CN101226341A - 衬底支撑件和光刻工艺 - Google Patents

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Abstract

公开了一种用于浸没式光刻工艺的衬底支撑件,所述衬底支撑件构建用于支撑衬底。该衬底支撑件具有中心部分和外围部分,所述外围部分包括被设置用于从衬底支撑件的顶部表面提取液体的提取管道,所述提取管道连接到构造成将液体从衬底支撑件输出的排出管道。衬底支撑件进一步包括热分离器,所述热分离器被设置在外围部分中,被配置为设置用于减少中心部分和外围部分之间的热传递。

Description

衬底支撑件和光刻工艺
技术领域
本发明涉及一种在浸没式光刻工艺过程中用于支撑衬底的衬底支撑件以及涉及一种光刻工艺。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或多个管芯的部分)上。典型地,经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常,单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括:所谓步进机,在所述步进机中,通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分;以及所谓扫描器,在所述扫描器中,通过沿给定方向(“扫描”方向)的辐射束扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上,将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。
由于对图象分辨率(尤其是在浸没式光刻的新的领域中)越来越多的要求,所以对于衬底温度的控制的要求增加。典型地,衬底通过衬底支撑件来支撑且浸没液经由衬底支撑件的外围部分来移除。在浸没液的移除过程中,浸没液的一部分可能蒸发,诱使热载荷到达衬底支撑件的外围部分,导致了衬底的温度梯度。
发明内容
需要提供一种衬底支撑件,在所述衬底支撑件中,在衬底的边缘附近提供衬底的改善的热稳定性。
根据本发明的一个方面,提供了一种在浸没式光刻工艺过程中用来支撑衬底的衬底支撑件,所述衬底支撑件包括:
中心部分;以及
位于中心部分周围的外围部分;
其特征在于:
设置用来减少中心部分和外围部分之间的热传递的热分离器。
根据本发明的一个方面,提供了一种光刻工艺,包括如下步骤:
-提供一个用来支撑衬底的衬底支撑件;
-预测在光刻工艺的随后步骤中衬底支撑件所承受的热载荷;
-将流体提供至衬底支撑件;
-通过衬底支撑件的管道输送流体;
-基于预测的、对衬底支撑件的热载荷,估计在向衬底支撑件提供流体和流体在管道中沿着控制位置输送之间的流体的温度变化;
-在随后的步骤中,在将流体供给到支架之前,通过赋予流体对于所需温度的偏移量,在控制位置将流体设置成具有所需的温度,该偏移量对应于所估计的温度变化。
附图说明
在此仅借助示例,参照所附示意图对本发明的实施例进行描述,在所附示意图中,相同的附图标记表示相同的部分,且其中:
图1描述了根据本发明的实施例的光刻设备;
图2描述了根据实施例的衬底台的一部分;
图3描述了根据实施例的在平面图中的衬底台的一部分;
图4描述了根据实施例的在平面图中的衬底台的一部分;以及
图5描述了根据实施例的用于衬底台的管道结构。
具体实施方式
图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括:
照射系统(照射器)IL,被配置用于调节辐射束B(例如,紫外辐射);
支撑结构(例如掩模台)MT,被配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与被配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位器PM相连;
衬底台(例如晶片台)WT,被配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W,并与被配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位器PW相连;以及
投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS,所述投影系统PS被配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件,例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合,以引导、整形、或控制辐射。
支撑结构以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台,例如,其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广泛地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意,被赋予辐射束的图案可能不与在衬底目标部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常,被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相符,例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的,并且包括诸如二元掩模类型、交替相移掩模类型、衰减相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置,可以独立地倾斜每一个小反射镜,以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
应该将这里使用的术语“投影系统”广泛地解释为包括任意类型的投影系统,包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合,如针对所使用的曝光辐射所希望的、或针对诸如使用浸没液(或浸没流体)或使用真空之类的其他因素所希望的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的,所述设备是透射型的(例如,采用透射式掩模)。替代地,所述设备可以是反射型的(例如,采用如上所述类型的可编程反射镜阵列,或采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的支撑结构)的类型。在这种“多台”机器中,可以并行地使用附加的台和/或支撑结构,或可以在将一个或更多个其他台用于曝光的同时,在一个或更多个台上执行预备步骤。
所述的光刻设备也可以是其中至少一部分衬底可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖的类型,以便填充投影系统和衬底之间的空隙。浸没液也可以被应用到光刻设备中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系统之间)。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径在本领域是公知的。这里所使用的该术语“浸没”并不意味着结构(例如衬底)必须浸在液体中,而仅仅意味着在曝光过程中,液体位于投影系统和衬底之间。
参照图1,所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下,不会将该源考虑成光刻设备的组成部分,并且通过包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助,将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下,所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常,可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部的径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外,所述照射器IL可以包括各种其他部件,例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束,以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如,掩模台)MT的所述图案形成装置(例如,掩模)MA上,并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后,所述辐射束B通过投影系统PS,所述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位器PW和定位传感器IF(例如,干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助,可以精确地移动所述衬底台WT,例如以便将不同目标部分C定位于所述辐射束B的辐射路径中。类似地,例如在从掩模库的机械获取之后,或在扫描期间,可以将所述第一定位器PM和另一个定位传感器(图1中未明确示出)用于将图案形成装置MA相对于所述辐射束B的辐射路径精确地定位。通常,可以通过形成所述第一定位器PM的一部分的长程模块(粗定位)和短程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地,可以采用形成所述第二定位器PW的一部分的长程模块和短程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反),所述支撑结构MT可以仅与短程致动器相连,或可以是固定的。可以使用图案形成装置对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2来对齐图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对齐标记占据了专用目标部分,但是他们可以位于目标部分之间的空隙(这些公知为划线对齐标记)上。类似地,在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下,所述图案形成装置对齐标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少一种:
1.在步进模式中,在将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上的同时,将支撑结构MT和所述衬底台WT保持为基本静止(即,单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动,使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中,曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中,在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时,对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描(即,单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中,曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向),而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中,将保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止状态,并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上的同时,对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中,通常采用脉冲辐射源,并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间,根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如,如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体,或完全不同的使用模式。
在本发明的实施例(图2)中,为了浸没式光刻处理的目的,衬底支撑件(这里是衬底台)构造用于支撑衬底。图2示出根据本发明的实施例的、附加于部分地示出的中心部分上的、衬底台1的外围部分。此外,图2I和图2II示意性示出了沿着线I和线II的衬底台1的整个外围上的横截面图。零件2(例如环形)被与衬底3的外围部分设置成一条直线并沿所述衬底3的外围部分延伸。零件2与衬底3的边缘一起形成间隙4。通过间隙4,浸没液将经由在附图2I中所述的垂直通道6进入提取管道5,所述垂直通道沿着提取管道5的整个外围长度以规则的间距设置。
在图2II中示意性地示出了提取管道5连接到出口通道系统7。通过提供一个强大的气流8,可以防止在衬底3上或附近由浸没液导致的飞溅或污染。然而,典型地,由于被气流8激励的浸没液的相变,气流8可以给衬底3的外围部分9和衬底台1提供相当大的热载荷ΔQ。此外,出口通道系统7可能破坏衬底台1的对称,其中,在原理上,在衬底3的整个外围部分上的浸没液能够进入提取管道5(参见附图2I)。由于在衬底3的外围附近的浸没罩(未示出)的局部存在,因此浸没液经由出口通道系统7的排出可能不均匀。此外,出口通道系统7在垂直连接中仅仅存在于有限个位置中(典型地,在整个外围上的一至六个位置)。这总计为通过存在于提取管道5中的不均匀的流动的局部热载荷ΔQ。所示的局部热载荷可能引起在衬底3的外围附近局部热变形。根据本发明的一个方面,为了防止或减少这种现象,绝缘件边缘11形式的热分离器被设置在衬底台1的外围部分9处。
相应地,外围热载荷ΔQ保持在局部外围部分9并且受限于对衬底台1的中心部分12的影响。例如,如图2所示,除了绝缘件11之外,其它的绝缘件可以存在于从衬底台1的中心测量到的不同的径向距离处。这里示出第一绝缘件边缘11,所述绝缘件边缘11将间隙4和中心部分12进行热分离。示出第二绝缘体边缘13(例如环形),其进一步朝向台的中心并且由衬底支撑层14覆盖。第二边缘13遵循可以被设置在衬底台1的外围部分9中的外围管道15。这可以通过参考图3至5进一步描述。可以存在边缘加热器16,所述边缘加热器16例如通过线来形成以向衬底台1的外围部分9提供热能。理想的,绝缘件11和/或13由玻璃状材料、气体、真空、泡沫玻璃和/或聚合体形成。在实施例中,替代地或附加地,所述绝缘件由具有相对低的硬度的材料形成,来以机械方式将外围部分9和中心部分12分离。当衬底3在光刻工艺中被处理时,由于基本上防止外围部分9的机械变形被转移到衬底台1的中心部分12并由此获得更好的成像质量,因此这可以进一步增强衬底台1的中心部分12的机械稳定性。
在实施例中(图3尤其结合图2),经由通过多个中心管道17循环热缓冲液(典型地具有一种或更多种可能的添加剂的水)提供热调节。更一般地,热缓冲液起到液体媒介的作用并可以成为流体媒介。多个中心管道17贯穿衬底台1,典型地,如所示图案,然而,也可以采用其它图案。外围部分9经由外围管道15来进行热调节。管道15,17内的液体可以通过热能控制器18来加热,所述热能控制器18可以将热量作为所测量的输入和输出温度的函数提供给液体。在实施例中,根据需要,尤其当积极地控制时,这个热能控制器可以起到冷却器的作用,来从液体中提取热量。为此,在这个实施例中,热传感器的布置包括输入温度传感器19和输出温度传感器20,所述热传感器的布置被设置在液体的流动路径中。典型地,液体通过整个衬底台1循环,所述衬底台1包括中心部分12和外围部分9。因而,传感器19和20控制被输入到液体中的总能量,这通过热能控制器18实现。另外,为了进一步调节边缘部分9,如参考图2所述,可以提供边缘加热器16。边缘加热器16典型地根据安装在衬底台边缘部分9中预定位置处的边缘部分9中的边缘温度传感器21、21’、21”来控制。
因为边缘温度传感器21、21’、21”被直接安装在衬底台1上,从而图3中的实施例可能在确定被供给到外围部分9的正确的热量方面存在问题。相应地,增加热效应的局部现象(例如在温度传感器附近存在液滴)可能严重地影响由一个或更多个传感器测量到的温度值。相应地,可能难以用边缘加热器16提供正确的热量,所述边缘加热器16被设计为在衬底台1的外围的周围的全局性的边缘热均衡器。此外,通过输入和输出温度传感器19,20来测量的所测液体的温度可能被在台9的边缘上的热效应严重地影响。因而可能难以区别边缘效应和衬底台1的中心部分12中的效应。
可选地(图4),根据本发明的实施例,为了计算通过热能控制器18所施加的能量,在外围管道15中或附近提供热传感器布置。理想地,热传感器布置包括至少两个温度传感器,所述温度传感器在预定位置上彼此分离。在所示的实施例中,预定位置位于管道15的输入端22和输出端23附近。在实施例中,可以通过连接管道15和通过衬底台的中心部分弯曲的中心管道24来提供温度控制。在所示的实施例中,中心管道24与热能控制器18热连接,以为中心管道24提供温度控制。供给系统和接收系统没有示出但确实存在。
在该实施例中(图4),用被设置在被引导到中心部分12的单个管道24中、并连接到外围管道15的三个传感器19、20和25来进行热控制。在该实施例中,液体媒介用为流体媒介,但是气体也可以用为媒介。在该管道中,全部的输入温度能通过输入温度传感器19来测量,而输出温度能通过输出温度传感器20来测量。以这种方式,基于来自输入传感器19和输出传感器20的温度信号,应用到液体媒介的全部的热能可以通过热能控制器18(为任一供给加热器和/或冷却器)来控制,以稳定衬底台1的中心部分12。输入到管道15中时液体媒介的温度能通过单个边缘温度传感器25来测量。在示例中,液体媒介(例如水)的平均温度能被保持为一个固定的平均温度,例如22℃,即(Tliquid,in+Tliquid,out)。这将使缩放比例的变化最小化,所述缩放比例用于改变衬底台的中心的载荷(由于例如不同的曝光方式(浸没罩载荷变化))。
利用被设置在管道15的输入端中或附近的边缘温度传感器25,能通过来自边缘温度传感器25以及输出温度传感器20的温度信号来控制边缘加热器16。理想地,边缘上的温度差异保持最小,因而,控制目标优选地为(Tliquid,in=Tliquid,out)这种方式,以补偿全局的边缘载荷。
在实施例中,控制单元被配置用于控制流体媒介温度以使得衬底支撑件的中心部分具有第一温度而外围部分具有第二温度。在该实施例中,在衬底支撑件1中期望沿着向外的方向的两个不同的温度梯度。向外的方向对应于向着衬底支撑件的外围部分远离从衬底支撑件的中心部分的中间。在该实施例中,期望温度在中心部分中沿着向外的方向增加,而在外围部分中沿着向外的方向降低。在中心部分和外围部分连接的区域上,尽可能使温度相等以使热传递最小化。然而,因为中心部分和外围部分由于光刻工艺而承受不同的热载荷,因此中心部分的平均温度不同于外围部分的平均温度。
在该实施例中,中心部分承受由中心热载荷生成器(即中心管道24)输出的热载荷。外围部分承受由外围热载荷生成器(即边缘加热器16)输出的热载荷。这提供了一种选择,以提供在衬底支撑件的中心部分和外围部分之间的热传递的高水平控制,由此,降低了对于热绝缘边缘11、13的要求。
该实施例包括其中将来自中心管道24的流体媒介供给外围管道15的情形。该实施例也包括通过所期望的最小的和最大的光刻工艺热载荷或通过在衬底支撑件中的不同位置的测量来确定来自流体媒介和边缘加热器的热载荷的情形。
虽然图4示出了仅仅具有单个边缘传感器25的传感器布置,但是在管道15中也可以提供多个传感器,尤其是所述多个传感器当在衬底台的边缘附近局部存在时用来克服浸没罩的不对称载荷。典型地,局部加热也可能在这种情况中被提供。相对于图2的实施例,本实施例提供了控制增强的优点。这是因为由于绝缘件11,所施加的热量和热效应将被限于外围部分9,因而所施加的热量和热效应通过温度传感器19,20,25可更精确地测量。相应地,可以提供更敏感的温度控制系统。这对于图3中所描述的实施例也是正确的。另外,虽然图4示出了其中中心管道和外围管道形成单个被连接的管道的衬底台,但是也可采用或可选地采用多个并行的管道,其中一个支路将被设置用于为边缘部分9提供温度平衡,而另一个支路将被设置用于为中心部分12提供温度平衡。
此外,常规地,液体调节用于将供给温度预设成与衬底支撑件1的设置温度相等,尤其等于大约22℃(=最佳的系统温度,基于理想的投影系统温度)。相应地,供应媒介的温度设置点通常不基于朝向液体的期望的热载荷。结果,回流液体的温度可能高于最佳系统温度。另外,平均的工具温度和平均的组件温度可能随光刻系统的不同的操作模式而改变。两个效应可能导致机器性能的损失。根据本发明的一个方面,以平均流体媒介温度(供给与回流)为设置温度,尤其是大约22℃的方式,流体媒介供给温度为低于设置温度的温度。这样,来自(a)流体线和/或(b)组件热输入效应将被减弱或最小化。根据一个方面,实现这个原理的两个方式预知为:1)具有定点温度的固定的流体媒介供给温度,基于例如朝向流体媒介系统(的一部分)的最大热载荷,从而供给和回流流体媒介的平均温度将更接近于22℃定点;和/或2)流体媒介供应温度被积极地控制。以这种方式,能够处理由于改变能量消耗/热载荷的变化。
可以通过反转所述的流体媒介的流动,以使得流体媒介供给温度被热能控制器18(可能具有加热和/或冷却功能)控制至一个温度,来组合在图4中描述的实施例中的这些方面,所述一个温度被控制器18积极地控制到被边缘温度传感器25测量的预设温度并被控制到在中心部分12的设置温度之下的预设温度,来符合衬底支撑件1的期望的或所测量到的热载荷。
图5示意性地显示了提供有温度传感器25的管道15的实施例。典型地,管道15提供有导电壁从而能将热传递到流体媒介26。传感器25理想地装入在热导电密封件27中,所述密封件避免传感器25和导线28接触液体26。另外,理想地,传感器25的不与流体媒介热接触的下侧通过绝缘材料29被热隔离。
虽然所示的实施例涉及用来保持被图案化的束作为目标的衬底的衬底支撑件,但是该结构可能被非常好地应用到图案形成装置支撑结构或任何需要热稳定的其它支撑件。
尽管在本文中可以做出具体的参考,将所述光刻设备用于制造IC,但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用,例如,集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器、薄膜磁头的制造等。对于普通的技术人员,应该理解的是,在这种替代的应用的上下文中,可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理,例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上,并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、度量工具和/或检验工具中。在可应用的情况下,可以将所述公开应用于这种和其他衬底处理工具中。另外,所述衬底可以处理一次以上,例如为产生多层IC,使得这里使用的所述术语衬底也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
尽管以上已经做出了具体的参考,在光学光刻的上下文中使用本发明的实施例,但应该理解的是,本发明可以用于其他应用中,例如压印光刻,并且只要上下文允许,不局限于光学光刻。在用于压印光刻的实施例中,存在于图案形成装置上的拓扑被印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中,在其上通过施加热来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后,所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走,并在抗蚀剂中留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射,包括:紫外辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外辐射(例如具有5-20nm范围内的波长),以及粒子束,例如离子束或电子束。
在上下文允许的情况下,所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合,包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
本发明的一个或更多的实施例可以应用到任何浸没式光刻设备,尤其是但不仅仅是上述提到的这些类型,且不管浸没液是以浴槽的形式提供还是仅仅在衬底的局部表面区域上提供。如在此所设想的液体供给系统应当被广泛地解释。在一定的实施例中,它可以是将液体提供到在投影系统和衬底和/或衬底台之间的空隙的机构或结构组合。它可以包括将液体提供到所述空隙的一个或更多个结构、一个或更多个液体入口、一个或更多个气体入口、一个或更多个气体出口、和/或一个或更多个液体出口的组合。在实施例中,所述空隙的表面可以为衬底和/或衬底台的一部分,或者所述空隙的表面可以完全地覆盖衬底和/或衬底台的表面,或者所述空隙可以包围衬底和/或衬底台。液体供给系统视情况可以进一步包括用于控制液体的位置、数量、质量、形状、流速或任何其它特征的一个或更多个元件。
尽管以上已经描述了本发明的具体的实施例,但是应该理解的是,本发明可以与上述不同的形式实现。以上的描述是说明性的,而不是限制性的。因此,本领域的技术人员应当理解,在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下,可以对上述本发明进行修改。

Claims (19)

1.一种在浸没式光刻加工过程中用于支撑衬底的衬底支撑件,该衬底支撑件包括:
中心部分;以及
被设置在中心部分周围的外围部分;
其特征在于
热分离器(11、13、15),所述热分离器被设置用于减少所述中心部分和所述外围部分之间的热传递。
2.权利要求1所述的衬底支撑件,其中所述外围部分包括提取装置(5、6、7),所述提取装置(5、6、7)被设置用于从衬底支撑件的顶部表面提取浸没流体。
3.权利要求2所述的衬底支撑件,其中热稳定器包括相对于提取装置在中心设置的隔离件,用来将外围部分和中心部分进行热和/或机械隔离。
4.权利要求3所述的衬底支撑件,其中所述隔离件由玻璃状材料、气体、真空、泡沫玻璃和/或聚合体构成。
5.权利要求1至4中任一项所述的衬底支撑件,包括被设置用于经由外围部分输送流体媒介的外围管道,所述外围管道连接到被设置用于控制流体媒介的温度的供给系统。
6.权利要求5所述的衬底支撑件,其中所述供给系统被设置用于将流体媒介的温度控制到不同于衬底支撑件的外围部分的所需温度的温度。
7.权利要求6所述的衬底支撑件,其中所述供给系统被设置用于以相对于衬底支撑件的所需温度的固定差别,控制流体媒介的温度。
8.权利要求6所述的衬底支撑件,其中所述供给系统被设置用于基于衬底支撑件的所需温度和衬底支撑件的所期望的热载荷来控制流体媒介的温度。
9.根据权利要求5所述的衬底支撑件,包括
-边缘温度传感器(25),被设置用于测量在外围管道的输入端处的流体媒介的温度;以及
-输出温度传感器(20),被设置用于测量在外围管道的输出端处的流体媒介的温度;
-边缘加热器,被设置用于加热外围部分;以及
连接到边缘温度传感器和输出温度传感器的控制器,所述控制器被设置用于基于在外围管道的输入端和在外围管道的输出端处所测量到的流体媒介的温度之间的不同,控制由边缘加热器输出的热量。
10.根据权利要求5或9所述的衬底支撑件,其中经由弯曲穿过中心部分的中心管道向所述外围管道供给流体媒介。
11.根据权利要求9或10所述的衬底支撑件,其中所述控制器被设置用于基于在外围管道的输入端处所测量到的流体媒介的温度和在外围管道的输出端处所测量到的温度,控制流体媒介的温度。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的衬底支撑件,包括在中心部分中的用于生成中心热载荷输出的中心热载荷生成器,以及在外围部分中的用于生成外围热载荷输出的外围热载荷生成器,其中所述中心热载荷生成器和外围热载荷生成器通过控制单元来控制,所述控制单元被设置用于独立地控制中心热载荷输出和外围热载荷输出。
13.一种光刻设备,包括权利要求1,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12中的任一项和权利要求2的组合所述的衬底支撑件,包括被配置用于将图案化的辐射束投影至衬底的目标部分上的投影系统,且其中所述设备被设置用于将浸没流体提供到衬底支撑件和投影系统之间。
14.根据权利要求13所述的光刻设备,其中所述提取管道是环形的。
15.一种光刻工艺,包括步骤:
-提供用来支撑衬底的衬底支撑件;
-在光刻工艺的随后步骤中预测衬底支撑件所承受的热载荷;
-将流体供给至衬底支撑件;
-通过衬底支撑件的管道输送流体;
-基于对衬底支撑件的预测的热载荷,估计在将流体提供至衬底支撑件上和沿着管道中的控制位置输送的流体之间的流体的温度变化;
-在随后的步骤中,在将流体供给到衬底支撑件之前,通过赋予流体对于所需温度的偏移量将流体设置成在控制位置具有所需温度,所述偏移量对应于估计到的温度变化。
16.根据权利要求15所述的光刻工艺,其中所述随后的步骤包括由图案化的辐射束照射被衬底支撑件支撑的衬底。
17.根据权利要求15或16所述的光刻工艺,其中所述偏移量在工艺过程中是固定的。
18.根据权利要求15至17中任一项所述的光刻工艺,其中所述估计到的温度变化基于衬底台的温度测量。
19.根据权利要求18所述的光刻工艺,其中当另外的衬底经历加工的随后步骤时,进行衬底台的温度测量。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102445857A (zh) * 2011-10-12 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种光刻机温控硅片载物台
CN110095943A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 上海微电子装备(集团)股份有限公司 工件台装置和浸没光刻设备

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7791709B2 (en) * 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
TWI450047B (zh) * 2007-07-13 2014-08-21 Mapper Lithography Ip Bv 微影系統、夾緊方法及晶圓台
DE102008004762A1 (de) 2008-01-16 2009-07-30 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer Messeinrichtung
JP5369443B2 (ja) 2008-02-05 2013-12-18 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
NL1036835A1 (nl) * 2008-05-08 2009-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method.
JP2009295716A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
NL2004453A (en) * 2009-04-24 2010-10-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus having a substrate support with open cell plastic foam parts.
NL2004980A (en) * 2009-07-13 2011-01-17 Asml Netherlands Bv Heat transfers assembly, lithographic apparatus and manufacturing method.
NL2005874A (en) * 2010-01-22 2011-07-25 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
EP2365390A3 (en) 2010-03-12 2017-10-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
NL2006913A (en) 2010-07-16 2012-01-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
NL2008751A (en) 2011-06-06 2012-12-10 Asml Netherlands Bv Temperature sensing probe, burl plate, lithographic apparatus and method.
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
SG188036A1 (en) 2011-08-18 2013-03-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method
CN104541206B (zh) 2012-05-29 2016-12-21 Asml荷兰有限公司 物体保持器和光刻设备
CN105683839B (zh) 2013-09-27 2017-08-08 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备的支撑台、光刻设备以及器件制造方法
NL2017014A (en) * 2015-06-23 2016-12-29 Asml Netherlands Bv A Support Apparatus, a Lithographic Apparatus and a Device Manufacturing Method

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3291832B2 (ja) * 1992-05-19 2002-06-17 株式会社ニコン 基板保持部材、および、露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3661291B2 (ja) * 1996-08-01 2005-06-15 株式会社ニコン 露光装置
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
EP1429188B1 (en) * 2002-11-12 2013-06-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
JP4366098B2 (ja) * 2003-03-04 2009-11-18 キヤノン株式会社 投影露光装置および方法ならびにデバイス製造方法
EP3401946A1 (en) * 2003-06-13 2018-11-14 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101499405B1 (ko) * 2003-12-15 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
WO2005059977A1 (ja) * 2003-12-16 2005-06-30 Nikon Corporation ステージ装置、露光装置、及び露光方法
EP3093873B1 (en) * 2004-02-04 2017-10-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device
JP5167572B2 (ja) * 2004-02-04 2013-03-21 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US8749762B2 (en) * 2004-05-11 2014-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101378688B1 (ko) * 2004-06-21 2014-03-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7304715B2 (en) * 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) * 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006261541A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Tokyo Electron Ltd 基板載置台、基板処理装置および基板処理方法
JP5040646B2 (ja) * 2005-03-23 2012-10-03 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7649611B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007266504A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Canon Inc 露光装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102445857A (zh) * 2011-10-12 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种光刻机温控硅片载物台
CN102445857B (zh) * 2011-10-12 2013-10-02 上海华力微电子有限公司 一种光刻机温控硅片载物台
CN110095943A (zh) * 2018-01-31 2019-08-06 上海微电子装备(集团)股份有限公司 工件台装置和浸没光刻设备
WO2019149174A1 (zh) * 2018-01-31 2019-08-08 上海微电子装备(集团)股份有限公司 工件台装置和浸没光刻设备

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Publication number Publication date
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CN101226341B (zh) 2013-08-07
KR100977030B1 (ko) 2010-08-19

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