TWI378155B - Enhanced electron field emission from carbon nanotubes without activation - Google Patents

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TWI378155B TW094130786A TW94130786A TWI378155B TW I378155 B TWI378155 B TW I378155B TW 094130786 A TW094130786 A TW 094130786A TW 94130786 A TW94130786 A TW 94130786A TW I378155 B TWI378155 B TW I378155B
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Description

(3) 1378155 ' ,且此被認爲是改進CNT陰極的場發射性質之關鍵因素 .· ,不過事實上會有一些CNT材料被膠帶的黏著劑層移除 掉。硏究人員發現假若CNTs非常密集之時,CNTs的場 .發射性質會減低(Jean-Marc Bonard,Nicolas Weiss, . Hannes Kind et a 1., '"'Tuning the field emission properties of patterned carbon nanotube films , " Advanced
Materials 13,184-188(2001))。當 CNTs 彼此非常靠近之 # 時會發生電場遮蔽效應,而阻止CNTs發射出電子。與粒 子混合的 CNTs可得到增強的場發射性質,這是因爲 CNTs被粒子予以彼此分隔之故(Dongsheng Mao,Richard Lee Fink ’ Zvi. Yaniv, Enhanced field emission from carbon nanotubes mixed with particles" > 美國專利第 6,798,1 27號)。於該專利中,在沉積CNT混合物之後,硏 究人員在沒有激活程序之下仍得到良好的場發射結果。於 使用碳膜作爲冷陰極的更早期硏究之中,業經形成圖案的 # 碳膜經觀察到具有比連續碳膜遠較爲佳的場發射性質 (Zhidan Li Tolt > Zvi Yaniv > Richard Lee Fink » ^
Surface treatment process used in growing a carbon film 〃美國專利第6,630,023號)。另一種激活程序包括使用經 最優化的軟質橡膠滾筒以移除覆蓋CNTs的雜質(Yong C.Kim 5 KH.Sohn > Y.Mo.Cho ? and Eun H.Yoo > w
Vertical alignment of printed carbon nanotubes by multiple field emission cycles > : App; Phys Lett 84 > 5350-5352(2004))。〃於該程序中,一部份的CNTs也被 (4) 1378155 ' 移除,且CNTs的場發射性質獲得改進。擦拭程序後沒有 .· 觀察到C N T s的排列,但是在施加—電場於c Ν τ塗層上之 後有觀排列。此點指示出陰極上的CNTs排列不是改良場 . 發射特性的必需材料性質。 . 從先前技藝中的此等發現來看,有需要—種CNT陰 極層的低溫製造之方法使得CNTs不會太密集地沉積在表 面上以至於抑制場發射。於CNT材料的最優化空間分布 # 之下’可能可以免除掉後·沉積激活程序,藉此在所得場 發射顯示裝置的製造中節省顯著的成本和精力。 【發明內容】 本發明經由提供一種不需要激活程序步驟而導致具有 改良的場發射特性之CNT陰極之方法而解決前述需要。 將CNT材料沉積在陰極表面上成爲在物理上彼此分隔之 離散射極島層之形式。經由調制該等場射極島之密度實現 # 電子場發射效能之最優化。本發明方法既不需要將CNT 與其他粒子混合,也不需要CNTs的物理排列來獲得增強 * 的場發射性質。 對於沉積場發射陰極所用CNT材料之上,本發明比 先前技藝較優處在於包括CNTs需要量的最優化以及比起 要有後續激活和材料移除的沉積而言爲一種整體較簡單的 程序。於使用低溫沉積程度,例如網版印別之下,本發明 提供一種對於工業規模操作具有成本效用性之方法。 前文已經頗爲廣義地槪述出本發明的特徵與技術優點 -8 - (7) 1378155 要通過以沈積到基板上之開孔的尺寸爲28微米χ28微米 。可以看到印刷程序之後有某些CM Τ材料仍留在開孔中 。於其他情況中,也可以使用各種相稱尺寸的網版來實施 本發明。於本發明其他實施例中,也可以使用網版印刷以 外的方法諸如噴塗、刷塗 '噴墨印刷、電泳沈積、與分散 使用手工橡皮滾子(squeegee)將CNT糊印刷到1Τ0/玻 Φ 璃表面3厘米x3厘米面積之上。然後在烤箱內100 °C下烘 烤樣品10分鐘以緊接在印刷之後使CNT塗層的頂部表面 硬化。圖2顯示出在烘烤後CNT塗層的光學顯微影像。 於該影像中可以清楚地看到CNT島。然後將樣品置於真 空烤箱內煆燒。於一煅燒程序中,溫度係以180°C /小時的 速率增加。然後將溫度維持在3 1 5 °C下1 0分鐘以蒸發掉 CNT塗覆混合物中的有機物質。然後,用N2沖滌烤箱以 防止CNTs石墨化,同時將溫度進一步增高到45 0°C 10分 # 鐘以熔化玻料。於一具體實例中,熔化的玻料可改良在傳 導層與CNT塗層之間的黏著力。然後將樣品冷卻到室溫 。圖3顯示出煅燒程序後的樣品之光學顯微影像。於此實 施例中,此等CNT島的厚度爲約2-4微米。 爲了場發射性質的比較,將樣品分別印刷2,3和5 次。隨著印刷層數目之增加,CNT島會變得更大且更密集 。每次印刷樣品之後,都在l〇〇°C下烘烤彼等10分鐘, 再繼續印刷。圖4顯示出印刷5次的樣品之光學顯微影像 。於圖4中可以清楚地看到某些已彼此相連接的CNT簇 (8) 1378155 • 爲了比較場發射性質,將(已印刷1次,2次,3次和 5次的)樣品以二極體組態與燐光螢幕安裝在一起,如圖 . 〗1中所示者,在陽極與陰極之間有約0.5毫米的間隙,以 . 進行檢驗。將檢驗組合件放在真空室內且抽真空到〗0·7 托(To rr)之壓力》然後經由於陰極上施加一負的脈衝電壓 (AC)且將陽極保持接地,同時測量陽極的電流,而測量陰 • 極的電性質。也可以使用DC電位於此檢驗中。圖5顯示 示諸樣品所得發射電流相對於電場之圖解。 印刷二次的樣品展現出最佳場發射性質,亦即在最低 電場強度下的發射。圖6顯示出印刷二次的樣品之場發射 影像,其顯示出非常良好的均勻性及高發射部位密虔。在 30mA發射電流下的電場分別爲7.82,6.34,6.44,和7.2 伏/微米(V/miCr0n)。此數據指出在此實施例中最優CNT 島密度係對應於印刷C N T糊二次者。對於印刷3次和更 • 多次的樣品,場發射性質會隨著CNT島密度的增加而降 低。此係指出電場遮蔽效應,此對彼樣樣品不利於場發射 行爲。於本發明其他具體實例中,可以修改印刷方法使用 單次印刷操作來製成最優的CNT島大小與密度,得到對 應於最佳場發射之結果。 爲了進一步比較,乃在煅燒程序後實施貼膠帶程序以 激活 CNTs(Yang Chang,Jyh-Rong Sheu,Cheng-Chung Lee,Industrial Technology Research Institute,Hsinchu ,TW, ^Method of Improving Field Emission Efficiency •12- ③ (9) 1378155 for Fabrication Carbon Nanotube Field Emitters^ ,美國 • 專利第6,436,221號)。使用透明膠帶(#33 6,3M)來激活 CNTs。選擇印刷二次的樣品進行實驗,係因爲此爲展現 . 出最佳場發射行爲的樣品之故。使用與美國專利第 . 6,436,221號中所述相同程序將膠帶層合在CNT塗層上。 然後,剝除膠帶。圖7顯示出該樣品在貼膠帶之前與之後 的場發射電流相對於電場之曲線《該數據指出在有貼膠帶 • 與未貼膠帶處理過的樣品之間的場發射性質差異很小。 於本發明另一範例中,與前面樣品係在沈積於玻璃基 板上的I TO空白層上形成的情形不同者,CNT糊係印刷 在具有圖案結構的較大面積上。對於CNT冷陰極裝置, 係使用二極結構以降低吸取電壓(extraction voltage)及實 質地降低成本。對此實施例,係使用經純化的S WNT形式 之 CNTs(Carbon Nanotechnologies Inc.)。參照圖.8,將 CNT糊103印刷在有圖案的結構體1〇1,1〇6,107表面上 • 。首先,在玻璃基板101上網版印刷6微米厚的銀糊電極 106。然後印刷50微米厚的絕緣性覆蓋層1〇7,因而在表 面上的銀電極1 06中留下小開孔。開孔的尺寸於一例中爲 3 00微米x800微米,而開孔的數目爲1 60x480像素。總陰 極活性面積爲10吋xlO吋。 透過有圖案的355 -網目網版將CNT糊印刷在洞中(參 見圖1)。圖6A-6F圖解說明本發明一具體實例中的網版 印刷程序之步驟。參照圖6A,其中示出網版印刷裝置的 橫截面圖,有一台階(或扣具)6】3接納要用糊(或油墨)611 (10) (10)1378155 印刷的基板61 4。糊6 11係沈積在一影像網版6 1 6的印刷 表面610之一側上。橡皮滾子612爲用來將糊611均勻地 塗布在網版616中的開孔605上所用工具。參照圖6B, 將台613與基板614 —起排列在網版上,使得在網版616 與基板6 1 4之間達到一合意的夾距。該排列係透過在X, y’z方向615中操縱台613與基板614而達成的,藉此 也可以實施額外的角度矯正或排列。於圖6C中,實施橡 皮滾子612跨越網版616表面610沿方向620之移動,此 可將糊611有效地均勻分配在網版表面610之上。經由橡 皮滾子612的力將糊611強制通過網孔605。於圖6D中 ’至此己用糊611印刷過的台613和基板614即從網版 616降下來625。圖6E示出已用糊611印刷過的所得台 613與基板614。於圖6F中,移除台613,留下所欲產品 ’用糊6 11根據網版6 1 6的圖案印刷過的基板6 1 4。 絕緣性覆蓋層107比CNT塗層103較高30-40微米 。然後將樣品根據前面諸實施例中所提程序予以烘烤和煅 燒。接著按前述檢驗場發射性質。圖9顯示出於二極體模 式中在1 20mA發射電流下檢驗所得樣品之場發射影像。 該影像顯示出在大面積上有均勻的場發射。邊緣的黑暗部 位爲翹曲陽極網之結果,其在陰極與陽極之間造出一不均 勻的間隙。 圖10繪示出實施本發明的代表性硬體環境,其中示 出根據本發明數據處理系統5 1 3的範例硬體組態,其中具 有中央處理單元(CPU)5 10,例如習用的微處理器,及許多 ' (11) 1378155 ' 個通過系統匯流排5 1 2互連的其他單元。數據處理系統 . 513包括隨機存取記憶體(RAM)514,唯讀記億體 (ROM)516,和輸入/輸出(I/O)配接器518用以將周邊裝置 . 例如磁碟單元520和磁帶機540連接到匯流排:用戶介面 . 配接器522用來將鍵盤5 24,滑鼠526,及/或其他用戶介 面裝置例如觸控螢幕裝置(沒有顯示出)連接到匯流排5 1 2 ;通訊配接器5 34用以將數據處理系統5 13連接到資料處 # 理網路,以及顯示器配接器536用來將匯流排512連接到 顯示器裝置538。CPU510可包括在此未顯示出的其他電 路,其中包括在微處理器內常見的電路,例如執行單元, 匯流排介面單元,算術邏輯單元等。顯示器裝置5 38代表 本發明的可能具體實例。 圖1 1示出使用一陰極以二極體組態製成的場發射顯 示器5 38之一部份,如上面所造出者。在該陰極內包括— 傳導層106與CNT射極103。陽極可由玻璃基板612,與 鲁 銦錫層613,及陰極發光層614所構成。電場係架設在陽 極與陰極之間。此種顯示器538可以用在數據處理系統 5 1 3之內,例如圖1 〇所示者。 雖然已詳細說明過本發明及其優點,不過應該了解者 ’於其中可作出各種改變’修飾和變更而不違離後附申請 專利範圍所界定的本發明旨意與範圍。 【圖式簡單說明】 爲了更完整地了解本發明以及其優點,至此要配合所 -15- ⑧ (12) 叫 8155 & ®式參照下面的說明部份,其中: • ® 1顯示出一網版的影像; - 圖2顯示出在一基板上的CNT塗層之光學顯微影像 - » - 圖3顯示出燃燒程序之後一樣品的光學影像; 圖4顯示出印刷5次後的一樣品之光學顯微影像; 圖5顯示出數個樣品的場發射電流相對於電場數據之 • 圖; 圖6顯示出一個印刷兩次的樣品在30mA發射電流下 之場發射影像; 圖6A-6F圖解說明在本發明一具體實例中的網版印刷 程序; 圖7顯示出本發明樣品的場發射電流對電場數據之圖 » 圖8顯示出基板的結構之示意圖: • 圖9顯示出本發明一具體實例的場發射影像樣品; 圖1〇圖解說明一數據處理系統;且 圖11圖解說明使用一陰極在二極體組態中製成的場 發射顯示器之一部份

Claims (1)

1378155第09413〇786號 101年7月25日修正替換頁 (13) 十、申請專利範圍 1. 一種形成場發射陰極裝置之方法,其包括下述步驟 :在一基材上沉積一層奈米粒子材料表面層,使得該奈米 ' 粒子材料表面層形成複數個在物理上彼此分隔之場發射島 ’其中該些奈米粒子材料場發射島具有大於約10奈米之 寬度。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該等奈米粒子 φ 材料場發射島: 彼此之間具有超過約10奈米之距離;且 具有大於約1奈米之厚度。 3. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該基材包括傳 導性電極層。 4. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該奈米粒子材 料層係以選自下列所組成的群組中之方法沉積:網版印刷 、刷塗、噴塗、分散、噴墨印刷、奈米壓印(nano-_ imprinting)、沾筆式微影術(dip-pen lithog.raphy)、X-射線 微影術、光學微影術 '及彼等的任何組合。 5. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該奈米粒子材 料包含選自下列所組成的群組中之碳奈米管:單壁碳奈米 管、雙壁碳奈米管、多壁碳奈米管、巴基管(buckytubes) 、碳原纖維、化學改質的碳奈米管、經衍化的碳奈米管、 金屬性碳奈米管、半導性碳奈米管、及彼等的任何組合。 6. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該奈米粒子材 料包含選自下列所組成的群組中之粒子:球形粒子、碟形 -17- 137.8155 第094130786號 101年7月25日修正替換頁 (14) 粒子、層狀粒子、棒狀粒子、金屬粒子、半導體粒子、聚 合物粒子、陶瓷粒子、介電質粒子、黏土粒子、纖維、及 彼等的任何組合。 7. 如申請專利範圍第1項之方法’其中沈積該奈米粒 子材料係使用具有約25-30微米寬的網孔之355-網目網。 8. —種場發射陰極裝置’其包括在一基材上的一層奈 米粒子材料表面層,使得該奈米粒子材料表面層包括複數 φ 個在物理上彼此分隔之場發射島,其中該等奈米粒子材料 場發射島具有大於約奈米之寬度。 9. 如申請專利範圍第8項之裝置’其中該等奈米粒子 材料場發射島: 彼此之間具有超過約1〇奈米之距離;且 具有大於約1奈米之厚度。 10. 如申請專利範圍第8項之裝置’其中該基材包括 傳導性電極層。 Φ 11.如申請專利範圍第8項之裝置’其中該奈米粒子 材料層係以選自下列所組成的群組中之方法沉積:網版印 刷、刷塗、噴塗、分散、噴墨印刷、奈米壓印、沾筆式微 影術、X -射線微影術、光學微影術、及彼等的任何組合。 12.如申請專利範圍第8項之裝置,其中該奈米粒子 材料包含選自下列所組成的群組中之碳奈米管:單壁碳奈 米管、雙壁碳奈米管、多壁碳奈米管、巴基管、碳原纖維 、化學改質的碳奈米管、經衍化的碳奈米管 '金屬性碳奈 米管、半導性碳奈米管、及彼等的任何組合。 -18 - 137.8155 第094130786號 101年7月25曰修正替換頁 (15) 13. 如申請專利範圍第8項之裝置’其中該奈米粒子 材料包含選自下列所組成的群組中之粒子:球形粒子'碟 形粒子、層狀粒子、棒狀粒子、金屬粒子、半導體粒子、 聚合物粒子、陶瓷粒子、介電質粒子、黏土粒子、纖維、 及彼等的任何組合。 14. 一種場發射顯示裝置,其包括一陽極組合件和一 陰極組合件,其中該陰極組合件進一步包括: φ 一導電層;和 一場發射陰極材料’其經沉積在該導電層上成爲奈米 粒子材料表面層,使得該等奈米粒子材料形成複數個在物 理上彼此分隔之場發射島,其中該些奈米粒子材料場發射 島具有大於約10奈米之寬度。 15. 如申請專利範圍第14項之裝置’其中該等奈米粒 子材料場發射島: 彼此之間具有超過約奈米之距離;且 ♦ 具有大於約1奈米之厚度。 16. 如申請專利範圍第14項之裝置’其中該奈米粒子 材料層係以選自下列所組成的群組中之方法沉積:網版印 刷、刷塗、噴塗、分散、噴墨印刷、奈米壓印、沾筆式微 影術、X-射線微影術、光學微影術、及彼等的任何組合。 17·如申請專利範圍第14項之裝置’其中該奈米粒子 材料包含選自下列所組成的群組中之碳奈米管:單壁碳奈 米管、雙壁碳奈米管、多壁碳奈米管、巴基管、碳原纖維 、化學改質的碳奈米管、經衍化的碳奈米管、金屬性碳奈 -19- 1378155 第 094130786號 (16) 101年7月25日修正替換頁 米管、半導性碳奈米管、及彼等的任何組合。 18.如申請專利範圍第14項之裝置,其中該奈米粒子 材料包含選自下列所組成的群組中之粒子:球形粒子、碟 形粒子、層狀粒子、棒狀粒子、金屬粒子、半導體粒子、 聚合物粒子、陶瓷粒子、介電質粒子、黏土粒子、纖維、 及彼等的任何組合。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9056783B2 (en) 1998-12-17 2015-06-16 Hach Company System for monitoring discharges into a waste water collection system
US8958917B2 (en) 1998-12-17 2015-02-17 Hach Company Method and system for remote monitoring of fluid quality and treatment
US7454295B2 (en) 1998-12-17 2008-11-18 The Watereye Corporation Anti-terrorism water quality monitoring system
US8920619B2 (en) 2003-03-19 2014-12-30 Hach Company Carbon nanotube sensor
US7777928B2 (en) * 2005-02-28 2010-08-17 Chad Byron Moore Electrode enhancements for fiber-based displays
US9743142B2 (en) * 2008-02-19 2017-08-22 Time Warner Cable Enterprises Llc Multi-stream premises apparatus and methods for use in a content delivery network
JP5476751B2 (ja) * 2009-03-13 2014-04-23 独立行政法人物質・材料研究機構 ナノカーボンエミッタ及びその製造方法並びにそれを用いた面発光素子
KR101302335B1 (ko) * 2009-09-23 2013-08-30 (주)엘지하우시스 바닥재 및 그 제조 방법
KR101283578B1 (ko) * 2009-12-11 2013-07-08 한국전자통신연구원 플라스틱 기판 및 그 제조 방법
DE102014107134B4 (de) * 2013-05-24 2017-09-21 Electronics And Telecommunications Research Institute Mehrelektroden-Feldemissionsvorrichtung mit einzelner Leistungsquelle und Verfahren, um diese anzusteuern
US20140363643A1 (en) * 2013-06-07 2014-12-11 International Business Machines Corporation Surface-Selective Carbon Nanotube Deposition Via Polymer-Mediated Assembly
EP3933881A1 (en) 2020-06-30 2022-01-05 VEC Imaging GmbH & Co. KG X-ray source with multiple grids

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930009170B1 (ko) 1991-10-24 1993-09-23 삼성전관 주식회사 함침형 음극의 제조방법
JP2985467B2 (ja) 1992-01-22 1999-11-29 三菱電機株式会社 含浸型カソードの製造方法
DE4405768A1 (de) 1994-02-23 1995-08-24 Till Keesmann Feldemissionskathodeneinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
FR2726688B1 (fr) * 1994-11-08 1996-12-06 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a effet de champ et procede de fabrication de cette source, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence
TW320732B (zh) 1995-04-20 1997-11-21 Matsushita Electron Co Ltd
US6296740B1 (en) 1995-04-24 2001-10-02 Si Diamond Technology, Inc. Pretreatment process for a surface texturing process
JP3624992B2 (ja) 1996-04-22 2005-03-02 富士通株式会社 表示パネルの隔壁形成方法
US5830527A (en) 1996-05-29 1998-11-03 Texas Instruments Incorporated Flat panel display anode structure and method of making
US5726524A (en) 1996-05-31 1998-03-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Field emission device having nanostructured emitters
AU4055297A (en) 1996-08-08 1998-02-25 William Marsh Rice University Macroscopically manipulable nanoscale devices made from nanotube assemblies
US6057637A (en) 1996-09-13 2000-05-02 The Regents Of The University Of California Field emission electron source
US6310432B1 (en) 1997-05-21 2001-10-30 Si Diamond Technology, Inc. Surface treatment process used in growing a carbon film
DE69823441T2 (de) 1997-09-30 2004-09-23 Noritake Co., Ltd., Nagoya Elektronen emittierende Quelle
JP3790047B2 (ja) 1998-07-17 2006-06-28 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 電子放出源の製造方法
US6409567B1 (en) 1997-12-15 2002-06-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Past-deposited carbon electron emitters
US6645402B1 (en) 1998-06-18 2003-11-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron emitting device, electron emitting source, image display, and method for producing them
US6630772B1 (en) 1998-09-21 2003-10-07 Agere Systems Inc. Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device
US6441550B1 (en) 1998-10-12 2002-08-27 Extreme Devices Inc. Carbon-based field emission electron device for high current density applications
JP4109809B2 (ja) 1998-11-10 2008-07-02 キヤノン株式会社 酸化チタンを含む細線の製造方法
JP4069532B2 (ja) * 1999-01-11 2008-04-02 松下電器産業株式会社 カーボンインキ、電子放出素子、電子放出素子の製造方法、および画像表示装置
JP3943272B2 (ja) 1999-01-18 2007-07-11 双葉電子工業株式会社 カーボンナノチューブのフイルム化方法
US6250984B1 (en) 1999-01-25 2001-06-26 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article
JP2000260298A (ja) 1999-03-05 2000-09-22 Sony Corp 冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置
US6538367B1 (en) 1999-07-15 2003-03-25 Agere Systems Inc. Field emitting device comprising field-concentrating nanoconductor assembly and method for making the same
US6277318B1 (en) 1999-08-18 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabrication of patterned carbon nanotube films
EP1102298A1 (en) * 1999-11-05 2001-05-23 Iljin Nanotech Co., Ltd. Field emission display device using vertically-aligned carbon nanotubes and manufacturing method thereof
AUPQ930800A0 (en) 2000-08-10 2000-08-31 Megara (Australia) Pty Ltd Finishing of metal surfaces and related applications
US6553096B1 (en) 2000-10-06 2003-04-22 The University Of North Carolina Chapel Hill X-ray generating mechanism using electron field emission cathode
EP1221710B1 (en) * 2001-01-05 2004-10-27 Samsung SDI Co. Ltd. Method of manufacturing triode carbon nanotube field emitter array
US6436221B1 (en) 2001-02-07 2002-08-20 Industrial Technology Research Institute Method of improving field emission efficiency for fabricating carbon nanotube field emitters
JP2003166040A (ja) 2001-02-08 2003-06-13 Hitachi Maxell Ltd 金属合金微粒子及びその製造方法
JP2002343280A (ja) 2001-05-16 2002-11-29 Hitachi Ltd 表示装置とその製造方法
WO2002103737A2 (en) 2001-06-14 2002-12-27 Hyperion Catalysis International, Inc. Field emission devices using ion bombarded carbon nanotubes
US6890230B2 (en) 2001-08-28 2005-05-10 Motorola, Inc. Method for activating nanotubes as field emission sources
US20060252163A1 (en) 2001-10-19 2006-11-09 Nano-Proprietary, Inc. Peelable photoresist for carbon nanotube cathode
US7195938B2 (en) 2001-10-19 2007-03-27 Nano-Proprietary, Inc. Activation effect on carbon nanotubes
US6813828B2 (en) 2002-01-07 2004-11-09 Gel Pak L.L.C. Method for deconstructing an integrated circuit package using lapping
US6798127B2 (en) 2002-10-09 2004-09-28 Nano-Proprietary, Inc. Enhanced field emission from carbon nanotubes mixed with particles
US20040109813A1 (en) 2002-12-05 2004-06-10 National Tsing Hua University Process and device for upgrading current emission
JP2005005079A (ja) 2003-06-11 2005-01-06 Hitachi Displays Ltd 自発光型平面表示装置とその製造方法
TWI231521B (en) * 2003-09-25 2005-04-21 Ind Tech Res Inst A carbon nanotubes field emission display and the fabricating method of which
US7125308B2 (en) 2003-12-18 2006-10-24 Nano-Proprietary, Inc. Bead blast activation of carbon nanotube cathode

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