CN102751294A - Amoled器件的基板及其掩膜板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种不会出现蒸镀对位问题和混色问题的AMOLED器件的基板及其掩膜板。AMOLED器件的基板，包括R、G、B像素ITO与TFT像素电路，所述R、G、B像素ITO与TFT像素电路采用两两相依的对称排列结构。由于本发明掩模板是用搭桥相互连接的，具有较短排列的挖孔结构，可以防止有机物蒸镀工序时，有可能发生的掩膜板变形现象，同时可以正确蒸镀有机物，达到改善面板品质的目的。
Description
技术领域
本发明涉及一种AMOLED器件的制造工艺，特别是涉及一种AMOLED器件的基板及其掩膜板。
背景技术
AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode主动矩阵有机发光二极体面板)器件的制造工艺分为：基板工序、蒸镀工序和封装工序。基板工序是在玻璃上面生成TFT(Thin Film Transistor薄膜晶体管)，可以层积硅材料和金属材料。为了利用通过基板工序而形成的TFT来点亮面板，必须在TFT基板上进行有机物的蒸镀工序，有机物的蒸镀工序是将已汽化的有机物蒸镀在TFT基板上。目前在蒸镀工序中使用的AMOLED器件的基板如图1所示，掩模板如图2所示，其基板的R、G、B像素ITO（发光部分）与TFT像素电路（非发光部分）采用纵向方式依次排列，掩模板采用与其相匹配的结构，一般是如图2所示的条形的掩膜板，这种掩膜板中间是比较长的挖孔，该结构的基板和掩模板只适用于小尺寸的AMOLED器件的基板蒸镀，对于大尺寸的基板，因该掩模板的金属图形薄，导致在蒸镀设备上使用该掩模板时，掩模板的中心位置比边缘要下沉一些，这种下沉现象将使有机物蒸镀工序中掩模板的错误对位，导致有机物相互层叠，从而引起AMOLED器件的基板的混色，会导致显示的色彩错误。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种不会出现蒸镀对位问题和混色问题的AMOLED器件的基板及其掩膜板。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是：AMOLED器件的基板，包括R、G、B像素ITO与TFT像素电路，所述R、G、B像素ITO与TFT像素电路采用两两相依的对称排列结构。
掩膜板，所述掩模板的结构与上述的基板的结构相匹配，所述掩模板在中间的与TFT像素电路相对应部分上搭桥。
本发明的有益效果是：由于本发明掩模板是用搭桥相互连接的，具有较短排列的挖孔结构，可以防止有机物蒸镀工序时，有可能发生的掩膜板变形现象，同时可以正确蒸镀有机物，达到改善面板品质的目的。
附图说明
图1是现有的AMOLED器件的基板的结构示意图。
图2是现有的掩膜板的结构示意图。
图3是本发明的AMOLED器件的基板的结构示意图。
图4是本发明的掩膜板的结构示意图。
具体实施方式
本发明的AMOLED器件的基板的结构如图3所示，其R、G、B像素ITO与TFT像素电路采用两两相依的对称排列结构，因此可以确保不需要蒸镀的TFT电路部分具有更宽的面积的优点，如图4所示，变更基板的像素结构，在变得更宽的TFT像素电路相对应部分上放入更宽的连接搭桥，因此可以制造出比现有的掩膜板更有效率的掩膜板。与现有的掩模板较长排列的挖孔结构相比较，本发明具有的较短排列的挖孔结构的掩模板，可有效改善掩膜板的变形情况。
另外，本发明在TFT像素电路的区域上配置金属线，利用此金属线来蒸镀有机物，改善掩模板的变形问题。这样配置的金属线可以用有机物蒸镀工序阶段中掩模板的引张操作来解决掩模板的变形现象。
本发明的掩模板中的横轴连接的金属线宽度比目前使用的金属线更宽，因此即使在量产上长期使用，可以使掩模板的变形最小化，提高量产的良率。
本发明的对位过程是：在已经形成的TFT的基板上，利用对位码和蒸镀用的金属掩膜板的对位码，相互进行匹配，从而将各个图形进行正确的整齐排列。利用本发明蒸镀有机物可以正确完成对位，从而改善蒸镀AMOLED有机物时可能发生的掩膜板变形现象，最终改善颜色重叠现象和对位不准确问题。
Claims (2)
1.AMOLED器件的基板，包括R、G、B像素ITO与TFT像素电路，其特征在于：所述R、G、B像素ITO与TFT像素电路采用两两相依的对称排列结构。
2.掩膜板，其特征在于：所述掩模板的结构与权利要求1所述的基板的结构相匹配，所述掩模板在中间的与TFT像素电路相对应部分上搭桥。
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