TWI391998B - 頂板及利用此頂板之電漿處理裝置 - Google Patents

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Description

頂板及利用此頂板之電漿處理裝置
本發明係關於利用微波或高頻產生之電漿作用於半導體晶圓等而施加處理時使用之電漿處理裝置，及用於此等之頂板。
近年來，伴隨著半導體產品之高密度化及高微細化，半導體製品之製造步驟中，為了成膜、蝕刻、灰化等處理，有時會使用電漿處理裝置，尤其逐漸採用即使在約0.1～10Pa之較低壓力、高真空狀態亦能穩定發生電漿，利用微波或高頻產生高密度電漿之電漿處理裝置。
如該種電漿處理裝置，揭示於專利文獻1～7等。在此，將例如使用微波之一般電漿處理裝置，參照圖1概略說明。圖1為使用微波之習知一般電漿處理裝置之概略構成圖。
圖1中，該電漿處理裝置2，在可抽真空之處理容器4內設有載置半導體晶圓之載置台6，並在與該載置台6相對向之頂蓬部，氣密地設置有穿透微波之圓板狀氮化鋁或石英等所構成之頂板8。並且，於處理容器4之側壁，設置有作為氣體導入部之氣體噴嘴10，用於對於容器內導入既定氣體。
並且，於頂板8之頂面，設置有：厚度約數mm之圓板狀平面天線構件12；及在該平面天線構件12之半徑方向用以縮短微波波長之例如介電體構成之慢波材14。並且，於平面天線構件12，形成有多數，例如長溝狀貫通孔構成之狹縫16。該狹縫16一般而言，配置成同心圓狀，或配置成漩渦狀。
並且，於平面天線構件12之中心部連接同軸導波管18之中心導體18A而將從微波產生器20產生之例如2.45GHz微波以模式變換器22變換為既定振動模式後引導到平面天線構件12之中心部。並且，一面將微波向平面天線構件12之半徑方向以放射狀地傳播，一面從設置在平面天線構件12之狹縫16使微波放出，該微波穿透頂板8而導入到下方之處理容器4內，且由該微波在處理容器4內之處理空間S發生電漿，對於半導體晶圓W施以蝕刻或成膜等既定之電漿處理。
像該種電漿處理，由於處理空間S內均勻地供給氣體，對使電漿處理之面內均勻性提升為重要，因此，有人提出以下技術：使用噴淋頭取代氣體噴嘴10作為氣體導入部，且使得頂板8具該噴淋頭功能(參照專利文獻4等)。於此情形，該頂板8由於為使微波穿透，不能以金屬製作，故係以加工較金屬更為困難之石英或陶瓷材製作。例如，準備噴淋頭本體與蓋板，在該噴淋頭本體之表面設置氣體分配溝或氣體噴出孔，在該噴淋頭本體與蓋板兩者之間，中介O型環等密封構件而氣密組合，以製作頂板8。
【專利文獻1】日本特開平3-191073號公報
【專利文獻2】日本特開平5-343334號公報
【專利文獻3】日本特開平9-63793號公報
【專利文獻4】日本特開2002-299240號公報
【專利文獻5】日本特開平9-181052號公報
【專利文獻6】日本特開2003-332326號公報
【專利文獻7】日本特開2004-39972號公報
然而，如上所述，使頂板具噴淋頭功能之情形，由於O型環作為密封構件使用，因此伴隨溫度上升，會使強度變得沒有那麼強，因此對於電漿之電力供給量有其極限。
又，有時依處理之不同，在電場強的部分會產生異常放電，由於該異常放電造成O型環損傷，會使發生氣體滲漏之危險性增加。再者，無法避免在噴淋頭本體與蓋板之間產生間隙，從噴淋頭本體往蓋板側之熱傳導變差，噴淋頭亦有因為熱應力而破損之危險性。
再者，如上所述，若頂板由2個零件構成，則該等零件容易破損，無法高壓化供給多量氣體，氣體供給量有時會產生極限。於此情形，雖可考慮將該頂板本身加厚，但是若頂板加厚，則該頂板之熱傳導性不僅降低，穿透該頂板之微波等亦會受到影響，而造成電磁場分布惡化，故不佳。
本發明，著眼於如以上之問題，係為了有效解決問題而生。本發明之目的在於提供一種頂板及利用此頂板之電漿處理裝置：藉由一體形成不增加厚度而具噴淋頭功能之頂板，能強化頂板本身強度，提升對於溫度上升之耐久性，提高氣體之供給壓力，供給多量氣體。
本發明之第1態樣提供一種頂板，係內部可進行抽真空之電漿處理裝置之處理容器之頂蓬之開口部所設置之一體化頂板，包含：
多數氣體通路，沿著該頂板之平面方向形成；
氣體噴出孔，與該多數氣體通路連通，且在面臨該處理容器內之該頂板之第1面開口。
本發明之第2態樣提供如第1態樣之頂板，其中，該多數氣體通路一端在該頂板之側面開口作為氣體入口，且朝向該頂板之中心部延伸。
本發明之第3態樣提供如第2態樣之頂板，其中，該多數氣體通路，包含：
第1氣體通路，朝向該頂板之中心部形成放射狀，及
第2氣體通路，與該第1氣體通路平行排列。
本發明之第4態樣提供如第1態樣之頂板，其中，該多數氣體通路之其中之一之氣體通路，
與該多數氣體通路之內至少1條其他氣體通路連通，且於該一氣體通路端部，即位於該頂板之周緣部側之端部，包含在該頂板之該第1面及與該第1面相對向之第2面其中之一開口之氣體入口。
本發明之第5態樣，提供如第4態樣之頂板，其中，該多數氣體通路，對於該頂板以放射狀設置，
該一氣體通路，於位在該頂板之中心部側之端部，與該多數氣體通路之中至少1條其他氣體通路連通。
本發明之第6態樣，提供如第4態樣之頂板，其中，該多數氣體通路包含：
第1群組之氣體通路，朝向該頂板之中心部延伸；及
第2群組之氣體通路，與該第1群組之氣體通路連通。
本發明之第7態樣，提供如第4態樣之頂板，其中，與該多數氣體通路連通之該氣體噴出孔，群組化為位在該頂板之內周側之第1區之氣體噴出孔與位在外周側之第2區之氣體噴出孔，
與該第1區之氣體噴出孔連通之多數氣體通路，以放射狀設置，於位在該頂板之中心部側之端部彼此連通，且
與該第2區之氣體噴出孔連通之多數氣體通路，包含：第1群組之氣體通路，朝向該頂板之中心部延伸；及第2群組之氣體通路，與該第1群組之氣體通路連通。
本發明之第8態樣，提供如第4態樣之頂板，其中，與該多數氣體通路連通之該氣體噴出孔，群組化為位在該頂板之內周側之第1區之氣體噴出孔與位在外周側之第2區之氣體噴出孔，
與該第1區之氣體噴出孔連通之該多數氣體通路，包含：第1群組之氣體通路，朝向該頂板之中心部延伸；及第2群組之氣體通路，與該第1群組之多條氣體通路連通；
與該第2區之氣體噴出孔連通之該多數氣體通路，包含：第1群組之氣體通路，朝向該頂板之中心部延伸；及第2群組之氣體通路，與該第1群組之多條氣體通路連通。
本發明之第9態樣，提供如第1態樣之頂板，其中，與該多數氣體通路連通之該氣體噴出孔，群組化為位在該頂板之內周側之第1區之氣體噴出孔與位在外周側之第2區之氣體噴出孔，
該多數氣體通路之其中之一部分氣體通路，與該第1及第2區之中任一區之氣體噴出孔連通，於一端在該頂板之側面開口作為氣體入口，且朝向該頂板之中心部延伸，
其餘之氣體通路，與另一區之氣體噴出孔連通，且包含：第1群組之氣體通路，朝向該頂板之中心部延伸；及第2群組之氣體通路，與該第1群組之多條氣體通路連通。
本發明之第10態樣，提供如第1態樣之頂板，其中，該多數氣體通路包含：
以同心圓狀配置之環狀氣體通路；及
以橫切該環狀氣體通路之方式而連通之氣體通路。
本發明之第11態樣，提供如第1態樣之頂板，其中，該多數氣體通路形成格子狀。
本發明之第12態樣，提供如第1至第11態樣中任一態樣之頂板，其中，於該氣體噴出孔，安裝著具通氣性之多孔介電體。
本發明之第13態樣，提供如第1至第11態樣中任一態樣之頂板，其中，於該氣體噴出孔，安裝著具細孔之陶瓷構件。
本發明之第14態樣，提供如第1至第13態樣中任一態樣之頂板，其中，於該頂板，流通冷卻媒體之冷媒通路以放射狀形成。
本發明之第15態樣提供一種電漿處理裝置，包含：
處理容器，頂蓬部開口而內部可進行抽真空；
載置台，設置於該處理容器內，載置被處理體；
第1至第14態樣中任一態樣之頂板，設置於該處理容器頂蓬之開口；
電磁波導入部，經由該頂板將電漿產生用之電磁波導入該處理容器內；
氣體供給部，對於形成在該頂板之氣體通路供給氣體。
本發明之第16態樣，提供如第15態樣之電漿處理裝置，其中，該氣體供給部設有環狀氣體導入埠，該環狀氣體導入埠設置在該頂板之外周側，用於將氣體導入該氣體通路。
本發明之第17態樣，提供如第15態樣之電漿處理裝置，其中，該氣體供給部具氣體供給通路，該氣體供給通路在該處理容器之側壁內往上下方向延伸而與該氣體通路之氣體入口連通。
本發明之第18態樣，提供如第15至第17態樣中任一態樣之電漿處理裝置，其中，該處理容器內設置有氣體導入部。
本發明之第19態樣，提供製造在內部可進行抽真空之電漿處理裝置之處理容器之頂蓬的開口部所設置之頂板之製造方法，包含以下步驟：
從該頂板之側面穿孔而在該頂板內形成多數氣體通路；
從該頂板之平面穿孔，而形成應與該氣體通路連通之多數氣體噴出孔。
本發明之第20態樣，提供如第19態樣之頂板之製造方法，其中，更包含以下步驟：於該氣體噴出孔，安裝具通氣性之多孔介電體。
本發明之21態樣，提供製造在內部可進行抽真空之電漿處理裝置之處理容器之頂蓬的開口部所設置之頂板之製造方法，包含以下步驟：
從該頂板之半成品側面穿孔而在該半成品內形成多數氣體通路；
從該半成品之平面穿孔，而形成應與該氣體通路連通之多數氣體噴出孔；
將該半成品煅燒。
本發明之第22態樣，提供如第21態樣之頂板製造方法，其中，更包含以下步驟：
形成在該半成品之頂面與底面其中之一開口的氣體入口，使得與該頂板半成品之多數氣體通路之中至少之一連通；
將形成在該半成品側面之該氣體通路之開口密封。
本發明之第23態樣，提供如第21或第22態樣之頂板之製造方法，更包含以下步驟：在該多數氣體噴出孔，安裝具通氣性之多孔介電體。
本發明之第24態樣，提供如第21至第23態樣中任一態樣之頂板之製造方法，其中，更包含以下步驟：從該頂板之半成品之側面穿孔，而將流通冷卻媒體之冷媒通路形成於該半成品內。
依照本發明實施形態之頂板及利用此頂板之電漿處理裝置，能發揮如以下優異效果。
本發明實施形態之頂板，由於將沿著頂板平面方向形成之多數氣體通路，以及與氣體通路連通而朝著面臨處理容器內之頂板平面側開口之氣體噴出孔一體化，因此能強化頂板強度，提升對抗溫度上升之耐久性，提高氣體供給壓力而能供給多量氣體。
 (實施發明之最佳形態)
以下，對於本發明一實施例之頂板及利用該頂板之電漿處理裝置之一實施例形態，參照附圖說明。
<實施例1>
圖2顯示使用依照本發明第1實施例之頂板之電漿處理裝置構成圖，圖3A顯示依照第1實施例之頂板及其周邊部之部分擴大剖面圖，圖4顯示依照第1實施例之頂板內之氣體通路之水平方向剖面之橫剖面圖，圖5顯示頂板之側面圖，圖6顯示氣體噴出孔一部分構造之剖面圖。又，圖3B如後述，為依照第1實施例之頂板之變形例。
如圖所示，該電漿處理裝置32，例如側壁或底部由鋁合金等導體構成，具有全體成形為筒體狀之處理容器34。處理容器34之內部，構成密閉處理空間S，於該處理空間S形成電漿，又，處理容器34於圖示之例中，係接地。
於該處理容器34內，收納著載置台36，該載置台36在頂面載置作為被處理體之例如半導體晶圓W。該載置台36，以例如氧化鋁等陶瓷，形成平坦之略圓板狀。載置台36，以例如氧化鋁等形成之從容器底部豎立之支柱38所支持。
處理容器34之側壁，設置有：將晶圓W搬入、搬出處理容器34之內部時，晶圓穿過的開口(未圖示)；及以可對於該開口開閉地安裝的閘閥(未圖示)。又，於容器底部，設置有排氣口40，於該排氣口40，連接著依序中介連接壓力控制閥42及真空泵浦44之排氣路46。利用此構成，視需要能將處理容器34內排氣，並且能使處理容器34內維持在既定壓力。
又，於載置台36下方，設置有在晶圓W搬出入時使晶圓W升降之多數例如3根升降銷48(圖2中僅顯示2根)。該升降銷48，利用通過形成在處理容器34底部之貫通孔而伸長之升降桿52而升降。又，升降桿52，藉著可伸縮之伸縮囊50，而氣密地安裝在處理容器34底部。又，於載置台36，形成有用以插通升降銷48之銷插通孔54。載置台36全體，由耐熱材料例如氧化鋁等陶瓷構成。載置台36之內部，埋有用以將載置於載置台36上之晶圓W加熱的例如薄板狀電阻加熱器56。該電阻加熱器56，經由通過支柱38內之配線58，而與加熱器電源60連接。
又，該載置台36之頂面側，設有薄靜電夾頭64，該靜電夾頭64內部具有配設成例如網目狀之導線62，能將於該載置台36上，詳言之，在該靜電夾頭64上所載置之晶圓，利用靜電吸附力吸附。並且，該靜電夾頭64之導線62，為了發揮靜電吸附力，經由配線66而與直流電源68連接。又，於該配線66，視需要為了將例如13.56MHz之偏壓用高頻電力對於靜電夾頭64之導線62施加，而連接著偏壓用高頻電源70。又，依處理之處理不同，有時不需使用該偏壓用高頻電源70。
並且，處理容器34在上方開口，對著該開口設置頂板74。該頂板74，具有例如石英或Al2 O3 等作為母材之陶瓷材構成之頂板74，該頂板74對著圓形狀開口，藉由在開口端面沿著周方向設置之O型環等所構成之密封構件76而氣密地安裝。該頂板74，考慮耐壓性，可具例如約20mm之厚度。又，頂板74，具用於導入氣體之噴淋頭功能。頂板74之構成，於後詳述。
並且，於頂板74之頂面側，為了在處理容器34內產生電漿，設置有電磁波導入部78，其經由頂板74將電漿產生用之電磁波導入處理容器34之處理空間S。該電磁波在此使用微波。具體而言，該電磁波導入部78，包含：圓板狀平面天線構件80，配置在頂板74之頂面；及慢波材82，配置在該平面天線構件80上。該慢波材82由例如氮化鋁等陶瓷材所構成，為了縮短微波波長，具高介電率特性。
平面天線構件80，於處理容器34內處理直徑約300mm晶圓時，由具例如約400～約500mm直徑及約1～數mm厚度之導電性材料構成，由例如表面鍍銀之銅板或鋁板構成。平面天線構件80，形成有例如長溝狀貫通孔構成之多數狹縫84。該狹縫84之配置形態不特別限定，可為例如同心圓狀、漩渦狀或放射狀。又，狹縫84，可在平面天線構件80整面分布使成均勻。該平面天線構件80，具有所謂RLSA(輻射槽狀天線，Radial Line Slot Antenna)構造，藉此，在處理容器34內產生高密度且低電子溫度之電漿。
於慢波材82之頂面側，遮斷微波之遮蔽蓋部86設置成覆蓋天線構件80與慢波材82。該遮蔽蓋部86之周邊部往下方延伸成為側壁。該遮蔽蓋部86之側壁下端部，載置於頂板74之頂面與處理容器34之上端部。為了維持處理容器34為氣密，在遮蔽蓋部86與頂板74之間，設有於周方向環狀延伸之遮蔽構件88，於遮蔽蓋部86與處理容器34之間，設有於遮蔽構件88外側，延伸成同心圓狀之遮蔽構件90。遮蔽構件88、90，例如可為O型環等。
又，於該遮蔽蓋部86上部之中心，連接著同軸導波管92之外管92A。同軸導波管92內側之內部導體92B，通過慢波材82中心部之貫通孔而與平面天線構件80之中心部連接。該同軸導波管92，經由模式變換器94而與矩形導波管96連接。矩形導波管96，在中途具匹配電路98，與例如2.45GHz之微波產生器100連接。藉此構成，微波往平面天線構件80傳播。亦即，微波產生器100與平面天線構件80，利用矩形導波管96與同軸導波管92連接，來自於微波產生器100之微波，往平面天線構件80傳播。在此，頻率不限於2.45GHz，亦可為其他頻率例如8.35GHz。
其次，對於頂板74詳細說明。該頂板74，如前所述，由石英或Al2 O3 等陶瓷材之介電體所構成，亦如圖3至圖6所示，一體成形為圓板狀。該頂板74，具有：多數氣體通路102，沿著該頂板74之平面方向形成；多數氣體噴出孔104，與該氣體通路102連通，朝著頂板74之面臨處理容器34內之平面開口。
具體而言，該第1實施例中，各氣體通路102，其一端在頂板74之側面開口，朝著頂板74之中心部側延伸。因此，氣體通路102如圖4所示全體成放射狀配置。又，氣體通路102，沿著頂板74之周方向，以等角度間隔配置。各氣體通路102彼此互不連通而獨立。並且，於各氣體通路102之頂板74之側面的開口，功能為將氣體導入氣體通路102內之氣體入口103(參照圖5)。如圖4所示，依長度，有3種氣體通路102。亦即，有長氣體通路102A、短氣體通路102C、及中間長度之氣體通路102B。該等氣體通路102，沿著頂板74之周方向，以如下順序排列：氣體通路102A、氣體通路102C、氣體通路102B、氣體通路102C、氣體通路102A、氣體通路102C、氣體通路102B、氣體通路102C、氣體通路102A‧‧‧。在此，長氣體通路102A，延伸至達頂板74之中心附近，從此處可對處理容器34內供給氣體。
並且，於頂板74，沿著各氣體通路102之長度方向，氣體噴出孔104以既定間隔逐一形成多個。詳言之，如圖4所示，沿著長氣體通路102A形成4個氣體噴出孔104，沿著中間長度之氣體通路102B，形成3個氣體噴出孔104，沿著短氣體通路102C，形成2個氣體噴出孔104。因此，氣體噴出孔104在頂板74之底面，即氣體噴射面，以大致均等地排列。並且，氣體噴出孔104經由連接通路106(參照圖6)而與對應之氣體通路102連通。又，於各氣體噴出孔104，安裝有具通氣性之多孔介電體108，藉此能容許氣體流入處理容器34內，同時，抑制因為微波產生異常放電。又，圖6B，顯示氣體噴出孔104，及未安裝於氣體噴出孔104之多孔介電體108。
在此，說明各部尺寸，氣體噴出孔104之直徑D1(參照圖6B)，可為傳播於頂板74中之電磁波(微波)波長λ0 之1/2以下，例如在此為約1～約35mm之範圍內。直徑D1若大於波長λ0 之1/2，則該氣體噴出孔104部分之比介電率大幅變化之結果，該部分之電場密度會與其他部分不同，而造成電漿密度有大幅差異，故不佳。
又，多孔介電體108中所含氣泡之直徑，以0.1mm以下為宜。該氣泡直徑若大於0.1mm時，因為微波產生電漿異常放電之可能性會增高。又，在此，多孔介電體108中，有無數氣泡相連，藉此確保通氣性。
再者，各氣體通路102之直徑D2，在不妨礙氣體流動之範圍，儘可能減小，至少設定為小於氣體噴出孔104之直徑D1，以使得對於微波或電場分布不造成不利影響。又，取代多孔介電體108，亦可使用如圖6C、圖6D所示具細孔之陶瓷構件109。圖6C，為陶瓷構件109剖面圖，圖6D為陶瓷構件109之平面圖。該陶瓷構件109之內部，以細孔形式設有直徑約0.05mm之氣體放出孔109A，於圖示例顯示3個之例，但該個數不特別限定。更佳為個數儘可能多，使氣體放出量加多且氣體放出速度減慢。
<頂板之製造方法>
在此，說明頂板74之製造方法。首先，頂板74由石英形成時，準備成為母材之圓板狀石英板，使用鑽頭或雷射光等，如圖4所示，進行從該石英板之側面，以放射狀形成(穿孔)各氣體通路102(102A～102C)之步驟。
其次，於該石英板之表面，相同地使用鑽頭或雷射光等，依序進行形成(穿孔)圖6所示連接通路106與氣體噴出孔104之步驟。又，形成該連接通路106或氣體噴出孔104後，可形成氣體通路102。
並且，其次在氣體噴出孔104，安裝預先燒結完成之多孔介電體108。該多孔介電體108例如於高溫下安裝在氣體噴出孔104。藉此，完成頂板74。
又，頂板74以氧化鋁等陶瓷材形成時，首先，在成為頂板母材之圓板狀半成品，使用鑽頭或雷射光等，如圖4所示，進行從其半成品之側面進行放射狀形成(穿孔)氣體通路102(102A～102C)之步驟。在此，上述半成品，可使用：於Al2 O3 原料粉末中攙合黏結劑並噴霧乾燥而成之造粒粉末壓製成圓板狀之成型體(亦稱「坏體」)、將該成型體於約400℃程度煅燒得到之脫脂體、或將上述坏體以約1000℃暫時燒結得到之暫時燒結體。
其次，在上述半成品之表面，同樣地使用鑽頭或雷射光等，如圖6所示，進行依序形成(穿孔)連接通路106及氣體噴出孔104之步驟。又，形成該連接通路106或氣體噴出孔104後，亦可形成氣體通路102。
其次，於氣體噴出孔104，安裝較頂板74之坏體、脫脂體，或暫時燒結體所構成各半成品之燒結收縮率稍小的燒結前多孔介電體108。
以此方式，若完成燒結前之多孔介電體108安裝，則將該半成品全體於例如約1450℃高溫完全燒結。藉此，完成頂板74。
其次，回到圖2或圖3，將如上所述形成之頂板74，隔著密封構件76氣密地安裝在處理容器34之頂蓬側開口附近所設置之安裝高低部110上。於此情形，為了使頂板74之離合容易，使處理容器34之頂蓬側之側壁之內徑形成為較頂板74之直徑稍大，於該側壁與頂板74之間之間隙112作為氣體導入埠114之功能。因此，該氣體導入埠114，沿著頂板74之周方向形成環狀。
又，頂板74之直徑形成為與處理容器34之頂蓬側之側壁之內徑大約同大而無間隙112時，如圖3B所示，可取代間隙112(氣體導入埠114)在沿著頂蓬側之側壁之內周部以環狀設置氣體導入溝113，藉此，能提高將頂板74嵌入處理容器34時之定位精度。關於該氣體導入溝113之構造，可應用在以下說明之所有實施例。
並且，氣體導入埠114，連接著用以對其供給氣體之氣體供給部116。具體而言，該氣體供給部116，在處理容器34之側壁，具有沿著其高度方向形成之氣體導入通道118，該氣體導入通道118之前端連接通於氣體導入埠114。該氣體導入埠114上方設置有密封構件88、90，以使得氣體不漏到外部。並且，該氣體導入通道118，介設有如質流控制器之未圖示的流量控制器，將必要氣體在此例如作為電漿激發用氣體之稀有氣體，例如Ar氣體，一面控制流量一面供給。
又，於處理空間S內，設有另外的氣體導入部120。具體而言，該氣體導入部120，係將石英或鋁合金等構成之管路122組成例如格子狀，並於其底面側設置多數氣體噴出孔124，具所謂噴淋頭構造。並且，該氣體導入部120，亦有中途設置未圖示流量控制器之氣體導入通道126連接，將必要氣體(處理氣體)，例如若為成膜處理則為成膜氣體，一面控制流量一面供給。又，該氣體導入部120，視處理內容，可在必要時設置即可。
又，該處理容器34在氣體導入部120稍下方之部分的分割線128(參照圖2)，可分割成上下2零件。並且，該處理容器34之側壁外面一部分，以跨越分割線128之方式，設置有樞紐130。藉此，為了維修等時，可將處理容器34上方部分以樞紐130作為旋轉中心開啟。因此，於分割線128部分，為了保持處理容器34內之密封性，介在有O型環等大口徑密封構件132，同時，於氣體供給部116之氣體導入通道118之分斷部分，亦以圍繞該氣體導入通道118周圍之方式介在有O型環等小口徑密封構件134。
並且，如以上構成之電漿處理裝置32之全體動作，可以例如電腦等構成之控制部136控制，執行該動作之電腦程式，記憶於軟碟或CD(Compact Disc)或快閃記憶體或硬碟等記憶媒體138。具體而言，依照來自該控制部136之指令，進行各氣體供給或流量控制、微波或高頻之供給或電力控制、處理溫度或處理壓力之控制等。
其次，說明使用如以上構成之電漿處理裝置32進行之例如成膜方法。
首先，通過未圖示之閘閥，將半導體晶圓W藉由搬送臂(未圖示)搬入到處理容器34內，並藉使升降銷48上下動，將晶圓載置於載置台36之頂面之載置面，並且，將該晶圓以靜電夾頭64靜電吸附。將該晶圓W利用電阻加熱器56維持在既定處理溫度，從設置在處理容器34內之氣體導入部120之各氣體噴出孔124，將成膜氣體一面控制流量一面噴出到處理空間S，同時，從設於頂板74之各氣體噴出孔104，通過具通氣性之多孔介電體108，將Ar氣體一面控制流量一面噴出到處理空間S。與此同時，控制壓力控制閥42，將處理容器34內維持在既定處理壓力。
又，與上述操作同時，藉由驅動電磁波導入部78之微波產生器100，將該微波產生器100產生之微波，通過矩形導波管96及同軸導波管92對於平面天線構件80供給，並將以慢波材82縮短波長之微波導入於處理空間S，藉此於處理空間S產生電漿，進行使用電漿之成膜處理。
以此方式，若從平面天線構件80將微波導入於處理容器34內，則Ar氣體會被該微波所電離而電漿化、活化，伴隨於此，使成膜氣體亦活化，藉此時產生之活性物質在晶圓之表面形成薄膜。並且，上述各氣體在載置台36之周邊部大致均等地擴散，往下方流動，並通過排氣口40從排氣路46排出。
在此，對於亦作為噴淋頭之頂板74供給氣體詳加說明。首先，一面流量控制一面流入到氣體供給部116之氣體導入通道118內之Ar氣體，流入沿著頂板74之外周面開口之氣體導入埠114內，並且經過形成環狀之氣體導入埠114沿著頂板74之周方向流動。並且，該Ar氣體，一面沿著氣體導入埠114流動，一面從設置在頂板74側壁之氣體入口103流入到各氣體通路102A～102C內，通過與該各氣體通路102A～102C連通設置之連接通路106(參照圖6)，到達氣體噴出孔104，通過安裝在該氣體噴出孔104之多孔介電體108噴出到處理空間S。
於此情形，該具噴淋頭功能之頂板74，如上所述，由於不使用O型環等密封構件而以石英或陶瓷材一體形成，因此，不會增加全體厚度而能強化全體強度。因此，對於溫度上升，頂板74本身耐久性提升，不僅能增加供給微波之電力，也能以不致破損地提升Ar氣體之供給壓力。因此，能以提高供給壓力之分量，供給較多量氣體，進而提升製造產量。
又，於頂板74內未設置密封構件，因此，氣體通路102A～102C內等即使發生成為O型環破損原因之異常放電，亦能防止氣體滲漏產生。
<第1實施例之變形例>
其次，說明依照本發明第1實施例之頂板之變形例。圖7顯示依照第1實施例之變形例之頂板，其氣體通路一部分之水平方向剖面之橫剖面圖。又，在此頂板係對稱形成，因此，顯示大致一半的剖面，與之前實施例相同構成部分，標以相同參照符號。又，該第1實施例之變形例剖面，與圖3所示第1實施例之剖面圖相同。
該第1實施例之變形例之頂板74，包含：氣體通路102，朝著頂板74之中心形成放射狀；氣體通路102，與以放射狀形成之氣體通路102平行排列。
具體而言，長氣體通路102A，沿著半徑方向延伸到達頂板74之中心附近，全體以放射狀配置，於一長氣體通路102A之兩側，短氣體通路102C與該長氣體通路102A平行配置，於距該長氣體通路102A最近之另一長氣體通路102A之兩側，中間長度之氣體通路102B與該另一長氣體通路102A平行配置。結果，氣體通路102，以如氣體通路102A、氣體通路102B、氣體通路102C、氣體通路102A、氣體通路102C、氣體通路102B、氣體通路102A之順序，沿著頂板74之周方向排列。於此情形，各氣體通路102A～102C互不連通而獨立。並且，對應於各氣體通路102A～102C各設置有4～2個之氣體噴出孔104，於氣體噴出孔104安裝著多孔介電體108。
該變形例之頂板74，如圖3及圖4所示先前之第1實施例之頂板74，可發揮同樣作用效果。又，上述第1實施例及第1實施例之變形例中，各氣體通路102之條數或長度或各設置之氣體噴出孔104數，僅為一例，當然不限於上述數目。
<第2實施例>
其次，說明依照本發明第2實施例之頂板。圖8顯示依照第2實施例之頂板附近部分擴大剖面圖、圖9顯示依照第2實施例之頂板之氣體通路一部分之水平方向剖面之橫剖面圖、圖10顯示第2實施例之頂板之側面圖。
又，圖9中，由於頂板係對稱地形成，因此顯示大致一半的剖面。又，與先前實施例相同構成部分，標記相同參照符號。
該第2實施例之情形，亦如圖9所示，形成在頂板74之各氣體通路102D，全部延伸直到頂板74之中心部，在該中心部互相連通。因此，各氣體通路102D，從頂板74之中心部起放射狀地設置。
並且，於該頂板74，氣體噴出孔104以既定間隔形成為與各氣體通路102D連通，於氣體噴出孔104安裝著多孔介電體108。於此情形，在各氣體通路102D不配置相同數目之氣體噴出孔104，而是以使得在頂板74面內成大致均勻分布之方式，適當變化每1條氣體通路102D之氣體噴出孔104之設置數目。又，在此，於頂板74之中心部，亦設置安裝著多孔介電體108之氣體噴出孔104。
亦如圖10所示，沿著各氣體通路102D之頂板74之外周面開口之開口，利用密封材140密封並堵塞。又，於頂板74之外周面附近，連接於氣體通路102D之中至少1條氣體通路102D，並且形成開口於頂板74底面之氣體入口142。該氣體入口142，成列在氣體供給部116(參照圖2)之氣體導入通道118上端，藉此與氣體導入通道118連通。又，亦可形成多數氣體入口142，使氣體導入通道118連通於多條氣體通路102D。並且，於該氣體導入通道118與氣體入口142之連接部，以包圍氣體導入通道118與氣體入口142周圍之方式，設置例如O型環等所構成之密封構件144(圖8)，防止所供給之氣體漏洩。
於此情形，於頂板74之外周面與處理容器34上端部之內壁間的間隙112，無氣體流動，因此不需要設置在第1實施例中，該間隙112之上方設置之密封構件88、90(參照圖2)。
又，於該第2實施例之情形，通過氣體入口142而流到多數氣體通路102D之中1條氣體通路102D內之Ar氣體，流到頂板74之中心部為止，從該中心部以放射狀地流到其他氣體通路102D內。
於此情形，亦能與先前之第1實施例發揮同樣的作用效果。再者，於此情形，不需要於第1實施例使用之遮蔽蓋部86之周邊部所設置之2個大口徑密封構件88、90，因而能降低成本。
又，於氣體導入通道118與氣體入口142間的連接部設置的密封構件144非常小，且由於僅需從該上方使頂板74下降而設置便能安裝密封構件144，故能輕易地進行密封構件144之定位，因而維修時之組裝作業亦能輕易進行。
又，各氣體通路102D端部之密封材140，可於頂板74之製造中(頂板74為半成品時)安裝並燒結，亦可於頂板74之製造後安裝。又，亦可在頂板74之頂面開口之方式形成氣體入口142，亦可從頂蓬側連接氣體導入通道118。
<第3實施例>
其次，說明依照本發明第3實施例之頂板。圖11顯示第3實施例之頂板附近部分擴大剖面圖、圖12顯示第3實施例之頂板之氣體通路一部分之水平方向剖面之橫剖面圖。又，圖12中，在此，由於頂板係對稱形成，因此顯示大致一半之剖面。又，關於與先前實施例相同構成部分，標記以相同參照符號。
該第3實施例之情形，如圖12所示，頂板74，具：與圖4所示第1實施例同樣配置之氣體通路102A～102C，及以使1以上之氣體通路102A～102C橫切之方式連通之氣體通路102E。圖示之例中，所有氣體通路102A～102C、102E均連通。
並且，於頂板74，以通過氣體通路102A～102C與連接通路106(圖11)而連通之方式形成有氣體噴出孔104，於氣體噴出孔104安裝著多孔介電體108。又，亦可對於氣體通路102E亦配置安裝著多孔介電體108之氣體噴出孔104。並且，如圖10所示，開口於氣體通路102A～102C及102E之頂板74外周面之開口，利用密封材140密封並堵塞。
又，於頂板74之外周面附近，如圖11所示，與氣體通路102A～102C及102E其中至少1條氣體通路連通，形成有開口在頂板74底面之氣體入口142。該氣體入口142，在氣體導入通道118之上端成列，藉此與氣體導入通道118連通。利用該構成，本實施例之頂板74中，氣體不會從開口於氣體通路102A～102C及102E之頂板74外周面之開口流動，而是通過氣體入口142而往氣體通路102A～102C及102E流動。又，於氣體入口142與氣體導入通道118間之連接部，介設著O型環等密封構件144，防止氣體漏洩。
於此情形，由於從氣體導入通道118導入於氣體通路102A～102C、102E其中之一之氣體通路的Ar氣體，均流向其他所有氣體通路102A～102C、102E，因此，能發揮與先前第2實施例同樣作用效果。又，第3實施例中，氣體入口142可開口在頂板74之頂面。又，依照第3實施例之頂板74，亦可替換圖4所示第1實施例之氣體通路102A～102C，而具有圖7所示第1實施例之變形例之氣體通路102A～102C及與此等連通之氣體通路102E。
<第4實施例>
其次，說明依照本發明第4實施例之頂板。圖13顯示依照第4實施例之頂板附近之部分擴大剖面圖。又，與先前實施例相同構成部分，標記相同參照符號。
至今為止之各實施例中，頂板74之構成係從各氣體噴出孔104一次將經控制之氣體噴出，但第4實施例，係將氣體噴出孔104區隔成多數群組，以每一區可控制氣體流量之方式構成頂板74。具體而言，如圖13所示，氣體噴出孔104同心圓狀地群組化(區隔化)為：位在頂板74之內周側之第1區150，及位在其外側之第2區152。並且，在此，內周側之第1區150之氣體噴出孔104，如圖8及圖9所示第2實施例所說明的，連通於成放射狀排列而全體於中央部連通之方式形成之氣體通路102D。
又，於頂板74之外周面附近，如圖13之右端側所示，與氣體通路102D其中至少1條氣體通路連通，並形成在頂板74底面開口之氣體入口154。該氣體入口154，在氣體導入通道156上端成列，藉此與氣體導入通道156連通。並且，於氣體入口154與氣體導入通道156之連接部，介設O型環等密封構件158，防止氣體洩漏。又，氣體導入通道156，構成上述氣體供給部116(參照圖2)之一部分。
相對於此，外周側第2區152之氣體噴出孔104，如圖11及圖12所示第3實施例所說明的，連通於朝著頂板74之中心部延伸之第1群組之氣體通路102A～102C，及與該第1群組之氣體通路102A～102C連通之第2群組之氣體通路102E。亦即，如前所述，第1群組之氣體通路102A～102C，利用橫切該等之方式形成之第2群組之氣體通路102E，成為互相連通之狀態。並且，第1區之氣體通路102D與第2區之氣體通路102A～102C及102E，位在頂板74之厚度方向上不同高度。具體而言，第1區之氣體通路102D位在較第2區之氣體通路102A～102C及102E為高的位置。原因在於：若連通於氣體通路102D之連接通路106位在頂板74外周側，則該連接通路106會有干擾下側之氣體通路102A～102C及102E之虞，因此將連通於上側之氣體通路102D的連接通路106設置在頂板74之內周側較佳。
依照該第4實施例之頂板74，亦能與先前第2及第3實施例之頂板74發揮同樣的作用效果。再者，在此係將氣體噴出孔104同心圓狀地群組化為第1區150及第2區152，因此，能對於區150、152個別地控制Ar氣體流量並使噴出。
<第4實施例之變形例1>
其次，說明依照本發明第4實施例之變形例1的頂板。圖14顯示依照第4實施例之變形例1的頂板附近部分擴大剖面圖。又，與先前實施例相同構成部分，標記以相同參照符號。
於先前第4實施例中，第1區150之氣體噴出孔104連通第2實施例之氣體通路102D，且第2區152之氣體噴出孔104連通第3實施例之氣體通路102A～102C及102E，但替代地，可如圖14所示，在第1區150之氣體噴出孔104連通第3實施例之氣體通路102A～102C及102E。於此情形，亦能與先前第4實施例發揮同樣的作用效果。
<第4實施例之變形例2>
其次，說明依照本發明之第4實施例之變形例2的頂板。圖15顯示依照第4實施例之變形例2之頂板附近部分擴大剖面圖。又，與先前實施例相同構成部分，標記相同參照符號。
先前之第4實施例中，在第1區150之氣體噴出孔104應用第2實施例之氣體通路102D，且第2區152之氣體噴出孔104連通著第3實施例之氣體通路102A～102C及102E，在此亦可替換成如圖15所示，在第1區150之氣體噴出孔104，連通圖3及圖4所示第1實施例之氣體通路102A～102C，又，亦可如圖7所示，連通第1實施例之變形例1之氣體通路102A～102C。於此情形，亦能與先前第4實施例發揮同樣作用效果。
又，第4實施例之變形例2中，亦可與上述相反地，於第1區152之氣體噴出孔104連通第3實施例之氣體通路102A～102C及102E，並於第2區152之氣體噴出孔104連通第1實施例或第1實施例之變形例1之氣體通路102A～102C。
<與冷卻部兼顧>
其次，說明依照本發明之第5實施例之頂板。圖16顯示第5實施例之頂板附近之部分擴大剖面圖。又，與先前之實施例為相同構成部分，標記相同參照符號。
該第5實施例中，在頂板74設有冷卻部159。具體而言，用以流動冷卻媒體並冷卻頂板74之冷媒通路160，設置在頂板74內。若參照圖16，就氣體通路102而言，設置有如圖11及圖12所示第3實施例之氣體通路102A～102C及102E，該氣體通路102A～102C及102E之上方，設有冷媒通路160。
該冷媒通路160與圖8及圖9所示第2實施例之氣體通路102D同樣以放射狀設置，同時，在頂板74之中央部，該冷媒通路160全部互相連通。並且，該頂板74之中央部及平面天線構件80之中央部，各設有從冷媒通路160往上方穿出之氣孔162、164。藉此，流進冷媒通路160內之冷卻媒體可從慢波材82之中央部之孔往上方之同軸導波管92側排出。
又，各冷媒通路160之頂板74之外周面之開口開放，往氣體導入埠114連通。並且，於該氣體導入埠114，連接著沿著處理容器34之側壁從其下方延伸之冷媒導入通道166。藉此，能對於冷媒通路160供給冷媒。在此，冷媒可為清潔的冷卻空氣、氮氣等。於此情形，該冷媒氣體即使往大氣側漏出，亦不會有什麼問題，因此，不需要在形成間隙112之氣體導入埠114上方設置密封構件88、90(參照圖2)。
該第5實施例之情形，從冷媒導入通道166供給之冷媒，在氣體導入埠114內沿著其周方向一面流動一面流進各冷媒通路160內，並且一面將頂板74本身冷卻一面流到頂板74之中心部為止，從該中心部通過氣孔162、164而流往同軸導波管92側，並釋出到大氣中。以此方式，能藉由在冷媒通路160流動之上述冷媒將頂板74冷卻，能抑制頂板74之溫度上升。
在此，上述放射狀冷媒通路160或氣孔162，與氣體通路102同樣，能於該氣體通路102形成時，使用鑽頭或雷射光形成(穿孔)即可。又，冷卻部159，亦可在第2實施例～第4實施例(含變形例)之各實施例均設置。
又，如以上所說明之各實施例以外，各氣體通路102可為圖17A及圖17B所示構成。
圖17A及B為氣體通路排列之變形例。圖17A顯示以格子狀形成之氣體通路102，由於格子狀構成，因此各氣體通路102互相連通。於此情形，使用氣體導入埠114時，可將各氣體通路102之兩端開放。又，亦可將該開口密封。於此情形，各氣體通路102其中之一，可如圖8所示第2實施例，形成氣體入口142(參照圖8)。又，於圖17A中，係顯示在一部分氣體通路102安裝著多孔介電體108之氣體噴出孔104作為代表。
圖17B顯示以同心圓狀配置之氣體通路102，在此與各環狀氣體通路102連通之方式形成直線狀氣體通路102F。
於此情形，亦為使用氣體導入埠114時，可將氣體通路102F之端部之開口103開放。若以此方式，Ar等電漿激發用氣體，會從氣體導入埠114通過開口113而流入氣體通路102及102F。又，該開口103可密封。於此情形，氣體通路102F如圖8所示第2實施例，形成氣體入口142(參照圖8)。又，圖17B中，顯示一部分氣體通路102安裝著多孔介電體108之氣體噴出孔104作為代表。
又，圖18A及圖18B，各顯示圖17A及圖17B所示頂板之另一變形例。如圖18所示，氣體噴出孔104可以群組化成多數區。在此，氣體噴出孔104，群組化為位在內周側之第1區，及位在其外側之第2區。於此情形，在區之間，氣體通路分斷，且，各區之氣體入口彼此以未圖示之密封構件等分離。
又，如圖17B、圖18A及圖18B所示，格子狀、環狀氣體通路102無法以鑽頭或雷射光形成，但準備2個圓板，並在其中之一圓板之表面對應於氣體通路102形成凹部狀溝，形成氣體噴出口104，之後，藉由將2個圓板黏著或熔接等以接合，能製作頂板74。
又，亦可將圖17A或圖17B所示構造，與先前說明之第1實施例～第5實施例其中之一組合。
又，以上說明之頂板74之構成材料與多孔介電體108之主要構成材料，若考慮熱膨脹率，希望為相同材料。例如頂板74使用石英玻璃時，多孔介電體108使用多孔石英，頂板74使用陶瓷材時，多孔介電體108使用多孔陶瓷為佳。
陶瓷材可為氧化鋁、氧化矽、磷酸鈣、SIC、氧化鋯等。又，多孔陶瓷，可使用例如日本特開2002-343788號公報、日本特開2003-95764號公報、日本特開2004-59344號公報等揭示之多孔陶瓷。
又，上述實施例中，電磁波係以微波為例說明，但不限於此，可使用例如高頻。於此情形，可在頂板74上設置誘導線圈部，並於此連接產生例如13.56MHz等高頻之高頻產生器即可。
又，在此電漿處理係以成膜處理為例說明，但不限於此，關於蝕刻處理、灰化處理等其他電漿處理亦能應用本發明。
又，在此，被處理體係以半導體晶圓為例說明，但不限於此，本發明亦能應用在玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等。
本國際申請案係基於2007年9月6日提申之日本專利申請案2007-232099號主張優先權，其全部內容在此援用。
S．．．處理空間
W．．．半導體晶圓
2．．．電漿處理裝置
4．．．處理容器
6．．．載置台
8．．．頂板
10．．．氣體噴嘴
12．．．平面天線構件
14．．．慢波材
16．．．狹縫
18．．．同軸導波管
18A．．．中心導體
20．．．微波產生器
22．．．模式變換器
32．．．電漿處理裝置
34．．．處理容器
36．．．載置台
38．．．支柱
40．．．排氣口
42．．．壓力控制閥
44．．．真空泵浦
46．．．排氣路
48．．．升降銷
50．．．伸縮囊
52．．．升降桿
54．．．銷插通孔
56．．．電阻加熱器
58．．．配線
60．．．加熱器電源
62．．．導線
64．．．靜電夾頭
66．．．配線
68．．．直流電源
70．．．偏壓用高頻電源
74．．．頂板
76．．．密封構件
78．．．電磁波導入部
80．．．平面天線構件
82．．．慢波材
84．．．狹縫
86．．．遮蔽蓋部
88．．．遮蔽構件
90．．．遮蔽構件
92．．．同軸導波管
92A．．．外管
92B．．．內部導體
94．．．模式變換器
96．．．矩形導波管
98．．．匹配電路
100．．．微波產生器
102．．．氣體通路
102A．．．氣體通路
102B．．．氣體通路
102C．．．氣體通路
102D．．．氣體通路
102E．．．氣體通路
102F．．．氣體通路
103．．．氣體入口(開口)
104．．．氣體噴出孔
106．．．連接通路
108．．．多孔介電體
109．．．陶瓷構件
109A．．．氣體放出孔
110．．．安裝高低部
112．．．間隙
113．．．氣體導入溝
114．．．氣體導入埠
116．．．氣體供給部
118．．．氣體導入通道
120．．．氣體導入部
122．．．管路
124．．．氣體噴出孔
126．．．氣體導入通道
128．．．分割線
130．．．樞紐
132．．．密封構件
134．．．密封構件
136．．．控制部
138．．．記憶媒體
140．．．密封材
142．．．氣體入口
144．．．密封構件
150．．．第1區
152．．．第2區
154．．．氣體入口
156．．．氣體導入通道
158．．．密封構件
159．．．冷卻部
160．．．冷媒通路
162．．．氣孔
164．．．氣孔
166．．．冷媒導入通道
圖1顯示使用微波之習知一般電漿處理裝置之概略構成圖。
圖2顯示本發明之頂板之第1實施例的電漿處理裝置構成圖。
圖3A顯示第1實施例之頂板附近之部分擴大剖面圖。
圖3B顯示第1實施例之頂板之變形例端部之部分擴大剖面圖。
圖4顯示第1實施例之頂板之氣體通路之部分水平方向剖面之橫剖面圖。
圖5顯示頂板之側面圖。
圖6A顯示氣體噴出孔之一部分構造剖面圖。
圖6B顯示氣體噴出孔之一部分構造之其他剖面圖。
圖6C顯示安裝在氣體噴出孔之一構件例之剖面圖。
圖6D顯示圖6C所示構件之平面圖。
圖7顯示第1實施例之變形例1之頂板之氣體通路一部分之水平方向剖面之橫剖面圖。
圖8顯示第2實施例之頂板附近之部分擴大剖面圖。
圖9顯示第2實施例之頂板之氣體通路一部分水平方向之剖面之橫剖面圖。
圖10顯示第2實施例之頂板之側面圖。
圖11顯示第3實施例之頂板附近之部分擴大剖面圖。
圖12顯示第3實施例之頂板之氣體通路一部分之水平方向剖面之橫剖面圖。
圖13顯示第4實施例之頂板附近之部分擴大剖面圖。
圖14顯示第4實施例之變形例1之頂板附近部分擴大剖面圖。
圖15顯示第4實施例之變形例2之頂板附近部分擴大剖面圖。
圖16顯示第5實施例之頂板附近之部分擴大剖面圖。
圖17A顯示氣體通路排列之一變形例。
圖17B顯示氣體通路排列之另一變形例。
圖18A顯示圖17A所示頂板之另一變形例。
圖18B顯示圖17B所示頂板之又另一變形例。
34．．．處理容器
74．．．頂板
76．．．密封構件
80．．．平面天線構件
82．．．慢波材
84．．．狹縫
86．．．遮蔽蓋部
88．．．遮蔽構件
90．．．遮蔽構件
92．．．同軸導波管
92A．．．外管
92B．．．內部導體
102．．．氣體通路
102A．．．氣體通路
102B．．．氣體通路
102C．．．氣體通路
103．．．氣體入口(開口)
104．．．氣體噴出孔
108．．．多孔介電體
110．．．安裝高低部
112．．．間隙
114．．．氣體導入埠
118．．．氣體導入通道

Claims (25)

  1. 一種頂板，其為內部可進行抽真空之電漿處理裝置之處理容器之頂蓬之開口部所設置之由一種母材所構成之一體化頂板，包含：多數氣體通路，沿著該頂板之平面方向形成，且一端在該頂板之側面形成開口；及氣體噴出孔，與該多數氣體通路連通，且開口於面臨該處理容器內之該頂板之第1面。
  2. 如申請專利範圍第1項之頂板，其中，該多數氣體通路的一端在該頂板之側面所形成之開口係作為氣體入口而開口，且該多數氣體通路朝向該頂板之中心部延伸。
  3. 如申請專利範圍第2項之頂板，其中，該多數氣體通路包含：第1氣體通路，形成為朝向該頂板之中心部的放射狀，及第2氣體通路，與該第1氣體通路平行排列。
  4. 如申請專利範圍第1項之頂板，其中，該開口被密封材所密封；該多數氣體通路其中之一氣體通路係：與該多數氣體通路中的至少1條其他氣體通路連通，且於該一氣體通路的端部，即位於該頂板之周緣部側的端部，包含在該頂板之該第1面及與該第1面相對向之第2面其中之一面開口的氣體入口。
  5. 如申請專利範圍第4項之頂板，其中，該多數氣體通路，係對於該頂板成放射狀設置，該一氣體通路的位在該頂板之中心部側之端部，係與該多數氣體通路中的至少1條其他氣體通路連通。
  6. 如申請專利範圍第4項之頂板，其中，該多數氣體通路包含：第1群組之氣體通路，朝向該頂板之中心部延伸；及 第2群組之氣體通路，與該第1群組之氣體通路連通。
  7. 如申請專利範圍第1項之頂板，其中，於該氣體噴出孔，安裝著具通氣性之多孔介電體。
  8. 如申請專利範圍第1項之頂板，其中，於該氣體噴出孔，安裝著具細孔之陶瓷構件。
  9. 如申請專利範圍第1項之頂板，其中，於該頂板，成放射狀形成供冷卻媒體流通之冷媒通路。
  10. 一種頂板，其為內部可進行抽真空之電漿處理裝置之處理容器之頂蓬之開口部所設置之一體化頂板，包含：多數氣體通路，沿著該頂板之平面方向形成；及氣體噴出孔，與該多數氣體通路連通，且開口於面臨該處理容器內之該頂板之第1面；該多數氣體通路其中之一氣體通路係：與該多數氣體通路中的至少1條其他氣體通路連通，且於該一氣體通路的端部，即位於該頂板之周緣部側的端部，包含在該頂板之該第1面及與該第1面相對向之第2面其中之一面開口的氣體入口；與該多數氣體通路連通之該氣體噴出孔，群組化為位在該頂板之內周側之第1區之氣體噴出孔與位在外周側之第2區之氣體噴出孔；與該第1區之氣體噴出孔連通之多數氣體通路，係成放射狀設置，於位在該頂板之中心部側之端部彼此連通；與該第2區之氣體噴出孔連通之多數氣體通路，包含：第1群組之氣體通路，朝向該頂板之中心部延伸；及第2群組之氣體通路，與該第1群組之氣體通路連通。
  11. 一種頂板，其為內部可進行抽真空之電漿處理裝置之處理容器之頂蓬之開口部所設置之一體化頂板，包含：多數氣體通路，沿著該頂板之平面方向形成；及氣體噴出孔，與該多數氣體通路連通，且開口於面臨該處理容器內之該頂板之第1面； 該多數氣體通路其中之一氣體通路係：與該多數氣體通路中的至少1條其他氣體通路連通，且於該一氣體通路的端部，即位於該頂板之周緣部側的端部，包含在該頂板之該第1面及與該第1面相對向之第2面其中之一面開口的氣體入口；與該多數氣體通路連通之該氣體噴出孔，群組化為位在該頂板之內周側之第1區之氣體噴出孔與位在外周側之第2區之氣體噴出孔；與該第1區之氣體噴出孔連通之該多數氣體通路，包含：第1群組之氣體通路，朝向該頂板之中心部延伸；及第2群組之氣體通路，與該第1群組之多條氣體通路連通；與該第2區之氣體噴出孔連通之該多數氣體通路，包含：第1群組之氣體通路，朝向該頂板之中心部延伸；及第2群組之氣體通路，與該第1群組之多條氣體通路連通。
  12. 一種頂板，其為內部可進行抽真空之電漿處理裝置之處理容器之頂蓬之開口部所設置之一體化頂板，包含：多數氣體通路，沿著該頂板之平面方向形成；及氣體噴出孔，與該多數氣體通路連通，且開口於面臨該處理容器內之該頂板之第1面；與該多數氣體通路連通之該氣體噴出孔，群組化為位在該頂板之內周側之第1區之氣體噴出孔，與位在外周側之第2區之氣體噴出孔；該多數氣體通路其中一部分之氣體通路，與該第1及第2區之中任一區之氣體噴出孔連通，且一端在該頂板之側面開口作為氣體入口，並朝向該頂板之中心部延伸；其餘之氣體通路，與另一區之氣體噴出孔連通，且包含：第1群組之氣體通路，朝向該頂板之中心部延伸；及第2群組之氣體通路，與該第1群組之多條氣體通路連通。
  13. 一種電漿處理裝置，包含：處理容器，其頂蓬部開口而內部可進行抽真空； 載置台，設於該處理容器內，用以載置被處理體；申請專利範圍第1項之頂板，設於該處理容器頂蓬之開口；電磁波導入部，經由該頂板將電漿產生用之電磁波導入該處理容器內；及氣體供給部，用以對形成於該頂板之氣體通路供給氣體。
  14. 如申請專利範圍第13項之電漿處理裝置，其中，該氣體供給部具氣體供給通路，該氣體供給通路在該處理容器之側壁內朝上下方向延伸而與該氣體通路之氣體入口連通。
  15. 如申請專利範圍第13項之電漿處理裝置，其中，該處理容器內設有氣體導入部。
  16. 一種電漿處理裝置，包含：處理容器，其頂蓬部開口而內部可進行抽真空；載置台，設於該處理容器內，用以載置被處理體；申請專利範圍第1項之頂板，設於該處理容器頂蓬之開口；電磁波導入部，經由該頂板將電漿產生用之電磁波導入該處理容器內；及氣體供給部，用以對形成於該頂板之氣體通路供給氣體；該氣體供給部設有環狀之氣體導入埠，該環狀氣體導入埠設置在該頂板之外周側，用於將氣體導入該氣體通路。
  17. 一種頂板之製造方法，用以製造在內部可進行抽真空之電漿處理裝置之處理容器之頂蓬的開口部所設置之頂板；包含以下步驟：從該頂板之側面穿孔而在該頂板內形成多數氣體通路；從該頂板之平面穿孔，而形成用來與該氣體通路連通之多數氣體噴出孔。
  18. 如申請專利範圍第17項之頂板之製造方法，更包含以下步驟：於該氣體噴出孔，安裝具通氣性之多孔介電體。
  19. 一種頂板之製造方法，用以製造在內部可進行抽真空之電漿處理裝置之處理容器之頂蓬的開口部所設置之頂板； 包含以下步驟：從該頂板之半成品側面穿孔而在該半成品內形成多數氣體通路；從該半成品之平面穿孔，而形成用來與該氣體通路連通之多數氣體噴出孔；及將該半成品煅燒。
  20. 如申請專利範圍第19項之頂板之製造方法，其中，更包含以下步驟：形成開口於該半成品之頂面與底面其中之一的氣體入口，使其與該頂板半成品之多數氣體通路中至少其一連通；將形成在該半成品側面之該氣體通路之開口封閉。
  21. 如申請專利範圍第19項之頂板之製造方法，其中，更包含以下步驟：在該多數氣體噴出孔，安裝具通氣性之多孔介電體。
  22. 如申請專利範圍第19項之頂板之製造方法，其中，更包含以下步驟：從該頂板之半成品之側面穿孔，而於該半成品內形成供冷卻媒體流通之冷媒通路。
  23. 一種頂板，其為內部可進行抽真空之電漿處理裝置之處理容器之頂蓬之開口部所設置之由一種母材所構成之一體化頂板，包含：多數氣體通路，沿著該頂板之平面方向形成；及氣體噴出孔，經由與該多數氣體通路連通的連接通路而與該多數氣體通路連通，且開口於面臨該處理容器內之該頂板之第1面；該連接通路的直徑與該氣體通路的直徑設置成比該氣體噴出孔的直徑更小。
  24. 一種頂板，其為內部可進行抽真空之電漿處理裝置之處理容器之頂蓬之開口部所設置之由一種母材所構成之一體化頂板，包含：多數氣體通路，沿著該頂板之平面方向形成；及 氣體噴出孔，與該多數氣體通路連通，且開口於面臨該處理容器內之該頂板之第1面；與該多數氣體通路連通之該氣體噴出孔，群組化為位在該頂板之內周側之第1區之氣體噴出孔與位在外周側之第2區之氣體噴出孔；與該第1區之氣體噴出孔連通的氣體通路以及與該第2區之氣體噴出孔連通的氣體通路彼此互不連通而各別獨立設置，進行控制，使該第1區之氣體流量與該第2區之氣體流量互不相同。
  25. 一種頂板，其為內部可進行抽真空之電漿處理裝置之處理容器之頂蓬之開口部所設置之由一種母材所構成之一體化頂板，包含：多數氣體通路，沿著該頂板之平面方向形成；及氣體噴出孔，與該多數氣體通路連通，且開口於面臨該處理容器內之該頂板之第1面；與該多數氣體通路連通之該氣體噴出孔，群組化為位在該頂板之內周側之第1區之氣體噴出孔與位在外周側之第2區之氣體噴出孔；與該第1區之氣體噴出孔連通的氣體通路以及與該第2區之氣體噴出孔連通的氣體通路，位於在頂板之厚度方向上彼此相異之高度。
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