TWI380135B - Substrate support and lithographic process - Google Patents

Description

1380135 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於在浸沒微影處理期間支撐— 的基板支撐件且係關於一種微影方法。 基板 【先前技術】 微影裝置係一種將所I之圖案施加至基板上，通常施加 至基板之一目標部分上的機器。微影裝置可用於“:二

體電路⑽之製造中。在彼情況下，—或者稱為光罩或= 光罩之圖案化元件可用於產生待形成於IC之個別層上的電 路圖案。可將此圖案轉印至—基板（例如，碎晶圓）上之一 目標部分(例如，包含一個晶粒或若干晶粒之部分)上。圖 案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻㈣感材料 (抗敍劑）層上而達成。一般而言，單-基板將含有被順次 圖案化之相鄰目標部分的網路。已知的微影裝置包括所謂 的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上 :照射每—目標部分；及所謂的掃描器纟中藉由在一給 定方向("掃描"方向)上經由輻射光束掃描圖案同時平行或 反平行於此方向同步地掃描基板而照射每一目標部分。亦 有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化元件轉 印至基板。 歸因於對影像解析度之不斷增加之要求（尤其在浸沒微 影術之新領域中）’對控制基板溫度之需要不斷增長。通 常由-基板支料㈣基板且經㈣基板切件之一周邊 部分移除浸沒液體。在浸沒液體之移除期間，液體之一部 127485.doc 1380135 分可汽化，因此將熱負載誘發至基板支撐件之該周邊部 分’從而導致產生基板之溫度梯度。 【發明内容】 需要在基板之邊緣附近提供一基板支撐件，其中提供美 板之改良熱穩定。 土 根據本發明之一態樣，提供一種基板支撐件其用於在 浸沒微影處理期間支撐一基板，該基板支撐件包含： 一中心部分；及 —周邊部分，其位於該中心部分周圍； 該基板支撐件之特徵在於： -熱解耦器，其經配置以減少該中心部分與該周邊部分 之間的熱傳送。 根據本發明之一態樣，提供一種微影方法，其包含以 步驟： -提供一用於支撐一基板之基板支撐件； -預測在該微影方法之一稍後步驟期間該基板支撐件所 經受之熱負载； •供應一流體至該基板支撑件； -經由該基板支撐件之一管道輸送該流體； _基於對該基板支樓件之該預測熱負載而估計在供應該 流體至該基板支#件與沿該管道中之—控制位置輸送該流 體之間該流體之一溫度改變； -在該稍後步驟期間，藉由在供應該流體至該基板支撐 件之前給予該流體對一所要溫度之一偏移來配置該流體以 127485.doc 1380135 使其在該控制位置處具有該所要溫度，該偏移對應於該估 計溫度改變。 【實施方式】 圖1示意性地描繪一根據本發明之一實施例的微影裝 置。該裝置包含： -一妝明系統（照明器）IL，其經組態以調節一輻射光束 B(例如，UV輻射）；

_ 一支撐結構（例如，光罩台）MT，其經建構以支撐一圖 案化元件（例如，光罩）MA且連接至一第一定位SPM，該 第一定位器PM經組態以根據特定參數而準確地定位該圖 案化元件； -一基板台（例如，晶圓台）WT，其經建構以固持一基板 (例如塗佈有抗蝕劑之晶圓）W且連接至一第二定位器 PW ’該第二定位器pw經組態以根據特定參數而準確地 位該基板；及

-―又影糸統（例如’折射型投影透鏡系統）Ps，A經組 由圖案化元件MA賦予至輻射光U之圖案投影至 土之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒）上。 該照明系統可包括用於引導、成形或控制 型之光學組件，諸如折射、反射種類 他類型之光學組件或其任何組合。U、靜電或其 取決於圖案化元件之定 元件是否固持於真空環 元件。支撐結構可使用 該支撐結構以 計及諸如圖案化 方式固持圖案化 向、微影裝置之設 境中之其他條件的 機械、真空、靜電 127485.doc j其他夾持技術來固持㈣化元件。支標結構可為框架或 (例如）其可視需要為固定的或可移動的。支撐結構可 確保圖案化元件（例如）相對於投料統處於所要位置處。 可認為本文令對術語"主光罩，，或"光罩"之任何使用均與更 通用之術語"圖案化元件"同義。 。應將本文中所使用之術語"圖案化元件"廣義解釋為指代 可用以在一輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束一圖案以 在基板之一目標部分中產生一圖案的任何元件。應注意， 牛例而。’右被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所 謂的辅助特徵，則該圖案可能不會精確對應於基板之目標 部分中的所要圖案。大體而t，被賦予至輻射光束之圖案 將對應於元件（諸如積體電路）中正在目標部分中形成之一 特定功能層。 圖案化元件可為透射型或反射型的。圖案化元件之實例 包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩 在微影術中係熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相 移之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列 之一實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可 個別地傾斜以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡 面將一圖案賦予由鏡面矩陣反射之輻射光束中。 本文中所使用之術語”投影系統”應廣義解釋為涵蓋任何 類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電 磁及靜電光學系統，或其任何組合，只要其適用於所使用 之曝光輻射’或適合於諸如浸液（或浸沒流體）之使用或真 127485.doc 1380135 空之使用的其他因素^可認為本文 任何使用與更通用之術語”投影系統”同義Γ '影透鏡"之 裝置為透射型(例如，採用透射光罩” 或者裝置可為反射型（例如，採用為如以±所提及之類 型的可程式化鏡面陣列，或採用反射光罩）。 微影裝置可為具有兩個（雙平臺）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上支撐έ士煃彳 d。構)之類型。在該等"多平臺"機器

中，可並仃使用額外台及/或支撐結構，&可在_或多個 台及/或支撐結構上執行預備步驟同時將一或多個其他台 及/或支揮結構用於曝光。 微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可被 具有相對較高之折射率的液體(例如，水)所覆蓋以便填充 投影系統與基板之間的空間。亦可將浸液塗覆至微影裝置 中之其他空間’例如，在光罩與投影系統之間的空間。浸 沒技術在此項技術中係熟知的以用於增加投影系統之數值 孔徑《如本文中所使用之術語"浸沒"並不意謂將諸如基板 之結構淹沒於液體中，而僅意謂在曝光期間液體位於投影 系統與基板之間。 參看圖1，照明器IL自一輻射源SO接收一輻射光束。舉 例而言’當該輻射源為準分子雷射時’該輻射源與微影裝 置可為獨立之實體《在該等狀況下，不認為該輻射源形成 微影裝置之部分，且輻射光束借助於包含（例如）合適之引 導鏡面及/或光束放大器的光束傳遞系統BD而自輻射源s〇 傳遞至照明器IL。在其他狀況下’舉例而言，當轄射源為 127485.doc 1380135 一水銀燈時，該輻射源可為微影裝置之一整體部分。輪射 源SO及照明器IL與光束傳遞系統BD—起視需要被稱作輕 射系統。 照明器IL可包含一用於調節輻射光束之角強度分布的調 節器AD。大體而言，至少可調節照明器之瞳孔平面中之 強度分布的外部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別稱 作σ-外（(j-outer)及σ-内（σ·ίηηβΓ))。另外，照明器IL可包含 諸如積光器IN及聚光器C0之各種其他組件。照明器可用 以調節輻射光束以在其橫截面中具有所要均一性及強度分 布。 輻射光束B入射於固持在支撐結構（例如，光罩台）MT上 之圖案化元件（例如，光罩）MA上，且由圖案化元件圖案 化。穿越圖案化元件MA後，輻射光束B穿過投影系統ps， 投影系統PS將該光束聚焦至基板w之一目標部分c上。借 助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元 件' 線性編碼器或電容式感測器），基板台WT可準確地移 動（例如）以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分 c。類似地，（例如）在自光罩庫以機械方式獲取之後或在 掃，期間，第-定位器pM及另-位置感測器(圖艸未明確 描繪）可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化元 件MA。一般而言，支撐結構MT之移動可借助於形成第一 疋位器PM之部分的一長衝程模組（粗定位）及一短衝程模組 _ ^位)。而實現。類似地，基板台WT之移動可使用形成第 疋位器PW之部分的一長衝程模組及一短衝程模組而實 127485.doc 1380135 現。在步進器(與掃描器相對)之狀況下，支撲結構mt可僅 連接至一紐衝程致動器’或可為固定的。可使用圖案化元 件對準標記Μ1、Μ2及基板對準標記Η、Ρ2來使圖案化元 件ΜΑ及基板W對準。儘管所說明之基板對準標記佔據專 用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間（此等已知 為劃道對準標記)中。類似地’當在圖案化元件MA上提供 -個以上晶粒的情況下’圖案化元件對準標記可位於晶粒 之間。 所描繪之裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1·在步進模式中，當將—被賦予至轄射光束之整個圖案 Η又〜至目輮部分c上時，使支撐結構财及基板台 资保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光）。接著使基板台 在X及/或γ方向上移位以使得可曝光一不同目標部分 C在步進模式中，曝光場之最大大小限制了在單次靜態 曝光中成像之目標部分C的大小。 “ 2.在掃描模式中，當將—被賦予至輻射光束之圖案投影 至一目標部分C上時，同步地掃描支標結構町及基板台 WT(亦即’翠次動態曝光）。可藉由投影系統PS之放大率 C缩小率）及影像反轉特徵來判定基板台资相對於支樓結構 MT之逮度及方向。在掃描模式令’曝光場之最大大小限 制了在單次動態曝光中之目標部分的寬度（在非掃描方向 上）’而掃描運動之長度決定了目標部分之高度（在掃描方 向上）。 3.在另一模式t，當將—被賦予至輻射光束之圖案投影 I27485.doc 至一目標部分C上時使支撐結構河丁基本上保持靜止以固持 一可程式化圖案化元件，並移動或掃描基板SW1^在此 模式中，通常採用一脈衝式輻射源，且在基板台WT之每 -人移動之後或在掃描期間之連續輻射脈衝之間視需要更新 可程式化圖案化元件。可易於將此操作模式應用至利用可 程式化圖案化元件（諸如為以上所提及之類型的可程式化 鏡面陣列）的無光罩微影術。 亦可採用以上所述使用模式之組合及/或變體或完全不 同之使用模式。 在本發明之一實施例（圖2)中’出於浸沒微影處理之目 的而建構一基板支撐件（此處為基板台）以支撐一基板。圖2 展示根據本發明之該實施例的基板台丨之附著至一被部分 展示之中心部分的周邊部分。另外，在圖21及圖中示意 !生地展示基板台1之沿線j及Η之整個周邊的橫截面圖。片 段2(例如，環形形狀）經提供為與基板3之周邊成一直線配 置且〜基板3之周邊延伸。片段2連同基板3之一邊緣形成 間隙4。穿過間隙4，浸液將經由描繪於圖21中之垂直通 道6而進入提取管道5，垂直通道6係沿提取管道5之整個周 邊長度而以一規則間距提供。 提取官道5連接至一出口通道系統7，此示意性地說明於 圖11中藉由提供-強大氣流8，可防止在基板3上或附近 之久液飛濺或巧染。然而，通常，歸因於受氣流8刺激之 &液之相變，氣流8可提供大量熱負載至基板3及基板 〇 1之周邊部分9。此外，出口通道系統7可打破基板台1之 127485.doc 1380135 板台1之中心部分12的機械穩定性，因為其大體上防止了 周邊部分9之機械變形轉移至基板台丨之中心部分12，且因 此當在微影方法中處理基板3時可達成更佳成像品質。 在一實施例（特定結合圖2之圖3)中，藉由使熱緩衝液體 (通中為具有一或多種可能添加劑之水）穿過複數個中心管 道17循環來提供熱調節。更大體而言，該熱緩衝液體充當 液體介質且可為流體介質。該複數個中心管道17通常以如 所示之圖案穿過基板台丨，然而，其他圖案亦係可能的。 經由一周邊管道丨5來熱調節周邊部分9。可由一熱能控制 器18加熱管道15、17中之液體，熱能控制器18可依據所測 得之輸入溫度及輸出溫度提供熱至液體。在一實施例中， 此熱能控制器可充當冷卻器以尤其在被主動控制時視必要 性而自液體提取熱。為此，在液體之流動路徑中提供一熱 感測器配置（在此實施例中包含輸入溫度感測器19及輸出 溫度感測器20)。通常，液體循環穿過整個基板台i，包括 中心部分12及周邊部分9。因此，感測器19及2〇控制待輸 入於液體中之總能量，此由熱能控制器丨8予以執行。另 外，如亦參看圖2所述，為進一步調節邊緣部分9，可提供 一邊緣加熱器16。邊緣加熱器16通常係回應於邊緣溫度感 測器21、21’、21，，而加以控制’該等邊緣溫度感測器21、 21、21女裝在邊緣部分9中在基板台邊緣部分9中之預定 位置處。 圖3中之實施例可能在確定待供應至周邊部分9之正確熱 量時有問題，因為邊緣溫度感測器21、21，、21"直接安妒 127485.doc 15 1380135 於基板台1上。因此’產生熱效應之局部現象（諸如在溫度 感測器附近小液滴之存在）可能顯著影響由感測器中之一 或多者量測之溫度值。因此’可能難以由邊緣加熱器 16(經設計為全域圍繞基板台1之周邊之邊緣熱平衡器）提供 正確熱量。另外’由輸入溫度感測器19及輸出溫度感測器 20量測的液體之測得溫度可能顯著受基板台邊緣9處之熱 效應影響。因此可能難以區別邊緣效應與基板台1之中心 部分1 2㊅效應。

或者（圖4) ’根據本發明之一實施例，在周邊管道15中 或附近提供-熱感測⑽置，其用於計算待由熱能控制器 1 8知加之此畺該熱感測器配置理想地包含彼此有距離地 處於駭位置中之至少兩個溫度感測p在所㈣之實施 例中’預定位置位於管道15之輸入端22及輸出端23附近。 在-實施例t，可藉由連接#道15及—婉蜒穿過基板台之 中心部分的中心管道24來提供溫度控制。在所示實施例 中，中心管道24與熱能控制器18熱連接以對中心、管道扉 應溫度控制。-供應系統及接收系統未加展示但隱含地存 在。 社此π苑例（圖句中，1由二1固歇利器19 行熱控制’該三個感測器19、2。及25提供於導向至中= ^12且連接至周邊管道15的單-管道24中。在此實施例 ’液體介質用作流體介質，但亦可施加氣體作為介質。 在此管道中，可由—給 』’撤又感測器1 9量測總輸入溫度且 可由輸出溫度感測器量測輸出溫度。以此方式，可由熱 127485.doc 1380135 ::控制器18(為供應加熱器及/或冷卻器)基於來自輸入感測 窃19及輸出感測器20之溫度信號而控制待施加至液體介質 之總熱能，以使基板台1之中心部分12穩定。可由單—邊 緣溫度感測器25量測在輸入至管道15中時液體介質之严 度在實例中，液體介質（例如，水）之平均溫度可㈣ 在（例如02C (亦即，i/2(Tlit)uidin + TliquidQut))之固定平均溫

度。此最小化歸因於（例如）不同曝光配方（浸沒罩負載變 ^匕）而對基板台之核心之變動負載的換算改變。 在邊緣溫度感測器25提供於管道15之輸人端中或附近的 情況下，可由來自邊緣溫度感測器25及輸出溫度感測器 之溫度信號來控制邊緣加熱器16。理想地，邊緣中之溫度 差保持最小，因此，控制目標將較佳以 ^ ^ \ I liquid,out = T|iqUid，edge)之方式補償全域邊緣負載。 在實施例中’一控制單元經組態以控制流體介質溫度 以致基板支料之中心部分具有第—溫度且周邊部分且有 第二溫度。在此實施例中’在向外方向上，在基板支稽件 1中預期有兩個不同溫声姐庙 .,, 度梯度1向外方向對應於自基板 支樓件之中心部分之中4 A甘 1刀間走向基板支料之周邊部分。在 此實施例中，預期溫度在中心 °丨刀甲Λ向外方向上升且在 周邊部分中沿向外方向下降。Α 下降在中心部分與周邊部分連接 的情況下，意欲使溫度相黧县 汉孭孚以最小化熱傳送 '然而，中心 部分之平均溫度不同於周邊部分之平均溫度，因為中心部 分及周邊部分歸因於微影處理而暴露^同熱負載。 在該實施例中’中心部分 |刀絰爻一由中心熱負載產生器 127485.doc 1380135 (亦即，中心管道24)產生之輸出熱負载。周邊部分經受一 由周邊熱負載產生器（亦即，邊緣加熱器16)產生之輸出熱 負載。此提供了以下選項：對基板支撐件之中心部分與周、 邊部分之間的熱傳送提供高階控制藉此減少對絕熱邊緣 11、13之要求。 該實施例涵蓋其中來自中心管道24之流體介質供應給周 邊管道15的情況。該實_亦、涵蓋此情況：其中由流體介 質及邊緣加熱器產生之熱負載由預期最小微影處理熱負載 及最大微影處理熱負載確定或由基板支撐件中之不同位置 處的量測值確定。 儘管圖4展示一僅具有單一邊緣感測器乃 置，但可在管道15中提供多個感測器，詳言之，2 = 沒罩在局#存在於基台之邊緣附近時之不對稱負載。通 常，在該等狀況下亦可提供局部加熱。如同圖2之實施 例，此實施例提供增加之控制的優點。此係因相施加熱 及熱效應將歸因於絕緣體i丨而限於周邊部分9且因此可藉 由溫度感測器19、20及25而得到更準確地量測。因此，可 提供一更靈敏之溫度控制系統。此對圖3中所插繪之實施 例而言亦成立。另外，儘管圖4展示一基板台，其中中2 管道及周邊管道形成單一連接管道，但亦可替代地提供^ 個並行管道，其中一分支將經配置以對邊緣部分9提供溫 度平衡，且另一分支將經配置以對中心部分12提供溫度平 此外，習知地，將液體調節至等於基板支撐件1之設定 127485.doc 18 溫度的預設供應溫度’詳言之調節至約22t(=最佳系統溫 =，基於所要投影系統溫度）。因此，供應介質之溫度設 定點習知地並不基於對液體之預期熱負載。結果，回流液 體之溫度可能高於最佳系統溫度。另夕卜平均工具溫度及 平均組件溫度可隨微影系統之不同操作模式而變化。兩種 效應可能導致機n效能損失。根據本發明之一態樣，流體 介質供應溫度處於低於設定溫度之溫度，以該方式以致平 均流體介質溫度（供應對回流）將為設定溫度（詳言之約22 C )。以此方式，可減小或最小化來自（a)流體線及/或0)組 件之熱輸入的效應。根據一態樣，預見實施此原理之兩種 方式：1)固定流體介質供應溫度，其具有基於（例如）對流 體介質系統（之部分）之最大熱負載的設定點溫度以使得供 應及回流流體介質之平均溫度將接近22。〇之設定點；及/ 或2)主動控制流體介質供應溫度。以此方式，可處理歸因 於變動功率消耗/熱負載的變化。 可藉由如所描繪反轉流體介質之流動來使此等態樣結合 於圖4中所描繪之實施例中，以使得流體介質供應溫度由 熱能控制器1 8(其可具有加熱及/或冷卻功能）控制在由控制 器1 8主動控制在由邊緣溫度感測器25所量測之預設溫度的 溫度且控制在低於中心部分12之設定溫度的預設溫度，以 符合基板支撐件1之預期或測得熱負載。 圖5示意性地展示具備一溫度感測器25之管道15的一實 施例。通常，管道1 5具備能夠將熱傳送至流體介質26中之 傳導壁。感測器25理想地封閉於一熱傳導密封件27中’該 127485.doc •19· 1380135 熱傳導密封件27保護感測器25及線路28免受液體26。又， 理想地’感測器25之不與流體介質熱接觸的下側藉由隔離 材料29而熱隔離。 儘管所說明之實施例係指一待用以固持一待作為經圖案 化之光束之目標的基板之基板支撐件，但可將該結構極好 地應用至一圖案化元件支撐結構或需熱穩定之任何其他支 撐件。 儘管本文中可特定參考微影裝置在製造1(：中 應理解，本文中所述之微影裝置可具有其他應用，諸如積 體光學系統之製造、用於磁疇記憶體之引導及偵測圖案、 平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項 技術者將瞭解，在該等替代應用之情境下，可認為本文中 對術語"晶圓”或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語”基 板"或”目標部分"同義。可在曝光之前或之後，在(例如)一 執C (通$將抗蝕劑層塗覆至基板且顯影所曝光之抗蝕劑 的工具）、-度量工具及/或一檢視工具中處理本文中所提 之基板在適用時，可將本文中之揭示内容應用至該等 及其他基板處理工且。另冰， 、另外’可對基板進行一次以上的處 理，（例如）以便產生多声ΙΓ 少層1C 使侍本文中所使用之術語基 板亦可指代已含有多個經處理層之基板。 儘管以上已特定參考在丼與與&化 任九予微衫術之情境下對本發明之 實施例的使用，作將咏 將瞭解，本發明可用於其他應用（例 如’壓印微影術）中，且名拌沐a 障境允許時，本發明不限於光 學微衫術。在壓印微影術 實施例中，圖案化元件上之 127485.doc -20. 構形被壓入一提供於基板之上抗蝕劑層中，在該基板上抗 钱劑藉由施加熱而固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化元件 移出抗蝕劑，從而將圖案留在其中。 本文中所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電 磁輻射’包括紫外線（UV)輻射（例如，具有約365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm或 120 nm之波長）及極紫外 線（EUV)輻射（例如，具有在5 nm至20 nm之範圍内的波 長）’以及諸如離子束或電子束之粒子束。 在情境允許時，術語"透鏡，，可指代各種類型之光學組件 中之任一者或其組合’包括折射、反射、磁性、電磁及靜 電光學組件。 可將本發明之一或多個實施例應用至任何浸沒微影裝 置’詳言之（但並非排他性地）以上所提及之彼等類型且 無淪次液以槽之形式提供還是僅在基板之局部表面區域上 提供。應廣義地解釋如本文中所涵蓋之液體供應系統◦在 某些實施例中，其可為提供液體至投影系統與基板及/或 基板台之間的空間之機制或結構組合。其可包含提供液體 至該工間之一或多個結構、一或多個液體入口、一或多個 氣體 或多個氣體出口及/或一或多個液體出口之 組合。在一實施例中，該空間之表面可為基板及/或基板 台之一部分’或該空間之表面可完全覆蓋基板及/或基板 口之表面，或該空間可包封基板及/或基板台。液體供應 系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、數量、品 質、形狀、流動速率或任何其他特徵的一或多個元件。 I27485.doc 叫丄力 4奢 f^· 以上已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，了、 同於所述方式的方式實踐本發明。以上描述 性而非 \钓說明 限制性的《因此，熟習此項技術者將顯而易見在 不脫離以下所陳述之申請專利範圍之範疇的情況下，可對 所述之本發明作出修改。 【圖式簡單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置； 圖2描繪根據一實施例之基板台之—部分. 圖3描繪根據一實施例的以平面圖形式之基板台之一部 分； 圖4描繪根據一實施例的以平面圖％式之基板台之一部 分；及 圖5說明用於根據一實施例之基板台的管道組態。 【主要元件符號說明】 、u 1 基板台 2 片段 3 基板 4 間隙 5 提取管道 6 垂直通道 7 出口通道系統 8 氣流 9 基板台之周邊部分 11 第一絕緣體邊緣/絕緣片 127485.doc •22- 1380135

12 中心部分 13 第二絕緣體邊緣 14 基板支撐層 15 周邊管道 16 邊緣加熱器 17 中心管道 18 熱能控制器 19 輸入溫度感測器 20 輸出溫度感測器 21 邊緣溫度感測器 21， 邊緣溫度感測器 21" 邊緣溫度感測器 22 管道15之輸入端 23 管道15之輸出端 24 中心管道 25 邊緣溫度感測器 26 流體介質/液體 27 熱傳導密封件 28 線路 29 隔離材料 AD 調節器 B 輻射光束 BD 光束傳遞系統 C 目標部分 127485.doc -23 - 1380135 co 聚光器 IF 位置感測器 IL 照明系統（照明器） IN 積光器

Ml M2 ΜΑ ΜΤ

Ρ2 PM PS PW 圖案化元件對準標記 圖案化元件對準標記 圖案化元件/光罩 支撐結構/光罩台 基板對準標記 基板對準標記 第一定位器 投影系統 第二定位器 SO 輻射源 W 基板

WT

基板台 方向 Y 方向 △ Q 熱負載 127485.doc -24-

Claims (1)

1. 第096146868號專利申請案 中文申請專利範圍·替換本(101年8月）23 十、申請專利範圍： 1. 一種基板支撐件，其用於在浸沒微影處理期間支撐一基 .板，該基板支撐件包含： 一中心部分；及 一周邊部分，其位於該中心部分周圍； 該基板支撐件之特徵在於： 一熱解耦器（11、13、15)，其經配置以減少該中心部 分與該周邊部分之間的熱傳送。 2. 如請求項1之基板支撐件，其中該周邊部分包含經配置 以自該基板支撐件之一頂表面提取一浸沒流體的提取構 件（5、6、7)。 3. 如請求項2之基板支撐件，其中該熱穩定器包含一相對 於該提取構件配置在中心以使該周邊部分與該中心部分 熱隔離及/或機械隔離之隔離器。 4. 如請求項3之基板支撐件，其中該隔離器包含一似玻璃 材料、空氣、真空、一發泡體玻璃及/或一聚合物。 5. 如請求項1至4中任一項之基板支撐件，其包含一周邊管 道，該周邊管道經配置以穿過該周邊部分輸送一流體介 質且連接至一經配置以控制該流體介質之溫度的供應系 統0 6. 如請求項5之基板支撐件’其中該供應系統經配置以將 該流體介質之該溫度控制在一不同於基板支撐件之該周 邊部分之一所要溫度的溫度。 7·如請求項6之基板支撐件’其中該供應系統經配置以將 127485-1010823.doc 1380135 該流體介質之該溫度控制於相對於該基板支撐件之一所 要溫度之一固定差處。 8. 如請求項6之基板支撐件，其中該供應系統經配置以基 於該基板支撐件之該所要溫度及對該基板支撐件之一預 期熱負載而控制該流體介質之該溫度。 9. 如請求項5之基板支撐件，其包含： -一邊緣溫度感測器（25)，其經配置以量測該流體介質 之在該周邊管道之一輸入端處之一溫度；及 -一輸出溫度感測器（20)，其經配置以量測該流體介質 之在該周邊管道之一輸出端處之一溫度； • 一邊緣加熱器，其經配置以加熱該周邊部分；及 一控制器’其連接至該邊緣溫度感測器及該輸出溫度感 測器，該控制器經配置以基於該流體介質之在該周邊管 道之該輸入端處之該測得溫度與在該周邊管道之該輸出 端處之該測得溫度之間的差而控制由該邊緣加熱器輸出 之熱量。 10. 如請求項5之基板支撐件，其中經由一蜿蜒穿過該中心 部分之中心.管道而供應該流體介質給該周.邊管道。 11. 如請求項9之基板支撐件，其中該控制器經配置以基於 該流體介質之在該周邊管道之該輸入端處之該測得溫度 及在該周邊管道之該輸出端處之該測得溫度而控制該流 體介質之該溫度。 12. 如請求項丨至4中任一項之基板支撐件，其包含一在該中 心部分中用於產生一中心熱負載輸出的中心熱負載產生 127485-1010823.doc -2- 1380135 益’及-在該周邊部分中用於產生—周邊熱負載輸出的 周邊熱負載產生器，其中該中心熱負載產生器及該周邊 熱負載產生器受控於—經配置以個別地控制該中心熱負 載輸出及該周邊熱負载輸出之控制單元。 13. —種微影裝置，其包含如請求項^ 3、45、6、7 ^。、"^中任-項與請求们之組合的基板支 樓件，該微影裝置包含一經組態以將—經圖案化 光束投影至基板之一目標部分上的投影系統，且发中該 以在該基板支撐件與該投㈣統之間提料 14. 如請求項13之微影裝置’其中提取管道為環形。

   127485-1010823.doc 1380135 第：J96146868號專利申請案 士文圖式替換頁Π01玍8月

   127485-fig-1010823.doc 1380135 • 第096146868汽專Μ申請案 屮文圖式替換頁（1 () 1年8圬Γ

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