TWI378978B - Dispersion liquid, composition for forming a transparent conductive film, transparent conductive film and display device - Google Patents

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TWI378978B
TWI378978B TW098108873A TW98108873A TWI378978B TW I378978 B TWI378978 B TW I378978B TW 098108873 A TW098108873 A TW 098108873A TW 98108873 A TW98108873 A TW 98108873A TW I378978 B TWI378978 B TW I378978B
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Kenji Hayashi
Kaoru Suzuki
Daigou Mizoguchi
Masaaki Murakami
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Dainippon Toryo Kk
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Description

1378978 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種分散液、透明導電膜形成用組成 物、透明導電膜及顯示器;更加詳細地說,關於一種可以 在塑膠、金屬、木材、紙、玻璃、石板等之各種基材之表 面形成透明性良好且具有高折射率之透明導電膜的透明導 電膜形成用組成物、由該組成物所得到之透明性良好且具 有高折射率的透明導電膜、具有透明導電膜的顯示器、以 及此種透明導電膜形成用組成物之調製中所使用之保存安 定性良好的分散液。 【先前技術】 在液晶顯示器、陰極射線管顯示裝置等之晝像顯示裝 置及光學製品中係使用防反射膜。在該防反射膜,除了高 透明性和低反射率以外,還要求耐擦傷性以及防止塵埃或 垃圾等之異物附著之功能。因此,在防反射膜之高折射率 層中,除了高透明性和高折射率特性以外,還要求良好之 耐擦傷性以及抗靜電特性。 作為對防反射膜之高折射率層賦予抗靜電特性之手 段可列舉如:界面活性劑、導電性聚合物或導電性金屬氧 化物之添加等之方法,當考量到所謂製作具有永久抗靜電 效果及高折射率之膜之目的時,一般係使用高折射率金屬 氧化物微粒及導電性金屬氧化物微粒之方法。作為調製此 種高折射率金屬氧化物微粒及導電性金屬氧化物微粒之方 法係有在樹脂溶液或溶劑中調入螯合劑,並使無機氧化物 1378978 分散在該調配物中之方法(例如參考專利文獻1及2)。 •[專利文獻日本特開2001 —139847號公報 [專利文獻2]日本特開2〇〇1 — 139889號公報 ' 【發明.内容】 [發明之揭示] [發明所欲解決的課題] 就使用於前述用途之高折射率導電性粒子分散液及 高折射率透明導電膜形成用組成物而言,係要求高折射率 金屬氧化物微粒及導電性金屬氧化物微粒之各個粒禋小且 分散液之保存安定性良好者。前述專利文獻i及2所 之螯合劑係形成金屬和螯合物,因此,會有分散處理過程 中所使用之金屬製機器或塗佈機材受到腐狀問題發生。 本發明係有鏗於前述之問題而完成者,其目的二 下列⑴至⑷者:⑴可以在基材之表面形成透明性良好且 耳有高折射率及抗靜電功能之透明導電膜且不使分 鲁過程中所使用之金屬製機器或塗佈機材受到腐钱的透. 電膜形成用組成物;⑺由該透明導電膜形成用組成物所得 到之透日雜良好且具有高折射率及抗靜電魏的透明 膜,⑶具有該透明導電膜的顯示器;以及⑷此種透明導 電膜形成用組成物之調製中所使用之保存安定性良好 .散液。 刀 [用以解決課題的手段] 本發明人們為了達成前述之各種目的而全心地進行 …檢討,其結果發現藉由將高拆射率金屬氧化物微粒、導電 己'V f 5 . 321127 1378978 性金屬氧化物微粒及不包含醇鹽之金屬錯合物分散在分散 媒中,並使水分成為3質量%以下,再藉由使用此種分散 液,即可得到作為目的之效果,遂而完成本發明。 也就是說,本發明之分散液,其特徵為:由折射率1. 8 以上之高折射率金屬氧化物、導電性金屬氧化物、不包含 醇鹽之金屬錯合物及分散媒所組成,且水分為3質量%以下 者;較佳之分散液係,相對於高折射率金屬氧化物每100 質量份,導電性金屬氧化物之含有量為30至900質量份, 金屬錯合物之含有量為3至450質量份以及分散媒之含有 量為60至9000質量份。 本發明之透明導電膜形成用組成物,其特徵為:由折 射率1. 8以上之高折射率金屬氧化物、導電性金屬氧化 物、不包含醇鹽之金屬錯合物、活化能射線硬化性化合物、 光聚合起始劑及分散媒所組成,且水分為3質量%以下者; 較佳之透明導電膜形成用組成物係,相對於高折射率金屬 氧化物每100質量份,導電性金屬氧化物之含有量為30 至900質量份,金屬錯合物之含有量為3至450質量份, 分散媒之含有量為60至70000質量份以及活化能射線硬化 性化合物之含有量為14至10000質量份,並且,相對於該 活化能射線硬化性化合物每100質量份,光聚合起始劑之 含有量為0. 1至20質量份。 本發明之透明導電膜,其特徵為:將前述之透明導電 膜形成用組成物塗佈或印刷於基材上,藉由光照射使之硬 化而得者;較佳之透明導電膜係,折射率為1.55至1.90, 6 321127 (8) 1378978 光透過率為85%以上,霧值為1.5%以下,並且,表面電阻 • 值為1〇12Ω/□以下者;此外,本發明之顯示器,其特徵 為·在顯不面具有該透明導電膜者。 - [發明之效果] 依據本發明而提供下列(1)至(4) : (1)可以在基材之 表面形成透明性良好且具有高折射率及抗靜電功能之透明 導電膜且不使分散處理過程中所使用之金屬製機器或塗佈 機材受到腐蝕的光硬化性透明導電膜形成用組成物;(2) • 由該透明導電膜形成用組成物所得到之透明性良好且具有 高折射率及抗靜電功能的透明導電膜;(3)具有該透明導電 膜的顯示器;以及(4)此種透明導電膜形成用組成物之調製 中所使用之保存安定性良好的分散液。 【實施方式】 [發明之最佳實施形態] 在以下,具體地說明本發明之實施形態。 φ 本發明之分散液係含有折射率1. 8以上之高折射率金 屬氧化物、導電性金屬氧化物、不包含醇鹽之金屬錯合物 及分散媒,且水分為3質量%以下者。就本發明中所使用之 高折射率金屬氧化物及導電性金屬氧化物之形狀而言,並 '無特別限定。此外,就高折射率金屬氧化物及導電性金屬 氧化物之大小而言,可以使用之一次粒徑通常為1至 lOOnm、最好是5至40nm者。 使用於本發明之高折射率金屬氧化物係為了控制所 形成之透明導電膜之折射率而添加,最好是使用折射率 1378978 1. 8至3. 0之高折射率金屬氧化物。此外,各個金屬氧化 物之折射率係材料固有之值,記載於各種文獻。在使用折 射率未滿1. 8之金屬氧化物時,無法得到高折射率膜,並 且,在使用折射率超過3. 0之金屬氧化物時,膜之透明性 有降低之傾向。就使用於本發明之高折射率金屬氧化物之 種類而言,如果是能夠達成目的者,則並無特別限定,可 以使用市面販賣品等之習知者。例如可以使用氧化錯(η = 2. 4)、氧化鈦(η = 2. 76)和氧化鈽(η=2. 2)等。這些高折射 率金屬氧化物係可以僅使用1種,也可以併用2種以上。 就使用於本發明之導電性金屬氧化物之種類而言,如 果是能夠達成目的者,則並無特別限定,可以使用市面販 賣品等之習知者。例如可以使用ΙΤΟ、ΑΤΟ、氧化錫、氧化 鋅、氧化銦、銻酸鋅及五氧化銻等。就氧化錫而言,也可 以使用摻雜磷等之元素者。就氧化鋅而言,也可以使用摻 雜鎵或鋁者。這些導電性金屬氧化物係可以僅使用1種, 也可以併用2種以上。 在使用包含醇鹽之金屬錯合物時,由於醇鹽經時地與 包含在溶劑之水分或空氣中之水分反應,而降低分散液及 透明導電膜形成用組成物之保存安定性和膜特性,因此, 在本發明中係使用不包含醇鹽之金屬錯合物。作為使用於 本發明之不包含醇鹽之金屬錯合物係可以列舉由鍅、鈦、 絡、猛、鐵、始、鎳、銅、叙、铭、鋅、銦、錫和翻所組 成之群組選出之金屬、較佳者係就分散液之色調少之點而 可列舉如:由結、鈦、銘、鋅、銦和錫所組成之群組選出 8 321127 1378978 之金屬、以及由/5 —酮類所組成之群組選出之配位基(其中 以由三甲基乙醯三氟丙酮、乙醯丙酮、三氟乙醯丙酮和六 氟乙醯丙酮所紕成之群組選出之配位基為佳)所構成的金 '屬錯合物。 在本發明,金屬錯合物係發揮作為分散劑之功能,因 此,可以得到分散液之保存安定性良好之分散液。此外, 金屬錯合物幾乎不腐蝕分散過程中所使用之金屬製機器或 塗佈機材。 ® 此外,以更提升分散液之保存安定性為目的,可再添 加其他之分散劑作為分散助劑。此種分散助劑之種類並無 特別限定,惟作為此種分散助劑之較佳者可列舉具有聚氧 化乙烯烧基構造之碌酸酯系分散劑。 在本發明之分散液及透明導電膜形成用組成物,為了 防止所含金屬氡化物粒子之粒徑經時地變大,因此,所含 之水分量成為3.質量%以下、較佳為1質量%以下、更佳為 鲁 0· 5質量%以下。於是,本發明中所使用之分散媒可以列舉 如.:曱醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、2_ 丁醇、辛醇等之醇 類;丙酮、甲基乙基酮、曱基異丁基酮、環己酮、4—羥基 —4—曱基一.2—戊酮等之酮類;乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳 酸乙酯、r—丁内酯'丙二醇單曱基醚乙酸酯、丙二醇單 乙基醚乙酸酯等之酯類;乙二醇單甲基醚、二乙二醇單丁 基醚等之醚類;苯、曱苯、二甲苯、乙苯等之芳香族烴類; 二曱基.曱醯胺、N.,N_二甲基乙醯乙醯胺、N—曱基吡咯烷 酮等之醯胺類等。該等之中,較佳者係乙醇、異丙醇、正
9 321127 1378978 丁醇、2—丁醇、甲基乙基酮、曱基異丁基酮、環己酮、4 —羥基一4-曱基一2 —戊酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲苯、 二曱苯、乙苯,更加理想是曱基乙基酮、丁醇、二甲苯、 乙苯、曱苯。作為本發明之分散媒可以單獨使用1種,也 可以併用2種以上。 本發明之分散液中,各成分之調配比例可依分散液之 用途而適當地設定,惟相對於高折射率金屬氧化物每100 質量份,導電性金屬氧化物之含有量之較佳者為30至900 質量份、更佳者為40至500質量份,金屬錯合物之含有量 之較佳者為3至450質量份、更佳者為7至200質量份, 分散媒之含有量之較佳者為60至9000質量份、更佳者為 100至5000質量份。當導電性金屬氧化物之量低於前述之 下限值時,所形成膜之折射率雖變高,但卻降低導電性。 相反地,當導電性金屬氧化物之量高於前述之上限值時, 所形成膜之導電性雖變高,但卻降低折射率。此外,當金 屬錯合物之量低於前述之下限值時,高折射率金屬氧化物 粒子及導電性金屬氧化物粒子之分散變差,當高於前述之 上限值時,金屬錯合物會有不溶解於分散媒中而產生沉澱 的情形。此外,當分散媒之量低於前述之下限值時,金屬. 錯合物之溶解、高折射率金屬氧化物粒子及導電性金屬氧 化物粒子之分散變得不充分,當高於前述之上限值時,高 折射率金屬氧化物粒子及導電性金屬氧化物粒子之濃度過 度稀薄而變得不實用。 本發明之分散液係能夠藉由以任意之順序添加高折 10 321127 1378978 射率金屬氧化物、導電性金屬氧化物、金屬錯合物及分散 媒’使之充分地混合而製造。此外,也可以將由高折射率 金屬氧化物、金屬錯合物以及分散媒所組成之分散液,與 ^導電性金屬勒物、金屬錯合物以及分散媒所組成之分 散液進行混合而製造。普通來說,係在溶解有金屬錯合物 =分散液m折射率金屬氧化物和導電性金屬氧化物 ς散而製造。尤其可在進行分散操作之前,進行預分散操 乍。預分散操作係可以在溶解有金屬錯合物之分散媒中, 藉由分散器等而進賴拌,—邊徐緩地加人高折射率金屬 氧化物和導電性金屬氧化物,同時—邊獅高折射率全屬 氧化物和導魏金屬氧化物之塊體,直龍法以目視來確 §忍為止。 高折射率金屬氧化物和導電性金屬氧化物之分散操 ==使用Γ振覆器、球磨機、砂磨機、離心式研磨 機專而進订。最好是在分散操作之際 等之分散珠粒。珠粒徑綱 $ 〇 .. 為 0.05 至 0.65mm、更佳為 0.08 至 〇.65_、特佳為 〇·〇8 至 0..5nme 屬童」月Γ"7散液中’高折射率金屬氧化物和導電性金 =匕物之餘之較佳者係中值粒捏為⑽題電^ 者為80nro以下。中值粒 更佳 率透明導電膜,則會有由高浙射 之傾向^、 成物而得之透料電膜之霧值變高 本發明之分散液長期間穩定地分散有高折射率金屬. π 3-21127 1378978 f匕物粒子和導電性金屬氧化物粒子,並且,心不含有 屬之螯合劑’因此,可於金屬製容器中保存。 .本發明之分散液係可以包含於保護膜形成用組成 物:反射膜形成用組成物、接著劑、密封材、黏合材等 ^用’㈣是ϋ合使⑽形成“射率之防反射膜之組 成物。 本發明之制導電膜形成賴絲係含有高折射率 金屬氧化物、導電性金屬氧化物、不包含醇鹽之金屬錯合 物、活化能射線硬化性化合物、光聚合起始劑及分散媒, 且水分為3質量%以下者,其中,高折射率金屬氧化物'導 電性金屬氧化物、金屬錯合物和分散膜係如上所述。 作為使用於本發明之活化能射線硬化性化合物係可 以列舉如·自由暴聚合性單體、自由基聚合性寡聚物等。 作為自由基聚合性單體之具體例係可以列舉如:甲基(甲基) 丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、異丙基(甲基)丙烯酸酯、 2—乙基己基(曱基)丙烤酸g旨、丁基(甲基)丙烯酸醋、環己 基(甲基)丙烯酸酯、四氫化糠基(曱基)丙烯酸酯、2_羥乙 基(曱基)丙烯酸酯、2 —羥丙基(曱基)丙烯酸酯、聚乙二醇 單(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇單(曱基)丙烯酸酯、 聚丙—醇單(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇聚丙二醇單(甲基) 丙烯酸酯、聚乙二醇聚四亞甲二醇單(曱基)丙烯酸酯、環 氧丙基(曱基)丙烯酸酯等之單官能(曱基)丙烯酸酯;乙二 醇二(曱基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙 二醇二(曱基)丙烯酸酯、四乙二醇二(曱基)丙烯酸酯、聚 1378978 乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、 新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、烯丙基二(甲基)丙烯酸酯、 •雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷變性雙酚A二(甲基) •丙烯酸酯、聚環氧乙烷變性雙酚义.二(甲基)丙烯酸酯、1裏 氧乙烷變性雙酚S二(甲基)丙烯酸酯、雙酚§二(甲基)丙 烯酸酯、1,4—丁烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇 二C甲基)丙烯酸酯尊之二官能.(甲基)丙烯酸酯;三羥甲基 丙烷二(甲基)丙烯酸酯、丙三醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊 四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、乙 烯變性二羥甲基丙烷三(曱基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲 基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等之三官能以 上之(曱基)丙烯酸酯;苯乙烯、乙烯基甲苯、乙酸乙稀、N —乙烯基吡咯烷酮、丙烯腈、烯丙基醇等之自由基聚合性 苗胁 Λ 早體。 作為自由基聚合性寡聚物之具體例係可以列舉如:聚 籲酯(甲基)丙烯酸酯 '聚胺g旨(甲基)丙稀酸醋、環氧(甲基) ,丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、低聚(甲基)丙烯酸酯、 醇酸(甲基)丙婦酸酯、聚醇(甲基)丙稀酸酯、聚石夕氧烧(甲 基)丙烯酸酯等之具有至少丨個之(甲基)丙烯醯基之預聚 體。特別理想之自由基聚合性寡聚物係聚酯、環氧、聚胺 錯之各種(曱基)丙稀酸酷。在本發明,活化能射線硬化性 化合物係也可以單獨使用丨種,也可以併用2種以上。 在本發明之透明導電膜形成用組成物,能夠藉由含有 光聚合起始劑(光增感劑)而以少量之活化能射線之照射, • 32】127 13 1378978 來硬化透明導電膜形成用組成物。 作為使用於本發明之光聚合起始劑(光增感劑)係可 以列舉例如1 一羥基環己基笨基酮、二苯曱酮、.苄基二甲 基酮、苯偶因曱醚、苯偶因乙醚、p—氯二苯甲酮、4 —苯 酿基一4 —甲基二苯基硫化物、2_节基一2 —二甲胺基一1 —(4—嗎啉代苯基)一丁酮一1、2—甲基一1 — [4—(甲硫基) 苯基]—2—嗎啉代丙酮一1。光聚合起始劑係也可以單獨使 用1種,也可以併用2種以上。 在本發明之透明導電膜形成用組成物,各種成分之調 配比例可因應透明導電膜形成用組成物之用途而適度地設 定,相對於高折射率金屬氧化物每100質量份,導電性金 屬氧化物之含有量之較佳為30至900質量份、更佳為40 至500質量份,金屬錯合物之含有量之較佳為3至450質 量份、更佳為7至200質量份,分散媒之含有量之較佳為 60至70000質量份、更佳為100至50000質量份,活化能 射線硬化性化合物之含有量之較佳為14至10000質量份、 更佳為35至2000質量份,並且,相對於活化能射線硬化 性化合物每100質量份,光聚合起始劑之含有量之較佳為 0. 1至20質量份、更佳為1至15質量份。 在導電性金屬氧化物量低於前述之下限值時,形成之 膜之折射率變高,但是,導電性降低。相反地,在導電性 金屬氧化物量高於前述之上限值時,形成之膜之導電性變 高,但是,折射率降低。在金屬錯合物量低於前述之下限 值時,高折射率金屬氧化物粒子及導電性金屬氧化物粒子 14 321127
曰有刀散不良之傾向’在高於前述之上 錯合物不溶解於分散媒中而產生沉凝的;值時’會有金屬 低於前述之下限值時,金屬錯合物之::形。在分散媒量 氧化物粒子及導電性金屬氧化物粒子< 南折射率金屬 分之傾向,在高於前述之上限值時,4散會有變得不充 粒子分散液之濃度過度稀薄而變得不2射率透明導電性 硬化性化合物量低於前述之下限值時=。在活化能射線 率變高而有降低透明性之傾向,在·,導電膜之折射 折射率無法高至所要求能 也^不充/刀。此外,在光聚合起始劑量低於前述之下限 值牯,會有降低光硬化性組成物之硬化速度之傾向,即使 是咼於前述之上限值,也無法得到與該值相稱之效果。
此外,本發明之透明導電膜形成用組成物中,在不損 害其目的之範圍内,亦可調配前述以外之慣用之各種添加 劑。作為此種添加劑係可以列舉如:阻聚劑、硬化觸媒、 抗乳化劑、流平劑、偶合劑等。 本發明之透明導電膜形成用組成物係可塗佈或印刷 於塑膠(聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、 聚婦烴、環氧樹脂、三聚氰.胺樹脂、三乙酿基纖維素樹脂、 聚對苯二甲酸乙二醋、ABS樹脂、AS_樹脂、降获烯系樹脂 等)、金屬、木材、紙、麵、石板等之各種基材之表面, 使之硬化後而形成膜,例如可以使用於塑膠光學零件、觸 控面板、膜魏晶元件、_容器、作為建築时材之地 面材、壁材、人造大理石等之用以防止傷痕(擦傷)或防止 15 321127 1378978 污染之保護塗佈材;膜型液晶元件、觸控面板、塑膠光學 零件等之防反射膜;各種基材之黏著劑、密封材;印刷油 墨之黏合材等;特別是可適用為形成防反射膜之高折射率 膜之組成物。 透明導電膜形成用组成物對基材之塗佈或印刷係可 以按照常法,例如藉由壓輥塗佈、旋轉塗佈、網版印刷等 之方法而進行。由於需要而進行加熱,蒸發分散媒(溶媒): 乾燥塗膜,接著,照射活化能射線(紫外線或電子束)。作 為活化能射線源係可以使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、金 屬鹵化物燈、氙燈、準分子雷射、色素雷射等之紫外線源 以及電子束加速裝置。活化能射線之照射量係在紫外線 時,適合在50至3000mJ/cm2之範圍内,在電子束時,適 合在0. 2至ΙΟΟΟβί://^2之範圍内。藉由該活化能射線之 照射而聚合前述之活化能射線硬化性化合物,形成藉 脂而使高折射率金屬氧化物粒子和導電性金屬氧化物粒子 結合之膜。該膜之膜厚—般宜在G1至1Q (^m之範圍内。 使藉由本發明之分散液所調製之透明導電膜形成用 f成物硬化而得到之本發明之透明導電膜係高折射率金屬 ^物粒子及導電性金屬氧化物粒子呈均勻地分散於 控制折射率,並且’折射率變高,透明性 又&具體地說,折射率為1. 55至1. 90,去 透過率為85%以上,霧值為h⑽以下。為了控制折 Γ匕可以輕高折射率金屬氧化物粒子及導電性金ί氧 立子之里和活化能射線硬化性化合物之量之比率。透 321127 明導電膜係可以使用於顯示it之顯示面等 [實施例] 乂下係藉甴只她例及比較例而具體地說明本發明。此 外,實施例統較例中之「份」係全部為「質量份」。 ^使用於實施例及比較例之成分係如下述。 <高折射率金屬氧化物〉 氧化錯(折射率2.4、一次粒徑〇 〇2/zm) 氧化鈦(折射率2·76、一次粒徑〇 〇2"m) 〈導電性金屬氧化物> W〇(折射率2.0、粉體電阻10Ω · cm、一次粒徑0.06/zm) 氧化錫(折射率2.〇、粉體電阻100Ω ·αη、一次粒徑0.06 氧化鋅(折射率L 95、粉體電阻100 Ω · cm、一次粒徑0.06 β m) 〈金屬錯合物〉 φ 乙醯丙酮鍅([Zr(C5H7〇2)4])
乙醯丙酮鈦([Ti(C5H7〇2)4D 乙醯丙酮鋁([ai(c5h7〇2)3]) 乙醯丙酮鋅([Zn(C5H7〇2)2]) -乙醯丙酮銦([In(C5H7〇2)3]) 雙(乙醯丙酮)二 丁基錫([(C4H9)2Sn(C5H7〇2)2]) 單(乙醯丙酮)三丁氧基鍅([(C4H9〇)3Zr(C5H7〇2)]) 〈分散助劑〉 BYK-Chemie 日本(股)公司製、BYK_142(NV. 60%以上) 17 321127 1378978 〈活化能射線硬化性化合物(多官能(甲基)丙烯酸酯單體)> 日本化藥(股)公司製、KAYARAD DPHA(二季戊四醇六丙烯酸 酯和二季戊四醇五丙烯酸酯之質量比:60比40之混合物) 〈光聚合起始劑〉 汽巴精化(股)公司製、IRGACURE 184 〈螯合劑〉
Daicel化學工業(股)公司製、乙醯丙酮 實施例1 以相對於氧化锆100質量份而成為100質量份之氧化 錫、40質量份之乙醯丙酮鍅、500質量份之2 — 丁醇及800 質量份之玻璃珠粒之量,放入所有成分至容器中,藉由塗 料振盪器而混練7小時。混練後,除去玻璃珠粒而得到分 散液。在該分散液中加入86質量份之DPHA、4. 3質量份之 IRGACURE 184及130質量份之2—丁醇而得到光硬化性組 成物。使用輥塗器塗佈該光硬化性組成物於膜厚75 // m之 PET膜(東洋紡公司A4300、光透過率91%、霧值0.5%)上, 使有機溶媒蒸發後,在空氣下,使用高壓水銀燈,照射 300mJ/cm2之光,製作厚度3/zm之透明導電膜。膜之製作 係於光硬化性組成物之後立刻進行以及6個月後進行。 實施例2 以相對於氧化鈦100質量份而成為43質量份之ΑΤΟ、 6質量份之乙醯丙酮鈦、14.3質量份之ΒΥΚ〜ι 42、500質量 份之2—丁醇及800質量份之玻璃珠粒之量,放入所有成 分至容中,藉由塗料振盈益而混練7小時。混練後,除 321127 丄獨y/8 去破璃珠粒而得到分散液。在該分散液中加入I"質量份 之DPHA、7.2質量份之IRGACURE184及16〇質量份之2-丁醇而传到光.硬化性組成物。然後’藉由相同於實施例1 之方法而製作厚度3#m之透明導電膜。 實施例3 以相對於氡化# 100質量份而成為233質量份之氧化 锡、33質量份之乙醯丙酮鋁、880質量份之2 —丁醇及800 魯 質量份之玻璃珠粒之量,放入所有成分至容器中,藉由塗 料振蓋器而混練7小時。在混練後’除去破璃珠粒而得到 分散液。在該分散液中加入143質量份之DPHA、7. 2質量 份之IRGACURE184及160質量份之2-丁醇而得到光硬化 性組成物。然後,藉由相同於實施例1之方法而製作厚度 之透明導電膜。 貫施例4 以相對於氡化鈦100質量份而成為丨卯質量份之氧化 • 鋅、.20質量份之乙醯丙酮鋅、5〇〇質量份之2—丁醇及800 質量份之玻璃珠粒之量’放入所有成分至容器中’藉由塗 料振盪器而混練7小時。在混練後,除去玻璃珠粒而得到 分散液。在該分散液中加入86質量份之DPHA、4. 3質量份 之IRGACURE 184及130質量份之2一 丁醇而得到光硬化性 組成物。然後,藉由相同於實施例1之方法而製作厚度3 “ m之透明導電膜。 實施例5 除了添加20質量份之雙(乙醯丙酮)二丁基錫來取代 εί 19 321127 1378978 20質量份之乙醯丙酮鋅以外,其餘係藉由相同於實施例4 之處理而製作厚度3/zm之透明導電膜。 實施例6 除了添加20質量份之乙醯丙酮銦來取代20質量份之 乙醯丙酮鋅以外,其餘係藉由相同於實施例4之處理而製 作厚度3/zm之透明導電膜。 比較例1 以相對於氧化鍅100質量份而成為100質量份之氧化 錫、20質量份之BYK-142 ' 600質量份之2-丁醇及800 質量份之玻璃珠粒之量,放入所有成分至容器中,藉由塗 料振盪器而混練7小時。在混練中,使分散液增加黏度。 比較例2 除了添加6質量份之乙醯丙酮來取代6質量份之乙醯 丙酮鈦以外,其餘係藉由相同於實施例2之處理而製作厚 度3/z m之透明導電膜。 比較例3 以成為100質量份之氧化錫、10質量份之乙醯丙酮 欽、600質量份之2—丁.醇及800質量份之玻璃珠粒之量, 放入所有成分至容器中,藉由塗料振盪器而混練7小時。 在混練後,除去玻璃珠粒而得到分散液。在該分散液中加 入150質量份之DPHA、5質量份之IRGACURE 184及100 質量份之2—丁醇而得到光硬化性組成物。然後,藉由相 同於實施例1之方法而製作厚度3# m之透明.導電膜。 比較例4 20 321127 ^-/8978 以成為100質量份之氧化錫、10質量份之乙酿丙嗣 錯、270質量份之2—丁醇及働質量份之破璃珠粒之量 放入所有成分至容器中,藉由塗料振盪器而混練7小時。 在混練後’除去麵珠粒而得到分散液。在該分散液中加 入43質量份之dpha、2. 2質量份之IRGACURE 184及60 貝菫份之2—丁醇而得到光硬化性組成物。然後,藉由相 同於實施例1之方法而製作厚度3_之透明導電膜。 比較例5 、除了添加40質量份之單(乙醯丙酮)三丁氧基錯來取 代40質量份之乙醯丙酮锆以外,其餘係藉由相同於實施例 1之處理而製作厚度3/zm之透明導電膜^ 比較例6 、除了添加40質量份之單(乙醯丙酮)三丁氧基鍅來取 代40貝虽伤之乙醯丙酮锆,添加9〇質量份之水和質 =伤之2_ 丁醇來取代500 f量份之2-丁醇以外,其餘係 错由相同於實施例1之處理而製作厚度3# m之透明導電 m 〇 〈評價方法〉 (1)金屬乳化物极子之中值粒徑 。在製作後、3個月後(保管於4〇。〇)、6個月後(保管於 40 C:)’藉由以下之條件,來測定分散於各個實施例及各個 比較例所製作之分散液和光硬化組成物之金屬氧化物粒子 之中值粒徑。 機态.日機裝(股)公司製之M i c r 〇 t r a c粒度分布計
21 321127 1378978 測定條件:溫度20°C 試料.以原液之狀,¾、來測定樣本 數據解析條件:粒徑基準、體積基準 分散媒:2—丁醇 折射率:1.40 (2) 透明導電膜之透過率、霧值 對各個實施例及各個比較例中所得到之透明導電 膜,藉由東京電色技術中心製之TC—HIIIDPK而測定透過 率及霧值。測定值係包含基材之值。 (3) 表面電阻值 對各個實施例及各個比較例中所得到之透明導電 膜,藉由三菱化學股份有限公司製之Hiresta IPMCP — HT260進行測定。 (4) 折射率 對各個實施例及各個比較例中所得到之透明導電 膜,藉由Atago(股)公司製之Abbe折射計DR —M4(20°C) 進行測定。 (5) 金屬製容器之腐钱 將實施例及比較例中所製作之分散液放入不鏽鋼容 器(SUS304 ; Fe-Cr —Ni系不鏽鋼製)中,藉由目視而評價 在静置1個月後之不鏽鋼容器之腐蝕狀態。 將前述之各個測定結果、評價結果以及各個組成物之 組成,一起顯示於表1。 22 321127 1378978 表1
實矻例 比較例 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 缺射牟金細 Zr(h TiO* ΖγΌ* TiOi Ti〇! TiOi ΖγΟϊ TiO* - ZrOi Zr〇2 Zr(h 導電性金展氧化物 SnOt ΑΤΟ SnOr ZnO ZnO ZnO SnOi ΑΤΟ Sn〇j — SnO* SnO* 金届錯合物之種0 乙趄丙 酮鍅 6趋丙明钛 乙籙丙暖 鋁 乙趄两 阕鋅 雙(乙雄 丙酮)二 丁基鍚 乙酲丙闲 m - - 乙醞丙明 鈦 乙趄丙 酮锫 單(乙醯 丙酮)三 丁氧基镑 單(乙趄 S明)三 丁氧基锫 分教助销之有蕪 無 有 無 Μ 無 無 有 無 無 無 無 無 相對於高折射率金展 如谈100質量份之導 電性金屬氧錄*(質 IX) 100 43 233 100 100 100 100 43 僅有導電 性金屬氡 化物 — 100 100 相辦缺射牟金>5氧 100質量份^金属 s^kitda%) 40 6 33 20 20 20 - — 相對於導 電性金屬 氧化物 100質量 份而成為 10 10 40 40 相對於高折射荜金展氧 她100質*份之乙埋 丙酮*(質*6) — - — - 6 相對於高折射率金廣氧 100質量份之樹磨 量(質热) 86 143 143 86 86 86 - 143 相對於導 電性金眉 氧化物 100質量 份為150 43 85 86 分敌液之水分*(%) 0.2 0.3 0.2 0.2 0.4 0.2 0.4 0.2 0.4 0.3 0.5 12 缺化组成物^分 量(¾) 0.1 0.2 0.1 0.08 0.2 0,2 0.3 0.09 0.3 0.2 0.4 9,3 分散液之中值粗徑 (ran) 相期 73 50 77 55 60 58 - 60 42 44 60 70 3個月後 65 57 70 45 55 52 - 70 53 35 95 320 6個月後 80 60 72 53 64 65 — 72 50 40 200 500 初期 78 55 70 53 54 50 - 58 45 43 75 80 先硬化组成物之中值 粗徑(咖) 3個月後 66 65 72 48 58 59 - 65 50 31 102 290 5個月後 76 62 74 60 61 65 - 70 50 38 195 500 透過率(《) 初期 86 85 87 86 86 86 — 8δ 83 88 86 86 霧值(X) 初期 0.8 1.0 0.7 1.0 0.9 1.0 - 1.0 1,2 0.6 0.8 0.8 表面電阻值(Ω/〇 初期 5x10, 5x10" 1x10,· 1x10' 1x1 〇· 1x10" 7x10" 1x10” >1x10" 3x10" 5x10* 透過準(X) f i個月後 86 85 87 86 86 86 - 85 83 .89 85 85 疾值00 ;個月後 0.7 1.1 0.5 0.8 1.0 0.6 — 1. 1 1.0 0.5 1.8 •5.0 23 321127 1378978 表面電阻值(Ω/〇 6個月悛 7x10* 3x10" 4x101β 2xi 09 3x10* 5x10* - 5x10" 9x1010 >1x10" 3x10'° 5x10" 折射牟 1.68 1.68 1.69 1.74 L74 1.74 — 1.68 1.54 1.71 1.68 Κ68 金容器蝕 無 無 無 無 無 無 一 有 無 無 無 無 由表1所示之數據而明白地顯示:在含有金屬錯合物 時(實施例1至6),不論是否有無分散助劑,可得到具有 良好之保存安定性之分散液,即使是保管於金屬製容器 時,在金屬製容器亦無見到腐蝕發生。此外,使用實施例 1至6所得到之分散液之光硬化性組成物進行塗佈而得到 之透明導電膜係具有折射率1. 55至1. 90、透過率85%以 上、霧值1. 5%以下、表面電阻值1012Ω/□以下之所謂高 折射率及高透明性且導電性良好者。在無添加金屬錯合物 時(比較例1),因不容易分散而無法得到均勻之分散液。 此外,將添加乙醯丙嗣並使之分散的分散液(比較例2)保 存於金屬製容器時,認定容器顯著地腐蝕。在無添加高折 射率金屬氧化物時(比較例3),無法得到完全地滿足高折 射率、高透明性及導電性之膜。在無添加導電性金屬氧化 物時(比較例4),無法認定膜之導電性。在包含醇鹽來作. 為金屬錯合物時(比較例5及6),粒徑係經時地變大,膜 特性也大幅度地變化。此外,在包含許多水時(比較例6), 認定粒徑顯著地增大。 【圖式簡單說明】無 【主要元件符號說明】無 24. 321127

Claims (1)

  1. 七、申請專利範圍: L —種分散液,其特徵為:由折射率L8以上之高折射率 金屬氧化物、導電性金屬氧化物、不包含醇鹽之金屬錯 合物及分散媒所組成,且水分為3質量%以下者。 2. 如申請專利範®gl項之分散液,其中,相對於高折射 率金屬氧化物每100質量份,該導電性金屬氧化物之含 有®為30至900質量份,金屬錯合物之含有量為3至 450質量份以及分散媒之含有量為6〇至9〇〇〇質量份。 3. 如申請專利範㈣!或2項之分散液,其中,該高折射 率金屬氧化物係由氧化鍅、氧化鈦和氧化鈽所組成 組選出之至少一種。 4.如申請專利範圍第lst2項之分散液,其中’該導電七 金屬氧化物係由IT0、AT0、氧化錫、氧化辞、氧化姻 銻酸鋅和五氧化銻所組成之群組選出之至少一種 5·㈣請專利範_3項之分散液,其中,料.電性金邊 氣化物係由ΠΟ、ΑΤΟ、氧化錫、氧化辞、氧化姻 酸鋅和五氧化銻所組成之群組選出之至少一種 6. =請專利範圍第!或2項之分散液,其中,該 :物係由錯、鈦、鉻、廷、鐵、録、鎳、銅、飢、, 鋅、銦、錫和輯組成之群組選出之金屬,以及 綱類所組成之群組選出之配位基所構成。 7. 如申請專利範圍第5項之分 占 係由錯、欽、鉻、經、鐵、二其中,該金屬錯合 銘鎳、鋼、in、叙、翁 銦、錫和鉑所組成之群組選出 、 .鱼屬,以及由;5 —酮 321127 25 1378978 所組成之群組選出之配位基所構成。 8. 如申請專利範圍第6項之分散液,其中,該金屬錯合物 . 係由錯、欽、铭、辨、姻和錫所組成之群組選出之金屬 ; 以及由三曱基乙酸三it丙S同、乙酿丙酮、三氟乙酿丙i同 - 和六氟乙醯丙酮所組成之群組選出之配位基所構成。 9. 如申請專利範圍第7項之分散液,其中,該金屬錯合物 係由銼、鈦、鋁、鋅、銦和錫所組成之群組選出之金屬, 以及由三曱基乙酿三氟丙S同、乙酸丙i同、三氣乙酿丙酮 和六氟乙醯丙酮所組成之群組選出之配位基所構成。 籲 10. —種透明導電膜形成用組成物,其特徵為:由折射率 1. 8以上之高折射率金屬氧化物、導電性金屬氧化物、 不包含醇鹽之金屬錯合物、活化能射線硬化性化合物、 光聚合起始劑及分散媒所組成,且水分為3質量%以下 者。 11. 如申請專利範圍第10項之透明導電膜形成用組成物, 其中,相對於高折射率金屬氧化物每100質量份,該導 0 電性金屬氧化物之含有量為30至900質量份,金屬錯 合物之含有量為3至450質量份,分散媒之含有量為 60至70000質量份以及活化能射線硬化性化合物之含 有量為14至10000質量份,並且,相對於該活化能射 線硬化性化合物每1G0質量份,該光聚合起始劑之含有 量為0. 1至20質量份。 12. 如申請專利範圍第10或11項之透明導電膜形成用組成 物,其中,該高折射率金屬氧化物係由氧化錯、氧化鈦 26 321127 (3) Xt ’八中’該導電性金屬氧化物係由ITO、ΑΤΟ、氧化 錄、氧化鋅、氧化銦、銻酸鋅和五氧化銻所組成之群組 選出之至少一種以上。 1 A .如申請專利範圍第12項之透明導電膜形成用組成物, 其中’該導電性金屬氧化物係由IT0、AT〇、氧化錫、
    13和氧化鈽所組成之群組選出之至少一種。 如申印專利範圍第丨0或丨丨項之透明導電膜形成用組成 氧化鋅、氧化銦、銻酸辞和五氧化銻所組成之群組選出 之至少一種以上。 15·如申睛專·圍第10或11項之透明導電卿成用組成 物其中’該金屬錯合物係由鍅、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、 鎳銅、銥、鋁、鋅、銦、錫和鉑所組成<群組選出之 金屬,以及由万一酮類所組成之群組選出之配位基所構 成0 ^如申請專利範圍第14項之透明導電膜形成用組成物, 其中,該金屬錯合物係由鍅、鈦、鉻、猛、鐵、鈷、鎳、 銅、釩、鋁、鋅、銦、錫和鉑所組成之群組選出之金屬, 以及由点一酮類所組成之群組選出之配位基所構成。 17·如申請專利範圍第15項之透明導電膜形成用組成物, 其中,該金屬錯合物係由錯、鈦、鋁、鋅、銦和.錫所組 成之群組選出之金屬,以及由三曱基乙醯三氟丙酮、乙 醯丙酮、三氟乙醯丙酮和六氟乙醯丙酮所組成之群組選 出之配位基所構成。 18.如申请專利範圍第丨6項之透明導電膜形成用組成物, 321127 27 1378978 ’、中該金屬錯合物係由錯、鈦、鋁、鋅、銦和錫所组 成之群組選出之金屬,以及由三甲基乙酿三氟丙嗣、乙 ,丙酮一說乙酿丙酮和六氟乙醒丙酮所組成之群組選 出之配位基所構成。 種透月V電膜,其特徵為:將申請專利範圍第1 〇或 11項之透明導電膜形成用組成物塗佈或印刷於基材上 並使之硬化而得到。 ,其中,折射率 ’霧值係1. 5%以 2〇.如申請專利範圍第19項之透明導電膜 係1. 55至1. 90,光透過率係85%以上 下’並且,表面電阻值係1012Ω/□以下。 21 ·種顯不斋,其特徵為:在顯示面,具有如申請專利範 圍第19項之透明導電膜。 22. —種顯示器,其特徵為:在顯示面,具有如申請專利範 圍第20項之透明導電膜。 321127 28
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