係在80至95×10-7 /℃之範圍;應變點至少為570℃;以及熔點低於1460℃。
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