KR20060049272A - 리소그래피 장치, 조명시스템을 포함하는 장치,투영시스템을 포함하는 장치, 리소그래피 장치용 광학요소, 및 디바이스 제조방법 - Google Patents
리소그래피 장치, 조명시스템을 포함하는 장치,투영시스템을 포함하는 장치, 리소그래피 장치용 광학요소, 및 디바이스 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
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- 리소그래피 장치에 있어서,방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명시스템;패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 소정 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;기판을 잡아주도록 구성된 기판 테이블; 및상기 기판의 타겟부상에 패터닝된 방사선 빔을 투영시키도록 구성된 투영시스템을 포함하여 이루어지며,사용시, 열 부하를 겪는 상기 장치내의 1이상의 구성요소에는, 실질적으로 일정한 온도로 상기 구성요소를 유지하도록 배치된 일체로 장착된 가열 요소가 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 구성요소는 전기 가열 요소 및 1이상의 온도 센서를 포함하여 이루어지며, 상기 1이상의 온도 센서에 의해 감지된 온도에 응답하여, 실질적으로 일정한 사전설정된 온도로 상기 구성요소를 유지하도록 상기 가열 요소가 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제2항에 있어서,상기 장치는, 상기 1이상의 온도 센서에 의해 측정된 그 온도에 응답하여, 상기 가열 요소를 제어하는 가열 요소 제어 수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 1이상의 온도 센서는 상기 가열 요소의 열적 중심에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제3항에 있어서,상기 가열 요소 제어 수단은, 전원 장치에 의해 상기 가열 요소에 공급되는 전압을 제어하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 실질적으로 일정한 온도는 상기 리소그래피 장치의 평균 작동 온도인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 가열 요소는 상기 구성요소에 직접적인 가열을 제공하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 구성요소에는 일체로 장착된 복수의 가열 요소들 및 복수의 온도 센서들이 제공되고, 각각의 온도 센서는 상기 복수의 가열 요소들 중 하나의 부근에 배치되어, 각자의 가열 요소들의 부근에 배치된 상기 복수의 온도 센서들에 의해 감지된 그 각자의 온도들에 응답하여, 상기 복수의 가열 요소들이 서로 독립적으로 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 구성요소는 상기 조명시스템 및 상기 투영시스템 중 1이상에 배치된 광학 요소인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제9항에 있어서,상기 광학 요소는 상기 조명시스템 및 상기 투영시스템 중 1이상의 프레임내에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제10항에 있어서,복수의 광학 요소들은 이격된 관계로 상기 프레임내에 배치되며, 복수의 광학 요소들에는 상기 가열 요소들 중 1이상이 제공되고, 각각 각자의 광학 요소에 제공된 가열 요소들의 개수는 상기 광학 요소들의 각각이 겪게 되는 열적 부하에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제11항에 있어서,상기 방사선 빔 및 상기 패터닝된 방사선 빔 중 1이상은 사전설정된 순서로 상기 복수의 광학 요소들상에 입사되고, 상기 방사선 빔 및 상기 패터닝된 방사선 빔 중 1이상이 가장 먼저 입사되는 제 1 광학 요소에는, 적어도 투영빔 및 패터닝된 빔의 전파 방향으로, 상기 제 1 광학 요소의 하류에 배치된 상기 광학 요소들 중 1이상이 제공된 가열 요소들의 개수를 초과한 다수의 가열 요소들이 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제3항에 있어서,상기 가열 요소 제어 수단은 상기 구성요소로부터 떨어져 있는 소정 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제9항에 있어서,상기 투영시스템은 상기 광학 요소가 장착된 프레임을 포함하여 이루어지며, 상기 프레임에는 상기 가열 요소 제어 수단이 상기 가열 요소에 연결될 수 있는 개구부가 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 가열 요소는 저항성 와이어 및 전기 코일 중 1이상인 것을 특징으로 하 는 리소그래피 장치.
- 제1항에 있어서,상기 구성요소는, 사용시, 열적 부하를 겪는 볼륨을 포함하여 이루어지고, 상기 구성요소에는 상기 가열 요소가 배치되는 상기 구성요소내에 배치된 채널이 제공되며, 상기 채널은 상기 볼륨안으로 연장되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제16항에 있어서,상기 방사선 빔 및 패터닝된 방사선 빔 중 1이상은 입사 영역에서 상기 구성요소상에 입사되며, 상기 채널은 상기 입사 영역의 부근의 상기 구성요소내에 형성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제17항에 있어서,상기 채널은 상기 입사 영역의 외주에 실질적으로 대응하는 방향으로 상기 구성요소 안으로 연장되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 패터닝 디바이스로부터 기판상으로 소정 패턴을 투영시키도록 배치된 리소그래피 투영장치에 있어서,사용시, 열 부하를 겪는 상기 장치내의 1이상의 구성요소에는, 실질적으로 일정한 온도로 상기 구성요소를 유지하도록 배치된 일체로 장착된 가열 요소가 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영 장치.
- 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명시스템을 포함하여 이루어지는 장치에 있어서,상기 조명시스템은 광학 요소를 포함하여 이루어지고, 사용시, 열적 부하 하에 있는 경우, 상기 광학 요소에는, 실질적으로 일정한 온도로 상기 광학 요소를 유지하도록 배치된 일체로 장착된 가열 요소가 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 기판의 타겟부상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영시스템을 포함하여 이루어지는 장치에 있어서,상기 투영시스템은 광학 요소를 포함하여 이루어지며, 사용시, 열적 부하 하에 있는 경우, 상기 광학 요소에는, 실질적으로 일정한 온도로 상기 광학 요소를 유지하도록 배치된 일체로 장착된 가열 요소가 제공되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 일체로 장착된 전기 가열 요소 및 일체로 장착된 온도 센서를 포함하여 이루어지는 리소그래피 장치용 광학 요소에 있어서,상기 온도 센서에 의해 감지된 온도에 응답하여, 실질적으로 일정한 사전설정된 온도로 상기 광학 요소를 유지하도록 상기 가열 요소가 배치되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치용 광학 요소.
- 디바이스 제조방법에 있어서,기판상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영시키는 단계, 투영빔의 단면에 소정 패턴을 부여하기 위해 패터닝 수단을 이용하는 단계, 상기 기판의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영시키는 단계를 포함하여 이루어지며,사용시, 열 부하를 겪는 장치내의 1이상의 구성요소에는, 실질적으로 일정한 온도로 상기 구성요소를 유지하도록 배치된 일체로 장착된 가열 요소가 제공되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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IL181500A0 (en) * | 2007-02-22 | 2007-07-04 | Belkin Lev | Scale inhibiting heating device |
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KR20170116248A (ko) * | 2007-10-09 | 2017-10-18 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학 소자의 온도 제어 장치 |
US7960701B2 (en) | 2007-12-20 | 2011-06-14 | Cymer, Inc. | EUV light source components and methods for producing, using and refurbishing same |
NL2003341A (en) * | 2008-08-22 | 2010-03-10 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US7641349B1 (en) | 2008-09-22 | 2010-01-05 | Cymer, Inc. | Systems and methods for collector mirror temperature control using direct contact heat transfer |
US9082521B2 (en) | 2009-02-13 | 2015-07-14 | Asml Netherlands B.V. | EUV multilayer mirror with interlayer and lithographic apparatus using the mirror |
CN101609262B (zh) * | 2009-07-14 | 2011-08-10 | 上海微电子装备有限公司 | 光刻机投影物镜的温度控制装置 |
NL2005449A (en) * | 2009-11-16 | 2012-04-05 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and apparatus. |
CN102375344B (zh) * | 2010-08-18 | 2013-09-11 | 上海微电子装备有限公司 | 控制透镜像质变化的方法 |
JP5739182B2 (ja) | 2011-02-04 | 2015-06-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 制御システム、方法およびプログラム |
JP5731223B2 (ja) | 2011-02-14 | 2015-06-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 異常検知装置、監視制御システム、異常検知方法、プログラムおよび記録媒体 |
JP5689333B2 (ja) | 2011-02-15 | 2015-03-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation | 異常検知システム、異常検知装置、異常検知方法、プログラムおよび記録媒体 |
DE102011077784A1 (de) * | 2011-06-20 | 2012-12-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsanordnung |
US9575415B2 (en) * | 2014-05-22 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer stage temperature control |
DE102014224822A1 (de) * | 2014-12-04 | 2016-06-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für eine lithographieanlage, projektionssystem für eine lithographieanlage und lithographieanlage |
CN111051990B (zh) * | 2017-09-04 | 2024-01-26 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻装置的光学部件的加热系统 |
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DE216231C (ko) * | ||||
JPS6119129A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
JP3132086B2 (ja) * | 1991-09-07 | 2001-02-05 | キヤノン株式会社 | 光学素子の形状制御方法および露光装置 |
CA2077572C (en) * | 1991-09-07 | 1998-08-18 | Masahito Niibe | Method of and apparatus for stabilizing shapes of objects, such as optical elements, as well as exposure apparatus using same and method of manufacturing semiconductr devices |
JPH05291117A (ja) | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | 投影露光方法およびその装置 |
JP3144069B2 (ja) * | 1992-06-12 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JP3309867B2 (ja) | 1993-01-06 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 露光装置及び照明光学装置 |
JP3368091B2 (ja) * | 1994-04-22 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
JPH0845827A (ja) * | 1994-07-28 | 1996-02-16 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
US5774274A (en) * | 1995-05-12 | 1998-06-30 | Schachar; Ronald A. | Variable focus lens by small changes of the equatorial lens diameter |
US5883704A (en) | 1995-08-07 | 1999-03-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system |
JPH09232213A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3360282B2 (ja) * | 1997-06-19 | 2002-12-24 | 住友重機械工業株式会社 | 微細構造体の製造方法 |
DE19752713A1 (de) * | 1997-11-28 | 1999-06-02 | Zeiss Carl Fa | UV-Optisches System mit reduzierter Alterung |
JP2000036449A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2000143278A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-23 | Nikon Corp | 耐久性の向上された投影露光装置及び結像光学系の製造方法 |
US6098408A (en) | 1998-11-11 | 2000-08-08 | Advanced Micro Devices | System for controlling reflection reticle temperature in microlithography |
JP3862438B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置、走査露光方法およびデバイス製造方法 |
US6882477B1 (en) * | 1999-11-10 | 2005-04-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and system for interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
DE19956353C1 (de) * | 1999-11-24 | 2001-08-09 | Zeiss Carl | Optische Anordnung |
US6445439B1 (en) | 1999-12-27 | 2002-09-03 | Svg Lithography Systems, Inc. | EUV reticle thermal management |
JP4634581B2 (ja) * | 2000-07-06 | 2011-02-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング方法、表面処理方法、スパッタリング装置及び表面処理装置 |
US6630984B2 (en) | 2000-08-03 | 2003-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
DE10040998A1 (de) * | 2000-08-22 | 2002-03-14 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage |
DE10050125A1 (de) | 2000-10-11 | 2002-04-25 | Zeiss Carl | Vorrichtung zum Temperaturausgleich für thermisch belastete Körper mit niederer Wärmeleitfähigkeit, insbesondere für Träger reflektierender Schichten oder Substrate in der Optik |
JP2002313890A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被加熱物搭載用ヒータ部材およびそれを用いた基板処理装置 |
JP3422991B2 (ja) | 2001-05-28 | 2003-07-07 | 株式会社東芝 | 荷電粒子描画装置 |
US6994444B2 (en) | 2002-06-14 | 2006-02-07 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for managing actinic intensity transients in a lithography mirror |
EP1376239A3 (en) | 2002-06-25 | 2005-06-29 | Nikon Corporation | Cooling device for an optical element |
US7132206B2 (en) | 2002-09-17 | 2006-11-07 | International Business Machines Corporation | Process and apparatus for minimizing thermal gradients across an advanced lithographic mask |
JP2004111684A (ja) | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US20040252287A1 (en) * | 2003-06-11 | 2004-12-16 | Michael Binnard | Reaction frame assembly that functions as a reaction mass |
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