JP2008512849A - 活性化させないカーボンナノチューブによる電界放出の増強法 - Google Patents

活性化させないカーボンナノチューブによる電界放出の増強法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008512849A
JP2008512849A JP2007536693A JP2007536693A JP2008512849A JP 2008512849 A JP2008512849 A JP 2008512849A JP 2007536693 A JP2007536693 A JP 2007536693A JP 2007536693 A JP2007536693 A JP 2007536693A JP 2008512849 A JP2008512849 A JP 2008512849A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
particles
field emission
carbon nanotube
nanoparticle material
cnt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007536693A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5090917B2 (ja
Inventor
トンシェン マオ,
リチャード エル. フィンク,
ズビィ ヤニブ,
Original Assignee
ナノプロプリエタリー,インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ナノプロプリエタリー,インコーポレイテッド filed Critical ナノプロプリエタリー,インコーポレイテッド
Publication of JP2008512849A publication Critical patent/JP2008512849A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5090917B2 publication Critical patent/JP5090917B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304Field-emissive cathodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123Flat display tubes
    • H01J31/125Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/304Field emission cathodes
    • H01J2201/30403Field emission cathodes characterised by the emitter shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/304Field emission cathodes
    • H01J2201/30446Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2201/30453Carbon types
    • H01J2201/30469Carbon nanotubes (CNTs)

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

カーボンナノチューブ(CNT)のようなナノ粒子を用いる電界放出デバイスにおいて使用するためのカソードを形成するための方法が、開示される。CNT層は、カソードの表面上に、電界放出材料を含有する。本発明の方法を使用して、被覆されたCNTの密度は、このカソードの表面上に島状電界放出領域を形成することによって、調節され得る。CNT島状電界放出領域の大きさおよび分布は、得られるCNT層の電界放出特性を最適にするように働く。1つの実施形態において、CN島状電界放出領域は、スクリーン印刷被覆方法を使用して、形成される。本発明は、被覆後に、電界放出のためにカーボンナノチューブを活性化または整列させるためのさらなるプロセスなしで、実施され得る。

Description

本発明は、米国特許法第119条第(e)項の下で、米国仮特許出願番号60/609,128に対する優先権を主張する。
(技術分野)
本発明は、一般に、電界放出(feild emission)に関し、そして特に、カーボンナノチューブカソードを使用する電界放出に関する。
(背景情報)
カーボンナノチューブ(CNT)は、高いアスペクト比、導電率、および顕著な化学的不活性に起因する、長寿命の非常に安定かつ低い電圧での作動により、電界放出用途(例えば、フラットパネルディスプレイ、マイクロ波供給源、X線管など)のための優れたコールドカソード材料である(非特許文献1)。CNTは、触媒により支持された基板上に、アーク放電、レーザー切除および他の技術によって、1200℃〜1300℃までの高温で成長し得る。化学蒸着法(CVD)により被覆(deposit)される、整列CNT(aligned CNT)は、良好な電界放出特性を有し得る。なぜなら、これらは、より高い幾何学的電界増強を有するからである。しかし、CVDプロセスは、必ずしも、広い面積にわたってCNTを被覆させるためには適していない。なぜなら、ディスプレイ用途に要とされる、面積が広い基板にわたり均一性の高いプロセス条件を達成することが、非常に困難であるからである。CVDによるCNTの成長はまた、高い(500℃を超える)プロセス温度を必要とするため、低費用の基板(例えば、ソーダ石灰ガラス)の使用を除外してしまう。
より簡単なプロセスは、CNT粉末を収集し、そしてこれらを、基板の選択的な領域に均一に被覆させることである。CNTは、結合剤、エポキシなどと混合される場合、メッシュスクリーンを通して印刷され得る(非特許文献2)。これらの粉末は、溶媒(例えば、IPA、アセトン、または水)と混合される場合、基板上にスプレーされ得る(非特許文献3)。次いで、特別な表面処理(いわゆる「活性化プロセス」)が、しばしば、CNTカソードの低い電界放出および高い放出部位密度を達成するために、必要とされる。テーピング(taping)プロセスは、カーボンナノチューブの電界放出特性を増強し得る(Yu−Yang Chang,Jyh−Rong Sheu,Cheng−Chung Lee,「Method of improving field emission efficiency for fabricating carbon nanotube field emitters」、特許文献1)。この方法において、接着テープが、CNTカソード表面に密接に取り付けられ、次いで、取り外される。テーピングの結果として、いくらかのカーボンナノチューブが垂直に配向し、そして弱く結合したCNT部分が除去される。いくらかの接着剤の残留物が、カーボンナノチューブ層の頂部に残される可能性がある。テーピング活性化プロセス後のカソード表面上の有機性残留物は、電界放出作動の間に、望ましくない残留気体を、密封されたガラスディスプレイエンベロープ内に放出し得る。また、表面積が広い基板にわたって均一に活性化させることは、依然として困難である。例えば、多くのディスプレイ用途は、40インチ〜100インチのディスプレイパネルを必要とし得る。
CNTの一部は、テーピングプロセス後に垂直に整列し得るが、このことは、CNTカソードの電界放出特性を改善する際の、主要な因子であると考えられており、実際に、CNT材料の一部は、テープの接着層によって除去される。ある研究者は、CNTの密度が非常に高い場合に、CNTの電界放出特性が低下することを見出した(非特許文献4)。CNTが互いに非常に接近している場合、電界放出遮蔽効果が起こり、CNTが電子を放出することを妨げる。粒子と混合されたCNTでは、電界放出特性が増強された。これは、その粒子によってCNTが互いに離れているからである(Dongsheng Mao,Richard Lee Fink,Zvi Yaniv,「Enhanced field emission from carbon nanotubes mixed with particles」、特許文献2)。非特許文献2において、研究者らは、CNT混合物の被覆後の活性化プロセス(例えば、テーピング)なしで、良好な電界放出結果を得た。炭素フィルムをコールドカソードとして使用する、以前の研究において、パターン付けされた炭素フィルムは、連続的な炭素フィルムよりもずっと良好な電界放出特性を有することが観察された(Zhidan Li Tolt,Zvi Yaniv,Richard Lee Fink,「Surface treatment process used in growing a carbon film」、特許文献3)。別の活性化プロセスは、最適化された軟質ゴムローラを使用して、CNTを覆っている汚染物質を除去することを包含する(非特許文献5)。このプロセスの間、CNTの一部もまた除去され、そしてCNTの電界放出特性が改善された。摩擦プロセス後のCNTの整列は、観察されなかったが、CNTコーティングに電場が印加された後に、整列が観察された。このことは、カソード上のCNTの整列が、改善された電界放出特徴のために必要とされる重要な特性ではないことを示す。
米国特許第6,436,221号明細書 米国特許第6,798,127号明細書 米国特許第6,630,023号明細書 Zvi Yaniv,「The status of the carbon electron emitting films for display and microelectronic applications」,The International Display Manufacturing Conference,January 29−31,2002,Seoul,Korea D.S.Chung,W.B.Choi,J.H.Kangら,「Field emission from 4.5 in. single−walled and multi−walled carbon nanotube films」,J.Vac.Sci.Technol.B18(2),1054−1058(2000) D.S.Mao,R.L.Fink,G.Montyら,「New CNT composites for FEDs that do not require activation」,Proceedings of the Ninth International Display Workshops,Hiroshima,Japan,p.1415,December 4−6,2002 Jean−Marc Bonard,Nicolas Weiss,Hannes Kindら,「Tuning the field emission properties of patterned carbon nanotube films」,Advanced Materials 13,184−188(2001) Yong C.Kim,K.H.Sohn,Y.Mo.Cho,およびEun H.Yoo,「Vertical alignment of printed carbon nanotubes by multiple field emission cycles」,Appl.Phys.Lett 84,5350−5352(2004)
関連技術におけるこれらの知見を考慮して、CNTが表面上で高密度になりすぎて被覆されることにより、電子の放出を阻止しないように、CNTカソードを低温で製造することが必要とされる。CNT材料の最適化された空間分布を用いて、被覆後の活性化プロセスが排除され得、これによって、得られる電界放出ディスプレイ装置の製造におけるかなりの費用および努力を節約する。
(発明の要旨)
本発明は、活性化プロセス工程を必要とせずに、改善された電界放出特徴を有するCNTカソードを得る方法を提供することによって、上記必要性に取り組む。CNT材料は、カソード電極表面上に、互いから物理的に点在する不連続な島状電界放出領域の層として、被覆される。電界放出性能の最適化は、島状電界放出領域の密度を調節することによって、実現される。本発明の方法は、増強された電界放出特性を得るために、CNT材料を他の粒子と混合することも、CNTを物理的に整列させることも、いずれも必要としない。
電界放出カソードのためにCNT材料を被覆させることに関する、先行技術より優れた本発明の利点としては、引き続く基板の活性化および材料の除去を伴う被覆と比較した場合に、必要とされるCNTの量、および全体的に単純なプロセスが挙げられる。低温での被覆プロセス(例えば、スクリーン印刷)を使用して、本発明は、工業規模の操作のために、費用対効果が優れた方法を提供する。
上記のことは、以下の発明の詳細な説明がよりよく理解され得るために、本発明の特徴および技術的利点をかなり広範に概説した。本発明のさらなる特徴および利点は、本発明に係る特許請求の範囲における主要部を形成し、以下で本明細書において記載される。
本発明およびその利点のより完全な理解のために、以下の明細書が、添付の図面と組み合わせて参照される。
(詳細な説明)
以下の説明において、多数の具体的な詳細(例えば、具体的な基板材料)が、本発明の完全な理解を提供するために、記載される。しかし、本発明は、このような具体的な詳細なしで実施され得ることが、当業者に明らかである。他の例において、本発明を不必要な細部において不明瞭にしないために、周知の回路が、ブロック図の形態で示されている。ほとんどの部分において、タイミングの問題などに関する細部は、このような細部が本発明の完全な理解を得るためには必ずしも必要ではなく、そして関連分野の当業者の技術範囲内である限り、省略されている。
ここで、図面が参照される。図面に図示される要素は、必ずしも、同一縮尺で示されてはおらず、そして同じかまたは類似の要素は、数枚の図にわたって、同じ参照番号によって表される。
本発明は、互いから離れているCNT島状領域をパターン付けすることによって、実質的に増強された電界放出特性を提供する。本発明の方法およびデバイスは、CNTカソード材料の電界放出を容易にするための活性化プロセスを必要としない。従って、本発明は、非常に容易かつ低費用のプロセスを組み込み、このプロセスは、非常に良好な均一性で、非常に広い面積にわたって、実施され得る。
本発明の1つの実施例において使用される、未精製の単層カーボンナノチューブ(SWNT)(Iljin Nanotech,Inc.,Korea製)および精製単層カーボンナノチューブ(Carbon Nanotechnologies,Inc.,Houston,Texas製)は、直径1nm〜2nmおよび長さ5μm〜20μmであった。他の供給源からの、精製されたものと未精製のものとの両方の、単層、二層または多層の、カーボンナノチューブ、炭素繊維または他の種類のナノチューブおよびナノワイヤもまた、使用され得、類似の結果が得られる。CNT材料はまた、化学修飾されたCNT、機能化されたCNT、または種々の方法によって誘導体化されたCNTからなり得る。CNT材料としてはまた、他の種々の形態のナノ粒子(バルキーチューブ(buckytube)、炭素繊維、金属カーボンナノチューブ、半導体カーボンナノチューブが挙げられる)が挙げられ得る。いくつかの場合において、ナノ粒子材料は、球状粒子、皿状粒子(dish−shaped particle)、板状粒子(lamellar particle)、棒様粒子、金属粒子、半導体粒子、ポリマー粒子、セラミック粒子、誘電粒子、粘土粒子および繊維を含有し得る。他の例示的な方法において、上記なの粒子の組成および形態の種々の組み合わせもまた、本発明を実施するために使用され得る。
本発明の例示的な実施例において、島状CNT領域は、スクリーン印刷プロセスを使用して形成された。1つの方法において、CNTを含有するペーストを、磨砕プロセスによって作製した。このCNTペーストを、1.3gのCNT粉末を、8gのビヒクル(有機溶媒、Daejoo Fine Chemical Co.,Korea製)、0.7gの低融点(430℃)のガラスフリット(結合剤、Daejoo Fine Chemical Co.,Korea製)、およびシンナー(有機溶媒、Dupont)と混合することにより作製して、このペーストの粘度をさらに調整した。3ロールミル(Netzsch Inc.)を使用して、このペーストを少なくとも20回磨砕し、CNTをこのペースト中に分散させた。1つの混合物中の、ペーストの最終粘度は、約130,000CPであった。
次いで、このCNTペーストを、スクリーン印刷プロセスによって被覆させた。355メッシュのスクリーンを使用して、このCNTペーストを、制御された厚さで、基板上に印刷した。図1は、このメッシュスクリーンの光学顕微鏡画像を示す。このスクリーンを、パターン付けされたポリエステルラインの上に10ミクロンのエマルジョンを載せて形成し、CNTペーストの厚さを制御した。これらのポリエステルラインの幅は、約42ミクロンである。CNTペーストが基板へと通過する開口部の大きさは、28ミクロン×28ミクロンである。いくらかのCNT材料は、この印刷プロセス後に、これらの開口部内に残ることが判る。他の場合には、種々の適合可能な大きさのメッシュスクリーンがまた、本発明を実施するために使用され得る。本発明の他の例において、スクリーン印刷プロセス以外のプロセス(例えば、スプレー、ブラッシング、インクジェット印刷、電気泳動被覆、および分散)もまた、利用され得る。
手で絞ることによって、CNTペーストを、ITO/ガラス表面上に、3cm×3cmの領域にわたって印刷した。次いで、このサンプルを100℃で10分間、オーブン内で焼成して、CNTコーティングの上部表面を、印刷の直後に硬化させた。図2は、焼成後のCNTコーティングの光学顕微鏡画像を示す。島状CNT領域が、この画像中に明らかに見られる。次いで、このサンプルを、真空オーブン内で火炎処理(firing)した。1つの火炎処理プロセスにおいて、温度を、1時間あたり180℃の速度で上昇させた。次いで、この温度を、315℃で10分間維持し、CNTコーティング混合物中の有機材料を蒸発させた。次いで、このオーブンをNガスでフラッディングし、CNTが黒鉛化することを防止し、他方で、10分間にわたって温度を450℃までさらに上昇させ、ガラスフリットを融解させた。1つの実施形態において、融解したガラスフリットは、伝導性層とCNTコーティングとの間の接着を改善した。次いで、このサンプルを室温まで冷却した。図3は、火炎処理プロセス後のサンプルの光学顕微鏡画像を示す。この実施例において、これらの島状CNT領域の厚さは、約2ミクロン〜4ミクロンであった。
電界放出特性の比較のために、サンプルを、2回、3回、および5回印刷した。印刷された層の数の増加と供に、島状CNT領域は、より大きく、かつより密度が高くなった。サンプルを印刷するごとに、これらのサンプルを、100℃で10分間焼成し、その後、再度印刷した。図4は、5回印刷されたサンプルの光学顕微鏡画像を示す。いくらかのCNTクラスターが互いに接続されていることが、図4に明らかに見られる。
電界放出特性を比較するために、全てのサンプル(1回印刷したもの、2回印刷したもの、3回印刷したもの、および5回印刷したもの)を、これらを図11に示されるようなダイオード構成で、アノードとカソードとの間のギャップを約0.5mmにして、リン光スクリーンを用いて設置することによって、試験した。この試験アセンブリを減圧チャンバに入れ、そして10−7トルの圧力までポンプで減圧した。次いで、これらのカソードの電気的特性を、負のパルス電圧(AC)をカソードに印加し、そしてアノードを接地電圧に維持し、同時にアノードにおける電流を測定することによって、測定した。DC電位もまた、試験のために使用され得る。これらのサンプルについての放出電流対電場(電界)のグラフを、図5に示す。
2回印刷されたサンプルは、最もよい電界放出特性(すなわち、最も低い電場強度での放出)を示した。2回印刷されたサンプルの電界放出画像を、図6に示す。図6は、非常に良好な均一性および高い放出部位密度を示す。30mAの放出電流における電場は、それぞれ、7.82V/ミクロン、6.34V/ミクロン、6.44V/ミクロン、および7.2V/ミクロンであった。これらのデータは、最適な島状CNT領域密度が、この実施例における、CNTペーストを2回印刷することに対応したことを示す。3回以上印刷されたサンプルについて、電界放出特性は、島状CNT領域の密度が増加すると共に、低下した。このことは、電場の遮蔽効果を示し、これは、これらのサンプルにおける電界放出挙動に対して有害である。本発明の他の実施形態において、印刷プロセスが、1回の印刷操作で、最良の電界放出結果に対応する最適な島状CNT領域の大きさおよび密度を生じるように改変され得る。
さらなる比較のために、テーピングプロセスを実施して、印刷プロセス後にCNTを活性化させた(Yang Chang,Jyh−Rong Sheu,Cheng−Chung Lee,Industrial Technology Research Institute,Hsinchu,TW,「Method of Improving Field Emission Efficiency for Fabrication Carbon Nanotube Field Emitters」,米国特許第6,436,221号)。透明なテープ(#336,3M)を使用して、CNTを活性化させた。2回印刷されたサンプルを、この実験のために選択した。なぜなら、このサンプルは、最良の電界放出挙動を示したサンプルであるからである。テープを、米国特許第6,436,221号に記載されるプロセスと同じプロセスを使用して、CNTコーティング上に重ねた。次いで、このテープを剥がした。図7は、テーピングの前後での、これらのサンプルの電界放出電流対電場電流を示す。これらのデータは、テーピングされたサンプルとテーピングされていないサンプルとの間に、電界放出特性にはほとんど差がないことを示す。
本発明の別の例示的な実施例において、CNTペーストを、パターン付けされた構造を有する、より広い面積に印刷した。これは、ガラス基板上に被覆されたITOのブランケット層上に形成された、前述のサンプルとは対照的である。CNTコールドカソードデバイスについて、抽出電圧を低下させ、そして費用をかなり削減するために、トリオード構造体を使用し得る。この実施例について、精製されたSWNT形態のCNT(Carbon Nanotechnologies,Inc.)を使用した。図8を参照すると、CNTペースト103を、パターン付けされた構造体101、106、107の表面に印刷した。最初に、6ミクロンの厚さの銀ペースト電極106を、ガラス基板101上にスクリーン印刷した。次いで、50ミクロンの厚さの絶縁オーバーコート107を印刷し、これによって、表面上に、銀電極106の小さい開口部を残した。これらの開口部の大きさは、1つの場合において、300ミクロン×800ミクロンであり、一方で、これらの開口部の数は、160×480ピクセルであった。全カソード活性面積は、10インチ×10インチであった。
CNTペーストを、パターン付けされた355メッシュのスクリーン(図1を参照のこと)を通して、ウェル内に印刷した。本発明の1つの実施形態におけるスクリーン印刷プロセスの工程を、図6A〜図6Fに図示する。図6A(この図は、スクリーン印刷装置の断面図を図示する)を参照すると、ステージ(またはチャック(chuck))613が、ペースト(またはインク)611を用いて印刷されるべき基板614を受容する。ペースト611は、画像メッシュスクリーン616の印刷表面610の型面に被覆される。スキージー612は、ペースト611を、メッシュスクリーン616の開口部605にわたって均一に塗布するための手段である。図6Bを参照すると、ステージ613は、基板614と一緒になって、スクリーンに整列され、その結果、スクリーン616と基板614との間の望ましいスナップオフ距離が達成される。この整列は、ステージ613および基板614の、(x,y,z)方向615での操作によってなされ、これにより、さらなる角度修正または整列もまた、実施され得る。図6Cにおいて、スキージー612の、メッシュスクリーン616の表面610を横切る、方向620での移動が実施され、これは、ペースト611を、スクリーン表面610にわたって均一に、効果的に分配する。ペースト611は、スキージー612の力によって、メッシュ開口部605を強制的に通される。図6Dにおいて、ステージ613および基板614(今は、ペースト611を印刷されている)が、メッシュスクリーン616から離れるように下げられる(625)。図6Eは、得られたステージ613、およびペースト611で印刷された基板614を図示する。図6Fにおいて、ステージ613が除去され、望ましい製品(メッシュスクリーン616のパターンに従ってペースト611を印刷された基板614)を残す。
絶縁オーバーコート107は、CNTコーティング103より30ミクロン〜40ミクロン高かった。次いで、このサンプルを、前述の実施例において示された手順に従って、焼成およびか円処理した。次いで、電界放出特性を、先に言及されたように試験した。図9は、120mAの放出電流で、ダイオードモードで試験することによって得られた、サンプルの電界放出画像を示す。この画像は、電界放出が、広い面積にわたって均一であったことを示す。縁部の暗い領域は、曲がったアノードスクリーンの結果であり、これは、カソードとアノードとの間に、不均一なギャップを作製した。
本発明を実施するための代表的なハードウェア環境が、図10に示される。図10は、本発明に従う、データ処理システム513の例示的なハードウェア構成を図示し、システムバス512を介して相互接続された、中央処理装置(CPU)510(例えば、従来のマイクロプロセッサ)および多数の他のユニットを有する。データ処理システム513は、ランダムアクセスメモリ(RAM)514、リードオンリーメモリ(ROM)516、および入力/出力(I/O)アダプタ518(ディスクユニット520およびテープドライブ540のような周辺機器をバス512に接続するためのもの)、ユーザインターフェースアダプタ522(キーボード524、マウス526、および/または他のユーザインターフェースデバイス(例えば、タッチスクリーンデバイス(図示せず))をバス512に接続するためのもの)、通信アダプタ534(データ処理システム513をデータ処理ネットワークに接続するためのもの)、およびディスプレイアダプタ536(バス512をディスプレイデバイス538に接続するためのもの)を備える。CPU 510は、本明細書中には示されない他の回路構成要素を備え得、これには、マイクロプロセッサ中に通常見出される回路構成要素(例えば、実行ユニット、バスインターフェースユニット、計算論理ユニットなど)が挙げられる。ディスプレイデバイス538は、本発明の可能な実施形態を代表する。
図11は、上で作製されたようなダイオード構成において、カソードを使用して作製された電界放出ディスプレイ538の一部を図示する。このカソードには、伝導性層106およびCNTエミッタ103が含まれる。このアノードは、ガラス基板612、およびインジウムスズ層613、および陰極ルミネッセンス層(cathodoluminescent)614から構成され得る。電場が、アノードとカソードとの間に発生される。このようなディスプレイ538は、図10に関して説明されたように、データ処理システム513において利用され得る。
本発明およびその利点が、詳細に記載されたが、種々の変更、置換および代替が、添付の特許請求の範囲によって規定されるような本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本明細書中においてなされ得ることが、理解されるべきである。
図1は、メッシュスクリーンの光学画像を示す。 図2は、基板上のCNTコーティングの光学顕微鏡画像を示す。 図3は、火炎処理プロセス後のサンプルの光学画像を示す。 図4は、5回印刷したサンプルの光学顕微鏡画像を示す。 図5は、数種のサンプルの、電界放出電流対電場のデータを図示する。 図6は、30mAの放出電流で2回印刷されたサンプルの電界放出画像を示す。 図6A〜6Fは、本発明の実施形態におけるスクリーン印刷プロセスを図示する。 図6A〜6Fは、本発明の実施形態におけるスクリーン印刷プロセスを図示する。 図6A〜6Fは、本発明の実施形態におけるスクリーン印刷プロセスを図示する。 図6A〜6Fは、本発明の実施形態におけるスクリーン印刷プロセスを図示する。 図6A〜6Fは、本発明の実施形態におけるスクリーン印刷プロセスを図示する。 図6A〜6Fは、本発明の実施形態におけるスクリーン印刷プロセスを図示する。 図7は、本発明のサンプルの、電界放出電流対電場のデータを図示する。 図8は、基板の構造の概略図を図示する。 図9は、本発明の実施形態の電界放出画像サンプルを示す。 図10は、データ処理システムを図示する。 図11は、ダイオード構成でカソードを使用して作製された、電界放出ディスプレイの一部を図示する。

Claims (20)

  1. 電界放出カソードデバイスを形成するための方法であって、該方法は、ナノ粒子材料の表面層を、基板上に被覆させる工程を包含し、その結果、該ナノ粒子材料の表面層は、互いから物理的に点在する複数の島状電界放出領域を形成する、方法。
  2. 前記ナノ粒子材料の島状電界放出領域が:
    約10nmの幅より大きく;
    互いとの間に約10nmより大きい距離を有し;そして
    約1nmの厚さより大きい、
    請求項1に記載の方法。
  3. 前記基板が、伝導性電極層を備える、請求項1に記載の方法。
  4. 前記ナノ粒子材料層が、スクリーン印刷、ブラッシング、スプレー、分散、インクジェット印刷、ナノインプリンティング、ディップペンリソグラフィー、X線リソグラフィー、光リソグラフィー、およびこれらの任意の組み合わせからなる群より選択される方法によって被覆される、請求項1に記載の方法。
  5. 前記ナノ粒子材料が、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バルキーチューブ、炭素繊維、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化カーボンナノチューブ、金属カーボンナノチューブ、半導体カーボンナノチューブ、およびこれらの任意の組み合わせからなる群より選択されるカーボンナノチューブを含有する、請求項1に記載の方法。
  6. 前記ナノ粒子材料が、球状粒子、皿状粒子、板状粒子、棒様粒子、金属粒子、半導体粒子、ポリマー粒子、セラミック粒子、誘電粒子、粘土粒子、繊維、およびこれらの任意の組み合わせからなる群より選択される粒子を含有する、請求項1に記載の方法。
  7. 前記ナノ粒子材料が、約25ミクロン〜30ミクロンの幅のメッシュ開口部を有する355メッシュのスクリーンを使用して被覆される、請求項1に記載の方法。
  8. 電界放出カソードデバイスであって、ナノ粒子材料が、互いから物理的に点在する複数の島状電界放出領域を備えるように、基板上の該ナノ粒子材料の表面層を備える、電界放出カソードデバイス。
  9. 前記ナノ粒子材料の島状電界放出領域が:
    約10nmの幅より大きく;
    互いとの間に約10nmより大きい距離を有し;そして
    約1nmの厚さより大きい、
    請求項8に記載のデバイス。
  10. 前記基板が、伝導性電極層を備える、請求項8に記載のデバイス。
  11. 前記ナノ粒子材料層が、スクリーン印刷、ブラッシング、スプレー、分散、インクジェット印刷、ナノインプリンティング、ディップペンリソグラフィー、X線リソグラフィー、光リソグラフィー、およびこれらの任意の組み合わせからなる群より選択される方法によって被覆される、請求項8に記載のデバイス。
  12. 前記ナノ粒子材料が、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バルキーチューブ、炭素繊維、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化カーボンナノチューブ、金属カーボンナノチューブ、半導体カーボンナノチューブ、およびこれらの任意の組み合わせからなる群より選択されるカーボンナノチューブを含有する、請求項8に記載のデバイス。
  13. 前記ナノ粒子材料が、球状粒子、皿状粒子、板状粒子、棒様粒子、金属粒子、半導体粒子、ポリマー粒子、セラミック粒子、誘電粒子、粘土粒子、繊維、およびこれらの任意の組み合わせからなる群より選択される粒子を含有する、請求項8に記載のデバイス。
  14. 前記ナノ粒子材料が、約25ミクロン〜30ミクロンの幅のメッシュ開口部を有する355メッシュスクリーンを使用して被覆される、請求項1に記載のデバイス。
  15. 電界放出ディスプレイ装置であって、該電界放出ディスプレイ装置は、アノードアセンブリおよびカソードアセンブリを備え、該カソードアセンブリは:
    導電性層;および
    該導電性層上のナノ粒子材料の表面層として被覆された電界放出カソード材料であって、これによって、該ナノ粒子材料は、互いから物理的に点在する複数の島状電界放出領域を形成する、電界放出カソード材料、
    をさらに備える、電界放出ディスプレイ装置。
  16. 前記ナノ粒子材料の島状電界放出領域が:
    約10nmの幅より大きく;
    互いとの間に約10nmより大きい距離を有し;そして
    約1nmの厚さより大きい、
    請求項15に記載の装置。
  17. 前記ナノ粒子材料層が、スクリーン印刷、ブラッシング、スプレー、分散、インクジェット印刷、ナノインプリンティング、ディップペンリソグラフィー、X線リソグラフィー、光リソグラフィー、およびこれらの任意の組み合わせからなる群より選択される方法によって被覆される、請求項15に記載の装置。
  18. 前記ナノ粒子材料が、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バルキーチューブ、炭素繊維、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化カーボンナノチューブ、金属カーボンナノチューブ、半導体カーボンナノチューブ、およびこれらの任意の組み合わせからなる群より選択されるカーボンナノチューブを含有する、請求項15に記載の装置。
  19. 前記ナノ粒子材料が、球状粒子、皿状粒子、板状粒子、棒様粒子、金属粒子、半導体粒子、ポリマー粒子、セラミック粒子、誘電粒子、粘土粒子、繊維、およびこれらの任意の組み合わせからなる群より選択される粒子を含有する、請求項15に記載の装置。
  20. 前記ナノ粒子材料が、約25ミクロン〜30ミクロンのメッシュ開口部を有する355メッシュスクリーンを使用して被覆される、請求項15に記載の装置。
JP2007536693A 2004-09-10 2005-09-08 活性化させないカーボンナノチューブによる電界放出の増強法 Expired - Fee Related JP5090917B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US60912804P 2004-09-10 2004-09-10
US60/609,128 2004-09-10
US11/215,696 2005-08-30
US11/215,696 US7736209B2 (en) 2004-09-10 2005-08-30 Enhanced electron field emission from carbon nanotubes without activation
PCT/US2005/031775 WO2007035178A2 (en) 2004-09-10 2005-09-08 Enhanced electron field emission from carbon nanotubes without activation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008512849A true JP2008512849A (ja) 2008-04-24
JP5090917B2 JP5090917B2 (ja) 2012-12-05

Family

ID=37889280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007536693A Expired - Fee Related JP5090917B2 (ja) 2004-09-10 2005-09-08 活性化させないカーボンナノチューブによる電界放出の増強法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7736209B2 (ja)
JP (1) JP5090917B2 (ja)
KR (1) KR101092540B1 (ja)
CN (1) CN101432838B (ja)
TW (1) TWI378155B (ja)
WO (1) WO2007035178A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010218773A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 National Institute For Materials Science ナノカーボンエミッタ及びその製造方法並びにそれを用いた面発光素子

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8958917B2 (en) 1998-12-17 2015-02-17 Hach Company Method and system for remote monitoring of fluid quality and treatment
US9056783B2 (en) 1998-12-17 2015-06-16 Hach Company System for monitoring discharges into a waste water collection system
US7454295B2 (en) 1998-12-17 2008-11-18 The Watereye Corporation Anti-terrorism water quality monitoring system
US8920619B2 (en) 2003-03-19 2014-12-30 Hach Company Carbon nanotube sensor
US7777928B2 (en) * 2005-02-28 2010-08-17 Chad Byron Moore Electrode enhancements for fiber-based displays
US9743142B2 (en) * 2008-02-19 2017-08-22 Time Warner Cable Enterprises Llc Multi-stream premises apparatus and methods for use in a content delivery network
KR101302335B1 (ko) * 2009-09-23 2013-08-30 (주)엘지하우시스 바닥재 및 그 제조 방법
KR101283578B1 (ko) * 2009-12-11 2013-07-08 한국전자통신연구원 플라스틱 기판 및 그 제조 방법
JP6397656B2 (ja) * 2013-05-24 2018-09-26 韓國電子通信研究院Electronics and Telecommunications Research Institute 単一電源の多極型電界放出装置およびその駆動方法
US20140363643A1 (en) * 2013-06-07 2014-12-11 International Business Machines Corporation Surface-Selective Carbon Nanotube Deposition Via Polymer-Mediated Assembly
EP3933881A1 (en) 2020-06-30 2022-01-05 VEC Imaging GmbH & Co. KG X-ray source with multiple grids

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004034417A2 (en) * 2002-10-09 2004-04-22 Nano-Proprietary, Inc. Enhanced field emission from carbon nanotubes mixed with particles

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930009170B1 (ko) * 1991-10-24 1993-09-23 삼성전관 주식회사 함침형 음극의 제조방법
JP2985467B2 (ja) * 1992-01-22 1999-11-29 三菱電機株式会社 含浸型カソードの製造方法
DE4405768A1 (de) * 1994-02-23 1995-08-24 Till Keesmann Feldemissionskathodeneinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
FR2726688B1 (fr) * 1994-11-08 1996-12-06 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a effet de champ et procede de fabrication de cette source, application aux dispositifs de visualisation par cathodoluminescence
TW320732B (ja) * 1995-04-20 1997-11-21 Matsushita Electron Co Ltd
US6296740B1 (en) * 1995-04-24 2001-10-02 Si Diamond Technology, Inc. Pretreatment process for a surface texturing process
JP3624992B2 (ja) * 1996-04-22 2005-03-02 富士通株式会社 表示パネルの隔壁形成方法
US5830527A (en) * 1996-05-29 1998-11-03 Texas Instruments Incorporated Flat panel display anode structure and method of making
US5726524A (en) * 1996-05-31 1998-03-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Field emission device having nanostructured emitters
WO1998005920A1 (en) * 1996-08-08 1998-02-12 William Marsh Rice University Macroscopically manipulable nanoscale devices made from nanotube assemblies
US6057637A (en) * 1996-09-13 2000-05-02 The Regents Of The University Of California Field emission electron source
US6310432B1 (en) * 1997-05-21 2001-10-30 Si Diamond Technology, Inc. Surface treatment process used in growing a carbon film
JP3790047B2 (ja) 1998-07-17 2006-06-28 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 電子放出源の製造方法
DE69823441T2 (de) * 1997-09-30 2004-09-23 Noritake Co., Ltd., Nagoya Elektronen emittierende Quelle
US6409567B1 (en) * 1997-12-15 2002-06-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Past-deposited carbon electron emitters
WO1999066523A1 (fr) * 1998-06-18 1999-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif emetteur d'electrons, source emettrice d'electrons, affichage d'images ainsi que procede de production de ceux-ci
US6630772B1 (en) * 1998-09-21 2003-10-07 Agere Systems Inc. Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device
US6441550B1 (en) * 1998-10-12 2002-08-27 Extreme Devices Inc. Carbon-based field emission electron device for high current density applications
JP4109809B2 (ja) * 1998-11-10 2008-07-02 キヤノン株式会社 酸化チタンを含む細線の製造方法
JP4069532B2 (ja) * 1999-01-11 2008-04-02 松下電器産業株式会社 カーボンインキ、電子放出素子、電子放出素子の製造方法、および画像表示装置
JP3943272B2 (ja) * 1999-01-18 2007-07-11 双葉電子工業株式会社 カーボンナノチューブのフイルム化方法
US6250984B1 (en) * 1999-01-25 2001-06-26 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article
JP2000260298A (ja) 1999-03-05 2000-09-22 Sony Corp 冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置
US6538367B1 (en) * 1999-07-15 2003-03-25 Agere Systems Inc. Field emitting device comprising field-concentrating nanoconductor assembly and method for making the same
US6277318B1 (en) * 1999-08-18 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabrication of patterned carbon nanotube films
EP1102298A1 (en) * 1999-11-05 2001-05-23 Iljin Nanotech Co., Ltd. Field emission display device using vertically-aligned carbon nanotubes and manufacturing method thereof
AUPQ930800A0 (en) * 2000-08-10 2000-08-31 Megara (Australia) Pty Ltd Finishing of metal surfaces and related applications
US6553096B1 (en) * 2000-10-06 2003-04-22 The University Of North Carolina Chapel Hill X-ray generating mechanism using electron field emission cathode
US6699642B2 (en) * 2001-01-05 2004-03-02 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing triode carbon nanotube field emitter array
US6436221B1 (en) * 2001-02-07 2002-08-20 Industrial Technology Research Institute Method of improving field emission efficiency for fabricating carbon nanotube field emitters
JP2003166040A (ja) 2001-02-08 2003-06-13 Hitachi Maxell Ltd 金属合金微粒子及びその製造方法
JP2002343280A (ja) * 2001-05-16 2002-11-29 Hitachi Ltd 表示装置とその製造方法
WO2002103737A2 (en) * 2001-06-14 2002-12-27 Hyperion Catalysis International, Inc. Field emission devices using ion bombarded carbon nanotubes
US6890230B2 (en) * 2001-08-28 2005-05-10 Motorola, Inc. Method for activating nanotubes as field emission sources
US20060252163A1 (en) * 2001-10-19 2006-11-09 Nano-Proprietary, Inc. Peelable photoresist for carbon nanotube cathode
US7195938B2 (en) * 2001-10-19 2007-03-27 Nano-Proprietary, Inc. Activation effect on carbon nanotubes
US6813828B2 (en) * 2002-01-07 2004-11-09 Gel Pak L.L.C. Method for deconstructing an integrated circuit package using lapping
US20040109813A1 (en) * 2002-12-05 2004-06-10 National Tsing Hua University Process and device for upgrading current emission
JP2005005079A (ja) 2003-06-11 2005-01-06 Hitachi Displays Ltd 自発光型平面表示装置とその製造方法
TWI231521B (en) * 2003-09-25 2005-04-21 Ind Tech Res Inst A carbon nanotubes field emission display and the fabricating method of which
US7125308B2 (en) * 2003-12-18 2006-10-24 Nano-Proprietary, Inc. Bead blast activation of carbon nanotube cathode

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004034417A2 (en) * 2002-10-09 2004-04-22 Nano-Proprietary, Inc. Enhanced field emission from carbon nanotubes mixed with particles

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010218773A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 National Institute For Materials Science ナノカーボンエミッタ及びその製造方法並びにそれを用いた面発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
TW200622031A (en) 2006-07-01
CN101432838B (zh) 2012-11-14
KR101092540B1 (ko) 2011-12-14
US7736209B2 (en) 2010-06-15
CN101432838A (zh) 2009-05-13
WO2007035178A2 (en) 2007-03-29
TWI378155B (en) 2012-12-01
KR20080009258A (ko) 2008-01-28
JP5090917B2 (ja) 2012-12-05
US20070278925A1 (en) 2007-12-06
WO2007035178A3 (en) 2009-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5090917B2 (ja) 活性化させないカーボンナノチューブによる電界放出の増強法
JP4937910B2 (ja) 電界放出用途のためのカーボンナノチューブの活性化
KR100982631B1 (ko) 입자들과 혼합된 카본 나노튜브로부터의 전계 방출
US7750544B2 (en) Electron emitter composition made of an electron emitting substance and an expansion material for expansion of the electron emitting substance
US20090095704A1 (en) Patterning cnt emitters
US20130313963A1 (en) Carbon nanotube field emission device with height variation control
JP2006261074A (ja) 電界放出物質の塗布方法および電界放出素子
KR100977312B1 (ko) 가요성 전자발광 소자 및 이를 적용한 디스플레이 및 그 제조방법
JP5069486B2 (ja) 薄膜型電子放出材料、その製造方法、電界放出型素子及び電界放出型ディスプレイ
JP2007149616A (ja) 電界放出素子とその製造方法
US20110124261A1 (en) Method of making air-fired cathode assemblies in field emission devices
JP4984130B2 (ja) ナノカーボンエミッタとその製造方法並びに面発光素子
JP5476751B2 (ja) ナノカーボンエミッタ及びその製造方法並びにそれを用いた面発光素子
Cho et al. P‐100: Field‐Emission Properties of Photosensitive Carbon Nanotube Using Ethanol
JP2008053177A (ja) ナノカーボンエミッタとその製造方法並びに面発光素子
Cho et al. P‐99: Field Emission Properties of RNA‐Carbon Nanotube Hybrid Film Using a Spray Method
KR20060082272A (ko) 전자 방출용 나노 카본계 전계 에미터 제작 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080905

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080905

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080922

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20101130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110610

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110621

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110920

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120814

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120913

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150921

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5090917

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees