TWI378425B - Display device with chiplets and hybrid drive - Google Patents

Description

1378425 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有一單一連續基板之顯示裝置，該基板 具有若干分佈式獨立控制元件，該等分佈式獨立控制元件 提供一混合驅動機構至形成於該基板上的一顯示像素群組 陣列。 【先前技術】 平板顯示裝置結合計算裝置廣泛用於可攜式裝置中並 用於諸如電視之娛樂裝置。此等顯示器通常使用分佈於一 基板上之複數個像素以顯示影像。每個像素併入一般被稱 為子像素之若干不同色彩發光元件以呈現各個影像元件， 該等發光元件通常發射紅光、綠光及藍光。如本文中所使 用，像素可指一單一發光元件或不同色彩發光元件之群 組。已知多種平板顯示技術，舉例而言電漿顯示器、液晶 顯示器及發光二極體顯示器。 併入形成發光元件之發光材料薄膜的發光二極體（LED) 在平板顯示裝置中具有許多優勢且有益於光學系統。2〇〇2 年5月7日發證予Tang等人之美國專利第6,384,529號顯示一 種有機LED(OLED)彩色顯示器，其包含一有機LED發光元 件陣列。另一選擇為，可使用無機材料或可包含磷光晶體 或多晶半導體矩陣令的量子點。其他有機或無機材料薄膜 亦可用以控制電荷注入、傳輸或阻礙電荷至發光薄膜材 料，且在此項技術中為已知。該等材料係放置於電極之間 之一基板上，該基板具有一囊封罩蓋層或板。當電流穿過 J42458.doc 1378425 該發光材料時，自一像素發射光。該發射光之頻率係取決 於所使用之材料的本質。在此一顯示器中，光可經由該基 板（一底部發射器）或經由該囊封罩蓋（一頂部發射器）或兩 者發射。 led裝置可包括一圖案化發光層，其中在該圖案中使用 不同材料以在電流穿過該等材料時發射不同色彩之光。另 一選擇為，可使用一單一發射層（舉例而言一白光發射器） 連同濾色器一起用於形成一全彩顯示器，如cok之題為 「Stacked OLED Display Having Improved Efficiency J 之 美國專利第6,987,355號所教示。亦已知使用不包含濾色器 之一白光子像素，舉例而言，如c〇k等人之題為「C〇i〇r OLED Display With Improved Power Efficiency」之美國 專利第6,919,681號所教示。已提出一種利用一未經圖案化 白光發射器之設計，其連同包括紅光、綠光及藍光濾色器 及子像素與一未濾色之白光子像素之一四色彩像素以改 善裝置功效（例如，參見2007年6月12日發證予Mmer等人 之美國專利第7,230,594號）。 大體上已知兩種用於在一平板顯示裝置中控制像素的不 同方法：主動矩陣控制及被動矩陣控制。在一被動矩陣裝 置中，該基板不包含任何主動電子元件（例如電晶體）。在 一分離層中之一列電極陣列及一正交行電極陣列係形成於 該基板上；該等列電極與行電極之間的交叉形成一發光二 極體之該等電極。接著，外部驅動器晶片循序供應電流至 每一列（或行）而該正交行（或列）供應一合適電壓以照明該 [S ] 142458.doc Ϊ378425 列(或行)中的每-發光二極體。因此，一被動矩陣設計使 用2η個連接，以產生n2個可分離控制的發光元件。然而， 由於該列（或行）循序驅動的本質產生閃爍，一被動矩陣驅 動裝置受限於可包含在該裝置内的列（或行）數目。若包含 過多列，閃爍可能變得明顯。此外，f要以—所需圖框速 率來驅動-顯示器中之一整個列（或行）的電流可能成為問 題，並限制一被動矩陣顯示器的實體尺寸。 在一主動矩陣裝置中，主動控制元件係由半導體材料 (舉例而言非晶⑦或多晶硬）薄膜製成’並分散於該平板基 板上。通常，每一子像素係由一控制元件控制且每—控制 元件包含至少一電晶體。舉例而t ’在此項技術中已知的 一簡單主動矩陣有機發光（0LED)顯示器中，每一控制元 件包含二電晶體（一選擇電晶體及一功率電晶體）及用於儲 存指定該子像素亮度之一電荷之一電容器。每一發光元件 通常使用-獨立控制電極及—共同電極。控制該等發光元 件通常係經由一資料信號線、一選擇信號線、一共同電源 連接及-共同接地連接而提供4動矩陣元件無須受限於 顯示器且可分佈遍及於一基板上並用於需要空間分佈控制 之其他應用。相同數目外部控制線（除了電源及接地之外） 可如用於一被動矩陣裝置而用於一主動矩陣裝置。然而， 在主動矩陣裝置中，每一發光元件具有自一控制電路之 一分離驅動連接且即使當未選擇用於資料沈積時係主動以 致消除閃爍。 種形成主動矩陣控制元件之普通先前技術方法通常沈 142458.doc -6 · 1378425 . 積半導體材枓（諸如矽）薄膜至一玻璃基板上且接著經由微 影蝕刻製程使半導體材料形成電晶體及電容器。薄膜矽可 為非晶形或多晶形。由非晶矽或多晶矽製成的薄膜電晶體 (TFT)係相對大並相較於以結晶矽晶圓製造的習知電晶體 -· 具有較低性能。此外，此等薄膜裝置通常顯現橫跨該玻璃 - 基板之局部或大面積不均勻性，此引起使用此等材料的顯 示器之電性能及視覺外觀之不均勻性。 使用一替代控制技術，Matsumura等人在美國專利公開 • 案第2006/0〇55864號中描述用於驅動LCD顯示器之結晶矽 基板。該申請案描述一種用於轉移及貼附由第一半導體基 板製成的像素控制裝置至一第二平面顯示器基板之方法。 顯示在該像素控制裝置内之佈線互連及自匯流排及控制電 極至該像素控制裝置之連接。 無論使用主動矩陣或被動矩陣控制，難以形成大規格顯 示器。若使用一主動矩陣設計，則在一整個大基板上形成 ^ 半導體材料均勻膜為困難且昂貴。若使用一被動矩陣設 汁’則有關於由於在大面積上的阻抗在信號線尺寸方面之 限制以及關於由於閃爍在列或行數目方面之限制。一種設 、 計大規格顯示器之方式係使用各遠小於該大規格顯示器之 ^ 發光元件。各發光元件可具有個別控制元件，無論被動或 主動。舉例而言，國際專利公開案第W〇 99/41732號描述 一被動控制之發光元件陣列。然而，該等發光元件間之邊 緣形成降低影像品質並使觀看者不滿意之可見縫。 【發明内容】 142458.doc I378425 在本發明之一實施例令，由具有一混合驅動之一顯示裝 置滿足該需求，其包括：a) 一基板；b) 一二維像素陣列， 其形成於該基板上，該等像素相關聯成為複數個像素群 組，每一像素群組包含至少四個像素且包含連接至在相對 應群組中之該等像素且僅驅動該等像素之一分離組的群組 列电極及群組行電極，該等群組列電極之每一者連接至兩 個或兩個以上像素且該等群組行電極之每一者連接至兩個 或兩個以上像素，使得一單一群組列電極連同一單一群組 行電極驅冑I -像素，及c)兩個或兩個以上小晶片，其 等位於該基板上並在該像素陣列内，每一小晶片與一像素 群組相關聯且具有至該等相關群組列電極及相關群組行電 極之每-纟之連接並具有至少如在該像素群組之維度令— 般多之儲存元件的儲存元件，該儲存元件儲存表示一像素 之所為亮度之-值且該小晶片使用該值以控制在該小晶 片相關像素群組中之每一像素之所需亮度。 本發明藉由提供具有小晶片驅動器(該小晶片驅動器且 有用於驅動相關聯成為分離群組的像素之列及行電極連 接）之-顯示裝置，而具有連接塾數目、該等小晶片之數 目及尺寸及該等小晶片之成本均可減少之優勢。 【實施方式】 在一實施例中，本發明台括且古 栝具有—混合驅動之一成像裝 置。δ玄成像裝置舉例而言可传一 ^ /Α _ 04- 係 衫像顯示裝置（例如一發 射裝置）或一影像擷取裝置（例如一 _ 孰光裝置）。如本文所揭 示’一混合驅動係一種用於批各丨 於控制組合被動矩陣及主動矩陣 142458.doc 1378425 控制兩者屬性之_ ^ Vi iri ri 之發光70件陣列壳度之構件。參考圖！， 該成像裝置5包括一單一連續基板1〇。一二維像素陣列係 形成於該基板10上，該等像素3〇相關聯成為複數個像素群 組32，每一像素群組32包含至少四個像素3〇且包含連接至 在相對應像素群組32中之該等像素3〇且僅驅動該等像㈣ 之一分離㈣群組列電極4〇及群組行電極42，該等群組列 電極40之母-者連接至兩個或兩個以上像素跑該等群组 行電極42之每-者連接至兩個或兩個以上像素使得一 單一群組列電極40連同一單一群組行電㈣驅動一單一像 素30力個或兩個以上小晶片2〇係位於在該像素陣列内之 該基板H)上’每一小晶片2〇與一像素群組32相關聯。小晶 片20通常係裸半導體晶粒，例如結晶石夕，且不具有含接針 連接之額外封裝，例如塑膠或陶瓷。

如圖1所示，顯示九個小晶片2〇在該像素陣列内之該基 板10上之一 3乘以3陣列中。然而，該等小晶片20可經配置 在一 一維陣列中且該等像素群組3 2同樣可經配置在一一維 陣列中。片語「在該像素陣列32内」在本文中定義為意謂 著該等小晶片20並非經定位圍繞該像素陣列32之周邊，而 是在該像素陣列之該基板區域内發現。該等小晶片汕可在 具有在該像素陣列中之該等像素3 〇之一共同層内或可在該 基板10與一像素層之間之一不同層内，或一像素層可在該 基板10與該等小晶片20之間。該成像裝置係形成於—單一 連續基板10上且不包括分離且獨立構造的發光元件。 該二維像素30陣列可包含在一成像裝置5中之所有該等 [S3 142458.doc 1378425

像素30，或可包含在該裝置中之該等像素之一子集，舉例 而言一 X乘以y像素30陣列。接著在該像素陣列内之每一像 素群組32可具有m乘以η像素30，其中m<x且n<y。通常， m=x/a且n=y/b，其中axb係小晶月2〇之數目。丑或匕可為 一，但不能同時為一。有益的是若a整除X且b整除y使得每 一小晶片具有相同數目之mxn像素。亦有益的是若每一小 晶片在每一列及行中具有與所有其他小晶片相同數目之像 素（即對於母小晶片m與η具有相同值）。像素群組可具有 一的倍數之維度，舉例而言64、128、256、512或， 只要該等像素独料小於（且較佳為整除）該像素陣列之 該相對應維度。在一例示性設計中，已發現有益的是使用 具有一小晶片控制器之一 16列乘以丨6行陣列。

參考圖2 ’每—小晶片2G具有至該等相關群組列電極40 及相關群組行電極42之每一者之連接，且具有用於至少多 如在該像素群組32之任-維度巾之像素的像素之—儲存元 件7〇,該儲存元件·存表示—像素之-所需亮度之一值 且該小晶片20使用此值控制每—像㈣在其相關像素群組 32中之所需亮度。連接墊80可用於各自連接小晶片2〇電路 至該等群組列及行電極4〇、42 一小晶片互連匯流排仍 用於傳達信號至該等小晶片跑—小晶片控制器72可經由 群組列及群組行電極4Q'42控制該互連匯流排52、儲存六 件7〇及該等相對應發光元件。該互連匯流排52可串聯或主 聯通信且係經由-連接㈣連接至—小晶片Μ。該互連匯 流排52自一小晶片20菊鏈至另一小晶片2〇，或可分離地共 142458.doc 1378425 同連接至所有小晶片2〇 β 如圖2所示’該小晶片2〇具有用於在該像素群组η中之 母一像素3〇之一儲存元件70。然而，根據本發明之-實施 J ι像素群组32具有二維且儲存元件川之數目必須至少 如該像素群组32之該二維之較小者—樣大。在圖i之該實 =，該像素群組32具有二列及二行使得該小晶片〗。必 放、署、至少一儲存疋件7〇。資訊（舉例而言影像資訊）係經 „ 應於待啟動的該列（或行）之該像素30之該等儲存 内。至少一列(或行)資訊可經放置並在一通信步驟 』不$ 一選擇為，具有資訊之一整個像素群組32可經 放置。在本發明之一例示性實施例中，該小晶片20具有用 於在-通信步驟中待顯示的每一像素3〇之至少二儲存元件 7 0，使得資訊可經放署 於該二儲存元=第::儲存元件70之，而儲存 第一者中的貧訊係在該像素群组32之 一列或行上顯示。 =圖3, 一像素群组32可形成—發光元件或像㈣陣 列’舉例而言—矩料列。每―像素㈣藉由 組列電極4〇及群組行電極-而形成。參考圖4,在二 群組32之—列之—部分截面圖巾，群組行電極42係在—基 板1〇上形成°該等群M行電極42係由-或多層材料塗布， 2料之至少-者係發光且可包括有機材料、無機材料戍 有機材料及無機材料之組合4著料材料層％係由 =列電極40塗布以形成由一虛線描繪的一列發光像素元件 C S 1 142458.doc 1378425 如圖1所示，每一小晶片20可由一個或多個序列匯流排· 或一個或多個平行匯流排52或兩者連接用於提供控制信號 至與該小晶片20相關聯的該等像素3 〇。該等匯流排52可點 至點並聯連接或經菊鏈。至少一匯流排52可連接至在該小 晶片陣列22之一行中之所有該等小晶片2〇或至少一匯流排 52可連接至在該小晶片陣列22之一列中之所有該等小晶片 20 〇 »亥#匯〃’L排5 2可供應各種信號，包含時序（例如時脈）信 號、資料信號、選擇信號、電源連接或接地連接。該等信 馨 號可係類比或數位，舉例而言數位位址及資料值。類比資 料值可作為電荷供應。該等儲存元件7〇可係數位（舉例而 5包括正反器）或類比（舉例而言包括用於儲存電荷之電容 器）。匯流排52可由各種方法形成，舉例而言微影钱刻、 雷射無遮罩技術或諸如喷墨之相加式技術。 在本發明之各種實施例中，分佈於該基板1〇上的該等小 晶片20可係相同。然而，一唯一識別值（即—可與每一 晶片20相關聯。可在該小晶片2〇係經定位在該基板j 〇上之 · 前或較佳為之後指派該11}，且該ID可反映該晶片2〇在該基 板10上之相對位置’即，該ID可係一位址。 在本發明之一另一實施例中，一個或多個額外控制小晶 ， 片50(圖1)可用於控制該成像裝置5。此等額外控制小晶片 50可經定位在與該等像素3〇及小晶片2〇相同之基板1〇上， 舉例而言在該基板1〇周邊或可在該基板1〇外部。該等額外 控制小晶片50可提供額外控制至成像裝置5且可使用額外 142458.doc -12- 1378425 控制匯流排62以與該等小晶片20及像素30通信及加以控制0 根據本發明之一實施例，每一小晶片2〇之尺寸係由至該 小晶片20之連接數目而定，且尤其視在每一小晶片2〇上之 連接墊80數目而定。如在該上文引用的申請案（美國專利 公開案第12/1 91，462號）中所揭示，舉例而言，經由一個別 控制電極直接控制每一像素3〇之一小晶片2〇需要用於每一

像素30之一分離電極（及連接墊）。因此，控制四個多元件 像素（每一多元件像素具有在一紅光、綠光、藍光、白光 組態中之四個發光像素元件3〇)之一小晶片2〇使用16連接 墊以控制該等發光像素元件3〇。然而，根據本發明之一實 施例，為了節省8連接墊80並因此降低該小晶片2〇之尺寸 及成本，該小晶片20則是僅使用8連接墊、四群組行電極 42及四群組列電極4〇。在一第二實例中，根據本發明之一

實施例，具有64個像素30(具有8乘以8像素3〇陣列）之一像 素群組32對於總計1 6連接墊8〇可僅使用8群組行電極42及8 群組列電極40以㈣在該像素群組32中之該等像素3〇。相 比較之下，上文引用的該專利申請案（美國專利公開案第 12/1 91，462號）需要64連接塾8〇。在一第三實例中，根據本 發明之-實施例’具有256個像素3〇(具有16乘以16像素3〇 陣列）之一像素群組32對於總計32連接墊8〇可僅使用 組行電極42及16群㈣電極4〇輯制在該像素群組^ 該等像素30。相比較之下’上文引用的該揭示内容 256連接塾8〇。_般而言，本發明對於具有^個像素

142458.doc •13· 每一像素群組32僅需要2η連接㈣而非n2連接塾8〇。 器柏：月可如下操作。一控制器接收一視訊信號。該控制 該成像裝置之需求處理該信號並經由一個或多個控 =匯=排或匯流排傳輸該經處理信號至在該小晶片陣財 之母—小晶片。該經處理的信號包含在對應於該小晶片的 該像素群組中之每—發光像素元件之亮度資訊。小晶片控 制器將亮度資訊儲存於對應於每—發光像素元件之一儲^ 凡件中。接著該控制器經由連接墊及群組行 資訊自對應於在-列中的像素之每_儲存元件至在 之。亥等發光像素元件。同時，一群組列電極係具有電力使 侍在該列中之每一發光像素元件根據儲存在該相對應儲存 元件中的焭度資訊同時發射光。所有該等小晶片可同時驅 動其等相對應像素群組之一列。隨後，可驅動在該像素群 組中之一第二列，循序繼而在該像素群組中之發光像素元 件之其他剩餘列。注意，在本發明中，指派「列及 「行」係隨意的且可交換。 雖然循序啟動在一像素群組中之分離列可弓丨起閃肆，《曰 因為該等像素群組相較於在該整個成像裝置中之像素數目 (視在該小晶片陣列中之小晶片數目及在每一像素群組中 之像素數目而定）係相對小，且同時啟動像素群組， '* 丁大 幅減少閃爍。此外’因為該等群組列電極及群組行電極係 僅在一像素群組内連接，該等群組列電極及群組行電極為 短’減少電極電容及電阻及在該小晶片中之高功率驅動t 路之需求。因此，增加每一像素列發射光之時間部分，降 • 14· 142458.doc (S) 1378425 低閃爍且在一所需亮度降低電流密度。 生根據本發明之各種實施例，該等小晶片可以各種方式構 ，舉例而言以沿著一小晶片之一長維度之一列或二列連 接塾。該等互連匯流排可由各種材料製成並使用在該裝置 ' &板上沈積之各種方法。舉例而言，該等互連匯流排可係 . 金屬’經洛鍵或減鍍的（舉例而言）铭 '銀或諸如鎮銀合金 各種金屬δ金。另一選擇為，該等互連匯流排可由固化 _墨或金屬氧化物製成。在-成本有利的實施例中， 該等互連匯流排係在一單一層中形成。 本發明對於使用例如破璃、塑膠或剛性箔或撓性箔之一 大裝置基板（具有以一規則性方式配置在該裝置基板上的 複數個小晶片）之多像素裝置實施例係尤其有用。每一小 日日片可根據在該小晶片中之電路並回應於控制信號而控制 形成於該裝置基板上的複數個像素β 根據本發明，小晶片提供在—基板上分佈的像素控制元 ^ 中 】曰曰片相較於5亥裝置基板係一相對小的積體電路， 且包含一形成於一獨立基板上的電路，該電路包含電線、 連接墊諸如電阻器或電容器的被動組件，或諸如電晶體 、 《-極體的主動組件。小晶片係與顯示基板分離地製造且 ^ 接著經施加至該顯示基板。該等小晶片宜係使用矽或絕緣 層上矽（SOI)晶圓並以製造半導體裝置的已知製程製造。 接著每一小晶片係在附接至該裝置基板之前分離。因此， 每一小晶片的結晶基座可被認為與該裝置基板分離並在 佈置有削、晶片之電路之該裝置基板±。因此，該複數個 142458.doc 1378425 小晶片具有與該裝置基板分離且彼此分離之相對應複數個 基板。特定言之’㈣獨立基板係與該等像素形成於其上 之該基板分離’且-起取得之該等獨立小W基板的面積 係小於該裝置基板。小晶片可具有—結晶基板以相較於 (舉例而&)存在於薄膜非晶石夕或多晶％裝置中的組件提供 較高性能的主動組件。小晶片以可具有1〇〇 μπι或更小的厚 度較佳，且以具有20 μιη或更小的厚度更佳。此促進在該 小晶片上形成接著可使用習知旋塗技術來施加的黏合劑及

平坦化材料。根據本發明之—實施例，形成於一結晶矽基 板上的小晶片係、配置於-幾何陣列中，並黏著至具有黏合 劑或平坦化材料之U基板H卜晶片表面上的連接 墊係用於將每―小晶片連接至信號電線、電力匯流排及列 或行電極以驅動像素《小晶片可控制一個、數個或很多像 素。然而，最好是每一小晶片控制至少四個像素。 由於該等小晶片係形成於一半導體基板中，該小晶片之 電路可使用現代微影工具而形成。使用此等工具，可容易 獲得0.5微米或更小的特徵尺寸。舉例而言，現代半導體 製造線可達成90奈米或45奈米的線寬，且可用於製造本發 明之該等小晶片。然而，-旦該等小晶片經裝配至該顯示 基板上，該小晶片亦需要連接墊，用於製造至提供於該等 小晶片上之佈線層的電連接。該等連接墊必須基於在該顯 示基板上使用之該等微影術工具的特徵尺寸（舉例而言5 μηι)及該等小晶片對該佈線層的對準度（舉例而言+/· $ 來定尺寸。因此，該等連接墊可係（舉例而言）15 pm寬， 142458.doc •16- 1378425 並在該等墊之間具有5 μιη間距。此意謂著該等塾大體上將 明顯大於形成於該小晶片中之該電晶體電路。 該等墊大體上可形成於該等電晶體上之該小晶片上之一 金屬化層中。需要的是使該小晶片具有盡可能小的表面積 以實現一低製造成本。因此，該等連接墊而非該等電晶體 的尺寸及數目大體上將限制該小晶片的尺寸β 藉由使用具有包含比該基板（例如非晶矽或多晶矽）上直 接形成的電路更高性能之電路之獨立基板（例如包括結晶 石夕）之小晶片’提供具有高性能之一裝置。由於結晶矽不 僅具有較高性能而且具有極較少主動元件（例如電晶體）， 極度減少該電路尺寸使得該小晶片尺寸視需要控制及供電 該裝置之連接墊之數目及間距而定。一有用小晶片亦可使 用（舉例而言）2008, 3_4，Digest of Technical Papers 〇f the

Society for Information Display 第 13頁，由 γοοη、Lee、 Yang 及 Jang之「a novel use of MEMs switches in driving AMOLEDj中所述微機電（MEMS)結構而形成。 該裝置基板可包括玻璃及由經蒸鍍或濺鍍金屬（例如鋁 或銀）製成並形成於使用在此項技術中已知的蝕刻微影術 技術圖案化的一平坦化層（例如樹脂）上之該等佈線層。該 等小晶片可使用在積體電路工業中完善地建立的習知技術 而形成。 本發明可用於具有一多像素基礎建設之裝置中。特定言 之’本發明可使用LED裝置（有機或無機）而實踐且尤其在 資訊顯示裝置中有用。在一較佳實施例中，本發明用於由 [S3 142458.doc 17 1378425 如（但不限於）在1988年9月6日發證予Tang等人之美國專利 第4,769,292號及1991年10月29日發證予Van Slyke等人之 美國專利第5,061，569號中所揭示的小分子或聚合〇LED構 成之一平板OLED裝置。舉例而言可使用形成於一多晶性 半導體矩陣中之量子點（舉例而言，如Kahen之美國專利公 開案第2007/0057263號中所教示）及使用有機或無機電荷控 制層之無機裝置或混合有機/無機裝置。有機或無機發光 顯不器之許多組合及變化可用於製造此一裝置，包含具有 頂發射器或底發射器結構之主動矩陣顯示器。本發明可 用於發射顯示裝置但亦可用於其他顯示裝置，舉例而言 CD本發明對於光回應裳置（舉例而言大基板成像裝 置，舉例而言使用穿透輻射之大基板成像裝置）亦為有 用。 已特別參考本發明之特定較佳實施例詳細描述本發明， 但應瞭解可在本發明之精神及範圍内實現變化及修改。 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明之一實施例之具有複數個小晶片及相 關聯像素群組之一顯示裝置之—示意圖； 圖2係根據本發明之一實施例之小晶片電路之一示意 回 · 圔， 圖3係根據本發明之一實施例之具有列及行電極之一像 素群組之一平面圖；及 圖4係根據本發明之一實施例在具有列及行電極之一像 素群組中之一列發光元件之一部分截面圖。 142458.doc

Claims (1)

1378425 . 七、申請專利範園： 1. 一種具有一混合驅動之成像裝置，其包括： a) —單一連續基板； b) —二維像素陣列’其形成於該基板上，該等像素相 ·. 關聯成為複數個像素群組，每一像素群組包含至少四個 . 像素，且包含一分離組的群組列電極及群組行電極，其 係連接至該相對應群組中之該等像素，且僅驅動該相對 應群組中之該等像素，該等群組列電極之每一者連接至 _ 兩個或兩個以上像素，且該等群組行電極之每—者連接 至兩個或兩個以上像素，使得一單一群組列電極連同一 單一群組行電極驅動一單一像素；及 c)兩個或兩個以上小晶片，其等位於該基板上並在該 像素陣列内’每一小晶片與一像素群組相關聯，且具有 至該等相關群組列電極及相關群組行電極t每一者的連 接，並具有至少、如1¾像素群组之任一維度中之儲存元件 Φ —般f的儲存元件，該儲存元件儲存一表示一像素之一 斤耑儿度的值，且该小晶片使用該值來控制在該小晶片 相關像素群組中之每-像素的所需亮度。 > 2.如請求項1之成像裝置，其包含電連接至每-小晶片之 4 —個或多個匯流排。 3. ^求項2之成像裝置，其中該一個或多個匯流排之至 夕者係、由至少兩個或兩個以上小晶片串聯連接的 序列匯流排。 4. 如請求項2之成像裝置，甘+ _ ^ 私衣置’其中該一個或多個匯流排之至 [S] !42458^〇〇 1378425 ;I者係—共同連接至該等小晶片之平行匯流排。 月长項4之成像裝置，其中該平行匯流排提供一電源 或接地電連接。 6·如清求項2之成德驻里 , 成像裝置，其中一匯流排傳輸一資料信 號。 月:項2之成像裝置，其中該一個或多個匯流排連接 者係平行匯流排，且該一個或多個匯流排連 接的至少一者係一序列匯流排。 8·如請求項2之成像裝.置’其中該_個或多個匯流排連接 的^少—個係連接至該小晶片陣列之—行中之所有該等 小晶片’或至少—匯流排係連接至該兩個或兩個以上小 晶片之一列中的所有該等小晶片。 9. 如請求項1之成像裝置，苴中嗜黧德各挪 ，、及等像素群組之每一像素 形成一矩形像素陣列。 10. 如請求項1之成像裝置，立中 八肀该儲存凡件係一類比儲存 兀件、儲存電荷之一電容器或一數位儲存元件。 11 ·如請求項1之成像裘置，盆中 /、〒。亥裝置係一非發射顯示裝 置。 取裝 Π.如請求項！之成像裝置，其中該裝置係—影像 置。 13.如請求項!之成像裝置，其中該等小晶片係完全相同。 Μ.如請求項!之成像裝置’其中每一小晶片具有一 別符。 15.如請求項丨4之成像裝置’其中每一小晶片之該唯一識別 142458.doc 1378425 符係在該等小晶月定位於該基板上之後建立，且每一小 s曰片之該唯一識別符對應於該二維小晶片陣列中之每— 小晶片之一相對位置。 16. 如凊求項丨之成像裝置，進一步包括圍繞該兩個或兩個 以上小晶片之周邊定位並用於驅動該等小晶片的控制小 晶片。 17. 如請求項!之成像裝置，其中每一小晶片之尺寸係由至 該小晶片之連接的數目決定。 18. 如請求項丨之成像裝置，其中該跋置係一顯示裝置。 19. 如請求項18之成像裂置，其中該裝置係—有機咖顯示 裝置或一無機LED顯示裝置。 20. 如請求们之成像裝置，其中每—小晶片係連接至至少 二群組列電極及二群組行電極。

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