TWI388392B - 混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法 - Google Patents

Description

混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法

本發明係關於一種混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，特別是關於一種將高熔點金屬微粒混摻在低熔點軟金屬基材內，以製造具熔點變化特性並可簡化電子產品多階段迴焊製程之混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法。

隨著電子裝置的高性能化，構成一個電子裝置的零件數量及種類日益增多，對焊接結合技術之需求亦隨之提高。電子裝置的構成或組裝作業一般是將不同零件之焊接作業分開成數個不同階段來依序實施。如此，該組裝過程中，前一階段已完成焊接之零件在下一階段焊接其他零件時仍需反復承受數次加熱。因此，若使用同一種焊錫材料時，前一階段焊接已完成焊接之零件將受下一階段焊接作業之高溫影響，而再度熔融產生變形或解離。

為解決上述技術問題，在執行此種多階段焊接製程時，需在每一焊接階段使用不同熔融溫度之焊錫材料。換言之，最初階段的焊接作業使用最高熔點的焊錫材料，下一階段使用次低溫熔點之焊錫材料，以此類推，藉以防止已焊接結合之零件脫離定位或防止焊接部位的軟化變形。

例如，請參照第1A圖所示，其揭示一種現有印刷電路板的電子元件表面固定技術(SMT)製程，其中一印刷電路板10係可能利用二種或以上不同熔點之焊錫材料分二次或以上之迴焊(reflow)階段依序使用愈來愈低之溫度及愈來愈低熔點之焊錫材料，以焊接結合電阻11、電容12、電容13及半導體晶片封裝構造14等，其中該半導體晶片封裝構造14可為導線架(leadframe)或封裝基板之架構。

或者，請參照第1B圖所示，其揭示一種現有多晶片立體封裝(multi-chip 3D-package)構造，其中一封裝基板20係可能利用二種或以上不同熔點之焊錫材料做為二個或以上之半導體晶片21、22的凸塊(bump)211、221。在組裝時，第一個半導體晶片21的凸塊211之熔點較高及其使用之迴焊溫度亦較高，該半導體晶片21焊接結合於該封裝基板20上。另外，第二個半導體晶片22的凸塊221之熔點較低及其使用之迴焊溫度亦較低，該半導體晶片22接著焊接結合在該焊接後之半導體晶片21的背面上(或該封裝基板20的其他表面位置上)，以形成堆疊晶片(stacked die)或鄰接晶片(side-by-side chip)的架構。

然而，對於需以多階段焊接作業加以組合或製造的電子裝置而言，使用多種不同熔點的焊錫材料將造成焊接作業的複雜性，不利簡化製程。若操作人員在製程任一階段意外使用錯誤熔點值的焊錫材料，將在下一階段 迴焊時造成先前已焊接位置的熔融而影響焊接可靠度，嚴重時可能導致整批半成品無法重做(rework)而需整批報銷，因而大幅降低電子元件組裝作業之生產良率(yield)。

故，有必要提供一種混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，以解決習知技術所存在的問題。

本發明之主要目的在於提供一種混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其選擇利用滾軋混煉法或粉末擠出成型法將高熔點金屬微粒(如銀、銅、鎳、鋅、金或鋁)均勻的混摻在低熔點軟金屬基材(如錫、銦)內，以製造具熔點變化特性之無鉛焊錫材料，因此該無鉛焊錫材料有利於簡化電子產品之多階段迴焊製程、提高其加工便利性及焊接可靠度、降低物料管理成本，且能符合環保法規之無鉛標準。

為達上述之目的，本發明提供一種混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其包含步驟：將至少一種高熔點金屬微粒塗佈在數層低熔點軟金屬基材片體上；將所有的低熔點軟金屬基材片體堆疊成一無鉛焊錫疊層；滾軋該無鉛焊錫疊層，使其延展增加長度及減少厚度；對該無鉛焊錫疊層進行至少一次的對折堆疊；進行第二次滾軋，以使該無鉛焊錫疊層再次延展增加長度及減少厚度；以及，連續進行數次滾軋及對折之步驟，直 到該低熔點軟金屬基材片體的厚度減小至一預定值，以獲得一混摻高熔點金屬微粒之無鉛焊錫材料，其中該高熔點金屬微粒實質均勻的散佈在數層該低熔點軟金屬基材片體之間。

再者，本發明提供另一種混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其包含步驟：準備一種低熔點軟金屬基材粉末及至少一種高熔點金屬微粒；均勻攪拌混合該低熔點軟金屬基材粉末及高熔點金屬微粒；以及，對該低熔點軟金屬基材粉末及高熔點金屬微粒之混合粉末進行擠出成型，以壓實製得混摻高熔點金屬微粒之無鉛焊錫材料，其中該高熔點金屬微粒實質均勻的散佈在該壓實後之低熔點軟金屬基材粉末之間。

在本發明之一實施例中，該無鉛焊錫材料選擇製成球狀、粒狀、棒狀或條片狀。

在本發明之一實施例中，該低熔點軟金屬基材為錫、銦或其共晶合金。

在本發明之一實施例中，該低熔點軟金屬基材為錫銀、錫銅、錫鋅、錫鎵、錫銦鎵或錫銀銅之共晶合金，在當中選出的至少1種或以上的低熔點軟金屬基材；或者，該低熔點軟金屬基材為銦銀、銦銅、銦鋅、銦鎵、錫銦鎵或銦銀銅之共晶合金，在當中選出的至少1種或以上的低熔點軟金屬基材。

在本發明之一實施例中，該高熔點金屬微粒之材質為銀、銅、鎳、鋅、鋁、金或其混合。

在本發明之一實施例中，該高熔點金屬微粒之粒徑介於10奈米(nm)至200微米(um)之間。

在本發明之一實施例中，該高熔點金屬微粒之含量介於0.5-40.0重量%及其餘為該低熔點軟金屬基材。

在本發明之一實施例中，一種無鉛焊錫材料，其係選擇利用上述滾軋混煉法或粉末擠出成型法將高熔點金屬微粒均勻的混摻在低熔點軟金屬基材內，以製造該無鉛焊錫材料。

在本發明之一實施例中，該無鉛焊錫材料應用於多階段迴焊(reflow)製程。

在本發明之一實施例中，每一階段迴焊製程使用之無鉛焊錫材料皆包含相同材質及相同粒徑之高熔點金屬微粒。

在本發明之一實施例中，前一階段迴焊製程及下一階段迴焊製程使用之無鉛焊錫材料具有不同材質之高熔點金屬微粒。

在本發明之一實施例中，前一階段迴焊製程及下一階段迴焊製程使用之無鉛焊錫材料具有不同粒徑之高熔點金屬微粒。

在本發明之一實施例中，前一階段迴焊製程及下一階段迴焊製程使用之無鉛焊錫材料具有不同含量比例之高熔點金屬微粒。

在本發明之一實施例中，在迴焊熔融過程中，因高熔點金屬微粒表面因擴散及固溶反應作用，促使部分該 高熔點金屬元素擴散進入該低熔點軟金屬基材成為新基材，在冷卻固化後，該新基材含有固溶之該高熔點金屬元素；該高熔點金屬元素與低溫軟金屬基材共同反應產生之微粒介金屬化合物；以及至少殘留一部分該高熔點金屬微粒表面與其周圍熔融狀的該低熔點軟金屬基材片體共同產生之介金屬化合物。

為了讓本發明之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂，下文將特舉本發明較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

本發明用以提供一種混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其主要原理係在無鉛焊錫材料內混摻尚未熔融之高熔點金屬微粒，以創造出具熔點變化特性之特殊焊錫合金，其初次熔融所需之熔點溫度為最低，但初次熔融時造成高熔點金屬微粒表面之擴散及固溶反應現象，使此無鉛銲料材料內部含有高熔點金屬元素成為新的無鉛銲料材料，在冷卻固化後，該新的無鉛銲料材料含有固溶之該高熔點金屬元素；該高熔點金屬元素與低熔點軟金屬基材共同析出反應形成之微粒介金屬化合物(intermetallic compound，IMC)；以及殘留部分該高熔點金屬微粒表面與其周圍熔融狀的無鉛焊錫材料共同產生之介金屬化合物，其使得焊接後之焊錫合金整體具有一上升熔點溫度能高於初期最低熔點。因此，依 本發明製造方法生產之無鉛焊錫材料可應用於需要多階段迴焊之印刷電路板電子元件表面固定技術(SMT)製程中或是多晶片立體封裝(multi-chip 3D-package)構造製程中(如第1A及1B圖所示)，使得各階段迴焊僅需使用同一種無鉛焊錫材料，即可達到焊接欲焊接位置及保持前一階段已焊接位置強度的絕佳效果。

更詳言之，本發明即是提供一種混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其選擇利用滾軋混煉(rolling mixing)法或粉末擠出成型(powder extrusion forming)法來將高熔點金屬微粒(如銀、銅、鎳、鋅、金或鋁)均勻的混摻在低熔點軟金屬基材(如錫、銦)內，以提高混摻效果及混摻品質並提供熔點變化特性，進而使製得之無鉛焊錫材料有利於簡化電子產品之多階段迴焊製程、提高其加工便利性及焊接可靠度、降低物料管理成本，且能符合環保法規之無鉛標準。

請參照第2A至2E圖所示，本發明之一第一實施例提供一種混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其採用滾軋混煉法且包含下列步驟：將至少一種高熔點金屬微粒32塗佈在數層低熔點軟金屬基材片體31上；將所有的低熔點軟金屬基材片體31堆疊成一無鉛焊錫疊層3；滾軋該無鉛焊錫疊層3，使其延展增加長度及減少厚度；對該無鉛焊錫疊層3進行至少一次的對折堆疊；進行第二次滾軋，以使該無鉛焊錫疊層3再次延展增加長度及減少厚度；以及，連續進行數次滾軋及對折 之步驟，直到該低熔點軟金屬基材片體31的厚度減小至一預定值，以獲得一混摻高熔點金屬微粒32之無鉛焊錫材料30，其中該高熔點金屬微粒32實質均勻的散佈在數層該低熔點軟金屬基材片體31之間。

首先，如第2A圖所示，本發明準備數個低熔點軟金屬基材片體31及至少一種高熔點金屬微粒32，其中該低熔點軟金屬基材片體31較佳為錫(Sn)、銦(In)或其共晶合金，例如為錫銀、錫銅、錫鋅、錫鎵或錫銀銅之共晶合金；或銦銀、銦銅、銦鋅、銦鎵、錫銦鎵或銦銀銅之共晶合金，並且在當中可選出至少1種或以上的低熔點軟金屬基材。該高熔點金屬微粒32之材質係指熔點高於該低熔點軟金屬基材片體31之材質，例如銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、鋁(Al)、金(Au)或其混合。該高熔點金屬微粒32之粒徑較佳介於10奈米(nm)至200微米(um)之間，其中可依欲操作之熔點值來調整其高熔點金屬微粒含量及顆粒大小，例如20奈米、50奈米、100奈米、500奈米、1微米、10微米、50微米或100微米等。接著，將該高熔點金屬微粒32藉由適當方式(例如藉由助焊劑flux或些微加熱熔化該低熔點軟金屬基材片體31之表面)塗佈固定在各該低熔點軟金屬基材片體31上。

隨後，如第2A及2B圖所示，本發明係將塗佈有該高熔點金屬微粒32之所有低熔點軟金屬基材片體31堆疊成一無鉛焊錫疊層30。通常，最外層之低熔點軟金 屬基材片體31的外表面不需塗佈該高熔點金屬微粒32。接著，如第2B圖所示，利用二滾輪4滾軋該無鉛焊錫疊層3，使其延展增加長度及減少厚度，其中長度增加程度及厚度減少程度係依產品需求加以調整，本發明並不加以限制。在完成第一次滾軋後，如第2C圖所示，將該無鉛焊錫疊層3進行至少一次的對折堆疊。隨後，如第2D圖所示，利用該二滾輪4進行第二次滾軋，再次使其延展增加長度及減少厚度。以相同原理，連續進行數次滾軋及對折之步驟，直到該低熔點軟金屬基材片體31的厚度減小至一預定值。藉此，如第2E圖所示，即可獲得一混摻高熔點金屬微粒32之無鉛焊錫材料30。

再者，如第3A圖所示，在第2E圖之無鉛焊錫材料30之局部放大結構中，該高熔點金屬微粒32實質均勻的散佈在數百層或數千層的該低熔點軟金屬基材片體31之間，該高熔點金屬微粒32之含量介於0.5-40.0重量%及其餘為該低熔點軟金屬基材片體31。在完成滾軋混煉法之上述步驟後，該無鉛焊錫材料30可直接使用於各種焊接用途，特別是多階段迴焊製程，並可選擇製成球狀、粒狀、棒狀或條片狀，以供備用。

如第3B圖所示，在該無鉛焊錫材料30進行初次迴焊熔融且經冷卻固化後，初次迴焊熔融將造成該高熔點金屬微粒32表面與其周圍熔融狀的該低熔點軟金屬基材片體31的擴散及固溶反應作用，使部分該高熔點金 屬元素32’擴散進入該低熔點軟金屬基材311成為新無鉛焊錫材料301，在焊接冷卻固化後，該新無鉛焊錫材料301含有：固溶之高熔點金屬元素32’；高熔點金屬元素32’與低熔點軟金屬基材311共同反應產生之介金屬化合物(Intermetallic compound，IMC)321；以及殘留部分該高熔點金屬微粒32表面與其周圍熔融狀的該低熔點軟金屬基材311共同產生之介金屬化合物321’。該擴散、固溶之高熔點金屬元素32’及介金屬化合物321、321’將使得焊接後形成之新無鉛焊錫材料301整體具有一上升熔點溫度能高於初期最低熔點。若已經過數次迴焊熔融處理或曾經使用較高溫度進行迴焊，則上述殘留部分該高熔點金屬微粒32將全部變成該介金屬化合物321或321’。

請參照第4A及4B圖所示，本發明之一第二實施例提供另一種混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其採用粉末擠出成型且包含下列步驟：準備一種低熔點軟金屬基材粉末51及至少一種高熔點金屬微粒52；均勻攪拌混合該低熔點軟金屬基材粉末51及高熔點金屬微粒52；以及，對該低熔點軟金屬基材粉末51及高熔點金屬微粒52之混合粉末5進行擠出成型，以壓實製得高熔點混摻金屬微粒52之無鉛焊錫材料50，其中該高熔點金屬微粒52實質均勻的散佈在該壓實後之低熔點軟金屬基材粉末51之間。

首先，如第4A圖所示，本發明準備低熔點軟金屬 基材粉末51及至少一種高熔點金屬微粒52，其中該低熔點軟金屬基材粉末51較佳為錫(Sn)、銦(In)或其共晶合金，例如為錫銀、錫銅、錫鋅、錫鎵或錫銀銅之共晶合金；或銦銀、銦銅、銦鋅、銦鎵、錫銦鎵或銦銀銅之共晶合金，並且在當中可選出至少1種或以上的低熔點軟金屬基材。該高熔點金屬微粒52之材質係指熔點高於該低熔點軟金屬基材粉末51之材質，例如銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、、金(Au)、鋁(Al)或其混合。該高熔點金屬微粒52之粒徑較佳介於10奈米(nm)至200微米(um)之間，其中可依欲操作之熔點值來調整其顆粒大小，例如20奈米、50奈米、100奈米、500奈米、1微米、10微米、50微米或100微米等，通常顆粒愈大則迴焊後熔點上升之程度將愈少。接著，再利用一攪拌機6的攪拌葉片61來轉動攪拌該低熔點軟金屬基材粉末51及高熔點金屬微粒52，以均勻的混合成一混合粉末5。

隨後，如第4B圖所示，將該混合粉末5倒入一擠出成型機7，以利用一擠出螺桿71轉動施加壓力推擠該混合粉末5，並可選擇加入助焊劑或黏著劑，或者利用接近但低於該低熔點軟金屬基材粉末51之熔點的溫度來軟化處理該低熔點軟金屬基材粉末51，以便提高該低熔點軟金屬基材粉末51及高熔點金屬微粒52之粉末結合性。在該擠出螺桿71向前擠壓該混合粉末5並將其壓實擠出至該擠出成型機7之外後，該混合粉末5即 被壓實成型成為一混摻有高熔點金屬微粒52之緻密無鉛焊錫材料50。

再者，如第5A圖所示，在第4B圖之無鉛焊錫材料50之局部放大結構中，該壓實後之低熔點軟金屬基材粉末51的顆粒形狀將變形且可填補該無鉛焊錫材料50內部之大部份空隙，同時該高熔點金屬微粒52實質均勻的散佈在該壓實後之低熔點軟金屬基材511之間。該高熔點金屬微粒52實質均勻的散佈在數以萬計的該低熔點軟金屬基材粉末51之間，該高熔點金屬微粒52之含量介於0.5-40.0重量%及其餘為該低熔點軟金屬基材粉末51。在完成粉末擠出成型法之上述步驟後，該無鉛焊錫材料50可直接使用於各種焊接用途，特別是多階段迴焊製程，並可選擇製成球狀、粒狀、棒狀或條片狀，以供備用。

如第5B圖所示，在該無鉛焊錫材料30進行初次迴焊熔融且經冷卻固化後，初次迴焊熔融將造成該高熔點金屬微粒52表面與其周圍熔融狀的該低熔點軟金屬基材511的擴散及固溶反應作用，使部分高熔點金屬元素52’擴散進入低熔點軟金屬基材511成為新無鉛焊錫材料501，在焊接冷卻固化後，該新無鉛焊錫材料501含有：固溶之高熔點金屬元素52’；高熔點金屬元素52’與低熔點軟金屬基材511共同反應產生之介金屬化合物521；以及殘留部分該高熔點金屬微粒52表面與其周圍熔融狀的該低熔點軟金屬基材511共同產生之介 金屬化合物521’。該擴散、固溶之高熔點金屬元素52’及介金屬化合物521、521’將使得焊接後形成之新無鉛焊錫材料501整體具有一上升熔點溫度能高於初期最低熔點。若已經過數次迴焊熔融處理或曾經使用較高溫度進行迴焊，則上述殘留部分該高熔點金屬微粒52將全部變成該介金屬化合物521或521’。

如第3A及5A圖所示，藉由本發明之第一或第二實施例之製造方法所製備之無鉛焊錫材料30、50較佳係應用於多階段迴焊(reflow)製程，其中由於焊接後之焊錫合金整體將轉變成具有一上升熔點溫度高於初期最低熔點，因此每一階段迴焊製程使用之無鉛焊錫材料30、50可直接包含相同材質及相同粒徑之高熔點金屬微粒32、52。因此，可以有利於簡化電子產品之多階段迴焊製程、提高其加工便利性及降低物料管理成本，同時也能保持其焊接可靠度。另外，在本發明之其他實施例中，當該無鉛焊錫材料30、50應用於多階段迴焊製程時，亦可能使前一階段迴焊製程及下一階段迴焊製程使用之無鉛焊錫材料30、50具有不同材質之高熔點金屬微粒32、52，但彼此具有相同粒徑，例如前一階段迴焊製程使用之高熔點金屬微粒32、52的熔點可高於下一階段迴焊製程使用之高熔點金屬微粒32、52的熔點。或者，亦可能使用具有不同粒徑之高熔點金屬微粒32、52，但彼此具有相同材質，例如前一階段迴焊製程使用之高熔點金屬微粒32、52的粒徑可大於下一 階段迴焊製程使用之高熔點金屬微粒32、52的粒徑。抑或，亦可能使用具有不同含量比例之高熔點金屬微粒32、52，但彼此具有相同材質及粒徑，例如前一階段迴焊製程使用之高熔點金屬微粒32、52的含量比例可大於下一階段迴焊製程使用之高熔點金屬微粒32、52的含量比例。上述應用方式皆為本發明第一或第二實施例之製造方法所製備之無鉛焊錫材料30、50的可能應用方式。

如上所述，相較於習用多階段焊接作業使用多種不同熔點的焊錫材料將造成焊接作業的複雜性及不利簡化製程等缺點，第2A至5B圖之本發明藉由選擇利用滾軋混煉法或粉末擠出成型法將該高熔點金屬微粒32、52(如銀、銅、鎳、金、鋅或鋁)均勻的混摻在該低熔點軟金屬基材31、51(如錫、銦或其共晶合金)內，以製造具高混摻品質及熔點變化特性之無鉛焊錫材料30、50，因此該無鉛焊錫材料30、50有利於簡化電子產品之多階段迴焊製程、提高其加工便利性及焊接可靠度、降低物料管理成本，且能符合環保法規之無鉛標準。

雖然本發明已以較佳實施例揭露，然其並非用以限制本發明，任何熟習此項技藝之人士，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種更動與修飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧印刷電路板

11‧‧‧電阻

12‧‧‧電容

13‧‧‧電容

14‧‧‧半導體晶片封裝構造

20‧‧‧封裝基板

21‧‧‧半導體晶片

211‧‧‧凸塊

22‧‧‧半導體晶片

221‧‧‧凸塊

3‧‧‧無鉛焊錫疊層

30‧‧‧無鉛焊錫材料

301‧‧‧新無鉛焊錫材料

31‧‧‧低熔點軟金屬基材片體

311‧‧‧低熔點軟金屬基材

32‧‧‧高熔點金屬微粒

32’‧‧‧高熔點金屬元素

321‧‧‧介金屬化合物

321’‧‧‧介金屬化合物

4‧‧‧滾輪

5‧‧‧混合粉末

50‧‧‧無鉛焊錫材料

501‧‧‧新無鉛焊錫材料

51‧‧‧低熔點軟金屬基材粉末

511‧‧‧低熔點軟金屬基材

52‧‧‧高熔點混摻金屬微粒

52’‧‧‧高熔點金屬元素

521‧‧‧介金屬化合物

521’‧‧‧介金屬化合物

6‧‧‧攪拌機

61‧‧‧攪拌葉片

7‧‧‧擠出成型機

71‧‧‧擠出螺桿

第1A圖：現有印刷電路板的電子元件表面固定技術(SMT)製程之示意圖。

第1B圖：現有多晶片立體封裝(multi-chip 3D-package)構造之示意圖。

第2A至2E圖：本發明第一實施例之混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法之流程圖。

第3A及3B圖：本發明第一實施例之混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料在迴焊前及迴焊後的局部放大圖。

第4A及4B圖：本發明第二實施例之混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法之流程圖。

第5A及5B圖：本發明第二實施例之混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料在迴焊前及迴焊後的局部放大圖。

30‧‧‧無鉛焊錫材料

31‧‧‧低熔點軟金屬基材片體

32‧‧‧高熔點金屬微粒

Claims (9)

1. 一種混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其包含：將至少一種高熔點金屬微粒塗佈在數層低熔點軟金屬基材片體上，該高熔點金屬微粒之材質為銀、銅、鎳、鋅、金、鋁或其混合；將所有的低熔點軟金屬基材片體堆疊成一無鉛焊錫疊層；滾軋該無鉛焊錫疊層，使其延展增加長度及減少厚度；對該無鉛焊錫疊層進行至少一次的對折堆疊；進行第二次滾軋，以使該無鉛焊錫疊層再次延展增加長度及減少厚度；及連續進行數次滾軋及對折之步驟，直到該低熔點軟金屬基材片體的厚度減小至一預定值，以獲得一混摻高熔點金屬微粒之無鉛焊錫材料，其中該高熔點金屬微粒實質均勻的散佈在數層該低熔點軟金屬基材片體之間。
2. 一種混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其包含：準備一種低熔點軟金屬基材粉末及至少一種高熔點金屬微粒，該高熔點金屬微粒之材質為銀、銅、鎳、鋅、金、鋁或其混合；均勻攪拌混合該低熔點軟金屬基材粉末及高熔點金 屬微粒；及對該低熔點軟金屬基材粉末及高熔點金屬微粒之混合粉末進行擠出成型，以壓實製得混摻高熔點金屬微粒之無鉛焊錫材料，其中該高熔點金屬微粒實質均勻的散佈在該壓實後之低熔點軟金屬基材粉末之間。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其中該低熔點軟金屬基材為錫、銦或其共晶合金。
4. 如申請專利範圍第3項所述之混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其中，該低熔點軟金屬基材為錫銀、錫銅、錫鎵、錫鋅或錫銀銅之共晶合金，在當中選出的至少1種或以上的低熔點軟金屬基材。
5. 如申請專利範圍第3項所述之混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其中該低熔點軟金屬基材為銦銀、銦銅、銦鎵、銦鋅、銦銀銅及銦錫鎵之共晶合金，在當中選出的至少1種或以上的低熔點軟金屬基材。
6. 如申請專利範圍第1或2項所述之混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其中該高熔點金屬微粒之粒徑介於10奈米至200微米之間。
7. 如申請專利範圍第1或2項所述之混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其中該高熔點金屬微粒之含量介於0.5-40.0重量%及其餘為該低熔點軟金屬基材。
8. 如申請專利範圍第1或2項所述之混摻金屬微粒之無 鉛焊錫材料的製造方法，其中該無鉛焊錫材料應用於多階段迴焊製程，每一階段迴焊製程使用之無鉛焊錫材料皆包含相同材質及相同粒徑之高熔點金屬微粒。
9. 如申請專利範圍第8項所述之混摻金屬微粒之無鉛焊錫材料的製造方法，其中在迴焊熔融及冷卻固化後，至少一部分該高熔點金屬微粒表面與其周圍熔融狀的該低熔點軟金屬基材片體共同產生介金屬化合物。