TWI381940B - 製造電子電路之組合物及方法 - Google Patents

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Description

製造電子電路之組合物及方法
本發明大致係關於用於印刷電路材料之傳導路徑圖案之製造。更特定而言，本發明之方法和材料係關於一種藉由雷射或相似類型能量射束燒蝕之非光刻圖案化，其中該燒蝕系統最終產生相對上不含碎屑引發之過度電鍍缺陷(與燒蝕過程相關之碎屑)和完全加成電鍍引發之過度電鍍缺陷之電路特徵。
印刷電路板(PCB)一般包括支援呈為特定應用而設計之圖案之薄導電層(通常為銅)之絕緣基材(例如，經玻璃纖維強化之環氧薄膜或聚醯亞胺薄膜)。圖案化導電層(也稱為印刷電路)為在不同電組件如電阻器、電容器、積體電路及其他電子裝置之間傳送電壓和電流之構件。電路圖案(即佈線組態)一般係藉由傾向於相當複雜和昂貴的光微影方法生產。因此，若可使用替代的非光刻方法更簡單及/或更經濟地將圖像資料轉移至電路板上將是有利的。
在含可活化填料之電路板的雷射圖案化製程期間，在圖案化製程期間會由燒蝕產生碎屑。一些碎屑會沉積在介電或絕緣基材之表面上。在電鍍步驟期間，表面上之活化碎屑會被金屬化。導電特徵之變化尺寸會導致給定電鍍時間內的電鍍不足或過度電鍍。會發生過度電鍍而產生不清潔之迹線或路徑。
有需要消除在線路和空間中的過度電鍍。過度電鍍會使電荷可沿不同於預期的路徑流動，從而導致短路。
本發明係關於一種具有絕緣基材和覆蓋層之印刷電路板前驅體。絕緣基材包含絕緣聚合基質材料。絕緣聚合基質材料包括下列之一或多者：
聚醯亞胺、
經玻璃纖維強化之環氧樹脂、
苯酚-甲醛、
環氧樹脂、
經矽石填充之環氧樹脂、
雙馬來醯亞胺樹脂、
雙馬來醯亞胺三嗪、
含氟聚合物、
聚酯、
聚苯醚/聚苯醚樹脂、
聚丁二烯/聚異戊二烯可交聯樹脂和其共聚物、液晶聚合物、
聚醯胺、
氰酸酯、
氧化鋁、
矽石、及
任何前述材料之組合。
絕緣材料進一步包括金屬氧化物可活化填料。可活化填料係以介於3至60wt%之間之含量存在於基質材料中並在至少一維度中具有50到10000nm之平均尺寸。印刷電路板前驅體之覆蓋層具有介於和包括0.5至500微米之間之厚度。覆蓋層係選自永久性覆蓋層、犧牲性覆蓋層和可剝離性覆蓋層。永久性覆蓋層可與犧牲性覆蓋層組合使用。
本發明係關於一種用於生產清潔電路特徵之覆蓋層組合物。現參考圖式，圖1說明本發明之一實施例，印刷電路板("PCB")前驅體10。PCB包括覆蓋層14和包括絕緣基質材料和可活化填料之絕緣基材12。覆蓋層14係位於絕緣基材上。
絕緣基材12包括散佈在絕緣基質材料內之可活化填料。在一實施例中，填料包括兩種或多種在可定義之晶體生成內之金屬氧化物團簇組態。總體之晶體生成，當在理想(即未受污染、非衍生物)狀態時，具有以下通式：
AB2 O4
其中：
i.　A為2價金屬陽離子，其選自包含鎘、鉻、錳、鎳、鋅、銅、鈷、鐵、鎂、錫、鈦和其組合之群組，其提供一般為四面體結構之第一金屬氧化物團簇("金屬氧化物團簇1")之主要陽離子成分，
ii.　B為3價金屬陽離子，其選自包含鉻、鐵、鋁、鎳、錳、錫和其組合之群組，其提供一般為八面體結構之第二金屬氧化物團簇("金屬氧化物團簇2")之主要陽離子成分，
iii.　其中在以上組A或B內，可將任何可能具有2價之金屬陽離子用作"A"，且可將任何可能具有3價之金屬陽離子用作"B"。
iv.　其中"金屬氧化物團簇1"之幾何組態(一般為四面體結構)不同於"金屬氧化物團簇2"之幾何組態(一般為八面體結構)，
v.　其中可將來自A和B之金屬陽離子用作"金屬氧化物團簇2"(一般為八面體結構)之金屬陽離子，如在"逆"尖晶石型晶體結構之情形下，
vi.　其中O為氧；和
vii.　其中"金屬氧化物團簇1"和"金屬氧化物團簇2"共同提供具有經以下特性所證實之對電磁輻射之提高敏感性之獨特、可識別的晶型結構：當其以約10至約30wt%之載入量分散在基於聚合物之電介質中時，可測得"可見光至紅外光"消光係數係介於並包括以下數字之任兩者：0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6/微米。
尖晶石晶體填料可分散於絕緣基材12之基質材料的液體前驅體中。填料可以介於和包括以下數字之任兩者之重量百分比進行分散：3、5、7、9、10、12、15、20、25、30、35、40、45、50、55和60wt%，並且最初具有介於和包括以下數字之任兩者的平均粒度(併入至基質材料中後)：50、100、300、500、800、1000、2000、3000、4000、5000和10000nm。
尖晶石晶體填料可分散在有機溶劑中(藉助或不藉助分散劑)，並在隨後步驟中，分散在基質材料溶液中而形成摻混聚合物組合物。此摻混聚合物組合物隨後可澆鑄在平坦表面(或滾筒)上，加熱，乾燥，及固化或半固化以形成包括具有尖晶石晶體填料分散於其中之基質之絕緣基材12。
接著，聚合物膜可藉由使用雷射光束透過光活化步驟進行處理。雷射光束可使用光學元件聚焦，並經導引至聚合物膜表面之需要於其中設置電路迹線或其他電組件的一部分。一旦選擇之表面部分經光活化，則光活化部分可被用作待於稍後藉由金屬電鍍步驟(例如無電極電鍍步驟)形成之電路迹線的路徑(或有時為一點)。
相對於現今工業上通常採用之減去法的步驟數，使用聚合物膜或聚合物複合物來製造電路之加工步驟數目通常遠遠較少。
在一實施例中，絕緣基材組合物和聚合物複合物具有介於和包括以下數字之任兩者的可見光至紅外光消光係數：0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6/微米(或1/微米)。
使用可見光至紅外光來測量每種膜的消光係數。計算中使用膜厚度來測定消光係數。
使用於此之可見光至紅外光消光係數(文中有時簡稱為'α')為計算值。此計算值係經由計算在光束路徑中放置複合物膜樣本後，特定波長光之測量強度(使用分光計)，及將該值除以相同光通過空氣之光強度的比而測得。
若將該比值取自然對數並乘以(-1)，然後將該值除以膜厚度(以微米測量)，則可計算得可見光至紅外光消光係數。
可見光至紅外光消光係數之一般方程式由以下通式表示：
α=-1 x[In(I(X)/I(O))]/t
其中I(X)代表透射通過薄膜之光強度，
其中I(O)代表透射通過空氣之光強度，
和
其中t代表薄膜厚度。
在此等計算中，膜厚度一般係用微米表示。因此，一特定薄膜之消光係數(或α值)係表示為1/微米或微米的倒數(例如微米-1 )。於此處討論之測量中有用之特定波長光一般為涵蓋光譜之可見光到紅外光部分之該等波長光。
聚合物組合物和聚合物複合物包括尖晶石晶體填料，其係以介於(和包括)以下重量百分比之任兩者範圍內之含量實質上均勻地分散在基質材料溶液中：3、4、5、6、7、8、9、10、12、15、18、20、24、25、28、30、32、34、35、36、38、40、42、44、46、48、50、52、54、56、58和60wt%。由於含較高載入量填料之複合物傾向於失去柔韌性，因而包含太多尖晶石晶體填料之聚合物複合物有時太易碎而無法在下游加工中處理。
在一實施例中，尖晶石晶體填料係由如下通式表示：
AB2 O4
其中A係一般為2價之金屬陽離子，其選自包含鎘、鉻、錳、鎳、鋅、銅、鈷、鐵、鎂、錫、鈦和兩種或多種以上之組合之群組；且其中B係一般為3價之金屬陽離子，其選自包含鉻、鐵、鋁、鎳、錳、錫和兩種或多種以上之組合之群組；其中O主要為氧(若在有些情況下不全部為氧)。
在一實施例中，金屬陽離子A提供第一金屬氧化物團簇(尖晶石結構之"金屬氧化物團簇1"(一般為四面體結構)之主要陽離子成分。金屬陽離子B提供第二金屬氧化物團簇("金屬氧化物團簇2"(一般為八面體結構))之主要陽離子成分。
在另一實施例中，可將在以上組A和B內之任何可能具有2價之金屬陽離子用作"A"陽離子。另外，可將任何可能具有3價之金屬陽離子用作"B"陽離子，其限制條件為"金屬氧化物團簇1"之幾何組態係不同於"金屬氧化物團簇2"之幾何組態。
在又另一實施例中，A和B可用作"金屬氧化物團簇2"(一般為八面體結構)之金屬陽離子。此係一般具有通式B(AB)O4 之"逆"尖晶石型晶體結構之特殊情況。
在一或多個步驟中，使絕緣基材基質材料溶劑合至足夠低的黏度(一般係小於50、40、30、20、15、10、9、8、7、6、5、4、3、2、1.5、1、0.5、0.1、0.05和0.001仟泊(kiloPoise)之黏度)，以使尖晶石晶體填料(其亦可懸浮於類似或相同溶劑中)可充分地分散在基質材料溶液中。尖晶石晶體填料之分散係以可避免顆粒在溶液或分散液中之不當凝聚的方式進行。填料粒子之不期望的凝聚會引起不期望的界面空隙或在聚合物複合物中之其他問題。
尖晶石晶體填料粒子可直接分散在絕緣基材基質材料溶液中，或可在分散於絕緣基材基質材料溶液中之前，先分散在溶劑中。填料粒子可在溶劑中混合以形成分散液，直到顆粒平均粒度達到介於以下數字之任兩者之間為止：50、100、300、500、800、1000、2000、3000、4000、5000和10000nm。然後可使用高速或高剪切混合裝置混合此分散液。尖晶石晶體填料可使用各種適宜溶劑分散。在一些情況下，分散液亦可包括熟悉技術人士所知曉之一或多種適宜分散劑，以有助於形成穩定分散液，尤其係對於工業規模的生產。
分散在絕緣基材基質材料溶液中之尖晶石晶體填料一般具有介於和包括以下數字之任兩者的平均粒度：50、100、200、250、300、350、400、450、500、1000、2000、3000、4000、5000和10000nm。一般至少80、85、90、92、94、95、96、98、99或100%之經分散之尖晶石晶體填料係在以上大小範圍內。基質材料溶液中之晶體大小可藉由雷射粒子分析器如製造之具有小體積模組之LS130粒度分析器測定。
將絕緣基材基質材料溶液和尖晶石晶體填料粒子組合形成相當均勻的組合物之分散液。該組合物隨後可如下所述轉變為聚合物複合物，其中固體含量一般大於98.0、98.5、99.0或99.5wt%。
由於一些尖晶石晶體填料容易分散在基質材料溶液中，而需要極少或不需要額外的剪切力，因此形成之漿料通常包含少於100、50、20、10、8、6、5、4、3、2、或1ppm之不期望的凝聚物。不期望的凝聚物的定義為具有大於10、11、12、13、14或15微米之平均粒度之許多結合(鄰接的)尖晶石晶體填料。然而，一些尖晶石晶體填料可能需要一些碾磨或過濾以打散不期望的顆粒凝聚，以便充分地分散奈米級填料至聚合物中。碾磨和過濾可能成本高昂，並且可能無法令人滿意地移除全部不期望的凝聚物。因而，在一實施例中，尖晶石晶體填料係可以20wt%分散和懸浮於(至少99wt%純的)二甲基乙醯胺溶劑中。在將尖晶石晶體填料分散並懸浮至溶劑(視需要藉助高剪切機械混合器)中後，當使溶液在20℃下靜置72小時後，少於15、10、8、6、4、2或1wt%之填料粒子會自溶液沉澱出。
本發明使用選定群組的尖晶石晶體填料，而可在將藉由雷射形成之圖案整體金屬化之前，透過藉由雷射活化(或其他相似類型之光圖案化技術)實現有效率和準確的表面圖案化。
在一實施例中，可添加消光係數調節劑作為一些(而非全部)尖晶石晶體填料之部分替代物。適當的取代量可在介於和包括以下數字之任兩者之範圍內：1、2、3、4、5、10、15、20、25、30、35或40wt%之尖晶石晶體填料成分總含量。在一實施例中，可用碳粉或石墨粉取代約10wt%的尖晶石晶體填料。由此形成之聚合物複合物應於聚合物複合物中存在足夠量之尖晶石晶體結構以使金屬離子可有效地鍍在其表面，同時上述含量之取代物(如碳粉)使聚合物複合物充分地變黑，以致可吸收足量之光能(即可有效地光活化複合物表面之光能量)。
已對聚合物組合物和聚合物複合物有利地測得有用消光係數之明確範圍。明確言之，據發現聚合物組合物和聚合物複合物需要足夠程度的吸光能力，以在一般利用特定雷射機器之高速光活化步驟中有效地起作用。
例如，在所採用之一類型之光活化步驟中(例如，採用雷射光束之步驟)，據發現本發明之聚合物組合物和複合物能吸收顯著量之光能，以致可於其上形成明確的電路迹線圖案。這可在相對上短的時間內完成。反之，市售之聚合物膜(即沒有此等特定填料之薄膜，或包含無官能基尖晶石晶體填料之薄膜)，如果可以的話，將耗時更長，具有過低之消光係數且無法在相對短的期間內光活化。因而，許多聚合物膜，甚至係包含相對高之載入量之其他類型尖晶石晶體填料的薄膜，亦無法吸收有用於高速光活化製造之足夠光能，以及以明晰的電路圖案接受金屬電鍍。
在一些實施例中，絕緣基質材料係選自聚醯亞胺、經玻璃纖維強化之環氧樹脂、苯酚-甲醛、環氧樹脂、經矽石填充之環氧樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪、含氟聚合物、聚酯、聚苯醚/聚苯醚樹脂、聚丁二烯/聚異戊二烯可交聯樹脂(和共聚物)、液晶聚合物、聚醯胺、氰酸酯、或前述材料之任何組合或任何其他在電路板工業中已知並使用的絕緣基質材料，且其為於工業中被視為有用之任一厚度。在一些實施例中，絕緣基材基質材料可包括添加劑如非導電性填料、顏料、黏度調節劑和技術中已知之其他常用添加劑。
在一些實施例中，絕緣基材包含介於和包括1、2、4、6、10、12、14、16、18和20wt%間之雷射染料。
用於製備本發明之絕緣基材基質材料之有用有機溶劑應能夠溶解絕緣基材基質材料。適宜溶劑亦應具有適宜沸點如225℃以下，因此聚合物溶液可在適中(即更方便和成本較低的)溫度下乾燥。低於210、205、200、195、190、180、170、160、150、140、130、120或110℃之沸點為適宜的。
環氧樹脂係可被固化成熱固性聚合物之熱塑性材料。主要的樹脂類型尤其包括雙酚A之二縮水甘油醚、酚醛型環氧樹脂(novolacs)、過氧酸樹脂和乙內醯脲樹脂。世界上有許多環氧樹脂供應商，其中最知名的商品名包括Araldite、DER、Epi-Cure、Epi-Res、Epikote、Epon、Epotuf，其各視調配物和處理而提供範圍寬廣的性質。亦可添加其他成分至環氧樹脂和固化劑調配物中。此等成分包括，但不限於，稀釋劑、影響柔韌性、韌性或剝離強度之樹脂質調節劑、黏著填料、著色劑、染料、流變添加劑和阻燃劑。
在一實施例中，絕緣基材基質材料可包括環氧樹脂。環氧樹脂之適宜實例包括，但不限於，縮水甘油醚型環氧樹脂、縮水甘油酯樹脂和縮水甘油胺型環氧樹脂。另外，任何填充矽石或氧化鋁之環氧樹脂也為適宜的。
適宜縮水甘油醚型環氧樹脂之實例包括，但不限於：雙酚A型、雙酚F型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚S型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、酚-酚醛型環氧型、甲酚-酚醛型環氧型、DPP-酚醛型環氧型、三官能型、三羥苯基甲烷型和四羥苯基乙烷型環氧樹脂(tetraphenylolethane type epoxy resins)。
適宜縮水甘油酯型環氧樹脂之實例包括，但不限於：六氫化鄰苯二甲酸酯型和鄰苯二甲酸酯型環氧樹脂。
適宜縮水甘油胺型環氧樹脂之實例包括，但不限於：四縮水甘油基二胺基二苯基甲烷、三縮水甘油基異氰尿酸酯、乙內醯脲型、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺甲基)環己烷、胺基苯酚型、苯胺型和甲苯胺型環氧樹脂。
在一實施例中，基質材料可包括聚酯。適宜聚酯之實例包括，但不限於：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸丙二酯等等，聚(e-己內酯)、聚碳酸酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯、聚乙醇酸、聚(4-羥基苯甲酸)-共-聚(對苯二甲酸乙二酯)(PHBA)和聚羥基丁酸酯。
在另一實施例中，絕緣基材基質材料可包括聚醯胺。適宜脂族聚醯胺之實例包括，但不限於：耐綸6、耐綸6,6、耐綸6,10和耐綸6,12、耐綸3、耐綸4,6及其共聚物於本發明有用。脂族芳族聚醯胺之實例包括，但不限於，耐綸6T(或耐綸6(3)T)、耐綸10T以及其共聚物，耐綸11、耐綸12以及耐綸MXD6也適合應用於本發明。芳族聚醯胺之實例包括，但不限於，聚對苯二甲醯對苯二胺、聚對苯甲醯胺、及聚間苯二甲醯間苯二胺也適合應用於本發明。
在另一實施例中，絕緣基材基質材料可包括含氟聚合物。術語含氟聚合物意指具有至少一個(若非多個)包含在聚合物結構之重複單元內之氟原子之任何聚合物。術語含氟聚合物或含氟聚合物成分亦意指氟聚合物樹脂(即氟-樹脂)。通常，含氟聚合物為包含共價地鍵結至或共價地與聚合物之重複分子結合之氟原子之聚合材料。適宜的含氟聚合物成分包括，但不限於：
1."PFA"，聚(四氟乙烯-共-全氟[烷基乙烯基醚])，包括其變型或衍生物，具有代表全體聚合物之至少50、60、70、80、85、90、95、96、97、98、99或約100wt%之以下部分：
其中R1 為Cn F2n+1 ，n可為等於或大於1、包括直至20或更大之任何自然數，n一般為1至3；x和y為莫耳分率，x係介於0.95至0.99之間，一般為0.97，及y係介於0.01至0.05之間，一般為0.03；及其中於ASTM D 1238中描述之熔體流動速率係介於1至100(g/10min.)之間，較佳為1至50(g/10min.)，更佳為2至30(g/10min.)，及最佳為5至25(g/10min.)。
2."FEP"，完全或部分地衍生自四氟乙烯和六氟丙烯之聚(四氟乙烯-共-六氟丙烯)[亦稱為聚(四氟乙烯-共-六氟丙烯)共聚物]，包括其變型或衍生物，其具有代表全體聚合物之至少50、60、70、80、85、90、95、96、97、98、99或約100wt%之以下部分：
其中x和y為莫耳分率，x係介於0.85至0.95之間，一般為0.92，y係介於0.05至0.15之間，一般為0.08；且其中於ASTM D 1238中描述之熔體流動速率係介於1至100(g/10min.)之間，較佳為1至50(g/10min.)，更佳為2至30(g/10min.)，及最佳為5至25(g/10min.)。FEP共聚物可直接或間接地衍生自：(i.)50、55、60、65、70或75%至約75、80、85、90或95%之四氟乙烯；和(ii.)5、10、15、20或25%至約25、30、35、40、45或50%(一般為7至27%)之六氟丙烯。此類FEP共聚物係為熟知並描述於美國專利第2,833,686號和第2,946,763號中。
3."PTFE"-聚四氟乙烯，包括其變型或衍生物，其完全或部分地衍生自四氟乙烯並具有代表全體聚合物之至少50、60、70、80、85、90、95、96、97、98、99或約100wt%之以下部分：其中x為介於50和500,000之間之任何自然數。
4."ETFE"-乙烯-四氟乙烯共聚物，包括其變型或衍生物，其完全或部分衍生自乙烯和四氟乙烯並具有代表全體聚合物之至少50、60、70、80、85、90、95、96、97、98、99或約100wt%之以下部分：
其中x和y為莫耳分率，x係介於0.40至0.60之間，一般為0.50，y係介於0.40至0.60之間，一般為0.50；及其中於ASTM D 1238中描述之熔體流動速率係介於1至100(g/10min.)之間，較佳為1至50(g/10min.)，更佳為2至30(g/10min.)，及最佳為5至25(g/10min.)。
氟聚合物樹脂之有利特徵包括高溫穩定性、耐化學腐蝕性、有利的電特性(尤其是高頻性能)、低摩擦性質和低膠黏性。其他可能有用之氟聚合物樹脂包括下列：
1.三氟氯乙烯聚合物(CTFE)；
2.四氟乙烯-三氟氯乙烯共聚物(TFE/CTFE)；
3.乙烯-三氟氯乙烯共聚物(ECTFE)；
4.聚二氟亞乙烯(PVDF)；
5.聚氟乙烯(PVF)；和
6.TeflonAF(由E.I. du Pont de Nemours ＆ Co.出售)。在又另一實施例中，絕緣基材基質材料可包括液晶聚合物或熱致液晶聚合物。液晶聚合物一般包括可熔解或熔融加工型聚醯胺或聚酯。液晶聚合物還包括，但不限於，聚酯醯胺、聚酯醯亞胺和聚甲亞胺。適宜的液晶聚合物由Jackson等人說明在美國專利第4,169,933號、第4,242,496號和第4,238,600號中，以及在"液晶聚合物VI：經取代對苯二酚之液晶聚酯(Liquid Crystal Polymers VI:Liquid Crystalline Polyesters of Substituted Hydroquinones)"中。術語"熱致"意指當聚合物經如美國專利第4,075,262號描述之TOT試驗進行測試時，使光透射通過正交偏光鏡並因此被視為形成各向異性熔體。適宜的液晶聚合物描述於，例如，美國專利號3,991,013；3,991,014；4,011,199；4,048,148；4,075,262；4,083,829；4,118,372；4,122,070；4,130,545；4,153,779；4,159,365；4,161,470；4,169,933；4,184,996；4,189,549；4,219,461；4,232,143；4,232,144；4,245,082；4,256,624；4,269,965；4,272,625；4,370,466；4,383,105；4,447,592；4,522,974；4,617,369；4,664,972；4,684,712；4,727,129；4,727,131；4,728,714；4,749,769；4,762,907；4,778,927；4,816,555；4,849,499；4,851,496；4,851,497；4,857,626；4,864,013；4,868,278；4,882,410；4,923,947；4,999,416；5,015,721；5,015,722；5,025,082；5,1086,158；5,102,935；5,110,896和5,143,956；以及歐洲專利申請案356,226中。液晶聚合物之商業實例包括以商標Zenite(DuPont)、VECTRA(Hoechst)和XYDAR(Amoco)銷售之芳族聚酯或聚(酯-醯胺)。
現參考圖2，絕緣基材12位於作為保護層之覆蓋層14下方，當雷射(或相似類型能源)燒蝕穿過覆蓋層14且進入絕緣基材12中時，燒蝕碎屑16將傾向於落在覆蓋層上。雷射燒蝕過程稍微類似挖掘過程，其切割出槽18或通孔20。
在一實施例中，覆蓋層14為犧牲層。犧牲性覆蓋層移除雷射產生之活化碎屑。在金屬化之前移除犧牲性覆蓋層，因此在碎屑於電鍍槽中被金屬化之前，移除任何活化碎屑。
在此實施例之雷射燒蝕期間，碎屑堆16將沿覆蓋層之槽18的上緣形成。雷射燒蝕碎屑通常將包括絕緣基材材料，並且絕緣基材碎屑16內之可活化填料通常將由於雷射燒蝕過程而變活化。在碎屑16表面之此種經活化填料將傾向於在金屬化期間成為金屬化引體，導致當雷射燒蝕槽(或通孔)在金屬化期間經填充金屬時，金屬形成於碎屑上。一般不期望燒蝕碎屑之金屬化，其會導致最終印刷佈線板產品之電氣性能及/或可靠性的問題。
在一些實施例中，犧牲性覆蓋層基質材料係選自由聚丙烯醯胺、聚二醇類、聚乙二醇、聚氧化乙烯、聚乙烯基吡咯啶酮、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚馬來酸和其混合物組成之群組。在一些實施例中，存在之犧牲性覆蓋層基質材料係介於和包括80、85、90、95和100wt%。
在一些實施例中，犧牲性覆蓋層係可溶於水、稀鹼液和弱酸溶液以及有機溶劑中。該溶劑不必溶解全部覆蓋層，而係可僅具有足夠的活性以穿透層下方並因此破壞其與下方絕緣基材之黏著，藉此覆蓋層14正好可被除去。總之，洗液應基於其之溶解或以其他方式除去覆蓋層之能力作選擇。
在一些實施例中，犧牲性覆蓋層之厚度係介於和包括0.5、1、5、10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、85、90、95和100微米。
理想上，在此類實施例中，金屬化應主要(若非完全的話)在由絕緣基材12所界定之雷射燒蝕槽18或通孔20內發生。現參考圖3，在一實施例中，覆蓋層可在雷射燒蝕之後及在金屬化之前移除。在該類實施例中，一旦覆蓋層經移除，則經燒蝕之絕緣基材層暴露，並在絕緣層表面處大體上(若非全部的話)沒有燒蝕碎屑。在該類實施例中，金屬化將傾向於槽18或通孔20之表面進行。由於雷射燒蝕過程將會活化經燒蝕表面之填料，因此在絕緣層之槽(或通孔)之壁上產生金屬化引體，並填充槽(或通孔)而在槽(或通孔)外部無不當的金屬化。
在另一實施例中，覆蓋層14為可剝離的層。可剝離性覆蓋層移除雷射產生之活化碎屑並控制任何過度電鍍。可剝離性覆蓋層可經受pH大於7之溶劑且可溶於pH小於7之溶劑中。可剝離性覆蓋層能經受鹼洗浴和無電極電鍍浴。可剝離性覆蓋層可在金屬化之後除去。可剝離性覆蓋層除去任何過度電鍍和經金屬化之碎屑，並部分除去或限制過度電鍍而提供更清潔之電路特徵。術語"過度電鍍"係指於導體特徵如通孔、迹線、襯墊等等以及電路上之空間橫向和向上過度積聚金屬。導體特徵之過度金屬積聚會引起短路。在雷射成像後之額外的碎屑移除製程係可選擇。關於此額外的清潔製程，可將壓敏膠帶層壓於基材上以除去碎屑。亦可應用橡膠滾筒，以藉助壓敏膠塗層從成像基材移除碎屑。
現參考圖4，在其他實施例中，覆蓋層14可被保留至金屬化22以後，然後再除去。在此類實施例中，金屬化圖案將傾向於在槽(或通孔)邊緣處具有非常乾淨、明顯的金屬化線路，並且在經燒蝕槽(或通孔)外部具有極少(若有的話)的不期望的金屬化。
在一些實施例中，可剝離性覆蓋層基質材料係選自由殼聚糖、甲基乙二醇殼聚糖、殼聚糖寡糖乳酸鹽、乙二醇殼聚糖、聚(乙烯咪唑)聚烯丙胺、聚乙烯胺、聚醚胺、cyclen(環聚胺)、聚乙烯胺(直鏈、支鏈或苄基化)、聚(N-甲基乙烯胺)、聚氧伸乙基雙(胺)N'-(4-苄氧基)-N,N-二甲基甲脒聚合物鍵合(脒樹脂)、聚(乙二醇)雙(2-胺乙基)、聚(2-乙烯基吡啶)、聚(4-乙烯基吡啶)、聚(2-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(4-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(4-乙烯基吡啶-共-二乙烯基苯)、聚(2-乙烯基吡啶-共-苯乙烯)、聚(4-乙烯基吡啶-共-苯乙烯)、聚(4-乙烯基吡啶)-2%交聯、聚(4-胺基苯乙烯)、聚(胺甲基)聚苯乙烯、聚(甲基丙烯酸二甲胺乙酯)、聚(甲基丙烯酸第三丁基胺乙酯)、聚(甲基丙烯酸二甲基胺乙酯)、聚(甲基丙烯酸胺乙酯)、苯乙烯和二甲基胺丙基胺馬來醯亞胺之共聚物、及其混合物組成之群組。聚合物不受分子量及單體比所限制。
在一些實施例中，可剝離性覆蓋層可溶於水或弱酸與水之混合物中。在一些實施例中，可剝離性覆蓋層可溶於有機溶劑中。術語"可溶"係意指藉由液體之作用而經移除之能力。該液體不必完全地溶解整個覆蓋層，而可僅具有足夠的活性以穿透層下方並因此破壞其與下方絕緣基材之黏著，藉此覆蓋層正好被移除。總之，洗液應基於其溶解或以其他方式除去覆蓋層之能力作選擇。
在一些實施例中，可剝離性覆蓋層之厚度係介於和包括2、5、10、50、100、150、200、250、300、350、400、450以及500微米。
在覆蓋層係使用作為可剝離層並在金屬化之前或之後移除之實施例中，金屬化之化學及金屬化加工可經調節或微調，以便金屬化大體上可在計畫之處停止，如在槽表面或者延伸超過槽頂面成為堆。
在又另一實施例中，覆蓋層14為永久性層。永久性覆蓋層係指在電鍍前後未被除去之層。永久性覆蓋層降低過度電鍍量以及提供更乾淨的電路特徵。在另一實施例中，犧牲性覆蓋層係與永久性覆蓋層組合使用。
現參考圖5，在另一實施例中，覆蓋層14為永久性覆蓋層。在該類實施例中，覆蓋層經保留並成為最終印刷佈線板產品之一部分。若絕緣基材12之槽18內之理想的金屬與任何的金屬化碎屑充分分離，或若覆蓋層充分地保護金屬化22之槽18使免受可能由碎屑引起之任何缺陷或問題，則覆蓋層可為永久性層。永久性覆蓋層之一優點為填充槽之金屬化可更容易地保持在最頂端表面之下，而減少過度電鍍。
在一些實施例中，永久性覆蓋層基質材料係選自由聚醯亞胺、經玻璃纖維強化之環氧樹脂、苯酚-甲醛、環氧樹脂、經矽石填充之環氧樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪、含氟聚合物、聚酯、聚苯醚/聚苯醚樹脂、聚丁二烯/聚異戊二烯可交聯樹脂和其共聚物、液晶聚合物、聚醯胺、氰酸酯、氧化鋁、矽石和其混合物組成之群組。
在一些實施例中，覆蓋層係單獨地配合絕緣基材使用。在一些實施例中，可將犧牲性和可剝離性覆蓋層與絕緣基材組合使用，其中絕緣基材作為底層，可剝離性覆蓋層居中和犧牲性覆蓋層作為頂層。在一些實施例中，可將永久性和犧牲性覆蓋層與絕緣基材組合使用，其中絕緣基材作為底層，永久性覆蓋層居中和犧牲性覆蓋層作為頂層。
在一些實施例中，犧牲性覆蓋層包含雷射染料。在一些實施例中，可剝離性覆蓋層包含雷射染料。在一些實施例中，永久性覆蓋層包含雷射染料。在一些實施例中，絕緣基材包含雷射染料。在一些實施例中，單獨或組合使用之任一覆蓋層以及絕緣基材均包含雷射染料。在一些實施例中，存在之雷射染料係介於和包括1、2、4、6、10、12、14、16、18以及20wt%。在一些實施例中，雷射染料具有包括和介於200、300、400、500、600、700、800、900、1000和1100nm之吸收峰。由於雷射染料之吸收峰接近於所使用雷射之波數，所以其可促進雷射輻射之吸收。添加雷射染料可促進光分解和控制散熱。從而，雷射成像溝渠將具有定義明確的幾何形狀和銳緣之高解析度。
在一些實施例中，用於UV雷射之雷射染料係選自：茋420:2,3"-([1,1'-聯苯]-4,4'-二基二-2,1-乙烯二基)雙-苯磺酸二鈉鹽，喹諾酮165:7-二甲基胺基-4-甲基喹諾酮，香豆素450:7-(乙基胺基)-4,6-二甲基-2H,-1-苯并哌喃-2-酮)，香豆素445:7-(乙基胺基)-4-甲基-2H,-1-苯并哌喃-2-酮)，香豆素440:7-胺基-4-甲基-2H,-1-苯并哌喃-2-酮)，香豆素460:7-(乙基胺基)-4-甲基-2H,-1-苯并哌喃-2-酮)，香豆素481:7-(二乙基胺基)-4-(三氟甲基)-2H,-1-苯并哌喃-2-酮)，香豆素487，香豆素500:7-(乙基胺基)-4-(三氟甲基)-2H,-1-苯并哌喃-2-酮)，香豆素503:7-(乙基胺基)-6-(三氟甲基)-2H,-1-苯并哌喃-2-酮)，BPBD-365，2-[1,1'-聯苯]-4-基-5-[4-(1,1-二甲基乙基)苯基]-1,2,4-噁二唑，PBD，2-[1,1'-聯苯]-4-基-5-苯基]-1,3,4-噁二唑，PPO，2-5-二苯基-噁二唑，QUI，3,5,3'''',5''''-四-第三丁基-對-五聯苯，BBQ，4,4''''-雙[(2-丁基辛基)氧基]-1,1'4',1'',4'',1'''-四聯苯，2-(1-萘基)-5-苯基-噁唑，PBBO，2-[1,1'-聯苯]4-基-6-苯基-苯并噁唑，DPS，4,4''-(1,2,-乙烯二基)雙-1,1'-聯苯，POPOP，2,2'-(1,4,-伸苯基)雙[5-苯基-噁唑]，Bis-MSB，1,4-雙[2-(2-甲基苯基)乙烯基]-苯，5-苯基-2-(4-吡啶基)噁唑，4-甲基-7-(4-嗎啉基)-2H-哌喃并[2,3-b]吡啶-2-酮，7-(二乙基胺基-2H-1-苯并哌喃-2-酮，7-(二甲基胺基)-4-甲氧基-1,8-萘啶-2(1H)-酮，1,2,3,8-四氫-1,2,3,3,8-五甲基-5-(三氟甲基)-7H-吡咯并[3,2-g]喹啉-7-酮，6,7,8,9-四氫-6,8,9-三甲基-4-(三氟甲基)-2H-吡咯并[3,2-b][1,8]萘啶-2-酮，7-胺基-4-甲基-2(1H)-喹啉酮，2,3,6,7-四氫-1H,5H,1,1H-[1]苯并哌喃并[6,7,8-ii]-喹噻-11-酮，EXALITE 376，EXALITE 384，EXALITE 389，EXALITE 392A，EXALITE 398，EXALITE 404，EXALITE 411，EXALITE 416，EXALITE 417，EXALITE 428，EXALITE 392E，EXALITE 400E，EXALITE 377E和其組合物。
在另一實施例中，用於準分子雷射之雷射染料係選自：對聯三苯，1,1',4',1'-聯三苯,2",3,3",3'''-四甲基-1,1,4',1",4",1'''-四聯苯，2-甲基-5-第三丁基-對-四聯苯，EXALITE 348，EXALITE 351，EXALITE 360:2,3,2''',5'''-四甲基-對-四聯苯,對-四聯苯，1,1'4',1",4",1'''-四聯苯和其組合物。
在又另一實施例中，用於IR雷射之雷射染料係選自：8-[[3-[(6,7-二氫-2,4-二苯基-5H-1-苯并哌喃-8-基)亞甲基]-2-苯基-1-環己烯-1-基]亞甲基]-5,6,7,8-四氫-2,4-二苯基-1-苯并哌喃鎓四氟硼酸鹽(IR-1100)，4-[2-[2-氯-3-[(2,6-二苯基-4H-噻喃-4-亞基)亞乙基]-1-環己烯-1-基]乙烯基]-2,6-二苯基硫代哌喃鎓四氟硼酸鹽(IR-1061)，1-丁基-2-[2-[3-[(1-丁基-6-氯苯并[cd]吲哚-2(1H)-亞基)亞乙基]-2-氯-5-甲基-1-環己烯-1-基]乙烯基]-6-氯苯并[cd]吲哚鎓四氟硼酸鹽(IR-1050)，1-丁基-2-[2-[3-[(1-丁基-6-氯苯并[cd]吲哚-2(1H)-亞基)亞乙基]-2-氯-1-環己烯-1-基]乙烯基]-6-氯苯并[cd]吲哚鎓四氟硼酸鹽(IR-1048)，4-[2-[3-[(2,6-二苯基-4H-噻喃-4-亞基)亞乙基]-2-苯基-1-環己烯-1-基]乙烯基]-2,6-二苯基硫代哌喃鎓四氟硼酸鹽(IR-1040)，4-[2-[2-氯-3-[(2-苯基-4H-1-苯并哌喃-4-亞基)亞乙基]-1-環己烯-1-基]乙烯基]-2-苯基-1-苯并哌喃鎓鹽(IR-27)，4-(7-(2-苯基-4H-1-苯并噻喃-4-亞基)-4-氯-3,5-三亞甲基-1,3,5-庚三烯基)-2-苯基-1-苯并硫代哌喃鎓過氯酸鹽(IR-26)，3-乙基-2[[3-[3-[(3-乙基-2(3H)-苯并亞噻唑基)甲基]5,5-二甲基-2-環己烯-1-亞基]-1-丙烯基]-5,5-二甲基-2-環己烯-1-亞基]甲基]-苯并噻唑嗡過氯酸鹽(DNTPC-P)，3-乙基-2[[3-[3-[(3-乙基萘酚[2,1-d]噻唑-2(3H)-亞基)甲基]-5,5-二甲基-2-環己烯-1-亞基]-1-丙烯基]-5,5-二甲基-2-環己烯-1-亞基]甲基]萘[2,1-d]噻唑嗡過氯酸鹽(DNDTPC-P)和其組合物。
在又另一實施例中，用於2x YAG雷射之雷射染料係選自：弗盧羅(Fluorol)555，LDS 698，DCM，LDS 722，螢光黃二鈉鹽，若丹明(Rhodamine)560，螢光素，LDS 821，LD 688，吡咯甲川(Pyrromethene)567，1,3,5,7,8-五甲基-2,6-二乙基吡咯甲川-二氟硼酸鹽複合物，若丹明575，吡咯甲川580，吡咯甲川597，LDS 720，LDS 751，styril 8，若丹明590，若丹明610，LDS 759，LDS 798，吡咯甲川605，8-乙醯氧基甲基-2,6-二乙基-1,3,5,7-四甲基吡咯甲川氟硼酸鹽，LDS 750、若丹明640 Per，磺醯若丹明640，DODC碘，Kiton紅620，LDS 925，吡咯甲川650，LDS 765，LDS 730，LDS 867，1,1'-二乙基-2,2'-二碳花青碘，LD 690過氯酸鹽，1,1'-二乙基-4,4'-碳花青碘，甲酚紫(Cresyl Violet)670，5-亞胺基-5H-苯并[a]啡噁嗪-9-胺單過氯酸酯，3,3'二乙基硫雜二碳花青碘，1,3-雙[4-(二甲胺基)-2-羥苯基]-2,4-二羥基環丁烯二基鎓二氫氧化物，雙(內鹽)，丙基星藍碘(Propyl Astra Blue Iodide)，碘化物1,1',3,3,3',3'-六甲基-4,5,4',5'-二苯并吲哚二碳花青(IR-676)和其混合物。
在又另一實施例中，用於GaAs雷射之雷射染料係選自：5,5'-二氯-11-二苯基胺基-3,3'-二乙基-10,12-伸乙基硫雜三碳花青過氯酸鹽(IR-140)，1,1',3,3,3',3'-六甲基吲哚三碳花青、1,1',3,3,3',3'-六甲基吲哚三碳花青碘化物,1,1'-二乙基-2,2'-醌三碳花青碘化物,雙[5-[[4-(二甲胺基)苯基]亞胺基]-8(5H)-喹啉酮]鎳(II)，2,4-二-3-癒創木奧基(guaiazulenyl)-1,3-二羥基環丁烯二基鎓二氫氧化物雙(內鹽),3,3'-二乙基噻三碳花青碘化物，3,3'-二乙基噻三碳花青過氯酸鹽二甲基{4-[1,5,5-參(4-二甲基胺基苯基)-2,4-五二烯亞基]-2,5-環己二烯-1-亞基}銨過氯酸鹽(IR-800)，1,1'-二乙基-4,4'-二碳花青碘化物，HITC，二甲基{4-[1,7,7-參(4-二甲基胺基苯基)-2,4,6-庚三亞烯基]-2,5-環己二烯-1-亞基}銨過氯酸鹽(IR-895)，[2-[2-氯-3-[[1,3-二氫-1,1-二甲基-3-(4-磺酸丁基)-2H-苯并[e]吲哚-2-亞基]-亞乙基]-1-環己烯-1-基]-乙烯基]-1,1-二甲基-3-(4-磺酸丁基)-1H-苯并[e]吲哚鎓氫氧化物內鹽(IR-820)，萘酚綠B，2-[2-[2-氯-3-[2-[1,3-二氫-3,3-二甲基-1-(4-磺酸丁基)-2H-吲哚-2-亞基]-亞乙基]-1-環己烯-1-基]-乙烯基]-3,3-二甲基-1-(4-磺酸丁基)-3H-吲哚鎓氫氧化物(IR-783)，2-[2-[2-氯-3-[2-(1,3-二氫-1,3,3-三甲基-2H-吲哚-2-亞基)-亞乙基]-1-環己烯-1-基]-乙烯基]-1,3,3-三甲基-3H-吲哚鎓氯化物(IR-775氯化物)，2-[7-[1,3-二氫-3,3-二甲基-1-(4-磺酸丁基)-2H-吲哚-2-亞基]-庚-1,3,5-三烯基]-3,3-二甲基-1-(4-磺酸丁基)-3H-吲哚鎓氫氧化物(IR-746)，IR 144和其混合物。
可藉由技術中熟知之任何方法製造用於製成任何覆蓋層之聚合物。當覆蓋層包括雷射染料時，可將粉末雷射染料添加至聚合物溶液或可將雷射染料溶於溶劑中並與聚合物溶液混合。對於濕式塗布方法可使用溶液或懸浮液混合物，或對於乾式塗布方法可塗布於載體薄膜上並加熱除去溶劑。
犧牲性、可剝離性或永久性覆蓋層可藉由網印、溶液塗布、浸塗、旋轉塗布、噴塗或熟悉技術者熟知之任何濕式塗布方法施用於絕緣基材。在一些實施例中，犧牲性、可剝離性或永久性覆蓋層可藉由乾膜層壓或熟悉技術者熟知之任何其他方法施用於絕緣基材。
當應用濕式塗布方法時，加熱並乾燥覆蓋層以除去任何溶劑。然後，使用被視為適宜的雷射(包括但不限於YAG、紅外雷射和紫外雷射)將印刷電路板前驅體雷射圖案化。雷射除去部分覆蓋層和位於下面的絕緣基材而在絕緣基材上形成一或多個圖案元件。如果使用犧牲層，則其藉由用適宜液體處理而除去，然後再金屬化。如果使用可剝離的層，則在圖案化元件形成後，電鍍印刷電路板前驅體。然後，藉由用適宜液體處理而除去可剝離性覆蓋層。
雖然本發明已就一些實施例和調配物作說明，但當明瞭可做出本發明之許多變異、修改及其他應用。前述說明並非旨在限制本發明範圍。本發明之限制僅受以下請求項所界定。
10．．．印刷電路板前驅體
12．．．絕緣基材
14．．．覆蓋層
16．．．燒蝕碎屑
18．．．槽
20．．．通孔
22．．．金屬化
本發明於此僅經由參考附圖藉由實例作說明，其中：
圖1為雷射燒蝕之前，根據本發明之空白印刷電路板前驅體之一部分的橫剖面圖；
圖2為類似於圖1之橫剖面圖，其說明於板上燒蝕圖案之過程；
圖3為類似於圖2之橫剖面圖，其說明在金屬化之前除去犧牲性覆蓋層之過程；
圖4為類似於圖2之橫剖面圖，其說明在除去可剝離性覆蓋層之前金屬化之過程；和
圖5係類似於圖2之橫剖面圖，其說明利用永久性覆蓋層而非犧牲性覆蓋層之過程。
12．．．絕緣基材
14．．．覆蓋層
18．．．槽
20．．．通孔
22．．．金屬化

Claims (15)

  1. 一種印刷電路板前驅體，其包括一絕緣基材及一設置於該絕緣基材之上的可剝離性覆蓋層；其中，a.該可剝離性覆蓋層包括：i. 80至100重量%之可溶解聚合基質材料；b.該絕緣基材包括：i. 40至97重量%之絕緣聚合基質材料；ii. 3至60重量%之金屬氧化物可活化填料；其中該可剝離性覆蓋層之可溶解聚合基質材料係選自由以下組成之群組：殼聚糖(chitosan)、甲基乙二醇殼聚糖、殼聚糖寡糖乳酸鹽、乙二醇殼聚糖、聚(乙烯咪唑)、聚烯丙胺、聚乙烯胺、聚醚胺、環聚胺(cyclen)(cyclic polyamine)、聚乙烯胺(直鏈、支鏈或苄基化)、聚(N-甲基乙烯胺)、聚氧伸乙基雙(胺)、N'-(4-苄氧基)-N,N-二甲基甲脒聚合物鍵合(脒樹脂)、聚(乙二醇)雙(2-胺乙基)、聚(2-乙烯基吡啶)、聚(4-乙烯基吡啶)、聚(2-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(4-乙烯基吡啶N-氧化物)、聚(4-乙烯基吡啶-共-二乙烯基苯)、聚(2-乙烯基吡啶-共-苯乙烯)、聚(4-乙烯基吡啶-共-苯乙烯)、聚(4-乙烯基吡啶)-2%交聯、聚(4-胺基苯乙烯)、聚(胺甲基)聚苯乙烯、聚(甲基丙烯酸二甲基胺乙酯)、聚(甲基丙烯酸第三丁基胺乙酯)、聚(甲基丙烯酸二甲基胺乙酯)、聚(甲基丙烯酸胺乙酯)、苯乙烯和二甲基胺基丙胺馬來醯亞胺之共聚物，及其混合物。
  2. 如請求項1之印刷電路板前驅體，其進一步包含一犧牲性覆蓋層，其係位在該可剝離性覆蓋層之上；其中該犧牲性覆蓋層包括：80至100重量%之可溶解聚合基質材料；其中，該犧牲性覆蓋層之該可溶解聚合基質材料係選自由聚丙烯醯胺、聚二醇類、聚乙二醇、聚氧化乙烯、聚乙烯基吡咯啶酮、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚馬來酸和其混合物組成之群組。
  3. 如請求項1之印刷電路板前驅體，其中該可剝離性覆蓋層組合物及該絕緣基材進一步包含1至20重量%之雷射染料。
  4. 如請求項3之印刷電路板前驅體，其中該雷射染料具有從200到1100nm之吸收峰。
  5. 如請求項3之印刷電路板前驅體，其中該雷射染料具有從200到300 nm之吸收峰。
  6. 如請求項3之印刷電路板前驅體，其中該雷射染料具有從300到400 nm之吸收峰。
  7. 如請求項3之印刷電路板前驅體，其中該雷射染料具有從400到700 nm之吸收峰。
  8. 如請求項3之印刷電路板前驅體，其中該雷射染料具有從700到1100 nm之吸收峰。
  9. 如請求項1之印刷電路板前驅體，其中該絕緣聚合基質材料係選自由以下組成之群組：聚醯亞胺、經玻璃纖維強化之環氧樹脂、苯酚-甲醛、環氧樹脂、經矽石填充之環氧樹脂、雙馬來醯亞胺樹 脂、雙馬來醯亞胺三嗪、含氟聚合物、聚酯、聚苯醚/聚苯醚樹脂、聚丁二烯/聚異戊二烯可交聯樹脂、和其共聚物、液晶聚合物、聚醯胺、氰酸酯和其混合物。
  10. 如請求項9之印刷電路板前驅體，其中該絕緣基材進一步包括一添加劑。
  11. 如請求項10之印刷電路板前驅體，其中該添加劑為非導電性填料、顏料、黏度調節劑、或其組合。
  12. 如請求項1之印刷電路板前驅體，其中該可剝離性覆蓋層具有從2到500微米之厚度。
  13. 如請求項1之印刷電路板前驅體，其中該可活化填料包括具有AB2 O4 通式之晶體形成之金屬氧化物或其衍生物，其中：A為2價金屬陽離子，其係選自由鎘、鉻、錳、鎳、鋅、銅、鈷、鐵、鎂、錫、鈦和其組合組成之群組，其中A提供第一金屬氧化物團簇之主要陽離子成分，該第一金屬氧化物團簇為四面體結構，B為3價金屬陽離子，其係選自由鉻、鐵、鋁、鎳、錳、錫和其組合組成之群組，其中B提供第二金屬氧化物團簇之主要陽離子成分，該第二金屬氧化物團簇具有八面體結構，其中O為氧；及其中該第一金屬氧化物團簇和該第二金屬氧化物團簇一起提供獨特的可識別晶體結構。
  14. 如請求項1之印刷電路板前驅體，其中該可剝離性覆蓋層係可藉由用pH小於7之液體處理而移除。
  15. 一種在印刷電路板基材上形成金屬化圖案之方法，該方法包括：(1)提供如請求項1之印刷電路板前驅體；(2)用雷射處理該前驅體以除去部分該可剝離性覆蓋層和位於下面的絕緣基材，而在該絕緣基材上形成一或多個圖案元件，其中該等圖案元件係選自由槽、通孔和其組合所組成之群組；(3)將該絕緣基材上之該等圖案元件金屬化；以及(4)藉由用pH小於7之液體處理而移除該可剝離性覆蓋層；其中，經由一電鍍步驟來進行前述金屬化。
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