1377892 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關一種多層配線基板的製造裝置及製造方 法。 【先前技術】 安裝ic晶片、電阻、電容器等之電子零件的印刷配 • 線基板，係多數隨著該等之電子零件之小型化的高密度化 所要求而多層化使用。該多層印刷配線基板，係由露出於 表裏二層之外部的導體外層、和數層未露出的導體內層所 構成。 上述之導體外層，例如由厚度18μιη左右的銅箔所 構成，與由雙面配線板所構成的導體內層一同利用絕緣基 板支承。在絕緣基板，主要使用在玻璃纖維含浸熱硬化性 的環氧樹脂的預浸料（pre-preg)。 # 多層印刷配線基板，係在最外層配置上述的導體外層 ’接著依照預浸料、雙面配線板的順序，重疊預定的片數 ，利用熱壓進行加熱加壓，使預浸料的熱硬化性樹脂硬化 ’讓該等形成一體化’依此製造。作爲此種多層配線基板 之一例，例如有揭示於專利文獻1的基板。 〔專利文獻1〕日本專利第3 0 6 5 7 6 6號公報 【發明內容】 〔發明欲解決之課題〕 -5- 1377892 可是，在多層配線基板的製造中，需要供進行配線基 板及預浸料之相對性的位置關係之固定的製程。爲了實現 這個，如上述，有隨著加熱加壓的所謂插銷定位層壓法（ pin lamination )，其他也存在凸緣法、熔接（welding ) 法、積層法（（Build-up )等。該等之工法分別在其適用 領域具有適合/不適合。例如層數較少的情形適合凸緣法 ，層數比較多的情形適合插銷定位層壓法等。 但該等之工法也各有缺點。例如由於利用凸緣法及插 銷定位層壓法，必須實行開孔製程，因此有關提高精度實 行配線基板及預浸料的定位，帶有原理上的困難。該等， 係根據隨著開孔位置之選定本身某種程度的不確定性，而 由於孔具有一定的大小，因此即使各層的孔形成一定程度 偏離，插銷還是能通過該各層之孔的情形，（此時，雖然 實際上未正確的定位，但誤辨識爲已正確的定位）等。更 因配線基板非常的薄（例如0 · 1 mm左右），所以在插入 到插銷之際，若產生多餘之應力的話，孔有變形之虞。如 此一來，偏位變得更大。 又，在插銷定位層壓法也有：特別是（1 )利用加熱 熔融的接著劑附著在插銷，造成多層配線基板的拔取麻煩 ，還有（2)已附著的該接著劑需要仔細的清掃作業，甚 至（3)層積片數少的情形下，以前述孔爲起點產生破損 之虞等的缺點。 像這樣，在多層配線基板的製造方法，雖然現狀有提 供幾個工法，但各工法僅爲單獨的對應，難以克服各個缺 -6- 1377892 點。其結果，更有效率，且更高精度的製造多層配線基板 ，成爲更大的課題。 • 本發明是有鑑於上述事情的發明，目的在於提供一種 能更有效率，且更高精度的製造多層配線基板的多層配線 基板的製造裝置及製造方法。 〔用以解決課題之手段〕 • 爲了達成上述目的，有關本發明之多層配線基板的製 造裝置，其特徵爲具備：在以預定之片數重疊的配線基板 及預浸料製成的層積體，進行前述配線基板及預浸料間的 暫時固定的第1段製程實行部、和對前述層積體施行預定 之加工的第2段製程實行部。 又，有關本發明之多層配線基板的製造裝置，也可構 成前述第2段製程實行部，包括熔接前述層積體之第1位 置的熔接手段。 # 又，有關本發明之多層配線基板的製造裝置，也可構 成前述第2段製程實行部，包括在前述層積體的第2位置 實行凸緣的凸緣實行手段。 在該形態中，也可構成前述第2位置的至少一個，係 ' 與可爲複數個的前述第1位置以及進行可爲複數個的前述 暫時固定的位置之任一個一致。 又，有關本發明之多層配線基板的製造裝置，也可構 成前述第2段製程實行部，包括在前述層積體的第3位置 ，開設沿著該層積體之層積方向之孔的開孔手段。 1377892 在該形態中，也可構成前述第3位置的至少一個 可爲複數個的前述第1位置以及進行可爲複數個的前 時固定的位置之任一個一致。 在具有開孔手段的形態，也可構成前述孔於平面 具有長孔形狀。 又，在有關本發明之多層配線基板的製造裝置， 構成前述第1段製程實行部，係更具備用以進行前述 基板及預浸料之定位的對準手段。 又，在有關本發明之多層配線基板的製造裝置， 構成作爲前述第1段製程實行部的前段，更具備爲了 前述層積體，將前述配線基板及前述預浸料投入到該 裝置的投入部。 在具有該投入部的形態中，可構成在已完成前述 固定的前述層積體，實行建構著經由前述投入部增加 前述配線基板或前述預浸料的層積體，以及與前述層 利用前述第1段製程實行部而暫時固定的第1製程一 行，實行利用前述第2段製程實行部的前述預定之加 第2製程。 進而，在具有投入部的形態中，可構成更其備供 層積體在前述第1段製程實行部與前述第2段製程實 之間待機的緩衝部》 又，在進行前述之並行處理的形態中，可構成前 1段製程，係在前述第2段製程進行一次的期間，進 數次。 ，與 述暫 觀看 也可 配線 也可 構成 製造 暫時 新的 積體 併進 工的 前述 行部 述第 行複 -8- 1377892 又，有關本發明之多層配線基板的製造方法，也可構 ' 成在利用前述第2段製程實行部的製程之後，實行對前述 - 層積體進行層積的插銷定位層壓法。 又，有關本發明之多層配線基板的製造裝置，也可構 成前述第2段製程實行部，更具備供實行前述預定之加工 的本體部、和供前述層積體往前述本體部運送的運送手段 ’前述運送手段可收納在前述本體部。 • 爲了達成上述目的，有關本發明之多層配線基板的製 造方法，其特徵爲具備：在以預定之片數重疊的配線基板 及預浸料製成的層積體，進行前述配線基板及預浸料間的 暫時固定的第1段製程、和對前述層積體施行預定之加工 的第2段製程。 又，有關本發明之多層配線基板的製造方法，也可構 成更具備在已完成前述暫時固定的前述層積體，建構增加 新的前述配線基板或前述預浸料的層積體的佈置（lay up #’ ）製程，前述佈置製程以及前述第1段製程與前述第2段 製程，係一倂進行。 在此形態中，可構成前述佈置製程及前述第1段製程 • * ，係在前述第2段製程進行一次的期間，進行複數次。 又，有關本發明之多層配線基板的製造方法’也可構 成在前述第2段製程之後，實行對前述層積體進行層積的 插銷定位層壓法。 〔發明效果〕 -9 * 1377892 如上，藉由有關本發明的多層配線基板的製造裝置及 方法，因具有：進行層積體之暫時固定的第1段製程實行 部、和對前述層積體施行熔接、凸緣或開孔等之預定的加 工的第2段製程實行部，所以例如適當且適切地設定兩者 的作用分擔等，藉此可更有效率，且更高精度的製造多層 配線基板。 【實施方式】 〔用以實施發明的最佳形態〕 以下，針對本發明之實施形態，參照第1圖及第2圖 做說明。有關本實施形態的多層配線基板的製造裝置1( 以下簡稱「製造裝置1」），係具備：投入部11、暫時熔 接部12、緩衝部13、開孔部14'取出部15及控制部100 。當中，前三者與接續於此的二者（亦即，開孔部14及 取出部15)，係分別如第1圖所示，具有一體式的構造 (參照圖中虛線）。關於此點，亦於後面描述。 又，有關本實施形態的製造裝置1，係具備：爲了使 後述的層積體C，在前述的投入部11、暫時熔接部12、 緩衝部13、開孔部14及取出部15的各個之間移動的適 當的層積體運送手段、以及爲了驅動層積體運送手段的驅 動手段（任何圖均未圖不）。該手段更具體是例如順著軌 道21、21，或軌道22、22之延伸的方向而驅動的運送台 等。 如上的構造，連有關前述的開孔部14及取出部15間 -10- 1377892 也被設置。 投入部11是將配線基板A或預浸料B取入到該製造 裝置1內。在此，配線基板A是指在環氧系樹脂板的兩 面形成電路圖形者。又，預浸料B是以半硬化狀態的樹脂 片所製成，利用加熱進行熔融、硬化，就能定固位在其兩 面的板" 暫時熔接部12，係暫時固定由取入到投入部11的配 線基板A及預浸料B所製成的層積體C。 該暫時熔接部12，係如第1圖所示，具有六個熔接 頭121。各暫時熔接部12，係由爲了從上下兩面按壓層積 體C的上側頭及下側頭（在第1圖的圖示只有「上側頭」 )所構成。 該等上側頭及下側頭’係例如能利用汽缸（圖未示） 朝向第1圖中的紙面’於垂直方向移動。又，該等上側頭 及下側頭’分別具備：抵接於層積體C的按壓面、將該按 壓面加熱到預定之溫度的加熱器（均未圖示）等。 前述的層積體c，係其預定的位置利用前述按壓面按 壓’且加熱。本實施形態的「預定之位置」，由熔接頭 121的配置形態也可了解’爲沿著層積體c之第2圖中的 上邊而排列的三個部分、和沿著同一下邊而排列的三個部 分之合計六個部分（在同一圖中，附有符號W之剖面線 的部分是「熔接（welding)部」）。藉此，該部分的預 浸料B會熔融’與位在其兩面的配線基板a熔接。按照 以上，配線基板A及預浸料B，會暫時固定或暫時熔接。 -11 - 1377892 各熔接頭121，係分爲：用來熔接沿著第2圖所 • 層積體C之上邊而排列的三個部分的熔接頭群121a . 用來熔接沿著相同的下邊而排列的三個部分的熔接 121b。由於各熔接頭群121a及121b，分別熔接在層 C之預定的位置，因此可在第1圖之XY平面上之預 範圍內，於任意的位置移動。 構成熔接頭群121a的各熔接頭121，係分別可 φ 的安裝在X軸移動導件122a上，可沿著X軸移動 122a來調整各個位置。同樣的，構成熔接頭群121b 熔接頭121，也可沿著X軸移動導件122b來調整各 置。再者，各熔接頭121的X軸方向的定位，也有 者以手動來進行的情形，或者也可利用脈衝馬達等進 値控制。又，在第1圖中，雖然各熔接頭121是配置 間隔，但各熔接頭121的間隔，是依使用者而定，並 定就是等間隔。 # 進而，X軸移動導件121a與X軸移動導件121b 安裝在Y軸方向移動機構（圖未示）’可於Y軸方 預定之範圍移動。因而，熔接頭群〗21a，係可隨著1 » · 軸移動導件122a之Y軸方向的移動，而於Y軸方向 。同樣地熔接頭群121b也能夠在Y軸方向移動。 由於各熔接頭121是對應各式各樣之層積體C的 (特別是平面觀看的大小），因此使其在前述的XY 上移動，而定位於事先決定的熔接位置。 暫時熔接部12，除了上述之外’還具有對準裝置 示的 、和 頭群 積體 定的 移動 導件 的各 個位 使用 行數 成等 不一 ，係 向在 生X 移動 大小 平面 -12- 129 1377892 及各種工作台（後者圖未示）。這之中，對準裝置12〇, ' 係例如由x射線發生裝置及X射線攝影機（均無具體的 . 圖示）所構成。對準裝置129，係可拍攝事先形成在層積
體C的標記（mark)。利用該對準裝置129，就能掌握配 線基板A與預浸料B(或者進一步重疊的配線基板a、A 、…或預浸料B、B、…）的相對性的配置關係的現狀變 怎樣。 φ 前述各種工作台，係例如由：可在X方向及Y方向 移動的XY工作台、只能在Y方向移動的γ工作台，甚至 該等之適當的組合所構成。若該等各種工作台，依據掌握 利用前述對準裝置129的現狀而適當地驅動的話，就能將 層積體C之內部的配線基板A及預浸料B的相對性的配 置關係設定成最佳者（亦即定位）。 前述的暫時固定，係利用對準裝置129及各種工作台 ，施行有關構成層積體C之配線基板A及預浸料B的定 © 位，進而例如利用空氣吸引式的吸附部（圖未示）等，在 暫時性的被固定之後實施該層積體C及熔接頭121間的相 對性的位置關係。 再者，在本詳細說明書中，特別將在暫時熔接部12 * 所實行之如上的暫時固定或暫時熔接，稱之爲「熔接（ welding ) j 0 又，欲利用該熔接達成的配線基板A間的接合強度 ，連利用前述層積體運送手段運送層積體C，亦不會在該 層積體C內產生配線基板A等之橫移程度的強度爲宜。 -13- 1377892 又，前述的暫時固定不一定是熔接。例如也可使用瞬 • 間接著劑或uv接著劑等的接著手法進行暫時固定。 . 緩衝部13，係提供能夠使得在暫時熔接部12被暫時 熔接的前述層積體C暫時待機的場所。 再者，緩衝部13，雖然具有正好讓至少一個從暫時 ' 熔接部12送出的層積體C待機的空間，但也可依場合而 具有正好讓兩個以上的層積體C待機的空間。 • 開孔部14，係在前述層積體C之預定的位置實施開 孔》 該開孔部1 4，係如第1圖所示，具有六個開孔頭1 41 。各開孔頭14 1，係具有圖未示的鑽孔機。在本實施形態 中，尤其該等六個開孔頭141，係配置成等於對應前述六 個熔接頭121的配置形態。總之就是，對層積體C的開孔 ，係如第2圖所示，在暫時固定的部分進行（在第2圖中 附上符號Η的黑色圓圈的部分爲「孔」）。 Φ 開孔部14，除了上述之外，還具有對準裝置149及 各種工作台（後者圖未示）。有關該等之構造，係與前述 的暫時熔接部1 2相同。亦即，對準裝置1 2 9，係例如具 備X射線發生裝置及X射線攝影機等，各種工作台，係 例如具備ΧΥ工作台、Υ工作台及該等的組合工作台等。 藉此’就能適當的設定開設層積體C之孔Η的部分與前 述開孔頭1 4 1之相對性的配置關係。 再者，該開孔部14也可具備與前述暫時熔接部12相 同的熔接頭。若有此熔接頭，即在利用前述開孔頭141的 -14- 1377892 開孔之前，或在那之後’實施對層積體c的基礎熔接。在 • 此「基礎熔接」是表示比欲在前述之暫時熔接部12所達 . 成的配線基板A間的接合強度更強的接合。更具體是在 本實施形態中達成作爲後面之製程所預定之耐於插銷定位 層壓法實施的接合強度爲宜。 又，開孔頭141對層積體C開設孔Η的位置，不光 是暫時固定的部分，也可以爲前述之基礎熔接的部分，或 • 者開設在暫時固定之部分與已基礎熔接之部分的兩部分。 又，不一定非要全部在已被熔接的部分開設孔Η。 再者，在開孔頭141對層積體C開設孔Η之際，避 免熔接頭從已完成熔接的位置上後退，或者層積體C從熔 接頭下開始移動，造成熔接頭與開孔頭141的干涉。 取出部15，係在開孔部14，在預定之位置開設孔， 或者除此之外，接收已完成基礎熔接的層積體C，並且將 此送出到圖未示的插銷定位層壓實行裝置。 控制部是由 MUP ( Micro Processor Unit)、各種記 憶體等所構成。控制部100是控制用來移動層積體運送手 段的驅動手段。 又’控制部100，係將該各種要件控制成讓構成暫時 熔接部12的各種要件的動作，或是構成開孔部14的各種 要件的動作等協調性且適當地進行。特別是本實施形態的 控制部1 0 0，係如後所述，—倂實行暫時熔接部1 2的暫 時熔接製程、和開孔部14的開孔製程》 控制部100 ’除了上述外，還進行能令有關本實施形 -15- 1377892 態之製造裝置1整體取得調和的動作的控制。 • 再者，上述的投入部11、暫時熔接部12及緩衝部13 . ，係作將該等視爲整體具有一體性的構造，構成第1構造 體501»又’後述的開孔部14及取出部153，也將該等視 爲整體具有一體性的構造，構成第2構造體5 02。在第1 圖中，爲了易於了解，在兩構造體501與5 02間以虛線表 示。 • 兩構造體501及5 02，係可將第2構造體502的軌道 22'22接合成對第1構造體501突出（參照第1圖）。 本實施形態的情形下，軌道22、22的軌道間距離，比軌 道21、21的軌道間距離窄。 藉由相關的關造，就能輕易的將載置層積體C的層積 體運送手段，從軌道21、21載置替換到軌道22、22，或 是將該層積體運送手段上的層積體C載置替換到軌道22 、22上的另一個層積體運送裝置等。 # 上述中，軌道22、22，係設置到設成對應取出部15 之區域的引入線29、29之上（亦參照圖中的虛線）。又 ，在軌道22 ' 22間，係設有用以取得該等之軌道22、22 與前述引入線29、29間之連繫的軌道間連繫材221。在 軌道間連繫材221之圖中方向之側的面，設有與引入線 29、29卡合的導件（圖未示）。 藉由此種的構造，軌道22、22就能一體性地在引入 線29、29之上移動。關於此點的效果，於後面描述。 其次，針對有關成爲如上之構造的本實施形態的多層 -16- 1377892 配線基板的製造裝置1的動作，除了前述的第1圖及第2 • 圖外，地邊參照第3圖邊說明。再者，於以下，只要未特 . 別拒絕，欲令各種要件動作的指令主體即爲控制部1 〇〇 » 在該控制部100的控制下，各種的要件會協調性地進行動 作。 首先，控制部100是讓層積體運送手段動作並定位在 投入部11。接著，作業者，係在位於該投入部11的層積 φ 體運送手段之上，載置配線基板A或預浸料B (第3圖的 步驟S1)。在此，主要是假設投入較少數片的配線基板 A及預浸料B的情形。但於本發明中並未特別限制欲載置 之片數的原則性理由。 再者，在此，先以在投入部11構成由：有兩片配線基 板A (分別加上符號“A1”及“A2”），以及在其間有一片預 浸料B所形成的層積體C的情形爲範例，進行此後的說 明。 # 像這樣讓投入到投入部Π的層積體C，於暫時熔接 部12移動。 對定位在暫時熔接部12的層積體C實行暫時熔接， 亦即熔接（第3圖的步驟S2)。每當實行該熔接，第1、 實行層積體C之內部的配置基板A及預浸料B的定位。 因此，藉由使用前述的對準裝置129及各動工作台，將位 在上側的配線基板A 1對於位在下側的配線基板A2做適 當的定位。 第2、利用構成熔接頭1 2 1的上側頭及下側頭，夾入 -17- 1377892 層積體c之預定的部位，且進行加熱。藉此，配線基板 A1及A2間的預浸料B之預定的部位會熔融，然後會硬 化’藉此兩配線基板A1及A2就會經由該預浸料B而固 定。 依此所形成的熔接部W，於本實施形態中，如參照第 2圖所說明的，以平面觀看層積體C是在六處。又，該熔 接部W，係由前述之固定製程的說明即可明白，與其周圍 之半硬化部分相比，硬度更大。此情形有助於後面的開孔 製程。 接著，雖是實行確認由預定片數的配線基板A等所 形成的層積體C的暫時熔接是否完成（第3圖的步驟S3 )，但有關此點的說明，在此省略，改於後面描述。 像這樣，如果層積體C之熔接完成的話，接著，使積 層體運送手段移動到緩衝部1 3。此時，如果在後段的開 孔部1 4，在對別的層積體之開孔製程爲實行中的情形下 ’或是在依任何的事情，無法將目前運送的層積體C運送 到開孔部14的情形下，讓該層積體C暫時在該緩衝部I3 待機（第3圖的步驟S4)。當然，在不需要相關之考慮 時’不用說該步驟S4的處理當然可以省略。 其次，對於已運送到開孔部14的層積體C’實施開 孔（第3圖的步驟S5)。具體上’利用前述對準裝置等 ’適度的調整該層積體C與開孔頭141之相對性的關係之 後，利用構成該開孔頭141的鑽頭’實際地實行對層積體 C的開孔。 -18-
1377892 此時，該開孔，係如前述，在對應於與其他I 硬度更大的熔接部W的位置實行（參照第2圖） 由此，在本實施形態中，前述開孔能夠比較ί 行，並且在實行後面的插銷定位層壓之際，即使ΐ 融，因爲插銷之周圍的接著劑已經硬化，所以可ί! 插銷附著接著劑之可能性減至極低的優點0 再者，如前述，對於在開孔部14具備有熔有 形下，利用該熔接頭實施對層積體C的基礎熔接 的步驟S5)。該基礎熔接得以在前述的開孔之節 後實施。 又，對於在層積體C開設孔Η之際，爲了毫 ’通例是針對至少一個孔Η，在表與裏是在座標3 置開設孔。例如就是附上第2圖所示的符號Ha » 此時，對應於孔Ha的熔接部，係施行於對應在子丨 座標的位置（第2圖的Wa)。 如下，如果開孔已完成的話，層積體C即妇 15運送。該製造裝置1的處理，基本上是在這箱 面，若利用形成在層積體C的孔，來實行利用插癖 壓實行裝置（圖未示）之全面性的加熱壓固的話， 成所要的多層配線基板。 再者，該插銷定位層壓，也可在重疊「複數 」之上實行。此情形下’ 「複數個層積體」係分 數個如第1圖所示的製造裝置1，且得以同時進 如此一來，複數個層積體幾乎變得可一舉製造， 分相比 定的實 著劑熔 到能令 頭的情 第3圖 ，或之 裏判別 同的位 孔等。 Ha之 取出部 束。後 定位層 就會完 層積體 設置複 製造。 在其後 -19- 1377892 的期間完成’因爲可實行對該等複數個層積體的插銷定位 • 層壓’所以生產性變得非常的高。 . 在此，尤其是在本實施形態中，由第3圖的表現方法 即可了解，從步驟S1至S3的熔接製程之實行中，於此一 倂進行，得以實行步驟S 5的開孔製程（以及基礎熔接製 程）。藉此，在本實施形態的製造裝置1中，例如得以進 行如下的運用。 φ 亦即，若由配線基板A1與A2、以及預浸料B所製 成的層積體C的暫時熔接如先前所描述已完成的話，就能 再度將該層積體C送回投入部11，再次移行至投入新的 配線基板A及預浸料B的作業。例如像是進一步在已經 暫時熔接的層積體C之上，載置新的預浸料“B1”及配線 基板“A3”。藉此，層積體C成爲新的層積體（在此先命 名爲“CN”）。 像這樣，若有新的層積體CN被構成的話，就能對該 φ 層積體CN再次實行暫時熔接。若爲前述的範例所言，即 成爲對經由配線基板A3的預浸料B1的舊層積體C的暫 時熔接（其整體爲層積體CN)。 ^ · 此種的處理基本上無論重覆實行幾次均可。但是熔接 ' 持續實行到配線基板A重疊多少片，以事先決定適當的 上限爲宜。在前述中，在後面說明的第3圖之步驟S3, 具有此種的意義。 而且，在本實施形態中，實行有關此種的熔接之重複 處理的期間，利用開孔部1 4的開孔處理（以及基礎熔接 -20- 1377892 處理）是同時進行。此乃源自於該開孔部14不全然是與 這樣的重覆處理有所關連》 再者，若暫時熔接部12的暫時熔接製程，例如花費 5〜10秒左右，開孔部14的開孔製程（以及基礎熔接製 程），花費20〜60秒左右，在兩者的最大時間評估（亦 即，分別以10秒及60秒評估），計算上可同時實行有關 六次的熔接之重覆處理、和一次的開孔處理。但是因爲除 此之外也要有配線基板A等之投入製程所需的時間、層 積體運送手段的移動時間等，所以通常不是理論値那樣。 如以上說明’若藉由有關本實施形態的多層配線基板 之製造裝置1，如下的作用效果就會奏效。 (1)如述，在本實施形態中，層積體C的佈置及熔 接製程是重覆實施，藉此構成運送到開孔部14的層積體 C的配線基板A等的片數8就能增加。 此情形係表示因爲該層積體C的「厚度」增大，且其 整體性的剛性提高，運送穩定地進行，且表示對此的開孔 也得以穩定地實行。該有利性係例如推測必須只運送一片 配線基板A等等的情形，得以更清楚地辨識。 再者’爲了穩定地獲得這樣的效果，構成層積體C的 配線基板A的片收可爲十片或十片以上左右。此時，第3 圖的步驟S3的判斷步驟，係依據這樣的片數實行。 又，在本實施形態中，利用與第1圖的多層配線基板 的製造裝置1不同的裝置，實行插銷定位層壓法。假設當 考慮到配線基扳A的片數爲十片（十層）的層積體C時 -21 - 1377892 ，在生產具有四十層的導體內層的多層配線基板的情形下 ’只要利用插銷定位層壓來重疊四個層積體c就能輕易地 形成四十層的導體內層。像這樣地藉由本實施形態，就能 提升插銷定位層壓之際的作業性。 (2) 利用本實施形態的多層配線基板的製造方法， 就能一面享受以往提案之各工法的優點一面修正其缺點。 亦即’第1、在本實施形態中，對於繞回到開孔處理 (以及基礎熔接處理）之前的層積體C的暫時熔接，係利 用不需要開孔的插銷定位層壓法。因而，在該熔接製程中 ’不必擔心有關在採用凸緣法和插銷定位層壓法之際所需 要之與「開孔」相關的缺點。又，雖然有關以較少片數的 配線基板A等所形成的層積體C，能可能產生以孔爲起點 的破損等之可能性，但在本實施形中，除了不需要孔以外 ，也不需要諸如此類的擔心。 又第2、雖然是這樣，但是有關以相當程度多數片製 成的多層配線基板的製造，如上述，因爲利用插銷定位層 壓法’所以能有效地享受其優點。又，此情形下，因爲繞 到插銷定位層壓法的層積體厚度會確保在一定程度的厚度 ’所以以前述之孔爲起點的破損等之缺點的發生得以極力 被抑制。 (3) 在本實施形態中，如已描述的，由於孔Η是形 成在熔接部W，因此開孔能較穩定地實行。對該開孔的穩 定性實施，利用有關前述的插銷定位層壓的重複處理的層 胃胃C的多層化也是很大的貢獻。 -22- 1377892 其他方面，如果孔Η是形成在熔接部W，藉此因爲 就算在插銷定位層壓實行之際，預浸料的接著劑熔化，插 銷周圍的接著劑已經硬化，所以也能得到令接著劑附著在 插銷的可能性極爲減低的優點。甚至根據相同理由，也還 帶來了輕易就能從插銷定位層壓實施後的多層配線基板之 插銷的抽取，輕鬆地進行插銷之清理作業的另項利益。 (4)更在本實施形態中，因爲對層積體C而言一下 子就能開設孔Η，所以像是在構成層積體C的各個構件開 設孔的情形下，並沒有像其各別具有預定之誤差，就能提 升各個構件的定位精度。 (5 )根據以上之（1 ) 、（ 2 ) 、（ 3 )及（4 )所記 載的事情等，在有關本實施形態的製造裝置1，其結局能 更有效率且更高精度地製造多層配線基板。 (6)除此之外，在本實施形態中，尤其因爲製造裝 置1是以第1構造體501及第2構造體502的雨個構造體 所製成，所以該製造裝置1的搬運，能夠在分離成該等第 1構造體501及第2構造體5 02的上面進行。因而，其運 送容易性提高。 又’有關第2構造體502中，軌道22、22可沿著引 入線29、29移動，就能引入到以開孔部1 4及取出部1 5 所構成的第2構造體502的本體部的區域內。藉此，軌道 22、22引入後，該第2構造體5 02的形狀係成爲大致與 略長方形體一致，前述的結果亦即搬運容易性更爲提高。 再者，本發明儘管是上述實施形態，但各種變形還是 -23- 1377892 可行》當作其變形例，例如具有如下者。 (1)在上述之實施形態中，雖然是成爲在熔接之後 ，在開孔部1 4施行開孔處理，或者基礎溶接處理的形態 ，但本發明並不限於這樣的形態。 例如，取代開孔部14，也可設置凸緣實行部。再者 ，在此情形下，雖然造成需要進行爲了施行凸緣的開孔， 但該開孔即使在此情形下，還是與在如前述的熔接部W 開設孔Η的形態同樣地進行爲宜。藉此，因爲凸緣是在 比其他部分還要硬化的部分施行，所以配線基板Α間的 接合強度的維持會適當地進行，例如因爲橫移等等的發生 會受到抑制。 再者，若藉由開孔部14對層積體C施行開孔處理的 話，使用最佳的凸緣裝置，藉此也能在有關本發明的裝置 外實行凸緣。 又，雖然在上述的實施形態中，論及在開孔部1 4， 除開孔外還進行基礎熔接，但開孔是利用有別於製造裝置 1所設的另一處理部來實行，也可在製造裝置1內的開孔 部14所定位的位置，設置只進行基礎熔接處理的熔接著 〇 如上，在上述實施形態之製造裝置1內的開孔部Μ 的位置，基本上可自由地設置實施各種處理的各式各樣的 「處理部」。但是由製造效率等的觀點，設有成爲能實行 有關除開孔外還實行基礎熔接，或者除開孔外還進行凸緣 之組合的處理的處理部之形態可稱得上爲最佳的構造之一 -24- 1377892 (2)在上述的實施形態中，雖然開設在層積體C的 孔Η的形狀爲圓形，但本發明並不限於這樣的形態。例 如，如第4圖（a)所示，也可採用長孔形的孔Η1。在此 ，所謂「長孔形」係如第4圖（a)所示，表示像連接長 方形與兩個半圓形那樣的形狀。更詳細是像在構成長方形 之一方的短邊，接合一方之半圓的直徑部分，並且在另一 方的短邊接合另一方之半圓的直徑部分的形狀。 長孔形的孔Η1，例如第4圖（a )所示，通過該長孔 形之孔H1的兩個半圓形之中心的直線，是配置在以層積 體C之中心爲原點的XY軸之任一方的軸之上，或者配置 成與X軸平行或與Y軸平行。在此如果配置成與X軸同 軸或平行的長孔形的孔H1爲孔Hlx，且配置成與Y軸同 軸或平行的長孔形的孔Η 1爲孔Η 1 y的話，即處於通過孔 Hlx的兩個半圓形狀之中心的直線與通過孔Hly的兩個半 圓形狀之中心的直線爲直交的關係。如果孔H1是在層積 體C的XY平面上的話，只要不是在妨礙配線基板A之電 路上等配置的場所，無論配置在哪都可以，但希望像孔 Hlx與孔Hly以互相地直交，或者接近直交的關係配置。 若藉此即可得到如下的效果。 亦即，雖然在層積體C的建構完成之後，如上述地實 行插銷定位層壓，但此時會造成插銷P被插入到形成在該 層積C的孔。該插銷P是準備作爲構成在插銷定位層壓 之際，用來載置層積體C的鑽模（jig)的一部分。該插 -25- 1377892 銷p是應用於該層積體C之鑽模上的定位。 此時，因爲層積體C的大小（特別是平面觀 )是各式各樣，所以爲了分別對應該等，必須準 插銷或者鑽模。可是這很麻煩，而且還需要那部 〇 在此，確認如第4圖（a)所示之孔H1的效 ’若是在像這樣的長孔形狀及配置關係的孔H1 模之插銷P的位置是對應於該長孔形狀的範圍內 銷P是在哪，層積體C都能在該鑽模上定位。 使沒有爲了一個個特定的層積體準備鑽模，只要 對應在長孔形的範圍內，該層積體就會依其鑽模 適當地實行插銷定位層壓。例如，在第4圖（b 面所示爲即使在插銷P的位置爲不變的情形下， 與比此還小一圏的層積體Cs之兩者，都能利用 像這樣，藉由採用長孔形的孔H1，只準備一種 種被限定的鑽模，幾乎就能夠製作出可對應所有 積體C。如上，藉由如第4圖的孔Η1或開孔， 下處理鑽模（例如更換作業等）的作業時間，且 再者，如上述’有關至少一個的孔，通例是 判別，在表與裏中是在座標不同的位置開設孔， 圖（c)所示的孔Hla，在表與裏中是在座標不 設有孔。此時，對應於孔Hla的熔接部，係施行 孔Hla之座標的位置（第4圖（c)的Wla) » 看的大小 備複數種 分的成本 果。亦即 ，只要鑽 ，無論插 亦即，即 插銷P是 而定位， )中，圖 層積體C 該鑽模。 或較少數 種類的層 就能夠省 抑制成本 爲了表裏 例如第4 同的位置 於對應在 -26- 1377892 又’若孔Hlx與孔Hly是以互相直交，或接近直交 的關係而配置的話，就不一定要配置成與XY軸同軸，或 平行。在此’接近直交是指能夠在插銷P插入到孔H1之 際’對實行插銷定位層壓沒有阻礙的程度，來限制層積體 C之移動的角度。 (3)再者，在上述的第4圖中，雖然有關積層體C 設有孔’且有關鑽模設有對應其孔的插銷，但也能採用如 第5圖的形態取代於此。 此第5圖的情形，長孔形狀的孔H2是設置在鑽模J 。鑽模J’係應用在插銷定位層壓之際，用來載置層積體 C，如圖所示，具有適當的形狀、構造。再者，「長孔形 狀」的意義是與有關前述之孔H1所述的相同。 另一方面，在第5圖中，插銷P2是設置在層積體C2 之側。 雖然通常插銷P2是事先固定在鑽模，但此情形下是 暫時固定在層積體C2之側。對於該插銷P2的暫時固定 ，係與參照第2圖所說明的相同，利用開設在熔接部的孔 。藉此，該插銷P2之暫時固定所用的部位，係確保某種 程度的剛性，連產生暫時固定插銷P2之程度的嵌合的間 隙，也不會讓層積體C2破損。又，因爲重覆實施層積體 C2的佈置及熔接製程，只要厚度增加，光是那樣剛性也 會跟著增加，所以能更容易地暫時固定插銷P2。 即使藉由像這樣的形態，都能得到與有關第4圖所說 明之大致相同的效果。 -27- 1377892 亦即，只要準備具有這樣的長孔形的孔H2的鑽模j ，藉由該之一的鑽模J，就能對應具有各種大小的層積體 。例如，在第6圖中，圖面所示爲在（a)所示的層積體 C2與（b)所示之比那小一圈的層積體Cs2中，即使插銷 P2的位置改變的情形下，仍能利用一種孔H2而對應兩者 〇 像這樣，藉由如此的構造，只準備一種或較少數種被 限定的鑽模，幾乎就能夠製作出可對應所有種類的層積體 〇 依上，藉由設置在如第5圖之鑽模J的長孔形之孔 H2及將插銷P2暫時固定在層積體之側的構造，就能夠省 下處理鑽模（例如更換作業等）的作業時間，且抑制成本 〇 再者，長孔形的孔H2，係例如第6圖（a)及（b ) 所示’通過該長孔形之孔H2的兩個半圓形之中心的直線 ，是配置在以鑽模J之中心爲原點的XY軸之任一方的軸 之上，或者配置成與X軸平行或與Y軸平行。在此如果 配置成與X軸同軸或平行的長孔形的孔H2爲孔H2x，且 配置成與Y軸同軸或平行的長孔形的孔H2爲孔H2y的話 ，即處於通過孔H2x的兩個半圓形上之中心的直線與通 過孔H2y的兩個半圓形之中心的直線爲直交的關係。 如果孔H2是在鑽模〗的χγ平面上的話，只要不是 在妨礙層積體C2之配線基板A之電路上等配置的場所， 無論配置在哪都可以，但希望像孔H2x與孔H2y以互相 -28- 1377892 地直交’或者接近直交的關係配置。 又，若孔H2x與孔H2y是以互相地直交，或者接近 直交的關係而配置的話，就不一定非要配置成與Χγ軸同 軸’或平行。在此’接近直交是指能夠在插銷P2插入到 孔H2之際’對實行插銷定位層壓沒有阻礙的程度，來限 制層積體C2之移動的角度。 (4) 在上述的實施形態中，雖然對層積體c的熔接 部W及孔Η的數量分別爲六個，但本發明並不限於這樣 的形態。兩者的數量有鑑於諸般情形得以適當的訂定。當 然，即使有關該等熔接部及孔的配置形態，本發明亦未特 別的限定。 再者，前述的第4圖等等，由這樣的觀點，可視爲表 現設有「四個」熔接部與「四個」孔的一例。 (5) 在上述的實施形態的暫時熔接部12中，除了溶 接頭121等之外，也可具備如下的構造。 第1、如上述’若暫時熔接層積體C，在熔接頭121 所抵接的部分的周圍，具有形成隆起的部分。暫時熔接部 121，也可具備押入其隆起的部分，藉此再度形成平坦之 面的壓模（圖未示）。 又第2、在暫時熔接實行之際，進行以熔接頭ι21不 直接接觸到層積體C的方式，對兩者間供給例如特富龍（ 「Teflon」註冊商標）貼紙等的介裝材料。爲了實現暫時 熔接’暫時熔接頭121，也可具備介裝材料供給部（圖未 示）。 -29- 1377892 以上的情形當然是連在開孔部14設有熔接頭的情形 下也行得通。 【圖式簡單說明】 第1圖是有關本發明之實施形態的多層配線基板的製 造裝置之俯視圖。 第2圖是表示層積體之溶接部與孔的配置及形狀例的 圖。 第3圖係表示本實施形態之多層配線基板的製造方法 之一例的流程圖。 第4圖是表示不同於第2圖的層積體之熔接部與孔的 配置及形狀例的圖。 第5圖是表示與第4圖相反地在層積體之在鑽模設置 用以插入該插銷的孔的形態例的圖。 第6圖是表示第5圖之情形下，對鑽模之層積體的載 置例’ （a)係表示載置比（b)大一圈的層積體的範例。 【主要元件符號說明】 1:多層配線基板的製造裝置 1 1 :投入部 12 :暫時熔接部 1 2 1 :熔接頭 129 :對準裝置 13 :緩衝部 -30- 1377892
1 4 :開孔部 1 4 1 :開孔頭 149 :對準裝置 15 :取出部 21、2 1 :軌道 22 、 22 :軌道 221 :軌道間連繫材 29、29 :弓丨入線 1 〇 〇 :控制部 501 :第1構造體 502 :第2構造體 A :配線基板 B:預浸料（pre-preg)
C、Cs、C2、Cs2 :層積體 W :熔接部 Η、HI、H2 :孔 Ρ、Ρ2 :插銷 J :鑽模 -31 -