TWI377983B - Aromatic isomerization catalyst - Google Patents

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TWI377983B
TWI377983B TW097134262A TW97134262A TWI377983B TW I377983 B TWI377983 B TW I377983B TW 097134262 A TW097134262 A TW 097134262A TW 97134262 A TW97134262 A TW 97134262A TW I377983 B TWI377983 B TW I377983B
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Paula Lucy Bogdan
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Description

1377983 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明之領域一般而言係關於(:8芳香族化合物異構化方 法或區段之觸媒。 【先前技術】 二甲笨(諸如對二甲苯、間二曱苯及鄰二甲苯)可為適用 於化學合成令之廣泛及不同應用之重要十間物…般而 °對一曱笨鉍氧化產生用於製造合成紡織纖維及樹脂之 對苯二甲酸。間二甲苯可用於製造增塑劑、偶氮染料、木 材防腐劑等。一般而言,鄰二甲苯為鄰苯二甲酸針產生之 原料。 來自催化重整或其他來源之二甲笨異構物通常不符合作 為化學中間體之所需比例且進一步包含可能難以分離或轉 化之乙基笨。一般而言,對二甲笨為大需求之主要化學中 間體,但僅占典型C8芳香族化合物流之2〇_25%。 • 物比率調節至符合需求可藉由將二甲苯異構物回收(諸如 用於對二甲笨回收之吸附)與異構化以產生額外量 異構物組合來實現。一般而言,異構化將缺乏所需二甲= .· =Ψ笨異構物之不平衡混合物轉化為接近平衡濃 ./開發多種觸媒及方法以實現二f笨異構化。在選擇適 當技術的過程中,裳龙_棟叮At w 要儘可此接近平衡地進行異構化方 以2化對二甲苯產率, ·然而,與此關聯的為由於副反廣 貝失較大。通常,所用之接近平衡為高轉化率 134209.doc 1377983 ,入接近平衡)下向C8環損失與歸因於未轉化C8芳香族 “物之大循環率之高使用成本之間的最佳折衷。因此可 基於活性、選擇性及穩定性之有利平衡來評估觸媒。
該等觸媒可包括氧化姉合#卜氧化紹之來源及用於製 備觸媒之各種處理步驟產生不同物理及化學特性,且對觸 媒效能之料可能係不可預知的。氧化㈣合劑之合適來 源可包括通常用於油滴球之經基氯化紹水溶膠(⑽氧化 鋁)或通常用於擠壓型觸媒之水鋁礦(B〇ehmite)。油滴丫球 /、使用擠壓型γ-氧化鋁之觸媒相比可傾向於具有較少環 損失。一般而言,需要產生具有類似效能之擠壓型氧化 鋁,因為該觸媒與使用〇DS氧化鋁黏合劑之觸媒相比可能 較廉價。因此,可使乙基苯異構化為二甲苯同時最小化^ 環損失之觸媒將為有利的。 【發明内容】 一例示性實施例可為用於C8芳香族化合物異構化方法之 觸媒。該觸媒可包括: 1-90重量%之沸石’包括MTW沸石; 10-99重量%之黏合劑,包括γ_氧化鋁,該厂氧化鋁係 衍生自水鋁礦氧化鋁(Boehmite alumina); :及
言’觸媒具 係由具有大 以元素為基礎计具,0.1-2重量%之貴金屬 至少一種鹼金屬。觸媒之總鹼金屬含量以 計算,可為至少1〇〇 ppm(以重量計)。一般而 有孔隙體積分布,且觸媒之至少70%孔隙體積 於100人之直徑的孔隙界定。 134209.doc 1377983 另一例示性實施例可為用於C8芳香族化合物異構化方法 之觸媒。該觸媒可包括: 1-90重量%之沸石,包括MTW沸石; 10-99重量%之黏合劑,包括丫_氧化鋁; 以元素為基礎計算’ 0.1-2重量%之貴金屬;及 至少一種鹼金屬’其中以元素為基礎計算,觸媒之總 驗金屬含量為至少100 ppm(以重量計)。一般而言,觸媒 具有孔隙體積分布,且觸媒之至少7〇%孔隙體積係由具有 大於1 00人之直徑的孔隙界定’且觸媒之至少95%孔隙體積 係由具有小於1 〇〇〇 A之直徑的孔隙界定。 另一例示性實施例為芳香族化合物生產設備。芳香族化 合物生產設備可包括二曱苯異構物分離區段及接收來自二 甲苯異構物分離區段之去除至少一種二甲苯異構物之物流 的C8芳香族化合物異構化區段。一般而言,C8芳香族化 合物異構化區段包括具有孔隙體積分布之觸媒,且觸媒之 至少70%孔隙體積係由具有大於1 〇〇 A之直徑的孔隙界定。 該觸媒可包括: 1-90重量%之沸石,包括MTW沸石; 10-99重量%之黏合劑,包括^氧化鋁; 以元素為基礎計算,〇 N2重量。/。之貴金屬;及 至少一種驗金屬。觸媒之總鹼金屬含量以元素為基礎 °十算,可為至少l〇〇ppm(以重量計)。 因此,該觸媒可提供等於或低於以〇!)3氧化鋁黏合劑製 成之觸媒之水準的較低C8環損失。在一些例示性實施例 I34209.doc 1377983 中,已發現使用具有確定孔徑分布及較高鹼金屬含量之氧 化紹因(例如)省略觸媒洗滌而產生具有低C8環損失之觸 媒。 【實施方式】 定義
如本文中所使用之術語"區段”可指包括一或多個設備零 件及/或一或多個子區段之區域。設備零件可包括一或多 個反應器或反應容器、加熱器、分離器、交換器、管道、 泵、壓縮器及控制器。此外,諸如反應器或容器之設備零 件可進一步包括一或多個區段或子區段β 如本文中所使用之術語"物流"可為包括各種烴分子(諸如 直鏈、分支鏈或環狀烷烴、烯烴、二烯烴及炔烴)及(視需 要)其他物質(諸如氣體(例如氫氣)或雜質(諸如重金屬))之 物流。物流亦可包括芳香族烴及非芳香族烴。此外,烴分
子可簡寫為Cl、C2、C3...Cn,其中"η”表示烴分子中 子之數目。 戈口 +又τ所使用 夕t ^ " ."、w 口m蒽謂含有一或 少個不飽和環狀碳基環之基團,#中_或多個碳基可哩— 或多個非碳基置換。例示性芳香族化合物為苯,其 有三個雙鍵之C6環1他例示性芳香族化合物可包括3 f苯、鄰二▼苯、間二甲苯及A 宁一 a 基本。此外’將物流或區 •k表徵為方香知化合物"可 物。 次夕種不同芳香族化合 如本文中所使用之術語"載體 "通常意謂在添加 一或多種 •34209.doc 其他催化活性組份(諸如眚 ^ ^ ,,屬)或後續方法(諸如還原或硫 化)之則已與黏合劑組合之分子篩。 練礙或石化生產設備可包括芳香族化合物 Π= 合物聨合裝置尤 笨。"笑二 甲苯異構物(諸如對二甲 ^ 本)之C8芳香族化合物聯合裝置。UW8 B/番中揭Η用於萃取對二甲笨之芳香族化合物聯合裝置。 方香杈化合物聯合裝w 衮置之原枓可包括任何組合之通式 (“A之可異構化C8芳香族烴,其中η為2至5之整數, 且 R為 CH3、C2H5、c3Hwtc4H9,且包 9儿巴栝其所有異構物。 。適以方香族烴可包括鄰二甲苯、間二甲[對二”、 乙基本、;;基甲苯、三-甲基苯、二-乙基苯、三-乙基苯、 甲基丙基苯、乙某而其贫 „ 本、一-異丙基笨或其混合物。 /香族化合物聯合裝置可包括二甲苯異構物分離區段 (邊如對一甲笨分離區段)⑽芳香族化合物異構化區段。 C8芳香族化合物異構化區段可接收去除至少—種二甲苯显 構物(諸如對二甲苯或間二甲苯)之物流心芳香族化合物 異構化區段可重建二甲苯異構物之平衡濃度且將其他化合 物(諸如乙基笨)轉化為二甲苯。-般而言,該區段可增加 二甲苯異構物(諸如對二甲笨)之量,且可將來自c8芳香族 化。物異構化區段之產物再循環至二甲苯異構物分離區段 以回收更多所需異構物。 本文中所揭示觸媒之-例示性應用為含有乙基苯及二甲 苯之C8芳香族混合物的異構化。—般而言,該混合物具有 134209.doc 1377983 1-50重i %之乙基笨含量,達35重量%之鄰二甲笨含量, 20-95重量。/。之間二曱苯含量及達3〇重量。,。之對二曱苯含 重。上述C8芳㈣化合物為不平衡混合物,亦即至少一種 C 8芳香族異構物係以與異構化條件下之平衡濃度實質上不 同之濃度存在。通常,該不平衡混合物係、藉由自芳香族化 合物生產方法所獲得之新鮮C8芳香族混合物中移除對二甲 苯、鄰二甲笨及/或間二曱苯來製備。 因此彳使較佳與氫氣混合之C8芳香族烴進料混合物與 下文所述之職在C8芳香族烴異構化區段中接觸。接觸可 使用固定床系統、移動床系統、流化床系統中或分批操作 觸媒來實現。較佳使用固定床系統。在該系統中,將 富氫氣體及進料混合物經任何合適加熱構件預熱至所需反 應溫度,且隨後通入含有觸媒固定床之以芳香族化合物異 構化區段。該轉化區段可為一或多個獨立反應器,其間具 有合適構件以確保在各區段之人σ處保持所需異構化溫 度。反應物可以向上、向下或徑向流動方式與觸媒床接 觸,且反應物在與觸媒接觸時可呈液相、混合液-汽相或 汽相。 可使進㈣合物’較佳⑽香族化合物之不平衡混合物 與異構化觸媒在合適C8異構化條件下接觸。一般而言該 等條件包括介於0-600〇C或60(TC以上範圍内,較佳3〇〇_ 遍。c範圍内之溫度。-般而言,壓力為ig(mm⑽咖絕 對壓力’較佳小於5’_ kPa。異構化區段中可含有足量觸 媒以提供相對於烴進料混合物為〇丨—30 h·,,且較佳〇 5_1〇 134209.doc -11· • 的液體每小時空間速度1進料混合物可以與氫氣之混 合物(氫氣/煙莫耳比為0·5:1·25:ι^25:ι以上)形式反應。可 存在其他惰性稀_,諸如氡氣、氬氣及輕煙。 該反應可使二曱苯異構化,同時使乙基苯經由轉化為環 烷‘且由%烷烴再轉化而反應以形成二甲苯混合物。因 Λ ’產物中二甲苯之產率可藉由自乙基苯形成二甲苯而提 高。一般而言,C8芳香族化合物經由該反應之損失較低, 鲁 4常反應器進料中C8芳香族化合物每通過—次損失小於4 莫耳%,較佳不超過3·5莫耳%,且最佳小於3莫耳〇/〇。 可使用任何有效回收方案來回收來自反應器流出物之異 構化產物。一般而s,將液體產物分餾以移除輕副產物 及/或重副產物而獲得異構化產物。重副產物可包括芳香 族CIO化合物,諸如二甲基乙基苯。在一些情況下,可藉 由選擇性分餾來自異構化產物回收諸如鄰二曱苯或二曱基 乙基苯之特定產物。通常對來自€8芳香族化合物異構化之 馨產物進行處理以選擇性回收對二曱笨異構物,視需要藉由 結晶來達成。選擇性吸附可藉由根據US 3,201,491使用結 晶鋁矽酸鹽來完成。 . C8芳香族化合物異構化區段之觸媒可包括至少一種 MTW沸石分子篩(亦表徵為"低二氧化矽ZSM-12")且可包括 二氧化矽與氧化鋁之比率小於45,較佳為20-40之分子 篩。較佳地,MTW沸石大體上無絲光沸石,其通常意謂 MTW組份含有小於2〇重量。/。之絲光沸石雜質,較佳小於1 〇 重量%,且最佳小於5重量%之絲光沸石。 I34209.doc • 12- 已头藉由使包括氧化鋁來源、二氧化矽來源及模板劑之 展合物結晶來製備MTW滞石。us 3,832,449揭示使用四烧 土録陽離子之^4丁貨沸石。1;8 4,452,769及118 4,537,758揭 不曱基三乙基銨陽離子製備高矽]^^…沸石。us 6 652 832 使用N,N-一甲基六亞甲基亞胺陽離子作為模板製造無Μρι 雜質之低二氡化矽-氧化鋁比率之MTW沸石。較佳地,將 向純度晶體用作後續批次之種子。 MTW沸石較佳與黏合劑複合以便於形成粒子。觸媒中 沸石之比例為1-90重量❽/。,較佳卜⑺重量%,且最佳51〇重 量%。一般而言,較佳為含有〇.3_〇.5重量0/〇 Na2〇及〇3〇5 重量% K2〇之MTW沸石。又,在一例示性實施例中,二氧 化矽與氧化鋁之莫耳比為36:丨且(Na+K)/A1之莫耳比為〇 0.3者較佳。 一般而言,將沸石與耐火無機氧化物黏合劑組合。該黏 合劑應為表面積為25-500 m2/g,較佳200-500 m2/g之多 孔、吸附性載體。較佳地,該無機氧化物為氧化鋁,諸如 γ-氧化鋁。該γ-氧化鋁可衍生自水鋁礦氧化鋁。可將水鋁 礦氧化紹與沸石混配且進行擠壓。氧化(或煅燒)期間,水 銘礦氧化紹可轉化為γ-氧化鋁。用作原料之一種適宜水紹 礦氧化链為 VERSAL-251(由 UOP,LLC,Des Plaines,IL 出 售)。一般而言’觸媒可具有10-99重量%,較佳90-99重量 %之丫-氧化鋁黏合劑。 載體或觸媒之形狀之一可為擠出物。一般而言,擠壓最 初涉及將分子篩與視需要之黏合劑及合適之膠溶劑混合以 -13- j34209.doc 1377983 2成均勻團狀物或稠漿’該團狀物或稠漿具有恰當水份含 *以允許形成具有可接受之完整性以便經受直接锻燒的擠 出物可自團狀物水份含量之分析確定可擠壓性,其中介 ;70重里/〇範圍内之水份含量較佳。隨後可將團狀物經 穿有夕個孔之杈擠出,且可根據已知技術切割義大利麵 &之擠出物以形成粒子。諸多不同擠出物形狀係可能的, 匕括圓柱形、目蓿葉形、β亞鈴形、及對稱及不對稱多葉 • 形。此外’可藉由(例如)需要一或多個移動板之-步製粒 法(ma_erization)或將團狀物或擠出物壓縮於模具中來使 團狀物或擠出物成型為任何所需形式(諸如球形卜 或者,可藉由凝積(accretion)法使載體或觸媒顆粒成型 為球形粒子。該方法可能需要向具有旋轉螺旋鑽之旋轉盤 或錐形容器中的彿石與黏合劑之粉末狀混合物甲添加液 體。 -般而言,製備氧化銘結合球涉及將分子筛銘溶膠 • (alS〇1)與膠凝劑之混合物滴入保持在高溫下之油浴中。可 用於該方法之膠凝劑之實例包括六亞甲基四胺、尿素及其 《合物4高溫下膠凝劑可釋放氨,氨將水溶膠球凝固或 . 轉化為水凝膠球。隨後可將該等球自油浴中移出且通常使 - 其在油及氨溶液中進行特定老化處理以進一步改良其物理 特徵。U S 2,6 2 0,3 14中揭示一例示性油滴法。 一般而言,可在以一或多種組份(諸如金屬)浸潰之前及/ 或之後進行後續乾燥、般燒及可選洗滌步驟。較佳在黏合 劑及沸石形成至載體中之後,可將载體在5〇_32〇它,較: 134209.doc -14- 1377983 100-200。。之溫度下乾燥卜24小時或“小時以上。隨後,通 常將載體在50-70(TC ’較適宜54〇 氣氛中锻燒或氧化…小時,較適宜…小時,直至^ 化合物(若存在)大體上轉化為氧化物形式且大體上所有 氧化铭黏合削轉化為γ_氧化紹^需要,可藉由在空氣氣 氛中包括#素或含南素化合物來調節可選齒素組份。如此 項技術中所熟知,$同熱處理步驟可進行多次諸如在經
由浸潰向载體中添加組份(諸如一或多種金屬)之前及之 後。在該等步驟期間,蒸汽可存在於Μ理氣氛中。在觸 ㈣燒及/或其他熱處理„ ’氧化|g黏合劑之孔徑分布 可轉氬為較大直徑孔隙。因&,煅燒觸媒可增加觸媒之平 均孔徑。 視品要可對觸媒進行洗蘇。一般而言可以硝酸錢或 氫氧化敍,較佳氫氧化録之溶液洗㈣媒…般而言,在 50损。(:之溫度下進行絲宜實施例 中,不進行洗條。美國公開案第扇5/()143615 A1號中描 述未洗務之例示性觸媒。較佳地,不進行㈣或進行氫^ 化銨洗滌使得存在之大部分鹼金屬保持在觸媒上。 广些例示性實施例中’在乾燥、般燒及視需要洗蘇之 後’可將-4多種組份浸潰於載體上。觸媒亦可包括責金 屬,包括H錢、釕、锇及銀中之-或多種。較佳責 金屬為鉑》貴金屬組份可以諸如氧化物、硫化物、自化物 或氧硫化物之化合物或S素金屬形式或與㈣媒之—或多 種其他成份k合存在於最終觸媒中。較適宜地,貴金屬組 134209.doc 15 13/7983 . 伤以還原態存在。該組份可以催化有效之任何量存在於最 終觸媒中。一般而言,最終觸媒包括以元素為基礎計算, 0.01-2重量%,較適宜(M-2重量%,且最佳〇5重量%之 責金屬。 ~ 可以任何合適方式將貴金屬組份併入觸媒中。一種製備 • 觸媒之方法包括使用貴金屬之水溶性、可分解化合物來浸 /貝經瓜燒之篩/黏合劑複合物。或者,可在複合該篩組份 φ 與黏合劑時添加貴金屬化合物。可用於浸潰溶液中 '與篩 及黏合劑共擠歷或藉由其他已知方法添加之貴金屬複合物 可包括氣鉑酸、氯鈀酸、氣鉑酸銨、溴鉑酸、三氯化鉑、 水口四氯化鉑、二氯化二氯羰基鉑、氣化四胺鉑、二硝基 胺基细、四硝基鉑(H)酸納、氯化叙、硝酸纪、硫酸 紐、氫氧化二胺叙(II)及氣化四胺叙(H)。 亦可將第IVA(IUPAC 14)族金屬組份併入觸媒中。第 IVA(IUPAC 14)族金屬巾,錯及錫較佳,且錫尤佳。該組 •份可以元素金屬,化學化合物(諸如氧化物、硫化物、· 化物或氣氧化物)或與多孔載體材料及/或觸媒之其他組份 之物理或化學組合形式存在。較佳地,大部分第iva (IUPAC 1句族金屬以高於元素金屬態之氧化態存在於最終 .觸媒中。最佳使用—定量之第IVA(IUPAC 14)族金屬組份 以便足以產生含有以元素為基礎計算,〇 〇 1乃重量%,較 佳0.1至2重量%,且最佳〇3_〇45重量%金屬之最終觸媒。 可以任何合適方式將第IVA(IUPAC M)族金屬組份併入 觸媒t以達成均勻分散液,諸如藉由在製備中之任何階段 134209.doc -16- 1377983 與多孔載體材料共沈澱,與載體材料離子交換或浸潰載體 材料來達成。一種將第IVA(IUPAC 14)族金屬組份併入觸 • 媒中之方法涉及使用第IVA(IUPAC 14)族金屬之可溶性、 可分解化合物使金屬浸潰及分散於整個多孔載體材料中。 可在將其他組份添加至載體材料中之前、與其同時或在其 之後浸漬第IVA(IUPAC 14)族金屬組份。因此,可藉由將 載體材料與合適金屬鹽或可溶性化合物(諸如溴化亞錫、 ^ 氯化亞踢、氣化錫、五水合氣化錫;氧化錯、四乙醇錯或 四氣化鍺;或硝酸鉛、乙酸鉛或氯酸鉛)之水溶液混合來 將第IVA(IUPAC 14)族金屬組份添加至載體材料中。使用 第IVA(IUPAC 14)族金屬氣化物(諸如氣化錫、四氯化鍺或 氣酸鉛)尤佳,因為其可有利於在單一步驟中合併金屬組 份與至少較少量之較佳鹵素組份。當在上述尤佳氧化鋁膠 溶步驟期間與氣化氫組合時,可獲得第IVA(IupAC 14)族 金屬組份之均勻分散液。在一替代性實施例中,在氧化鋁 • 與氣化氫或硝酸膠溶期間將有機金屬化合物(諸如氣化三 甲基錫及二氣化二甲基錫)併入觸媒中。 觸媒亦可含有其他金屬組份。該等金屬改質劑可包括 鍊、始、錄、鋼、鎵、鋅、触、鏑、銘或其混合物。一般 而。,可將催化有效量之該金屬改質劑併入觸媒中以實現 均勻或分級分布。 觸媒亦可含有齒素組份,諸如氟、氣、溴、碘或其混合 物,其中氣較佳。較適宜地,除與其他觸媒組份相關聯之 函素外’觸媒不含有額外鹵素。 134209.doc 17 1377983 觸媒亦可含有至少一種鹼金屬,其中觸媒之總鹼金屬含 量以元素為基礎計算’為至少100 ppm(以重量計)。驗金 . 屬可為鋰、鈉、鉀、铷、鉋、鲂或其組合。較佳鹼金屬可 包括鈉及鉀。較適宜地,除與沸石及/或黏合劑相關聯之 鹼金屬之外’觸媒不含有額外鹼金屬。一般而言,觸媒之 總鹼金屬含量以元素為基礎計算,至少2〇〇 ppm,較適宜 300 ppm(以重量計)。一般而言,觸媒之總鹼金屬含量以 ^ 元素為基礎計具’為不超過2500 ppm,較適宜2〇〇〇 ppm, 且最佳1000 ppm(以重量計)。在一較佳實施例中,以元素 為基礎計异’觸媒可具有300 ppm-2500 ppm(以重量計)之 至少一種鹼金屬。在另一較佳實施例中,以元素為基礎計 算,觸媒可具有150-250 ppm,較佳2〇〇_25〇 ppm(以重量 計)之鈉及至少50 ppm,且較佳15〇_25〇 ppm(以重量計)之 卸。 所得觸媒隨後可經歷大體上無水之還原步驟以確保可選 • 金屬組份之均勻及精細分散。還原可在芳香族化合物聯合 裝置之方法設備中實現。較佳將大體上純且乾燥之氫氣 (亦即小於100 ppm(以體積計),較佳20 ppm(以體積 . 計)H20)用作還原劑。該還原劑可在有效使大體上所有第 VIn族金屬組份還原為金屬態的條件(包括2GG-65〇t之溫 度及〇·5-1(Η、時之時段)下與觸媒接觸。在—些情況下,亦 可有利地藉由已知方法,諸如以純H2S在室溫下對所得瘦 還,觸媒進行預硫化以便將以元素為基礎計算,〇.〇5_ι 〇 重里/ί)里之硫併入觸媒中。 134209.doc 1377983 觸媒組份(諸如貴金屬組份及至少—種驗金屬)之元辛分 析可藉由感應搞合電漿(ICP)分析根據u〇p方法961 98測 定。 一般而言’本文所述之觸媒具有若干有利特性,該等特 性提供乙基笨之異構化,同時最小化C8環損失。儘管不欲 受理論約束,但該等觸媒通常具有—或多個共同特性,該 等特性提供乙基苯之異構化,同時最小化C8環損失。舉例 而言,觸媒可具有如下孔隙體積分布:至少7〇%,較適宜 8〇〇/。之觸媒孔隙體積由具有大於1〇〇A之直徑的孔隙界定, 且至少95%,較適宜99%之觸媒孔隙體積由具有小於1〇〇〇 A之直徑的孔隙界定。孔隙體積可由氮氣孔隙測定法 (nitrogen P〇rsimetry)使用由 Micr〇metrics
Corporation,Norcross,GA以商標 ASAP 405N出售之儀器測 疋。s亥程序來源於UOP-874-88 ’但使用20點替代5點壓力 分布。一般而言’將樣品在300。〇下,在真空中,在小於 0.0067 kPa下預處理16小時。相對於大氣壓力之壓力點 為.:0.05、0.10、0.15、0.20、〇_25、0.30、〇·35、0.40、 0.45、0.50、0.55、0.60、0.65、0.70、0.75、0.80、0,85、 0,90、0.96及0.97。可藉由使用BJH吸附模型(參看(例 如)Barrett, E. P·,Joyner,L. G·及 Halenda,Ρ· p.,1951,"The
Determination of Pore Volume and Area Distributions in Porous Substances; I. Computations from Nitrogen Isotherms”; J. Amer. Chem. Soc. 73,373-380)自該等數據求 出具有大於或小於給定值之直徑的孔隙之百分率。四個樣 134209.doc -19- 1377983 品之數據描述於圖1中且在下文中進行更詳細討論。 此外,本文所述之觸媒通常具有如根據UOP-766-91由采 • 置換法(mercury displacement)測定之小於 1.250 g/cc,較佳 小於 0.950 g/cc,更佳小於 0,900 g/cc且最佳 〇.8〇〇_〇 89〇 g/cc之片密度(piece density)"此外,本文所述之觸媒通常 具有如由UOP-874-88測定之至少丨9〇 m2/g,較佳至少21〇 m2/g,且最佳220-250 m2/g之表面積(本文中可稱為BET_ SA)。本文中所討論之所有UOP方法,諸如u〇P-766-91、 UOP-874-88及 UOP-961-98可經由 ASTM lnternational, 1〇〇
Barr Harbor Drive’ West Conshohocken, PA,USA獲得。 說明性實施例 以下實例意欲進一步說明本發明之觸媒。本發明之實施 例之該等說明並非意謂使本發明之申請專利範圍受限於該 等實例之特定詳述。該等實例係基於使用類似方法之工程 計算及實際操作經驗。 # 例不性觸媒可具有商業上合成之MTW沸石,及由UOP, LLC 出售之 VERSAL_251、由 ^〇1 N〇rth 八⑽心’’
Houston,TX以商標CATAPAL c出售之氧化銘或經基氣化 鋁水溶膠(紹溶膠或〇DS氧化紹)之氡化銘來源。所有該等 • &化18來源均可藉由熱處理轉化為❻㈣,但其具有不 同特性及效能。儘管均為水鋁礦氧化銘之versal_25i(v_ ss^catapal c通常用於製備擠出物,錢溶膠通常用 2製備油滴球’但通常最終觸媒形狀並非由氧化鋁來源決 定。可自水鋁礦氧化鋁黏合劑製備球形觸媒且可使油滴球 134209.doc -20- 1377983 成型為擠出物^ 為形成擠出物載體,通常以諸如硝酸之膠溶劑使氧化鋁 至少部分膠溶。;弗石可與至少部分膠溶之氧化銘混合或可 與氧化鋁混合隨後膠溶。隨後,通常將氧化鋁與MTW沸 石犯δ物擠壓成圓柱形或三葉形。進行此操作時可將撥 出物乾燥且隨後在54〇_65(rc下煅燒6〇9〇分鐘。 可將觸媒以硝酸銨或氫氧化銨洗滌或不進行洗滌。若進 行洗滌,則可將觸媒在9〇t之溫度下洗滌5小時。對於硝 酸銨溶液而言,該溶液可包括每公克觸媒1 g硝酸銨及5.7 g水。對於氫氧化銨溶液而言,可使用〇 5重量0/。於水中之 NH3 ^可在經成型及煅燒之載體上實施洗滌步驟隨後添加 貴金屬。 為形成油滴載體,將MTW沸石與鋁溶膠混合❶一般而 言,將鋁溶膠與MTW沸石混合物與六亞甲基四胺膠凝劑 混合。隨後’可將該等球在油滴方法中成型及老化。隨 後,通常可將0DS載體以〇.5%氨洗滌且在54〇_65〇ec下煅燒 90分鐘。 對於擠壓型載體與ODS載體而言均可進行以下步驟。亦 即’所有載體均可以與水及HC1混合之氯麵酸溶液中之始 浸潰。—般而言,HCM之量為載體之2重量%,且將過量溶 液蒸發。 隨後,可將載體在565t:之溫度下,在5_15莫耳%蒸汽之 氣氛中’在水與氯化物比率為5〇:1.12():1下,氧化或鍛燒 60-120分鐘。 134209.doc 1377983 隨後,通常將載體在565°C下,於至少15莫耳%氫氣在氮 氣中之混合物中還原120分鐘。進行此操作時,可於10莫 耳%硫化氫氣氛在硫化氫與氫氣混合物中,在週遭環境條 件下,將載體硫化以在載體上獲得0.07重量°/〇之硫,從而 獲得最終觸媒。下表中提供形成例示性觸媒之材料及方法 的描述: 表1
觸媒實例編號 載體類型 形狀 成型方法 氧化鋁來源 MTW之量(重量%) 洗滌 Α1 IX'dCB 三葉形 擠壓 V-251 5 NH4OH Α2 CB 三葉形 擠壓 V-251 5 無 A3 IX'd CB 三葉形 擠壓 V-251 5 NH4N〇3 Α4 IX'd CB 圓柱形 擠壓 V-251 5 NH4N03 Α5 CB 三葉形 擠壓 V-251 10 無 Α6 CB 三葉形 擠壓 V-251 10 無 Α7 IX'dCB 三葉形 擠壓 V-251 10 NH4N〇3 Α8 IX'dCB 三葉形 擠壓 V-251 10 NH40H Β1 CB 球形 油滴 ODS 5 NH40H Β2 CB 球形 油滴 ODS 5 NH40H Β3 IX'd CB 圓柱形 擠壓 ODS 5 NH4N03 C1 IX'd CB 圓柱形 擠壓 Catapal C 5 NH4N03 C2 IX'd CB 圓柱形 擠壓 Catapal C 5 NH40H 如表中所用之術語nCB"係指包括黏合劑及沸石之經煅燒 基質,術語"IX'd CB1'係指以如表1中該列之"洗滌π行中所 述之ΝΗ4ΟΗ或ΝΗ4Ν03溶液洗滌的經煅燒基質。 以下數據描述下表中之經還原觸媒。根據UOP275-98進 行LOI。所有組份係以重量%提供。 134209.doc -22- 1377983 表2 觸媒實例編號 LOI 900°C下,重量% C1 重量% Pt 重量% Si 重量% Na 重量% K 重量% A1 1.45 0.61 0.326 2.24 0.021 0.015 A2 0.86 0.74 0.458 2.25 0.022 0.015 A3 0.34 0.58 0.314 2.28 0.003 <0.005 A4 0.95 0.61 0.309 2.26 0.003 <0.005 A5 0.1 0.62 0.313 3.55 0.03 0.025 A6 0.7 0.65 0.45 3.55 0.031 0.025 A7 0.53 0.58 0.316 3.58 0.004 <0.005 A8 0.47 0.59 0.315 3.62 0.025 0.021 B1 1.14 0.49 0.311 2.45 0.008 <0.005 B2 1.45 0.63 0.3 2.28 0.009 <0.005 B3 1.4 0.57 0.324 2.1 <0.002 <0.005 C1 1 0.67 0.32 2.24 <0.002 <0.005 C2 0.58 0.61 0.308 2.24 0.014 0.012
參看圖1,描述經還原觸媒A1、B2、B3及Cl之孔隙分 布。如所述,以V-25 1氧化鋁製成之例示性觸媒與以ODS 氧化鋁或CATAPAL C氧化鋁製成之例示性觸媒相比展現較 寬的孔隙分布。儘管不欲受理論約束,但咸信經還原觸媒 中之較寬孔隙分布產生用於具有較少C8環損失之異構化方 法之觸媒。 此外,評估經還原觸媒之若干特性量測值,如下所述: 表3 觸媒實例編號 片密度(無揮發物) g/cc BET-SA 平方公尺/公克 大於100人之孔隙體積% % A1 0.868 230 81 A2 0.869 247 72 A3 0.869 223 83 A4 0.839 226 83 A5 0.874 242 81 134209.doc -23-
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使用試驗場流式^ -- 琢爪式反應器處理具有以 平衡C8芳香族谁租七 广..且成λ更里/〇)之不 香族環損失.一將表2之大多數觸媒硫化且評估C8芳 表4 進料组成
C8環烷烴 水 100-200 將該進料與觸壓 小時空間速度(可稱為WHSV)及4之氣氣/煙莫耳比下 觸。反應器溫度g 385°c。 "C8環損失”係以莫耳%計,其定義為”(1•(產物中之以環 烷烴及芳香族化合物)/(進料中之。8環烷烴及芳: 物))*100” ’其表示可轉化為所需C8芳香族化合物(諸如^ 二甲苯)之一或多個C8環之損失。該進料損失通常需要提 I34209.doc -24· 1377983 d 供更多進料以產生一定量之產物,降低裝置獲利力。一般 而言,較低量之C8環損失為觸媒之有利特徵。"C8環損失" (本文中可簡寫為"C8RL")可在下表中以下式之轉化率量 測: pX/X*100%=22.2±0.050/〇 其中: pX表示產物中對二曱苯之莫耳數;且 X表示產物中二甲苯之莫耳數。
一般而言,WHSV在測試開始時設為8 hr·1,且使其增加 直至pX/X*100%=22.2土0.05%。在試驗場中測試例示性觸 媒之C8環損失,結果如下: 表5 觸媒實例編號 Na + K PPM C8RL 莫耳% WHSV A1 360 2.1 9.7 A2 370 2.1 11 A3 <80 2.4 11.5 A4 <80 2.6 9.7 A5 550 2.3 17 A6 560 2.3 17 A7 <90 3.0 18 A8 460 2.4 15 B1 <130 2.6 10.7 B3 <70 3.0 12.0 C1 <70 3.4 10.2 C2 260 2.6 9.7 如上所述,將C8環損失與給定WHSV下之總鹼金屬含量
對比。具有大於200 ppm鈉及鉀且來源於VERSAL-25 1氧化 鋁之觸媒具有介於2.1-2.4莫耳%範圍内之C8RL值,平均 C8RL為2.2莫耳%。該等值大體上低於來源於CATAPAL C 134209.doc -25- 1377983 氧化銘之觸媒的C8RL值(介於2.6-3.4莫耳%範圍内且平均 • 值為3.〇莫耳%)或來源於ODS氧化鋁之觸媒的(:8111^值(介於 2.6-3.0莫耳%範圍内且平均值為2.8莫耳%)。 無需進一步詳細描述’咸信熟習此項技術者可使用以上 . 描述最充分程度地使用本發明。因此,前述較佳特定實施 例應僅視為武明性的’而非以任何方式限定本揭示案之其 餘部分。 • 在上文中’除非另有所述,否則所有溫度未經校正,以 攝氏度列出’且所有份數及百分數係以重量計。 根據上文描述,熟習此項技術者可易於確定本發明之基 本特徵且在不背離本發明之精神及範缚之情況下可對本發 明作出各種變化及修改以使其適合於各種用途及條件。 【圖式簡單說明】 圖1為若干經浸潰、氧化及還原之觸媒的孔隙體積分布 之圖示。 134209.doc 26-

Claims (1)

1377983 公告本 十、申請專利範圍: 1. 一種用於C8芳香族化合物異構化方法之觸媒,其包含: 3)1-90重量%之沸石’其包含!^丁\¥沸石; 1〇10-99重量%之黏合劑,其包含γ_氧化鋁,該γ·氧化 鋁係衍生自水鋁礦氧化鋁(Boehmite aiumina); C)以元素為基礎汁鼻,〇·ι_2重量%之貴金屬;及 d) 至少一種鹼金屬,其中以元素為基礎計算,該觸媒 之總驗金屬含量以重量計為至少丨〇〇 ppm ; e) 其中該觸媒具有孔隙體積分布且該觸媒之至少7〇% 孔隙體積係由具有大於丨〇〇人之直徑的孔隙界定。 2. 如請求項1之觸媒,其中以元素為基礎計算,該觸媒之 總驗金屬含量以重量計為至少200 ppm。 3. 如請求項1之觸媒,其中以元素為基礎計算,該觸媒包 含以重置計300 PPm-2500 ppm之至少一種鹼金屬。 4. 如請求項丨之觸媒’其中以元素為基礎計算,該至少一 種鹼金屬包含以重量計200-250 ppm之鈉及以重量計150_ 250 ppm之卸。 5. 如吻求項1之觸媒’其中該觸媒之至少80%孔隙體積係由 具有大於1〇〇人之直徑的孔隙界定。 6. 如°月求項1之觸媒,其中該觸媒具有三葉形擠出物之形 狀。 如請求項1 ^ 觸媒’其中該觸媒具有圓柱形擠出物之形 狀。 8. 如請求項1 <觸媒,其中以元素為基礎計算,該觸媒包 134209.doc 1377983
含0.1-0.5重量%之該貴金屬。 9.如請求項1之觸媒,其中該貴金屬包含鉑。 1 0.如請求項1之觸媒,其中該觸媒之至少95%孔隙體積係由 具有小於1000 A之直徑的孔隙界定。 134209.doc
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