TWI387131B - 發射電磁輻射之光電組件及製造光電組件的方法 - Google Patents

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Description

發射電磁輻射之光電組件及製造光電組件的方法
本申請案要求優先權保護，其根據德國專利申請案第102007015474.9，其所有內容皆包含於其中以供參考
本發明涉及一種申請專利範圍第1項前言所述的光電組件以及此種光電組件的製造方法。
US 5040 868中已揭示一種發光的光電組件，其具有一種外殼基體，外殼基體包括一外罩。該外罩使一導線架之二個導電軌成型且具有一凹口，凹口中安裝著可發出電磁輻射的發光二極體晶片。此凹口以一種可透過輻射的澆注物質來澆注，藉此使電磁輻射由發光二極體晶片發出時的發射性獲得改良，且此發光二極體晶片可受到保護使不受外界所影響。依據一已揭示的實施形式，該外殼基體的外罩是由高反射性的塑料來形成。
本發明的目的是提供一種以另一方式而形成的上述形式的光電組件，其在特殊應用時較傳統的組件具有多種優點。此外，本發明亦提供上述形式的光電組件的製造方法。
上述目的藉由申請專利範圍獨立項所述的光電組件或其製造方法來達成。本發明的組件和製造方法之有利的實施形式和較佳的其它形式描述在申請專利範圍各附屬項中。
本發明提供一種可發出有用輻射之光電組件，包括：一外殼，其外殼基體具有一外殼腔；以及一配置在該外殼腔 中的發光二極體晶片。該外殼基體之至少一種材料設有可吸收輻射的微粒，以使該材料的反射性適當地下降。
在多種應用中，外來光在光電組件之一外殼上的反射可能會造成干擾。此種反射的強度可藉由可吸收輻射的微粒混合至該外殼基體材料中而大大地下降。藉由可吸收輻射的微粒混合至該外殼基體材料中，則可實現一種特別好的吸收作用。
例如，基本上可達成一種比一可透過輻射-及/或具有強烈反射性的外殼基體還要良好的作用，其中該外殼基體只在外表面上設有一種可吸收輻射的層，例如，一種黑色的層。特別是一種施加在該基體上的可吸收輻射的層可省略。另一方式是，該基體亦可至少在該組件之該外表面之一些部份上另外設有一種可吸收輻射的層。
依據上述組件之另一實施形式，該外殼另外具有一種可使有用輻射透過的外殼材料，其適當地設有可吸收輻射的微粒以使其反射率下降。在該外殼材料和該基體材料都設有可吸收輻射的微粒的情況下，此二種材料可使用相同-或不同的可吸收輻射的微粒。
就本申請案而言，所謂”可吸收輻射的微粒”在概念上不是指發光材料，發光材料對一種由發光二極體晶片所發出的第一波長範圍的輻射具有吸收性且可由該輻射來激發，以發出一種不同於第一波長範圍的第二波長範圍的電磁輻射。換言之，當可吸收輻射的微粒已吸收該組件之有效電磁輻射時，則可吸收輻射的微粒未再發出光學輻射。反之， 可吸收輻射的微粒不只吸收該有用輻射，而且有一部份亦使該有用輻射發散。
在該外殼材料中和該基體材料中都含有可吸收輻射的微粒的情況下，在一實施形式中該基體材料中可吸收輻射的微粒之濃度大於該可透過輻射的外殼材料中可吸收輻射的微粒之濃度。在一種構成中，較大的濃度須為較小的濃度的二倍，在另一種構成中，基體材料中的濃度至少是外殼材料中的濃度的五倍。
依據另一實施形式，至少另一發光二極體晶片或至少另二個發光二極體晶片配置在該外殼腔中。此種配置在外殼腔中的發光二極體晶片可以是相同形式的晶片，其全部都發出相同波長的電磁輻射。另一方式是，至少一發光二極體晶片屬不同的形式且在其操作時發出一種與其餘的發光二極體晶片不同的波長光譜的電磁輻射。全部的發光二極體晶片之間亦可具有不同的發射光譜。在該組件之一種構成中，全部的發光二極體晶片在其操作時所發出的電磁輻射至少一部份對人類眼睛而言是可見的。
在另一實施形式的組件中，在該外殼腔中配置著散射微粒以使有用輻射散射。另外，散射微粒可包含在可透過該有用輻射的外殼材料中。散射微粒在此行業中亦稱為擴散微粒。藉由散射微粒，則可使該光電組件達成一種均勻的發射特性。特別是亦可藉由散射微粒來使光電組件具有一種較一未具備散射微粒的組件還大的有效發射面積。
藉由散射微粒和可吸收輻射的微粒的組合，則一方面可 使一種針對外來輻射的反射率下降，且另一方面可使有用輻射達成一種對一些應用有利的發射特性。在上述的組合中，散射微粒和可吸收輻射的微粒可共同作用。
在此組件之另一形式中，基體材料之可吸收輻射的微粒相對於該有用輻射的波長光譜的一部份或全部具有吸收性。在一種實施形式中，有用輻射的波長光譜包含人類眼睛可看見的一種範圍。此外，基體材料之可吸收輻射的微粒相對於由發光二極體晶片在操作時所發出的輻射之一部份或全部具有吸收性。
依據另一實施形式，基體材料之可吸收輻射的微粒相對於發光二極體晶片及/或有用輻射的波長光譜之一部份或全部具有吸收性。
在該組件的一種構成中，基體材料及/或外殼材料之可吸收輻射的微粒之吸收係數在有用輻射的整個光譜中的變化量小於10%。特別是微粒在相關的波長範圍中對吸收性具有一種可忽略的波長相關性。
在該組件的一種構成中，基體材料及/或外殼材料之可吸收輻射的微粒具有碳黑，碳黑在燃燒過程中通常稱為副產品。此外，碳黑在工業上產生且可用作顏料。碳黑在其吸收特性中通常具有較強的波長相依性，特別是亦可用於可見光中。然而，特定形式的碳黑在可見的波長範圍中就吸收特性而言具有很小的波長相依性。
碳黑以聚集體的形式存在著，其由多個主微粒所組成。具有特別小的主微粒的碳黑適合用作可吸收輻射的微粒。 此外，有利的是使用一種具有緊密的聚集結構之工業碳黑。就此種碳黑而言，專業領域上英文稱為”低結構碳黑(low structure carbon black)”(LSCB)。在該組件的一種構成中，該聚集體所具有的平均大小是小於或等於1微米。
依據該組件的另一實施形式，基體材料及/或外殼材料之可吸收輻射的微粒在電性上具有絕緣性。因此，可使有用輻射透過的外殼材料可直接鄰接於發光二極體晶片上，此時不會因為導電性的微粒而有短路的危險性。另一方式是亦可使用導電性的微粒。當此種微粒之濃度在該外殼材料中足夠小時，則短路的危險性同樣至少可大大地避免。於是，最大的濃度是與聚集體的大小有關。相較於傳統式的碳黑微粒而言，LSCB具有較小的聚集體大小。藉由LSCB，則在短路的形成上具有相同的危險性時可使用較高的濃度。
通常，基體材料及/或外殼材料之可吸收輻射的微粒可有利地具有一種小於或等於100奈米的平均直徑(微粒平均值)。此種小的微粒可特別良好地分散在外殼材料中。在碳黑之情況下，該聚集體之主微粒在該組件的一種構成中具有小的平均微粒直徑。
依據該組件的另一種實施形式，可透過該有用輻射的基體材料及/或外殼材料具有一種澆注物質或壓製物質。藉由此種物質，則可由完整定義的形式和尺寸來製成外殼的各部份。該澆注物質可受到澆注或例如以射出成形法來形成。該壓製物質可以一種轉移成形法來處理。
在一種適當的實施形式中，可透過該有用輻射之外殼材料具有由環氧樹脂、丙烯酸酯、矽樹脂、熱塑性塑膠以及具有以上各材料之至少一種的混合材料所形成的組中的至少一種材料。基本上亦可使用其它形式的混合材料，即，此種混合材料未具有環氧樹脂、丙烯酸酯、矽樹脂和熱塑性塑膠。
在另一實施形式中，發光二極體晶片藉由可透過該有用輻射之外殼材料來封裝或成型。特別是該外殼材料可直接鄰接於該發光二極體晶片。
在該組件的一種構成中，該外殼腔至少一部份以可透過該有用輻射之外殼材料來填入。此種填入較佳是藉由澆注一種可透過該有用輻射之材料來達成。
該組件的另一實施形式之設計方式是使該組件之外殼基體具有一種外表面。可透過該有用輻射之外殼材料至少施加在該外殼基體的外表面上。
適當的方式是使施加在該外殼基體的外表面上的外殼材料以薄膜的形式而存在著，薄膜例如可藉由積層化或藉由一種黏合材料而固定在該基體的外表面上。此薄膜可有利地具有一種固定的厚度。薄膜可適當地具有可撓性。另一方式是，薄膜的厚度可改變。這例如可藉由”將該薄膜以固定的厚度而適當地結構化”來達成。
此外，亦可將薄膜用作外殼材料，其設有可吸收輻射的微粒。
本發明提供一種有用輻射發射用的光電組件的製造方 法。此種方法中，製備一種具有外殼腔和外殼基體材料的外殼基體，其中該外殼基體材料可適當地設有可吸收輻射的微粒。此外，製備一種發光二極體晶片。此發光二極體晶片安裝在外殼腔中。
在上述製造方法的一種實施方式中，另外製備一種可透過該有用輻射之材料，此材料適當地設有可吸收輻射的微粒。然後，將該可透過該有用輻射之材料配置在該電磁輻射之光路中，該電磁輻射是在發光二極體晶片操作時發出。
依據另一實施方式，可透過該有用輻射之材料之至少一部份配置在該外殼腔中。發光二極體晶片依據一種形式而以可透過該有用輻射之材料來封裝或成型。
上述製造方法的另一種實施方式是製備一種組件，此組件包含該發光二極體晶片和該外殼基體。可透過該有用輻射之材料之至少一部份配置在該外殼基體的一外表面上。
依據至少一實施方式，可透過該有用輻射之材料之至少一部份在施加在該外殼基體的外表面上之前製備成一種預製的材料層之形式。此外，可透過該有用輻射之材料之至少一部份在施加在該外殼基體的外表面上之前製備成一種薄膜之形式。
上述組件和製造方法之其它優點和較佳的實施方式以下將參考各圖式中的實施例來說明。
各圖式和實施例中相同-或作用相同的各組件分別設有相同的參考符號。所示的各元件和各元件之間的比例未必 依比例繪出。反之，為了清楚之故各圖式的一些細節已予放大地顯示出。
第1圖所示的光電組件中，一種發光二極體晶片1藉由一種導電的連接劑，例如，一種金屬焊劑或黏合材料，而以一背面接觸區11固定在該導線架之第一電性終端2上。在遠離該背面接觸區11之此側上，該發光二極體晶片1具有一前側接觸區12，其藉由一接合線14而與該導線架之第二電性終端3導電性地相連接著。
發光二極體晶片1之空著的表面和該接合線14直接由一外殼材料4所圍繞著，該外殼材料可使發光二極體晶片1在操作時所發出的電磁輻射透過。該外殼材料5例如是一種澆注物質，其具有大於70重量百分比之環氧澆注樹脂。此外，該澆注物質亦可具有其它添加物質，例如，二乙二醇單甲基醚，Tegopren 6875-45以及Aerosil 200。
另一方式是，該外殼材料5可具有至少一種混合材料。藉由此種混合材料，則可使不同材料之良好的特性互相組合。於是，可使一種材料之不利的特性減輕或消除。例如，可使用一種聚集體-混合材料。當例如，使用一種矽-改質的環氧樹脂作為混合材料時，其受到紫外光之影響會比傳統的環氧樹脂還要小，但卻保持了傳統環氧樹脂之良好的物理特性。亦可將至少一種環氧樹脂和至少一種矽樹脂相混合。例如，此種適當的混合材料已揭示在US 2002/019 2477 A1和US 2005/0129957 A1中，其已揭示的內容藉由參考而收納於此處。
此外，亦可將矽樹脂和丙烯酸酯相組合或將矽樹脂與丙烯酸酯和環氧樹脂相組合。當然，亦可不使用上述的混合材料而是使用一種丙烯酸酯、矽樹脂或熱塑性塑料作為外殼材料5之成份。
澆注物質5中例如可混入多種可吸收輻射的微粒61。
第1圖所示的光電組件之實施例具有一種外殼基體8，其具有一凹口9。發光二極體晶片1在該凹口中施加在一導線架之第一電性終端2上。該凹口9中以該外殼材料5來填入，該外殼材料5可使該組件所發出的有用輻射透過。
該外殼基體8例如藉由射出成形而形成，這是在該發光二極體晶片1安裝之前進行。該基體材料例如具有聚鄰苯二甲醯酸(PPA)，其在一種形式中以玻璃纖維及/或礦物質來填入，且設有可吸收輻射的微粒62。
該基體8之可透過輻射的外殼材料5及/或基體材料之可吸收輻射的微粒61、62例如是一種工業上製成的碳黑，其具有技術上已確定的特性。碳黑微粒是由多個主微粒所組成，各個主微粒一起形成一種聚集體結構。此聚集體結構較佳是儘可能地緊密。
碳黑微粒的主微粒所具有的平均直徑小於或等於100奈米。例如，此平均直徑可以是50至60奈米。所謂平均直徑是指所測得的微粒直徑之平均值。聚集體之平均直徑小於或等於1微米。適當的工業上的碳黑例如可以是商業上可購得的”Printex 25”，其由企業Degussa所製成，且因此可以是一種具有緊密的聚集體結構之”低結構碳黑”(LSCB)。
主微粒和聚集體的微粒大小可以不同的方法來決定。此二種大小可藉由透射式電子顯微鏡(TEM)來決定。聚集體大小例如亦可藉由散射光-強度測量來測得。就主微粒大小的決定而言，例如亦可使用差動式移動性-分析器(DMA)，其通常用來決定奈米級的噴霧劑之電性移動直徑。此種判定適當微粒徑的測量方法以及其它可能的方法已為此行的專家所知悉。
不同於例如長形延伸的聚集體結構，緊密式聚集體結構所具有的優點是：其會對其所混入的材料之導電性造成小範圍的影響。研究結果已顯示：LSCB-微粒只有在四倍於所謂”高結構碳黑”(HSCB)的體積濃度時才可使一種不導電的原質(matrix)材料轉移至一種導電狀態。在LSCB-微粒中，此種轉移例如由一種大約40體積%之體積濃度開始進行，但在HSCB-微粒中此種轉移是在10體積%之體積濃度開始進行。鹽的存在可使此種轉移現象偏移至較低的濃度。
通常，碳黑聚集體形成了聚集體，其大小可在數微米或數十微米的數量級的範圍中。此種聚集體應儘可能避免。在將碳黑微粒混合至未硬化的澆注物質中時，可藉助於很高速來運行的旋轉式混合器以均勻地處理。在此種處理過程中，會產生高的剪力，其可使可能存在的聚集體斷成至少一大部份。
可吸收輻射的微粒61例如以一種大於0.01 Wt.%且小於0.06 Wt.%(含)之濃度而混合至該外殼材料5中。特別是此濃度可小於或等於0.04 Wt.%。
在該基體8之基體材料中，可吸收輻射的微粒62之濃度例如可大於該外殼材料5中可吸收輻射的微粒61之濃度。此基體材料中的濃度例如介於0.1 Wt.%(含)和20 Wt.%之間，較佳是介於0.2 Wt.%(含)和10 Wt.%之間。
除了碳黑微粒之外，該外殼材料5及/或該基體之可吸收輻射的微粒例如亦可具有石墨微粒。
該外殼材料5中可另外混入一些散射微粒16。散射微粒16之濃度例如最多可以是10 Wt.%。此濃度可有利地介於0.1 Wt.%(含)和5 Wt.%之間，特別是0.75 Wt.%和4 Wt.%之間。例如，散射微粒的濃度可以大約是1.25 Wt.%或3 Wt.%。
散射微粒例如可具有CaF微粒及/或TiO2 微粒或由這些微粒所構成。這些微粒當然不是唯一可使用的微粒。光電學或光學此行的專家可無問題地找出適合其目的之散射微粒，其大小和材料成份另外與待散射的輻射之波長有關。適當的散射微粒的選擇特別是與該發光二極體晶片1所發出的-或所接收的電磁輻射的波長有關。
使用上述微粒16之優點在於，其不只可作用在由發光二極體晶片所發出的輻射上，而且亦可作用在由外部所入射的外來輻射上。相對於未具備散射微粒16的透明的澆注物質而言，外來輻射因此不能反射回來而是散射性地被反射。於是，不只可藉由可吸收輻射的微粒，而且亦可另外藉由散射微粒16來使該組件達成一種較佳的對比。
藉由該外殼之已下降的反射性，則例如可使太陽光在該組件上的干擾性的反射下降。
發光二極體晶片例如具有一種半導體層序列7，其以氮化物-化合物半導體材料為主。氮化物-化合物半導體材料是含有氮的化合物半導體材料，其例如是由系統Inx Aly Ga1-x-y N，其中0≦x≦1,0≦y≦1且x+y≦1所構成之材料。所謂以氮化物-化合物半導體材料為主之發出輻射之發光二極體晶片特別是指一種發光二極體晶片，其中該半導體層序列7包含至少一單一層，其具有由氮化物-化合物半導體材料-系統所構成的材料。
另一方式是，半導體層序列7例如以磷化物-化合物半導體材料或砷化物-化合物半導體材料為主。這些材料是由系統Inx Aly Ga1-x-y P，其中0≦x≦1,0≦y≦1且x+y≦1或由系統Inx Aly Ga1-x-y As，其中0≦x≦1,0≦y≦1且x+y≦1所構成的材料。
半導體層序列7例如具有一種傳統的pn-接面，一種雙異質結構，一種單一量子井結構(SQW-結構)或一種多量子井結構(MQW-結構)。這些結構已為此行的專家所知悉，此處因此不再詳述。
該組件在第2、3圖中所示的實施例不同於第1圖之處在於，該外殼基體8之凹口9分別以一種填料15來填入，該填料未具備可吸收輻射的微粒。凹口9中例如以填料15來填入，使安裝在該凹口9中的發光二極體晶片1可由該外殼材料15來封裝著。
內部的填料15例如由一種傳統式發光二極體技術中所用的環氧樹脂、矽樹脂或丙烯酸樹脂或其它可透過輻射的材 料(例如，無機玻璃)所構成。該填料15例如含有散射微粒16，請參閱第2圖。
在該填料15上施加一種外殼材料5，其設有可吸收輻射的微粒61。該外殼材料5和該可吸收輻射的微粒可像先前第1圖所示的實施例一樣地設置著。同樣的情況亦適用於外殼基體8及其中所包含的可吸收輻射的微粒62。該外殼基體8在電性終端之遠離該發光二極體晶片1之此側上並未具備該可吸收輻射的微粒61，請參閱第2圖或第3圖。
除了第2，3圖所示的實施例之外，該外殼之直接未封裝著該發光二極體晶片1的一部份亦可設有可吸收輻射的微粒61，此一部份上又施加一種透明的填料，其未具備上述可吸收輻射的微粒。
在第2，3圖所示的組件中，該外殼基體8和該填料15形成一種外殼體。在該外殼體之外表面上施加另一外殼材料5。
在第2圖所示的組件中，包含該可吸收輻射的微粒6之外殼材料5以層的形式施加在該外殼基體8、15之外表面上。在製造該組件時，該外殼材料5可製備成一種已預製的層的形式，其在施加至該外殼基體8、15之外表面上之前例如具有固定的厚度。此種施加過程例如可藉由黏合或積層化來達成。特別是該層形式的外殼材料5可製備成一種薄膜，其具有可撓性且因此可施加在該外殼體之不平坦的外表面上。在該施加過程之後，該薄膜例如可硬化且其可撓性將消失。
具有不平坦的外表面之外殼基體8、15例如顯示在第3圖中。一種具有可透過輻射的微粒6之已製成薄膜形式的外殼材料施加在外殼基體8，15上。然而，此種可能的方式未顯示在第3圖中。在第3圖的實施形式中，凹口9中只有一部份以該外殼材料15來填入。該外殼材料15之外表面具有一種凹形的曲面且因此形成一盆形的或槽形的凹口。此凹口中以一種具有可吸收輻射的微粒6的外殼材料5來填入。凹口中的填入過程例如是以下述方式來達成：製備一種未硬化的物質形式的外殼材料5，以此種物質來對該填料15之外表面所形成的凹口進行澆注，以及使該外殼材料5隨後被硬化。
在第3圖所示的組件中，該外殼材料5具有一種層的形式，但未具有固定的厚度。在該組件之光軸的區域中，該外殼材料5例如具有最大的厚度，其隨著至該組件的光軸的距離的變大而變小。藉由此種外殼材料層5具有可變的厚度，則可適當地調整該組件所發出的光強度或輻射強度，且亦可調整該組件的發射特性。該外殼材料5之厚度之變化基本上當然可任意地改變且可依據各別情況下所存在的組件和待達成的發射特性來調整。
除了第3圖所示的例子以外，亦可使外部區中的外殼材料層5的厚度大於中央區的厚度。
在全部的實施例中，除了使用一種設有可吸收輻射的微粒61的外殼材料之外，該發光二極體晶片亦可設有一種薄膜，此薄膜設有可吸收輻射的微粒。此薄膜例如具有一種 矽樹脂或具有一包含環氧樹脂之混合材料。可吸收輻射的微粒可像先前所述一樣來設置著。
第4圖所示的測量結果是以光電組件而測得，光電組件以第1圖所示的形式來製成。對不同的組件來測量相對的輻射強度(相對亮度)Iv/Ivo。第4圖中此測量結果繪製成該外殼材料5中可吸收輻射的微粒之濃度conc的函數，此濃度是以Wt.%來表示。
進行三種不同的測量序列，其中在該外殼材料5中分別含有固定濃度的散射微粒16。在第一測量序列中，在該外殼材料5中未含有散射微粒。在第二測量序列中，該外殼材料5中含有大約5 Wt.%之散射微粒，且在第三測量序列中該外殼材料5中含有大約10 Wt.%之散射微粒。
可確認的是，輻射強度隨著散射微粒的成份逐漸增加且在可吸收輻射的微粒的成份相同的情況下逐漸減小。同樣，輻射強度隨著可吸收輻射的微粒的成份逐漸增加且在散射微粒的成份相同的情況下逐漸減小。
在上述組件中，在所發出的輻射強度之成本上由於散射微粒而可達成一種均勻的發射特性且由於可吸收輻射的微粒而可達成一種對由外部而來的外來輻射之很低的反射性。此種組件相對於多種應用而言是有利的，這些應用中特別是在查覺該組件在操作時對比很重要，且另一方面在未操作時對比亦很重要。
第5圖顯示一種組件在凹口9中配置三個發光二極體晶片1時的俯視圖。該外殼整體上具有六個電性終端2，3， 即，三個第一電性終端2和三個第二電性終端3。藉由該凹口中的散射微粒，則可使發光二極體晶片1之發射面不會被視為相分離。各發光二極體晶片可以相同形式或不同的形式來形成。
本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各申請專利範圍-或不同實施例之各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。除了碳黑之外，亦存在許多其它的材料，其基本上可用作該組件中的可吸收輻射的微粒。
1‧‧‧發光二極體晶片
2‧‧‧第一電性終端
3‧‧‧第二電性終端
4‧‧‧層
5‧‧‧外殼材料
61‧‧‧外殼材料中可吸收輻射的微粒
62‧‧‧基體中可吸收輻射的微粒
7‧‧‧半導體層序列
8‧‧‧外殼基體
9‧‧‧凹口
11‧‧‧背面接觸區
12‧‧‧前側接觸區
14‧‧‧接合線
15‧‧‧填料
16‧‧‧散射微粒
第1圖 光電組件之第一實施例的切面圖。
第2圖 光電組件之第二實施例的切面圖。
第3圖 光電組件之第三實施例的切面圖。
第4圖 不同的光電組件之相對輻射強度相對於可透過輻射的外殼材料中可吸收輻射的微粒的濃度的關係。
第5圖 光電組件之第四實施例的切面圖。
1‧‧‧發光二極體晶片
2‧‧‧第一電性終端
3‧‧‧第二電性終端
5‧‧‧外殼材料
61‧‧‧外殼材料中可吸收輻射的微粒
62‧‧‧基體中可吸收輻射的微粒
8‧‧‧外殼基體
9‧‧‧凹口
11‧‧‧背面接觸區
12‧‧‧前側接觸區
14‧‧‧接合線
15‧‧‧填料

Claims (21)

  1. 一種光電組件，其發出有用輻射且具有：外殼，該外殼具有包括基體材料和外殼腔的外殼基體及對於有用輻射能夠透射的外殼材料；以及配置在該外殼腔中的發光二極體晶片，其中該外殼材料和該基體材料被有目的地掺有吸收輻射的微粒以使基體材料的反射率下降，其中該外殼材料及/或基體材料之至少一個吸收輻射的微粒具有碳黑，且其中該碳黑是具有緊密的聚集體結構的工業碳黑(LSCB，「低結構碳黑」)。
  2. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中在該外殼腔中配置至少一個另外的發光二極體晶片。
  3. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中在該外殼腔中配置有散射微粒，以使該有用輻射被散射。
  4. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中在對於有用輻射能夠透射的外殼材料中包含散射微粒以散射有用輻射。
  5. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中該外殼材料及/或基體材料之吸收輻射的微粒對於該有用輻射之整個波長光譜或該波長光譜的一部份是吸收性的。
  6. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中該外殼材料及/或基體材料之吸收輻射的微粒對於該發光二極體晶片在 操作時所發出的輻射之波長光譜的全部或該波長光譜的一部份是吸收性的。
  7. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中對於該有用輻射能夠透射的外殼材料及/或基體材料具有澆注物質或壓製物質。
  8. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中對於該有用輻射能夠透射的外殼材料具有至少一種如下材料：環氧樹脂、丙烯酸酯、矽樹脂、熱塑性塑膠以及具有這些材料至少之一的混合材料。
  9. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中該低結構碳黑具有由複數個主微粒所構成的聚集體，該等聚集體具有小於或等於1微米的平均尺寸。
  10. 如申請專利範圍第9項之光電組件，其中該等主微粒具有小於或等於100奈米的平均直徑。
  11. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中該外殼材料及/或基體材料之吸收輻射的微粒的吸收係數在該有用輻射的整個光譜中變化小於10%。
  12. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中該外殼腔至少部份地以對於該有用輻射能夠透射的外殼材料來填充。
  13. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中該發光二極體晶片係藉由對於該有用輻射能夠透射的外殼材料來封裝或成型。
  14. 如申請專利範圍第1項之光電組件，其中對於該有用輻射能夠透射的外殼材料至少部份地施加在該外殼基體的外 表面上。
  15. 一種光電組件的製造方法，該光電組件發出有用輻射，該製造方法包括以下步驟：-製造或提供具有外殼腔和基體材料的外殼基體，該基體材料被有目的地掺有吸收輻射的微粒；-提供至少一個發光二極體晶片；-提供對於該有用輻射能夠透射的材料，該材料被有目的地掺有吸收輻射的微粒；-將該發光二極體晶片安裝在該外殼腔中；以及-將對於該有用輻射能夠透射的材料配置在該發光二極體晶片在其操作時所發出的電磁輻射之光路中，其中該外殼材料及/或基體材料之至少一個吸收輻射的微粒具有碳黑，且其中該碳黑是具有緊密的聚集體結構的工業碳黑(LSCB，「低結構碳黑」)。
  16. 如申請專利範圍第15項之製造方法，其中將對於該有用輻射能夠透射的材料之至少一部份配置在該外殼腔中。
  17. 如申請專利範圍第15項之製造方法，其中該發光二極體晶片係藉由對於該有用輻射能夠透射的材料來封裝或成型。
  18. 如申請專利範圍第15至17項中任一項之製造方法，其中提供一種組件，該組件包含該發光二極體晶片和該外殼基體，且將對於該有用輻射能夠透射的材料的至少一部份施加在該外殼的外表面上。
  19. 如申請專利範圍第18項之製造方法，其中對於該有用輻 射能夠透射的材料的至少一部份在施加在該外表面上之前以預製的材料層的形式來提供。
  20. 如申請專利範圍第15項之製造方法，其中該低結構碳黑具有由複數個主微粒所構成的聚集體，該等聚集體具有小於或等於1微米的平均尺寸。
  21. 如申請專利範圍第20項之製造方法，其中該等主微粒具有小於或等於100奈米的平均直徑。
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